🇨🇳 Технологии. Перспективные материалы. СВЧ

В Китае выпустили мощный СВЧ-чип на базе алмаза для устройств РЭБ

Беспилотная авиация стала новым родом войск. И привлекла много внимания к теме радиоэлектронного противодействия. Системы РЭБ различного типа требуют мощной электроники. Ученые из Китая попробовали применить для ее создания такой перспективный материал, как алмаз. Заявляется, что созданное изделие обладает на 30% более высокой плотностью мощности, чем аналоги из привычных материалов. Такое изделие может найти применение также в радарах и в устройствах связи.

Строго говоря, в Китае создали полупроводники не из алмаза, а из нитрида галлия (GaN), но на алмазной подложке. И только это уже позволило повысить предельные значения плотности мощности на 30%. Причем, речь идет не о каком-то экспериментальном транзисторе, а о создании производственной линии и отлаживании ее работы.

Китай имеет высокие компетенции в области искуственных алмазов, доминируя на мировом рынке с долей выше 95%. Только в 2023 году китайские фабрики произвели более 16 млрд каратов синтетических алмазов, что в 8 раз больше известных запасов природных алмазов на нашей планете. Это привело к падению цен на алмазы и к возможности использовать их в микроэлектронном производстве.

Транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) известны не первый год и играют ключевую роль в современных радарах и экспериментальном микроэлектронном оружии. В настоящее время кристаллы HEMT обычно производятся на основе нитрида галлия. У этого материала есть неприятная особенность - при его использовании выделяется немало тепла, рассеять которое не так просто. В итоге существующие устройства обычно работают с 20-30% от своей теоретической производительности. Здесь и может помочь алмазная подложка. Алмаз известен как материал с самой высокой теплопроводностью, в 5 раз более высокой, чем у популярного карбида кремния (SiC), вдобавок алмаз демонстрирует превосходную химическую и физическую стабильность - идеально для решений, которые должны работать даже при экстремальных условиях эксплуатации. (..)

(2) Многие пробовали применить алмаз в микроэлектроники, мало кто добивался успеха. Физико-химические свойства алмаза и нитрида галлия настолько разные, что это затрудняет их прочное соединение. А если их, например, склеить, то не достигается цель, ради которой все и затевалось - снижается эффективность отвода тепла.

В Китае разработали метод выращивания алмаза на нитриде галлия. Процесс сложны - требует чрезвычайно высоких температур и давлений, что может повредить чип GaN. Китайские ученые утверждают, что смогли преодолеть эти инженерные проблемы. Процесс начинается с "посадки семян" алмаза на поверхность алмаза, это делается при сравнительно низких температуре и давлении. Из созданных точек роста после увеличения температуры и давления выращивается качественный слой алмаза, шириной порядка в сантиметр.

Хотя описание простое, на деле процесс очень сложный и чувствительный к отклонениям параметров, даже небольшие отклонения могут привести к тому, что в алмазе возникнут примеси графита, а это опять же ухудшит его теплоотводящие свойства. Китайские ученые нашли способ, как отладить процесс с тем, чтобы не образовывались примеси. Это открыло путь к крупномасштабному производству HEMT-устройств GaN-на-алмазе. Эти продукты обладают огромным потенциалом для применения в СВЧ-устройствах следующего поколения, от военных применений, до вполне гражданских - в радарах, а может быть и радио 6G, например.

В последние годы отмечаются заметные успехи китайских военных в области РЭБ. Не так давно была волна публикаций о способности оборудования радиоэлектронной разведки НОАК справляться с обработкой огромных объемов данных, собираемых на поле боя в режиме реального времени. Некоторые исследователи уверены, что интеграция радаров и антенн связи на новых китайских военных кораблях находится на заметно более высоком уровне, чем на основных кораблях ВМС США.

С 2023 года ВМС США публично уволило 18 командующих различными подразделениями ВМС с формулировкой "потеря доверия". Многие из этих офицеров участвовали в военных операциях в Южно-Китайском море или в западной части Тихого океана. Поскольку боевые снаряды и ракеты в этих событиях не применялись, некоторые эксперты считают, что увольнения отражают негативные результаты в области радиоэлектронной борьбы.

Китайские достижения в области технологии GaN-на-алмазе могут еще более укрепить уверенность Китая в превосходстве его решений в области РЭБ. (..)

