🇷🇺 Мнение: Технологический суверенитет России обеспечить не получится

"Стране, располагающей двумя процентами мирового населения и двумя процентами мировой экономики, не хватит мозгов, размеров внутреннего рынка и финансовых возможностей для обеспечения технологического суверенитета”, - Андрей Ионин, член-корреспондент Российской академии космонавтики.

Хорошо, что есть люди, которые честно и публично высказывают свое мнение об отсутствии перспектив выполнения "хотелок" российских политиков в текущих условиях.

Вместе с тем, по части эффективности мер, которые предлагаются в качестве решения проблемы, есть сомнения. Андрей Ионин высказался о необходимости технологического сотрудничества. Вот только сотрудничать предлагается со странами, которые либо сами находятся не в слишком хорошем положении, или зависимы от США и находятся в кильватере политики этой страны. Поэтому по части озвученных проблем согласие есть, а по части предложенных рецептов выхода из кризиса - скорее скепсис. Источник https://www.novayagazeta.ru/articles/2018/08/10/77465-rossiya-i-ee-sputniki

💻 Рынок памяти DRAM в 2018 году достигнет пика

В 2018 году рынок микросхем DRAM вырастет на 39% и достигнет 101.6 млрд. Тем самым, сегмент DRAM станет первой категорией на рынке микросхем, годовой объем которой превысит $100 млрд. На долю микросхем этого типа придется почти четверть продаж. Второй по значимости категорией станет память NAND flash с прогнозом объема $62.2 млрд. На долю этих сегментов придется суммарно около 38% всего рынка чипов, суммарный объем которого в 2018 году оценивается в $428 млрд. Другие подробности от IC Insights. http://www.dailycomm.ru/m/44546/

🇷🇺 Перспективные направления. В лаборатории новых элементов наноэлектроники Курчатовского комплекса НБИКС-природоподобных технологий НИЦ Курчатовский институт в 2018 году ведут исследования в области силицена, аналога графена с атомами кремния вместо атомов углерода в узлах решетки. Если силицен интеркалировать магнитными ионами, например, ионами гадолиния и европия, он становится магнитным, оставаясь двумерным и интегрированным с традиционными кремниевыми технологиями. В отличие от ван-дер-ваальсовских материалов на основе хрома, материал на основе силицена обладает более сильным ферромагнетизмом. Ожидаемая область применения - кремниевая спинтроника. Проблемой пока что остается то, что температура ферромагнитного перехода составляет порядка 50 К. https://scientificrussia.ru/articles/magnitnyj-silitsen-material-elektroniki-budushchego

🇷🇺 Ангстрем-Т отгрузил первую коммерческую партию заказных пластин. Партия скромная - 50 MPW пластин диаметром 200 мм. Пластины изготовлены по технологии AT250G, которая является частью техпроцесса 90 нм. Изделия, размещенные на пластинах, были разработаны в шести различных дизайн-центрах, расположенных в Москве, Воронеже и Екатеринбурге. Первая партия изготовлена для тестирования. По результатам доработок могут быть заключены соглашения о выпуске серийных партий микросхем. Источник https://www.osp.ru/news/2018/0810/13035085/

💻 Вам наверняка не раз приходилось слышать высказывание: полупроводники - это новая нефть. И если задуматься и посмотреть на рынок, то так оно и есть. Объемы закупок полупроводников иными странами лишь немногим уступают объемам затрат на приобретение нефти.

Это все более понимают национальные правительства и транснациональные корпорации. Последние стараются подгрести под себя все самое лучшее по части производства, где бы эти производства не находились, тогда как местные правительства все менее склонны одобрять такие сделки.

За период с 2015 года по середину 2018 года в индустрии прошло около ста сделок M&A на общую стоимость $245 млрд. И этот тренд явно пошел на спад - за первое полугодие 2018 года объем таких сделок достиг смешных на фоне предыдущей цифры $12.6 млрд. Не удивительно, если вспомнить как были сорваны политиками сделки Broadcom - Qualcomm и Qualcomm - NXP. http://www.dailycomm.ru/m/44583/

Так что все верно, полупроводники, а также в целом новые технологии - это новая нефть. Разумные люди не будут продавать предприятия по изготовлению полупроводников и новые технологии в этой области, но только готовые продукты.

Это оставляет России не так много шансов - ведь чтобы попробовать уйти от зависимости от импорта полупроводников, оборудования и материалов для их производства, нужно не только придумать новые технологии (что возможно), но также наладить производство соответствующего производственного оборудования. А это уже сложно реализуемая задача, требующая серьезных изменений в стране.

🇯🇵 Fujitsu втрое увеличила выходную мощность транзисторов на базе GaN

Компания Fujitsu Laboratories объявила об успешной разработке кристаллической структуры, позволяющей существенно нарастить предельно допустимый ток и напряжение в транзисторах HEMT GaN, выходная мощность за счет этого выросла втрое.

