#전고체배터리 #삼성SDI

삼성SDI는 올해부터 전고체 S라인 생산 공법에 변화를 줌. 물을 이용한 온간정수압(WIP:Warm Istactic Press)와 함께 롤 가압(롤프레싱:Roll Pressing)이 추가됨.

■ 온간정수압(WIP:Warm Istactic Press)

전고체 배터리는 핵심소재를 단단하게 뭉치기 위한 고온-고압의 소결 프레싱 과정이 필수적인데, 이런 고온-고압 환경을 만들기 위해 배터리 셀을 물탱크에 넣은 공법이 WIP임

고온-고압 소결 프레싱은 고체 전해질이 양극, 음극에 효과적으로 스며들어 성능과 특성이 좋아지게 도와줌.

문제는 소결 압력이 상당히 높아야 함. 최소 100메가파스칼(MPa) 이상의 압력을 지녀야하는데, 이는 수심 10KM 깊이에서 가해지는 압력과 비슷함.

삼성SDI는 400MPa 혹은 600MPa로 전고체 배터리를 만들고 있음.

■ 롤 가압(롤프레싱:Roll Pressing)

WIP 공법은 물을 이용하기때문에 반드시 밀봉 과정이 필요함. 배터리 셀 하나를 처리하는데 30분 정도가 소요되는데, 기존 배터리 프레싱이 분당 15개 이상으로 생산성이 맞지 않음. 낮은 생산성은 전고체 배터리 가격을 낮추기 어려움.

롤프레싱을 사용할 경우 WIP에서 사용하던 밀봉 과정이 없기 때문에 생산성을 크게 높일 수 있음. 양극층, 음극층을 만들기 위해 고온-고압의 롤프레싱을 거쳤는데, 고체 전해질 소결을 위해 별도의 압력 과정은 각 소재를 모든 방향에서 일정한 힘으로 눌러줘야하는 고난도 공정 기술이 필수적임.

https://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=25276

☑️ [단독] 제재 피해···SK하이닉스 中공장, 10나노급 4세대 D램 생산한다

12일 업계에 따르면 SK하이닉스는 연내 중국 우시 공장의 일부인 ‘C2’ 팹을 10㎚(나노미터·10억분의 1m)급 초반의 4세대(1a) D램 공정으로 전환하는 계획을 세웠다.

그동안 SK하이닉스는 우시 공장을 10㎚급 4세대 D램 이상의 공정으로 전환하기가 쉽지 않았다. 미국의 대중(對中) EUV 규제 때문이다. 미국은 2019년부터 중국 땅에 첨단 반도체 공정을 위한 필수 장비인 ASML의 EUV 노광기 반입을 불허했다. 중국 정부의 ‘반도체 굴기’ 움직임을 압박하려는 목적이다.

SK하이닉스는 이 규제에 적잖은 영향을 받았다. 회사는 10㎚급 4세대 D램 생산부터 EUV 공정을 적용했는데 우시에는 EUV 노광기를 반입할 수 없어 정상적인 방법으로는 이 D램을 생산해낼 수 없는 상황에 직면했다. 물론 SK하이닉스는 지난해 미국 정부의 ‘검증된 최종 사용자(VEU)’ 지정으로 중국 공장에도 18㎚ 이하 D램 제조용 장비를 들여올 수 있게 됐다. 다만 이러한 조치에서도 EUV 장비 반입은 허용되지 않았다.

SK하이닉스가 공정 전환을 결정하면서 선택한 방법은 ‘운송’이다. 우시 라인에서 4세대 D램 공정의 일부를 진행하고 이 웨이퍼를 본사가 있는 이천캠퍼스로 가져와 EUV를 적용한 뒤 다시 우시로 보내 공정을 마무리하는 방식이다. 4세대 제품에는 1개 D램 층에만 EUV 공정을 적용하기 때문에 비용 증가를 감당할 만한 수준이라는 판단을 내린 것으로 보인다. 또 회사는 2013년 우시 공장 화재 당시 이 같은 방법으로 D램 생산 차질 문제를 극복한 경험이 있다.

https://v.daum.net/v/20240112170020566

해당 투자건은 이미 유진스(유진테크)가 사업보고서에 천기 누설한 내용입니다.

https://dart.fss.or.kr/dsaf001/main.do?rcpNo=20231107000178

#AMD #NVIDIA #INTEL

■ 프로세서 3사의 AI 구동에 최적화된 전략

1) AMD

2023년 CES에서 모바일 디바이스에 특화된 솔루션을 발표했던 AMD는 가장 먼저 데스크탑용 신형 프로세서를 공개하며 온디바이스 AI 경쟁의 포문을 열었음.

