#LPCAMM #온디바이스
AI용 노트북 시대를 앞두고 메모리 업계가 차세대 D램 LPCAMM을 올해부터 본격적인 양산체제에 돌입할 전망임
IT 업계에서는 노트북 시장에서 LPCAMM이 약 26년만에 기존 So-DIMM(Small Outline Dual In-line Memory Module)를 대체하는 '게임체인저'가 될 것으로 기대
■ LPCAMM(Low Power Compression Attachedd Memory Module)이란?
LPCAMM은 기존 노트북에 사용되던 DDR 기반 모듈 형태의 So-DIMM보다 성능, 저전력 측면에서 우수함
LPCAMM은 So-DIMM보다 60% 가량 적은 공간을 차지하기 때문에 가벼운 노트북 설계가 가능하고, 더 큰 배터리를 위한 공간을 확보할 수 있음. 즉, 노트북을 더 얇게 디자인 할 수 있는다는 의미임
AI용 PC는 수 많은 데이터를 온디바이스 AI로 처리해야 하므로 기존 PC보다 2배 이상 용량이 요구되기 때문에 LPCAMM은 AI PC 시장에서 수요가 높아질 것으로 기대됨.
■ 회사별 상황
1) 삼성전자
삼성전자는 23년 9월 업계 최초로 DDR D램 기반 LPCAMM을 공개함.
삼성전자의 LPCAMM은 So-DIMM 대비 탑재 면적율 최대 60% 이상 감소시킨 제품임. LPCAMM은 7.5Gbps(1초당 전송되는 기가비트 단위의 데이터) 처리속도를 지원하고, So-DIMM 대비 성능은 최대 50%, 전력효율은 최대 70%까지 향상시킴
인텔 플랫폼에서 동작 검증을 마쳤으며, 주요 고객사의 차세대 시스템에도 검증 진행 중임.
삼성전자는 LPCAMM를 올해 상용화할 계획임
2) SK하이닉스
SK하이닉스의 LPCAMM2는 9.6Gbps를 지원하며, So-DIMM 대비 47% 적은 전력소비, 50% 향상된 성능을 구현한 모듈임.
즉, LPCAMM2 1개는 기존 DDR5 So-DIMM 2개를 대체할 수 있음. 올해 LPCAMM2를 양산할 예정임.
https://n.news.naver.com/mnews/article/092/0002319499?rc=N&ntype=RANKING&sid=105
AI용 노트북 시대를 앞두고 메모리 업계가 차세대 D램 LPCAMM을 올해부터 본격적인 양산체제에 돌입할 전망임
IT 업계에서는 노트북 시장에서 LPCAMM이 약 26년만에 기존 So-DIMM(Small Outline Dual In-line Memory Module)를 대체하는 '게임체인저'가 될 것으로 기대
■ LPCAMM(Low Power Compression Attachedd Memory Module)이란?
LPCAMM은 기존 노트북에 사용되던 DDR 기반 모듈 형태의 So-DIMM보다 성능, 저전력 측면에서 우수함
LPCAMM은 So-DIMM보다 60% 가량 적은 공간을 차지하기 때문에 가벼운 노트북 설계가 가능하고, 더 큰 배터리를 위한 공간을 확보할 수 있음. 즉, 노트북을 더 얇게 디자인 할 수 있는다는 의미임
AI용 PC는 수 많은 데이터를 온디바이스 AI로 처리해야 하므로 기존 PC보다 2배 이상 용량이 요구되기 때문에 LPCAMM은 AI PC 시장에서 수요가 높아질 것으로 기대됨.
■ 회사별 상황
1) 삼성전자
삼성전자는 23년 9월 업계 최초로 DDR D램 기반 LPCAMM을 공개함.
삼성전자의 LPCAMM은 So-DIMM 대비 탑재 면적율 최대 60% 이상 감소시킨 제품임. LPCAMM은 7.5Gbps(1초당 전송되는 기가비트 단위의 데이터) 처리속도를 지원하고, So-DIMM 대비 성능은 최대 50%, 전력효율은 최대 70%까지 향상시킴
인텔 플랫폼에서 동작 검증을 마쳤으며, 주요 고객사의 차세대 시스템에도 검증 진행 중임.
삼성전자는 LPCAMM를 올해 상용화할 계획임
2) SK하이닉스
SK하이닉스의 LPCAMM2는 9.6Gbps를 지원하며, So-DIMM 대비 47% 적은 전력소비, 50% 향상된 성능을 구현한 모듈임.
즉, LPCAMM2 1개는 기존 DDR5 So-DIMM 2개를 대체할 수 있음. 올해 LPCAMM2를 양산할 예정임.
https://n.news.naver.com/mnews/article/092/0002319499?rc=N&ntype=RANKING&sid=105
Naver
AI 노트북 시대...삼성·SK·마이크론 차세대 D램 'LPCAMM' 3파전
AI용 노트북 시대를 앞두고 메모리 업계가 차세대 D램 LPCAMM(Low Power Compression Attached Memory Module)을 올해부터 본격적인 양산체제에 돌입할 전망이다. 최근 삼성전자를
#코리아써키트 #LPCAMM
당사의 경우 DDR5 High Speed(6400Mbps) 제품용 Module 및 차세대 기업향SSD, CXL(Compute express Link), LPCAMM(Low Power Compression attached Memory module)등 제품 개발을 진행중이며 24년 물량 본격 확대시 가시적인 수익증대를 기대하고 있습니다. 또한 향후 기업향 High Density 최적 SSD Solution인 RF-SSD도 Global 대형 반도체 업체들과 협업 하에 개발 진행중으로 안정적인 제품 포트폴리오 구성 및 고수익 추구가 가능하여 향후 더 밝은 전망을 기대하고 있습니다.
