🇷🇺 Производственное оборудование
НИИТМ и НИИМЭ разрабатывают и испытывают кластерные системы для пластин 300 мм
Кластерное оборудование используется при обработке полупроводниковых пластин, это в частности, оборудование для процессов травления и осаждения функциональных слоев. Кластерные системы отличаются более высокой автоматизацией процессов и, как следствие, большей их эффективностью, исключением влияния человека на пластины.
Разрабатываемая кластерная система для пластин 200/300 мм включает 3 основных узла: атмосферный модуль для загрузки/выгрузки пластин, центральный вакуумный распределительный модуль и процессные модули. По такой же формуле АО НИИТМ были разработаны кластерные системы для пластин диаметром 150/200 мм.
Кластерные системы для плазмохимического травления (ПХТ) и плазмохимического осаждения (ПХО) пластин диаметром 300м, включают в себя по 4 технологических модуля. Предусмотрена возможность модернизации системы, изменения конфигурации, замены модулей.
Экспериментальные образцы кластеров ПХТ и ПХО были "успешно испытаны по машинным параметрам".
Согласно дорожной карте, кластерные установки серийного уровня будут готовы к проведению производственных технологических операций и процессов к концу 2025 года
НИИТМ и НИИМЭ разрабатывают и испытывают кластерные системы для пластин 300 мм
Кластерное оборудование используется при обработке полупроводниковых пластин, это в частности, оборудование для процессов травления и осаждения функциональных слоев. Кластерные системы отличаются более высокой автоматизацией процессов и, как следствие, большей их эффективностью, исключением влияния человека на пластины.
Разрабатываемая кластерная система для пластин 200/300 мм включает 3 основных узла: атмосферный модуль для загрузки/выгрузки пластин, центральный вакуумный распределительный модуль и процессные модули. По такой же формуле АО НИИТМ были разработаны кластерные системы для пластин диаметром 150/200 мм.
Кластерные системы для плазмохимического травления (ПХТ) и плазмохимического осаждения (ПХО) пластин диаметром 300м, включают в себя по 4 технологических модуля. Предусмотрена возможность модернизации системы, изменения конфигурации, замены модулей.
Экспериментальные образцы кластеров ПХТ и ПХО были "успешно испытаны по машинным параметрам".
Согласно дорожной карте, кластерные установки серийного уровня будут готовы к проведению производственных технологических операций и процессов к концу 2025 года
🔥17👍5👌3⚡1🤔1
🇺🇸 Господдержка и микроэлектроника
В США создают исследовательский центр с инвестициями в $5 млрд
Сегодня в США планируют объявить о создании NSTC - Национального центра полупроводниковых технологий, который объединит участников рынка, занимающихся исследованиями полупроводников. Инвестиции в этот проект оцениваются на уровне $5 млрд.
Консорциум займется инвестированием в развитие рабочей силы, кроме того, он будет выделять гранты на исследования в области полупроводников. Кроме того, будут приниматься заявки на финансирование исследовательских проектов в области упаковки.
Логичный шаг, поскольку только строительство заводов, которым активно занялись в США не может решить проблему быстрого технологического развития Китая. Этому можно противопоставить только быстрое технологическое развитие США. А наука, как известно, требует денег И немало.
Источник: bloomberg
В США создают исследовательский центр с инвестициями в $5 млрд
Сегодня в США планируют объявить о создании NSTC - Национального центра полупроводниковых технологий, который объединит участников рынка, занимающихся исследованиями полупроводников. Инвестиции в этот проект оцениваются на уровне $5 млрд.
Консорциум займется инвестированием в развитие рабочей силы, кроме того, он будет выделять гранты на исследования в области полупроводников. Кроме того, будут приниматься заявки на финансирование исследовательских проектов в области упаковки.
Логичный шаг, поскольку только строительство заводов, которым активно занялись в США не может решить проблему быстрого технологического развития Китая. Этому можно противопоставить только быстрое технологическое развитие США. А наука, как известно, требует денег И немало.
Источник: bloomberg
Bloomberg.com
US to Launch $5 Billion Research Hub to Stay Ahead in Chip Race
President Joe Biden’s administration plans to launch a $5 billion semiconductor research consortium to bolster chip design and hardware innovation in the US and counter China’s efforts to capture the cutting edge of the industry.
⚡3👍2👎1
🎓 Фотоника
Миниатюризация систем квантового распределения ключей с помощью фотонных интегральных схем
Первая из публикаций по теме КРК на ФИС, размещенная на Habr.
Системы квантового распределения ключей (КРК) нуждаются в микроминиатюризации для повышения массовости их использования. ФИС (фотонные интегральные схемы) - считаются перспективным направлением для решения этой задачи. Причем не только из-за возможностей микроминиатюризации, но и за счет повышения стабильности работы КРК и возможности массового производства ФИС.
Существует большое разнообразие в выборе материалов для ФИС, применимых для КРК (SOI, Si3N4, LiNbO3 на I, GaAs, InP, SoOxNy, SiO2волноводы), причем универсального решения, которое позволило бы реализовать все оптические компоненты КРК на единой платформе, не найдено. Приводятся данные об особенностях использования материалов.
В итоге большинство решений КРК сегодня строят на основе нескольких ФИС из разных материалов с совмещением чипов методом краевого соединения. Это создает ряд проблем, поскольку различные компоненты системы требуют различные условия эксплуатации — некоторые нуждаются в криогенных температурах, тогда как другие могут работать при комнатных.
Несмотря на перечисленные трудности, в мире появляются компоненты и целые системы КРК на ФИС. Об этом авторы обещают рассказать в следующей публикации.
Миниатюризация систем квантового распределения ключей с помощью фотонных интегральных схем
Первая из публикаций по теме КРК на ФИС, размещенная на Habr.
Системы квантового распределения ключей (КРК) нуждаются в микроминиатюризации для повышения массовости их использования. ФИС (фотонные интегральные схемы) - считаются перспективным направлением для решения этой задачи. Причем не только из-за возможностей микроминиатюризации, но и за счет повышения стабильности работы КРК и возможности массового производства ФИС.
Существует большое разнообразие в выборе материалов для ФИС, применимых для КРК (SOI, Si3N4, LiNbO3 на I, GaAs, InP, SoOxNy, SiO2волноводы), причем универсального решения, которое позволило бы реализовать все оптические компоненты КРК на единой платформе, не найдено. Приводятся данные об особенностях использования материалов.
В итоге большинство решений КРК сегодня строят на основе нескольких ФИС из разных материалов с совмещением чипов методом краевого соединения. Это создает ряд проблем, поскольку различные компоненты системы требуют различные условия эксплуатации — некоторые нуждаются в криогенных температурах, тогда как другие могут работать при комнатных.
Несмотря на перечисленные трудности, в мире появляются компоненты и целые системы КРК на ФИС. Об этом авторы обещают рассказать в следующей публикации.
Хабр
Миниатюризация систем квантового распределения ключей с помощью фотонных интегральных схем, часть 1: Материалы
Автор - Владимир Егоров Начальник отдела научных исследований ООО «СМАРТС-Кванттелеком» Сегодня системы квантового распределения ключей (КРК) в России и в мире выходят из научных лабораторий на рынок....
👍2
🇷🇺 6G. Материалы. Микроэлектроника и телеком
В России экспериментируют с селенидом галлия - материал признан перспективным для использования в решениях 6G
Кристаллы селенида галлия вырастили в Институте геологии СО РАН и минералогии СО РАН, а затем передали их в Институт автоматики и электрометрии для исследований на прозрачность в области терагерцового излучения - это важное требование с учетом того, что основой 6G, как ожидается, будет фотоника, ФИС (фотонные интегральные схемы), лазерные технологии и оптоволокно.
Терагерцовым диапазоном принято называть (МСЭ) диапазон частот от 0.3 до 3 ТГц. Хотя некоторые считают верхней границей 30 ТГц, а нижней - 100 ГГц. Длины волн соответствующего радиоизлучения - от 1 мм до 0.1 мм (МСЭ). Такое излучение не ионизирующее, оно легко проходит через большинство диэлектриков, но значительно поглощается проводящими материалами и рядом диэлектриков. Поэтому важно, чтобы материал для ФИС был радиопрозрачным для волн в терагерцовом диапазоне.
