Forwarded from ВНИИР|Экскурсии, стажировки, события
⚡️ На полях Форума «Микроэлектроника 2024» состоялось подписание соглашений о сотрудничестве между ВНИИ радиоэлектроники и 5 отраслевыми консорциумами.
🖋 Свои подписи под документами поставили руководители ВНИИР, АКРП, АНО «ТТ», Консорциумов «Пассивные Электронные Компоненты» и «Вычислительная техника», а также Ассоциации предприятий в сфере автомобильных электронных приборов и телематики.
📃 Соглашения позволят совместно решать широкий круг вопросов, в том числе в части выработки предложений по реализации государственной стратегии развития электронной промышленности.
Подробнее – на сайте ФГБУ «ВНИИР».
🖋 Свои подписи под документами поставили руководители ВНИИР, АКРП, АНО «ТТ», Консорциумов «Пассивные Электронные Компоненты» и «Вычислительная техника», а также Ассоциации предприятий в сфере автомобильных электронных приборов и телематики.
📃 Соглашения позволят совместно решать широкий круг вопросов, в том числе в части выработки предложений по реализации государственной стратегии развития электронной промышленности.
Подробнее – на сайте ФГБУ «ВНИИР».
❤5👍1
Forwarded from ВНИИР|Экскурсии, стажировки, события
❗️ В выставочном пространстве Форума «Микроэлектроника 2024» ВНИИ радиоэлектроники представил навигатор мер поддержки для организаций радиоэлектронной промышленности.
🤳 Разработка данного сервиса позволила сформировать карту-навигатор, включающую в себя более 170 приоритетных мер поддержки для организаций отрасли, более 70 операторов мер поддержки и 14 типов инструментов. Система QR-кодов позволяет получить оперативный доступ к информационным первоисточникам и нормативным правовым актам по каждой мере поддержки.
🔀 Карту-навигатор планируется разместить в виде отдельного сервиса ФГБУ «ВНИИР» до конца 2024 года – заинтересованные производители ЭКБ и РЭА получат возможность в интерактивном режиме подбирать необходимый набор мер поддержки с первичной оценкой сложности их получения и реализации.
🤳 Разработка данного сервиса позволила сформировать карту-навигатор, включающую в себя более 170 приоритетных мер поддержки для организаций отрасли, более 70 операторов мер поддержки и 14 типов инструментов. Система QR-кодов позволяет получить оперативный доступ к информационным первоисточникам и нормативным правовым актам по каждой мере поддержки.
🔀 Карту-навигатор планируется разместить в виде отдельного сервиса ФГБУ «ВНИИР» до конца 2024 года – заинтересованные производители ЭКБ и РЭА получат возможность в интерактивном режиме подбирать необходимый набор мер поддержки с первичной оценкой сложности их получения и реализации.
👍7❤2👏2⚡1
🇷🇺 Участники выставки. #Микроэлектроника2024. Россия
Микрон (входит в Элемент, резидент Технополис Москва) и Элрон (разработчик и производитель электронных приборов, резидент Новосибирского Научно-технического технопарка Академгородка), подписали соглашение о сотрудничестве в целях развития и и популяризации возможностей применения российского микроконтроллера MIK32 Амур (К1948ВК018) с ядром на RISC-V.
Компании договорились сотрудничать в развитии сценариев применения, включая образовательные, формировании сообщества и популяризации микроконтроллера MIK32 через проект Arduino-совместимых плат ELBEAR ACE-UNO, разрабатываемых и производимых Элроном.
Весной 2024 года Элрон при поддержке Микрона разработал полностью российскую Arduino-совместимую плату ELBEAR ACE-UNO под управлением микросхемы первого уровня для применения в образовательных и роботехнических проектах, управления различными исполнительными механизмами, освещением, получением информации от различных датчиков.
В числе новых разработок на базе MIK32 Амур - микроконтроллерные модули SOM ELSOMIK OEM, ELSOMIK SE, полетный контроллер, программатор ELJTAG для RISC-V микроконтроллеров. Эти новинки и другие возможности применения микронтроллера представлены на стенде ГК Элемент (стенд 14) и на стенде Элрона (стенд 32).
Компании приглашают заинтересованных к технологическому сотрудничеству и совместной проработке потенциальных сквозных проектов.