Аббревиатура HEMT происходит от англ. High Electron Mobility Transistor - транзисторы с высокой подвижностью электронов, находят применение в системах спутниковой связи, радарах и мобильных устройствах, прежде всего в СВЧ. Как правило это достигается добавлением в систему материалов с высокой подвижностью электронов, например, GaAs, InAs. Создание подобных структур требует использования так называемых буферных слоев, позволяющих формировать бездефектные слои материалов с различными размерами кристаллических ячеек.

Новая технология может использоваться в усилителях мощности в таких приборах, как погодные радары, позволяя увеличить “дальнобойность” радара примерно в 2.3 раза.

Основная идея заключается в том, что напряжение должно подводиться к транзистору “дисперсно”. Запатентованная технология позволила добиться плотности мощности до 19.9 Вт/мм в GaN HEMT, использующим буферные слои InAlGaN.

Компания рассказала о своей технологии на симпозиуме ISGN-8 в Варшаве, которая прошла на прошлой неделе.
Fujitsu Laboratories работает с GaN HEMT с начала нулевых годов и обеспечивает поставки приборов на основе AlGaN HEMT. В последние месяцы лаборатория активно занимается исследованиями InAlGaN HEMT.

Для того, чтобы повысить выходную мощность транзистора, требуется создать структуру, которая бы выдерживала и высокие токи и высокие напряжения. Структура на базе InAlGaN позволяет повысить ток, поскольку в таком материале можно наращивать плотность электронов. Но проблемой оставалось то, что при повышении напряжения, структура кристалла получала повреждения.

Проблему удалось решить за счет добавления слоя AlGaN c высоким сопротивлением между слоем поставляющим электроны и канальным слоем. За счет этого, высокое напряжение в транзисторе рассеивается по слоям, разделенным AlGaN. Это снижает кинетическую энергию электронов и предотвращает кристалл от разрушения при напряжениях вплоть до 100В. При необходимости можно добиться и более высоких напряжений, если увеличивать расстояние между входным электродом и электродом затвора до 1 см.
Таким образом, добавляя слой AlGaN в структуру InAlGaN HEMT, достигается возможность нарастить одновременно напряжение и ток, то есть выходную мощность полупроводниковых приборов.

Проблему теплоотвода, которая обычно остро стоит в изделиях на базе GaN, удается решить за счет использования технологии “алмазного субстрата”, которую в Fujitsu разработали в 2017 году.

В компании планируют коммерциализовать технологию создания GaN HEMT транзисторов с увеличенной выходной мощностью до 2020 года.
Источник: http://www.fujitsu.com/global/about/resources/news/press-releases/2018/0810-01.html

В России также идут эксперименты с полупроводниковыми нитридами, в частности, в ТГУ экспериментируют со традиционными структурами InAlN/GaN и обещают сдать результаты в виде технологии компании Микран до конца 2019 года.

Речь идет о классической структуре, не позволяющей добиться высокой выходной мощности. Может быть стоит попробовать повторить успех японских разработчиков, добавляя в классическую структуру слой AlGaN или поискать свое решение проблемы пробоя?

🇷🇺 🇨🇳 АО «Ангстрем-Т» отгрузило первую партию пластин в Китай. Отгрузка произошла в рамках контракта, подписанного на Петербургском международном экономическом форуме в мае 2018 года.

Первая партия пластин содержит шесть наименований микросхем. В течении нескольких дней специалисты заказчика должны провести тестирование готовой продукции на соответствие техническим параметрам. По результатам этих испытаний в производство будет запущена промышленная серия пластин.

Подписание трех контрактов между АО «Ангстрем-Т» и китайской компанией Zhejiang Sirius Semiconductor Co., Ltd. на поставку полупроводниковых изделий в Китайскую народную республику прошло 24 мая 2018 года в рамках Петербургского международного экономического форума. На церемонии подписания присутствовали председатель Российско-Китайского делового совета Геннадий Тимченко и председатель совета директоров АО «Ангстрем-Т» Леонид Рейман.


Контракт предусматривает поставки полупроводниковой продукции в течение ближайших двух лет с возможностью продления этого сотрудничества. Объем отгрузок должен составить до 10 тысяч пластин в месяц. Кристаллы микросхем, выпускаемые на АО «Ангстрем-Т», будут использоваться при производстве смартфонов, планшетов и другой потребительской электроники. Ориентировочная сумма контракта составляет более 2 млрд рублей.

🇷🇺 В рамках IV Международного Форума “Микроэлектроника 2018”, который пройдет с 1 по 6 октября 2018 года в Алуште (Крым) проводится конкурс “Фестиваль инноваций”, организованный “НИИМА “Прогресс” при участии АО “Росэлектроника”. Заявки на конкурс принимаются до 8 сентября 2018 года. В Алуште пройдет награждение победителей. https://www.idexpert.ru/news/14738/

🌐 Испытательный центр управления качеством службы менеджмента качества “Интеграл” прошел аккредитацию на соответствие требованиям СТБ ИСО/МЭК 17025. Процедуру провел “Белорусский государственный центр аккредитации”. Теперь предприятие сможет проводить контроль содержания паров воды внутри корпуса микросхемы спецназначения, проводимые по методу 222-1 ОСТ 11 073.013. https://integral.by/ru/novye-vozmozhnosti

🇷🇺 “Отечественные микропроцессоры. Были! Есть. Будут?” Большой обзор истории и сегодняшнего дня российских процессоров. Если о “Байкал” или “Эльбрус” слышали многие, то КВАРК, КОМДИВ и Мультиклет пока не так известны, как и MALT или Leonhard. https://3dnews.ru/973284/page-1.html

Foxconn развернет разработку чипов в Чжухай.

