مشخصات ماژول اثر انگشت FPM10A
#اثر_انگشت
#ماژول
به همراه توضیحات و فایل👇
🆔 @sibelectronics
🆔 https://sapp.ir/sibelectronics

کمی توضیح در مورد ماژول #اثر_انگشت 👇👇
این ماژول اثر انگشت به علت کارایی ساده مورد پسند اغلب مهندسان و طراحان قرار گرفته است و این بیشتر به خاطر این است که پروتکل ارتباطی این ماژول سریال است.

این ماژول با میکروکنترلر های مختلف و بردهای آردیونو و هر پردازنده ای که بتواند از پروتکل سریال پشتیبانی کند کار می‌کند. این ماژول از طریق مبدل‌های USB به سریال موجود در فروشگاه قابلیت اتصال به کامپیوتر را نیز دارد، قابل ذکر است که در صورت ارتباط با کامپیوتر با توجه به پشتیبانی نرم افزار 

این ماژول همچنین دارای ویژگی‌هایی چون سنسور نوری ، پردازنده DSP سرعت بالا ، چیپهای فلش با ظرفیت بالا ، الگوریتمهای تطبیق اثر انگشت با عملکرد بالا و . . . است. دارای ویژگی نرم افزاری شامل ثبت انواع توابع اثر انگشت ، تطبیق اثر انگشت ، جستجوی اثر انگشت و...

استفاده صنعتی در مصارفی همچون سیستمهای امنیتی ، حضور و غیاب و...
#ماژول
🆔 @sibelectronics
🆔 https://sapp.ir/sibelectronics

مشخصات عمومی ماژول #اثر_انگشت :

ظرفیت حافظه 1000 عدد اثر انگشت برای ذخیره سازی باودریت ماژول از 9600 الی 57600 می باشد.

وضعیت پین ها:

سیم قرمز:          VCC
سیم مشکی:     GND
سیم زرد:            RXD
سیم سبز:          TXD
#ماژول

🆔 @sibelectronics
🆔 https://sapp.ir/sibelectronics

دیتا شیت ماژول #اثر_انگشت 👇
ولتاژ مورد نیاز= 3.6v~6v DC
جریان کار= 120mA
حداکثر جریان کار= 140mA
زمان ورودی تصویر اثر انگشت= 1 ثانیه
اندازه پنجره= 14mm *18mm
مشخصات = 256 bytes
فایل الگو= 512 bytes
گنجایش انبار= 1000 عدد اثر انگشت
نرخ پذیرش اشتباه= 0.001 درصد
FRR=1درصد
زمان جست و جو= 1 ثانیه
رابط کامپیوتر= USART
نرخ انتقال ارتباط= 9600
کار در درجه حرارت= -20°C ~ 50°C
ابعاد(L*W*H) = 56 x 20 x 21.5mm
#ماژول

🆔 @sibelectronics
🆔 https://sapp.ir/sibelectronics

راهنمای استفاده از ماژول #اثر_انگشت
زبان اصلی
#ماژول
🆔 @sibelectronics
🆔 https://sapp.ir/sibelectronics

نرم افزار تست ماژول #اثر_انگشت
#ماژول
🆔 @sibelectronics
🆔 https://sapp.ir/sibelectronics

فیلم آموزش چاپ فیبر با استفاده از الکل و استون
👇👇👇
📡کانال سیب الکترونیک
🆔 @sibelectronics
🆔 https://sapp.ir/sibelectronics

دوستان عزیز این کلیپ رو حتما نگاه کنید..چاپ آسان و بی دردسر پی سی بی بدون نیاز به اتو..خییییلی با کیفیت تر از روش اتو هم در میاد..
@sibelectronics

سطل های زباله مجهز به Wi-Fi در چین
با ریختن زباله هر سطل امکان 5مگابایت داده رایگان را به کاربران میدهد ومیتواند همزمان برای 50کاربر فضای آنلاین فراهم میکند
@sibelectronics

ترانزیستورهای دو قطبی

#علمی
📙 ترانزیستور دوقطبی پیوندی

در ترانزیستور دو قطبی پیوندی با اعمال یک جریان به پایه بیس جریان عبوری از دو پایه کلکتور و امیتر کنترل می‌شود. ترانزیستورهای دوقطبی پیوندی در دونوع npn و pnp ساخته می‌شوند. بسته به حالت بایاس این ترانزیستورها ممکن است در ناحیه قطع، فعال و یا اشباع کار کنند. سرعت بالای این ترانزیستورها و بعضی قابلیت‌های دیگر باعث شده که هنوز هم از آنها در بعضی مدارات خاص استفاده شود.


