🇷🇺 Госпоставки
После известных событий с аукционами на закупку серверов для МВД на аукцион со стартовой ценой лота в 350 млн рублей (80 серверов на Эльбрусах-8С) пришел только один желающий, рассказывает CNews. Это была компания Норси-транс, известная нам как разработчик ПО для СОРМ, а также создатель железа под "закон Яровой".
В итоге тендерной комиссии пришлось признать торги несостоявшимися.
Это уже не первый такой случай, ранее когда МВД пыталось закупить около 4 тысяч настольных ПК на аукцион пришел только Аквариус.
Норси-Транс не очень прозрачная компания, нет ясности по ее текущему составу акционеров. Но это не помешало ей в 2020 году получить выручку в размере 9.5 млрд руб.
Интересно, думали ли регуляторы, что предпринимаемые ими меры приведут к таким вот результатам, когда цену поставки не получается снизить в рамках аукциона поскольку конкуренция просто отсутствует? Можно предположить, что МВД в конечном итоге будет вынуждено переплатить за необходимые ведомству сервера.
После известных событий с аукционами на закупку серверов для МВД на аукцион со стартовой ценой лота в 350 млн рублей (80 серверов на Эльбрусах-8С) пришел только один желающий, рассказывает CNews. Это была компания Норси-транс, известная нам как разработчик ПО для СОРМ, а также создатель железа под "закон Яровой".
В итоге тендерной комиссии пришлось признать торги несостоявшимися.
Это уже не первый такой случай, ранее когда МВД пыталось закупить около 4 тысяч настольных ПК на аукцион пришел только Аквариус.
Норси-Транс не очень прозрачная компания, нет ясности по ее текущему составу акционеров. Но это не помешало ей в 2020 году получить выручку в размере 9.5 млрд руб.
Интересно, думали ли регуляторы, что предпринимаемые ими меры приведут к таким вот результатам, когда цену поставки не получается снизить в рамках аукциона поскольку конкуренция просто отсутствует? Можно предположить, что МВД в конечном итоге будет вынуждено переплатить за необходимые ведомству сервера.
CNews.ru
Поставлять в МВД серверы на «Эльбрусах» решился только разработчик «железа» под «закон Яровой» - CNews
МВД не смогло провести конкурентную закупку 80 серверов на процессорах «Эльбрус-8С». На тематический аукцион со...
🇷🇺 СВЧ-модули
НИИ Феррит-Домен (Росэлектроника-Ростех) спроектировало и поставило "сверхмощный" (характеристики не приводятся) СВЧ-модуль ВКО Алмаз-Антей, сообщает CNews.
Он будет использоваться в составе измерительного комплекса для измерения ЭПР (эффективной площади рассеивания) воздушной и наземной техники. Заявляется об отсутствии аналогов модуля.
НИИ Феррит-Домен (Росэлектроника-Ростех) спроектировало и поставило "сверхмощный" (характеристики не приводятся) СВЧ-модуль ВКО Алмаз-Антей, сообщает CNews.
Он будет использоваться в составе измерительного комплекса для измерения ЭПР (эффективной площади рассеивания) воздушной и наземной техники. Заявляется об отсутствии аналогов модуля.
CNews.ru
«Росэлектроника» поставила сверхмощное СВЧ-оборудование для измерительного комплекса
Модуль СВЧ-диапазона предназначен для формирования зондирующих импульсных сигналов заданной амплитуды и определенной...
🌱 Дизайн-центры
Алмаз-Антей построит дизайн-центр микроэлектроники на базе севастопольского филиала ГПТП Гранит.
По заявлению гендиректора концерна Алмаз-Антей дизайн-центр будет работать не только в интересах заказчиков военной продукции, но также и на гражданские проекты. В Севастополе разместится одна из "дизайн-площадок" будущего центра, она займет второй этаж трехэтажного корпуса.
Алмаз-Антей построит дизайн-центр микроэлектроники на базе севастопольского филиала ГПТП Гранит.
По заявлению гендиректора концерна Алмаз-Антей дизайн-центр будет работать не только в интересах заказчиков военной продукции, но также и на гражданские проекты. В Севастополе разместится одна из "дизайн-площадок" будущего центра, она займет второй этаж трехэтажного корпуса.
Российская газета
Своя микросхема
На прошедшем в Севастополе промышленном форуме "Интеллект машин и механизмов" объявили о начале строительства дизайн-центра микроэлектроники и переносе в город разработок в области технологий связи 5G. Специалистов для этих проектов подготовит Севастопольский…
🔬 Чипы для телекома. 8нм
Samsung сообщает о разработке процесса 8нм для RF-чипов, которые применяются в радиочасти смартфонов 5G. Речь идет об одночиповом устройстве, способном поддерживать несколько каналов и содержащем антенну на чипе.
В целом, это не совсем новость. RUSmicro уже сообщал о том, что Qualcomm заказала Samsung производство своих модемных чипов Snapdragon 850 5G по техпроцессу 8нм.
В любом случае новость хорошая. Переход на передовой процесс обещает +35% выигрыш в эффективности затрат энергии и такое же сокращение в площади кристалла по-сравнению с технологией RF 14нм. Samsung производит чипы RF и по технологии 28 нм, отгрузив их в объеме уже около 500 млн.
Еще один кусочек паззла, который позволит начать массовое внедрение сетей 5G в миллиметровом диапазоне частот.
Samsung сообщает о разработке процесса 8нм для RF-чипов, которые применяются в радиочасти смартфонов 5G. Речь идет об одночиповом устройстве, способном поддерживать несколько каналов и содержащем антенну на чипе.
В целом, это не совсем новость. RUSmicro уже сообщал о том, что Qualcomm заказала Samsung производство своих модемных чипов Snapdragon 850 5G по техпроцессу 8нм.
В любом случае новость хорошая. Переход на передовой процесс обещает +35% выигрыш в эффективности затрат энергии и такое же сокращение в площади кристалла по-сравнению с технологией RF 14нм. Samsung производит чипы RF и по технологии 28 нм, отгрузив их в объеме уже около 500 млн.
Еще один кусочек паззла, который позволит начать массовое внедрение сетей 5G в миллиметровом диапазоне частот.