(3) Китай - не единственная страна, которая занимается HEMT-устройствами на алмазе. Японская Mitsubishi Electric еще в 2019 году объявляла, что разработала устройства HEMT на основе нитрида галлия с алмазной подложкой и планирует наладить коммерческое производство соответствующих изделий к 2025 году. Исследовательская группа под руководством доцента Цзяньбо Ляна и профессора Наотэру Сигэкавы из Высшей инженерной школы Osaka Metropolitan University также добились успехов в этой области - создали GaN HEMT - транзисторы с высокой подвижностью электронов, используя алмаз в качестве подложки. Ученые утверждают, что даже после отжига при температуре 1100 C° не наблюдалось отслоения на границах связи 3C-SiC/алмаз, а тепловая граничная проводимость достигает примерно 55 МВт на м^-2 К^-1. В университете Саги совместно с компанией Japan Orbray разработали силовой полупроводник на базе алмаза, позволяющий работать с мощностью до 875 МВт на 1 кв. см. Это направление активно разрабатывают в США (Университет Аризоны) и AMPED STC (США) в партнерстве с Northrop Grumman Mission Systems - здесь экспериментируют с технологией нитрид бора на алмазе.

Алмазными подложками и технологией GaN-на-алмазе в мире занимаются очень активно, в связи с чем можно упомянуть такие компании, как:

Advanced Diamond Technologies
Akash Systems 🇺🇸
AKHAN Semiconductor Inc. 🇺🇸
Applied Diamond Inc. 🇺🇸
Blue Wave Semiconductor 🇺🇸
Carat Systems 🇺🇸
CIVIDEC Instrumentation 🇦🇹
Cornes Technologies Ltd 🇯🇵
Crystallume 🇺🇸
Diamond Microwave Limited 🇬🇧
Diamond SA 🇨🇭
Electro Optical Components, Inc.
Element Six 🇮🇪 (Ирландия)
IIa Technologies Pte. Ltd. 🇸🇬 (Сингапур)
II-VI Incorporated 🇨🇭
Microwave Enterprises Ltd. 🇺🇸
Neocoat SA 🇺🇾 (Уругвай)
New Diamond Technology LCC. 🇷🇺
Qorvo Inc. 🇺🇸
RFHIC Corp. 🇰🇷
Seki Diamond Systems 🇯🇵
Sumitomo Electric Industries, Ltd 🇯🇵
WD Lab Grown Diamonds 🇺🇸

Но даже если какие-то другие страны и достигнут аналогичного уровня технологических решений, они все равно не будут конкурентоспособными с Китая с точки зрения производственных мощностей и затрат на производство.

Применение алмаза в мощных СВЧ-полупроводниках, это не единственное перспективное направление. Некоторые ученые указывают на то, что полупроводники на основе алмаза могут найти широкое применение в процессорах следующего поколения и в квантовых компьютерах.

Китайское правительство инвестирует в индустрию искусcтвенных алмазов уже почти 2 десятилетия. В некоторых провинциях, например, в Хэнань, были созданы крупномасштабные производственные базы, мощности которых намного превышают текущий мировой спрос на алмазы. По оценкам некоторых экспертов это позволит Китаю, при необходимости, утроить производство алмазов.

по материалам South China Morning Post и других источников

🇯🇵 Микроэлектроника. 6G. Терагерцы

В Японии разрабатывают терагерцовый передатчик

Ученые из Tokyo Tech разработали конструкцию передатчика с фазированной решеткой для диапазона 300 ГГц. Об этом сегодня сообщает techxplore. Особенность разработки - эффективное использование площади, низкое энергопотребление и высокая скорость передачи данных. Такие особенности могут позволить создать на его основе различные технологические приложения, включая возможности "просвечивания" человеческого тела, радаров, беспроводной связи 6G, различных датчиков.

Сегодня частоты выше 250 ГГц в мире, как правило, остаются нераспределенными. Вместе с тем, атмосфера планеты на этих частотах отличается сравнительно небольшим поглощением электромагнитного излучения, что обеспечивает потенциал чрезвычайно высоких скоростей передачи данных.

Поскольку электромагнитные волны при распространении при удалении от источника быстро затухают, от передатчика важно добиваться способности формировать высокую плотность мощности радиолуча. В последние годы появлялись различные решения, но в передатчиках на основе традиционных КМОП-технологий не получалось добиться одновременно высокой выходной мощности сигнала при небольшой занимаемой на кристалле площади.