Соответствующее соглашение компания Foxconn на днях подписала с правительством южнокитайского города Чжухай (Zhuhai). Новое производство займется предоставлением услуг дизайна полупроводников, а также собственными разработками чипов и других полупроводниковых приборов. В частности, предприятие должно будет осуществлять проекты, связанными с такими направлениями, как промышленный интернет, 5G, технологиями 8K и ИИ.

Китай на сегодня является крупнейшим производителем таких продуктов как смартфоны (с долей мирового рынка в 90%), здесь выпускают 65% персональных компьютеров и 67% смарт-ТВ. Вместе с тем, страна по-прежнему испытывает значительную зависимость от импорта чипов из США и других стран.

Ежегодные закупки полупроводников в Китай выросли с $200 млрд в 2013 году до $260 млрд в 2017 году. В этих условиях в Китае стараются развивать отечественную отрасль полупроводников ускоренными темпами. В Китае намерены стать мировым лидером во всех сегментах цепочки снабжения производства полупроводников к 2030 году, от материалов и расходников до дизайна и выпуска кристаллов.
https://www.scmp.com/tech/enterprises/article/2160265/foxconn-plans-semiconductor-operations-chinas-greater-bay-area

Выручка от продаж попупроводниковой продукции в 2q2018 выросла на 20.5% год к году и на 6% квартал к кварталу до $117.9 млрд.

Такие оценки предлагают аналитики SIA (Semiconductor Industry Association). Основной рост выручки достигнут, не столько за счет наращивания объемов выпуска и потребления продукции, сколько за счет ее подорожания, прежде всего, роста цен на чипы памяти, на которую сохраняется рост спроса.

Основной рост выручки в июне наблюдался от продаж в Китае (+30.7%), Северной и Южной Америке (+26.7%), Европе (15.9%), Японии (+14%). В остальных странах он составил в среднем +8.5% гг. Источник: https://www.ixbt.com/news/2018/08/17/prodazhi-poluprovodnikovoj-produkcii-za-god-vyrosli-bolee-chem-na-20.html

Антимонопольные ведомства уже реагируют, они начали процесс изучения действий ряда крупнейших поставщиков чипов памяти на предмет ценового сговора. Впрочем, действенного влияния на рынок стоит ожидать не от административных мер отдельных государств, а в связи с развертыванием новых производств, в частности, предприятий, которые займутся выпуском кристаллов памяти. Некоторые аналитики уже говорят о том, что 2018 год будет годом пиковых цен на эту продукцию, а уже в 2019 году цены не будут расти или даже снизятся из-за возможного перепроизводства и роcта конкуренции в сегменте полупроводниковой памяти.

За первое полугодие 2018 года выручка компании "Ангстрем" продолжила рост и составила 1316 млн руб., чистая прибыль - 13,39 млн руб.

Ангстрем нарастил объемы продаж. Но доля гражданских кристаллов остается ничтожной

В 2017 году Ангстрем продал электроники с военной приемкой на сумму в 1,296 млрд руб (без НДС), что составило 95.5% от продаж компании на внутреннем рынке. Это существенно больше, чем в 2016 году, когда объем продаж составил 855 млн рублей. Покупателями выступили в основном компании, занимающиеся выполнение гособоронзаказа. Таким образом, предприятие пока что не приблизилась к ориентирам, заданным сверху - доля гражданской продукции в 16,1% в 2016 году, 30% к 2025 году, 50% к 2030 году. Вряд ли ситуация существенно улучшится и по результатам 2018 года. Впрочем, на Ангстрем соответствующие планы приняты - к 2020 году на предприятии намерены поднять долю гражданской продукции до 40%, к 2025 года - до 70%. Пути реализации: импортзамещение, диверсификация и локализация производства.

В целом по результатам финансовой деятельности в 2017 году “Ангстрем” реализовал на внутреннем рынке товаров на сумму 1352,3 млн. руб. без НДС, без учета поставок на экспорт через таможенное оформление, что больше аналогичного показателя за 2016 год на 339,4 млн. руб. (на 33,5%.).

По итогам года Ангстрем показал чистую прибыль в размере 2.7 млн рублей. Это скромный итог, зато нет убытка, что в отечественной микроэлектронике считается очень хорошим результатом. http://bit.ly/2LaVQ45

🇺🇸 Компания Teledyne e2v представила микросхему памяти CBRAM 512K для космоса. http://www.mforum.ru/news/article/119532.htm