🇷🇺 Образование: Национальный исследовательский университет МИЭТ открывает 15 междисциплинарных образовательных программ повышения квалификации для студентов и аспирантов в 2018/2019 учебном году. В вузе начнут готовить студентов по профилям: проектирование чувствительных элементов для сенсоров, технологии «5G», сенсоры, связанные с биомедицинскими системами, а также радиоэлектроника и автоматизация. http://www.mforum.ru/news/article/119657.htm

🌐 TT Electronics представила новую серию WDBR-UL ультрнизкопрофильных резисторов высокой мощности. В линейке 9 номиналов резисторов от 12 Ом до 150 Ом, в пяти вариантах типоразмера. Толщина не более 2 мм. Могут использоваться в инверторах привода мотора, динамических тормозах, в качестве подогревателей электронного агрегата, для предохранения от перенапряжения в ветровых турбинах. Скачать описания: http://www.ttelectronics.com/search/content?keys=wdbr-ul

💻 Аналитики компании Allied Market Research прогнозируют, что мировой рынок полупроводниковых изделий на базе технологии карбида кремния SiC вырастет от текущего объема $302 млн в 2017 году до $1109 млн в 2025 году, что соответствует среднегодовому росту в 18.1% в период с 2018 по 2015 годы. http://www.mforum.ru/news/article/119662.htm

Хорошо известная в России X-FAB Silicon Foundries на днях анонсировала планы удвоения своих производственных мощностей по выпуску изделий на базе SiC на пластинах 150 мм. Производство размещено на заводе компании в Lubbock, Техасе, США. Компания планирует до конца 2018 года установить на этом производстве вторую установку для ионного легирования, что и позволит вдвое нарастить производственные мощности по части выпуска изделий на базе SiC.

☝ Предстоящий октябрь будет богат на встречи, посвященные микроэлектронике. Вы уже решили, в каких из них будете принимать участие?

- 2018.10.01-06 Международный форум "Микроэлектроника", Алушта

- 2018.10.03-05 Всероссийская юбилейная научно-техническая конференция "Современное состояние и перспективы развития специальных систем радиосвязи и радиоуправления", Омск. Участники обсудят вопросы искусственного интеллекта, развития систем и комплексов беспроводной связи и зондирования, радиолиний и радиомодемов, обработки сигналов, информационной безопасности, квантовых вычислителей, фотонных технологий, а также технологий и конструирования пьезокварцевой техники и функциональной микроэлектроники.

- 2018.10.17-19 ChipEXPO-2018, Москва
Основные темы: микроэлектроника, телеком, ИТ, СВЧ-техника, технологическое оборудование, медицинская электроника. http://www.chipexpo.ru/poluchit-priglasitelnyi?yclid=2610594957276224982

2018.10.23-25 Power Electronics, 15-я Международная выставка компонентов и систем силовой электроники, Москва, Крокус-Экспо. htp://www.powerelectronics.ru

💻 Аналитики J&P подготовили платный аналитический отчет “Анализ потенциала импортозамещения в микроэлектронике: Силовые транзисторы”

Согласно оценкам J’son & Partners Consulting, Россия ежегодно импортирует силовые транзисторы на сумму более 3 млрд руб. или около $50 млн долл. США. Крупнейшими странами-поставщиками (страна происхождения товара) силовых транзисторов являются Китай, США и Япония, на их долю приходится свыше 50% от общего импорта данных электронных компонентов.

Анализ ТОП-20 компаний-поставщиков показал, что основными брендами силовых транзисторов, поставляемых в РФ, являются компании, штаб-квартиры которых расположены в США, Японии, Нидерландах, Швейцарии, Германии и Великобритании. Причем основная доля поставок приходится именно на американские компании. В 2015 – 2017 гг. их доля в списке ТОП-20 выросла с 41% до 47%.

