해당 투자건은 이미 유진스(유진테크)가 사업보고서에 천기 누설한 내용입니다.

https://dart.fss.or.kr/dsaf001/main.do?rcpNo=20231107000178

다시보는 착한 유진스 3분기 보고서....

격차 좁히러 드가자~

#DB하이텍 #SiC반도체

DB하이텍이 실리콘카바이드(SiC) 반도체 R&D용 장비를 발주하며, 개발에 속도를 내고 있음

DB하이텍은 미국 장비 기업 엑셀리스의 SiC 반도체용 이온 임플란트 장비를 소량 발주함

이 장비는 8인치 SiC 반도체 R&D가 이뤄지고 있는 충북 음성에 위치한 상우 팹에 8월 경에 입고될 예정임.

■ 이온 임플란트 장비란?

이온 임플란트 장비는 전공정 중 하나인 임플란트 공정에 사용되는 장비임.

웨이퍼에 이온을 주입시켜, 전기적 특성을 가지게 함.

이온 임플란트 장비는 어플라이드머트리얼즈 » 엑셀리스 » 닛신 순으로 점유율을 가지고 있음

삼성전자가 SiC 반도체 R&D를 위해 닛신에서 이온 임플란트 장비를 발주한 것과 달리 DB하이텍은 기존 8인치 라인에 엑셀리스 장비를 계속 사용하고 있기 때문에 유지 보수 편의성을 위해서 엑셀리스 장비를 발주한 것으로 추정됨

■ 8인치 파운드리 기업들이 SiC 반도체 사업에 진출하는 이유

1) 중국의 8인치 파운드리 확대

최근 중국 파운드리 기업이 공격적인 8인치 팹 확장에 나서면서, 시장 경쟁이 치열해지고 있음

2) 효용성

8인치 SiC 공정 라인에 기존 8인치 Si 반도체 장비를 사용할 수 있어 상대적으로 적은 투자금액으로 신사업 진출이 가능함

https://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=25517

#실리콘음극재

■ 실리콘음극재란?

실리콘 음극재는 흑연계 음극재보다 에너지 밀도가 4~5배 가량 높음. 실리콘이 원자당 품을 수 있는 리튬이온 수가 흑연보다 많기 때문임

이는 배터리의 용량과 출력을 높여 전기차의 주행거리를 획기적으로 늘릴 수 있을 뿐만 아니라, 급속 충전 설계가 쉬워 충전속도를 단축할 수 있다는 장점도 있음

Si-C 계열은 SiOx 계열 대비 충·방전 효율이 높고 가격이 낮다는 장점이 있음.

반면, SiOx 계열은 초기 용량과 용량 유지율이 높고, 입자 크기가 Si-C 계열보다 작아 스웰링(실리콘이 팽창하는 현상) 리스크에 노출될 우려도 적음

*실리콘 음극재 시장 진출 기업 현황

1) Si-C

- 한솔케미칼: 1,500t (2024년)
- SKC(Si-C): 10,000t (2025년)
- 포스코퓨처엠: 1,000t (2026년)
- SK머티리얼즈그룹포틴: 2,000t » 10,000t (2027년)

2) SiOx

- 포스코실리콘솔루션: 5,000t (2026년)
- 대주전자재료: 20,000t (2025년)

https://www.thebell.co.kr/free/content/ArticleView.asp?key=202401231452584320101610

#LGES

이차전지 시황 한장 요약

#3DD램 #유진테크

삼성전자는 2013년 세계 최초로 3차원 수직구조 낸드(3D V-NAND) 상용화에 성공한 경험을 바탕으로 D램에서도 3차원 수직 구조 개발 선점을 목표로 하고 있다.

작년 10월 '메모리 테크 데이' 행사에서 삼성전자는 차세대 10나노 이하 D램에서 기존 2D 평면이 아닌 3D 신구조를 도입한다는 계획을 내놨다. 칩 면적을 줄여야 하는 한계를 3D 수직 구조로 극복하고 성능도 향상해 1개 칩에서 용량을 100기가바이트(Gb) 이상 늘린다.

https://n.news.naver.com/article/016/0002258640?sid=101

루닛은 미국의 유방 전문 의료기관 '모자이크 브레스트 이미징(MBI)'과의 계약을 통해 '루닛 인사이트 DBT' 및 '루닛 인사이트 MMG' 솔루션을 공급합니다.