Известны кристаллы селенида галлия (I) Ga2Se, селенида галлия (II) GaSe (мягкие и хрупкие) и селенида галлия (III) Ga2Se3. В источнике не сказано, с каким именно селенидом галлия экспериментировали в Институте автоматики и электрометрии, в каком диапазоне проводились опыты. Общий вывод - "материал показал многообещающие результаты".
С кристаллами GaSe экспериментировали и ранее, про них пишут, что кристаллы GaSe используются для генерации ТГц излучения и отличаются широким спектральным диапазоном вплоть до 41 ТГц.
В России экспериментируют с селенидом галлия - материал признан перспективным для использования в решениях 6G
Кристаллы селенида галлия вырастили в Институте геологии СО РАН и минералогии СО РАН, а затем передали их в Институт автоматики и электрометрии для исследований на прозрачность в области терагерцового излучения - это важное требование с учетом того, что основой 6G, как ожидается, будет фотоника, ФИС (фотонные интегральные схемы), лазерные технологии и оптоволокно.
Терагерцовым диапазоном принято называть (МСЭ) диапазон частот от 0.3 до 3 ТГц. Хотя некоторые считают верхней границей 30 ТГц, а нижней - 100 ГГц. Длины волн соответствующего радиоизлучения - от 1 мм до 0.1 мм (МСЭ). Такое излучение не ионизирующее, оно легко проходит через большинство диэлектриков, но значительно поглощается проводящими материалами и рядом диэлектриков. Поэтому важно, чтобы материал для ФИС был радиопрозрачным для волн в терагерцовом диапазоне.
Известны кристаллы селенида галлия (I) Ga2Se, селенида галлия (II) GaSe (мягкие и хрупкие) и селенида галлия (III) Ga2Se3. В источнике не сказано, с каким именно селенидом галлия экспериментировали в Институте автоматики и электрометрии, в каком диапазоне проводились опыты. Общий вывод - "материал показал многообещающие результаты".
С кристаллами GaSe экспериментировали и ранее, про них пишут, что кристаллы GaSe используются для генерации ТГц излучения и отличаются широким спектральным диапазоном вплоть до 41 ТГц.
👍8🔥4⚡1👌1
Forwarded from Максим Горшенин | imaxai
#cpu #riscv
По информации из проверенного источника, компания Бештау минимум с ноября 2023 года ведет разработку собственного микроконтроллера на базе архитектуры RISC-V
Чип будет одноядерный, делается настоящее импортозамещение - появится российский аналог, условной STM'ки
Литография зарубежная (почему не в России? я отдельный ролик на бусти выпустил, как я с контроллером монитора своим ходил к нашим), а вот все остальные операции будут происходить на территории России, включая корпусирование
Есть отдельная информация, что корпус тоже будет Российским
Контроллер будет применять в системных блоках и моноблоках компании Бештау
Не исключаю и отдельной продажи чипа заинтересованным разработчикам. Только на больших заказах будет вменяемая себестоимость
@imaxairu Подписаться
По информации из проверенного источника, компания Бештау минимум с ноября 2023 года ведет разработку собственного микроконтроллера на базе архитектуры RISC-V
Чип будет одноядерный, делается настоящее импортозамещение - появится российский аналог, условной STM'ки
Литография зарубежная (почему не в России? я отдельный ролик на бусти выпустил, как я с контроллером монитора своим ходил к нашим), а вот все остальные операции будут происходить на территории России, включая корпусирование
Есть отдельная информация, что корпус тоже будет Российским
Контроллер будет применять в системных блоках и моноблоках компании Бештау
Не исключаю и отдельной продажи чипа заинтересованным разработчикам. Только на больших заказах будет вменяемая себестоимость
@imaxairu Подписаться
👍13⚡1👏1🙈1
🇺🇸 Господдержка. Субсидии
В США обещают выделить на поддержку развития Intel более $10 млрд
Об этом сообщает Reuters со ссылкой на Bloomberg. Детали поддержки еще обсуждаются, часть денег будет предоставлено в виде грантов, часть в виде займов.
Средства будут выделены в рамках лимита в $39 млрд, который установлен в рамках Закона США о науке и чипах на поддержку развития американской микроэлектроники. В ближайшие 2 месяца в США ожидают выделения субсидий ряду предприятий, как для частичного субсидирования производства, так и для содействия инвестициям в развитие производственных мощностей.
В Intel планируют инвестировать десятки миллиардов долларов в ближайшие годы - как на развитие производств на площадках в Аризоне и в Нью-Мексико, так и на новый завод, сооружаемый в Огайо, который может стать крупнейшим в мире производством микросхем. Впрочем, может и не стать, как мы уже знаем, Intel может отложить эту стройку до 2026 года из-за низкого спроса и задержек с выделением средств господдержки.
Возможно разговоры о скором выделении средств федеральным бюджетом, стимулируют Intel возобновить стройку, это касается и TSMC, которая также притормозила с американским проектом, не получив вовремя обещанных федеральных средств.
В США обещают выделить на поддержку развития Intel более $10 млрд
Об этом сообщает Reuters со ссылкой на Bloomberg. Детали поддержки еще обсуждаются, часть денег будет предоставлено в виде грантов, часть в виде займов.
Средства будут выделены в рамках лимита в $39 млрд, который установлен в рамках Закона США о науке и чипах на поддержку развития американской микроэлектроники. В ближайшие 2 месяца в США ожидают выделения субсидий ряду предприятий, как для частичного субсидирования производства, так и для содействия инвестициям в развитие производственных мощностей.
В Intel планируют инвестировать десятки миллиардов долларов в ближайшие годы - как на развитие производств на площадках в Аризоне и в Нью-Мексико, так и на новый завод, сооружаемый в Огайо, который может стать крупнейшим в мире производством микросхем. Впрочем, может и не стать, как мы уже знаем, Intel может отложить эту стройку до 2026 года из-за низкого спроса и задержек с выделением средств господдержки.
Возможно разговоры о скором выделении средств федеральным бюджетом, стимулируют Intel возобновить стройку, это касается и TSMC, которая также притормозила с американским проектом, не получив вовремя обещанных федеральных средств.
Reuters
US considering more than $10 billion in subsidies for Intel, Bloomberg reports
The Biden administration is in talks to award more than $10 billion in subsidies to Intel Corp , Bloomberg News reported on Friday, citing people familiar with the matter.
👎4⚡1
🔥 Регулирование. Балльная система
Правительство вновь может поправить ПП719, похоже превратить продукцию в "российскую" станет еще проще. Об этом рассказывает КоммерсантЪ.
АНО ВТ (Аквариус, Ядро, Fplus и т.п.) предлагают добавлять 20 баллов за наличие в устройстве российских SSD (в GS Group уже празднуют?), печатных плат управления питанием, считывателей RFID и т.п.
Это предложение еще не принято, но что-то подсказывает, что шансы на это значительные.
Недовольные инициативой конечно тоже есть. Они упоминают о том, что это станет способом внести в реестр отечественной продукции иностранную продукцию в которую интегрировали собранные в РФ SSD. Да и к отечественности этих накопителей у некоторых есть претензии - они указывают на то, что SSD собираются из готовых плат.
Кроме того, текущих объемов производства отечественных SSD на всех российских производителей электронного оборудования может и не хватить. Так что другим придется поломать голову - что бы такое встроить в свои изделия, чтобы набрать необходимое пороговое значение баллов.
Будни импортзамещения...
Правительство вновь может поправить ПП719, похоже превратить продукцию в "российскую" станет еще проще. Об этом рассказывает КоммерсантЪ.
АНО ВТ (Аквариус, Ядро, Fplus и т.п.) предлагают добавлять 20 баллов за наличие в устройстве российских SSD (в GS Group уже празднуют?), печатных плат управления питанием, считывателей RFID и т.п.