@RUSmicro
Микрон (входит в Элемент, резидент Технополис Москва) и Элрон (разработчик и производитель электронных приборов, резидент Новосибирского Научно-технического технопарка Академгородка), подписали соглашение о сотрудничестве в целях развития и и популяризации возможностей применения российского микроконтроллера MIK32 Амур (К1948ВК018) с ядром на RISC-V.
Компании договорились сотрудничать в развитии сценариев применения, включая образовательные, формировании сообщества и популяризации микроконтроллера MIK32 через проект Arduino-совместимых плат ELBEAR ACE-UNO, разрабатываемых и производимых Элроном.
«Необходимо обеспечивать доступность разработок, управляемых микроконтроллером, для школ,
образовательных центров, вузов и всех заинтересованных в разработке отечественной
электроники», - подчеркнула Гульнара Хасьянова, генеральный директор АО «Микрон».
«Считаем очень важным консолидировать усилия, создавать экосистему и обучать специалистов, которые знают, любят и умеют работать с российской компонентной базой», - сообщил Иван Лебедев, генеральный директор ООО «Элрон».
Весной 2024 года Элрон при поддержке Микрона разработал полностью российскую Arduino-совместимую плату ELBEAR ACE-UNO под управлением микросхемы первого уровня для применения в образовательных и роботехнических проектах, управления различными исполнительными механизмами, освещением, получением информации от различных датчиков.
В числе новых разработок на базе MIK32 Амур - микроконтроллерные модули SOM ELSOMIK OEM, ELSOMIK SE, полетный контроллер, программатор ELJTAG для RISC-V микроконтроллеров. Эти новинки и другие возможности применения микронтроллера представлены на стенде ГК Элемент (стенд 14) и на стенде Элрона (стенд 32).
Компании приглашают заинтересованных к технологическому сотрудничеству и совместной проработке потенциальных сквозных проектов.
@RUSmicro
👍14🔥4
🇰🇷 Чипы памяти. HBM. Южная Корея
Корейская SK Hynix справились с планами досрочно начать выпуск 12-слойных чипов HBM3E
Компания SK Hynix сообщила, что начала массовое производство 12-слойных чипов HBM3E с емкостью 36ГБ – рекордной на сегодня. Это чипы 4-го поколения. До сих пор максимальная емкость HBM3E чипов компании достигала 24 ГБ (при вертикальной сборке 8 чипов по 3 ГБ каждый).
Скорость чипа – 9.6 Гбит/с! Если запустить LLM модель Llama 3 70B на одном GPU, в котором использованы 4 HBM3E, она сможет считывать 70 млрд параметров 35 раз в секунду.
SK Hynix нарастила емкость на 50% за счет использования стека из 12 слоев чипов по 3 ГБ DRAM, причем толщина этого стека – точно такая же, как и у предыдущего 8-слойного продукта. Для этого компании пришлось сделать каждый из чипов на 40% тоньше чем ранее, а затем склеить их с использованием TSV-технологии.
Сказать легко, сделать было сложно, компании пришлось решать ряд сложностей из-за утонения чипов. Это было достигнуто за счет применения техпроцесса Advanced MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill). Этот процесс с использованием жидких материалов между чипами и их «закалка», оказался более эффективным и действенным, чем традиционный метод укладки пленочных материалов между слоями. Эта технология обеспечивает хороший контроль коробления и снижает давление на чипы.
Отгрузки нового продукта клиентам начнутся уже в 2024 году, что демонстрирует, как корейская компания сумела подготовить новый продукт всего через полгода после того, как выдала столь же передовой 8-слойный продукт HBM3E.
SK Hynix утверждает, что является единственной в мире компанией, которая разработала и поставляет всю линейку продуктов HBM от 1-го поколения (HBM1) до 5-го поколения (HBM3E). Компания намерена и далее лидировать на рынке чипов для ИИ, отвечая растущим потребностям производителей ИИ-ускорителей.
@RUSmicro по материалам PRnewswire
Корейская SK Hynix справились с планами досрочно начать выпуск 12-слойных чипов HBM3E
Компания SK Hynix сообщила, что начала массовое производство 12-слойных чипов HBM3E с емкостью 36ГБ – рекордной на сегодня. Это чипы 4-го поколения. До сих пор максимальная емкость HBM3E чипов компании достигала 24 ГБ (при вертикальной сборке 8 чипов по 3 ГБ каждый).