Анонс платного отчета можно найти по ссылке http://json.tv/ict_telecom_analytics_view/analiz-potentsiala-importozamescheniya-v-mikroelektronike-silovye-tranzistory--20180919055349

🌐 Taoglas сообщила о готовности первых трех антенн в линейке Extensis узкополосных антенн NB-IoT, включая самую маленькую керамическую антенну NB-IoT, которая одновременно работает в диапазонах b5, b8, b20, а также ультра-тонкую, гибкую, многодиапазонную антенну, которая поддерживает все диапазоны LTE, включая новый диапазон b71, который будет использоваться сетями NB-IoT в США.

Керамическая мини-антенна NCP.5820 - это многодиапазонная антенна в форм-факторе для поверхностного монтажа, которая поддерживает диапазон 8 (900 МГц) и 20 (800 МГц), а также диапазон b5 (824-894 МГц), что позволит использовать IoT устройства с такой антенной во всем мире. Толщина антенны - 2 мм, размеры основания - 14.1 х 8.3 мм. Коэффициент усиления антенны - 2 dB.

Другая новинка в линейке - NCS.5820, она поддерживает диапазоны b5, b8 и b20. Толщина антенны - 1.6 мм, размеры основания - 11 мм х 20 мм. Поскольку размеры этой антенны больше, выше и коэффициент усиления антенны.

Третья новинка, FXUB64, это гибкая ультраширокополосная антенна, которая работает со всеми сотовыми диапазонами, 2.4 ГГц Wi-Fi, ISM и AGPS, включая b71. Габариты ультра-тонкой полимерной антенны - 130 мм x 20 мм x 30x0.2 мм. Источник: http://www.microwavejournal.com/articles/31052-taoglas-launches-worlds-smallest-nb-iot-antenna-in-new-multiband-range

Микрон представил свои решения на 18-ой выставке «RADEL. Радиоэлектроника и приборостроение», которая прошла в конгрессно - выставочном центре «Экспофорум» с 18 по 20 сентября 2018 в С.Петербурге.

В рамках деловой программы выставки 18 сентября Микрон провел семинар «Современная полупроводниковая ЭКБ ПАО "Микрон". Новые продукты и технологические возможности. Разработки в рамках программы импортозамещения».

🇰🇷 Samsung Electronics намерена сократить темпы роста объемов выпуска чипов памяти в 2019 году, чтобы поддержать уровень цен в отрасли в условиях сокращающегося спроса. Впрочем компания все равно увеличит производство - чипов DRAM на 20%, и чипов NAND flesh на 30%. Рынок памяти является управляемым - более 95% его объема приходится на три компании - Samsung Electronics, Корея; SK Hynix, Корея и Micron, США. Основными поставщиками для производителей чипов выступают Applied Materials и Lam Research. Источник: http://www.dailycomm.ru/m/44995/

Китайская компания Bitmain анонсировала чипы ASIC по технологии 7 нм.

Специализированный чип BM1391 по технологии 7 нм FinFET превосходит старые образцы по хэш-мощности. Чип позволяет майнить криптовалюты по алгоритму SHA256, в частности биткоин. На его базе будут выпущены майнеры Bitmain Antminer.

Новинка не будет единственным чипом ASIC 7нм на рынке, в июне японская компания GMO анонсирована чип 7нм ASIC, обещав, что устройства на его основе выйдут в октябре. Майнер B2 потребляет 1.950 Ватт и обеспечивает эффективность 81 Вт на 1 терахэш в секунду. Источник: https://ttrcoin.com/bitmain-anonsirovala-7-nm-chip-dlya-svoih-novyh-asic-maynerov.4858/

Китайская индустрия микроэлектроники далеко не так сильна, как может казаться

🇨🇳 В последнее время Китай заметно укрепил свое положение в области микроэлектроники. Успехи таких производителей, как, например, HighSilicon, неоспоримы. Вместе с тем, эти успехи характерны не для всей отрасли, а лишь для отдельных предприятий. А 90% компаний, которые занимаются производством микрочипов, не являются прибыльными, да и уровень их технического развития не столь уж велик. Китаю потребуется более 20 лет, чтобы местное микроэлектронное производство достигло мирового уровня, уверен сопредседатель правления компании Tsinghua Unigroup, г-н Дяо Ши. Источник: http://mixednews.ru/archives/138632

🇷🇺 Вы верите в сертификаты качества? Верите в то, что если у предприятия есть сертификат системы добровольной сертификации “Электронсерт”, то качество продукции такого предприятия выше, чем если сертификата нет? Так или иначе, но в Ангстрем заморочились получением такого сертификата, и теперь он у компании есть.