انواع ترانزیستور پیوندی

pnp

شامل سه لایه نیم هادی که دو لایه کناری از نوع p و لایه میانی از نوع n است و مزیت اصلی آن در تشریح عملکرد ترانزیستور این است که جهت جاری شدن حفره‌ها با جهت جریان یکی است.

npn

شامل سه لایه نیم‌ هادی که دو لایه کناری از نوع n و لایه میانی از نوع p است. پس از درک ایده‌های اساسی برای قطعه ی pnp می‌توان به سادگی آنها را به ترانزیستور پرکاربردتر npn مربوط ساخت.


ساختمان ترانزیستور پیوندی ترانزیستور دارای دو پیوندگاه است. یکی بین امیتر و بیس و دیگری بین بیس و کلکتور. به همین دلیل ترانزیستور شبیه دو دیود است. دیود سمت چپ را دیود بیس _ امیتر یا صرفاً دیود امیتر و دیود سمت راست را دیود کلکتور _ بیس یا دیود کلکتور می‌نامیم. میزان ناخالصی ناحیه وسط به مراتب کمتر از دو ناحیه جانبی است. این کاهش ناخالصی باعث کم شدن هدایت و بالعکس باعث زیاد شدن مقاومت این ناحیه می‌گردد.


امیتر که به شدت آلائیده شده، نقش گسیل و یا تزریق الکترون به درون بیس را به عهده دارد. بیس بسیار نازک ساخته شده و آلایش آن ضعیف است و لذا بیشتر الکترونهای تزریق شده از امیتر را به کلکتور عبور می‌دهد. میزان آلایش کلکتور کمتر از میزان آلایش شدید امیتر و بیشتر از آلایش ضعیف بیس است و کلکتور الکترونها را از بیس جمع‌آوری می‌کند.



بازسازی اولین ترانزیستور جهان

طرز کار ترانزیستور پیوندی طرز کار ترانزیستور را با استفاده از نوع npn مورد بررسی قرار می‌دهیم. طرز کار pnp هم دقیقا مشابه npn خواهد بود، به شرط اینکه الکترونها و حفره‌ها با یکدیگر عوض شوند. در نوع npn به علت تغذیه مستقیم دیود امیتر ناحیه تهی کم عرض می‌شود، در نتیجه حاملهای اکثریت یعنی الکترونها از ماده n به ماده p هجوم می‌آورند. حال اگر دیود بیس _ کلکتور را به حالت معکوس تغذیه نمائیم، دیود کلکتور به علت بایاس معکوس عریض‌تر می‌شود.

الکترونهای جاری شده به ناحیه p در دو جهت جاری می‌شوند، بخشی از آنها از پیوندگاه کلکتور عبور کرده، به ناحیه کلکتور می‌رسند و تعدادی از آنها با حفره‌های بیس بازترکیب شده و به عنوان الکترونهای ظرفیت به سوی پایه خارجی بیس روانه می‌شوند، این مولفه بسیار کوچک است.


شیوه ی اتصال ترازیستورها

اتصال بیس مشترک در این اتصال پایه بیس بین هر دو بخش ورودی و خروجی مدار مشترک است. جهتهای انتخابی برای جریان شاخه‌ها جهت قراردادی جریان در همان جهت حفره‌ها می‌شود.


اتصال امیتر مشترک مدار امیتر مشترک بیشتر از سایر روشها در مدارهای الکترونیکی کاربرد دارد و مداری است که در آن امیتر بین بیس و کلکتور مشترک است. این مدار دارای امپدانس ورودی کم بوده، ولی امپدانس خروجی مدار بالا می‌باشد.