당사의 경우 DDR5 High Speed(6400Mbps) 제품용 Module 및 차세대 기업향SSD, CXL(Compute express Link), LPCAMM(Low Power Compression attached Memory module)등 제품 개발을 진행중이며 24년 물량 본격 확대시 가시적인 수익증대를 기대하고 있습니다. 또한 향후 기업향 High Density 최적 SSD Solution인 RF-SSD도 Global 대형 반도체 업체들과 협업 하에 개발 진행중으로 안정적인 제품 포트폴리오 구성 및 고수익 추구가 가능하여 향후 더 밝은 전망을 기대하고 있습니다.
Forwarded from BUYagra
#일본시장 #PBR1.0x
#까마귀날자배떨어진다 우연한 일치에 너무 믿고 있는 건 아닌지..
비단 일본 #nikkei225가 코로나 반등이후 1년동안 flat하다가
'23/4을 바닥으로 오른것이 PBR 1.0x 관련 정책 때문은 솔직히 아닌것 같다는 생각..
일본 지수의 상승중 가장 큰 원인은;
(1) 지금까지 장기디플레이션 -> 인플레이션으로 전환되고 있는 변화
(2) 일본 기업들의 수출과 실적 개선: 일본중앙은행의 통화완화정책으로 엔저유지 및 일본 IT기업들의 이익 개선세
(3) 외국인투자자 유입: 일본 비중 확대 ('23 FDI +9.2%) vs. 중국 비중 축소 ('23년 FDI -10%)
(4) Retail개인 투자자 확대, 소액투자비과세제도 (NISA) 개편: 주식 거래에서 발생하는 이익에 세금을 부과하지 않는 제도 -> 개인투자자 확대
관련 제도가 전반적으로 시장 활성화 및 선진화에 도움이 될 수있다는 생각에는 동의하고 환영하지만,
퀀트 BASE로 단편적으로 이동하는 것은 지양해야 한다는 판단.
'23년 Nikkei225 에서 Best performed 종목중 하난는 KOBE Steel인데 PBR 1.0x 기준으로 만들어진 JPX Prime 150엔 없는 종목입니다.
최근 신고가로 한국 시장에서도 많이 언급된 Toyota도 JPX Prime 150엔 없는 종목이고..
시장의 쏠림이 무섭네요..
https://news.1rj.ru/str/psychotherapy101
#까마귀날자배떨어진다 우연한 일치에 너무 믿고 있는 건 아닌지..
비단 일본 #nikkei225가 코로나 반등이후 1년동안 flat하다가
'23/4을 바닥으로 오른것이 PBR 1.0x 관련 정책 때문은 솔직히 아닌것 같다는 생각..
일본 지수의 상승중 가장 큰 원인은;
(1) 지금까지 장기디플레이션 -> 인플레이션으로 전환되고 있는 변화
(2) 일본 기업들의 수출과 실적 개선: 일본중앙은행의 통화완화정책으로 엔저유지 및 일본 IT기업들의 이익 개선세
(3) 외국인투자자 유입: 일본 비중 확대 ('23 FDI +9.2%) vs. 중국 비중 축소 ('23년 FDI -10%)
(4) Retail개인 투자자 확대, 소액투자비과세제도 (NISA) 개편: 주식 거래에서 발생하는 이익에 세금을 부과하지 않는 제도 -> 개인투자자 확대
관련 제도가 전반적으로 시장 활성화 및 선진화에 도움이 될 수있다는 생각에는 동의하고 환영하지만,
퀀트 BASE로 단편적으로 이동하는 것은 지양해야 한다는 판단.
'23년 Nikkei225 에서 Best performed 종목중 하난는 KOBE Steel인데 PBR 1.0x 기준으로 만들어진 JPX Prime 150엔 없는 종목입니다.
최근 신고가로 한국 시장에서도 많이 언급된 Toyota도 JPX Prime 150엔 없는 종목이고..
시장의 쏠림이 무섭네요..
https://news.1rj.ru/str/psychotherapy101
Telegram
BUYagra
시장을 움직일 '패러다임 변화'를 빠르고 심도있게 분석하여 한 발 앞선 투자를 지향합니다.
또한 시장 트렌드를 일찍 캐치하여 Big 수급 Wave에 집중합니다.
[Caution]
이 채널의 모든 Feed는 투자 권유사항이 아니며 거래에 대한 모든 책임은 투자자 본인에게 있습니다.
일부 Feed는 작성자의 의견이 포함되어있습니다.
또한 시장 트렌드를 일찍 캐치하여 Big 수급 Wave에 집중합니다.
[Caution]
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일부 Feed는 작성자의 의견이 포함되어있습니다.
#LG디스플레이
Q. 올해 디스플레이 산업을 이 실적과 컨퍼런스콜로 한번 예상해 보자. 이런 취지로 이기종 기자 모셨는데, 어제 투자 계획에 대해서 얘기했죠? 뭐라고 했나요?
A. “LG디스플레이 올해 설비 투자에 대한 질문 들어왔는데, 올해는 2조원대 한다고 했습니다.
2022년에 5.2조원, 2023년에 3.6조원, 올해는 2조원. 보통 LG디스플레이 같은 큰 회사들 라인 유지하는 데 2조원 정도 들어간다고 얘기합니다.”
...
https://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=25585
Q. 올해 디스플레이 산업을 이 실적과 컨퍼런스콜로 한번 예상해 보자. 이런 취지로 이기종 기자 모셨는데, 어제 투자 계획에 대해서 얘기했죠? 뭐라고 했나요?
A. “LG디스플레이 올해 설비 투자에 대한 질문 들어왔는데, 올해는 2조원대 한다고 했습니다.
2022년에 5.2조원, 2023년에 3.6조원, 올해는 2조원. 보통 LG디스플레이 같은 큰 회사들 라인 유지하는 데 2조원 정도 들어간다고 얘기합니다.”
...
https://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=25585
www.thelec.kr
[영상] LGD 컨콜로 예상해보는 올해 디스플레이 산업 기상도 - 전자부품 전문 미디어 디일렉
진행 디일렉 이도윤 편집국장출연 디일렉 이기종 기자 -디스플레이 얘기해보도록 하겠습니다. 이기종 기자 모셨습니다. 안녕하세요.“안녕하세요.”-실적 시즌이죠? LG디스플레이가 어제 실적을 내놨는데, 예상한...