Mobile World Live
Samsung boosts 5G power with 8nm chip tech
Samsung developed 8-nanometre (nm) process technology for radio frequency (RF) chips, boosting the power and efficiency of 5G communications.
🇺🇸 Господдержка микроэлектроники
В сенате США проголосовали за новый закон, который должен помочь США выдержать конкуренцию с Китаем.
Это не рядовое событие, судите сами:
🔹 На технологическое производство в США выделят $250 млрд
🔹 $52 млрд пойдет на разработку полупроводников и телеком-оборудования
🔹 $2 млрд - только на автоэлектронику
В общем в США решили тушить пожар деньгами.
Насколько это поможет в решении проблем - вопрос открытый, в Китае тоже хватает денег и в микроэлектронику их инвестируют еще более щедро.
Тем не менее, в условиях слома многих глобальных цепочек поставок, очевидно, что те государства, кому это по карману, попытаются воссоздать все цепочки и технологические переделы на своих территориях. Получится на первых порах хуже, чем было и дороже. Но в условиях остановки строительства новой Вавилонской башни этот путь, вероятно, остается единственным.
В сенате США проголосовали за новый закон, который должен помочь США выдержать конкуренцию с Китаем.
Это не рядовое событие, судите сами:
🔹 На технологическое производство в США выделят $250 млрд
🔹 $52 млрд пойдет на разработку полупроводников и телеком-оборудования
🔹 $2 млрд - только на автоэлектронику
В общем в США решили тушить пожар деньгами.
Насколько это поможет в решении проблем - вопрос открытый, в Китае тоже хватает денег и в микроэлектронику их инвестируют еще более щедро.
Тем не менее, в условиях слома многих глобальных цепочек поставок, очевидно, что те государства, кому это по карману, попытаются воссоздать все цепочки и технологические переделы на своих территориях. Получится на первых порах хуже, чем было и дороже. Но в условиях остановки строительства новой Вавилонской башни этот путь, вероятно, остается единственным.
DTF
Сенат США принял закон об инвестировании 250 миллиардов долларов в технологическое производство — Железо на DTF
52 миллиарда из них выделят на поддержку сектора полупроводников.
📈 Мировой рынок полупроводников. Оценки и прогнозы
По оценкам World Semiconductor Trade Statistics, объем продаж на мировом рынке полупроводников вырастет до $527 млрд по итогам 2021 года (+19,7%).
Наибольший вклад, как ожидается внесут продажи микросхем памяти с ростом продаж на 31,7%, сенсоры (прежде всего, сенсоры изображений) покажут рост на 22,4%, аналоговые микросхемы - 21,7%. Двузначные темпы роста, как ожидается, покажут и все остальные категории, кроме оптоэлектроники с 9.8% и MOS Micro c 8,1%.
Если говорить про географию, то Азиатско-тихоокеанский регион (с Китаем), как ожидается, продемонстрирует самые высокие темпы роста - 23,5%. За ним последуют Европа - 21,1%, Япония - 12,7% и Америка - 11,1%. Не стоит обманываться цифрами, большой рост свойственен низкой базе.
Если говорить про 2022 год, то как ожидается мировой рынок полупроводников вырастет на 8.8% до $573 млрд за счет двузначного роста категории "память". Ожидается продолжение роста во всех регионах.
По оценкам World Semiconductor Trade Statistics, объем продаж на мировом рынке полупроводников вырастет до $527 млрд по итогам 2021 года (+19,7%).
Наибольший вклад, как ожидается внесут продажи микросхем памяти с ростом продаж на 31,7%, сенсоры (прежде всего, сенсоры изображений) покажут рост на 22,4%, аналоговые микросхемы - 21,7%. Двузначные темпы роста, как ожидается, покажут и все остальные категории, кроме оптоэлектроники с 9.8% и MOS Micro c 8,1%.
Если говорить про географию, то Азиатско-тихоокеанский регион (с Китаем), как ожидается, продемонстрирует самые высокие темпы роста - 23,5%. За ним последуют Европа - 21,1%, Япония - 12,7% и Америка - 11,1%. Не стоит обманываться цифрами, большой рост свойственен низкой базе.
Если говорить про 2022 год, то как ожидается мировой рынок полупроводников вырастет на 8.8% до $573 млрд за счет двузначного роста категории "память". Ожидается продолжение роста во всех регионах.
SeekingAlpha
Global Semiconductor annual sales projected to increase 19.7% in 2021, 8.8% in 2022
According to World Semiconductor Trade Statistics estimates, the global semiconductor market will rise from 6.8% in 2020 to 19.7% this year to ~$527B.The most significant...
🇨🇳 Глобальный дефицит
Если совсем недавно было принято говорить о глобальном дефиците отдельных микросхем, то чем далее, тем более, из-за ковида и политических изменений на планете, рвется все больше цепочек снабжения и могучий, отлаженный годами глобальный процесс добычи сырья и производства товаров начинает давать все больше сбоев. Что постепенно приводит к появлению все новых проблем и может привести к "дефициту всего".
В условиях, когда отрасль работает с максимальным напряжением, неизбежно должны возникать аварии, и они возникают.
Вчера новостные ленты облетело сообщение о взрыве и пожаре в китайском Синьцзяне на заводе Hoshine Silicon, где производятся значительные количества металлического кремния, который идет затем в полупроводниковое производство, в частности, в производство поликремния для солнечных панелей. Пожар сравнительно быстро был потушен, жертв взрыва вроде бы не было, инцидент исчерпан? Пока такой вывод делать рано.
Остановка этого завода для проведения расследования была бы критична для отрасли, цены на поликремний поползли бы вверх еще быстрее. Будет ли предприятие остановлено - решать местным властям.
Взрыв произошел не на основном производстве, где делают востребованный во всем мире металлический кремний, и не на линии по производству порошкового кремния, а на экспериментальной линии, где налаживали выпуск органического кремния (силоксана).
Завод Hoshine Silicon - значимый участник рынка металлического кремния. В 2019 году компания произвела 560 тысяч метрических тонн металлического кремния, это примерно 26% от всего выпуска металлического кремния в Китае и почти 17% от общемирового выпуска этого материала.
Взрыв произошел в одном из двух производственных корпусов, где выпускают порядка 200 тысяч метрических тонн материала. Корпус, где выпускают до 390 тысяч м.тонн взрывом и пожаром вообще не затронут.
