🇨🇳 Фотолитографы. Китай

Китайская SMEE получила стратегический госконтракт на поставку литографа

О контракте на 1.1 млрд юаней ($110 млн) на отгрузку степпера SMEE SSC800/10 сообщает TrendForce со ссылкой 21jingji.

По данным ICsmart – это KrF литограф с источником 248 нм и разрешением 110 нм. Процесс – сухая литография, точность совмещения – 15 нм. Совсем не революционно в плане технологий.

Отмечу новую букву в обозначении. Ранее было известно о машинах SSX и SSB, а что означает эта "С" - мне пока что не ясно (по логике картинки выше - это может указывать на применение лазера KrF).

Контракт разыгрывало Министерство науки и технологий Китая. Кто выступит конечным получателем оборудования – не сообщается (есть слухи, что это некая компания Yandong, но это не точно). Из других неизвестных: используются ли в этом оборудовании лазер и оптическая система китайской разработки.

Ранее, когда упоминались машины SSx800, то говорилось (в рамках слухов), что это машины под техпроцессы 28 нм. Но пока что нет свидетельств в пользу того, что SSC800 может обеспечить работу с такими техпроцессами.

@RUSmicro

(В таблице приведены данные литографов серии 600, а в тексте речь идет о новой серии - 800. В чем их отличия пока что не ясно)

🇨🇳 ИИ-чипы. Международная экспансия. Китай

Huawei будет поставлять ИИ-кластеры на основе ИИ-чипов Ascend 950 в Южную Корею

Дефицит ИИ-чипов порождает весьма неожиданные события. В частности, несмотря на то, что власти Китая пытаются стимулировать переход отечественных пользователей на китайские чипы ИИ, а западный блок постепенно огораживается от китайской продукции, Huawei заявляет, что планирует поставлять свои решения на основе ИИ-чипов для ЦОД ИИ в Южной Корее в 2026 году.

Стоит отметить, что китайцы не собираются делиться с Южной Кореей непосредственно дефицитными ИИ-чипами. Они намерены поступить куда разумнее – поставлять решения и услуги развертывания кластеров для ИИ. Это означает возможность продать множество серверов и ПО, а также сетевые решения – в общем, продукцию высоких переделов. Это куда более маржинальный для компании вариант развития событий.

В основе этих поставок, как ожидается, будут лежать чипы Ascend 950 с собственными микросхемами HBM – HiBL 1.0 в решениях для вывода данных и HiZQ 2.0 в решениях для обучения.

Поставками только в Южную Корею в Huawei ограничиваться не планируют, компания намечает также поставки в Малайзию.

Это, по идее, может свидетельствовать о том, что Huawei справляется с внутренним спросом и теперь хочет наращивать масштабы производства и маржинальность производства за счет экспансии на внешние рынки.

@RUSmicro

🇯🇵 Производство полупроводниковых структур. 1.4нм. Наноимпринтная литография. Япония

Япония разрабатывает технологию наноимпринтинга с шириной линии 10нм

Технология наноимпринтной литографии (NIL) предназначена для формирования рисунка логических полупроводниковых схем «класса» 1.4нм. Компания Dai Nippon Printing (DNP) заявляет, что уже испытывает технологию с планами начать серийное производство в 2027 году. Об этом рассказывает TrendForce.

В декабре 2025 года компания показывала технологию с шириной линии 10нм на выставке SEMICON Japan 2025 в Токио. Ширина линии 10 нм была достигнута с помощью так называемой технологии саморегулируемого двойного формирования рисунка (паттернинга) или SADP.

Если у японцев получится, это обеспечит альтернативу сверхдорогим и жадным до электроэнергии установкам ASML EUV. Как минимум, на отдельных этапах формирования рисунка на кристалле. Причем со снижением потребления электроэнергии чуть не на порядок относительно сегодняшнего уровня.

Все это здорово, но, чтобы это все стало производственными реалиями, нужно решить несколько серьезных инженерных проблем – обеспечить высокую точность совмещения (оверлея), низкий уровень дефектов, преодолеть изнашивание шаблонов. Пропускная способность NIL, конечно, ниже, чем у EUV-сканеров. И, коммерческих – не так уж просто увлечь производственников какими-то новыми, еще никем не апробированными решениями.