Это предложение еще не принято, но что-то подсказывает, что шансы на это значительные.
Недовольные инициативой конечно тоже есть. Они упоминают о том, что это станет способом внести в реестр отечественной продукции иностранную продукцию в которую интегрировали собранные в РФ SSD. Да и к отечественности этих накопителей у некоторых есть претензии - они указывают на то, что SSD собираются из готовых плат.
Кроме того, текущих объемов производства отечественных SSD на всех российских производителей электронного оборудования может и не хватить. Так что другим придется поломать голову - что бы такое встроить в свои изделия, чтобы набрать необходимое пороговое значение баллов.
Будни импортзамещения...
Коммерсантъ
Компоненты позвали на балл
Правила признания техники отечественной могут скорректировать
👍4
🇷🇺 Российская электроника
Росэлектроника с 2025 года запустит в производство электронные компоненты класса military
Об этом сообщает ПРАЙМ. Росэлектроника (входит в Ростех) предназначает такие компоненты для применения в бортовых системах летательных аппаратов.
Такие компоненты по задумке будет отличать повышенная стойкость к различным внешним воздействиям - от температуры и вибрации до ударных нагрузок и т.п. В частности, такие компоненты должны работать в диапазоне температур от -60 до +125, они защищены от статического напряжения и должны работать в том числе при пониженном напряжении питания.
По заявлению представителей Росэлектроники, в разрабатываемых линейках приборов удалось добиться характеристик, как у аналогов таких производителей как Infineon, International Rectifier, TI и других. Разработкой таких компонентов в структуре Росэлектроники занимается НПП Пульсар. Этап разработки должен завершиться до конца 2024 года.
Росэлектроника с 2025 года запустит в производство электронные компоненты класса military
Об этом сообщает ПРАЙМ. Росэлектроника (входит в Ростех) предназначает такие компоненты для применения в бортовых системах летательных аппаратов.
Такие компоненты по задумке будет отличать повышенная стойкость к различным внешним воздействиям - от температуры и вибрации до ударных нагрузок и т.п. В частности, такие компоненты должны работать в диапазоне температур от -60 до +125, они защищены от статического напряжения и должны работать в том числе при пониженном напряжении питания.
По заявлению представителей Росэлектроники, в разрабатываемых линейках приборов удалось добиться характеристик, как у аналогов таких производителей как Infineon, International Rectifier, TI и других. Разработкой таких компонентов в структуре Росэлектроники занимается НПП Пульсар. Этап разработки должен завершиться до конца 2024 года.
ПРАЙМ
"Росэлектроника" начнет выпуск новой электроники класса "military"
Холдинг "Росэлектроника" (входит в "Ростех") с 2025 года запустит в производство новую линейку отечественной электронной компонентной базы (ЭКБ) класса "military" для бортовых систем летательных аппаратов, сообщили РИА Новости в компании...
🔥8👍3🤔3⚡1👀1
🇴🇲 Разработка микросхем. Оман
В Омане радуются первым чипам, разработанным в стране и выпущенными TSMC
Речь идет о чипах Oman-1 и Oman-2 - заметка не дает информации о типе чипов.
Разработали чипы в 2023 году, затем послали разработки в TSMC, где их готовили к производству. Чипы выпущены, они прошли первые заводские испытания, сообщила компания GSME Oman.
После получения первой партии чипов с Тайваня, их начали испытывать в Омане. "Шесть блоков" прошли проверку со 100% успехом, - радуются разработчики в султанате.
В Омане надеются на то, что это скромное начало "откроет путь для местных и для глобальных инвестиций в исследования, разработки и производство передовых чипов, предоставит ценные возможности трудоустройства нашей амбициозной молодежи".
"Успех GSME Оман будет способствовать созданию интегрированной экосистемы, которая сможет поддерживать производство полупроводников и электронных чипов в султанате", - заявил г-н Шидхани, представитель местного министерства транспорта и телекоммуникаций.
В Омане радуются первым чипам, разработанным в стране и выпущенными TSMC
Речь идет о чипах Oman-1 и Oman-2 - заметка не дает информации о типе чипов.
Разработали чипы в 2023 году, затем послали разработки в TSMC, где их готовили к производству. Чипы выпущены, они прошли первые заводские испытания, сообщила компания GSME Oman.
После получения первой партии чипов с Тайваня, их начали испытывать в Омане. "Шесть блоков" прошли проверку со 100% успехом, - радуются разработчики в султанате.
В Омане надеются на то, что это скромное начало "откроет путь для местных и для глобальных инвестиций в исследования, разработки и производство передовых чипов, предоставит ценные возможности трудоустройства нашей амбициозной молодежи".
"Успех GSME Оман будет способствовать созданию интегрированной экосистемы, которая сможет поддерживать производство полупроводников и электронных чипов в султанате", - заявил г-н Шидхани, представитель местного министерства транспорта и телекоммуникаций.
Muscat Daily
First Omani microchips prove mettle in international testing
A milestone has been achieved with the Oman-1 and Oman-2 microchips passing the first round of testing in Taiwan.
👍8🤣3⚡1
🇺🇸 Господдержка. Субсидии. США
США поддержит GlobalFoundries на сумму $1,5 млрд
GlobalFoundries, третий по величине в мире контрактный производитель получит господдержку правительства США на сумму в $1,5 млрд в рамках финансирования, распределяемого согласно Закону о науке и чипах. Об этом сообщает Reuters. Компания намеревается построить новую фабрику по производству полупроводников в городе Мальта, штат Нью-Йорк, а также расширит существующие производственные мощности в Берлингтоне, штат Вермонт.
Пока что это крупнейшее выделение средств в рамках данного закона. В январе американцы сообщали о планах выделить $162 млн для компании Microchip Technology и в декабре 2023 года - $35 млн компании BAE Systems.
Грант GlobalFoundries будет сопровождаться доступными кредитами на сумму $1,6 млрд. Ожидается, что это финансирование принесет двум упомянутым штатам дополнительные инвестиции в размере $12,5 млрд.
Поддержку GlobalFoudries в США объясняют тем, что производимые ей чипы важны для нацбезопасности США. На крупные суммы госфинансирования в рамках Закона о науке и чипах претендуют также Intel, TSMC и Samsung.
США поддержит GlobalFoundries на сумму $1,5 млрд
GlobalFoundries, третий по величине в мире контрактный производитель получит господдержку правительства США на сумму в $1,5 млрд в рамках финансирования, распределяемого согласно Закону о науке и чипах. Об этом сообщает Reuters. Компания намеревается построить новую фабрику по производству полупроводников в городе Мальта, штат Нью-Йорк, а также расширит существующие производственные мощности в Берлингтоне, штат Вермонт.
Пока что это крупнейшее выделение средств в рамках данного закона. В январе американцы сообщали о планах выделить $162 млн для компании Microchip Technology и в декабре 2023 года - $35 млн компании BAE Systems.
Грант GlobalFoundries будет сопровождаться доступными кредитами на сумму $1,6 млрд. Ожидается, что это финансирование принесет двум упомянутым штатам дополнительные инвестиции в размере $12,5 млрд.
Поддержку GlobalFoudries в США объясняют тем, что производимые ей чипы важны для нацбезопасности США. На крупные суммы госфинансирования в рамках Закона о науке и чипах претендуют также Intel, TSMC и Samsung.
Reuters
US awards $1.5 bln to GlobalFoundries for semiconductor production
The U.S. government is awarding $1.5 billion to GlobalFoundries to subsidize semiconductor production, the first major award from a $39 billion fund approved by Congress in 2022 to bolster domestic chip production.
⚡1
🇮🇳 Господдержка. Разработка микроэлектроники. 5G SoC. Индия
Saankhya Labs получит господдержку разработки SoC для систем 5G
Бангалорская Saankhya Labs, дочерняя компания Tejas Networks, на днях сообщила, что Министерство электроники и информационных технологий правительства Индии (MeitY) одобрила заявку компании на господдержку в рамках схемы стимулирования дизайна полупроводников (DLI) правительства Индии на разработку системы на кристалле (SoC) для оборудования телекоммуникационной инфраструктуры 5G.