이 계약은 FDA 승인을 받은 '루닛 인사이트 DBT' 제품의 미국 시장 첫 판매이며, 3D 유방암 검진 기술이 발달한 미국 현지에서 해당 제품이 본격적으로 판매 시작된 것은 매우 고무적인 일입니다.

이번 계약은 루닛의 미국 사업 및 영업력 확대에도 중요한 발판이 될 전망이며, 루닛은 '볼파라 헬스 테크놀로지' 인수 완료 등을 통해, 올해부터 미국 내 매출을 안정적으로 끌어올릴 계획입니다.

#게임

■ 주요 게임사 신작 라인업

1) 크래프톤

- 1H24: 다크앤다커 모바일
- 2H24: 프로젝트 블랙버짓, 프로젝트 인조이
- 2025: 넥스트 서브나우티카, 프로젝트 골드러시, 프로젝트 윈들리스

2) 넷마블

- 1H24: 나 혼자만 레벨업:ARISE, 아스달 연대기: 세 개의 세력, 레이븐2, 파라곤: 디 오버프라임, 킹 아서: 레전드 라이즈, 모두의 마블2, 제2의 나라: Cross World(중국)
- 2H24: 일곱개의 대죄: Origin, RF온라인 넥스트, 데미스 리본

3) 카카오게임즈

- 1H24: R.O.M, 가디스오더, 라이온하트, 오딘(북미/유럽), 에버소울(일본), 아키에이지 워(아시아)
- 2H24: 패스 오브 엑자일 2
- 2025: 아키에이지2

4) 엔씨소프트

- 1H24: 배틀크러시, 블레이드&소울5, 쓰론엔리비티(글로벌)
- 2H24: 블레이드&소울2(중국)
- 2025: 아이온2

5) 펄어비스

- 1H24: 이브 갤럭시 컨퀘스트
- 2H24: 이브 뱅가드
- 2025: 붉은 사막, 도깨비

6) NHN

- 1H24: 다키스트데이즈, 페블시티
- 2H24: 우파루 오딧세이 글로벌, 히든위치

7) 컴투스

- 1H24: 스타시드: 아스니아 트리거, 프로스트펑크: 비욘드 더 아이스, BTS 쿠킹온: 타이티난 레스토랑

8) 데브시스터즈

- 1H24: 쿠키런(마녀의 성), 쿠키런(모험의 탑)
- 2H24: 쿠키런(오븐스매시)

9) 위메이드

- 1H24: 나이트크로우(글로벌), 판타스틱4 베이스볼
- 2H24: 레전드 오브 이미르, 미르M(중국)

10) 네오위즈

- 1H24: 금색의 갓슈벨!, 고양이와 스프, Oh My Anne, 영웅전설(가가브 트릴로지), P의 거짓 DLC

3D 디램 제조시 유전체 증착을 위한 ALD 장비 수요 증가(유진테크, 주성)
https://www.fieldnews.kr/news/articleView.html?idxno=2351

#LPCAMM #온디바이스

AI용 노트북 시대를 앞두고 메모리 업계가 차세대 D램 LPCAMM을 올해부터 본격적인 양산체제에 돌입할 전망임

IT 업계에서는 노트북 시장에서 LPCAMM이 약 26년만에 기존 So-DIMM(Small Outline Dual In-line Memory Module)를 대체하는 '게임체인저'가 될 것으로 기대

■ LPCAMM(Low Power Compression Attachedd Memory Module)이란?