Исследовательская группа под руководством профессора Кеничи Окада (Kenichi Okada) из Токийского технологического института (Tokyo Tech) и корпорации NTT недавно разработали передатчик для диапазона 300 ГГц, который выгодно отличается параметрами. Результаты будут представлены на Международной конференции по твердотельным схемам IEEE 2024.

(В заголовке - микрофотография чипа передатчика. Площадь - менее 10 кв.мм. Источник: Токийский технологический институт)

(2) Предлагаемое решение - это передатчик, интегрированный с фазированной антенной решеткой, состоящей из 64 излучающих элементов, объединенных в 16 ИС, каждая из которых обслуживает 4 антенны. Элементы устройства расположены в объеме, за счет использования пакета печатных плат. Это позволяет с помощью передатчика формировать СВЧ луч, управляемый как по вертикали, так и по горизонтали. Если достаточно быстро управлять таким лучом, можно эффективно работать с множеством приемников, на которые требуется доставить цифровой сигнал.

В разработке используются так называемые антенны Вивальди. Особенность этих антенн в том, что они отлично подходят для СВЧ, работают в широком диапазоне частот, их можно формировать непосредственно на поверхности полупроводникового кристалла, при этом они показывают высокую эффективность в передаче сигнала. Другая особенность решения - использование архитектуры PA-last, когда усилитель мощности расположен в конце приемного или передающего тракта. В частности, в передатчике, производится усиление уже обработанного и подготовленного к излучению сигнала непосредственно перед антенной. Это приводит к росту эффективности работы передатчика. Исследователи также постарались справиться с такими известными проблемами традиционной схемотехники КМОП, как высокое сопротивление затвора и большие паразитные емкости. В рамках борьбы с этими явлениями, были добавлены дополнительные пути стока и переходные отверстия, а также изменена геометрия узлов, причем элементы размещены между слоями металла.

(3) По сравнению со стандартной архитектурой транзистора, в предлагаемой схеме уменьшены паразитное сопротивление и емкость транзистора", - отмечает профессор Окада. "Эти меры позволили увеличить с 250 ГГц до 300 ГГц граничную частоту усиления транзистора (transistor-gain corner frequency).

Кроме этих инноваций, команда разработала и испытала многокаскадный усилитель мощности, способный работать с частотами 300 ГГц, который будет использовать каждая антенна. За счет точного согласования импеданса между каскадами, усилители демонстрируют выдающиеся характеристики. По заявлению проф. Окады предлагаемые усилители мощности показывают усиление более 20 дБ в диапазоне 237-267 ГГц с крутой частотой среза (sharp cut-off frequency), что обеспечивает высокую селективность, позволяя эффективно защищаться от помех.

Предложенный усилитель имеет коэффициент шума 15 дБ в диапазоне 300 ГГц. В тестах была достигнута скорость передачи 108 Гб/c, что заметно больше, чем удавалось получить в других разработках передатчиков для этого диапазона.

Завершая описание разработки, стоит отметить эффективно используемую площадь разработки по сравнению с другими конструкциями на базе КМОП, а также ее низкое энергопотребление, что, как ожидается, позволит применять ее для различных миниатюрных приложений, которые должны работать с ограниченными по мощности источниками энергии. Учитывая возможность применения хорошо технологически отработанной КМОП-технологии и миниатюрные размеры разработки, ее в теории нетрудно и недорого можно будет производить серийно.

(на фото - Компактный передатчик с фазированной решеткой и встроенными антеннами. Благодаря выбранной топологии и компоновке схемы, предлагаемые микросхемы передатчиков могут быть объединены в массив из 64 элементов, занимающий минимальный объем. Источник: Токийский технологический институт)

🇺🇸 Память HBM. Участники рынка

В изделиях NVidia скоро появится HBM3E память Micron

Отличная новость для NVidia и пользователей продукции этой компании. Micron Technology запустила массовое производство кристаллов памяти с высокой пропускной способностью, которые будут использоваться в микросхемах NVidia для работы с ИИ. По заявлению Micron, ее кристаллы High Bandwidth Memory 3E потребляют на 30% меньше энергии, чем изделия конкурентов. Об этом сегодня рассказала Reuters.

NVidia будет использовать чипы Micron в своих графических процессорах H200, начало поставок которых ожидается в 2q2024. Изделия весьма востребованы в связи с безумным спросом на микросхемы, пригодные для построения GenAI.