Господдержка подразумевает финансовые стимулы - по мере завершения этапов разработки SoC компании Saankhya Labs будут возмещать расходы.
Собственного производства микросхем такого класса в Индии нет, так что если дело дойдет до производства чипа, выпускать его будет, вероятно TSMC или другое контрактное производство микросхем. Отдельный вопрос - зачем Индии собственный чип 5G, учитывая тот факт, что сети 5G в Индии сооружают в основном с использованием зарубежных решений инфраструктуры. Возможно ожидается, что в перспективе эту микросхему можно будет задействовать для создания импортзамещающих решений 5G.
Saankhya Labs получит господдержку разработки SoC для систем 5G
Бангалорская Saankhya Labs, дочерняя компания Tejas Networks, на днях сообщила, что Министерство электроники и информационных технологий правительства Индии (MeitY) одобрила заявку компании на господдержку в рамках схемы стимулирования дизайна полупроводников (DLI) правительства Индии на разработку системы на кристалле (SoC) для оборудования телекоммуникационной инфраструктуры 5G.
Господдержка подразумевает финансовые стимулы - по мере завершения этапов разработки SoC компании Saankhya Labs будут возмещать расходы.
Собственного производства микросхем такого класса в Индии нет, так что если дело дойдет до производства чипа, выпускать его будет, вероятно TSMC или другое контрактное производство микросхем. Отдельный вопрос - зачем Индии собственный чип 5G, учитывая тот факт, что сети 5G в Индии сооружают в основном с использованием зарубежных решений инфраструктуры. Возможно ожидается, что в перспективе эту микросхему можно будет задействовать для создания импортзамещающих решений 5G.
❤2
🇨🇳 Господдержка. Поддержка правительств регионов и городов. Китай
Проекты SMIC и Huawei, а также ряд других проектов в области полупроводникового производства получат господдержку в Китае в 2024 году
Как сообщает South China Morning Post, в Шанхае 16 из 191 крупных проектов, которые получают господдержку местного правительства, связаны с полупроводниковой промышленностью. Как, например, исследовательский центр Huawei в районе Цинпу (Qingpu), который занимается исследованиями и разработками в области полупроводников, беспроводных сетей и IoT.
Согласно публично доступным правительственным документам Китая, SMIC и Huawei, это два ключевых предприятия, на которые Пекин делает ставку в усилиях по преодолению санкций США в отношении передовых чипов. Эти компании входят в число крупнейших получателей финансирования со стороны местного правительства в этом году.
В частности, SMIC получил финансирование от Шанхая на постройку 2-х новых производственных линий на пластинах 300 мм. Сейчас они сооружаются.
Исследовательский центр Huawei в Цинху также получил финансирование Шанхая. Это крупный центр, открытие которого планируется на июнь 2024 года. Для него компания наймет порядка 35 тысяч исследователей. Еще один объект, получивший финансирование Шанхая - это производство китайской компании Advanced Micro-Fabrication Equipment, выпускающей производственное оборудование для травления (etching equipment).
В других провинциях также готовы выделять средства на поддержку производства микроэлектроники. В частности, правительство провинции Аньхой, в воскресенье опубликовало инвестиционные планы, согласно которым оно будет финансово поддерживать "технологические прорывы" в разработках динамической памяти с произвольным доступом (DRAM), - в этой области Китай старается догнать мировых лидеров, то есть Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology. В столице провинции, в городе Хэфэй, размещается такой китайский производитель DRAM как ChangXin Memory Technologies, который выпустил первый в стране чип DRAM с пониженным потреблением энергии и двойной скоростью передачи данных по стандарту 5-й версии, то есть LPDDR5, самую современную из массово используемой оперативной памяти для мобильных устройств.
Ведущие китайские компании, работающие в области полупроводников и микроэлектроники, уже несколько последних лет получают значительную поддержку в виде госсубсидий. В 2022 году китайское правительство выделило более 12,1 млрд юаней ($1,75 млрд) в виде субсидий 190 китайским полупроводниковым компаниям. Самую крупную из субсидий, на 1,95 млрд юаней, получила компания SMIC.
По информации Bloomberg, компания Huawei, которая в начале 2024 года вернула себе первое место на китайском рынке смартфонов, получила примерно $30 млрд в виде госфинансирования работ по созданию нескольких китайских производств микросхем.
Компания SMIC в феврале 2024 года сообщила, что ее капиталозатраты в 2024 году составят $7,47 млрд, что соответствует уровню 2023 года.
Проекты SMIC и Huawei, а также ряд других проектов в области полупроводникового производства получат господдержку в Китае в 2024 году
Как сообщает South China Morning Post, в Шанхае 16 из 191 крупных проектов, которые получают господдержку местного правительства, связаны с полупроводниковой промышленностью. Как, например, исследовательский центр Huawei в районе Цинпу (Qingpu), который занимается исследованиями и разработками в области полупроводников, беспроводных сетей и IoT.
Согласно публично доступным правительственным документам Китая, SMIC и Huawei, это два ключевых предприятия, на которые Пекин делает ставку в усилиях по преодолению санкций США в отношении передовых чипов. Эти компании входят в число крупнейших получателей финансирования со стороны местного правительства в этом году.
В частности, SMIC получил финансирование от Шанхая на постройку 2-х новых производственных линий на пластинах 300 мм. Сейчас они сооружаются.
Исследовательский центр Huawei в Цинху также получил финансирование Шанхая. Это крупный центр, открытие которого планируется на июнь 2024 года. Для него компания наймет порядка 35 тысяч исследователей. Еще один объект, получивший финансирование Шанхая - это производство китайской компании Advanced Micro-Fabrication Equipment, выпускающей производственное оборудование для травления (etching equipment).
В других провинциях также готовы выделять средства на поддержку производства микроэлектроники. В частности, правительство провинции Аньхой, в воскресенье опубликовало инвестиционные планы, согласно которым оно будет финансово поддерживать "технологические прорывы" в разработках динамической памяти с произвольным доступом (DRAM), - в этой области Китай старается догнать мировых лидеров, то есть Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology. В столице провинции, в городе Хэфэй, размещается такой китайский производитель DRAM как ChangXin Memory Technologies, который выпустил первый в стране чип DRAM с пониженным потреблением энергии и двойной скоростью передачи данных по стандарту 5-й версии, то есть LPDDR5, самую современную из массово используемой оперативной памяти для мобильных устройств.
Ведущие китайские компании, работающие в области полупроводников и микроэлектроники, уже несколько последних лет получают значительную поддержку в виде госсубсидий. В 2022 году китайское правительство выделило более 12,1 млрд юаней ($1,75 млрд) в виде субсидий 190 китайским полупроводниковым компаниям. Самую крупную из субсидий, на 1,95 млрд юаней, получила компания SMIC.
По информации Bloomberg, компания Huawei, которая в начале 2024 года вернула себе первое место на китайском рынке смартфонов, получила примерно $30 млрд в виде госфинансирования работ по созданию нескольких китайских производств микросхем.
Компания SMIC в феврале 2024 года сообщила, что ее капиталозатраты в 2024 году составят $7,47 млрд, что соответствует уровню 2023 года.
South China Morning Post
SMIC, Huawei among top recipients of Chinese government funding this year
SMIC and Huawei, two key players in Beijing’s efforts to defeat US sanctions on advanced chips, are among the country’s top recipients of local government funding this year.
👍3⚡1
🇷🇺 Российские микроконтроллеры
Итак, свершилось
Микрон сообщает о начале массовых продаж микроконтроллера MIK32 Амур
Приобрести изделие можно у официальных дилеров, а также непосредственно на заводе (это опция для крупных покупателей - микроконтроллер поставляется в катушках по 2500 штук).
Микроконтроллер MIK32 Амур предназначается для использования в устройствах промышленной автоматизации, IoT, беспроводной периферии, интеллектуальных сетях, сигнализации, телеметрии, устройствах умного дома, освещения и т.п.