Скорость чипа – 9.6 Гбит/с! Если запустить LLM модель Llama 3 70B на одном GPU, в котором использованы 4 HBM3E, она сможет считывать 70 млрд параметров 35 раз в секунду.
SK Hynix нарастила емкость на 50% за счет использования стека из 12 слоев чипов по 3 ГБ DRAM, причем толщина этого стека – точно такая же, как и у предыдущего 8-слойного продукта. Для этого компании пришлось сделать каждый из чипов на 40% тоньше чем ранее, а затем склеить их с использованием TSV-технологии.
Сказать легко, сделать было сложно, компании пришлось решать ряд сложностей из-за утонения чипов. Это было достигнуто за счет применения техпроцесса Advanced MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill). Этот процесс с использованием жидких материалов между чипами и их «закалка», оказался более эффективным и действенным, чем традиционный метод укладки пленочных материалов между слоями. Эта технология обеспечивает хороший контроль коробления и снижает давление на чипы.
Отгрузки нового продукта клиентам начнутся уже в 2024 году, что демонстрирует, как корейская компания сумела подготовить новый продукт всего через полгода после того, как выдала столь же передовой 8-слойный продукт HBM3E.
SK Hynix утверждает, что является единственной в мире компанией, которая разработала и поставляет всю линейку продуктов HBM от 1-го поколения (HBM1) до 5-го поколения (HBM3E). Компания намерена и далее лидировать на рынке чипов для ИИ, отвечая растущим потребностям производителей ИИ-ускорителей.
@RUSmicro по материалам PRnewswire
👍7⚡1❤1😢1🙈1
🇷🇺 САПР. Отечественные продукты
Минпромторг представил «дорожную карту» развития систем САПР микроэлектроники
К 2030 году планируется создать 100 подобных программ, под разные техпроцессы, включая 28 нм. К 2030 году планируется продать 2.6 тысяч единиц САПР. После 2030 года в САПР планируют применять ИИ. (В зарубежных САПР проектирования микросхем ИИ уже применяет американская компания Synopsys, лидер рынка ПО автоматизированного проектирования).
Затраты на НИР и ОКР по «дорожной карте» составят 54.6 млрд руб до 2030 года. Ожидается, что выручка от реализации 12-ти поднаправлений САПР к 2030 году должна достичь 7.2 млрд руб, из них 3.6 млрд руб планируется выручить за САПР разработки микросхем.
Субсидии на эти работы будут выделяться в рамках ПП №2136 и ПП №529.
Одним из разработчиков будет НПО КИС (Росатом).
Приоритетной называется задача разработки ПО под техпроцесс 90 нм, доступный на фабрике Микрон.
Задача разработки отечественного САПР все более актуальна, поскольку российские разработчики чипов, использующих зарубежный софт, сталкиваются с проблемами блокировки ПО.
@RUSmicro по материалам КоммерсантЪ
Минпромторг представил «дорожную карту» развития систем САПР микроэлектроники
К 2030 году планируется создать 100 подобных программ, под разные техпроцессы, включая 28 нм. К 2030 году планируется продать 2.6 тысяч единиц САПР. После 2030 года в САПР планируют применять ИИ. (В зарубежных САПР проектирования микросхем ИИ уже применяет американская компания Synopsys, лидер рынка ПО автоматизированного проектирования).
Затраты на НИР и ОКР по «дорожной карте» составят 54.6 млрд руб до 2030 года. Ожидается, что выручка от реализации 12-ти поднаправлений САПР к 2030 году должна достичь 7.2 млрд руб, из них 3.6 млрд руб планируется выручить за САПР разработки микросхем.
Субсидии на эти работы будут выделяться в рамках ПП №2136 и ПП №529.
Одним из разработчиков будет НПО КИС (Росатом).
Приоритетной называется задача разработки ПО под техпроцесс 90 нм, доступный на фабрике Микрон.
Задача разработки отечественного САПР все более актуальна, поскольку российские разработчики чипов, использующих зарубежный софт, сталкиваются с проблемами блокировки ПО.
@RUSmicro по материалам КоммерсантЪ
Коммерсантъ
Софт уменьшает нанометры
К 2030 году в России начнут разработку программы для проектировки процессоров 28 нм
👍7🤔1
🇷🇺 Силовая микроэлектроника. Силовые полупроводники. Измерительное оборудование. Россия
Силовая электроника в России – есть проблемы, но есть и развитие
На актуальные проблемы направления производства силовой электроники в РФ указывает Максим Харченко, ВЗПП-С в публикации CNews.