LPCAMM은 기존 노트북에 사용되던 DDR 기반 모듈 형태의 So-DIMM보다 성능, 저전력 측면에서 우수함

LPCAMM은 So-DIMM보다 60% 가량 적은 공간을 차지하기 때문에 가벼운 노트북 설계가 가능하고, 더 큰 배터리를 위한 공간을 확보할 수 있음. 즉, 노트북을 더 얇게 디자인 할 수 있는다는 의미임

AI용 PC는 수 많은 데이터를 온디바이스 AI로 처리해야 하므로 기존 PC보다 2배 이상 용량이 요구되기 때문에 LPCAMM은 AI PC 시장에서 수요가 높아질 것으로 기대됨.

■ 회사별 상황

1) 삼성전자

삼성전자는 23년 9월 업계 최초로 DDR D램 기반 LPCAMM을 공개함.

삼성전자의 LPCAMM은 So-DIMM 대비 탑재 면적율 최대 60% 이상 감소시킨 제품임. LPCAMM은 7.5Gbps(1초당 전송되는 기가비트 단위의 데이터) 처리속도를 지원하고, So-DIMM 대비 성능은 최대 50%, 전력효율은 최대 70%까지 향상시킴

인텔 플랫폼에서 동작 검증을 마쳤으며, 주요 고객사의 차세대 시스템에도 검증 진행 중임.

삼성전자는 LPCAMM를 올해 상용화할 계획임

2) SK하이닉스

SK하이닉스의 LPCAMM2는 9.6Gbps를 지원하며, So-DIMM 대비 47% 적은 전력소비, 50% 향상된 성능을 구현한 모듈임.

즉, LPCAMM2 1개는 기존 DDR5 So-DIMM 2개를 대체할 수 있음. 올해 LPCAMM2를 양산할 예정임.

https://n.news.naver.com/mnews/article/092/0002319499?rc=N&ntype=RANKING&sid=105

#코리아써키트 #LPCAMM

당사의 경우 DDR5 High Speed(6400Mbps) 제품용 Module 및 차세대 기업향SSD, CXL(Compute express Link), LPCAMM(Low Power Compression attached Memory module)등 제품 개발을 진행중이며 24년 물량 본격 확대시 가시적인 수익증대를 기대하고 있습니다. 또한 향후 기업향 High Density 최적 SSD Solution인 RF-SSD도 Global 대형 반도체 업체들과 협업 하에 개발 진행중으로 안정적인 제품 포트폴리오 구성 및 고수익 추구가 가능하여 향후 더 밝은 전망을 기대하고 있습니다.

#갤럭시S24

갤럭시S24 수혜주 정리

#일본시장 #PBR1.0x
#까마귀날자배떨어진다 우연한 일치에 너무 믿고 있는 건 아닌지..

비단 일본 #nikkei225가 코로나 반등이후 1년동안 flat하다가
'23/4을 바닥으로 오른것이 PBR 1.0x 관련 정책 때문은 솔직히 아닌것 같다는 생각..

일본 지수의 상승중 가장 큰 원인은;
(1) 지금까지 장기디플레이션 -> 인플레이션으로 전환되고 있는 변화
(2) 일본 기업들의 수출과 실적 개선: 일본중앙은행의 통화완화정책으로 엔저유지 및 일본 IT기업들의 이익 개선세
(3) 외국인투자자 유입: 일본 비중 확대 ('23 FDI +9.2%) vs. 중국 비중 축소 ('23년 FDI -10%)
(4) Retail개인 투자자 확대, 소액투자비과세제도 (NISA) 개편: 주식 거래에서 발생하는 이익에 세금을 부과하지 않는 제도 -> 개인투자자 확대

관련 제도가 전반적으로 시장 활성화 및 선진화에 도움이 될 수있다는 생각에는 동의하고 환영하지만,
퀀트 BASE로 단편적으로 이동하는 것은 지양해야 한다는 판단.

'23년 Nikkei225 에서 Best performed 종목중 하난는 KOBE Steel인데 PBR 1.0x 기준으로 만들어진 JPX Prime 150엔 없는 종목입니다.
최근 신고가로 한국 시장에서도 많이 언급된 Toyota도 JPX Prime 150엔 없는 종목이고..