Ознакомиться c более детальной информацией можно на сайте Микрон.
АО Микрон, резидент ОЭЗ Технополис Москва, входит в ГК Элемент
Итак, свершилось
Микрон сообщает о начале массовых продаж микроконтроллера MIK32 Амур
Приобрести изделие можно у официальных дилеров, а также непосредственно на заводе (это опция для крупных покупателей - микроконтроллер поставляется в катушках по 2500 штук).
«Микроконтроллер MIK32 Амур - наша первая микросхема общепромышленного применения на архитектуре RISC-V. Тестирование и отладка успешно пройдены, микросхема в серии, и теперь MIK32 Амур доступен у всех дистрибуторов АО «Микрон», в том числе в розничной продаже – у компании
«Теллур Электроникс». Действует единая матрица цен для всех дилеров АО «Микрон», основанная на объеме годовой квоты потребителя», - рассказал Александр Колесов, директор по продуктам АО «Микрон».
Микроконтроллер MIK32 Амур предназначается для использования в устройствах промышленной автоматизации, IoT, беспроводной периферии, интеллектуальных сетях, сигнализации, телеметрии, устройствах умного дома, освещения и т.п.
Ознакомиться c более детальной информацией можно на сайте Микрон.
АО Микрон, резидент ОЭЗ Технополис Москва, входит в ГК Элемент
🔥34👍14⚡1👎1
🇺🇸 Геополитика и микроэлектроника
В США усилили давление на китайскую SMIC
Администрация президента США усилила санкции в отношении крупнейшего производителя микросхем Китая - компании SMIC. Еще в конце декабря 2023 года, Минторг США разослал десятки писем различным американским поставщикам, работающим со SMIC, отзывая разрешения на поставки в адрес этого предприятия. Об этом сегодня сообщает Reuters, со ссылкой на неназванные отраслевые источники.
Хотя многие поставщики, понимая тренды, еще до отзыва разрешений на экспорт прекратили работать со SMIC еще в 2022 или в 2023 году, была как минимум одна компания, которая сделала это только в 2024 году - Entegris, продолжавшая поставлять SMIC ряд материалов и компонентов. Эта компания из Массачусетса производит фильтры, газы, химикаты для работы с пластинами. На долю Китая пришлось 16% от объема выручки Entegris в $180 млн в 2023 году, весьма чувствительная потеря будущих доходов для этой американской копании.
В исследовательской компании Techcet полагают, что SMIC South может обратится к китайским, тайваньским, японским и корейским поставщикам, чтобы восстановить поставки того, что компания до недавнего времени получала от Entegris. Если поставки из США окончательно прервутся, то потенциально это может вызвать остановку производства на SMIC на несколько месяцев. Дело даже не в том, чтобы найти новых поставщиков, смена практически любого поставщика влечет за собой необходимость длительного тестирования новых материалов и отладку под них производственного процесса.
Эксперты утверждают, что SMIC South - единственная фабрика SMIC, способная производить процессоры для Huawei по техпроцессу 7нм.
В декабре 2023 года Reuters заявляло, что разработчик микросхем, частично принадлежащий SMIC, сохраняет доступ к американскому ПО для проектирования микросхем. В США есть конгрессмены, которые считают, что Минторг действует слишком медленно и нерешительно, оставляя Китаю возможности адаптации к принимаемым в США санкциям.
В США усилили давление на китайскую SMIC
Администрация президента США усилила санкции в отношении крупнейшего производителя микросхем Китая - компании SMIC. Еще в конце декабря 2023 года, Минторг США разослал десятки писем различным американским поставщикам, работающим со SMIC, отзывая разрешения на поставки в адрес этого предприятия. Об этом сегодня сообщает Reuters, со ссылкой на неназванные отраслевые источники.
Хотя многие поставщики, понимая тренды, еще до отзыва разрешений на экспорт прекратили работать со SMIC еще в 2022 или в 2023 году, была как минимум одна компания, которая сделала это только в 2024 году - Entegris, продолжавшая поставлять SMIC ряд материалов и компонентов. Эта компания из Массачусетса производит фильтры, газы, химикаты для работы с пластинами. На долю Китая пришлось 16% от объема выручки Entegris в $180 млн в 2023 году, весьма чувствительная потеря будущих доходов для этой американской копании.
"Это откровенное экономическое запугивание, которое неизбежно будет иметь неприятные последствия", - заявил представитель посольства Китая в Вашингтоне. "Мы призываем американскую сторону прекратить чрезмерно расширять концепцию национальной безопасности и злоупотреблять государственной властью для подавления китайских компаний".
В исследовательской компании Techcet полагают, что SMIC South может обратится к китайским, тайваньским, японским и корейским поставщикам, чтобы восстановить поставки того, что компания до недавнего времени получала от Entegris. Если поставки из США окончательно прервутся, то потенциально это может вызвать остановку производства на SMIC на несколько месяцев. Дело даже не в том, чтобы найти новых поставщиков, смена практически любого поставщика влечет за собой необходимость длительного тестирования новых материалов и отладку под них производственного процесса.
Эксперты утверждают, что SMIC South - единственная фабрика SMIC, способная производить процессоры для Huawei по техпроцессу 7нм.
В декабре 2023 года Reuters заявляло, что разработчик микросхем, частично принадлежащий SMIC, сохраняет доступ к американскому ПО для проектирования микросхем. В США есть конгрессмены, которые считают, что Минторг действует слишком медленно и нерешительно, оставляя Китаю возможности адаптации к принимаемым в США санкциям.
Reuters
Exclusive: US targets China's top chipmaking plant after Huawei Mate 60 Pro
The Biden administration is turning up the heat on China's top sanctioned chipmaker by cutting off its most advanced factory from more American imports after it produced a sophisticated chip for Huawei's Mate 60 Pro phone, three people familiar with the matter…
👍2⚡1
🔥 Санкции
В 13-й пакет европейских санкций могут попасть компании из Китая, Турции, Шри-Ланки, Сербии, Таиланда и Казахстана, которые занимаются поставками в РФ микроэлектроники и электроники. Об этом пишет КоммерсантЪ.
Возможно санкции коснутся, например, компаний Guangzhou Ausay Technology, Shenzhen Biguang Trading и Yilufa Electronics.
Впрочем, если это и будет сделано, особых новых рисков это не несет, торгующие стороны умеют действовать в условиях санкций, создавая "прослойки".
Более серьезно выглядят финансовые ограничения, которые привели к тому, что российские компании столкнулись с отказом ряда китайских банков работать с контрагентами в РФ. Но и здесь ожидается, что необходимые решения будут найдены.
В 13-й пакет европейских санкций могут попасть компании из Китая, Турции, Шри-Ланки, Сербии, Таиланда и Казахстана, которые занимаются поставками в РФ микроэлектроники и электроники. Об этом пишет КоммерсантЪ.
Возможно санкции коснутся, например, компаний Guangzhou Ausay Technology, Shenzhen Biguang Trading и Yilufa Electronics.
Впрочем, если это и будет сделано, особых новых рисков это не несет, торгующие стороны умеют действовать в условиях санкций, создавая "прослойки".
Более серьезно выглядят финансовые ограничения, которые привели к тому, что российские компании столкнулись с отказом ряда китайских банков работать с контрагентами в РФ. Но и здесь ожидается, что необходимые решения будут найдены.
Коммерсантъ
Европа донастраивает санкции
Над поставками в РФ компонентов электроники нависла угроза
🔥8👎2
🇯🇵 Геополитика и микроэлектроника. Япония
Все больше тайваньских производителей микроэлектроники идут в Японию
Об этом сегодня пишет Reuters. Японию это более чем устраивает, страна получает дополнительные инвестиции, растет занятость и кадровый потенциал, доступ к современным технологиям.
Для тайваньских предприятий десант в Японию в какой-то мере вынужденный, но таковы уж последствия желания Китая завершить воссоединение с этой островной провинцией и стремлений США сдерживать технологическое развитие Китая.
