(3) Что дает применение стеклянных подложек вместо традиционных (см. картинку Intel)?
🔹 Стекло позволяет добиваться высокой плоскостности и хороших тепловых характеристик при сохранении достаточно высокой механической прочности и стабильности формы, в том числе при изменении температуры.
🔹 В стеклянной подложке число соединительных отверстий, которые создают с помощью TGV (through-glass-via) процесса, может быть на порядок выше на единицу площади, чем в органической.
🔹Снижаются электрические потери, что позволяет создавать чипы для обработки более высокочастотных сигналов.
🔹Считается, что стеклянные подложки особенно хороши для все более популярной многочиплетной технологии, позволяя обходится без интерпозеров.
Как прогнозируют в The Insight Partners, рынок стеклянных подложек вырастет с $23 млн в 2024 году до $4,2 млрд в 2034 году.
Это может означать, что сложнее станет продвигать свою традиционную продукцию японским компаниями Ibiden, Shinko Electric Industries и тайваньской – Unimicron.
Интересно, почему Intel и AMD делают выбор в пользу стеклянных подложек, не переходя к массовому использованию ситалла? Ведь ситалл, с его мелкокристаллической структурой, отличается меньшей пористостью, большей механической прочностью. Ситалловые подложки проще формовать, например, методом вытягивания и прокатки, у этого материала лучше диэлектрические свойства.
@RUSmicro по материалам businesskorea.co.kr и techpowerup.com
🔹 Стекло позволяет добиваться высокой плоскостности и хороших тепловых характеристик при сохранении достаточно высокой механической прочности и стабильности формы, в том числе при изменении температуры.
🔹 В стеклянной подложке число соединительных отверстий, которые создают с помощью TGV (through-glass-via) процесса, может быть на порядок выше на единицу площади, чем в органической.
🔹Снижаются электрические потери, что позволяет создавать чипы для обработки более высокочастотных сигналов.
🔹Считается, что стеклянные подложки особенно хороши для все более популярной многочиплетной технологии, позволяя обходится без интерпозеров.
Как прогнозируют в The Insight Partners, рынок стеклянных подложек вырастет с $23 млн в 2024 году до $4,2 млрд в 2034 году.
Это может означать, что сложнее станет продвигать свою традиционную продукцию японским компаниями Ibiden, Shinko Electric Industries и тайваньской – Unimicron.
Интересно, почему Intel и AMD делают выбор в пользу стеклянных подложек, не переходя к массовому использованию ситалла? Ведь ситалл, с его мелкокристаллической структурой, отличается меньшей пористостью, большей механической прочностью. Ситалловые подложки проще формовать, например, методом вытягивания и прокатки, у этого материала лучше диэлектрические свойства.
@RUSmicro по материалам businesskorea.co.kr и techpowerup.com
👍4❤1
🇹🇼 2нм. Производство микроэлектроники
Массовое производство чипов 2нм на TSMC начнется в 2025 году
На прошедшей неделе на TSMC должно было начаться опытное производство образцов чипов по техпроцессу 2нм на фабе в Баошане, на севере Тайваня. Для этого фабрика получила новое производственное оборудование.
Несмотря на это, по данным источника, который называет себя инсайдером, появился слух, что в iPhone 17 такие чипы не появятся, что в них будет стоять чип по техпроцессу 3нм.
Дает ли это дополнительные шансы на перехват хотя бы части заказа Apple на чипы 2нм для компании Samsung?
@RUSmicro по материалам 3dnews.ru и ixbt.com
Массовое производство чипов 2нм на TSMC начнется в 2025 году
На прошедшей неделе на TSMC должно было начаться опытное производство образцов чипов по техпроцессу 2нм на фабе в Баошане, на севере Тайваня. Для этого фабрика получила новое производственное оборудование.
Несмотря на это, по данным источника, который называет себя инсайдером, появился слух, что в iPhone 17 такие чипы не появятся, что в них будет стоять чип по техпроцессу 3нм.
Дает ли это дополнительные шансы на перехват хотя бы части заказа Apple на чипы 2нм для компании Samsung?
@RUSmicro по материалам 3dnews.ru и ixbt.com
3DNews - Daily Digital Digest
TSMC запустит тестовое производство 2-нм чипов для Apple на следующей неделе
Тайваньский контрактный производитель полупроводниковой продукции TSMC на следующей неделе запустит тестовое производство чипов для компании Apple по 2-нм техпроцессу.
👍2
🔥 Регулирование. Производство светодиодов
В Минпромторге хотели бы видеть российское производство кристаллов и корпусов для светодиодов
Насколько реальна эта затея? В какие сроки, кто мог бы это потянуть, чем готово помочь государство? Темой занимались Ведомости, я тоже по ней выскажусь.
Как мы на днях уже обсуждали, производством мощных осветительных светодиодов в России занимаются в значительных объемах калининградская GS Group и армавирская Русид.
На сегодня эти предприятия используют закупаемые за рубежом кристаллы и корпуса.
Можно ли организовать собственное крупномасштабное производство кристаллов для светодиодов по технологии GaN в России?
Можно, конечно, хотя оборудование придется закупить за рубежом. Но это, повторюсь, возможно. А затем придется закупать еще и немало сырья для этого производства, различных химикатов и газов.
Кто способен организовать такое производство?
Это может быть новый производитель, который начнет этим заниматься с нуля. Но эффективнее было бы подключить к теме какое-то производство, где уже есть немалая экспертиза. Первыми мне на ум приходят в этом плане Элемент (Микрон) и GS Group.
В случае калининградцев, речь пойдет о выстраивании вертикальной структуры, которая и микроэлектронные компоненты произведет, и готовые светодиодные модули из них соберет, благо последнее уже давно выполняется. У Микрона уже есть многолетний опыт кристального производства, пусть и не светодиодных кристаллов, а собирать продукцию смогут и те, кто уже этим занимается сейчас на базе импортных комплектующих.
Но есть "но". Такой проект потребует на реализацию от года и более, а также привлечение инвестиций где-то от 20 млрд рублей. И вряд ли в России есть коммерческие предприятия, которые были бы готовы вложить в него собственные средства. Ведь есть немалый риск того, что российские светодиоды окажутся в разы дороже китайских. Соответственно, встанет вопрос о рынке их сбыта.
Следовательно, без серьезной и реальной господдержки этот рынок не может быть сформирован. Так что после беглого осмотра рынка, стоит вновь внимательно посмотреть в сторону Минпромторга и в целом правительства РФ,
Для успеха проекта, как мне представляется, нужно субсидирование государством хотя бы половины стоимости (плюс какие-то льготы в дальнейшем), а также более четкое регулирование обязательности применения российских светодиодов в светильниках с момента, когда российское производство светодиодов выйдет в серию. Вплоть до проверок и штрафов тех, кто не поймет, что новые требования - это серьезно.
Из важных и актуальных мелочей - надо бы не забыть подвинуть сроки перехода на 200 баллов для признания отечественными собранных в России светодиодов, оставить требование на уровне 150 баллов. На сегодня требование перехода к 200 баллам кажется мне нереалистичным с учетом закупки кристаллов и корпусов светодиодов за рубежом, и отсутствия их производства в РФ.
@RUSmicro по материалам газеты Ведомости
В Минпромторге хотели бы видеть российское производство кристаллов и корпусов для светодиодов
Насколько реальна эта затея? В какие сроки, кто мог бы это потянуть, чем готово помочь государство? Темой занимались Ведомости, я тоже по ней выскажусь.
Как мы на днях уже обсуждали, производством мощных осветительных светодиодов в России занимаются в значительных объемах калининградская GS Group и армавирская Русид.
На сегодня эти предприятия используют закупаемые за рубежом кристаллы и корпуса.
Можно ли организовать собственное крупномасштабное производство кристаллов для светодиодов по технологии GaN в России?
Можно, конечно, хотя оборудование придется закупить за рубежом. Но это, повторюсь, возможно. А затем придется закупать еще и немало сырья для этого производства, различных химикатов и газов.
Кто способен организовать такое производство?
Это может быть новый производитель, который начнет этим заниматься с нуля. Но эффективнее было бы подключить к теме какое-то производство, где уже есть немалая экспертиза. Первыми мне на ум приходят в этом плане Элемент (Микрон) и GS Group.
В случае калининградцев, речь пойдет о выстраивании вертикальной структуры, которая и микроэлектронные компоненты произведет, и готовые светодиодные модули из них соберет, благо последнее уже давно выполняется. У Микрона уже есть многолетний опыт кристального производства, пусть и не светодиодных кристаллов, а собирать продукцию смогут и те, кто уже этим занимается сейчас на базе импортных комплектующих.
Но есть "но". Такой проект потребует на реализацию от года и более, а также привлечение инвестиций где-то от 20 млрд рублей. И вряд ли в России есть коммерческие предприятия, которые были бы готовы вложить в него собственные средства. Ведь есть немалый риск того, что российские светодиоды окажутся в разы дороже китайских. Соответственно, встанет вопрос о рынке их сбыта.
Следовательно, без серьезной и реальной господдержки этот рынок не может быть сформирован. Так что после беглого осмотра рынка, стоит вновь внимательно посмотреть в сторону Минпромторга и в целом правительства РФ,
Для успеха проекта, как мне представляется, нужно субсидирование государством хотя бы половины стоимости (плюс какие-то льготы в дальнейшем), а также более четкое регулирование обязательности применения российских светодиодов в светильниках с момента, когда российское производство светодиодов выйдет в серию. Вплоть до проверок и штрафов тех, кто не поймет, что новые требования - это серьезно.
Из важных и актуальных мелочей - надо бы не забыть подвинуть сроки перехода на 200 баллов для признания отечественными собранных в России светодиодов, оставить требование на уровне 150 баллов. На сегодня требование перехода к 200 баллам кажется мне нереалистичным с учетом закупки кристаллов и корпусов светодиодов за рубежом, и отсутствия их производства в РФ.