#티에스이
티에스이는 29일 초고속 반도체 검사용 버티컬 프로브카드 및 인터페이스 보드에 탑재될 수 있는 50마이크로미터(um) 초미세 회로 간격의 STO-ML(Space Transformer Organic-Multi Layer)을 국내 최초로 개발했다고 밝힘.
■ 프로브카드용 STO-ML이란?
STO-ML은 CPU, GPU, HBM 등을 검사하는 버티컬 프로브카드와 테스트 인터페이스 보드에 들어가는 기판임
그리고 프로브카드는 자동화테스트장비(ATE)에 부착돼 가공이 끝난 반도체 웨이퍼의 내구성 및 전기적 불량 검사를 돕는 부품임
버티컬 프로브카드용 STO-ML은 일본 후찌쯔가 시장을 독점하다시피 했었지만, 티에스이가 이번에 개발을 성공함.
이번에 개발한 STO-ML은 초고속 시스템반도체를 검사할 때 쓰는 버티컬 프로브카드용으로 이탈리아 테크노프로브, 미국 폼팩터가 시장 강자임.
티에스이는 이번 핵심 부품 내재화를 통해 메모리 프로브카드 외에 시스템반도체 분야로 영역을 확장할 수 있게 됨
STO-ML은 베트남에 초정밀 빌드업 기판 공정 능력을 가진 메가일렉에서 생산될 예정임
https://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=25603
티에스이는 29일 초고속 반도체 검사용 버티컬 프로브카드 및 인터페이스 보드에 탑재될 수 있는 50마이크로미터(um) 초미세 회로 간격의 STO-ML(Space Transformer Organic-Multi Layer)을 국내 최초로 개발했다고 밝힘.
■ 프로브카드용 STO-ML이란?
STO-ML은 CPU, GPU, HBM 등을 검사하는 버티컬 프로브카드와 테스트 인터페이스 보드에 들어가는 기판임
그리고 프로브카드는 자동화테스트장비(ATE)에 부착돼 가공이 끝난 반도체 웨이퍼의 내구성 및 전기적 불량 검사를 돕는 부품임
버티컬 프로브카드용 STO-ML은 일본 후찌쯔가 시장을 독점하다시피 했었지만, 티에스이가 이번에 개발을 성공함.
이번에 개발한 STO-ML은 초고속 시스템반도체를 검사할 때 쓰는 버티컬 프로브카드용으로 이탈리아 테크노프로브, 미국 폼팩터가 시장 강자임.
티에스이는 이번 핵심 부품 내재화를 통해 메모리 프로브카드 외에 시스템반도체 분야로 영역을 확장할 수 있게 됨
STO-ML은 베트남에 초정밀 빌드업 기판 공정 능력을 가진 메가일렉에서 생산될 예정임
https://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=25603
www.thelec.kr
티에스이, 시스템반도체 프로브카드용 STO-ML 국산화 성공 - 전자부품 전문 미디어 디일렉
반도체 테스트 부품 솔루션 전문기업 티에스이가 중앙처리장치(CPU), 그래픽처리장치(GPU), 고대역폭메모리(HBM) 등과 같은 초고속 반도체 검사에 필요한 핵심 부품을 국내 최초로 개발했다. 그간 전량 해외 수입...
❤4👎1
#3DD램 #유진테크
기존 극자외선(EUV) 노광장비를 통한 미세화가 평면 구조상에서 9나노 공정부터 한계에 도달할 가능성이 커지면서 3D D램 연구개발에 대한 투자가 본격화될 전망임
■ 3D D램이란?
일반적인 D램은 평평한 면에 수억개가 넘는 기억 소자를 수평 배열하는 방식임. 때문에 면의 크기가 줄어들수록 용량, 성능 제한이 생김.
3D D램은 이와 다르게 트랜지스터와 커패시터를 수직으로 쌓아올린 D램임. 크기가 줄어도 배치 공간에 여유가 생기기 때문에 용량을 늘릴 수 있을 뿐만 아니라, 초미세공정이 필요없어 제조비용을 아낄 수 있음
■ 3D D램 구조가 필요한 이유
현재 삼성전자는 D램 10나노 4세대(1a) 양산을 위해 EUV N세대 공정을 사용 중임
10나노 5세대(1b)에는 N+1세대, 10나노 6세대(1c)에는 N+2세대, 10나노 7세대(1d)에는 N+4세대를 사용하는 로드맵을 세움
하지만, N+4세대 이후 공정에서 9나노급에 서는 EUV 광원으로 패터닝할 수 있는 미세회롸 한계 수준에 도달함
D램 미세화의 최대 걸림돌인 커패시터의 종횡비 증가로 인해 공간 활용의 비효율성이 생기기 때문임
9나노에서 D램 메모리 동작을 위한 커패시터 용량은 55%로 축소되지만, 종횡비는 130% 증가함.
현재 D램은 단일 평면에 셀이 촘촘히 배치된 2D 구조인데, 메모리업계는 칩을 세로로 세워 같은 면적에 집적도를 높여 성능이 더 뛰어난 3D D램을 개발 중임
https://n.news.naver.com/article/366/0000966408
기존 극자외선(EUV) 노광장비를 통한 미세화가 평면 구조상에서 9나노 공정부터 한계에 도달할 가능성이 커지면서 3D D램 연구개발에 대한 투자가 본격화될 전망임
■ 3D D램이란?
일반적인 D램은 평평한 면에 수억개가 넘는 기억 소자를 수평 배열하는 방식임. 때문에 면의 크기가 줄어들수록 용량, 성능 제한이 생김.