На рынке памяти HBM в мире доминирует SK Hynix, которая является основным поставщиком этих изделий для NVidia. То, что в Micron смогли добиться успеха в этом сложном и высокотехнологичном сегменте, дает повод задуматься о том, что Micron сможет побороться за улучшение своих позиций и на других рынках, где работает компания.

Для Micron кристаллы HBM, это одно из самых прибыльных изделий, отчасти из-за технической сложности конструкции этого вида памяти. Компания ранее заявляла, что ожидает от направления HBM выручки в несколько сотен миллионов долларов в 2024 финансовом году и продолжения ее роста в 2025 году.

🇯🇵 Производственные мощности. Господдержка. Япония

Токио обещает выделить еще $4,9 млрд, чтобы помочь TSMC расширить производство в Японии

Японское правительство показывает, насколько серьезно в стране взяли курс на восстановление позиций на рынке микроэлектроники, объявлено о планах дополнительной господдержки проекта TSMC по строительству второго завода по производству чипов. Об этом вчера рассказало Reuters. Решение последовало за тем, как в субботу TSMC открыла свою первую в Японии фабрику. Средства в объеме до 732 млрд иен ($4,86 млрд) будут выделены в виде субсидий.

Развертывание TSMC двух фабрик по производству чипов в Японии - один из ключевых компонентов стратегии Токио по возрождению передового производства полупроводников и укреплению цепочек поставок на случай сбоев, которые могут возникать по мере роста напряженности в отношениях с Китаем.

На второй фабрике планируется выпуск более современных чипов, чем на первой, в провинции Кумамото, на острове Кюсю, "заточенной" под автопром. Новая фабрика сможет выпускать чипы, востребованные при построении решений ИИ. С учетом новых финансовых обязательств, взятых на себя японцами, финансируемые налогоплательщиками субсидии для TSMC превысят 1 трлн иен.

TSMC, которая одновременно расширяет свои производственные возможности в США и Германии, планирует перейти к массовому производству чипов в Японии до конца 2024 года. По данным тайваньской компании общий объем инвестиций в проекты в Японии превысит $20 млрд.

После завершения второй стройки ежемесячная суммарная производственная мощность двух фабрик превысит 100 000 12-дюймовых пластин, которые TSMC будет поставлять технологическим фирмам и автопроизводителям, включая Sony и Toyota Motor.

Япония также инвестирует в развертывание отечественного предприятия по производству микросхем Rapidus, в сотрудничестве с американской IBM и европейской исследовательской организацией в области микроэлектроники Imec. Производственные мощности для выпуска чипов по передовым технологиям, как ожидается, появятся на северном острове Хоккайдо с 2027 года.

🇳🇱 Тренды. Кадры. Нидерланды

Нидерланды стремятся привлечь талантливую молодежь из Южной Корее с помощью университетской программы

Группа из 60 лучших студентов южнокорейских технических университетов на прошлой неделе завершила образование по программе "Академия чипов будущего" в Эйндховене, призванную в том числе привлечь талантливых сотрудников к разработкам полупроводников в Нидерландах. Об этом рассказало Reuters.

Это всего лишь недельная программа, состоящая из лекций и семинаров, подготовленная Технологическим университетом Эйндховена совместно с индустрией разработки и производства чипов Нидерландов, включая ASML, ASM International, NXP и бельгийскую Imec.

В программе приняли участие студенты трех южнокорейских университетов. Считается, что запуск этой программы подчеркивает нехватку кадров в сфере высоких технологий в Эйндховене, одном из крупнейших технологических центров Европы. Судя по всему, есть и встречный интерес: "Моя цель - проводить исследования за границей, - говорит 24-летний участник программы Донён Ким, студент магистратуры Корейского института передовых наук и технологий", который надеется найти работу в ASML или в IBM или получить докторскую степень в Imec.

По данным агентства регионального развития Brainport, в районе Эйндховена занято около 80 тысяч работников сферы высоких технологий при населении в 800 тысяч человек. В ближайшие 8 лет, как ожидается, будет создано еще 50 тысяч рабочих мест в сфере высоких технологий. Более половины из них, скорее всего, приедут из-за границы.

Программа "Чипы будущего" была запущена тогда, когда национальное правительство Нидерландов стремится сократить иммиграцию после выборов, на которых значительных успехов достигли правые.