اتصال کلکتور مشترک اتصال کلکتور مشترک برای تطبیق امپدانس در مدار بکار می‌رود، زیرا برعکس حالت قبلی دارای امپدانس ورودی زیاد و امپدانس خروجی پائین است. اتصال کلکتور مشترک غالبا به همراه مقاومتی بین امیتر و زمین به نام مقاومت بار بسته می‌شود.

Mosfet transistor

#علمی
📔 ترانزیستور اثر میدان MOS

این ترانزیستورها نیز مانند Jfet‌ها عمل می‌کنند با این تفاوت که جریان ورودی گیت آنها صفر است. همچنین رابطه جریان با ولتاژ نیز متفاوت است. این ترانزیستورها دارای دو نوع PMOS و NMOS هستند که فناوری استفاده از دو نوع آن در یک مدار تکنولوژی CMOS نام دارد. این ترانزیستورها امروزه بسیار کاربرد دارند زیرا براحتی مجتمع می‌شوند و فضای کمتری اشغال می‌کنند. همچنین مصرف توان بسیار ناچیزی دارند.

به تکنولوژی‌هایی که از دو نوع ترانزیستورهای دوقطبی و Mosfet در آن واحد استفاده می‌کنند Bicmos می‌گویند.

البته نقطه کار این ترانزیستورها نسبت به دما حساس است وتغییر می‌کند. بنابراین بیشتر در سوئیچینگ بکار می‌‌روند AMB


ساختار و طرز کار ترانزیستور اثر میدانی - فت


ترانزیستور اثر میدانی ( فت ) - FET همانگونه که از نام این المام مشخص است، پایه کنترلی آن جریانی مصرف نمی کند و تنها با اعامل ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه هادی ، جریان عبوری از FET کنترل می شود. به همین دلیل ورودی این مدار هیچ کونه اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد.

فت دارای سه پایه با نهامهای درِین D - سورس S و گیت G است که پایه گیت ، جریان عبوری از درین به سورس را کنترل می نماید. فت ها دارای دو نوع N کانال و P کانال هستند. در فت نوع N کانال زمانی که گیت نسبت به سورس مثبت باشد جریان از درین به سورس عبور می کند . FET ها معمولاً بسیار حساس بوده و حتی با الکتریسیته ساکن بدن نیز تحریک می گردند. به همین دلیل نسبت به نویز بسیار حساس هستند.

نوع دیگر ترانزیستورهای اثر میدانی MOSFET ها هستند ( ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلزی نیمه هادی - Metal-Oxide Semiconductor Field Efect Transistor ) یکی از اساسی ترین مزیت های ماسفت ها نویز کمتر آنها در مدار است.

فت ها در ساخت فرستنده باند اف ام رادیو نیز کاربرد فراوانی دارند. برای تست کردن فت کانال N با مالتی متر ، نخست پایه گیت را پیدا می کنیم. یعنی پایه ای که نسبت به دو پایه دیگر در یک جهت مقداری رسانایی دارد و در جهت دیگر مقاومت آن بی نهایت است. معمولاً مقاومت بین پایه درین و گیت از مقاومت پایه درین و سورس بیشتر است که از این طریق می توان پایه درین را از سورس تشخیص داد.

🚦پروژه راه اندازی بلوتوث با avr🍁🍁
از کانال برق والکترونیک


⚡️کانال تخصصی برق و الکترونیک
@sibelectronics

پروژه هشدار دهنده نشت گاز شهری با کامپایلر بسکام
(0تا100ساخت پروژه و عملکرد)

👇👇👇
📡کانال تلگرام سیب الکترونیک
🆔 @sibelectronics

پروژه هشدار دهنده نشت گاز شهری با کامپایلر بسکام
(0تا100ساخت پروژه و عملکرد)


📡کانال تلگرام سیب الکترونیک
🆔 @sibelectronics

پروژه تستر 555 همراه با شماتیک و pcb
👇👇👇
📡کانال تلگرام سیب الکترونیک
🆔 @sibelectronics