По состоянию на конец 2022 года доля российской электроники на мировом рынке стремится к статистической погрешности и составляет порядка 1,5% против 26% в 1980 году

При этом необходимо отметить , что в 1970-80- е годы электроника СССР стремительно теряла индивидуальность и шла по пути дублирования американских интегральных схем

Стоит подчеркнуть, что к 1962 году СССР находился в паритете с США, технологический уровень был абсолютно равным ( рис. 9)

Именно в этом году под руководством Юрия Осокина была разработана первая интегральная схема

К 1985 году в США, Японии Южной Корее освоили производство сверхбольших интегральных схем памяти емкостью 1 Мбит и технологическим уровнем 1,3 мкм

В начале 1986 года они начали разработки СБИС памяти 4 Мбита с технологическим уровнем 0,8 мкм и предполагали освоить их серийное производство уже к 1988 году

В СССР к тому моменту было освоено серийное производство схем памяти в 64 кбита и уровнем 1,5 мкм

Таким образом, к 1985 году наше
отставание от Запада составляло одно технологическое поколение

У Белорусского государственного университета есть огромный опыт образовательной и научной работы в сфере радиоэлектроники. Также он сотрудничает с вузами Китая. Наша задача — обмен компетенциями между университетами, в том числе для развития кремниево-германиевых технологий полупроводников. Центр полупроводникового материаловедения уже оснащён оборудованием. Можно проводить исследования, получать новые материалы, изучать их свойства и изготавливать чипы

Мы заинтересованы в расширении штата разработчиков нашего предприятия, поэтому планируем отбирать на базовую кафедру самых толковых и заинтересованных в профессии инженера-конструктора СТО, инженера-разработчика УСУ ТП студентов. Имея многолетний опыт руководства командами инженеров, мне, в том числе постоянно приходилось заниматься внедрением в коллектив и профессиональным развитием молодых специалистов, поэтому я отчетливо вижу, как можно адаптировать образовательную программу к конкретным задачам разработки и конструирования СТО и повысить профессиональный уровень подготовки приходящих к нам на работу студентов. Также в наших планах привлечение к преподаванию на кафедре сотрудников НИИТМ, которые уже успешно подготовили и прочли курс лекций для преподавателей ПИШ МИЭТ. Студентов кафедры мы планируем привлекать к реальным проектам предприятия в рамках практических работ и стажировок

Его использование позволяет сократить энергопотребление, уменьшить массу и габариты устройства, увеличить срок работы от аккумулятора и продлить безаварийный срок службы конечного устройства

Мы применяем доступные металлы, такие как кобальт, хром, железо, никель и титан. Примерно 30% состава занимает железо, что делает порошок более доступным и снижает стоимость по сравнению с материалами типа NiCr или TaN. Такое сырье обходится дешевле на 10%. Также благодаря новой технологии мы сократили количество технологических операций и уменьшили энергозатраты на 25%

Наши пленки демонстрируют температурный коэффициент сопротивления (ТКС) -4,2 ppm/°C в диапазоне температур -196 до +227 °C, тогда как традиционные материалы имеют ТКС 10 ppm/°C в диапазоне от 0 до +150 °C

Вместе с ведущими российскими университетами, такими как Высшая школа экономики, мы работаем над тем, чтобы возродить в стране сильную школу подготовки специалистов инженерных профессий для высокотехнологичных отраслей промышленности, в первую очередь микроэлектроники. Наш опыт и знание технологических процессов позволит дополнить научную базу ВШЭ и создать на платформе МИЭМ передовой центр подготовки инженерных кадров, способных решать сложные технологические задачи. Как индустриальный партнер мы сможем усилить теоретические знания практическими навыками и передать студентам наш опыт организации высокотехнологичного производства, который они смогут применить на предприятиях отрасли

Для независимости отечественной полупроводниковой отрасли важно сначала разработать, выпустить и освоить фотолитограф на 350, а потом на 180-90 нм

оборудование, которое создают белорусский «Планар» и Зеленоградский нанотехнологический центр — фотолитограф (степпер) для изготовления микросхем 350 нм, уже проходит тестирование

Многоканальный лазерный генератор изображений ЭМ-5489 расположен внутри чистой комнаты с особыми требованиями к микроклимату. Данная установка предназначена для формирования изображений топологических элементов в фоторезисте на фотошаблоне либо непосредственно на полупроводниковой пластине по безмасковой технологии, что позволяет в условиях мелкосерийного многономенклатурного производства или прототипирования выполнять фотолитографию без использования фотошаблонов. Генератор работает в глубоком ультрафиолете (длина волны лазера составляет 257 нм) и предназначен для использования в технологическом процессе производства микросхем с топологической нормой 0,35 мкм в режиме непосредственного рисования на пластине и 90 нм при изготовлении фотошаблонов. Дополнительной изюминкой для потребителя является то, что на генераторе можно формировать отдельно стоящие топологические элементы с минимальным размером 0,2 мкм

На данный момент у ОАО «Планар» есть серийно выпускаемые модели степперов g-line для проектной нормы 0,8 мкм и i-line для проектных норм 0,5 и 0,35 мкм на ограниченное поле, в процессе разработки находится полноформатный степпер на 0,35 мкм. Линия степперов под проектные нормы 0,5 и 0,35 мкм сейчас проходит стадию активной доводки перед выводом на рынок