Иностранные студенты в университетах Нидерландов - важный источник кадров, но правительство работает над планами ограничения приема и принудительному преподаванию на голландском, а не на английском языке. Вдобавок отменяются льготы даже для высококвалифицированных иммигрантов. Генеральный директор ASML Питер Веннинк и генеральный директор NXP Нидерланды Джин Шреус раскритиковали такую политику, как недальновидные.

"Это первоклассные компании, им нужен доступ к первоклассным кадрам", - заявляет президент университета TU Eindhoven Роберт-Ян Смитс: "То, что делает правительство, очень странно... Это плохая политика".

--

Все на новых и новых зарубежных примерах, мы можем наблюдать дефицит кадров в высокотехнологичных отраслях буквально во всем мире. Это открывает перед специалистами самые широкие перспективы выбора работы. Работодателям, в свою очередь, приходится иметь в виду эту ситуацию, как в плане оплаты труда, так и в части активностей по автоматизации всего, что можно автоматизировать, и активностей по поиску кадров, включая их подготовку, не только в партнерстве с университетами, но и самостоятельно для поддержания уровня современности знаний и навыков сотрудников. Без этого есть немалый риск, что предприятие будет сталкиваться с постоянной и, возможно, растущей нехваткой кадров. Как минимум, наиболее квалифицированных.

🇺🇸 Господдержка. США

Производители микроэлектроники хотели бы получить вдвое больше господдержки от США. Но ее получат не все и не в запрошенном объеме

Об этом рассказывает Reuters. Министр торговли США Джина Раймондо заявила, что большинство производителей чипов, претендующих на господдержку в США. получат значительно меньше, чем запрашивают. Проблема в том, что суммарный запрос компаний, которые обратились к правительству США за поддержкой, составляет более $70 млрд. А в США на поддержку микроэлектроники правительство готово потратить не более $28 млрд. В итоге Минторг ведет "тяжелые переговоры" с рядом компаний.

Минторг отдает приоритет проектам, которые будут введены в эксплуатацию до 2030 года. Чиновники надеются, что выделяемое госфинансирование позволит США производить до 20% наиболее современных логических чипов к 2030 году, по сравнению с сегодняшним нулевым показателем. Более 600 компаний подали заявления на господдержку, но "значительное большинство" ее не получат, включая многие достойные проекты.

Ранее в феврале стало известно, что субсидии в объеме $1,5 млрд выделены компании GlobalFoundries, это первые из крупных субсидий. Господдержка может иметь различные форматы, начиная от грантов до госзаймов и кредитных гарантий, достигая до 35% от капиталозатрат проекта.

🇭🇰 Микроволновая фотоника | MWP. Китай

В Гонконге разработали микроволновой фотонный чип, способный на порядки повысить доступные скорости беспроводной передачи данных

Об этом рассказывает bnnbreaking. Исследователи кафедры электротехники Городского университета Гонконга под руководством профессора Ван Ченга добились прогресса в области микроволновой фотоники (MWP), представив чип для беспроводной связи. Опубликованная в журнале Nature, совместная работа с Китайским университетом Гонконга представляет интегрированный микроволновый фотонный чип из тонкой пленки ниобата лития, способный работать в 1000 раз быстрее, чем традиционные электронные процессоры, и при этом более энергоэффективно.

Выигрыш достигается интеграцией быстрого электрооптического преобразования и многофункциональной обработки сигналов с низкими потерями в единой компактной платформе. Этого давно ожидали от микроволновой фотоники, которая использует оптические компоненты для генерации, модуляции и т.п. обработки СВЧ-сигналов. Это все не новость, но особенность MWP состоит в том, что такие системы обеспечивают сверхскоростную аналоговую обработку сигналов в объем интегральной микросхемы, с высокой точностью и малой потребляемой мощностью. В частности, гонконгская разработка способна обрабатывать сигналы вплоть до 67 ГГц.

Разработка может повлечь за собой появление более эффективных радиочастотных систем. Область применения выходит далеко за рамки улучшения производительности сетей 5G - это и 6G, и системы ИИ, и радары.

🇷🇺 Отечественные разработки. ПЛИС.

Дизайн центр Союз сообщает, что в 1q2024 с производства будут получены опытные образцы микросхемы 5400ЕС015 ПЛИС.

Микросхема представляет собой программируемую логическую интегральную схему (ПЛИС) для реализации на стороне пользователя различных логических схем или схем управления. В своем составе содержит 1104 логических элементов. Каждый логический элемент состоит из трехвходового LUT и D-триггера.