@RUSmicro по материалам газеты Ведомости
Ведомости
Минпромторг ищет предприятие для светодиодных корпусов и кристаллов
Сейчас такая продукция закупается в других странах
👍4🤔2😢1
(2) Рассуждая о том, насколько реалистично организовать в России производство кристаллов (и корпусов к ним) мощных осветительных светодиодов, стоит задаться вопросом:
Насколько в России есть экспертиза в области GaN?
Всеобъемлющего видения в этой области у меня нет, но кое-какая информация в медиа встречается.
Производство GaN пластин (подложек), заготовок для последующего кристального производства
🔹 Этим занимались в Гиредмете (но это не точно)
🔹 В 2020 году о начале производства GaN пластин сообщало новосибирское Экран-оптические системы.
Кристальное производство на основе GaN. Разработка полупроводниковых изделий на базе GaN
🔹 ЗНТЦ. Экспериментальную линию по выпуску кристаллов транзисторов на основе GaN планировали запускать ЗНТЦ и НИУ МИЭТ.
🔹 Возвращаясь к Элементу - ему досталась питерское Светлана-Полупроводники, где тоже экспериментировали с GaN - применяли метод молекулярно-лучевой эпитаксии на установке STE3N2 SemiTEq на подложках SiC диаметром 2". Куда уехало это оборудование - не знаю, может быть на ВЗПП или куда-то еще.
🔹 Микран. В Томске технологией GaN (применительно к силовым полупроводникам) активно интересовался Микран. И что-то делал в области силовых полупроводников.
🔹 НИИЭТ. Разработкой GaN транзисторов с планами выпуска "на отечественной фабрике" занимались в НИИЭТ. Злые языки, впрочем, что-то там говорили про Win Semiconductors, в общем, надо выяснять дальше.
🔹 В НИЦ Курчатовского института совместно с НИИЭТ изготавливали кристаллы транзисторов GaN.
Это не полный список активностей в области GaN в России. Но и он показывает, что определенная экспертиза и наработки есть, и что знающие люди найдутся, если готовить крупное собственное производство осветительных светодиодов на основе закупки необходимого зарубежного оборудования.
Может быть кто-то еще готов добавить информацию (только не секретную, пожалуйста), о экспертизе российских предприятий в области производства кристаллов GaN, пластин GAN и формирования на них полупроводников? Интересно, прежде всего, серийное производство.
Насколько в России есть экспертиза в области GaN?
Всеобъемлющего видения в этой области у меня нет, но кое-какая информация в медиа встречается.
Производство GaN пластин (подложек), заготовок для последующего кристального производства
🔹 Этим занимались в Гиредмете (но это не точно)
🔹 В 2020 году о начале производства GaN пластин сообщало новосибирское Экран-оптические системы.
Кристальное производство на основе GaN. Разработка полупроводниковых изделий на базе GaN
🔹 ЗНТЦ. Экспериментальную линию по выпуску кристаллов транзисторов на основе GaN планировали запускать ЗНТЦ и НИУ МИЭТ.
🔹 Возвращаясь к Элементу - ему досталась питерское Светлана-Полупроводники, где тоже экспериментировали с GaN - применяли метод молекулярно-лучевой эпитаксии на установке STE3N2 SemiTEq на подложках SiC диаметром 2". Куда уехало это оборудование - не знаю, может быть на ВЗПП или куда-то еще.
🔹 Микран. В Томске технологией GaN (применительно к силовым полупроводникам) активно интересовался Микран. И что-то делал в области силовых полупроводников.
🔹 НИИЭТ. Разработкой GaN транзисторов с планами выпуска "на отечественной фабрике" занимались в НИИЭТ. Злые языки, впрочем, что-то там говорили про Win Semiconductors, в общем, надо выяснять дальше.
🔹 В НИЦ Курчатовского института совместно с НИИЭТ изготавливали кристаллы транзисторов GaN.
Это не полный список активностей в области GaN в России. Но и он показывает, что определенная экспертиза и наработки есть, и что знающие люди найдутся, если готовить крупное собственное производство осветительных светодиодов на основе закупки необходимого зарубежного оборудования.
Может быть кто-то еще готов добавить информацию (только не секретную, пожалуйста), о экспертизе российских предприятий в области производства кристаллов GaN, пластин GAN и формирования на них полупроводников? Интересно, прежде всего, серийное производство.
🤔4
🇮🇳 Разработка микроэлектроники. Радиочастотные чипы для телекома. Стартапы. Индия
Индийский стартап в области разработки микросхем, Silizium Networks, получил поддержку правительства Тайваня
Компания уже выпустила 2 полупроводниковых чипа, сотрудничая с TSMC, еще несколько находятся в стадии разработки. Акселератор TTA в Тайнане помогает компании налаживать партнерские отношения в местной экосистеме.
В сотрудничестве с TSMC был создан первый продукт Silizium Networks - радиочастотный чип на базе кремниевого техпроцесса КМОП 180 нм, а недавно успешно выпущен второй. Silizum также работает над чипами на базе GaAs (с планами выпуска в конце августа) и GAN (для изделий с высокой мощностью) в сотрудничестве с другими тайваньскими контрактными производителями.
Компания Silizium Networks основана в сентябре 2020 году, получила поддержку от Министерства электроники и информационных технологий Индии, департамента телекоммуникаций и ряда других организаций и ведомств.
Первый проект компании позволил завершить цикл разработки чипа всего за 9 месяцев, причем изделие компании обладает параметрами «сравнимыми с производительностью изделий ведущих глобальных брендов, или даже превосходящими их». Это позволило стартапу получить награду «Самый многообещающий полупроводниковый стартап" от Индийской ассоциации электроники и полупроводниковых приборов (IESA) и первое место в аналогичной категории от Ассоциации электронной промышленности Индии (ELCINA).
Цели компании Silizium Networks совсем не скромные: к 2025 году заместить импорт аналоговых радиочастотных IP-устройств в Индии отечественными IP-устройствами Silizium Circuits, а к 2030 году стать крупнейшим в Индии экспортером аналоговых радиочастотных IP-устройств. Через 5 лет компания намерена стать самым востребованным аналоговым радиочастотным IP-брендом во всем мире.
@RUSmicro по материалам DigiTimes Asia
Индийский стартап в области разработки микросхем, Silizium Networks, получил поддержку правительства Тайваня
Компания уже выпустила 2 полупроводниковых чипа, сотрудничая с TSMC, еще несколько находятся в стадии разработки. Акселератор TTA в Тайнане помогает компании налаживать партнерские отношения в местной экосистеме.
В сотрудничестве с TSMC был создан первый продукт Silizium Networks - радиочастотный чип на базе кремниевого техпроцесса КМОП 180 нм, а недавно успешно выпущен второй. Silizum также работает над чипами на базе GaAs (с планами выпуска в конце августа) и GAN (для изделий с высокой мощностью) в сотрудничестве с другими тайваньскими контрактными производителями.
Компания Silizium Networks основана в сентябре 2020 году, получила поддержку от Министерства электроники и информационных технологий Индии, департамента телекоммуникаций и ряда других организаций и ведомств.
Первый проект компании позволил завершить цикл разработки чипа всего за 9 месяцев, причем изделие компании обладает параметрами «сравнимыми с производительностью изделий ведущих глобальных брендов, или даже превосходящими их». Это позволило стартапу получить награду «Самый многообещающий полупроводниковый стартап" от Индийской ассоциации электроники и полупроводниковых приборов (IESA) и первое место в аналогичной категории от Ассоциации электронной промышленности Индии (ELCINA).
Цели компании Silizium Networks совсем не скромные: к 2025 году заместить импорт аналоговых радиочастотных IP-устройств в Индии отечественными IP-устройствами Silizium Circuits, а к 2030 году стать крупнейшим в Индии экспортером аналоговых радиочастотных IP-устройств. Через 5 лет компания намерена стать самым востребованным аналоговым радиочастотным IP-брендом во всем мире.
@RUSmicro по материалам DigiTimes Asia
DIGITIMES
Silizium Circuits achieves milestone with TSMC, plans further semiconductor innovations
Indian semiconductor startup Silizium Circuits is a promising company receiving support from the Taiwan government and stationed at the Tainan site of Taiwan Tech Arena (TTA-South), looking to deepen its network and build partnerships in the local semiconductor…
❤1👍1
🇷🇺 Производство ВОЛС. Производство преформ
В России планируют построить завод по производству кварцевых преформ, стержней диаметром от 1 до 10 см длиной около метра, из которых делают оптическое волокно, сырье для волоконно-оптических кабелей. Оценки объема вложений – от 10 до 20 млрд рублей. Стройку такого производства можно осилить за пару лет.
Оптоволокно в России выпускают и сейчас, силами предприятия Оптиковолоконные системы (ОВС), Мордовия, на основе преформ, закупаемых в Индии и Китае, но поскольку стоимость российского оптоволокна - выше мировой, на российском рынке массовым спросом оно не пользуется. Его покупают в основном для использования в российских госпроектах, например, для TEA Next и некоторых других проектов Ростелеком. Для строительства других сетей используется покупной зарубежный кабель или российский кабель на основе импортного волокна. Кабели из отечественного и зарубежного волокна выпускает несколько российских предприятий, включая, например, пермский Инкаб.
В ОВС свою долю российского рынка оптоволокна оценивают в 20-30%. На днях ОВС учредила дочернюю компанию ОВС Кварц, которая должна заняться проектом создания завода по производству преформ.
Может ли быть решена проблема себестоимости?
Сомнительно. Себестоимость критически зависит от объема выпуска – низкая себестоимость достигается при объемах выпуска в десятки миллионов километров. Российский рынок оптоволокна – небольшой, его оценивают примерно в 6 млн км в год, к тому же в последние годы потребление оптоволоконных кабелей в России падает. Это практически не оставляет возможности добиться себестоимости волокна, сопоставимой с той, что предлагают китайские поставщики.