신형 CPU인 '라이젠 8000G' 시리즈에는 AI 기능 강화를 위한 NPU가 최초 탑재됨. 단일 패키지에 탑재된 내장 GPU 성능도 대폭 강화돼 AI 구동에 필요한 높은 연산 성능과 전력 효율 개선을 동시에 구현

2) NVIDIA

엔비디아는 고성능 외장 GPU 'RTX 40 Super' 시리즈 3종을 공개함. 최근 부각됐던 중국 수출 규제에 포함되지 않는 제품으로 최상위 모델인 RTX 4090 수요를 대체할 것으로 예상됨.

신형 모델의 연산 효율은 AI 영상 생성 속도가 기존 모델 대비 1.5배 빠르며, 대규모 언어 모델 처리속도도 5배 향상됨.

이번 시리즈의 최상위 모델 'RTX 4080 Super'의 MSRP는 999달러로 RTX 4080 대비 높은 성능에도 불구하고 가격은 200달러 저렴함.

3) INTEL

CEO 팻 갤싱어는 키노트에서 지난해 12월 공개한 AI PC용 CPU 'Core Ultra'에서 이미 100개에 달하는 생성형 AI가 실행된다고 언급함. 14세대 프로세서(Meteor Lake)부터 기존 프로세서 브랜드명의 개편(Core i -> Core/Core Ultra)를 통해 NPU가 탑재된 AI PC용 제품을 구분하기 시작함

인텔은 AI PC의 현실화 관련 기술 향상을 위해 OS 업체인 마이크로소프트를 비롯해 주요 PC OEM들과 협력을 진행 중

의외의 한방은 모빌리티 분야로의 확장에서 나타남.

자동차용 프로세서 시장 진출을 공식화한 것임. 14세대 제품에 도입하기 시작한 타일 구조(포베로스, 칩렛)를 적용해 인포테인먼트와 ADAS를 구성하는 반도체를 통합 구성하는 솔루션을 제공할 계획임.

첫 고객사는 중국의 지리차로 전기차 브랜드 ‘지커’의 차세대 모델에 인텔의 프로세서가 탑재될 전망

#HBM

■ 천안이 HBM 신규 투자 핵심

실제 신형 그래픽처리장치(GPU) 출시를 앞둔 엔비디아, AMD 등 고객사 주문이 빗발치며 올해 HBM 물량은 예약 주문이 끝난 것으로 알려졌다.

삼성전자는 올해 HBM 시설투자 규모를 전년 대비 2.5배 이상 확대하는 데 이어 내년에도 올해와 비슷한 수준의 투자를 집행할 방침이다. 투자는 주로 천안사업장 라인 신설 등에 집행될 것으로 전망된다. 지난해 생성형 인공지능(AI) 시장 개화 시기 예측에 실패하며 SK하이닉스에 HBM 시장 주도권을 내준 전철을 밟지 않지 않겠다는 의지로 해석된다. 업계는 최소 2025년까지는 HBM 수요가 공급을 웃돌 것으로 보고 있다.

삼성전자는 현재 4세대 HBM인 HBM3를 양산 중인 가운데 5세대인 HBM3E도 상반기 중 양산해 고객사에 본격적으로 공급할 예정이다.

업계는 올해 말 삼성전자의 HBM 생산능력이 경쟁사를 넘어설 것으로 보고 있다. 키움증권에 따르면 올해 4·4분기 기준 삼성전자의 HBM 최대 생산량은 월 15만~17만장으로, SK하이닉스(월 12만~14만장)를 상회할 것으로 예상된다.

업계 관계자는 "라인 증설, 장비 반입 등을 마친 후 올 하반기부터 천안사업장에서 양산 체제가 구축될 것으로 보인다"며 "향후 수 년간 HBM 공급이 부족한 가운데 삼성전자의 HBM 제품이 고객사로부터 검증을 성공적으로 마칠 경우 공급 우위를 바탕으로 시장 점유율을 대폭 끌어올릴 계기를 마련할 것"이라고 말했다.

https://n.news.naver.com/article/014/0005127756

#루닛 #볼파라

루닛은 이번 JPM에서 새로운 인수합병(M&A) 후보 기업과 여러 건의 미팅도 진행했다. 그는 “작년까지는 우리가 먼저 투자자들에게 요청한 미팅이 많았다면, 올해는 투자와 M&A를 제의받은 미팅이 늘었다”며 “볼파라 인수 후 글로벌 투자업계의 대접이 달라졌다”고 말했다.