3D D램은 이와 다르게 트랜지스터와 커패시터를 수직으로 쌓아올린 D램임. 크기가 줄어도 배치 공간에 여유가 생기기 때문에 용량을 늘릴 수 있을 뿐만 아니라, 초미세공정이 필요없어 제조비용을 아낄 수 있음
■ 3D D램 구조가 필요한 이유
현재 삼성전자는 D램 10나노 4세대(1a) 양산을 위해 EUV N세대 공정을 사용 중임
10나노 5세대(1b)에는 N+1세대, 10나노 6세대(1c)에는 N+2세대, 10나노 7세대(1d)에는 N+4세대를 사용하는 로드맵을 세움
하지만, N+4세대 이후 공정에서 9나노급에 서는 EUV 광원으로 패터닝할 수 있는 미세회롸 한계 수준에 도달함
D램 미세화의 최대 걸림돌인 커패시터의 종횡비 증가로 인해 공간 활용의 비효율성이 생기기 때문임
9나노에서 D램 메모리 동작을 위한 커패시터 용량은 55%로 축소되지만, 종횡비는 130% 증가함.
현재 D램은 단일 평면에 셀이 촘촘히 배치된 2D 구조인데, 메모리업계는 칩을 세로로 세워 같은 면적에 집적도를 높여 성능이 더 뛰어난 3D D램을 개발 중임
https://n.news.naver.com/article/366/0000966408
Naver
“9나노서 평면 D램 한계 도달”… 삼성전자, 3차원 D램 연구개발 본격화
“EUV N+4세대 공정 이후 3D로 전환 계획” 美에 최첨단 메모리 연구개발 조직 신설 삼성전자가 3차원(D) 구조의 D램 설계와 제조 공정을 개발하기 위한 선행 연구개발(R&D)에 돌입했다. 기존 극자외선(EUV
#삼성전자
1) 메모리
- 4Q23: D램/낸드 재고 소진 가속화 및 4분기 D램 흑자 달성
- 1Q24: PC/모바일 수요 회복세 지속 전망, 서버/스토리지 수요도 회복될 것으로 기대.
- 2024 전망: 온디바이스 AI 확산에 따라 PC/모바일향 탑재량 성장 지속, AI향 수요 견조세 지속
선단공정 중심의 미래 수요 대응을 위한 '23년 선제적 투자 下
1bnm 기반 고용량 DDR5 시장 리더십 제고 및 TSV 캐파 확대를 통한 HBM 사업 확대
2) S.LSI/파운드리
- 4Q23:
(LSI) 스마트폰 재고 조정 결과로 Re-Stocking 수요 증가, 엑시노스 2400 실적 기여 시작 및 이미지 센서 재고 정상화
(파운드리) 고객사 재고 조정 및 시장 수요 약화로 실적 저조 지속
- 2024:
(LSI) NPU 성능 향상, 모델 경량화를 통한 온디바이스 기능 강화로 SoC 제품 경쟁력 극대화 추진, 차량용 SoC 추가 수주 및 UWB 등 신규 수주로 미래 성장 동력 확보
(파운드리) 스마트폰/PC 수요 회복으로 파운드리 시장은 '22년 수준까지 회복할 전망, 3나노 2세대 공정 양상 및 2나노 공정 개발에 집중하여, AI 가속기 등 고성장 응용처 수주 확대 노력
3) MX/네트워크
- 2024:
(MX) 스마트폰 시장은 프리미엄 중심 성장 전망, 갤럭시 AI 경험 제공으로 플래그십 두 자릿수 정상과 상회하는 스마트폰 매출 성장 추진
1) 메모리
- 4Q23: D램/낸드 재고 소진 가속화 및 4분기 D램 흑자 달성
- 1Q24: PC/모바일 수요 회복세 지속 전망, 서버/스토리지 수요도 회복될 것으로 기대.
- 2024 전망: 온디바이스 AI 확산에 따라 PC/모바일향 탑재량 성장 지속, AI향 수요 견조세 지속
선단공정 중심의 미래 수요 대응을 위한 '23년 선제적 투자 下
1bnm 기반 고용량 DDR5 시장 리더십 제고 및 TSV 캐파 확대를 통한 HBM 사업 확대
2) S.LSI/파운드리
- 4Q23:
(LSI) 스마트폰 재고 조정 결과로 Re-Stocking 수요 증가, 엑시노스 2400 실적 기여 시작 및 이미지 센서 재고 정상화
(파운드리) 고객사 재고 조정 및 시장 수요 약화로 실적 저조 지속
- 2024:
(LSI) NPU 성능 향상, 모델 경량화를 통한 온디바이스 기능 강화로 SoC 제품 경쟁력 극대화 추진, 차량용 SoC 추가 수주 및 UWB 등 신규 수주로 미래 성장 동력 확보
(파운드리) 스마트폰/PC 수요 회복으로 파운드리 시장은 '22년 수준까지 회복할 전망, 3나노 2세대 공정 양상 및 2나노 공정 개발에 집중하여, AI 가속기 등 고성장 응용처 수주 확대 노력
3) MX/네트워크
- 2024:
(MX) 스마트폰 시장은 프리미엄 중심 성장 전망, 갤럭시 AI 경험 제공으로 플래그십 두 자릿수 정상과 상회하는 스마트폰 매출 성장 추진
Forwarded from AWAKE - 실시간 주식 공시 정리채널
2024.01.31 17:04:41
기업명: 대주전자재료(시가총액: 1조 697억)
보고서명: 신규시설투자등
*투자구분 및 목적
- 신규시설투자
- 이차전지용 실리콘 음극재 제조시설 확대에 따른 사무실및 복지시설 확충
투자금액 : 192억
자본대비 : 15.89%
투자시작 : 2024-01-31
투자종료 : 2025-04-30
투자기간 : 1.2년
공시링크: https://dart.fss.or.kr/dsaf001/main.do?rcpNo=20240131900900
회사정보: https://finance.naver.com/item/main.nhn?code=078600
기업명: 대주전자재료(시가총액: 1조 697억)
보고서명: 신규시설투자등
*투자구분 및 목적
- 신규시설투자
- 이차전지용 실리콘 음극재 제조시설 확대에 따른 사무실및 복지시설 확충
투자금액 : 192억
자본대비 : 15.89%
투자시작 : 2024-01-31
투자종료 : 2025-04-30
투자기간 : 1.2년
공시링크: https://dart.fss.or.kr/dsaf001/main.do?rcpNo=20240131900900
회사정보: https://finance.naver.com/item/main.nhn?code=078600
Naver
대주전자재료 - Npay 증권 : Npay 증권
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👍1
Forwarded from AWAKE - 실시간 주식 공시 정리채널
2024.01.31 16:32:52
기업명: 유진테크(시가총액: 9,671억)
보고서명: 매출액또는손익구조30%(대규모법인은15%)이상변동
재무제표 종류 : 연결
매출액 : 706억(예상치 : 756억)
영업익 : 54억(예상치 : 67억)
순이익 : 45억(예상치 : 71억)
**최근 실적 추이**
2023.4Q 706억/ 54억/ 45억
2023.3Q 503억/ 7억/ 18억