Из плюсов – качество российского оптоволокна достигает мирового уровня. По данным TK Solutions в России в 2023 году произвели 2,9 тыс км волоконно-оптических кабелей.
@RUSmicro по материалам КоммерсантЪ
В России планируют построить завод по производству кварцевых преформ, стержней диаметром от 1 до 10 см длиной около метра, из которых делают оптическое волокно, сырье для волоконно-оптических кабелей. Оценки объема вложений – от 10 до 20 млрд рублей. Стройку такого производства можно осилить за пару лет.
Оптоволокно в России выпускают и сейчас, силами предприятия Оптиковолоконные системы (ОВС), Мордовия, на основе преформ, закупаемых в Индии и Китае, но поскольку стоимость российского оптоволокна - выше мировой, на российском рынке массовым спросом оно не пользуется. Его покупают в основном для использования в российских госпроектах, например, для TEA Next и некоторых других проектов Ростелеком. Для строительства других сетей используется покупной зарубежный кабель или российский кабель на основе импортного волокна. Кабели из отечественного и зарубежного волокна выпускает несколько российских предприятий, включая, например, пермский Инкаб.
В ОВС свою долю российского рынка оптоволокна оценивают в 20-30%. На днях ОВС учредила дочернюю компанию ОВС Кварц, которая должна заняться проектом создания завода по производству преформ.
Может ли быть решена проблема себестоимости?
Сомнительно. Себестоимость критически зависит от объема выпуска – низкая себестоимость достигается при объемах выпуска в десятки миллионов километров. Российский рынок оптоволокна – небольшой, его оценивают примерно в 6 млн км в год, к тому же в последние годы потребление оптоволоконных кабелей в России падает. Это практически не оставляет возможности добиться себестоимости волокна, сопоставимой с той, что предлагают китайские поставщики.
Из плюсов – качество российского оптоволокна достигает мирового уровня. По данным TK Solutions в России в 2023 году произвели 2,9 тыс км волоконно-оптических кабелей.
@RUSmicro по материалам КоммерсантЪ
🤔2
🔥 Господдержка. Регулирование
До вчерашней публикации в КоммерсантЪ добрался только сегодня. Она посвящена теме господдержки отрасли.
В 2023 году власти выделили около 147 млрд руб. на развитие отрасли микроэлектронной продукции в России, это заметно больше чем 30 млрд руб. в 2020 году – по данным Kept (ранее KPMG в России). В 2024 году прогнозируется объем господдержки в размере 211 млрд руб. в рамках ряда госпрограмм.
Основные направления поддержки:
🔹 формирование и стимулирование спроса (госрегулирование в рамках госзакупок), 44-ФЗ, 223-ФЗ
🔹 финансовая поддержка инвестиционных проектов, ПП №109, ПП №1252.
🔹 налоговые льготы (ограничены перечнем кодов, который охватывает не все продуктовые направления)
Минусы текущего формата формирования и стимулирования спроса в том, что стимулируется локализация сборки, но не локализация разработки, слабо учитывается применение российских электронных компонентов.
Финансовая поддержка инвестпроектов стимулирует разработку, но любую, можно приобретать конструкторскую документацию за рубежом, не занимаясь собственной.
Сохраняется проблема получения госсубсидий малыми компаниями – сложен процесс обращения за грантами, трудно обосновать выделение средств, чиновники больше опасаются невозврата вложенных средств.
В целом в отрасли оценивают динамику развития мер господдержки, как положительную, но надеются, что повысится стратегичность и охват мер, будет сделан акцент на слабые на сегодня места –производство памяти, процессоров, образовательные программы для подготовки качественных кадров, локализацию разработки.
Я по прежнему уверен, что господдержка в сложившихся условиях дает двойственный эффект.
С одной стороны, для гигантских проектов, связанных, например, с сооружением фабрик или разработкой фотолитографов и другого сложного оборудования, господдержка, вероятно, практически неизбежна: у бизнеса просто нет ресурсов (и стимула) делать объемные и долгие инвестиции в современных условиях.
С другой стороны, массированная и недостаточно продуманная господдержка - это искусственное вмешательство в бизнес, которое может мешать конкуренции, позволяет избранным не особо волноваться о качестве, которое в целом разрушает рыночные механизмы. Не буду упоминать про коррупционный потенциал мер поддержки. Про опасность разрушения перспективных бизнесов по формальным причинам, например, если компания по объективным рыночным причинам (вне ее контроля!) не вписалась в критерии оценки чиновниками эффективности использования средств.
В условиях, когда правительства практически в каждой стране, участвующей в конкуренции за локальный и глобальный рынок микроэлектроники, состязаются в мощности мер господдержки, вряд ли можно удивляться тому, что это делается и в России. Остается только работать над тем, чтобы эти меры проходили фильтр критерия "не навреди" и был бы налажен активный диалог регуляторов с отраслью на предмет постоянной "тонкой настройки" принимаемых мер по результатам их применения.
До вчерашней публикации в КоммерсантЪ добрался только сегодня. Она посвящена теме господдержки отрасли.
В 2023 году власти выделили около 147 млрд руб. на развитие отрасли микроэлектронной продукции в России, это заметно больше чем 30 млрд руб. в 2020 году – по данным Kept (ранее KPMG в России). В 2024 году прогнозируется объем господдержки в размере 211 млрд руб. в рамках ряда госпрограмм.
Основные направления поддержки:
🔹 формирование и стимулирование спроса (госрегулирование в рамках госзакупок), 44-ФЗ, 223-ФЗ
🔹 финансовая поддержка инвестиционных проектов, ПП №109, ПП №1252.
🔹 налоговые льготы (ограничены перечнем кодов, который охватывает не все продуктовые направления)
Минусы текущего формата формирования и стимулирования спроса в том, что стимулируется локализация сборки, но не локализация разработки, слабо учитывается применение российских электронных компонентов.
Финансовая поддержка инвестпроектов стимулирует разработку, но любую, можно приобретать конструкторскую документацию за рубежом, не занимаясь собственной.
Сохраняется проблема получения госсубсидий малыми компаниями – сложен процесс обращения за грантами, трудно обосновать выделение средств, чиновники больше опасаются невозврата вложенных средств.
В целом в отрасли оценивают динамику развития мер господдержки, как положительную, но надеются, что повысится стратегичность и охват мер, будет сделан акцент на слабые на сегодня места –производство памяти, процессоров, образовательные программы для подготовки качественных кадров, локализацию разработки.
Я по прежнему уверен, что господдержка в сложившихся условиях дает двойственный эффект.
С одной стороны, для гигантских проектов, связанных, например, с сооружением фабрик или разработкой фотолитографов и другого сложного оборудования, господдержка, вероятно, практически неизбежна: у бизнеса просто нет ресурсов (и стимула) делать объемные и долгие инвестиции в современных условиях.
С другой стороны, массированная и недостаточно продуманная господдержка - это искусственное вмешательство в бизнес, которое может мешать конкуренции, позволяет избранным не особо волноваться о качестве, которое в целом разрушает рыночные механизмы. Не буду упоминать про коррупционный потенциал мер поддержки. Про опасность разрушения перспективных бизнесов по формальным причинам, например, если компания по объективным рыночным причинам (вне ее контроля!) не вписалась в критерии оценки чиновниками эффективности использования средств.
В условиях, когда правительства практически в каждой стране, участвующей в конкуренции за локальный и глобальный рынок микроэлектроники, состязаются в мощности мер господдержки, вряд ли можно удивляться тому, что это делается и в России. Остается только работать над тем, чтобы эти меры проходили фильтр критерия "не навреди" и был бы налажен активный диалог регуляторов с отраслью на предмет постоянной "тонкой настройки" принимаемых мер по результатам их применения.
Коммерсантъ
Электронные меры
Как устроена господдержка микроэлектроники в России
👍1🔥1🤔1👌1
🇺🇸 EDA | САПР микросхем
Американская Cadence Design Systems прогнозирует небольшое снижение выручки и прибыли в 3q2024
Это связано, прежде всего, с жесткой конкуренцией со стороны другого американского производителя ПО для проектирования микросхем – компании Synopsys. Известно о процессе сделки Synopsys по покупке конкурента – компании Ansys за $35 млрд, что должно укрепить и без того мощные позиции Synopsys в высококонцентрированной отрасли ПО для автоматизированного проектирования микросхем.
У Cadence в целом неплохие позиции на рынке, среди пользователей ее ПО – такие гранды рынка, как Arm Holdings и TSMC, а также Tesla. Выручку на рынке в 3q2024 Cadence прогнозирует в диапазоне $1,165-$1,195 млрд, меньше прогнозов аналитиков.
Тем не менее, это больше, чем выручка за 2q2024 - $1,06 млрд. При этом прогноз выручки в целом за 2024 год компания, напротив, слегка повысила – до $4,6 - $4,66 млрд за год.
Рынок ПО для проектирования микросхем в России практически поделен между американским ПО Synopsys и Cadence Design Systems и Siemens EDA от Siemens AG, Германия (ранее известной как Mentor Graphics). Отечественные разработки ПО идут, но пока что говорить об успехах импортзамещении в этой области вряд ли уместно.
Определенная экспертиза в этой области в РФ есть, до известных событий в Москве действовал центр разработки Cadence, у Synopsys был центр R&D в Санкт-Петербурге, у Mentor Graphics он был в Москве с 2008 года.
Можно вспомнить российскую САПР Симика (ООО Интегральные решения). Несколько лет тому назад этот продукт поддерживал, например, PDK фабрики X-Fab для технологии XH035 и PDK индийской фабрики SCL. К сожалению давно не слышал новостей о ней, соответствующий раздел официального сайта компании не обновляется.