Так что сейчас все ждут решения местных властей - будет ли принято решение об остановке предприятия для проверки или проверка будет производится без остановки его работы.
Что же, shit happens, никто не застрахован от подобных инцидентов, они бывали в прошлом и вряд ли перестанут случатся в дальнейшем.
В России было бы неплохо расширять производство металлического кремния или поликремния, кремниевые технологии пока что актуальны, а потребности в нем мирового рынка растут.
Если совсем недавно было принято говорить о глобальном дефиците отдельных микросхем, то чем далее, тем более, из-за ковида и политических изменений на планете, рвется все больше цепочек снабжения и могучий, отлаженный годами глобальный процесс добычи сырья и производства товаров начинает давать все больше сбоев. Что постепенно приводит к появлению все новых проблем и может привести к "дефициту всего".
В условиях, когда отрасль работает с максимальным напряжением, неизбежно должны возникать аварии, и они возникают.
Вчера новостные ленты облетело сообщение о взрыве и пожаре в китайском Синьцзяне на заводе Hoshine Silicon, где производятся значительные количества металлического кремния, который идет затем в полупроводниковое производство, в частности, в производство поликремния для солнечных панелей. Пожар сравнительно быстро был потушен, жертв взрыва вроде бы не было, инцидент исчерпан? Пока такой вывод делать рано.
Остановка этого завода для проведения расследования была бы критична для отрасли, цены на поликремний поползли бы вверх еще быстрее. Будет ли предприятие остановлено - решать местным властям.
Взрыв произошел не на основном производстве, где делают востребованный во всем мире металлический кремний, и не на линии по производству порошкового кремния, а на экспериментальной линии, где налаживали выпуск органического кремния (силоксана).
Завод Hoshine Silicon - значимый участник рынка металлического кремния. В 2019 году компания произвела 560 тысяч метрических тонн металлического кремния, это примерно 26% от всего выпуска металлического кремния в Китае и почти 17% от общемирового выпуска этого материала.
Взрыв произошел в одном из двух производственных корпусов, где выпускают порядка 200 тысяч метрических тонн материала. Корпус, где выпускают до 390 тысяч м.тонн взрывом и пожаром вообще не затронут.
Так что сейчас все ждут решения местных властей - будет ли принято решение об остановке предприятия для проверки или проверка будет производится без остановки его работы.
Что же, shit happens, никто не застрахован от подобных инцидентов, они бывали в прошлом и вряд ли перестанут случатся в дальнейшем.
В России было бы неплохо расширять производство металлического кремния или поликремния, кремниевые технологии пока что актуальны, а потребности в нем мирового рынка растут.
pv magazine
Silicone fab explosion in Xinjiang threatens further poly shortage
With the solar industry already seeing prices rise because of a shortage of panel raw material polysilicon, an explosion yesterday at the factory of a silicon metal and silicone producer in Xinjiang could have further repercussions on supply. No casualties…
🇷🇺 Аналитика рынка. Оценки и прогнозы
В Москве представили результаты исследования российского рынка электронных компонентов за 2020 год, а также прогнозы на 2021 год, подготовленные в информационно-аналитическом Центре Современной Электроники.
Основные выводы - несмотря на противоэпидемические ограничения 2020 года объём рынка не сократился, но заметно изменилась его структура.
Продолжается увеличение доли гражданских сегментов на фоне консолидации рынка крупнейшими игроками.
В 2021 году аналитики прогнозируют продолжение роста почти во всех продуктовых направлениях.
Главной проблемой остаётся дефицит компонентов, пик которого пока не пройден.
Заказывать исследование предлагается по ссылке sovel.org
В Москве представили результаты исследования российского рынка электронных компонентов за 2020 год, а также прогнозы на 2021 год, подготовленные в информационно-аналитическом Центре Современной Электроники.
Основные выводы - несмотря на противоэпидемические ограничения 2020 года объём рынка не сократился, но заметно изменилась его структура.
Продолжается увеличение доли гражданских сегментов на фоне консолидации рынка крупнейшими игроками.
В 2021 году аналитики прогнозируют продолжение роста почти во всех продуктовых направлениях.
Главной проблемой остаётся дефицит компонентов, пик которого пока не пройден.
Заказывать исследование предлагается по ссылке sovel.org
🇺🇸 Автоматизация. Проектирование микросхем
США - безусловный мировой лидер в области программ автоматизированного проектирования микросхем. Но на этот раз речь идет о настоящем технологическом прорыве. От программ автоматизированного проектирования в Google перекинули мостик к автоматическому проектированию.
AI Google разработал чип для нейросети. И, если верить разработчикам, то, на что обычно уходят месяцы, было проделано всего за 6 часов. При этом получившаяся микросхема "сравнима или превосходит" то, что получается у квалифицированных разработчиков.
AI провел автоматическую разработку чипа TPU (тензорного процессора), оптимизированного под вычисления, характерные для тех, которыми в основном заняты AI,
Не сомнений, что этот успех знаменует собой новый качественный уровень проектирования. Проектирование с применением AI.
Еще один практический вывод. Теперь не так важно добиваться уменьшения размера нод, например, на 1нм, AI может обеспечить повышение производительности чипа и без повышения плотности его составляющих.
США - безусловный мировой лидер в области программ автоматизированного проектирования микросхем. Но на этот раз речь идет о настоящем технологическом прорыве. От программ автоматизированного проектирования в Google перекинули мостик к автоматическому проектированию.
AI Google разработал чип для нейросети. И, если верить разработчикам, то, на что обычно уходят месяцы, было проделано всего за 6 часов. При этом получившаяся микросхема "сравнима или превосходит" то, что получается у квалифицированных разработчиков.
AI провел автоматическую разработку чипа TPU (тензорного процессора), оптимизированного под вычисления, характерные для тех, которыми в основном заняты AI,
Не сомнений, что этот успех знаменует собой новый качественный уровень проектирования. Проектирование с применением AI.
Еще один практический вывод. Теперь не так важно добиваться уменьшения размера нод, например, на 1нм, AI может обеспечить повышение производительности чипа и без повышения плотности его составляющих.