2023.2Q 781억/ 85억/ 82억
2023.1Q 775억/ 97억/ 108억
2022.4Q 574억/ 15억/ -15억
* 변동요인
- 반도체 소자업체의 투자축소 및 지연으로 인한 매출 감소 - 신규장비에 대한 R&D 비용 증가로 인한 영업이익 감소
공시링크: https://dart.fss.or.kr/dsaf001/main.do?rcpNo=20240131900705
회사정보: https://finance.naver.com/item/main.nhn?code=084370
기업명: 유진테크(시가총액: 9,671억)
보고서명: 매출액또는손익구조30%(대규모법인은15%)이상변동
재무제표 종류 : 연결
매출액 : 706억(예상치 : 756억)
영업익 : 54억(예상치 : 67억)
순이익 : 45억(예상치 : 71억)
**최근 실적 추이**
2023.4Q 706억/ 54억/ 45억
2023.3Q 503억/ 7억/ 18억
2023.2Q 781억/ 85억/ 82억
2023.1Q 775억/ 97억/ 108억
2022.4Q 574억/ 15억/ -15억
* 변동요인
- 반도체 소자업체의 투자축소 및 지연으로 인한 매출 감소 - 신규장비에 대한 R&D 비용 증가로 인한 영업이익 감소
공시링크: https://dart.fss.or.kr/dsaf001/main.do?rcpNo=20240131900705
회사정보: https://finance.naver.com/item/main.nhn?code=084370
Naver
유진테크 - Npay 증권 : Npay 증권
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Forwarded from AWAKE - 실시간 주식 공시 정리채널
2024.01.31 16:51:51
기업명: 유진테크(시가총액: 9,671억)
보고서명: 현금ㆍ현물배당결정
배당구분 : 결산배당( 현금 )
* 배당금
보통주 : 200원(현재가43,500원)
기타주 :
* 배당률
보통주 : 0.5%
기타주 :
기준일 : 2023-12-31
지급일 : -
공시링크: https://dart.fss.or.kr/dsaf001/main.do?rcpNo=20240131900773
회사정보: https://finance.naver.com/item/main.nhn?code=084370
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Forwarded from [한투증권 채민숙] 반도체
[한투증권 채민숙/조수헌] 유진테크 4Q23 Review: 24년에도 이어질 공정 전환 수혜
● 4분기 실적은 컨센서스를 하회
- 매출액 706억원(+40% QoQ, +23% YoY), 영업이익 53억원(+641% QoQ, +247% YoY)으로 컨센서스 매출액 762억원과 영업이익 68억원을 각각 7%, 22% 하회
- 수주가 늘어나 매출이 증가함에도 불구하고 이익률이 곧바로 회복되지 않는 것은 고객사들이 비용 절감을 위해 장비 이설과 개조를 요구해 ASP가 신규 장비 매출 대비 낮게 인식되기 때문
- 그러나 24년 비중이 증가하는 DRAM 선단 공정으로는 신규 장비가 필요. CAPEX 집행이 본격화되는 1분기 이후 신규 장비 비중 증가 예상
- 3분기까지 신규 발주 없었던 국내 고객사향 수주 증가 및 매출 인식이 시작됨
- 메모리 업황 부진으로 한 개 고객사에 집중되었던 매출 비중이 4분기에는 50:30:20으로 고르게 분포
● DRAM, NAND 공정 전환 수혜 예상, 매수 추천
- DRAM 3사 모두로부터 장비 발주 증가. 또한 고객사들은 장비 입고 일정을 앞당겨줄 것을 요구 중. 동사의 24년 연간 매출 가이던스 상향 가능성 높을 것
- DRAM 뿐 아니라 NAND에서도 주요 고객사 공정 전환 수요가 발생할 것
- 선단 공정으로의 공정 전환으로 ASP가 높은 QXP Metal ALD 장비 매출이 지속 증가해 전사 영업이익률이 개선될 것
- CAPEX 집행은 24년 점진적으로 확대될 것으로 전망. 따라서 동사 매출 또한 상저하고의 흐름을 보일 것으로 예상함
- 목표주가 56,000원(12MF EPS에 목표PER 23배 적용) 유지, 투자의견 매수와 비중확대 제시
본문: https://buly.kr/uRI4aO
텔레그램: https://news.1rj.ru/str/KISemicon
● 4분기 실적은 컨센서스를 하회
- 매출액 706억원(+40% QoQ, +23% YoY), 영업이익 53억원(+641% QoQ, +247% YoY)으로 컨센서스 매출액 762억원과 영업이익 68억원을 각각 7%, 22% 하회
- 수주가 늘어나 매출이 증가함에도 불구하고 이익률이 곧바로 회복되지 않는 것은 고객사들이 비용 절감을 위해 장비 이설과 개조를 요구해 ASP가 신규 장비 매출 대비 낮게 인식되기 때문
- 그러나 24년 비중이 증가하는 DRAM 선단 공정으로는 신규 장비가 필요. CAPEX 집행이 본격화되는 1분기 이후 신규 장비 비중 증가 예상
- 3분기까지 신규 발주 없었던 국내 고객사향 수주 증가 및 매출 인식이 시작됨
- 메모리 업황 부진으로 한 개 고객사에 집중되었던 매출 비중이 4분기에는 50:30:20으로 고르게 분포
● DRAM, NAND 공정 전환 수혜 예상, 매수 추천
- DRAM 3사 모두로부터 장비 발주 증가. 또한 고객사들은 장비 입고 일정을 앞당겨줄 것을 요구 중. 동사의 24년 연간 매출 가이던스 상향 가능성 높을 것
- DRAM 뿐 아니라 NAND에서도 주요 고객사 공정 전환 수요가 발생할 것
- 선단 공정으로의 공정 전환으로 ASP가 높은 QXP Metal ALD 장비 매출이 지속 증가해 전사 영업이익률이 개선될 것
- CAPEX 집행은 24년 점진적으로 확대될 것으로 전망. 따라서 동사 매출 또한 상저하고의 흐름을 보일 것으로 예상함
- 목표주가 56,000원(12MF EPS에 목표PER 23배 적용) 유지, 투자의견 매수와 비중확대 제시
본문: https://buly.kr/uRI4aO
텔레그램: https://news.1rj.ru/str/KISemicon
KB증권_유진테크_20240201071223.pdf
460.3 KB
#유진테크
3D D램 대응 가능한 국내 유일 장비사
2024년 D램/낸드 전공정 투자는 신규증설보다 선단공정으로의 전환 투자가 예상되는 가운데 유진테크는 글로벌 메모리
3사 전환 투자 모두 장비가 들어갈 것으로 예상됨.