@RUSmicro, фото - Dai Nippon Printing

🇷🇺 Пассивные компоненты. Гираторы. Россия

В НовГУ экспериментируют с гираторами, чтобы заменить катушки индуктивности

Катушка индуктивности — устройство, которое «запасает» энергию в магнитном поле при прохождении через него электрического тока и противодействует изменению этого тока. Если говорить простыми словами — катушка «хранит» энергию и отдает ее тогда, когда это необходимо. Гиратор преобразует емкостное сопротивление в индуктивное, что позволяет обходиться без катушек.

Как сообщает сайт Наука, в НовГУ создали гиратор - трехслойную структуру: снаружи располагаются магнитострикционные компоненты, а внутри — пьезоэлектрический элемент. Вокруг пластинок намотана катушка индуктивности, а снаружи устройство со всех сторон замыкается магнитопроводами. Такая конструкция в форме тора предотвращает рассеивание магнитного поля, минимизирует потери энергии и помехи для других компонентов схемы.

Не то, чтобы в конструкции удалось обойтись без катушки индуктивности, но заменили объемную катушку плоской, что позволяет говорить об определенной миниатюризации. А эффективность преобразования тока в напряжение и обратно повышает использование "наноструктурированного аморфного" сплава АМАГ. Разработка запатентована, идут ее испытания.

Другие возможные направления развития в области миниатюризации индуктивных элементов - использование MEMS и тонких пленок - здесь уже есть коммерческие решения. Наиболее передовое направление - это использование метаматериалов - здесь пока что ведутся исследования, которые не завершились известными мне коммерческими внедрениями.

@RUSmicro

🇬🇧 Космическое производство полупроводников. Великобритания

Орбитальное производство полупроводников – британская Space Forge получила плазму в условиях автономного коммерческого спутника

Речь идет о спутнике SpaceForge-1, предназначенном для орбитального производства полупроводниковых структур. Как ожидается, выращенные на спутнике в условиях микрогравитации и чистого вакуума полупроводники будут отличаться рядом интересных особенностей, которые оправдают расходы и суету, связанную с запусками спутников и, особенно, с их возвратом на Землю.

Сообщается, что в условиях SpaceForge 1 удалось получить плазму при температуре примерно в 1000 °C, что создает основу для газофазного выращивания кристаллов. Это, в свою очередь, как ожидается, позволит в перспективе наладить в условиях орбиты коммерческое производство материалов GaN, SiC и т.п. «космического качества».

SpaceForge 1, это небольшой спутник, объемом менее 1 куб.м, который способен синтезировать из разных комбинаций химически чистых материалов новые полупроводники и проводить ряд тестов их свойств. Эта модель спутника не предполагает управляемого возврата на планету, спутник сгорит в атмосфере. Но если будет достигнут успех, на смену SpaceForge 1 могут прийти другие модели спутников, с возможностью контролируемой посадки, способные к автономному производству десятков тысяч кристаллов.

Проект, если окажется успешным, будет масштабируемым, можно будет отправлять на орбиту десятки, да хоть бы и сотни спутников – микрофабов.

Уместно вспомнить о российских экспериментах с выращиванием кристаллов на МКС. Впрямую с тем, что делают британцы этот проект сравнивать сложно. Во-первых, на МКС отсутствует «идеальная» невесомость, кроме того, для станции характерны микровибрации, то и другое может влиять на процесс роста тонких кристаллических пленок. Во-вторых, даже в случае успеха, проект будет непросто масштабировать.

Тем не менее, российские ученые уже вырастили методом МЛЭ первые полупроводниковые кристаллы GaAs, причем эти образцы доставлены на Землю для анализа. При выращивании использовались различные ухищрения, например, для защиты установки от посторонних атомов ее защитили специальным экраном, а для защиты от образования капель испаряемых металлов задействована специальная сетка, пропускающая только пары.

Будет любопытно наблюдать за судьбой каждого из этих проектов.

@RUSmicro

🔬 Горизонты технологий. AQFP. Криогенная электроника. Сверхпроводящая логика.

AQFP – сверхпроводящая логика, еще один вектор развития полупроводниковых технологий

Adiabatic Quantum-Flux-Parametron (AQFP) — это семейство сверхпроводниковой логики, разработанное для создания энергоэффективных вычислительных систем. Технология основана на принципе квантового флюкс-параметрона (параметрона с квантовым потоком) (Quantum Flux Parametron, QFP), предложенном в 1950-х годах, но адаптированном для адиабатического (реверсивного) переключения, чтобы минимизировать энергопотери.