Код Дурова
Google применила нейросети при разработке микросхем для искусственного интеллекта
По заявлению компании, дизайн, на который у человека уходит месяцы, был воспроизведён ИИ всего лишь за шесть часов
🇺🇸 Тренды. Архитектура RISC-V
Intel интересуется RISC-V
По данным Bloomberg, Intel предложила 2 млрд долларов за стартап SiFive, занимающийся разработкой чипов. Официальных подтверждений ни одна из сторон не дала. SiFive специализируется на разработках микросхем на основе архитектуры RISC-V с открытым исходным кодом.
После того, как NVidia нацелилась на Arm, у Intel, похоже, резко вырос интерес к SiFive. Недавно компании подписали соглашение о сотрудничестве, а теперь вот появились слухи о покупке. До сих пор SiFive оценивали в $500 млн, сейчас, похоже, ставки выросли в 4 раза.
RISC-V на сегодня обычно используют в микроконтроллерах и других сравнительно простых микросхемах. Только компания WD за год поставляет более 2 млрд контроллеров RISC-V в составе своих продуктов. Организация RISC-V планирует развивать стандарт, чтобы его можно применять в высокопроизводительных приложениях.
Китайские производители также проявляют растущий интерес к архитектуре RISC-V в связи с введенными США ограничениями со ссылкой на национальную безопасность США. В такой ситуации лицензирование RISC-V с открытым исходным кодом которое не предусматривает выплат роялти, а также тот факт, что SiFive расположена в Швейцарии и "не занимает политическую позицию в интересах любого географического региона", привлекает китайские компании.
Недавнее заявление гендиректора Intel Пэта Гелсингера о том, что компания начнет лицензировать процессоры x86 для других компаний в рамках своей новой инициативы IDM 2.0, было неожиданным. Вдобавок Intel заявила о готовности выступать контрактным производителем чипов, выполненных по архитектуре ARM на производственных мощностях Intel Foundry Services (IFS).
Если источники Bloomberg передали верную информацию, следует ожидать, что Intel в ближайшее время сможет добавить проекты на базе RISC-V в свой арсенал, а также будут предлагать нестандартные проекты клиентам своего контрактного подразделения, что вписывается в обещание компании помочь возрождению производства полупроводников в США. Наличие еще одной архитектуры с открытым исходным кодом в арсенале Intel поможет компании противостоять конкурентам, сделавшим ставку на ARM, таким как Apple M1 и AWS Graviton2.
Читать в вебе: abloud.blogspot.com
Intel интересуется RISC-V
По данным Bloomberg, Intel предложила 2 млрд долларов за стартап SiFive, занимающийся разработкой чипов. Официальных подтверждений ни одна из сторон не дала. SiFive специализируется на разработках микросхем на основе архитектуры RISC-V с открытым исходным кодом.
После того, как NVidia нацелилась на Arm, у Intel, похоже, резко вырос интерес к SiFive. Недавно компании подписали соглашение о сотрудничестве, а теперь вот появились слухи о покупке. До сих пор SiFive оценивали в $500 млн, сейчас, похоже, ставки выросли в 4 раза.
RISC-V на сегодня обычно используют в микроконтроллерах и других сравнительно простых микросхемах. Только компания WD за год поставляет более 2 млрд контроллеров RISC-V в составе своих продуктов. Организация RISC-V планирует развивать стандарт, чтобы его можно применять в высокопроизводительных приложениях.
Китайские производители также проявляют растущий интерес к архитектуре RISC-V в связи с введенными США ограничениями со ссылкой на национальную безопасность США. В такой ситуации лицензирование RISC-V с открытым исходным кодом которое не предусматривает выплат роялти, а также тот факт, что SiFive расположена в Швейцарии и "не занимает политическую позицию в интересах любого географического региона", привлекает китайские компании.
Недавнее заявление гендиректора Intel Пэта Гелсингера о том, что компания начнет лицензировать процессоры x86 для других компаний в рамках своей новой инициативы IDM 2.0, было неожиданным. Вдобавок Intel заявила о готовности выступать контрактным производителем чипов, выполненных по архитектуре ARM на производственных мощностях Intel Foundry Services (IFS).
Если источники Bloomberg передали верную информацию, следует ожидать, что Intel в ближайшее время сможет добавить проекты на базе RISC-V в свой арсенал, а также будут предлагать нестандартные проекты клиентам своего контрактного подразделения, что вписывается в обещание компании помочь возрождению производства полупроводников в США. Наличие еще одной архитектуры с открытым исходным кодом в арсенале Intel поможет компании противостоять конкурентам, сделавшим ставку на ARM, таким как Apple M1 и AWS Graviton2.
Читать в вебе: abloud.blogspot.com
Blogspot
Intel интересуется RISC-V
блог Алексея Бойко ABloud - телеком, 5G/LTE, робототехника, летающие беспилотники
🌏 Глобальный кризис производства микросхем. Влияние на автопром
Вновь компания Hyundai Motor вынуждена приостановить работу сборочных линий на заводе в штате Алабама, США на 5 дней. Причина уже привычная - нехватка микросхем, требующихся для производства автомобилей. Это уже 4-я остановка в этом году из-за этой причины.
В компании стараются решить проблему за счет перенаправления чипов с заводов в других странах на американский рынок. Но уже понятно, что за год будет выпущено меньше автомобилей, чем планировалось.
В целом в США ситуация с нехваткой чипов для автопрома, похоже, улучшается.
Вновь компания Hyundai Motor вынуждена приостановить работу сборочных линий на заводе в штате Алабама, США на 5 дней. Причина уже привычная - нехватка микросхем, требующихся для производства автомобилей. Это уже 4-я остановка в этом году из-за этой причины.
В компании стараются решить проблему за счет перенаправления чипов с заводов в других странах на американский рынок. Но уже понятно, что за год будет выпущено меньше автомобилей, чем планировалось.
В целом в США ситуация с нехваткой чипов для автопрома, похоже, улучшается.
3DNews - Daily Digital Digest
Hyundai поставила на паузу своё производство в США из-за дефицита полупроводников
Один из ведущих южнокорейских автопроизводителей, компания Hyundai, вынужден приостановить работу своего производства в США по распространённой в последние месяцы причине.