고객사의 3D D램 연구개발도 본격 확대되고 있는 만큼 유진테크의 수혜가 예상
4Q23 Review: 전환 투자 위주 매출 /
성과급 지급으로 예상치 하회
유진테크의 2023년 4분기 실적은 매출액 706억원 (+23% YoY, +40% QoQ), 영업이익
53억원 (+247% YoY, +641% QoQ, 영업이익률 7.5%)을 기록해 컨센서스를 하회
전환 투자는 신규 증설보다 단위당 매출액이 10-15% 감소하는데 전환 투자 위주의 매출 발생으로 약 10%의 매출액이 하락했고, 성과급 발생에 따른 판관비 증가가 원인으로 추정됨
2024년 실적: 상저하고
긍정적인 부분은 4분기에 특정 고객사 위주의 매출 발생이 예상됐던 것과 달리 메모리 3사 모두 고른 매출 비중을 보여 고객사들의 투자가 일부 재개된 것으로 추정됨
따라서 2024년 실적은 전년 대비 상승한 매출액 3,253억원 (+18% YoY), 영업이익 358억원 (+47% YoY, 영업이익률
11%)을 기록할 전망
상반기보다 하반기에 고객사 투자가 집중돼 상저하고의 실적 흐름이 전망됨
3D D램용 R&D 장비 납품
D램 기술의 방향성은 마이그레이션을 통해 원가절감임.
하지만 공정 미세화는 2D D램의 구조상 9나노부터 한계에 봉착할 것으로 예상돼 3D D램에 대한 연구가 활발히 진행되고 있음.
삼성전자는 최근 3D D램 R&D 조직을 신설했으며, SK하이닉스와 마이크론 역시 장비사들과 협력해 3D D램에 대한 연구를 진행하고 있음.
3D D램을 대응할 수 있는 국내 장비사는
유진테크가 유일하며, 해외 장비사로는 어플라이드 머티리얼즈, 램리서치가 있음.
유진테크는 3D D램용 R&D 장비를 이미 납품한 것으로 추정돼 중장기적인 수혜를 전망함.
3D D램 대응 가능한 국내 유일 장비사
2024년 D램/낸드 전공정 투자는 신규증설보다 선단공정으로의 전환 투자가 예상되는 가운데 유진테크는 글로벌 메모리
3사 전환 투자 모두 장비가 들어갈 것으로 예상됨.
고객사의 3D D램 연구개발도 본격 확대되고 있는 만큼 유진테크의 수혜가 예상
4Q23 Review: 전환 투자 위주 매출 /
성과급 지급으로 예상치 하회
유진테크의 2023년 4분기 실적은 매출액 706억원 (+23% YoY, +40% QoQ), 영업이익
53억원 (+247% YoY, +641% QoQ, 영업이익률 7.5%)을 기록해 컨센서스를 하회
전환 투자는 신규 증설보다 단위당 매출액이 10-15% 감소하는데 전환 투자 위주의 매출 발생으로 약 10%의 매출액이 하락했고, 성과급 발생에 따른 판관비 증가가 원인으로 추정됨
2024년 실적: 상저하고
긍정적인 부분은 4분기에 특정 고객사 위주의 매출 발생이 예상됐던 것과 달리 메모리 3사 모두 고른 매출 비중을 보여 고객사들의 투자가 일부 재개된 것으로 추정됨
따라서 2024년 실적은 전년 대비 상승한 매출액 3,253억원 (+18% YoY), 영업이익 358억원 (+47% YoY, 영업이익률
11%)을 기록할 전망
상반기보다 하반기에 고객사 투자가 집중돼 상저하고의 실적 흐름이 전망됨
3D D램용 R&D 장비 납품
D램 기술의 방향성은 마이그레이션을 통해 원가절감임.
하지만 공정 미세화는 2D D램의 구조상 9나노부터 한계에 봉착할 것으로 예상돼 3D D램에 대한 연구가 활발히 진행되고 있음.
삼성전자는 최근 3D D램 R&D 조직을 신설했으며, SK하이닉스와 마이크론 역시 장비사들과 협력해 3D D램에 대한 연구를 진행하고 있음.
3D D램을 대응할 수 있는 국내 장비사는
유진테크가 유일하며, 해외 장비사로는 어플라이드 머티리얼즈, 램리서치가 있음.
유진테크는 3D D램용 R&D 장비를 이미 납품한 것으로 추정돼 중장기적인 수혜를 전망함.