루닛은 판독 정확도가 100%에 가까운 자율형 AI 제품 개발에 박차를 가하고 있다. 그는 “볼파라 인수는 사람이 없어도 질병을 판독할 수 있는 자율형 AI 시대를 열기 위한 첫걸음”이라고 말했다.

루닛은 올해부터 볼파라의 실적을 연결재무제표에 반영한다. 2025년 최소 1000억원대 이상 매출을 기대하고 있다. 그는 “볼파라 제품이 미국 병원의 40~50%에 깔려 있다”며 “올해부터 루닛 제품을 볼파라 유통망을 통해서 미국 시장에 공급할 것”이라고 강조했다.

https://n.news.naver.com/article/015/0004936653?sid=105

#전공정

- 선단공정 비중 증가: 기술적 감산 효과 및 반도체 소재업체 內 차별적 수혜
- D램: 1anm + 1bnm 비중, 1Q23 19% » 4Q23E 48%
- 회로 미세화로 제조 소요 시간 증가: 웨이퍼당 투입 소재량 지속 증가
- DDR4 대비 DDR5 칩 크기 +15~20% 확대: 부품 ASP 상승 효과
- 미세화에 따른 누설전류 발생 High-K 프리커서 채용량 확대
- 낸드: 200단 낸드 비중, 1Q23 3% » 4Q23E 33%
- 더블스택 낸드 비중 역시 지속 확대. Step 수 증가에 따른 노광, 식각, 증착 등 전공정 투입 소재량 지속 증가

#뷰노

의료 인공지능(AI) 기업 뷰노가 올해 해외 시장 진출을 본격화한다. 매출액은 전년 대비 2배 이상 성장이 목표로, 미국 진출과 유럽에서의 빅딜이 기대할 만한 사안으로 꼽힌다. 뷰노는 의료진의 진단을 돕는 의료 영상 솔루션, 환자의 상태를 예측하는 생체 신호 솔루션을 양 날개로 활용한다는 계획이다.

지난 8일 이예하 뷰노 대표는 뉴스핌과 만나 "유럽에서 큰 규모의 영상 솔루션 계약 절차를 진행하고 있다"고 말했다. 해외 매출을 대폭 늘리겠다는 올해 목표를 이뤄나가고 있는 셈이다. 이 대표는 올해 매출액을 전년 대비 2배 이상 늘리고, 3~4분기쯤에는 흑자 전환도 이뤄내겠다고 밝혔다.

https://www.newspim.com/news/view/20240109000837

#CPU #GPU

루닛은 삼성전자와 '루닛 인사이트 CXR', '루닛 인사이트 CXR 트리아지' 등 AI 솔루션 2개 제품에 대한 공급 계약을 체결했습니다.

계약에 따라 루닛의 AI 솔루션은 삼성전자의 프리미엄 이동형 및 고정형 엑스레이 촬영장비에 탑재되어 해외 주요 국가에 판매됩니다.

양사는 북미, 유럽 등 글로벌 빅마켓에서의 판매에 집중할 예정이며, 특히 응급상황에서 강점이 있는 '루닛 인사이트 CXR 트리아지'를 통해 병원 중환자실 및 응급실을 대상으로 영업력을 집중할 계획입니다.

#이오테크닉스 #디본더

반도체 공정용 레이저 장비 제조사 '이오테크닉스'가 밴더사 첫 납품에 성공한 반도체 공정용 디본더(Debonder)가 일본 굴지의 장비사인 타즈모(TAZMO)사를 밀어낸 것으로 확인됨

■ 디본더 장비란?

이오테크닉스가 정식 입고한 디본더 장비는 HBM 핵심 공정 프로세스인 TSV기술과 관련된 장비임. D램이 적층된 HBM 특성상, TSV를 통해 구멍을 뚫는데, 이 과정에서 WSS(Wafer Supporting System) 공정이 수반됨

WSS는 그라인딩 작업으로 얇아진 웨이퍼에 추가 공정을 할 수 있도록 캐리어 웨이퍼를 붙이는 작업임. 캐리어를 붙이는 본딩과 범프 형성 뒤 다시 캐리어를 떼어네는 디본딩(de-bonding) 공정이 필요한데, 이오테크닉스가 개발한 장비가 이 것임.

웨이퍼 뒷면 공정이 와료되면 캐리어를 떼어내는 동시에 본딩 접착제 성분이 남아 있지 않도록 세정까지 수행하는 디바이스임.