Также можно вспомнить НПК "Технологический центр" (SMCTC), которая разрабатывает САПР для разработки специализированных БИС и т.п., например, Ковчег (САПР БИС "Ковчег" предназначен для разработки КМОП БИС на основе базовых матричных кристаллов серий 5503, 5507, 5521, 5528 и 5529 объёмом от 650 до 1200000 условных вентилей),
Мировой рынок САПР проектирования микросхем можно оценить в $10-$12 млрд в год - от него было бы вполне интересно откусить кусочек, если бы это оказалось возможным.
@RUSmicro по материалам Reuters
Американская Cadence Design Systems прогнозирует небольшое снижение выручки и прибыли в 3q2024
Это связано, прежде всего, с жесткой конкуренцией со стороны другого американского производителя ПО для проектирования микросхем – компании Synopsys. Известно о процессе сделки Synopsys по покупке конкурента – компании Ansys за $35 млрд, что должно укрепить и без того мощные позиции Synopsys в высококонцентрированной отрасли ПО для автоматизированного проектирования микросхем.
У Cadence в целом неплохие позиции на рынке, среди пользователей ее ПО – такие гранды рынка, как Arm Holdings и TSMC, а также Tesla. Выручку на рынке в 3q2024 Cadence прогнозирует в диапазоне $1,165-$1,195 млрд, меньше прогнозов аналитиков.
Тем не менее, это больше, чем выручка за 2q2024 - $1,06 млрд. При этом прогноз выручки в целом за 2024 год компания, напротив, слегка повысила – до $4,6 - $4,66 млрд за год.
Рынок ПО для проектирования микросхем в России практически поделен между американским ПО Synopsys и Cadence Design Systems и Siemens EDA от Siemens AG, Германия (ранее известной как Mentor Graphics). Отечественные разработки ПО идут, но пока что говорить об успехах импортзамещении в этой области вряд ли уместно.
Определенная экспертиза в этой области в РФ есть, до известных событий в Москве действовал центр разработки Cadence, у Synopsys был центр R&D в Санкт-Петербурге, у Mentor Graphics он был в Москве с 2008 года.
Можно вспомнить российскую САПР Симика (ООО Интегральные решения). Несколько лет тому назад этот продукт поддерживал, например, PDK фабрики X-Fab для технологии XH035 и PDK индийской фабрики SCL. К сожалению давно не слышал новостей о ней, соответствующий раздел официального сайта компании не обновляется.
Также можно вспомнить НПК "Технологический центр" (SMCTC), которая разрабатывает САПР для разработки специализированных БИС и т.п., например, Ковчег (САПР БИС "Ковчег" предназначен для разработки КМОП БИС на основе базовых матричных кристаллов серий 5503, 5507, 5521, 5528 и 5529 объёмом от 650 до 1200000 условных вентилей),
Мировой рынок САПР проектирования микросхем можно оценить в $10-$12 млрд в год - от него было бы вполне интересно откусить кусочек, если бы это оказалось возможным.
@RUSmicro по материалам Reuters
Reuters
Chip design software firm Cadence forecasts third-quarter results below estimates
Chip design software maker Cadence Design Systems forecast third-quarter revenue and profit below Wall Street estimates on Monday, indicating stiff competition from rival Synopsys .
🙈3❤1👍1
🇰🇷 Производство высокопроизводительной памяти. Корея
Подтверждается, что в Samsung все же сумели «допилить» техпроцесс HBM3
Недавно мы узнали, что Samsung начала массовое производство чипов HBM3 (четвертое поколение высокоскоростной памяти). https://news.1rj.ru/str/RUSmicro/5735 Сегодня Reuters рассказывает, что эти чипы был одобрены Nvidia, но есть нюанс – пока что только для использования в предназначенных для китайского рынка Nvidia H20.
По-прежнему не завершено тестирование Nvidia чипов Samsung HBM3E (пятое поколение) – идет оно не первую неделю. В связи с этим принято вспоминать, что корейская SK Hynix, основной конкурент Samsung на поприще чипов памяти, поставляет чипы HBM3E своей разработки и производства с марта 2024 года, а HBM3 – с июня 2022 года.
В мире на рынке HBM почти монопольно царит Корея. У американской Micron Technology доля рынка – 3-5%, остальное делят SK Hynix и Samsung Electronics. Рост спроса на микросхемы HBM формируют Nvidia, Advanced Micro Devices и Intel.
Дополнительные шансы для востребованности продукции HBM3 компании Samsung дает тот факт, что SK Hynix стремится нарастить выпуск HBM3E, переиспользуя производственные мощности на которых выпускается память HBM3. Это может переключить часть спроса на продукцию Samsung.
Начало поставок Samsung HBM3 для производства Nvidia H20 ожидается уже в августе. В соответствии с экспортными ограничениями США, мощность H20 значительно ограничена по сравнению с предназначенными для американского рынка H100.
После не слишком удачного старта продаж H20 в 2024 году, объемы спроса начали быстро расти.
Что до третьего участника рынка HBM3E, то есть американской компании Micron, то он тоже заявила, что будет поставлять Nvidia память HBM3E. Но с какого момента – пока не ясно.
@RUSmicro по материалам Reuters
Подтверждается, что в Samsung все же сумели «допилить» техпроцесс HBM3
Недавно мы узнали, что Samsung начала массовое производство чипов HBM3 (четвертое поколение высокоскоростной памяти). https://news.1rj.ru/str/RUSmicro/5735 Сегодня Reuters рассказывает, что эти чипы был одобрены Nvidia, но есть нюанс – пока что только для использования в предназначенных для китайского рынка Nvidia H20.
По-прежнему не завершено тестирование Nvidia чипов Samsung HBM3E (пятое поколение) – идет оно не первую неделю. В связи с этим принято вспоминать, что корейская SK Hynix, основной конкурент Samsung на поприще чипов памяти, поставляет чипы HBM3E своей разработки и производства с марта 2024 года, а HBM3 – с июня 2022 года.
В мире на рынке HBM почти монопольно царит Корея. У американской Micron Technology доля рынка – 3-5%, остальное делят SK Hynix и Samsung Electronics. Рост спроса на микросхемы HBM формируют Nvidia, Advanced Micro Devices и Intel.
Дополнительные шансы для востребованности продукции HBM3 компании Samsung дает тот факт, что SK Hynix стремится нарастить выпуск HBM3E, переиспользуя производственные мощности на которых выпускается память HBM3. Это может переключить часть спроса на продукцию Samsung.
Начало поставок Samsung HBM3 для производства Nvidia H20 ожидается уже в августе. В соответствии с экспортными ограничениями США, мощность H20 значительно ограничена по сравнению с предназначенными для американского рынка H100.
После не слишком удачного старта продаж H20 в 2024 году, объемы спроса начали быстро расти.
Что до третьего участника рынка HBM3E, то есть американской компании Micron, то он тоже заявила, что будет поставлять Nvidia память HBM3E. Но с какого момента – пока не ясно.
@RUSmicro по материалам Reuters
👍3🙈1
🇨🇳 Тренды. Мнения. Китай
В Китае ожидают «взрывной рост» производства полупроводников через 3-5 лет
Такое мнение высказал гендиректор производителя микросхем YMTC Чэнь Наньсян, он же – председатель Китайской ассоциации полупроводниковой промышленности (CSIA).
В основу этого явления может быть положена новая рыночная модель, вместо старой, основанной на университетах и исследовательских академиях.
Сейчас внимание сосредоточено на инновациях в промышленности, продуктах, услугах и бизнес-моделях, которые в конечном итоге должны будут принести пользу, - уверен Чэнь: «Индустрия микросхем в Китае еще не достигла взрывного роста, но этот день наступит в ближайшие 3-5 лет».
Интересное заявление: «Можно предсказать, что в самом ближайшем будущем важность технологии упаковки/корпусирования может превысить важность технологии микроэлектронного производства».
Еще одно мнение – Чэнь возлагает надежды на отечественную промышленность в области создания специализированных чипов, поскольку сейчас чипы часто создают для конкретных приложений.
Одна из инициатив Чэня на посту CSIA, - в июне 2023 года он предложил зарубежным вендорам производственного оборудования, который (из-за американских или других экспортных ограничений) более не может продолжать поставлять свое оборудование в Китай или вести его сервисное обслуживание, выкупить это оборудование у клиентов.
@RUSmicro по информации South China Morning Post
В Китае ожидают «взрывной рост» производства полупроводников через 3-5 лет
Такое мнение высказал гендиректор производителя микросхем YMTC Чэнь Наньсян, он же – председатель Китайской ассоциации полупроводниковой промышленности (CSIA).
В основу этого явления может быть положена новая рыночная модель, вместо старой, основанной на университетах и исследовательских академиях.
Сейчас внимание сосредоточено на инновациях в промышленности, продуктах, услугах и бизнес-моделях, которые в конечном итоге должны будут принести пользу, - уверен Чэнь: «Индустрия микросхем в Китае еще не достигла взрывного роста, но этот день наступит в ближайшие 3-5 лет».
Интересное заявление: «Можно предсказать, что в самом ближайшем будущем важность технологии упаковки/корпусирования может превысить важность технологии микроэлектронного производства».
Еще одно мнение – Чэнь возлагает надежды на отечественную промышленность в области создания специализированных чипов, поскольку сейчас чипы часто создают для конкретных приложений.
Одна из инициатив Чэня на посту CSIA, - в июне 2023 года он предложил зарубежным вендорам производственного оборудования, который (из-за американских или других экспортных ограничений) более не может продолжать поставлять свое оборудование в Китай или вести его сервисное обслуживание, выкупить это оборудование у клиентов.
@RUSmicro по информации South China Morning Post
South China Morning Post
Top chip executive says China will soon see ‘explosive’ semiconductor growth
Chen Nanxiang, who also chairs China’s top chip industry association, said the country will benefit from new applications and packaging technologies, as Moore’s Law slows.
👍4😁1
🇮🇳 Участники глобального рынка полупроводников. Госполитика. Индия
Сможет ли правительство Моди и $15,2 млрд господдержки превратить Индию в полупроводниковую державу?