AQFP относится к области сверхпроводниковой электроники и предназначена для работы в криогенных условиях (обычно при температуре 4,2 K). Она не является полноценной квантовой вычислительной технологией (как кубиты в квантовых компьютерах), а представляет собой классическую логику с использованием квантовых эффектов Джозефсона для сверхнизкого энергопотребления.

Разработки AQFP идут преимущественно в Японии (NEC, Yokohama National University, AIST) с 2010-х годов. Впрочем, занимаются ею и в США, например, в MIT Lincoln Laboratory.

Принципы работы

AQFP использует сверхпроводящие петли (rf-SQUID) с джозефсоновскими переходами (Josephson junctions) для представления логических состояний. Основной элемент — буфер, состоящий из двойного SQUID, где логика определяется направлением выходного тока, соответствующего хранению кванта магнитного потока.

🔹 Адиабатическое переключение. Энергия переключения может быть ниже 10⁻²¹ Дж (зептоджоули) на джозефсоновский переход. Это очень мало и близко к теоретически достижимым термодинамическим пределам. Но требует охлаждения до 4.2 К.

🔹 Питание и тактирование. Токи возбуждения служат одновременно источником питания и тактовыми сигналами. Многофазная схема обеспечивает последовательную активацию гейтов и передачу данных.

🔹 Элементы логики. Созданы и испытаны буферы, инверторы, сплиттеры, majority-гейты (для AND/OR), ветвления. Из базовых блоков можно создавать сложные логические структуры, как и в обычной логике.

🔹 Доступные частоты. Оценки расходятся, но точно быстрее, чем CMOS. Возможно, уступая RSFQ-логике (Rapid Single Flux Quantum).

🔹 Что в основе? Ниобиевая (Nb) технология с высокой плотностью тока (до 10 кА/см²), поддемпфированные джозефсоновские переходы для снижения потерь.

Технология минимизирует статические потери (без DC-смещения, как в RSFQ) и динамические диссипации за счёт адиабатического режима.

Преимущества и недостатки

Энергоэффективность. AQFP позволяет достичь энергоэффективности в 10⁴–10⁵ раз лучше, чем у CMOS (например, 9–48 тысяч по «энергии на операцию» по сравнению с 12–40 нм FinFET). Конечно, этот гигантский разрыв смазывает необходимость криогенного охлаждения, но даже «на круг» получается на 2 порядка эффективнее, чем при использовании CMOS полупроводников.

▫️ Масштабируемость. Низкие потери позволяют создавать чипы со сравнительно большим числом элементов (до 20 тысяч джозефсоновских переходов в демонстрациях).
▫️ Устойчивость. Технология устойчива к вариациям параметров и совместима с другими сверхпроводящими технологиями - RSFQ, SFQ.
▫️ Применения. В теории, может быть использована для создания высокопроизводительных систем с низким энергопотреблением, включая ИИ-акселераторы, системы стохастических вычислений, интерфейсы для кубитов и датчиков (например, детекторов единичных фотонов).
▫️ Недостатки. Необходимость криогенного охлаждения. Низкая плотность интеграции (в 4 – 26 раз ниже, чем у CMOS). Сложность производства на текущий момент.

Это коммерчески доступная технология или пока что нет?

AQFP остаётся преимущественно научной и исследовательской технологией, с акцентом на демонстрацию прототипов.

Подборка статусных новостей

Были показаны, например, 8-битный сумматор; 16-словный регистр; 10000-гейтовый чип; 4-битный RISC-V микропроцессор MANA (460 джозефсоновских переходов); интерфейсы для детекторов единичных фотонов.

(2) Созданы стандартные библиотеки элементов под ниобиевый техпроцесс и EDA-инструменты для синтеза, размещения и маршрутизации (включая HDL-симуляции). Синтезировано 18 схем, включая изделия для бенчмарков, ИИ-ускорители и 32-битный RISC-V ALU.

В последние три года идет создание масштабируемых flux-контроллеров кубитов (AQFP/SFQ), микроволновых мультиплексированных контроллеров кубитов с низким энергопотреблением (7 пВт на джозефсоновский переход), компактных ячеек памяти для регистровых файлов. Разрабатывается FPGA на AQFP. Тестируются новые техпроцессы.
Ожидается интеграция в квантовые контроллеры.