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하이투자증권_삼성전자_20240201080647.pdf
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#삼성전자
당분간 보수적 관점 권고
반도체, VD/가전 부문 주도로 4Q23 실적 부진
동사 4Q23 실적 부진은 반도체, VD/가전 부문이 이끈 것으로 보임. Memory 반도체 부문에서는 DRAM, NAND 모두 30%대 중반의 높은 출하율이 기록됨
다만, 오래된 재고의 판매 증가에 따라 ASP 상승률이 DRAM 13%, NAND 9%에 머문 것으로 보임.
4Q23에 DRAM 부문은 10% 수준의 영업 흑자로 전환되고 NAND 부문에서는 영업적자율이 30% 수준으로 판단됨.
Sys LSI 부문에서는 당초 기대보다는 약한 수요에 따라 가동률 및 실적이 전분기 대비 추가 둔화된 것으로 보임.
1Q24 영업이익 4.7조원으로 개선 예상
당사가 예상하고 있는 1Q24 매출과 영업이익은 72.9조원과 4.7조원임.
DRAM, NAND 부문에서는 4Q23의 역기저 효과에 따라 1Q24 출하량이 전분기 대비 감소할 것이나, ASP는 DRAM 10%대 초중반, NAND 20% 가량의 상승이 가능할 전망임.
1Q24 DRAM OPM은 19%, NAND 영업적자율은 12%로 축소되어, Memory 반도체 부문 전체적으로 0.66조원 가량의 흑자로 전환될 것으로 예상함.
MX/네트워크 부문에서도 갤럭시 S24 등 고가폰을 포함한 스마트폰 출하 증가에 따라 이익 증가가 기대됨
당분간 보수적 관점 권고
반도체, VD/가전 부문 주도로 4Q23 실적 부진
동사 4Q23 실적 부진은 반도체, VD/가전 부문이 이끈 것으로 보임. Memory 반도체 부문에서는 DRAM, NAND 모두 30%대 중반의 높은 출하율이 기록됨
다만, 오래된 재고의 판매 증가에 따라 ASP 상승률이 DRAM 13%, NAND 9%에 머문 것으로 보임.
4Q23에 DRAM 부문은 10% 수준의 영업 흑자로 전환되고 NAND 부문에서는 영업적자율이 30% 수준으로 판단됨.
Sys LSI 부문에서는 당초 기대보다는 약한 수요에 따라 가동률 및 실적이 전분기 대비 추가 둔화된 것으로 보임.
1Q24 영업이익 4.7조원으로 개선 예상
당사가 예상하고 있는 1Q24 매출과 영업이익은 72.9조원과 4.7조원임.
DRAM, NAND 부문에서는 4Q23의 역기저 효과에 따라 1Q24 출하량이 전분기 대비 감소할 것이나, ASP는 DRAM 10%대 초중반, NAND 20% 가량의 상승이 가능할 전망임.
1Q24 DRAM OPM은 19%, NAND 영업적자율은 12%로 축소되어, Memory 반도체 부문 전체적으로 0.66조원 가량의 흑자로 전환될 것으로 예상함.
MX/네트워크 부문에서도 갤럭시 S24 등 고가폰을 포함한 스마트폰 출하 증가에 따라 이익 증가가 기대됨
#삼성전자
단, Sys LSI 부문에서는 선단 공정 가동률 상승에도 불구하고 비수기 진입과 고객사 재고 감축 지속에 따라 의미있는 실적 개선이 발생하지 못할 전망임. SDC, VD/가전 부문에서도 계절적 수요 감소와 경쟁 심화에 따라 실적 둔화가 불가피할 전망
2H24 Memory 반도체 업황 단기 둔화 예상
당사는 2H24에 단기적인 Memory 반도체 업황 둔화가 발생할 것이라고 생각함. 4Q23, 1Q24의 판매, 출하 데이터 감안 시 올해 PC 출하량은 전년 대비 소폭 감소하고 스마트폰 출하량은 소폭 증가에 그칠 가능성이 높음.
또한 최대 스마트폰 시장인 중국에서는 지난해 4분기 동안 출햐랑이 실판매량을 크게 상회하는 추세로 재고가 빠르게 증가한 바 있음.
특히, 고객들은 가격이 급락했고 감산 확대가 예고된 바 있는 NAND 재고를 2Q24부터 빠르게 재축적 중인 것으로 보임. 당사는 올해 업계 HBM 출하량이 127% 증가할 것으로 전망함.
당사는 재공품 포함 기준 올해 DRAM, NAND 업계 생산 증가율은 각각 13%, 11%로 전망함. 특히, 올해 동사의 올해 DRAM 생산 증가율은 지난해에도 이어진 강력한 선단 공정 투자 기조에 따라 경쟁사들을 크게 앞설 가능성이 높음. 업계 생산 증가율은 감산 원복 효과가 본격화 되는 2H24에 빠르게 상승할 가능성이 높음
경기선행지표들의 하락 전환
더욱이 역사적으로 메모리 반도체 시장 규모를 6개월 가량 선행하고 동사 주가와
동행해온 경기선행지표들 중, 글로벌 유동성 YoY 증감률은 이미 하락이 시작되었고 OECD 경기선행지수 역시 조만간 하락 전환할 가능성이 높은 것으로 판단됨.
역사적으로 상승 싸이클이 평균 14개월 지속되었던 OECD 경기선행지수의 이번
상승이 지난 12월까지 14개월간 이어진 점은 향후 동사 주가에 우려 요소임.
HBM3 시장 점유율의 빠른 상승이 예상되나
동사에 따르면 동사의 4Q23 HBM 판매량은 전분기 대비 40% 이상 증가했고, HBM 중 HBM3와 HBM3E의 비중이 1H24 50%, 연말에 90%까지 상승할 것으로 예상함.