🔬 Преобразование ИК в глубокий ультрафиолет
Известно, что свет с длиной волны 220-230 нм с достаточной интенсивностью, губителен для многих форм патогенов - от бактерий до вирусов (и опасен для зрения человека).
Известны способы генерации такого света, например, кварцевые лампы. Но одновременно прочные и энергоэффективные источники глубокого ультрафиолета (DUV - deep ultra violet) пока что не разработаны.
Исследователи Высшей школы инженерии и Центра квантовой информации и квантовой биологии Университета Осаки предложили получать DUV из ИК-излучения с помощью твердотельного преобразователя (ГВГ - генератора второй гармоники).
С помощью сегнетоэлектриков такой преобразователь сделать не получается.
Исследователи предложили монолитное устройство преобразования длины волны с микрополостью без использования структуры с инвертированной полярностью. Основная ИК-волна усиливается в микрополости из нитрида галлия с двумя распределенными брэгговскими отражателями (DBR), благодаря чему встречные волны второй гармоники синфазно и эффективно излучаются с одной стороны.
Для изготовления микрополости была использована технология микротравления, включая сухое травление и анизотропное влажное травления для вертикальных и гладких боковых стенок DBR.
Если получится таким образом создавать твердотельные источники DUV-излучения, это поможет наладить массовый выпуск недорогих устройств для стерилизации помещений.
Известно, что свет с длиной волны 220-230 нм с достаточной интенсивностью, губителен для многих форм патогенов - от бактерий до вирусов (и опасен для зрения человека).
Известны способы генерации такого света, например, кварцевые лампы. Но одновременно прочные и энергоэффективные источники глубокого ультрафиолета (DUV - deep ultra violet) пока что не разработаны.
Исследователи Высшей школы инженерии и Центра квантовой информации и квантовой биологии Университета Осаки предложили получать DUV из ИК-излучения с помощью твердотельного преобразователя (ГВГ - генератора второй гармоники).
С помощью сегнетоэлектриков такой преобразователь сделать не получается.
Исследователи предложили монолитное устройство преобразования длины волны с микрополостью без использования структуры с инвертированной полярностью. Основная ИК-волна усиливается в микрополости из нитрида галлия с двумя распределенными брэгговскими отражателями (DBR), благодаря чему встречные волны второй гармоники синфазно и эффективно излучаются с одной стороны.
Для изготовления микрополости была использована технология микротравления, включая сухое травление и анизотропное влажное травления для вертикальных и гладких боковых стенок DBR.
Если получится таким образом создавать твердотельные источники DUV-излучения, это поможет наладить массовый выпуск недорогих устройств для стерилизации помещений.
Газета «DAILY» — Новости России и мира
Представлено новое твердотельное устройство генерации второй гармоники
Исследователи из Высшей школы инженерии и Центра квантовой информации и квантовой биологии Университета Осаки представили новое твердотельное устройство
🔬 Научные исследования. Терагерцы
Российские ученые повысили чувствительность детектора терагерцового излучения. Это может пригодиться для неразрушающей спектроскопиии высокого разрешения, а также использоваться в технологиях 6G и в медицине (например, вместо рентгена).
Статья опубликована в журнале IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology.
Ученые из Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова РАН (Москва), Института общей физики имени А.М. Прохорова РАН (Москва) и МГТУ имени Н.Э. Баумана (Москва) повысили чувствительность детектора, внеся в решетку полупроводника упругие деформации.
В основе усовершенствованного детектора слои двух сплавов - один это индий-галлий-мышьяк, друго - индий, алюминий-мышьяк. Попеременная структура образовала так называемую сверхрешетку с деформациями, что улучшило реакцию структуры на электромагнитный сигнал.
Это открывает путь к созданию отечественных терагерцовых преобразователей на эффекте фотопроводимости. На сегодняшний день таких изделий в нашей стране нет.
Российские ученые повысили чувствительность детектора терагерцового излучения. Это может пригодиться для неразрушающей спектроскопиии высокого разрешения, а также использоваться в технологиях 6G и в медицине (например, вместо рентгена).
Статья опубликована в журнале IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology.
Ученые из Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова РАН (Москва), Института общей физики имени А.М. Прохорова РАН (Москва) и МГТУ имени Н.Э. Баумана (Москва) повысили чувствительность детектора, внеся в решетку полупроводника упругие деформации.
В основе усовершенствованного детектора слои двух сплавов - один это индий-галлий-мышьяк, друго - индий, алюминий-мышьяк. Попеременная структура образовала так называемую сверхрешетку с деформациями, что улучшило реакцию структуры на электромагнитный сигнал.
Это открывает путь к созданию отечественных терагерцовых преобразователей на эффекте фотопроводимости. На сегодняшний день таких изделий в нашей стране нет.
«Научная Россия» — наука в деталях!
Чувствительность терагерцового детектора повысили благодаря деформации его структуры
На основе такого устройства можно разработать новые системы терагерцовой спектроскопии высокого разрешения, позволяющие проводить быстрый и неразрушающий анализ вещества
🔬 Научные исследования. Твердотельные лазеры
Международная группа исследователей придумала, как создать миниатюрный твердотельный лазер. В основе идея применения известного физического явления - образования конденсата Бозе-Энштейна. Такое конденсат - это состояние материи, возникающее при температурах около абсолютного нуля, когда все частицы имеют одну и ту же энергию. Ученые решили создать конденсат из квазичастиц - экситон-поляритонов, которые образуются в материалах при взаимодействии фотона и электрона.
Для получения нужного состояния взяли пленки двумерного селенида молибдена MoSe2 толщиной в атом. Это дихалькогенид переходного металла, который в целом является непрямозонным полупроводником, но в двумерном состоянии ведет себя как прямозонный, может поглощать и излучать свет.
Слои MoSe2 толщиной менее 1 нм поместили между чередующимися слоями SiO2 / TiO2, которые играют роль зеркал. Обучая такие "зеркальные клетки" короткими лазерными импульсами исследователи смогли получить экситоны. Соединяясь с фотонами, экситоны образовывали экситон-поляритроны.
В теории это явление можно использовать для создания микроминиатюрных источников когерентного излучения. Подробнее.