24 сентября компания Протон “приглашает” посетить свой стенд в период с 18 по 20 сентября. У кого-нибудь есть машина времени, недорого?

🇷🇺 С компанией Протон-Электротекс можно встретиться без временных парадоксов, 23-24 октября 2018 года на выставке “Силовая электроника 2018” в Москве. На стенде B305, пав.1, зал 1 будет представлена линейка биполярной продукции компании. Из новинок, Протон-Электротекс привезет:
+ Линейку драйверов для IGBT и SiC MOSFET модулей средней мощности.
+ Линейку DC-AC инверторов напряжения для электротранспорта
+ Низкоиндуктивный 1200В 500А Full-SiC IGBT модуль для электротранспорта
+ IGBT модули прижимной конструкции для мощной энергетики.

Во второй день выставки специалисты компании представят несколько докладов в рамках семинара:
+ Линейка драйверов для IGBT и SiC MOSFET модулей средней мощности — Е. В. Гостенков, инженер по новой технике
+ Высоковольтные тиристоры с элементами самозащиты от перенапряжения — Д. А. Титушкин, инженер по новой технике
+ Базовые подходы АО «Протон-Электротекс» к развитию направления силовых полупроводниковых приборов — А. В. Ставцев, технический директор

Записаться на встречу можно по адресу marketing@proton-electrotex.com

В ADGEX VITIM вырастили первый промышленный кристал вольфрамата кадмия (CdWO4), готовый к коммерческому использованию.

Уже получены независимые заключения, подтверждающие качество кристалла. Кристалл весом 2 кг выращен на установке GENESIS AIR. В испытаниях он показал предельное для этого кристалла значение световыхода в 24500 фотонов на Мэв (с источником Cs137). В ближайших планах компании - выращивание небольшой промышленной партии кристаллов для их реализации на мировом рынке.

Кристаллы CWO находят применение в детекторах гамма излучения, в компьютерной томографии, радиометрии низкофоновых значений радионуклидов, интроскопах, рентгеновских и гамма сканерах. https://adgex.com/n/2018-9-19-ADGEX-VITIM-STAL-NA-SHAG-BLIZHE-K-VYXODU-NA-RYNOK-MONOKRISTALLOV

💻 Китай обеспечит почти весь рост на мировом рынке фаундри-услуг

В 2017 году объемы заказов на контрактное производство чипов от китайских компаний составили $7.5 млрд (+26% гг). В 2018 году аналитики IC Insight прогнозируют рост заказов от китайцев до $11.2 млрд (+51%). Если эти прогнозы сбудутся, то доля китайских заказов на мировом рынке фаундри-устройств вырастет до 19% (+5 пп).

Объемы заказов американцев останутся стабильными на уровне $31 млрд, объемы заказов японцев сократятся на 1% до $4.47 млрд, европейцев - вырастут до $4.3 млрд.

Кто заработает на китайских заказах? Как обычно, все сливки достанутся передовой TSMC. Если в 2017 году объем фаундри-услуг, оказанных TSMC китайцам выросли на 44%, то в 2018 году портфель китайских заказов вырастет еще на 79%, уже до $6.7 млрд. Это все более заметный сегмент бизнеса TSMC, который по итогам 2017 года, составил $32,2 млрд. Разрыв с остальными участниками рынка гигантский - TSMC зарабатывает впятеро больше GlobalFoundries и в 10 раз больше, чем SMIC. Подробнее http://www.dailycomm.ru/m/45046/

💻 3D NAND стала лидирующей технологией производства флэш-памяти

По данным DigiTimes, доля 64- и 72-слойных микросхем 3D NAND в общем объеме флэш-памяти превысила 60%. И это в среднем, у лидеров рынка, таких как Samsung Electronics этот показатель достигает 85%, у Micron - 90%.