시장의 쏠림이 무섭네요..


https://news.1rj.ru/str/psychotherapy101

#LG디스플레이

Q. 올해 디스플레이 산업을 이 실적과 컨퍼런스콜로 한번 예상해 보자. 이런 취지로 이기종 기자 모셨는데, 어제 투자 계획에 대해서 얘기했죠? 뭐라고 했나요?

A. “LG디스플레이 올해 설비 투자에 대한 질문 들어왔는데, 올해는 2조원대 한다고 했습니다.

2022년에 5.2조원, 2023년에 3.6조원, 올해는 2조원. 보통 LG디스플레이 같은 큰 회사들 라인 유지하는 데 2조원 정도 들어간다고 얘기합니다.”

...

https://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=25585

#티에스이

티에스이는 29일 초고속 반도체 검사용 버티컬 프로브카드 및 인터페이스 보드에 탑재될 수 있는 50마이크로미터(um) 초미세 회로 간격의 STO-ML(Space Transformer Organic-Multi Layer)을 국내 최초로 개발했다고 밝힘.

■ 프로브카드용 STO-ML이란?

STO-ML은 CPU, GPU, HBM 등을 검사하는 버티컬 프로브카드와 테스트 인터페이스 보드에 들어가는 기판임

그리고 프로브카드는 자동화테스트장비(ATE)에 부착돼 가공이 끝난 반도체 웨이퍼의 내구성 및 전기적 불량 검사를 돕는 부품임

버티컬 프로브카드용 STO-ML은 일본 후찌쯔가 시장을 독점하다시피 했었지만, 티에스이가 이번에 개발을 성공함.

이번에 개발한 STO-ML은 초고속 시스템반도체를 검사할 때 쓰는 버티컬 프로브카드용으로 이탈리아 테크노프로브, 미국 폼팩터가 시장 강자임.

티에스이는 이번 핵심 부품 내재화를 통해 메모리 프로브카드 외에 시스템반도체 분야로 영역을 확장할 수 있게 됨

STO-ML은 베트남에 초정밀 빌드업 기판 공정 능력을 가진 메가일렉에서 생산될 예정임

https://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=25603

#3DD램 #유진테크

기존 극자외선(EUV) 노광장비를 통한 미세화가 평면 구조상에서 9나노 공정부터 한계에 도달할 가능성이 커지면서 3D D램 연구개발에 대한 투자가 본격화될 전망임


■ 3D D램이란?

일반적인 D램은 평평한 면에 수억개가 넘는 기억 소자를 수평 배열하는 방식임. 때문에 면의 크기가 줄어들수록 용량, 성능 제한이 생김.

3D D램은 이와 다르게 트랜지스터와 커패시터를 수직으로 쌓아올린 D램임. 크기가 줄어도 배치 공간에 여유가 생기기 때문에 용량을 늘릴 수 있을 뿐만 아니라, 초미세공정이 필요없어 제조비용을 아낄 수 있음

■ 3D D램 구조가 필요한 이유

현재 삼성전자는 D램 10나노 4세대(1a) 양산을 위해 EUV N세대 공정을 사용 중임

10나노 5세대(1b)에는 N+1세대, 10나노 6세대(1c)에는 N+2세대, 10나노 7세대(1d)에는 N+4세대를 사용하는 로드맵을 세움

하지만, N+4세대 이후 공정에서 9나노급에 서는 EUV 광원으로 패터닝할 수 있는 미세회롸 한계 수준에 도달함

D램 미세화의 최대 걸림돌인 커패시터의 종횡비 증가로 인해 공간 활용의 비효율성이 생기기 때문임

9나노에서 D램 메모리 동작을 위한 커패시터 용량은 55%로 축소되지만, 종횡비는 130% 증가함.

현재 D램은 단일 평면에 셀이 촘촘히 배치된 2D 구조인데, 메모리업계는 칩을 세로로 세워 같은 면적에 집적도를 높여 성능이 더 뛰어난 3D D램을 개발 중임

https://n.news.naver.com/article/366/0000966408

3D DRAM 최고 수혜주 AMAT임