Место технологии

На 2026 год нет свидетельств о коммерческих процессорах или полноценных вычислительных устройствах на базе AQFP. Все разработки — лабораторные прототипы, демонстрирующие теоретическую возможность создания, но не готовые к массовому производству. Технология фокусируется на преодолении ограничений энергопотребления в ИКТ.

Где, в теории, смогут применяться в будущем

▫️В квантовых компьютерах, в интерфейсах управления кубитами (AQFP-QC контроллеры)

▫️В нейросетях или в ASIC-акселераторах – для создания специализированных вычислительных блоков.

▫️В ультранизкопотребляющих сценариях.

А что в других странах?

🇷🇺 Прямых упоминаний исследований в области AQFP в России навскидку не нашел, но учитывая такие российские проекты как Суперквант, можно говорить, что в целом направлением сверхпроводящей микроэлектроники в нашей стране занимаются. В частности, есть публикации по сверхпроводящим ячейкам, интерферометрам на основе джозефсоновских переходов, логике на основе квантового флюкса.

Но публикаций по AQFP-процессорам, ядрам или вычислительным платформам в открытых источниках не увидел.

🇨🇳 В Китае впрямую тема AQFP упоминается не редко, но в целом адиабатическим сверхпроводящим схемам общего рода посвящается немало статей, которые развивают теоретические и экспериментальные основы.

В Китае действует ряд лабораторий, занимающихся сверхпроводящими логическими элементами и квантовыми схемами (Шанхайский университет Цзяо Тун), включая джозефсоновские элементы (Университет Цинхуа) и работы по моделированию интегральных сверхпроводящих схем (Синьхуа Ухань / Университет Цзилинь). И, конечно, есть центры Китайской академии наук по сверхпроводящим технологиям. Ничего, близкого к практическому применению не видно.

🇪🇺 В Европе темой адиабатической логики занимаются. Но на той же «ранней стадии», в основном научно-лабораторной.

Кто драйвит исследования AQFP?

На текущий момент, как обычно – военные и правительства, которые решают свои узкие задачи. В ближайшие годы так и будет.

В 2025-2028 году технология будет применяться в научных и оборонных лабораториях для управления квантовыми процессорами, как криогенные контроллеры, сверхэнергоэффективные ALU малой сложности. Искать их можно будет в оборонных НИИ, национальных лабораториях, космических агентствах и в разведывательных структурах. Этот процесс уже начался и он, конечно, не публичный.

В 2028-2035 годы начнется выход из лабораторий в практическое применение.

Какие можно ожидать применения:

▫️криогенные контроллеры квантовых
▫️криптографические модули (post-quantum);
▫️автономные разведывательные системы;
▫️дальние космические аппараты (где энергия дороже массы);
▫️спецпроцессоры обработки сигналов (SIGINT, радары, гидролокаторы).

После 2035 года – расширение, но не доминирование.

AQFP не заменит CMOS. Не будет ни массовых серверов, ни, тем более, AQFP-ноутбуков. Но в криогенной электронике AQFP может стать стандартным и массовым решением.

Прогнозный порядок вывода AQFP в практические применения: Япония, затем США, позднее - Китай. Россия и Европа, скорее всего, запоздают. Впрочем, человеку не дано знать будущее.

@RUSmicro

🇪🇬 Производство смартфонов. Сборка смартфонов. Египет

Египет наращивает производство смартфонов

Египет начал локальное производство смартфонов в 2017–2018 годах, в основном через государственную компанию Silicon Industries Corporation of Egypt (SICO), которая выпускает собственные модели. Кроме того, в стране осуществляется сборка для международных брендов, что помогло самым решительным образом снизить импорт (упал на 99,9% к концу 2024 года). Всего сообщается о производстве продукции для 15 международных брендов.

В частности, Египет собирает смартфоны для Samsung, Vivo, OPPO, Xiaomi, идут переговоры еще с рядом брендов. Локальный бренд SICO наладил производство уже нескольких моделей смартфонов бюджетного уровня (3ГБ, 32 ГБ, 4-ядерные процессоры). В основном это процессоры на MediaTek и даже Spreadtrum (Unisoc). Операционные системы, само собой, Android. Египетский рынок – это 86% ОС Android и 13% - iOS.