Рост плотности чипов 3D NAND на фоне снижения их стоимости приводит к росту объемов памяти в смартфонах - в 2019 году большинство флагманских моделей смогут похвастаться памятью в 512 ГБ.

Несмотря на рост числа компаний, желающих заниматься производством чипов памяти, Топ-5 в 2018 году не изменится, это по-прежнему будут Samsung Electronics, Toshiba, Western Digital, Micron и SK Hynix. Подробнее: http://www.dailycomm.ru/m/45025/

🌐 Тайваньская WIN Semiconductors готовится к росту спроса на решения 5G на базе технологии GaAs.

WIN Semiconductors Corp. - компания pure play, то есть производство, которое сосредоточено на выпуске микросхем под заказ, не имея собственного отдела разработки интегральных схем. Компания ожидает роста спроса на производство фронтэнд-чипов. От качества таких чипов существенно зависит время работы абонентского терминала от батареи, а если говорить о базовых станциях и активных антеннах, то фронтэнд оказывает существенное влияние на потребляемую мощность.

В системах с поддержкой MIMO существенно возрастают требования к линейности усиления и потребляемой мощности устройств. В WIN подготовили набор технологий на основе GaAs, чтобы отвечать этим требованиям, как для диапазонов ниже 6 ГГц, так и для миллиметровых диапазонов, которые будут использоваться системами 5G, в частности, для диапазона 28-39 ГГц.

В частности, были разработаны такие технологии на базе GaAs, как PIH1-10, предназначенные для монолитной интеграции в усилители мощности передатчиков, ультрамалошумящие усилители для приемных устройств и коммутаторы с низким уровнем потерь. Кроме того, на базе разработанных технологий GaAs создаются опциональные линейные диоды Шоттки для детекторов мощности и комбайнеров, PIN-диоды с низкой емкостью.

https://electroiq.com/2018/09/win-semiconductors-corp-integrated-gaas-technologies-support-5g-user-equipment-and-network-infrastructure/

🇨🇳 В Gowin Semiconductor надеются на рост спроса на чипы FPGA

FPGA, программируемые вентильные матрицы, один из видов ПЛИС. Соответствущие решения выпускают в основном американские компании, такие как Xilinx, Altera, Lattice. На их долю сейчас приходится до 90% мирового рынка. Китайская Gowin Semiconductors из Гуанчжоу также надеется откусить от пирога растущего спроса на FPGA, здесь в последние несколько месяцев начали массовое производство FPGA-чипов с малой и средней плотностью элементов, на собственных IP-блоках.

Китайские FPGA предназначены для использования в самой различной радиоэлектронике, включая авто-мото, видеоинтерфейсы, электроника, телеком, оборона и космос. Непосредственным выпуском FPGA занимается тайваньская TSMC, пока что продукция Gowin Semiconductors доступна только на рынке материкового Китая.

В этом году в Gowin надеются продать 10 млн чипов FPGA. Росту продаж помог кризис в ZTE, спровоцированный ужесточением торговой политики США. Это облегчило компании получить финансовую поддержку на сумму $11.7 млн в виде субсидий и сокращения налогов, как участнику Зоны экономическо-технологического развития Гуаньчжоу. Еще $14,6 млн компания привлекла в ходе первого круга венчурного финансирования.

Компания разрабатывает изделия по процессу 55 нм, что позволяет ее изделиям оставаться конкурентными на базе продукции ведущих американских конкурентов. В 2019 году в Gowin надеются освоить также процесс 28 нм, чтобы выпускать изделия с более высокой плотностью транзисторов.

Говорить о полном импортзамещении в отношении Gowin не получится, изделия компании разрабатываться на архитектуре ARM, а для дизайна топологии используется ПО американской Synopsys. На сегодняшний день производители микроэлектроники практически в любой стране в той или иной степени зависимы от американских технологий, так что о реальном импортзамещении в области полупроводников не может всерьез говорить даже Китай со всеми его финансовыми ресурсами и растущим портфелем технологий. https://www.scmp.com/business/companies/article/2165558/made-china-2025-guangzhou-start-aiming-big-semiconductors