Производитель ASIC-микросхем Fabless Alchip Technologies еще в 2022 году держал большую часть своих инженеров исследователей и разработчиков в Китае. Но в последние месяцы компания начала их вывод - кого в Тайвань, кого в Японию. Компания как таковой исход из Китая не подтверждает, заявляя что нанимает сотрудников в Японии, США и на Тайване.
По данным Reuters, по меньшей мере 9 тайваньских производителей микросхем открыли или расширили деятельность в Японии за последние 2 года. В частности, разработчик микросхем eMemory Technology еще 2 года тому назад открыл офис в Иокогаме и нанял для него в Японии 11 сотрудников с опытом работы в полупроводниковой отрасли.
Все больше тайваньских компаний, занятых в разработке или производстве микросхем, поглядывают в сторону Японии. Слабая иена облегчает "вторжение" тайваньцев на японский рынок.
24 февраля TSMC планирует провести церемонию открытия своего первого завода в Японии, на острове Кюсю. В планах компании - строительство второго завода, с инвестициями в $20 млрд. TSMC отмечает трудолюбие японских сотрудников, четко соблюдающее обязательства правительство, щедрые субсидии и надежную экосистему.
Тайваньские фирмы, расширяющие присутствие в Японии, это: Global Unichip Corp, (GUC) еще один специалист в области ASIC, Materials Analysis Technology (MA-tek), работающая в области поверки качества полупроводниковых материалов (открыла новую лабораторию на Кюсю в конце 2023 года). Finesse Technology, специалист в области оборудования для полупроводникового производства, строит завод в Японии. Поставщик TSMC Marketech - еще одна компания, расширяющая бизнес в Японии.
Серьезной проблемой, как это сейчас характерно для большинства рынков, является нехватка кадров - в Японии не хватает молодежи, имеющей профильное образование, чтобы удовлетворить быстро растущий спрос со стороны бизнеса. Правительство и университеты активизировали усилия по привлечению студентов к этим направлениям, но пройдет еще немало времени, прежде чем эти усилия дадут эффект. А как раз возможности ждать несколько лет у тайваньцев, похоже, нет.
Все больше тайваньских производителей микроэлектроники идут в Японию
Об этом сегодня пишет Reuters. Японию это более чем устраивает, страна получает дополнительные инвестиции, растет занятость и кадровый потенциал, доступ к современным технологиям.
Для тайваньских предприятий десант в Японию в какой-то мере вынужденный, но таковы уж последствия желания Китая завершить воссоединение с этой островной провинцией и стремлений США сдерживать технологическое развитие Китая.
Производитель ASIC-микросхем Fabless Alchip Technologies еще в 2022 году держал большую часть своих инженеров исследователей и разработчиков в Китае. Но в последние месяцы компания начала их вывод - кого в Тайвань, кого в Японию. Компания как таковой исход из Китая не подтверждает, заявляя что нанимает сотрудников в Японии, США и на Тайване.
По данным Reuters, по меньшей мере 9 тайваньских производителей микросхем открыли или расширили деятельность в Японии за последние 2 года. В частности, разработчик микросхем eMemory Technology еще 2 года тому назад открыл офис в Иокогаме и нанял для него в Японии 11 сотрудников с опытом работы в полупроводниковой отрасли.
Все больше тайваньских компаний, занятых в разработке или производстве микросхем, поглядывают в сторону Японии. Слабая иена облегчает "вторжение" тайваньцев на японский рынок.
24 февраля TSMC планирует провести церемонию открытия своего первого завода в Японии, на острове Кюсю. В планах компании - строительство второго завода, с инвестициями в $20 млрд. TSMC отмечает трудолюбие японских сотрудников, четко соблюдающее обязательства правительство, щедрые субсидии и надежную экосистему.
Тайваньские фирмы, расширяющие присутствие в Японии, это: Global Unichip Corp, (GUC) еще один специалист в области ASIC, Materials Analysis Technology (MA-tek), работающая в области поверки качества полупроводниковых материалов (открыла новую лабораторию на Кюсю в конце 2023 года). Finesse Technology, специалист в области оборудования для полупроводникового производства, строит завод в Японии. Поставщик TSMC Marketech - еще одна компания, расширяющая бизнес в Японии.
Серьезной проблемой, как это сейчас характерно для большинства рынков, является нехватка кадров - в Японии не хватает молодежи, имеющей профильное образование, чтобы удовлетворить быстро растущий спрос со стороны бизнеса. Правительство и университеты активизировали усилия по привлечению студентов к этим направлениям, но пройдет еще немало времени, прежде чем эти усилия дадут эффект. А как раз возможности ждать несколько лет у тайваньцев, похоже, нет.
Reuters
Taiwan chip firms flock to Japan as China decoupling accelerates
Japan's efforts to rebuild its semiconductor industry are getting a shot in the arm as more and more Taiwanese chip companies expand here - not only to support a new TSMC plant but also excited about the Japanese sector's prospects.
⚡1👍1
🇨🇳 Технологии. Перспективные материалы. СВЧ
В Китае выпустили мощный СВЧ-чип на базе алмаза для устройств РЭБ
Беспилотная авиация стала новым родом войск. И привлекла много внимания к теме радиоэлектронного противодействия. Системы РЭБ различного типа требуют мощной электроники. Ученые из Китая попробовали применить для ее создания такой перспективный материал, как алмаз. Заявляется, что созданное изделие обладает на 30% более высокой плотностью мощности, чем аналоги из привычных материалов. Такое изделие может найти применение также в радарах и в устройствах связи.
Строго говоря, в Китае создали полупроводники не из алмаза, а из нитрида галлия (GaN), но на алмазной подложке. И только это уже позволило повысить предельные значения плотности мощности на 30%. Причем, речь идет не о каком-то экспериментальном транзисторе, а о создании производственной линии и отлаживании ее работы.
Китай имеет высокие компетенции в области искуственных алмазов, доминируя на мировом рынке с долей выше 95%. Только в 2023 году китайские фабрики произвели более 16 млрд каратов синтетических алмазов, что в 8 раз больше известных запасов природных алмазов на нашей планете. Это привело к падению цен на алмазы и к возможности использовать их в микроэлектронном производстве.
Транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) известны не первый год и играют ключевую роль в современных радарах и экспериментальном микроэлектронном оружии. В настоящее время кристаллы HEMT обычно производятся на основе нитрида галлия. У этого материала есть неприятная особенность - при его использовании выделяется немало тепла, рассеять которое не так просто. В итоге существующие устройства обычно работают с 20-30% от своей теоретической производительности. Здесь и может помочь алмазная подложка. Алмаз известен как материал с самой высокой теплопроводностью, в 5 раз более высокой, чем у популярного карбида кремния (SiC), вдобавок алмаз демонстрирует превосходную химическую и физическую стабильность - идеально для решений, которые должны работать даже при экстремальных условиях эксплуатации. (..)
В Китае выпустили мощный СВЧ-чип на базе алмаза для устройств РЭБ
Беспилотная авиация стала новым родом войск. И привлекла много внимания к теме радиоэлектронного противодействия. Системы РЭБ различного типа требуют мощной электроники. Ученые из Китая попробовали применить для ее создания такой перспективный материал, как алмаз. Заявляется, что созданное изделие обладает на 30% более высокой плотностью мощности, чем аналоги из привычных материалов. Такое изделие может найти применение также в радарах и в устройствах связи.
Строго говоря, в Китае создали полупроводники не из алмаза, а из нитрида галлия (GaN), но на алмазной подложке. И только это уже позволило повысить предельные значения плотности мощности на 30%. Причем, речь идет не о каком-то экспериментальном транзисторе, а о создании производственной линии и отлаживании ее работы.
Китай имеет высокие компетенции в области искуственных алмазов, доминируя на мировом рынке с долей выше 95%. Только в 2023 году китайские фабрики произвели более 16 млрд каратов синтетических алмазов, что в 8 раз больше известных запасов природных алмазов на нашей планете. Это привело к падению цен на алмазы и к возможности использовать их в микроэлектронном производстве.
Транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) известны не первый год и играют ключевую роль в современных радарах и экспериментальном микроэлектронном оружии. В настоящее время кристаллы HEMT обычно производятся на основе нитрида галлия. У этого материала есть неприятная особенность - при его использовании выделяется немало тепла, рассеять которое не так просто. В итоге существующие устройства обычно работают с 20-30% от своей теоретической производительности. Здесь и может помочь алмазная подложка. Алмаз известен как материал с самой высокой теплопроводностью, в 5 раз более высокой, чем у популярного карбида кремния (SiC), вдобавок алмаз демонстрирует превосходную химическую и физическую стабильность - идеально для решений, которые должны работать даже при экстремальных условиях эксплуатации. (..)
🔥2⚡1
(2) Многие пробовали применить алмаз в микроэлектроники, мало кто добивался успеха. Физико-химические свойства алмаза и нитрида галлия настолько разные, что это затрудняет их прочное соединение. А если их, например, склеить, то не достигается цель, ради которой все и затевалось - снижается эффективность отвода тепла.
В Китае разработали метод выращивания алмаза на нитриде галлия. Процесс сложны - требует чрезвычайно высоких температур и давлений, что может повредить чип GaN. Китайские ученые утверждают, что смогли преодолеть эти инженерные проблемы. Процесс начинается с "посадки семян" алмаза на поверхность алмаза, это делается при сравнительно низких температуре и давлении. Из созданных точек роста после увеличения температуры и давления выращивается качественный слой алмаза, шириной порядка в сантиметр.
Хотя описание простое, на деле процесс очень сложный и чувствительный к отклонениям параметров, даже небольшие отклонения могут привести к тому, что в алмазе возникнут примеси графита, а это опять же ухудшит его теплоотводящие свойства. Китайские ученые нашли способ, как отладить процесс с тем, чтобы не образовывались примеси. Это открыло путь к крупномасштабному производству HEMT-устройств GaN-на-алмазе. Эти продукты обладают огромным потенциалом для применения в СВЧ-устройствах следующего поколения, от военных применений, до вполне гражданских - в радарах, а может быть и радио 6G, например.
В последние годы отмечаются заметные успехи китайских военных в области РЭБ. Не так давно была волна публикаций о способности оборудования радиоэлектронной разведки НОАК справляться с обработкой огромных объемов данных, собираемых на поле боя в режиме реального времени. Некоторые исследователи уверены, что интеграция радаров и антенн связи на новых китайских военных кораблях находится на заметно более высоком уровне, чем на основных кораблях ВМС США.
С 2023 года ВМС США публично уволило 18 командующих различными подразделениями ВМС с формулировкой "потеря доверия". Многие из этих офицеров участвовали в военных операциях в Южно-Китайском море или в западной части Тихого океана. Поскольку боевые снаряды и ракеты в этих событиях не применялись, некоторые эксперты считают, что увольнения отражают негативные результаты в области радиоэлектронной борьбы.
Китайские достижения в области технологии GaN-на-алмазе могут еще более укрепить уверенность Китая в превосходстве его решений в области РЭБ. (..)
В Китае разработали метод выращивания алмаза на нитриде галлия. Процесс сложны - требует чрезвычайно высоких температур и давлений, что может повредить чип GaN. Китайские ученые утверждают, что смогли преодолеть эти инженерные проблемы. Процесс начинается с "посадки семян" алмаза на поверхность алмаза, это делается при сравнительно низких температуре и давлении. Из созданных точек роста после увеличения температуры и давления выращивается качественный слой алмаза, шириной порядка в сантиметр.
Хотя описание простое, на деле процесс очень сложный и чувствительный к отклонениям параметров, даже небольшие отклонения могут привести к тому, что в алмазе возникнут примеси графита, а это опять же ухудшит его теплоотводящие свойства. Китайские ученые нашли способ, как отладить процесс с тем, чтобы не образовывались примеси. Это открыло путь к крупномасштабному производству HEMT-устройств GaN-на-алмазе. Эти продукты обладают огромным потенциалом для применения в СВЧ-устройствах следующего поколения, от военных применений, до вполне гражданских - в радарах, а может быть и радио 6G, например.
В последние годы отмечаются заметные успехи китайских военных в области РЭБ. Не так давно была волна публикаций о способности оборудования радиоэлектронной разведки НОАК справляться с обработкой огромных объемов данных, собираемых на поле боя в режиме реального времени. Некоторые исследователи уверены, что интеграция радаров и антенн связи на новых китайских военных кораблях находится на заметно более высоком уровне, чем на основных кораблях ВМС США.
С 2023 года ВМС США публично уволило 18 командующих различными подразделениями ВМС с формулировкой "потеря доверия". Многие из этих офицеров участвовали в военных операциях в Южно-Китайском море или в западной части Тихого океана. Поскольку боевые снаряды и ракеты в этих событиях не применялись, некоторые эксперты считают, что увольнения отражают негативные результаты в области радиоэлектронной борьбы.
Китайские достижения в области технологии GaN-на-алмазе могут еще более укрепить уверенность Китая в превосходстве его решений в области РЭБ. (..)
🔥2⚡1
(3) Китай - не единственная страна, которая занимается HEMT-устройствами на алмазе. Японская Mitsubishi Electric еще в 2019 году объявляла, что разработала устройства HEMT на основе нитрида галлия с алмазной подложкой и планирует наладить коммерческое производство соответствующих изделий к 2025 году. Исследовательская группа под руководством доцента Цзяньбо Ляна и профессора Наотэру Сигэкавы из Высшей инженерной школы Osaka Metropolitan University также добились успехов в этой области - создали GaN HEMT - транзисторы с высокой подвижностью электронов, используя алмаз в качестве подложки. Ученые утверждают, что даже после отжига при температуре 1100 C° не наблюдалось отслоения на границах связи 3C-SiC/алмаз, а тепловая граничная проводимость достигает примерно 55 МВт на м^-2 К^-1. В университете Саги совместно с компанией Japan Orbray разработали силовой полупроводник на базе алмаза, позволяющий работать с мощностью до 875 МВт на 1 кв. см. Это направление активно разрабатывают в США (Университет Аризоны) и AMPED STC (США) в партнерстве с Northrop Grumman Mission Systems - здесь экспериментируют с технологией нитрид бора на алмазе.
Алмазными подложками и технологией GaN-на-алмазе в мире занимаются очень активно, в связи с чем можно упомянуть такие компании, как:
Advanced Diamond Technologies
Akash Systems 🇺🇸
AKHAN Semiconductor Inc. 🇺🇸
Applied Diamond Inc. 🇺🇸
Blue Wave Semiconductor 🇺🇸
Carat Systems 🇺🇸
CIVIDEC Instrumentation 🇦🇹
Cornes Technologies Ltd 🇯🇵
Crystallume 🇺🇸
Diamond Microwave Limited 🇬🇧
Diamond SA 🇨🇭
Electro Optical Components, Inc.
Element Six 🇮🇪 (Ирландия)
IIa Technologies Pte. Ltd. 🇸🇬 (Сингапур)
II-VI Incorporated 🇨🇭
Microwave Enterprises Ltd. 🇺🇸
Neocoat SA 🇺🇾 (Уругвай)
New Diamond Technology LCC. 🇷🇺
Qorvo Inc. 🇺🇸
RFHIC Corp. 🇰🇷
Seki Diamond Systems 🇯🇵
Sumitomo Electric Industries, Ltd 🇯🇵
WD Lab Grown Diamonds 🇺🇸
Но даже если какие-то другие страны и достигнут аналогичного уровня технологических решений, они все равно не будут конкурентоспособными с Китая с точки зрения производственных мощностей и затрат на производство.
Применение алмаза в мощных СВЧ-полупроводниках, это не единственное перспективное направление. Некоторые ученые указывают на то, что полупроводники на основе алмаза могут найти широкое применение в процессорах следующего поколения и в квантовых компьютерах.