Международная группа исследователей придумала, как создать миниатюрный твердотельный лазер. В основе идея применения известного физического явления - образования конденсата Бозе-Энштейна. Такое конденсат - это состояние материи, возникающее при температурах около абсолютного нуля, когда все частицы имеют одну и ту же энергию. Ученые решили создать конденсат из квазичастиц - экситон-поляритонов, которые образуются в материалах при взаимодействии фотона и электрона.
Для получения нужного состояния взяли пленки двумерного селенида молибдена MoSe2 толщиной в атом. Это дихалькогенид переходного металла, который в целом является непрямозонным полупроводником, но в двумерном состоянии ведет себя как прямозонный, может поглощать и излучать свет.
Слои MoSe2 толщиной менее 1 нм поместили между чередующимися слоями SiO2 / TiO2, которые играют роль зеркал. Обучая такие "зеркальные клетки" короткими лазерными импульсами исследователи смогли получить экситоны. Соединяясь с фотонами, экситоны образовывали экситон-поляритроны.
В теории это явление можно использовать для создания микроминиатюрных источников когерентного излучения. Подробнее.
Physics World
Exotic quantum state could make smallest-ever laser
Novel light-matter states would have a technological advantage over electronic circuits
🇷🇺 Российская силовая электроника
Команда Протон-Электротекс сообщает о запуске производства однопозиционных диодных и тиристорных модулей В0.
Компания заявляет об улучшенной конструкции модулей в части их электрических и тепловых параметров, что позволило разработчикам получить значение IFAV/ITAV до 700А. Диапазон напряжения UDRM/URRM - от 1000В до 6500В.
Новые изделия В0 выпускаются в корпусах промышленного стандарта с шириной основания 50 мм.
Серия В0 имеет следующие основные особенности:
🔹 прижимная конструкция модуля;
🔹 корпус промышленного стандарта;
🔹 изолированное основание при напряжении изоляции до 7 кВ AC (50 Гц, 1 мин)
Модули предназначены для применения в преобразователях энергии, а также в других цепях постоянного и переменного токов различных силовых электротехнических установок.
Возможные области применения: системы управления электроприводом, выпрямительные мосты, регуляторы переменного тока, управление двигателем постоянного тока, источники питания.
Подробные параметры можно посмотреть на сайте производителя.
Команда Протон-Электротекс сообщает о запуске производства однопозиционных диодных и тиристорных модулей В0.
Компания заявляет об улучшенной конструкции модулей в части их электрических и тепловых параметров, что позволило разработчикам получить значение IFAV/ITAV до 700А. Диапазон напряжения UDRM/URRM - от 1000В до 6500В.
Новые изделия В0 выпускаются в корпусах промышленного стандарта с шириной основания 50 мм.
Серия В0 имеет следующие основные особенности:
🔹 прижимная конструкция модуля;
🔹 корпус промышленного стандарта;
🔹 изолированное основание при напряжении изоляции до 7 кВ AC (50 Гц, 1 мин)
Модули предназначены для применения в преобразователях энергии, а также в других цепях постоянного и переменного токов различных силовых электротехнических установок.
Возможные области применения: системы управления электроприводом, выпрямительные мосты, регуляторы переменного тока, управление двигателем постоянного тока, источники питания.
Подробные параметры можно посмотреть на сайте производителя.
🇰🇷 Сенсоры изображений
Samsung на днях сообщил, что начинает массовое производство компактного датчика изображений с разрешением 50 Мп, который можно использовать как в качестве фронтально, так и в качестве основной камеры.
Разработчиком удалось сократить размеры чипа, одновременно улучшив его светочувствительность и способность определять последовательности фаз.
Датчик называется ISOCELL JN1, размер пикселя - 0.64 мкм. Датчик это не только физическое устройство, но и аппаратный софт. В частности, технология ISOCELL 2.0, по данным Samsung, повышает светочувствительность на 16%. Если освещения недостаточно для качественной съемки, то технология Tetrapixel объединяет 4 соседних пикселя размером 0.64 мкм каждый в "суперпиксель" 1,28 мкм, обладающий светочувствительностью примерно вчетверо большей. Снимки получаются, понятно, с меньшим разрешением - 12,5 Мп, что, впрочем, достаточно для многих ситуаций.
Размеры чипа 1/2.76" - этот размер позволяет ставить датчик не только как основную, но и как фронтальную камеру. Высота модуля камеры примерно на 10% меньше, что дает дизайнерам больше свободы.
Встроенное ПО не ограничивается уже упомянутым функционалом, поддерживается также Smart-ISO (коэффициент преобразования меняется от уровня освещенности), смешанный HDR для оптимального уровня экспозиции и т.п.
Плотность пикселей для определения фазы в Double Super PD вдвое больше (1/16), чем в Super PD (1/32), в результате автофокусировка действует так же эффективно даже при условиях сниженного на 60% уровня освещенности. Наконец, датчик поддерживает запись плавного и четкого видео в разрешении до 4K со скоростью 60 кадров в секунду или Full HD со скоростью 240 кадров в секунду.
Детальное видео о возможностях нового датчика изображения на английском языке доступно на Youtube.
Samsung на днях сообщил, что начинает массовое производство компактного датчика изображений с разрешением 50 Мп, который можно использовать как в качестве фронтально, так и в качестве основной камеры.
Разработчиком удалось сократить размеры чипа, одновременно улучшив его светочувствительность и способность определять последовательности фаз.
Датчик называется ISOCELL JN1, размер пикселя - 0.64 мкм. Датчик это не только физическое устройство, но и аппаратный софт. В частности, технология ISOCELL 2.0, по данным Samsung, повышает светочувствительность на 16%. Если освещения недостаточно для качественной съемки, то технология Tetrapixel объединяет 4 соседних пикселя размером 0.64 мкм каждый в "суперпиксель" 1,28 мкм, обладающий светочувствительностью примерно вчетверо большей. Снимки получаются, понятно, с меньшим разрешением - 12,5 Мп, что, впрочем, достаточно для многих ситуаций.
Размеры чипа 1/2.76" - этот размер позволяет ставить датчик не только как основную, но и как фронтальную камеру. Высота модуля камеры примерно на 10% меньше, что дает дизайнерам больше свободы.