이오테크닉스는 TSMC 공급을 위해 타사 공급가 대비 10% 할인된 대당 15억 정도의 가격으로 납품할 것으로 예상됨. 총 4기 이기 때문에 60억 가량이 매출액에 추가될 예정임

https://m.thebell.co.kr/m/newsview.asp?svccode=00&newskey=202401091656356600105942

#SK하이닉스 #HBM3

*용어설명
- 1a = 10나노급 4세대 D램(2021년 첫 양산)
- 1b = 10나노급 5세대 D램(2023년 5월 개발 완료)

■ 1a, 1b D램 공정 전환 : 中 우시 공장 1a + 이천 1b D램

1) 中 우시공장: 1a D램 공정 전환

2006년부터 가동한 우시 공장은 12인치 기준 월 약 20만 장의 D램 웨이퍼를 생산할 수 있는 팹임.

2006년부터 운영된 'C2', 2019년 준공한 'CF2' 등 크게 2개로 나눌 수 있으며, 주로 10나노급 2세대(1y), 3세대(1z) D램을 생산함.

SK하이닉스는 'C2'를 24년 내 1a D램 라인으로 교체할 계획임

SK하이닉스는 1a D램부터 EUV 공정을 도입했기 때문에

중국 » 이천(EUV) » 중국

으로 D램을 생산할 예정임

2) 이천 공장: 1b D램 공정 전환

1b D램의 경우 24년 내 이천 캠퍼스 내 신규투자·공정 전환이 이뤄질 예정임. 올해 월 4만 2,000장 규모까지 확보하는 것이 목표임

기존 M14 라인에 남은 1y, 1z D램 라인을 1b 라인으로 업그레이드할 가능성이 제일 큼

결과적으로, SK하이닉스는 1a와 1b D램 양산 비율을 빠르게 끌어올릴 것임

23년 4분기에 1a,1b 생산비율이 33%, 1%에 불과했지만, 24년 4분기에는 42%, 12%까지 차지할 것으로 예상됨.

■ HBM 신규 라인 증설

SK하이닉스는 올해 5세대 HBM(HBM3E) 양산에 들어감. 올해 HBM3E 생산 능력 확대의 중요한 체크 지점은 청주공장임.

청주 공장은 SK하이닉스 낸드플래시를 주로 생산했음. HBM 사업이 증가하자 M15 공장의 유휴 공간에 HBM 생산라인을 설치할 예정임

2025년에 완공되는 M15X 또한 신규 HBM 라인으로 부상할 가능성이 높음

https://www.sedaily.com/NewsView/2D43CHM54O

개인적으로 오늘이 단기 바닥이 아닐까 생각하고 있음

#이오테크닉스

반도체 레이저 공정 장비 기업 이오테크닉스가 삼성전자와 '레이저 그루빙' 장비와 '레이저 스텔스 다이싱' 장비 관련 양산 평가 협약을 맺는다.

■ 레이저 그루빙 장비와 레이저 스텔스 다이싱 장비

레이저 그루빙 장비와 레이저 스텔스 다이싱 장비는 개별 반도체 칩으로 나누는 다이싱 공정에 사용됨.

레이저 그루빙 장비는 웨이퍼 다이싱 전, 메탈 배선층 등으로 이뤄진 패턴층을 제거해 흠을 만드는데 사용됨.

레이저 스텔스 다이싱은 기존 레이저 다이싱과 달리 레이저 에너지로 웨이퍼 내부를 절산한 뒤, 겉에 붙여둔 테이프에 압력을 가해 칩을 나눔.

레이저 다이싱 대비 실리콘 부스러기가 적게 발생하고, 절단 폭도 좁다는 장점이 있음.

https://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=25347

#솔루엠 #ESL

솔루엠이 배터리가 필요 없는 전자가격표시기(ESL)을 개발함.

이번에 개발한 ESL은 일회용 코인 배터리 대신 페로브스카이트 태양전지를 내장해 탄소 배출 감축과 에너지 비용 절감을 동시에 실현

■ 페로브스카이트 태양전지

페로브스카이트 태양전지는 저가 화학물질을 저온·용액 공정을 통해 저렴하게 대량생산이 가능하면서도 실리콘 태양전지에 버금가는 광전효율을 자랑하는 차세대 소재임.

특히, 저조도에서는 기존 실리콘 태양전지보다 월등히 고효율이라 실내용 태양전지로 사용하기에 유력한 기술임

페로브스카이트 태양전지는 실내조명이나 태양광을 통해 충전할 수 있어 장기간 사용에도 문제가 없음

https://www.epnc.co.kr/news/articleView.html?idxno=240070

#OLED아이패드

1) OLED아이패드 출시 시기: 3월 생산 » 4월 출시

2) OLED아이패드 예상 생산량: 1,000만대 » 800만대

3) 국내 디스플레이:
LGD: 13인치, 11인치 생산(투 스택 탠덤 위주로)
SDC: 11인치 생산(LTPO TFT 위주로)

https://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=25343