В 2025 году Египет уже произвёл 10 миллионов устройств и неплохо сэкономил, учитывая, что в основном собранные устройства потреблялись на внутреннем рынке страны - сообщается о 40% локальной добавленной стоимости. Согласно заявлению министра связи и информационных технологий Египта Амра Талаата, страна планирует произвести 15 миллионов мобильных телефонов в 2026 году и начать их экспорт на международные рынки.

Наладить производство такого технологически сложного продукта как смартфоны, в немалой степени помогла господдержка в размере 60 млрд египетских фунтов. Локализована сборка не только бюджетных моделей, но и моделей среднего уровня. Итог – импорт готовых телефонов уже удалось сократить на 99.9% к 2024 году.

Стратегия Египта — это комплексная государственная промышленная политика Egypt Makes Electronics, которая одновременно отвечает на запрос о диверсификации глобальных цепочек поставок и ориентирована на бюджетный сегмент рынка, но с амбициями выйти за его пределы. С амбициями создать региональный производственных хаб.

Планы включают не только развертывание сборочных производств, но и обучение 1 млн IT-специалистов к 2030 году, развитие сетей 5G и оптоволоконной связи.

Есть и проблемы. Развернутые мощности (на 20 млн устройств) пока что недозагружены. Безусловно есть зависимость от импорта компонентов, хотя в Египте есть собственное производство некоторых компонентов, но ключевое – чипсеты, экраны, завозятся из других стран. На компоненты установлены льготные пошлины.

@RUSmicro

🇨🇳 Чипы ИИ. Участники рынка. IPO. Китай

Китайская Biren успешно разместилась на Гонконгской фондовой бирже

После проведенного 2 января 2026 года IPO, компания Biren Technology стала первым разработчиком GPU из материкового Китая с листингом в Гонконге.

Компания привлекла 5.58 млрд гонконгских долларов (около $717 млн). Розничная часть размещения была переподписана более чем в 2300 раз, институциональная – почти в 26 раз. Торги в первый день закрылись с приростом в 76%, это лучший дебют в Гонконге для размещений такого масштаба. Основная часть средств будет направлена на исследования и разработки (R&D), а также на коммерциализацию решений.

Основанная в 2019 году бывшим президентом SenseTime Чжаном Вэнем, Biren входит в число китайских «четырёх маленьких драконов» в сегменте GPU (наряду с Moore Threads, MetaX и Enflame).

В 2022 году компания представила серверный ИИ-ускоритель BR100 на собственной архитектуре, позиционируя его как аналог NVIDIA A100. Чип изготовлен по 7-нм техпроцессу TSMC.

В октябре 2023 года Biren была внесена в санкционный список США (Entity List), что ограничило ей доступ к передовым производственным мощностям, включая TSMC.

В 2024 году выручка Biren составила 336.8 млн юаней (~$47.8 млн). Компания пока убыточна из-за активных инвестиций в R&D. На первое полугодие 2025 года чистый убыток составил 1.6 млрд юаней.

Почему, несмотря на то что Biren лишена доступа к современному производству и в целом убыточна, сохраняется интерес к этой компании, почему в нее готовы инвестировать?

Экспортные ограничения США на поставку в Китай чипов ИИ создали острую необходимость в местных аналогах. Китайские компании, разрабатывающие большие языковые модели (LLM), такие как DeepSeek-R1, нуждаются в огромных вычислительных мощностях. Это создаёт готовый рынок сбыта для местных производителей чипов. И, конечно, потому, что несмотря на текущее отставание, инвесторы верят в долгосрочный потенциал и возможность Китая создать конкурентоспособные решения, особенно в условиях изоляции от западных технологий.

Пока рано говорить, смогут ли Biren и другие «драконы» полностью заменить продукцию Nvidia в глобальных масштабах. Однако их успешный выход на биржу и государственная поддержка показывают, что Китай последовательно строит независимую экосистему ИИ.