В феврале 2024 года правительство Моди одобрило инвестиции на сумму $15,2 млрд в создание в Индии фабов по производству полупроводников.
Генеральным «партнером» правительства выступает индийская Tata Group, которая в партнерстве с тайваньской Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. планирует построить крупное производство чипов в Гуджарате с объемом производств порядка 50 тысяч пластин в месяц. Выход на такие мощности планируется к концу 2026 года. Запланированный объем инвестиций - $11 млрд.
Кроме непосредственного производства пластин, проект предусматривает создание предприятий по сборке/корпусированию совместно с партнерами из Японии, Тайваня и Таиланда.
Стратегические планы Tata Group – нарастить мощность полупроводниковой промышленности Индии до $110 млрд к 2030 году, чтобы обслужить до 10% глобального спроса. Несмотря на грандиозность планов, идеи высказываются достаточно трезвые, в частности, цели самодостаточности заявляются только в отдельных секторах.
В сентябре 2023 года американская компания Micron Technology запустила строительство в Индии завода, который должен быть готов заниматься корпусированием и тестированием чипов с начала 2025 года. Инвестиции в этот проект оцениваются на уровне $2,75 млрд.
Важно отметить, что в Индии не пытаются сосредоточиться на каком-то отдельном сегменте отрасли производства полупроводников, но стараются создать экосистему – от исследований и разработок, проектирования – до производства чипов и сборки-тестирования микросхем. Не остались без внимания темы обучения/подготовки персонала.
Столь масштабные задачи не могут быть решены быстро. Индии потребуются десятилетия для того, чтобы достичь уровня развития полупроводниковой экосистемы ряда других стран. Есть множество внутренних ограничений – сложностей с земельными, энергетическими и водными ресурсами, высокие таможенные пошлины и т.п. Субсидиями эти вопросы не решить.
В правительстве Индии, конечно, хотели бы более быстрого достижения результатов. Министр Вайшнау заявил, что в течение следующих 5 лет Индия войдет в число 5 ведущих стран по производству полупроводников – вряд ли эти планы можно признать реальными.
Кроме проблем у Индии есть и возможности. Сильные стороны Индии – большой внутренний спрос, позитивная демографическая ситуация, экспертиза в области проектирования микросхем. Эти сильные стороны вполне могут помочь правительству привлекать инвестиции, внутренние и зарубежные.
В январе 2024 году Foxconn объявила о создании нового СП с индийской группой HCL – с планами нового (вторая попытка Foxconn) выхода в индийский сектор полупроводников, - планируется создать предприятие по сборке и тестированию полупроводников.
И, тем не менее, еще минимум 10 лет, Индия будет оставаться зависимой от импорта полупроводников из-за масштабного внутреннего спроса, который превышает местное предложение. Так что даже самые активные инициативы правительства Индии – это важные, но маленькие шаги в сторону превращения страны в значимого участника глобального рынка полупроводников.
@RUSmicro по материалам South China Morning Post
Сможет ли правительство Моди и $15,2 млрд господдержки превратить Индию в полупроводниковую державу?
В феврале 2024 года правительство Моди одобрило инвестиции на сумму $15,2 млрд в создание в Индии фабов по производству полупроводников.
Генеральным «партнером» правительства выступает индийская Tata Group, которая в партнерстве с тайваньской Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. планирует построить крупное производство чипов в Гуджарате с объемом производств порядка 50 тысяч пластин в месяц. Выход на такие мощности планируется к концу 2026 года. Запланированный объем инвестиций - $11 млрд.
Кроме непосредственного производства пластин, проект предусматривает создание предприятий по сборке/корпусированию совместно с партнерами из Японии, Тайваня и Таиланда.
Стратегические планы Tata Group – нарастить мощность полупроводниковой промышленности Индии до $110 млрд к 2030 году, чтобы обслужить до 10% глобального спроса. Несмотря на грандиозность планов, идеи высказываются достаточно трезвые, в частности, цели самодостаточности заявляются только в отдельных секторах.
В сентябре 2023 года американская компания Micron Technology запустила строительство в Индии завода, который должен быть готов заниматься корпусированием и тестированием чипов с начала 2025 года. Инвестиции в этот проект оцениваются на уровне $2,75 млрд.
Важно отметить, что в Индии не пытаются сосредоточиться на каком-то отдельном сегменте отрасли производства полупроводников, но стараются создать экосистему – от исследований и разработок, проектирования – до производства чипов и сборки-тестирования микросхем. Не остались без внимания темы обучения/подготовки персонала.
Столь масштабные задачи не могут быть решены быстро. Индии потребуются десятилетия для того, чтобы достичь уровня развития полупроводниковой экосистемы ряда других стран. Есть множество внутренних ограничений – сложностей с земельными, энергетическими и водными ресурсами, высокие таможенные пошлины и т.п. Субсидиями эти вопросы не решить.
В правительстве Индии, конечно, хотели бы более быстрого достижения результатов. Министр Вайшнау заявил, что в течение следующих 5 лет Индия войдет в число 5 ведущих стран по производству полупроводников – вряд ли эти планы можно признать реальными.
Кроме проблем у Индии есть и возможности. Сильные стороны Индии – большой внутренний спрос, позитивная демографическая ситуация, экспертиза в области проектирования микросхем. Эти сильные стороны вполне могут помочь правительству привлекать инвестиции, внутренние и зарубежные.
В январе 2024 году Foxconn объявила о создании нового СП с индийской группой HCL – с планами нового (вторая попытка Foxconn) выхода в индийский сектор полупроводников, - планируется создать предприятие по сборке и тестированию полупроводников.
И, тем не менее, еще минимум 10 лет, Индия будет оставаться зависимой от импорта полупроводников из-за масштабного внутреннего спроса, который превышает местное предложение. Так что даже самые активные инициативы правительства Индии – это важные, но маленькие шаги в сторону превращения страны в значимого участника глобального рынка полупроводников.
@RUSmicro по материалам South China Morning Post
South China Morning Post
This Week In Asia | South China Morning Post
Exclusive updates and special features on Singapore, Malaysia, Philippines, India and Australasia, as well as analysis of China's relations with Asian countries.
👍2
🎓 🇷🇺 Образование. Мнения. Интервью
Вашему вниманию - интервью с Дмитрием Шевченко, ЛЭТИ, подготовленное пресс-службой института. Полностью можно почитать по ссылке.
Коротко:
🔹 Направление "Приборостроение" сейчас востребовано и будет таким оставаться в ближайшие 5 лет. Отрасль испытывает кадровый голод - это вызывает рост зарплат инженеров. Зарплаты выпускников стартуют уже от 70 тыр.
🔹 На работе сегодня готовы видеть вчерашнего бакалавра, без опыта работы, причем иногда даже с возможностью совмещения работы с обучением в магистратуре.
🔹 Крупные предприятия типа питерского Радар-ммс могут платить инженеру-схемотехнику на старте - 150 тыр. Но и требования таких компаний выше - они предпочитают магистров или выпускников СПО (на монтаж), а не бакалавров.
🔹 Востребованы не только "железячники", но и программисты, например, по направлению программирования индустриальных контроллеров (PLC, ПЛИС-систем) - зарплаты начинаются от 180 тыр.
🔹 Человек с хорошим опытом в специальности может рассчитывать на сравнительно быстрый рост зарплаты при переходе между различными компаниями. Сейчас для таких специалистов стартовые зарплаты в 250 тыр - реальность, компании постоянно перекупают кадры друг у друга.
🔹 Образование, которое дает ЛЭТИ в области приборостроения - универсальное, можно затем работать в разных сферах, даже не имея соответствующей специализации (например, разрабатывать приборы для медицины).
Вашему вниманию - интервью с Дмитрием Шевченко, ЛЭТИ, подготовленное пресс-службой института. Полностью можно почитать по ссылке.
Коротко:
🔹 Направление "Приборостроение" сейчас востребовано и будет таким оставаться в ближайшие 5 лет. Отрасль испытывает кадровый голод - это вызывает рост зарплат инженеров. Зарплаты выпускников стартуют уже от 70 тыр.
🔹 На работе сегодня готовы видеть вчерашнего бакалавра, без опыта работы, причем иногда даже с возможностью совмещения работы с обучением в магистратуре.
🔹 Крупные предприятия типа питерского Радар-ммс могут платить инженеру-схемотехнику на старте - 150 тыр. Но и требования таких компаний выше - они предпочитают магистров или выпускников СПО (на монтаж), а не бакалавров.
🔹 Востребованы не только "железячники", но и программисты, например, по направлению программирования индустриальных контроллеров (PLC, ПЛИС-систем) - зарплаты начинаются от 180 тыр.
🔹 Человек с хорошим опытом в специальности может рассчитывать на сравнительно быстрый рост зарплаты при переходе между различными компаниями. Сейчас для таких специалистов стартовые зарплаты в 250 тыр - реальность, компании постоянно перекупают кадры друг у друга.
🔹 Образование, которое дает ЛЭТИ в области приборостроения - универсальное, можно затем работать в разных сферах, даже не имея соответствующей специализации (например, разрабатывать приборы для медицины).
Яндекс Диск
Д.Шевченко, ЛЭТИ via RUSmicro.docx
Посмотреть и скачать с Яндекс Диска
👍7❤4👏2🤔1
♨️ Тренды. Геополитика и микроэлектроника
Кто выиграет от американской "войны чипов"?
В США предвыборная гонка заставляет изрядно нервничать бизнес. От победы республиканцев, в частности, ждут возможного введения высоких пошлин на закупку микроэлектроники за рубежом, что создаст сложности и возможности. Первых будет, видимо, заметно больше.
В этой ситуации поспешил высказаться руководитель TSMC, г-н Си Си Вэй (Wei), он обещает реализовать планы расширения за рубежом, независимо от того, кто станет следующим президентом США.
Это должно успокоить поставщиков, обеспечивающих строительство фабрики TSMC в Финиксе, Аризона в ситуации, когда ожидается, что Дональд Трамп сможет возобновить тарифную войну.