Для оценки применения микросхемы разработан программный пакет X-CAD, который предназначен для автоматизации логического синтеза, размещения элементов и трассировки.

🇰🇷 ИИ и микроэлектроника. Господдержка. Отечественное производство. Южная Корея

Правительство Южной Кореи объединяет усилия с корпорациями с целью создания "южнокорейской Nvidia"

Об этом рассказывает DigiTimesAsia. Производители полупроводников Южной Кореи участвует в жесткой конкуренции держав, которые занимаются активной разработкой и производством современных микросхем. На сегодня эти страны можно пересчитать по пальцам одной руки: США, Китай, Япония, Южная Корея. Для Южной Кореи, в структуре экспортных доходов которой микроэлектроника входит в Топ-3 с показателем >20%, поддержка развития микроэлектроники находит заинтересованную поддержку правительства и президента страны. Сейчас правительство страны активно сотрудничает с крупными корпорациям, обсуждая планы создания южнокорейского аналога NVidia. В число участников проекта ожидаемо входят Samsung Electronics, SK Hynix и ряд других участников рынка.

Как сообщается со ссылкой на Aju Business Daily и Newsis, министр торговли, промышленности и энергетики (MOTIE) Ан Дук Гын встретился с руководителями нескольких южнокорейских полупроводниковых корпораций для обсуждения этого проекта. Создана "горячая линия" с правительством для оперативного обсуждения темы полупроводников для ИИ. Корейцы заметно тормозили с осознанием стратегической значимости этой темы, и теперь задумались о том, как бы наверстать упущенное, или хотя бы начать активно двигаться в эту сторону.

Среди известных участников встречи - президент подразделения Samsung Device Solutions (DS) Ке Хён Гён, президент/генеральный директор SK Hynix Квак Но Чжон, президент Wonik IPS Ан Тэ Хёк, со-генеральный директор производителя фоторезиста Dongjin Semichem Ли Чун Хёк, генеральный директор холдинга SoulBrain Чон Хён Сок и другие.

Эти события происходят на фоне активных попыток США и Японии реанимировать и осовременить собственные производства передовых микросхем. Правительства этих стран выделяют поддержку в миллиардах и десятках миллиардов долларов и стараются оказать другую необходимую регуляторную поддержку соответствующим проектам, национальным и зарубежным, готовым строить предприятия на территории США и Японии.

В Южной Корее правительство также намерено выделить ресурсы в размере 24 трлн вон (~$18 млрд). Распределением этих средств должны будут совместно заниматься правительство и частный сектор страны.

Для повышения конкурентоспособности южнокорейских разработок в области микроэлектроники, в 2024 году в стране будут созданы Центр проверки дизайна ИС (IC design verification center). Кроме того, Ассоциация производителей полупроводников (SIA) собирается запустить кооперационный форум разработчиков ИИ. В 1H2024 планируется запуск "Программы культивирования разработки ИС", в рамках которой, как ожидается, в Южной Корее будет создан местный аналог NVidia. (..)

(2) Южнокорейские корпорации, принявшие участие во встрече, обязались сотрудничать с правительством для достижения цели инвестирования в полупроводниковое производство 60 трлн вон, с планами достижения объемов экспорта в размере $120 млрд в 2024 году. Планы вполне реалистичные, в 2023 году Samsung Electronics и SK Hynix экспортировали продукции на сумму более $100 млрд. Правительство пообещало, что ускорит развертывание Промышленного парка полупроводникового производства Йонгинь, быстрее выдавать необходимые разрешения и расширить стимулы для частного инвестирования в отрасль. Будет создан горячо любимый чиновниками любой страны инструмент - специальная рабочая группа для ускорения запуска индустриального парка.

Правительство Кореи заявило, что для быстрого обеспечения подключением парка к электроснабжению, планируется подписать соответствующие MoU с Корейской электроэнергетической корпорацией (KEPCO), Корейской земельной и жилищной корпорацией (LH) и другими компаниями, чье участие необходимо для реализации проекта.

Стимулы, которые заставили корейцев задуматься о наверстывании отставание понятны. Но в мире высоких технологий плохо работает принцип: "ать-два, изобрести". Даже выделение крупных субсидий и лояльность правительства - еще не гарантия достижения успеха. Хотя горшки обжигают и не боги, но нельзя "вот так просто взять и сделать свою NVidia". Возможно корейцы еще добьются успеха в этой области, но путь к "импортзамещению" NVidia займет у них не один год. Важно, что они решили двигаться по этому пути.