또한 동사는 현재 고객 인증 중인 HBM3E 8단 제품의 양산을 1H24 내에 게시하고 12단 36GB HBM3E 제품도 1Q24 내 샘플링을 시작할 계획임
단, Sys LSI 부문에서는 선단 공정 가동률 상승에도 불구하고 비수기 진입과 고객사 재고 감축 지속에 따라 의미있는 실적 개선이 발생하지 못할 전망임. SDC, VD/가전 부문에서도 계절적 수요 감소와 경쟁 심화에 따라 실적 둔화가 불가피할 전망
2H24 Memory 반도체 업황 단기 둔화 예상
당사는 2H24에 단기적인 Memory 반도체 업황 둔화가 발생할 것이라고 생각함. 4Q23, 1Q24의 판매, 출하 데이터 감안 시 올해 PC 출하량은 전년 대비 소폭 감소하고 스마트폰 출하량은 소폭 증가에 그칠 가능성이 높음.
또한 최대 스마트폰 시장인 중국에서는 지난해 4분기 동안 출햐랑이 실판매량을 크게 상회하는 추세로 재고가 빠르게 증가한 바 있음.
특히, 고객들은 가격이 급락했고 감산 확대가 예고된 바 있는 NAND 재고를 2Q24부터 빠르게 재축적 중인 것으로 보임. 당사는 올해 업계 HBM 출하량이 127% 증가할 것으로 전망함.
당사는 재공품 포함 기준 올해 DRAM, NAND 업계 생산 증가율은 각각 13%, 11%로 전망함. 특히, 올해 동사의 올해 DRAM 생산 증가율은 지난해에도 이어진 강력한 선단 공정 투자 기조에 따라 경쟁사들을 크게 앞설 가능성이 높음. 업계 생산 증가율은 감산 원복 효과가 본격화 되는 2H24에 빠르게 상승할 가능성이 높음
경기선행지표들의 하락 전환
더욱이 역사적으로 메모리 반도체 시장 규모를 6개월 가량 선행하고 동사 주가와
동행해온 경기선행지표들 중, 글로벌 유동성 YoY 증감률은 이미 하락이 시작되었고 OECD 경기선행지수 역시 조만간 하락 전환할 가능성이 높은 것으로 판단됨.
역사적으로 상승 싸이클이 평균 14개월 지속되었던 OECD 경기선행지수의 이번
상승이 지난 12월까지 14개월간 이어진 점은 향후 동사 주가에 우려 요소임.
HBM3 시장 점유율의 빠른 상승이 예상되나
동사에 따르면 동사의 4Q23 HBM 판매량은 전분기 대비 40% 이상 증가했고, HBM 중 HBM3와 HBM3E의 비중이 1H24 50%, 연말에 90%까지 상승할 것으로 예상함.
또한 동사는 현재 고객 인증 중인 HBM3E 8단 제품의 양산을 1H24 내에 게시하고 12단 36GB HBM3E 제품도 1Q24 내 샘플링을 시작할 계획임
#3DD램
삼성전자가 개발하고 있는 3D D램은 칩 안에 있는 기억 소자를 아파트처럼 세로로 쌓는 차세대 D램이다. 삼성전자는 2013년 세계 최초로 3차원 수직구조 낸드(3D V-NAND) 상용화에 성공한 경험을 바탕으로 D램에서도 3차원 수직 구조 개발 선점을 목표로 한다.
앞서 삼성전자는 작년 10월 '메모리 테크 데이’ 행사에서 차세대 10나노 이하 D램에 기존 2D 평면이 아닌 3D 신구조 도입 계획을 밝힌 바 있다.
현재 D램은 단일 평면에 데이터 저장 기본단위인 셀을 촘촘히 배치한 2D 구조다. 칩 면적을 줄여야 하는 한계를 3D 수직 구조로 적층하면, 회로 축소 부담을 덜 수 있고 성능도 향상돼 1개 칩에서 용량을 100기가바이트(GB) 이상 늘린 수 있다.
이달 초 삼성전자는 3D D램에서 선도적으로 기술을 개발하기 위해 미국 실리콘밸리에 위치한 반도체 미주총괄(DSA)에 'R&D-Dram Path Finding' 조직을 만들었다. 이 조직은 반도체연구소 산하 조직으로, 송재혁 사장이 직접 이끈다. 삼성전자는 이 곳에서 우수 개발인력을 적극 영입하고, 다양한 반도체 생태계와 협력한다는 방침이다.
https://zdnet.co.kr/view/?no=20240131191900
삼성전자가 개발하고 있는 3D D램은 칩 안에 있는 기억 소자를 아파트처럼 세로로 쌓는 차세대 D램이다. 삼성전자는 2013년 세계 최초로 3차원 수직구조 낸드(3D V-NAND) 상용화에 성공한 경험을 바탕으로 D램에서도 3차원 수직 구조 개발 선점을 목표로 한다.
앞서 삼성전자는 작년 10월 '메모리 테크 데이’ 행사에서 차세대 10나노 이하 D램에 기존 2D 평면이 아닌 3D 신구조 도입 계획을 밝힌 바 있다.
현재 D램은 단일 평면에 데이터 저장 기본단위인 셀을 촘촘히 배치한 2D 구조다. 칩 면적을 줄여야 하는 한계를 3D 수직 구조로 적층하면, 회로 축소 부담을 덜 수 있고 성능도 향상돼 1개 칩에서 용량을 100기가바이트(GB) 이상 늘린 수 있다.
이달 초 삼성전자는 3D D램에서 선도적으로 기술을 개발하기 위해 미국 실리콘밸리에 위치한 반도체 미주총괄(DSA)에 'R&D-Dram Path Finding' 조직을 만들었다. 이 조직은 반도체연구소 산하 조직으로, 송재혁 사장이 직접 이끈다. 삼성전자는 이 곳에서 우수 개발인력을 적극 영입하고, 다양한 반도체 생태계와 협력한다는 방침이다.
https://zdnet.co.kr/view/?no=20240131191900
ZDNet Korea
삼성전자, 3D D램 상용화 임박...송재혁 사장 "최선 다하는 중"
송재혁 DS부문 최고기술책임자(CTO) 겸 반도체연구소장 사장이 (3D D램 상용화에) 최선을 다하고 있다(do our best)고 말했다.송 사장은 31일 세미콘 코리...