Кому-то введение экспортных барьеров сулит возможность заработать. Например, UMC, которая планирует производить чипы по технологии 12 нм на заводах Intel, начиная с 2027 года. А у Global Foundries есть планы на постройку 2-го завода рядом со штаб-квартирой в Мальте, штат Нью-Йорк.
Есть планы развертывания или модернизации производств в США еще у целого ряда компаний, включая Global Wafers, X-Fab, NXT Semiconductors и Samsung Electronics. Эти предприятия смогут получить выгоду от 60%-ных пошлин, если они будет введены на закупаемые за рубежом чипы.
TSMC по прежнему надеется запустить первую очередь производства на фабриках, сооружаемых в Фениксе, Аризона, США и в Кумамото, Япония в 2025 году. Соответственно, если к этому времени в США введут пошлины на закупку чипов за рубежом, то TSMC с производством в США окажется выигрыше.
Выиграет и Apple, которая намерена производить чипы для своих изделий на фабрике TSMC в Фениксе, Аризоне и упаковывать их на мощностях американской Amkor, сооружаемых в Пеории, Аризона.
Компания Apple рассчитывает на треть производственных мощностей американской TSMC для производства здесь своих чипов. Другим крупным клиентом, как ожидается, будет AMD.
Налоги на закупки чипов за рубежом могут привлечь клиентов к контрактным производственным мощностям Samsung в Остине и в Тейлоре, Техас.
Вполне вероятно, что увеличится объем заказов и у Intel, которая активно строится в аризонском Чандлере (Fab 52, Fab 62) и в Нью-Олбани, Огайо, США, а также в Рио-Ранчо, Нью-Мексико, США.
В то же время, в выигрыше окажутся лишь немногие из американских предприятий, закупающих чипы. Ведь большинство чипов, включая наиболее передовые, закупаемые США, производятся в Тайване. Если для них не будет сделано исключение (что вполне возможно), расходы американских предприятий на закупку микросхем резко вырастут.
@RUSmicro по материалам Digitimes Asia
Кто выиграет от американской "войны чипов"?
В США предвыборная гонка заставляет изрядно нервничать бизнес. От победы республиканцев, в частности, ждут возможного введения высоких пошлин на закупку микроэлектроники за рубежом, что создаст сложности и возможности. Первых будет, видимо, заметно больше.
В этой ситуации поспешил высказаться руководитель TSMC, г-н Си Си Вэй (Wei), он обещает реализовать планы расширения за рубежом, независимо от того, кто станет следующим президентом США.
Это должно успокоить поставщиков, обеспечивающих строительство фабрики TSMC в Финиксе, Аризона в ситуации, когда ожидается, что Дональд Трамп сможет возобновить тарифную войну.
Кому-то введение экспортных барьеров сулит возможность заработать. Например, UMC, которая планирует производить чипы по технологии 12 нм на заводах Intel, начиная с 2027 года. А у Global Foundries есть планы на постройку 2-го завода рядом со штаб-квартирой в Мальте, штат Нью-Йорк.
Есть планы развертывания или модернизации производств в США еще у целого ряда компаний, включая Global Wafers, X-Fab, NXT Semiconductors и Samsung Electronics. Эти предприятия смогут получить выгоду от 60%-ных пошлин, если они будет введены на закупаемые за рубежом чипы.
TSMC по прежнему надеется запустить первую очередь производства на фабриках, сооружаемых в Фениксе, Аризона, США и в Кумамото, Япония в 2025 году. Соответственно, если к этому времени в США введут пошлины на закупку чипов за рубежом, то TSMC с производством в США окажется выигрыше.
Выиграет и Apple, которая намерена производить чипы для своих изделий на фабрике TSMC в Фениксе, Аризоне и упаковывать их на мощностях американской Amkor, сооружаемых в Пеории, Аризона.
Компания Apple рассчитывает на треть производственных мощностей американской TSMC для производства здесь своих чипов. Другим крупным клиентом, как ожидается, будет AMD.
Налоги на закупки чипов за рубежом могут привлечь клиентов к контрактным производственным мощностям Samsung в Остине и в Тейлоре, Техас.
Вполне вероятно, что увеличится объем заказов и у Intel, которая активно строится в аризонском Чандлере (Fab 52, Fab 62) и в Нью-Олбани, Огайо, США, а также в Рио-Ранчо, Нью-Мексико, США.
В то же время, в выигрыше окажутся лишь немногие из американских предприятий, закупающих чипы. Ведь большинство чипов, включая наиболее передовые, закупаемые США, производятся в Тайване. Если для них не будет сделано исключение (что вполне возможно), расходы американских предприятий на закупку микросхем резко вырастут.
@RUSmicro по материалам Digitimes Asia
DIGITIMES
Who will benefit from a potential tariff war on chips?
With Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) chairman C. C. Wei promising to carry through overseas expansion plans regardless of the next US President, those securing TSMC's production capacities in its Arizona fab will gain some peace of mind…
🙈2
🇨🇳 🔬 Перспективные материалы. TMD
В Китае экспериментируют с TMD, добиваясь интересных результатов
Китайские ученые, команда под руководством Лю Кайхуэя (Пекинский университет), Лю Цаня (Университет Жэньминь), Чжан Гуанъюя (Институт физики Китайской академии наук), разработала метод изготовления полупроводникового материала толщиной 0.7 нм.
Выводы исследователей опубликованы в рецензируемом журнале Science. По заявлению ученых, они справились с ключевым барьером, который препятствовал уменьшению размеров кремниевых чипов.
В качестве альтернативы кремнию, ученые работали с так называемыми «двумерными» пленками дихалькогенидов переходных металлов (TMD). Это позволило им вместо типичных для кремния толщин в 5-10 нм формировать образцы TMD толщиной 0.7 нм.
Узлы из TMD потребляют меньше энергии, обладают превосходными свойствами переноса энергии. Это обеспечивает потенциал создания на их основе сверхтонких транзисторов, которые, как ожидаются, станут основой для создания электронных и фотонных чипов следующего поколения.
До сих пор производство слоев TMD оставалось сложной задачей. Разработанная китайскими учеными методика, позволяет производить высококачественные 2D-кристаллы по 7 различным рецептурам (дисульфид молибдена, диселенид молибдена, дисульфид вольфрама, диселенид вольфрама, дисульфид ниобия, диселенид ниобия и сульфоселенид молибдена), что обещает возможность применения данного подхода для массового производства.
Традиционный процесс, который основан на послойной сборке узла на подложке, напоминает строительство кирпичной стены. Этот процесс основан на слабо контролируемым расположении атомов, ему свойственно формирование дефектов и попадание примесей.
В новом методе первый слой на подложке формируется как и в традиционном процессе. Но затем атомы начинают добавляться между подложкой и первым кристаллическим слоем, что по мнению ученых, можно сравнить с ростом побегов бамбука.
Подход, когда идет «выращивание на границе раздела» гарантирует, что структура каждого нового кристаллического слоя определяется подложкой, что предотвращает накопление дефектов и повышает управляемость процесса.
В заявлении ученых на веб-сайте Пекинского университета, говорится о том, что метод, продемонстрированный в исследовании, позволил формировать кристаллические слои со скоростью 50 в минуту. Таким способом ученые формировали до 15 тысяч слоев за 5 часов.
«Расположение атомов в каждом слое совершенно параллельно и точно контролируется», - заявили в университете.
В перспективе, использование 2D-кристаллов TMD может заметно повлиять на рост плотности элементов в интегральных схемах, позволив в очередной раз «продлить» действие Закона Мура.
Можно вспомнить, что с 2D TMD структурами экспериментирует и Intel, в 2023 году компания показывала «двумерные» транзисторы с 2D TMD каналами. В частности, были представлены GAA 2D TMD PMOS-транзистор и 2D PMOS-транзистор на 300-мм пластине.
@RUSmicro по материалам South China Morning Post
В Китае экспериментируют с TMD, добиваясь интересных результатов
Китайские ученые, команда под руководством Лю Кайхуэя (Пекинский университет), Лю Цаня (Университет Жэньминь), Чжан Гуанъюя (Институт физики Китайской академии наук), разработала метод изготовления полупроводникового материала толщиной 0.7 нм.
Выводы исследователей опубликованы в рецензируемом журнале Science. По заявлению ученых, они справились с ключевым барьером, который препятствовал уменьшению размеров кремниевых чипов.
В качестве альтернативы кремнию, ученые работали с так называемыми «двумерными» пленками дихалькогенидов переходных металлов (TMD). Это позволило им вместо типичных для кремния толщин в 5-10 нм формировать образцы TMD толщиной 0.7 нм.
Узлы из TMD потребляют меньше энергии, обладают превосходными свойствами переноса энергии. Это обеспечивает потенциал создания на их основе сверхтонких транзисторов, которые, как ожидаются, станут основой для создания электронных и фотонных чипов следующего поколения.
До сих пор производство слоев TMD оставалось сложной задачей. Разработанная китайскими учеными методика, позволяет производить высококачественные 2D-кристаллы по 7 различным рецептурам (дисульфид молибдена, диселенид молибдена, дисульфид вольфрама, диселенид вольфрама, дисульфид ниобия, диселенид ниобия и сульфоселенид молибдена), что обещает возможность применения данного подхода для массового производства.
Традиционный процесс, который основан на послойной сборке узла на подложке, напоминает строительство кирпичной стены. Этот процесс основан на слабо контролируемым расположении атомов, ему свойственно формирование дефектов и попадание примесей.
В новом методе первый слой на подложке формируется как и в традиционном процессе. Но затем атомы начинают добавляться между подложкой и первым кристаллическим слоем, что по мнению ученых, можно сравнить с ростом побегов бамбука.
Подход, когда идет «выращивание на границе раздела» гарантирует, что структура каждого нового кристаллического слоя определяется подложкой, что предотвращает накопление дефектов и повышает управляемость процесса.