Встроенное ПО не ограничивается уже упомянутым функционалом, поддерживается также Smart-ISO (коэффициент преобразования меняется от уровня освещенности), смешанный HDR для оптимального уровня экспозиции и т.п.
Плотность пикселей для определения фазы в Double Super PD вдвое больше (1/16), чем в Super PD (1/32), в результате автофокусировка действует так же эффективно даже при условиях сниженного на 60% уровня освещенности. Наконец, датчик поддерживает запись плавного и четкого видео в разрешении до 4K со скоростью 60 кадров в секунду или Full HD со скоростью 240 кадров в секунду.
Детальное видео о возможностях нового датчика изображения на английском языке доступно на Youtube.
YouTube
ISOCELL JN1: ISOCELL Unroll Official Replay | Samsung
Awesome cameras everywhere.
Watch the #ISOCELLUnroll 2021 event introducing the new #ISOCELL JN1, #Samsung’s 50MP image sensor with 0.64μm pixels. Equipped with innovative pixel technologies, the ISOCELL JN1 delivers awesome detail and colors in an ultra…
Watch the #ISOCELLUnroll 2021 event introducing the new #ISOCELL JN1, #Samsung’s 50MP image sensor with 0.64μm pixels. Equipped with innovative pixel technologies, the ISOCELL JN1 delivers awesome detail and colors in an ultra…
🇰🇷 Чипы памяти
И еще одна новость, также от Samsung Electronics. Эта компания сообщает о начале массового выпуска модулей uMCP для смартфонов среднего и высшего ценовых сегментов.
uMCP это комбо - в одном корпусе находится и ОЗУ LPDDR5 DRAM и накопитель UFC 3.1 NAND. Применение такого модуля освобождает немало ценного места в корпусе аппарата, увеличивая возможности для дизайнеров.
Модуль компактен - 11,5х13 мм обещает высокую производительность. Пропускная способность оперативной памяти - заоблачные 25 Гбайт/c, флэш память - до 3 Гбайт/c.
Прозводителям смартфонов в Samsung Electronics предложат решения в разных вариантах емкости, от 6 ГБ до 12 ГБ, при этом емкость флеш-накопителя может достигать от 128 ГБ до 512 ГБ.
Первые смартфоны с новыми модулями могут появиться в продаже еще до конца июня 2021 года.
И еще одна новость, также от Samsung Electronics. Эта компания сообщает о начале массового выпуска модулей uMCP для смартфонов среднего и высшего ценовых сегментов.
uMCP это комбо - в одном корпусе находится и ОЗУ LPDDR5 DRAM и накопитель UFC 3.1 NAND. Применение такого модуля освобождает немало ценного места в корпусе аппарата, увеличивая возможности для дизайнеров.
Модуль компактен - 11,5х13 мм обещает высокую производительность. Пропускная способность оперативной памяти - заоблачные 25 Гбайт/c, флэш память - до 3 Гбайт/c.
Прозводителям смартфонов в Samsung Electronics предложат решения в разных вариантах емкости, от 6 ГБ до 12 ГБ, при этом емкость флеш-накопителя может достигать от 128 ГБ до 512 ГБ.
Первые смартфоны с новыми модулями могут появиться в продаже еще до конца июня 2021 года.
3DNews - Daily Digital Digest
Все самое интересное из мира IT-индустрии
Самые интересные и оперативные новости из мира высоких технологий. На нашем портале - все о компьютерном железе, гаджетах, ноутбуках и других цифровых устройствах. А также обзоры новых игр, достижения современной науки и самые любопытные онлайн-проекты.
🇷🇺 Организация труда в производстве микроэлектроники
ВЗПП-Микрон внедряет технологию бережливого производства
АО ВЗПП-Микрон входит в ГК Микрон. В проекте принимают участие Региональный центр компетенций республики Татарстан в сфере производительности труда (РЦК Татарстан) и РЦК Воронежской области. Пилот запущен в рамках нацпроекта "Производительность труда".
Проект "Оптимизация процесса изготовления экспортной продукции" начался с пилотного изделия, которое сейчас является самым экспортируемым ВЗПП.
Плановые цели - сокращение времени производственного цикла на 10%, увеличение выработки - 10%, сокращение производственных запасов на 10%. По достижению целей в рамках пилота, процесс будет тиражирован на все остальные изделия во всех подразделениях ВЗПП-Микрон.
В рамках проекта предусмотрено создание эталонного участка бережливого производства включающее внедрение инструментов бережливого производства 5С, SMED и визуализированных стандартов организации рабочих мест, с тем, чтобы повысить эффективность и управляемость операционных зон, выявить и уменьшить потери времени, повысить производительность труда.
В целом за 2 года планируется сократить производственный цикл и увеличить производительность
труда по отдельным технологическим участкам в 2 раза, всего по предприятию – не менее
30%, в том числе за счет оптимизации маршрутов движения пластин и обучения персонала.
Подробнее: mikron.ru
ВЗПП-Микрон внедряет технологию бережливого производства
АО ВЗПП-Микрон входит в ГК Микрон. В проекте принимают участие Региональный центр компетенций республики Татарстан в сфере производительности труда (РЦК Татарстан) и РЦК Воронежской области. Пилот запущен в рамках нацпроекта "Производительность труда".
Проект "Оптимизация процесса изготовления экспортной продукции" начался с пилотного изделия, которое сейчас является самым экспортируемым ВЗПП.
Плановые цели - сокращение времени производственного цикла на 10%, увеличение выработки - 10%, сокращение производственных запасов на 10%. По достижению целей в рамках пилота, процесс будет тиражирован на все остальные изделия во всех подразделениях ВЗПП-Микрон.
В рамках проекта предусмотрено создание эталонного участка бережливого производства включающее внедрение инструментов бережливого производства 5С, SMED и визуализированных стандартов организации рабочих мест, с тем, чтобы повысить эффективность и управляемость операционных зон, выявить и уменьшить потери времени, повысить производительность труда.
В целом за 2 года планируется сократить производственный цикл и увеличить производительность
труда по отдельным технологическим участкам в 2 раза, всего по предприятию – не менее
30%, в том числе за счет оптимизации маршрутов движения пластин и обучения персонала.
Подробнее: mikron.ru
🇷🇺 Российская электроника. Производство
АО БПО Прогресс (Автоматика - Ростех) получило новое производственное оборудование для серийного монтажа бескорпусных деталей с суммарной скоростью установки до 153 тысяч компонентов в час.