@RUSmicro

🇺🇸 Регулирование. Производственное оборудование. Геополитика и микроэлектроника

Правительство США вернуло разрешения TSMC, Samsung и SK Hynix на закупку американского оборудования для заводов компаний в Китае, но есть нюанс

Это продолжение истории с отзывом постоянного разрешения TSMC и южнокорейским компаниям на закупку американского оборудования для их производств в Китае. Теперь TSMC придется всякий раз получать индивидуальные разрешения от правительства США на будущие поставки американского оборудования на Fab16 в Нанкине, ежегодно. Первое такое разрешение уже выдано. Фаб TSMC в Нанкине производит чипы по зрелым техпроцессам, включая 16нм.

Эпоха «бессрочных» разрешений завершилась. До конца 2025 года три азиатских производителя, TSMC, Samsung и SK Hynix, пользовались статусом «валидированного конечного пользователя» (VEU), что позволяло им получать американское оборудование. Теперь все они потеряли этот статус и должны получать разрешения ежегодно. Это уже сделано каждым из трех производителей, так что «де-факто» изменений нет. Но теперь этим компаниям есть, что терять. Что будет сказываться на их политике в отношении китайских заказчиков.

TSMC сравнительно незначительно зависит от фаба в Китае, нанкинское производство это всего лишь 2.4% выручки тайваньской компании. Совсем в другой ситуации южнокорейские Samsung и SK Hynix. У первой – производство NAND-памяти в Сиане, которое обеспечивает порядка 30% общего объема их производства. У SK Hynix в Китае работают фабрики в Уси по производству DRAM, а в Даляне (Дальнем) – по производству NAND и совокупный объем их производства – 30-45% от общего. Так что впору говорить о серьезной зависимости южнокорейских производителей от производственных мощностей в Китае.

В США считают эту меру достаточной и эффективной на сегодня. Полный запрет и требования закрытия производств Тайваня и Южной Кореи в Китае было бы слишком критичными, прежде всего, для «западного блока». А так повышается контроль над доступностью этих производств для нежелательных заказчиков. В США называют это «управляемой фрагментацией» глобальных цепочек поставки.

@RUSmicro

🔬 Горизонты технологий. Микроэлектроника. 3D DRAM. Китай

Вертикальные 2T0C-ячейки и архитектура 4F²: путь к монолитной 3D DRAM

Исследовательские группы во всем мире ведут активные работы по поиску альтернатив классической DRAM-ячейке, развитие которой все сильнее ограничивается физическими и технологическими барьерами. Одной из наиболее перспективных концепций считается безконденсаторная DRAM-ячейка архитектуры 2T0C (2 транзистора, без конденсатора), способная обеспечить дальнейшее масштабирование плотности памяти и создать основу для монолитной 3D DRAM.

Ограничения традиционной DRAM

Классическая DRAM-ячейка строится на архитектуре 1T1C и занимает площадь порядка 6F², где F — минимальный технологический размер. Хранение информации осуществляется за счет заряда в отдельном конденсаторе, размещение которого становится все более сложным по мере уменьшения геометрических размеров.

Дополнительной проблемой является трудность вертикального масштабирования: формирование высокоаспектных конденсаторов усложняет производство и ограничивает возможности многослойной интеграции.

Архитектура 2T0C и площадь 4F²

В архитектуре 2T0C отдельный накопительный конденсатор отсутствует. Хранение данных осуществляется за счет паразитной емкости и зарядовых эффектов в транзисторных структурах.

Типовая ячейка состоит из двух транзисторов — одного для записи и одного для чтения — что позволяет реализовать ячейку площадью порядка 4F², то есть примерно в 1,5 раза меньше, чем у традиционной 6F² 1T1C-ячейки.

Такое сокращение площади достигается благодаря применению вертикально-канальных транзисторов и компоновок с двойным затвором (dual-gate), где элементы могут размещаться друг над другом, формируя компактную объемную структуру.

Роль оксидных полупроводников (IGZO)

Ключевым элементом современных 2T0C-реализаций является использование тонкопленочных транзисторов на основе оксида индия-галлия-цинка (IGZO). По сравнению с кремнием IGZO обладает существенно меньшим током утечки, что критически важно для безконденсаторных DRAM-ячеек. Низкая утечка позволяет удерживать заряд в ячейке в течение сотен секунд, даже при повышенных температурах (до 85 °C).

Дополнительным преимуществом IGZO является возможность формирования транзисторов при относительно низких температурах, что делает такие структуры совместимыми с BEOL-процессами и, следовательно, пригодными для наращивания слоев памяти поверх логических схем. (..)