В заявлении ученых на веб-сайте Пекинского университета, говорится о том, что метод, продемонстрированный в исследовании, позволил формировать кристаллические слои со скоростью 50 в минуту. Таким способом ученые формировали до 15 тысяч слоев за 5 часов.
«Расположение атомов в каждом слое совершенно параллельно и точно контролируется», - заявили в университете.
В перспективе, использование 2D-кристаллов TMD может заметно повлиять на рост плотности элементов в интегральных схемах, позволив в очередной раз «продлить» действие Закона Мура.
Можно вспомнить, что с 2D TMD структурами экспериментирует и Intel, в 2023 году компания показывала «двумерные» транзисторы с 2D TMD каналами. В частности, были представлены GAA 2D TMD PMOS-транзистор и 2D PMOS-транзистор на 300-мм пластине.
@RUSmicro по материалам South China Morning Post
South China Morning Post
Have Chinese scientists cracked code to making ultra-thin semiconductor material?
Research by Chinese team addresses key barrier to reducing the size of traditional silicon-based chips.
👍4❤1
(2) Тема показалась мне интересной, хотя я не очень понял, как можно растить слои между подложкой и первым слоем.
Поэтому поискал первоисточник. Полностью текст не нашел, только краткое описание в Science.org
Речь, оказывается, шла о том, что авторы исследования перешли от обычных монослойных или гексагональных 2D TMD к так называемым Монокристаллам ромбоэдрических дихалькогенидов (3R-TMD). И наблюдали более высокую плотность тока и подвижность носителей, а также высокоэффективное нелинейное параметрическое преобразование с понижением частоты (скользящее сегнетоэлектричество и когерентно улучшенные нелинейные оптические отклики).
Со слоями так и не понял, как точно шел процесс из описания: "Цинь и другие непрерывано добавляли металлы и халькогены на интерфейс между монокристаллической никелевой подложкой и выращенными слоями, для формирования последовательности укладки слоев 3R". Авторы это называют методом межфазной эпитаксии.
Выращенный 3R-MoS2 показал подвижность при комнатной температуре до 155 и 190 квадратных сантиметров на вольт-секунду для двух- и трехслойных пленок соответственно. Генерация оптической разностной частоты с толстым 3R-MoS 2 показала заметно улучшенный нелинейный отклик в условиях квазифазового согласования (на пять порядков больше, чем у монослоев).
Еще больше подробностей - здесь: файл с подробностями https://www.science.org/action/downloadSupplement?doi=10.1126%2Fscience.ado6038&file=science.ado6038_sm.pdf
Поэтому поискал первоисточник. Полностью текст не нашел, только краткое описание в Science.org
Речь, оказывается, шла о том, что авторы исследования перешли от обычных монослойных или гексагональных 2D TMD к так называемым Монокристаллам ромбоэдрических дихалькогенидов (3R-TMD). И наблюдали более высокую плотность тока и подвижность носителей, а также высокоэффективное нелинейное параметрическое преобразование с понижением частоты (скользящее сегнетоэлектричество и когерентно улучшенные нелинейные оптические отклики).
Со слоями так и не понял, как точно шел процесс из описания: "Цинь и другие непрерывано добавляли металлы и халькогены на интерфейс между монокристаллической никелевой подложкой и выращенными слоями, для формирования последовательности укладки слоев 3R". Авторы это называют методом межфазной эпитаксии.
Выращенный 3R-MoS2 показал подвижность при комнатной температуре до 155 и 190 квадратных сантиметров на вольт-секунду для двух- и трехслойных пленок соответственно. Генерация оптической разностной частоты с толстым 3R-MoS 2 показала заметно улучшенный нелинейный отклик в условиях квазифазового согласования (на пять порядков больше, чем у монослоев).
Еще больше подробностей - здесь: файл с подробностями https://www.science.org/action/downloadSupplement?doi=10.1126%2Fscience.ado6038&file=science.ado6038_sm.pdf
Science
Interfacial epitaxy of multilayer rhombohedral transition-metal dichalcogenide single crystals
Rhombohedral-stacked transition-metal dichalcogenides (3R-TMDs), which are distinct from their hexagonal counterparts, exhibit higher carrier mobility, sliding ferroelectricity, and coherently enhanced nonlinear optical responses. However, surface ...
🤔2
🇳🇱 Участники рынка. Итоги 2q2024
NXP Semiconductors N.V. Без особого оптимизма
Выручка $3.13 млрд (-5% гг); свободный денежный - $577 млн.
Ключевые события:
🔹 сотрудничество с ZF Friedrichshafen AG над решениями на основе тяговых инверторов на основе SiC;
🔹 запуск 5-нм автомобильного процессора S32N55;
🔹 СП с Vanguard International Semiconductor Corp. с целью создания производства на пластинах 300 мм в Сингапуре.
📉 Заметно (-7% гг) снизились продажи основного продукта компании - автомобильных микроконтроллеров, до $1728 млрд.
📈 Умеренный рост показало направление полупроводников промышленного назначения, до $616 млн (+7%)
📈 Значительный рост показало направление компонентов для мобильной связи, $345 млн, +21% гг.
📉 Значительно просело направление решений телеком инфраструктуры и др. , $438 млн, -23% гг.
@RUSmicro по материалам NXP Semiconductors
NXP Semiconductors N.V. Без особого оптимизма
Выручка $3.13 млрд (-5% гг); свободный денежный - $577 млн.
Ключевые события:
🔹 сотрудничество с ZF Friedrichshafen AG над решениями на основе тяговых инверторов на основе SiC;
🔹 запуск 5-нм автомобильного процессора S32N55;
🔹 СП с Vanguard International Semiconductor Corp. с целью создания производства на пластинах 300 мм в Сингапуре.
📉 Заметно (-7% гг) снизились продажи основного продукта компании - автомобильных микроконтроллеров, до $1728 млрд.
📈 Умеренный рост показало направление полупроводников промышленного назначения, до $616 млн (+7%)
📈 Значительный рост показало направление компонентов для мобильной связи, $345 млн, +21% гг.
📉 Значительно просело направление решений телеком инфраструктуры и др. , $438 млн, -23% гг.
@RUSmicro по материалам NXP Semiconductors
👍4🙈1
🎓 Утонение пластин. Лазерное утонение
Разбор темы утонения пластин, с перечислением методов и оборудования - сегодня на Habr.
🔹 Механическое шлифование: риски повреждения поверхности пластины, сложность получения равномерной толщины, низкая стоимость оборудования
🔹 Химическое: минимизирует шероховатости, можно добиваться минимальной толщины, дорогие реактивы, низкая скорость (до 240 мкм/мин).
🔹 Ионное утонение: минимизирует шероховатости, можно добиваться минимальной толщины, крайне низкая скорость (0.1-0.2 мкм/мин), дорогое оборудование, сложность создания необходимых условий для его работы (вакуум).
🔹 Лазерное утонение: высокая скорость (до 22 куб.мм в час); нет расходных материалов, трудно получить малые толщины и малую шероховатость.
Напрашивается вывод о перспективности сочетания лазерного утонения и химического травления.
Разбор темы утонения пластин, с перечислением методов и оборудования - сегодня на Habr.
🔹 Механическое шлифование: риски повреждения поверхности пластины, сложность получения равномерной толщины, низкая стоимость оборудования
🔹 Химическое: минимизирует шероховатости, можно добиваться минимальной толщины, дорогие реактивы, низкая скорость (до 240 мкм/мин).
🔹 Ионное утонение: минимизирует шероховатости, можно добиваться минимальной толщины, крайне низкая скорость (0.1-0.2 мкм/мин), дорогое оборудование, сложность создания необходимых условий для его работы (вакуум).
🔹 Лазерное утонение: высокая скорость (до 22 куб.мм в час); нет расходных материалов, трудно получить малые толщины и малую шероховатость.
Напрашивается вывод о перспективности сочетания лазерного утонения и химического травления.
Хабр
Лазеры в электронике: утонение кремния
Сегодня мы поговорим про интересный процесс – утонение кремния. Лазерное утонение предлагает ряд преимуществ по сравнению с традиционными методами, повышая производительность и качество...
👍4
Forwarded from Сколтех
🆕 Учёные из Сколтеха и Университета Вупперталя (Германия) под научным руководством вице-президента по фотонике Сколтеха Павлоса Лагудакиса создали универсальный логический элемент NOR.
Он разработан на основе поляритонных конденсатов, функционирует при комнатной температуре, имеет множественные входы, может работать в сотни раз быстрее электронных аналогов, а также является полностью оптическим — то есть работает без участия электрического тока. Важно, что такие логические элементы можно воспроизводить и соединять в цепи, то есть каскадировать.
Исследование поддержано грантом РНФ, а результаты работы представлены в журнале Nature Communications.
Он разработан на основе поляритонных конденсатов, функционирует при комнатной температуре, имеет множественные входы, может работать в сотни раз быстрее электронных аналогов, а также является полностью оптическим — то есть работает без участия электрического тока. Важно, что такие логические элементы можно воспроизводить и соединять в цепи, то есть каскадировать.
«Мы впервые на практике реализовали каскадируемый оптический универсальный логический вентиль, а значит, наши эксперименты открывают путь к созданию полностью оптического вычислителя», — рассказал первый автор работы Денис Санников, заместитель руководителя Лаборатории гибридной фотоники в Центре фотоники и фотонных технологий Сколтеха.
Исследование поддержано грантом РНФ, а результаты работы представлены в журнале Nature Communications.
🔥13🤔6👍4👌4❤2👀1
🇰🇷 Итоги квартала. Участники рынка. Южная Корея
Компания SK Hynix Inc. сегодня объявила, что получила рекордную квартальную выручку в размере 16,42 трлн вон ($11,9 млрд), +125% год к году, операционную прибыль 5,47 трлн вон ($3,98 млрд), самую высокую за 6 лет при операционной марже 33% и чистую прибыль в размере 4,12 трлн вон при чистой марже 25%.