🇷🇺 Стандартизация. СВЧ-микроэлектроника

В феврале должны вступить в силу 3 национальных стандарта производства СВЧ компонентов.

Разработчики: участники ТК 328 "Сверхвысокочастотная и силовая электроника", в число которых вошли ТУСУР, ФБУ «Томский ЦСМ» и АО «НПФ «Микран», а также АО НИИМА Прогресс, АО НИИПП, НИЯУ МИФИ, АО «Протон-электротекс», АО НИИЭТ, ФГБУ РСТ, ФБУ «Севастопольский ЦСМ», ФГУП «РФЯЦ – ВНИИТФ им. академ. Е.И. Забабахина.

Стандарты регулируют производство усилителей и коммутационных схем СВЧ диапазона, устройств преобразования энергии на основе нитрида галлия, а также необходимые для них методы измерений.

Как заявляют разработчики, стандарты будут способствовать повышению качества продукции и увеличению выпуска стандартизированных отечественных микроэлектронных компонентов.

«Мы рады, что именно подходы «Микрана» легли в основу национального стандарта. Это стало возможным благодаря долгой и слаженной работе всех участников Комитета, за что мы их благодарим. Также мы рассчитываем, что в будущем новые стандарты станут основой для обмена технологиями с другими странами», — заявил Евгений Васильевич Гаевой, заместитель генерального директора АО «НПФ «Микран».

В 2024 году планируется запуск еще порядка четырех стандартов, разработанных ТК 328.

За ТК 328 закреплены объекты стандартизации в соответствии с кодами ОКС ОК 001-2021 (ИСО МКС):
29.100 – Компоненты электро­оборудования;
29.200 – Выпрямители. Преобразователи. Стабилизированные источники питания, включая полу­проводнико­вые преобра­зова­тели;
31.020 – Электронные компоненты в целом;
31.040 – Резисторы;
31.060 – Конденсаторы;
31.080 – Полу­проводнико­вые приборы;
31.200 – Интегральные схемы.

—

Участие в разработке стандартов это еще и хороший способ обеспечения конкурентоспособности своих продуктов. Поэтому разработчикам всегда важно входить в состав соотвествующих комитетов и рабочих групп.

(2) Что за стандарты?

ТК 328 разработал национальные стандарты ГОСТ:

▫️"Усилители сверхвысокочастотного диапазона. Методы измерений электрических параметров",

▫️"Схемы коммутационные сверхвысокочастотного диапазона. Методы измерений электрических параметров",

▫️ "Устройства преобразования энергии на основе нитрида галлия. Метод измерений для оценки непрерывного переключения".

🎓 Образование. Кадры

Микрон в 2023 году принял на практику 60 студентов, 13 из них остались работать на предприятии

Практику на Микрон (входит в ГК Элемент, резидент Технополис Москва), учебную, производственную и преддипломную, проходили студенты бакалавриата и магистратуры различных высших и средних учебных заведений.

В частности, учащиеся Московского института электронной техники, Московского физико-технического института, Томского Политехнического университета, Уральского федерального университета, РГАУ-МСХА им. Тимирязева, колледжа «Подмосковье», филиала МАИ «Ракетно-космическая техника», Политехнического колледжа № 50 Колледжа современных технологий г. Москвы.

«В своих учебных заведениях студенты получают профессию по востребованным в микроэлектронике инженерным специальностям и приходят к нам, чтобы познакомиться с выбранным направлением. На практике ребята пополняют свою копилку знаний, для нас такие студенты – ценные кадры. Из 60 человек в 2023 году 13 стали частью дружного коллектива. Начинающим специалистам помогает наш новый профориентационный проект Путь инженера

- на сайте можно записаться на практику, узнать об актуальных вакансиях, виртуально прикоснуться к инженерному сообществу», - сообщила Евгения Хомутская, директор по персоналу АО «Микрон».