Китайское правительство инвестирует в индустрию искусcтвенных алмазов уже почти 2 десятилетия. В некоторых провинциях, например, в Хэнань, были созданы крупномасштабные производственные базы, мощности которых намного превышают текущий мировой спрос на алмазы. По оценкам некоторых экспертов это позволит Китаю, при необходимости, утроить производство алмазов.
по материалам South China Morning Post и других источников
Алмазными подложками и технологией GaN-на-алмазе в мире занимаются очень активно, в связи с чем можно упомянуть такие компании, как:
Advanced Diamond Technologies
Akash Systems 🇺🇸
AKHAN Semiconductor Inc. 🇺🇸
Applied Diamond Inc. 🇺🇸
Blue Wave Semiconductor 🇺🇸
Carat Systems 🇺🇸
CIVIDEC Instrumentation 🇦🇹
Cornes Technologies Ltd 🇯🇵
Crystallume 🇺🇸
Diamond Microwave Limited 🇬🇧
Diamond SA 🇨🇭
Electro Optical Components, Inc.
Element Six 🇮🇪 (Ирландия)
IIa Technologies Pte. Ltd. 🇸🇬 (Сингапур)
II-VI Incorporated 🇨🇭
Microwave Enterprises Ltd. 🇺🇸
Neocoat SA 🇺🇾 (Уругвай)
New Diamond Technology LCC. 🇷🇺
Qorvo Inc. 🇺🇸
RFHIC Corp. 🇰🇷
Seki Diamond Systems 🇯🇵
Sumitomo Electric Industries, Ltd 🇯🇵
WD Lab Grown Diamonds 🇺🇸
Но даже если какие-то другие страны и достигнут аналогичного уровня технологических решений, они все равно не будут конкурентоспособными с Китая с точки зрения производственных мощностей и затрат на производство.
Применение алмаза в мощных СВЧ-полупроводниках, это не единственное перспективное направление. Некоторые ученые указывают на то, что полупроводники на основе алмаза могут найти широкое применение в процессорах следующего поколения и в квантовых компьютерах.
Китайское правительство инвестирует в индустрию искусcтвенных алмазов уже почти 2 десятилетия. В некоторых провинциях, например, в Хэнань, были созданы крупномасштабные производственные базы, мощности которых намного превышают текущий мировой спрос на алмазы. По оценкам некоторых экспертов это позволит Китаю, при необходимости, утроить производство алмазов.
по материалам South China Morning Post и других источников
South China Morning Post
Chinese scientists use diamond to make high-power chips for electronic warfare
The new diamond-based chips have a 30% higher power density than any other product, scientists say.
👍8⚡1
🇯🇵 Микроэлектроника. 6G. Терагерцы
В Японии разрабатывают терагерцовый передатчик
Ученые из Tokyo Tech разработали конструкцию передатчика с фазированной решеткой для диапазона 300 ГГц. Об этом сегодня сообщает techxplore. Особенность разработки - эффективное использование площади, низкое энергопотребление и высокая скорость передачи данных. Такие особенности могут позволить создать на его основе различные технологические приложения, включая возможности "просвечивания" человеческого тела, радаров, беспроводной связи 6G, различных датчиков.
Сегодня частоты выше 250 ГГц в мире, как правило, остаются нераспределенными. Вместе с тем, атмосфера планеты на этих частотах отличается сравнительно небольшим поглощением электромагнитного излучения, что обеспечивает потенциал чрезвычайно высоких скоростей передачи данных.
Поскольку электромагнитные волны при распространении при удалении от источника быстро затухают, от передатчика важно добиваться способности формировать высокую плотность мощности радиолуча. В последние годы появлялись различные решения, но в передатчиках на основе традиционных КМОП-технологий не получалось добиться одновременно высокой выходной мощности сигнала при небольшой занимаемой на кристалле площади.
Исследовательская группа под руководством профессора Кеничи Окада (Kenichi Okada) из Токийского технологического института (Tokyo Tech) и корпорации NTT недавно разработали передатчик для диапазона 300 ГГц, который выгодно отличается параметрами. Результаты будут представлены на Международной конференции по твердотельным схемам IEEE 2024.
(В заголовке - микрофотография чипа передатчика. Площадь - менее 10 кв.мм. Источник: Токийский технологический институт)
В Японии разрабатывают терагерцовый передатчик
Ученые из Tokyo Tech разработали конструкцию передатчика с фазированной решеткой для диапазона 300 ГГц. Об этом сегодня сообщает techxplore. Особенность разработки - эффективное использование площади, низкое энергопотребление и высокая скорость передачи данных. Такие особенности могут позволить создать на его основе различные технологические приложения, включая возможности "просвечивания" человеческого тела, радаров, беспроводной связи 6G, различных датчиков.
Сегодня частоты выше 250 ГГц в мире, как правило, остаются нераспределенными. Вместе с тем, атмосфера планеты на этих частотах отличается сравнительно небольшим поглощением электромагнитного излучения, что обеспечивает потенциал чрезвычайно высоких скоростей передачи данных.
Поскольку электромагнитные волны при распространении при удалении от источника быстро затухают, от передатчика важно добиваться способности формировать высокую плотность мощности радиолуча. В последние годы появлялись различные решения, но в передатчиках на основе традиционных КМОП-технологий не получалось добиться одновременно высокой выходной мощности сигнала при небольшой занимаемой на кристалле площади.
Исследовательская группа под руководством профессора Кеничи Окада (Kenichi Okada) из Токийского технологического института (Tokyo Tech) и корпорации NTT недавно разработали передатчик для диапазона 300 ГГц, который выгодно отличается параметрами. Результаты будут представлены на Международной конференции по твердотельным схемам IEEE 2024.
(В заголовке - микрофотография чипа передатчика. Площадь - менее 10 кв.мм. Источник: Токийский технологический институт)
🤔3👍1👎1
(2) Предлагаемое решение - это передатчик, интегрированный с фазированной антенной решеткой, состоящей из 64 излучающих элементов, объединенных в 16 ИС, каждая из которых обслуживает 4 антенны. Элементы устройства расположены в объеме, за счет использования пакета печатных плат. Это позволяет с помощью передатчика формировать СВЧ луч, управляемый как по вертикали, так и по горизонтали. Если достаточно быстро управлять таким лучом, можно эффективно работать с множеством приемников, на которые требуется доставить цифровой сигнал.
В разработке используются так называемые антенны Вивальди. Особенность этих антенн в том, что они отлично подходят для СВЧ, работают в широком диапазоне частот, их можно формировать непосредственно на поверхности полупроводникового кристалла, при этом они показывают высокую эффективность в передаче сигнала. Другая особенность решения - использование архитектуры PA-last, когда усилитель мощности расположен в конце приемного или передающего тракта. В частности, в передатчике, производится усиление уже обработанного и подготовленного к излучению сигнала непосредственно перед антенной. Это приводит к росту эффективности работы передатчика. Исследователи также постарались справиться с такими известными проблемами традиционной схемотехники КМОП, как высокое сопротивление затвора и большие паразитные емкости. В рамках борьбы с этими явлениями, были добавлены дополнительные пути стока и переходные отверстия, а также изменена геометрия узлов, причем элементы размещены между слоями металла.
В разработке используются так называемые антенны Вивальди. Особенность этих антенн в том, что они отлично подходят для СВЧ, работают в широком диапазоне частот, их можно формировать непосредственно на поверхности полупроводникового кристалла, при этом они показывают высокую эффективность в передаче сигнала. Другая особенность решения - использование архитектуры PA-last, когда усилитель мощности расположен в конце приемного или передающего тракта. В частности, в передатчике, производится усиление уже обработанного и подготовленного к излучению сигнала непосредственно перед антенной. Это приводит к росту эффективности работы передатчика. Исследователи также постарались справиться с такими известными проблемами традиционной схемотехники КМОП, как высокое сопротивление затвора и большие паразитные емкости. В рамках борьбы с этими явлениями, были добавлены дополнительные пути стока и переходные отверстия, а также изменена геометрия узлов, причем элементы размещены между слоями металла.
👍5🤔2👎1