Компания объясняет эти успехи тем, что на рынке наблюдается непрерывный рост цен на продукцию DRAM и NAND при высоком спросе на память AI, включая HBM, что уже привело к росту выручки на 32% по сравнению с предыдущим кварталом.
В области DRAM корейская компания нарастила долю продуктов с высокой добавленной стоимостью, таких как HBM3E и DRAM для серверов, которые компания начала производить с марта 2024 года. В частности, продажи от HBM выросли на 80% квартал к кварталу и более чем на 250% год к году.
Выросли и продажи eSSD, на 50% квартал к кварталу. Средняя цена продажи (ASP) растет с 4q2023, обеспечив прибыль в течение двух кварталов подряд.
SK hunix прогнозирует рост спроса на серверную память ИИ в 2H2024, продолжатся и продажи высокопроизводительных продуктов памяти по мере выхода на рынок новых ПК и мобильных продуктов с поддержкой ИИ (on-device AI). В компании ожидают, что рынок продуктов памяти общего назначения также будет расти устойчиво.
Компания надеется удержать лидерство на рынке HBM путем массового производства 12-слойных продуктов HBM3E.
Кроме того, компания планирует выпустить микросхемы 32 Гб DDR5 DRAM для серверов и MCR DIMM (Multiplexer Combined Ranks Dual In-line Memory Module – модульный проект, где несколько DRAM связывает одна плата, в котором два ранга, основные блоки обработки информации работают одновременно) для высокопроизводительный вычислений в 2H2024, чтобы сохранить свои позиции в области DDR5, где компания – единственный поставщик продуктов с емкостью 265 ГБ для серверов.
В области NAND, SK Hynix планируют расширить продажи eSSD высокой емкости, чтобы стать лидером рынка во второй половине года с продуктами емкостью 60 ТБ, ожидая что продажи eSSD окажутся в 4 раза больше, чем годом ранее.
SK hynix работает над строительством фабрики M15X в Ченгджу с планами запуска массового производства на ней с 2H2025, чтобы справиться с растущим спросом на память ИИ. В марте 2025 года планируется начало стройки первой фабрики в полупроводниковом кластере Йонгин, с планами завершения в мае 2027 года.
SK hynix объяснила, что хотя готовые капитальные затраты могут оказаться выше, чем планировалось в начале 2024 года, компания будет обеспечивать их устойчивость за счет контроля денежного потока. Речь идет о планах инвестировать 103 трлн вон ($75 млрд), из них $60 млрд - будет вложено в разработку HBM.
@RUSmicro по материалам techpowerup.com
Компания SK Hynix Inc. сегодня объявила, что получила рекордную квартальную выручку в размере 16,42 трлн вон ($11,9 млрд), +125% год к году, операционную прибыль 5,47 трлн вон ($3,98 млрд), самую высокую за 6 лет при операционной марже 33% и чистую прибыль в размере 4,12 трлн вон при чистой марже 25%.
Компания объясняет эти успехи тем, что на рынке наблюдается непрерывный рост цен на продукцию DRAM и NAND при высоком спросе на память AI, включая HBM, что уже привело к росту выручки на 32% по сравнению с предыдущим кварталом.
В области DRAM корейская компания нарастила долю продуктов с высокой добавленной стоимостью, таких как HBM3E и DRAM для серверов, которые компания начала производить с марта 2024 года. В частности, продажи от HBM выросли на 80% квартал к кварталу и более чем на 250% год к году.
Выросли и продажи eSSD, на 50% квартал к кварталу. Средняя цена продажи (ASP) растет с 4q2023, обеспечив прибыль в течение двух кварталов подряд.
SK hunix прогнозирует рост спроса на серверную память ИИ в 2H2024, продолжатся и продажи высокопроизводительных продуктов памяти по мере выхода на рынок новых ПК и мобильных продуктов с поддержкой ИИ (on-device AI). В компании ожидают, что рынок продуктов памяти общего назначения также будет расти устойчиво.
Компания надеется удержать лидерство на рынке HBM путем массового производства 12-слойных продуктов HBM3E.
Кроме того, компания планирует выпустить микросхемы 32 Гб DDR5 DRAM для серверов и MCR DIMM (Multiplexer Combined Ranks Dual In-line Memory Module – модульный проект, где несколько DRAM связывает одна плата, в котором два ранга, основные блоки обработки информации работают одновременно) для высокопроизводительный вычислений в 2H2024, чтобы сохранить свои позиции в области DDR5, где компания – единственный поставщик продуктов с емкостью 265 ГБ для серверов.
В области NAND, SK Hynix планируют расширить продажи eSSD высокой емкости, чтобы стать лидером рынка во второй половине года с продуктами емкостью 60 ТБ, ожидая что продажи eSSD окажутся в 4 раза больше, чем годом ранее.
SK hynix работает над строительством фабрики M15X в Ченгджу с планами запуска массового производства на ней с 2H2025, чтобы справиться с растущим спросом на память ИИ. В марте 2025 года планируется начало стройки первой фабрики в полупроводниковом кластере Йонгин, с планами завершения в мае 2027 года.
SK hynix объяснила, что хотя готовые капитальные затраты могут оказаться выше, чем планировалось в начале 2024 года, компания будет обеспечивать их устойчивость за счет контроля денежного потока. Речь идет о планах инвестировать 103 трлн вон ($75 млрд), из них $60 млрд - будет вложено в разработку HBM.
@RUSmicro по материалам techpowerup.com
🙈2👍1
🇺🇸 Господдержка. Корпусирование Участники рынка. США
Министерство торговли США заявило о планах выделения Amkor Technology до $400 млн в виде государственных грантов для финансирования запланированного компанией строительства предприятия в Пеории, Аризона, для корпусирования чипов с общими инвестициями в $2 млрд.
Этот завод должен стать крупнейшим в своем сегменте в США.
Минторг также планирует выделить для Amkor $200 млн в виде займа, а также компания будет иметь право на 25% инвестиционный налоговый кредит.
Как ожидается, Apple станет одним из заказчиков, который будет корпусировать у Amkor Technology свои чипы и чиплеты, произведенные на Fab 21 TSMC в Фениксе, Аризона.
В 2023 году Министерство торговли заявило, что планирует потратить $3 млрд на поддержку усовершенствованной упаковки в США.
Деньги будут выделены в рамках американского Закона о чипах. В списке получателей американские и зарубежные компании, обустраивающие или расширяющие бизнес в США - Intel, TSMC, Samsung, Micron, Global Foundries, Microchip Technology, Polar, Absolics, BAE Systems.
Министерство торговли США заявило о планах выделения Amkor Technology до $400 млн в виде государственных грантов для финансирования запланированного компанией строительства предприятия в Пеории, Аризона, для корпусирования чипов с общими инвестициями в $2 млрд.
Этот завод должен стать крупнейшим в своем сегменте в США.
Минторг также планирует выделить для Amkor $200 млн в виде займа, а также компания будет иметь право на 25% инвестиционный налоговый кредит.
Как ожидается, Apple станет одним из заказчиков, который будет корпусировать у Amkor Technology свои чипы и чиплеты, произведенные на Fab 21 TSMC в Фениксе, Аризона.
В 2023 году Министерство торговли заявило, что планирует потратить $3 млрд на поддержку усовершенствованной упаковки в США.
Деньги будут выделены в рамках американского Закона о чипах. В списке получателей американские и зарубежные компании, обустраивающие или расширяющие бизнес в США - Intel, TSMC, Samsung, Micron, Global Foundries, Microchip Technology, Polar, Absolics, BAE Systems.
🙈3👍1
🇰🇷 Участники рынка. Корея
SK hunix инвестирует в стройку первого из 4-х заводов в Йонъине $6,8 млрд
SK hynix заявила, что в стройку первого из 4-х запланированных заводов по производству чипов в Йонъине планируется вложить около 9,4 трлн вон ($6,8 млрд).
Производственный кластер в Йонъине должен стать основной для среднесрочного и долгосрочного сотрудничества. В составе кластера ожидается появление порядка 50 небольших местных фирм в отрасли производства микросхем.
Ожидается, что эти инвестиции обеспечат необходимое финансирование постройки первого завода до конца 2028 года, включая оплату необходимых коммунальных услуг – воды, электричества, поддержки бизнеса и услуг социального обеспечения.
Завод будет включать мини-фаб, он же – исследовательский центр, работающий с пластинами 300 мм. Он позволит отечественным производителям материалов для микросхем и оборудования тестировать свою продукцию в реалистичных условиях.
В июне 2024 года компания представила также планы инвестирования $3,87 млрд в создание передового завода по упаковке/корпусированию и научно-исследовательского центра для продуктов ИИ в Лафайете, Индиана, США.
@RUSmicro по материалам Reuters
SK hunix инвестирует в стройку первого из 4-х заводов в Йонъине $6,8 млрд
SK hynix заявила, что в стройку первого из 4-х запланированных заводов по производству чипов в Йонъине планируется вложить около 9,4 трлн вон ($6,8 млрд).
Производственный кластер в Йонъине должен стать основной для среднесрочного и долгосрочного сотрудничества. В составе кластера ожидается появление порядка 50 небольших местных фирм в отрасли производства микросхем.
Ожидается, что эти инвестиции обеспечат необходимое финансирование постройки первого завода до конца 2028 года, включая оплату необходимых коммунальных услуг – воды, электричества, поддержки бизнеса и услуг социального обеспечения.
Завод будет включать мини-фаб, он же – исследовательский центр, работающий с пластинами 300 мм. Он позволит отечественным производителям материалов для микросхем и оборудования тестировать свою продукцию в реалистичных условиях.
В июне 2024 года компания представила также планы инвестирования $3,87 млрд в создание передового завода по упаковке/корпусированию и научно-исследовательского центра для продуктов ИИ в Лафайете, Индиана, США.
@RUSmicro по материалам Reuters
👍2