Несколько отзывов участников (предоставлены Микроном):

Дмитрий Новиков, начальник участка, отдел главного энергетика:

«Во время прохождения практики ребята начинают с основ, у нас – с изучения основных типов датчиков, типов сигналов, правил чтения базовых электрических схем, принципов работы современной системы АСУ ТП, построения распределенных систем управления (РСУ). Даны были только тезисы и темы для изучения, остальное студенты изучали сами, что позволило оценить уровень заинтересованности каждого. В конце практики ребята справились с итоговым заданием - собрали стенд и запрограммировали контроллер для локальных систем управления (ОВЕН ПР200) по предоставленной электрической схеме и алгоритму работы. Также обсуждали со студентами дипломную работу. Думаю, что практические занятия и готовность старших коллег делиться опытом способствуют принятию решения остаться на предприятии – мой практикант сейчас трудится на Микроне под моим руководством».

Алексей Чеботарев, студент 4 курса МИЭТа по специальности «Материаловедение и технология материалов» проходит практику на кристальном производстве:

«Я учусь по договору о целевом обучении от Микрона, поэтому меня направили на практику в цех, где производят микросхемы. Мой руководитель - инженер-технолог, я учусь проводить аттестацию оборудования, которое напыляет слои металла на пластину, провожу измерения до и после напыления, составляю отчеты. По своему диплому консультируюсь с руководителем практики».

(2) Вячеслав Горбылев, наладчик систем по автоматизации АО «Микрон», выпускник РГАУ МСХ им К.А.Тимирязева:

«Я закончил бакалавриат по специальности «Агроинженер, роботизация и автоматизация технологических процессов». Практику выбирал сам по нужному курсу, который надо было отработать в вузе, нашел нужную информацию сайте Микрона. Во время практики учился программировать контроллеры, читал много различной документации, чтобы понять, как работает оборудование. Прохождение практики помогло в написании Всероссийской конкурсной работы. В итоге мне предложили работу на Микроне, где занимаюсь подключением электроустановок, их техническим обслуживанием, программирую логические контроллеры, которые используются в установках. Один из руководителей практики – сейчас мой непосредственный руководитель на рабочем месте, он помогал мне во время практики, помогает и сейчас. Параллельно с работой учусь в магистратуре. Мне нравится то, чем я занимаюсь».

Анастасия Гусева, инженер-технолог АО «Микрон», выпускница РГАУ МСХ им К.А.Тимирязева:

«Первую часть практики я проходила в отделе главного энергетика, а потом перешла в производственный цех на проект «Бережливое производство», где работала с документами, вела учет корпусов микросхем. Руководители оценили мое умение тщательно выполнять кропотливую монотонную работу и предложили подходящую вакансию на производстве, и я осталась – такая работа мне нравится. Сейчас я работаю в должности инженера-технолога на участке измерения динамических параметров, проверяю их на соответствие нормам».

🔹 Путь инженера - профориентационная практика

🇺🇸 FPGA | ПЛИС. США

Intel видит перспективу спроса на программируемые чипы в связи с востребованностью ИИ

ИИ - растущее и потенциально прибыльное направление для Intel, которая в начале года запустила отдельный бизнес Altera для выпуска программируемых микросхем, с планами его вывода на IPO в ближайшие 2-3 года, сообщает Reuters.

Программируемые чипы Altera, как ожидается, будут полезны для приложений ИИ и решения вычислительных задач, которые располагаются между специальными процессорами, разработанными компаниями облачных вычислений, как Amazon, и ИИ-чипами типа тех, что выпускает NVidia. Востребованность программируемых чипов в Intel объясняют тем, что сейчас постоянно и быстро изменяются требования к аппаратному обеспечению, необходимому для работы ИИ. Возможность перепрограммировать чипы вместе физической замены "железа" может оказаться востребованной на рынке.

В Intel оценивают спрос на программируемые чипы в 2023 году примерно в $8-10 млрд. При этом трудно оценить рыночный потенциал чипов Altera.

Intel Foundry сейчас выпускает линейку программируемых чипов Agilex. Продолжит ли Altera заказывать свои разработки у Intel Foundry пока не сообщается, но можно предположить, что это вполне вероятно.

--

Насколько я понимаю, чипы Agilex отличаются от традиционных FPGA тем, что поддерживают более гибкую маршрутизацию, имеют встроенные блоки памяти и DSP, дают более высокое соотношение производительности к энергопотреблению и поддерживают более высокоскоростные интерфейсы. Соответственно, у них несколько иная область применения - ЦОД, ИИ, ML, сетевые устройства. Из минусов - они дороже, чем традиционные FPGA. Хотя по сути это те же FPGA, вид сбоку.