На предприятии введены в эксплуатацию установщики компонентов (чипшутера) Assembleon AX 501 и прецизионный установщик AX201 (в Россию их поставляет АссемРус), печь конвекционного оплавления для пайки печатных плат, автоматическая оптическая 3D система контроля Yamaha YSi-V.
Как ожидается, такое переоснащение производства поможет нарастить объемы выпускаемой продукции, а также поднять качество сборки до современного уровня.
АО БПО Прогресс (Автоматика - Ростех) получило новое производственное оборудование для серийного монтажа бескорпусных деталей с суммарной скоростью установки до 153 тысяч компонентов в час.
На предприятии введены в эксплуатацию установщики компонентов (чипшутера) Assembleon AX 501 и прецизионный установщик AX201 (в Россию их поставляет АссемРус), печь конвекционного оплавления для пайки печатных плат, автоматическая оптическая 3D система контроля Yamaha YSi-V.
Как ожидается, такое переоснащение производства поможет нарастить объемы выпускаемой продукции, а также поднять качество сборки до современного уровня.
АвиаПорт.Ru
Концерн "Автоматика" запускает серийный монтаж бескорпусных радиодеталей
В рамках реализации проекта по техническому перевооружению производственной и научно-технической базы АО "БПО "Прогресс" предприятие оснастило производство высокоскоростным оборудованием
🇯🇵 🇹🇼 3D-компоновка микросхем
Согласно прогнозам, следует ожидать все более активного перехода современной микроэлектроники к 3D-компоновке микросхем.
Существенные технологические наработки по этой части есть у разработчиков из Японии. А вот финансирования для дальнейшего развития этих наработок в Японии не хватает.
Как ожидается, финансирование исследований предоставит тайваньская TSMC - денег у этой компании хватает, поэтому возможность обменять их часть на ускорение разработок в области 3D-компоновки в TSMC считают своим шансом для укрепления лидерских позиций на рынке контрактного производства.
Партнеры из Японии и компания TSMC уже строят совместный исследовательский центр к северо-востоку от Токио. А пока что работы идут в "чистой комнате" Национального института передовых промышленных наук и технологий Японии.
Партнерами проекта выступят компания-упаковщик Ibiden, поставщик материалов JSR, производитель специализированного оборудования Disco.
Согласно прогнозам, следует ожидать все более активного перехода современной микроэлектроники к 3D-компоновке микросхем.
Существенные технологические наработки по этой части есть у разработчиков из Японии. А вот финансирования для дальнейшего развития этих наработок в Японии не хватает.
Как ожидается, финансирование исследований предоставит тайваньская TSMC - денег у этой компании хватает, поэтому возможность обменять их часть на ускорение разработок в области 3D-компоновки в TSMC считают своим шансом для укрепления лидерских позиций на рынке контрактного производства.
Партнеры из Японии и компания TSMC уже строят совместный исследовательский центр к северо-востоку от Токио. А пока что работы идут в "чистой комнате" Национального института передовых промышленных наук и технологий Японии.
Партнерами проекта выступят компания-упаковщик Ibiden, поставщик материалов JSR, производитель специализированного оборудования Disco.
3DNews - Daily Digital Digest
Японские компании помогут TSMC продвинуться в технологиях трёхмерной упаковки чипов
Ведущие американские разработчики процессоров пришли к выводу, что дальнейшее увеличение производительности вычислительной техники не представляется возможным без перехода на трёхмерную компоновку микросхем.
🇹🇼 Микросхемы памяти
В Windbond Electronics разработали микросхему флеш памяти SRI NOR типа плотностью 512 МБ, рассчитанную на напряжение питания 1.8В.
Новинка поддерживает три варианта частоты синхронизации вплоть до 166 МГц. Это, и совместимость корпуса по выводам с микросхемами на чипах с меньшей плотности, обещает возможность наращивания объёма флеш памяти в выпускаемых устройствах.
Новинка поддерживает SDR 166 МГц и DDR 80 МГц, это позволяет выполнять программы непосредственно во флеш-память (такой режим называют XIP).
Новые микросхемы W25Q512NW можно собирать в стеки на 1 Гбит или 2 Гбит. Стек, например, из двух микросхем, поддерживает операцию чтения во время записи, можно выполнить операцию OTA обновления без прекращения операций чтения. Даже если пропадёт питание, данные прошивки не пострадают. Такая память может пригодиться в модемах 5G или в устройствах периферийных вычислений 5G и тп.
В серию новинка пойдёт в 2H2021.
Подробнее: https://www.ixbt.com/news/2021/06/18/winbond-spi-nor-512-1-8.html
В Windbond Electronics разработали микросхему флеш памяти SRI NOR типа плотностью 512 МБ, рассчитанную на напряжение питания 1.8В.
Новинка поддерживает три варианта частоты синхронизации вплоть до 166 МГц. Это, и совместимость корпуса по выводам с микросхемами на чипах с меньшей плотности, обещает возможность наращивания объёма флеш памяти в выпускаемых устройствах.
Новинка поддерживает SDR 166 МГц и DDR 80 МГц, это позволяет выполнять программы непосредственно во флеш-память (такой режим называют XIP).
Новые микросхемы W25Q512NW можно собирать в стеки на 1 Гбит или 2 Гбит. Стек, например, из двух микросхем, поддерживает операцию чтения во время записи, можно выполнить операцию OTA обновления без прекращения операций чтения. Даже если пропадёт питание, данные прошивки не пострадают. Такая память может пригодиться в модемах 5G или в устройствах периферийных вычислений 5G и тп.
В серию новинка пойдёт в 2H2021.
Подробнее: https://www.ixbt.com/news/2021/06/18/winbond-spi-nor-512-1-8.html
iXBT.com
Специалисты Winbond разработали микросхему флеш-памяти SPI NOR плотностью 512 Мбит, рассчитанную на напряжение питания 1,8 В
Компания Winbond Electronics объявила о расширении ассортимента микросхем флеш-памяти типа NOR с интерфейсом SPI добавлением однокристальной модели плотностью 512 Мбит, рассчитанной на напряжение питания 1,8 В.