Российские производители силовой электроники столкнулись с ростом цен и сложности закупки зарубежного измерительного оборудования. При этом установки высокой точности для силовой электроники в РФ не производятся.
Существующая система стандартов в области производства силовой электроники в стране не обновлялась 35-50 лет, она не отвечает современным требованиям к изделиям.
Мой коммент:
В России выпускается немало измерительного оборудования собственной разработки или методом крупноузловой сборки. В том числе, в отдельных категориях, вполне современного. Вместе с тем, его номенклатура не столь широка, если сравнивать с линейками глобальных или специализированных зарубежных вендоров, поэтому нельзя говорить о состоявшемся импортзамещении измерительного оборудования, особенно в такой области, как силовая электроника.
В области силовой электроники действительно есть проблемы с измерениями. Это связано с высокими напряжениями и токами, на фоне которых нужно производить прецизионные измерения. В частности, традиционные установки зондового типа не приспособлены к работе с кристаллами IGBT / FRD.
Вполне уместно говорить о проблемах с закупками измерительного оборудования, например, японского и американского. Предприятиям все чаще приходится переплачивать за закупку зарубежного оборудования "тайными тропами", а также самостоятельно разрабатывать и изготавливать измерительную оснастку или даже измерительные комплексы, как например, делают в ЗАО "Группа Кремний". Есть и отдельные российские приборы для измерений в силовой электронике, их выпускает, например, ООО ФОРМ.
То, что нет современных российских стандартов в области силовой микроэлектроники, дает и плюсы и минусы, производители ориентируются на зарубежные стандарты, что повышает экспортный потенциал российских изделий. До 2022 года силовая продукция некоторых российских предприятий пользовалась уверенным спросом за рубежом, да и сейчас кое-что по-прежнему поставляется на экспорт.
В целом в России силовая электроника, несмотря на перечисленные проблемы, выпускалась и выпускается, можно вспомнить хотя бы:
🔹 Ангстрем, Зеленоград. Мощные IGBT-модули
🔹 ВЗПП-С, Воронеж - силовые модули на основе полевых транзисторов и другая силовая продукция
🔹 Оптрон-Ставрополь. Силовые выпрямительные диоды, сборки
🔹 Протон-Электротекс, Орел. Разработки различной силовой электроники, включая диоды, тиристоры и IGBT-модули и т.п., в том числе - на базе SiC. В том числе – разработка и производство измерительного оборудования, необходимого для разработок и производства.
🔹 Пульсар (ГЗ Пульсар), Москва. Силовые транзисторы.
🔹 Фокон, Калуга, платы силовой электроники
(..)
Силовая электроника в России – есть проблемы, но есть и развитие
На актуальные проблемы направления производства силовой электроники в РФ указывает Максим Харченко, ВЗПП-С в публикации CNews.
Российские производители силовой электроники столкнулись с ростом цен и сложности закупки зарубежного измерительного оборудования. При этом установки высокой точности для силовой электроники в РФ не производятся.
Существующая система стандартов в области производства силовой электроники в стране не обновлялась 35-50 лет, она не отвечает современным требованиям к изделиям.
Мой коммент:
В России выпускается немало измерительного оборудования собственной разработки или методом крупноузловой сборки. В том числе, в отдельных категориях, вполне современного. Вместе с тем, его номенклатура не столь широка, если сравнивать с линейками глобальных или специализированных зарубежных вендоров, поэтому нельзя говорить о состоявшемся импортзамещении измерительного оборудования, особенно в такой области, как силовая электроника.
В области силовой электроники действительно есть проблемы с измерениями. Это связано с высокими напряжениями и токами, на фоне которых нужно производить прецизионные измерения. В частности, традиционные установки зондового типа не приспособлены к работе с кристаллами IGBT / FRD.
Вполне уместно говорить о проблемах с закупками измерительного оборудования, например, японского и американского. Предприятиям все чаще приходится переплачивать за закупку зарубежного оборудования "тайными тропами", а также самостоятельно разрабатывать и изготавливать измерительную оснастку или даже измерительные комплексы, как например, делают в ЗАО "Группа Кремний". Есть и отдельные российские приборы для измерений в силовой электронике, их выпускает, например, ООО ФОРМ.
То, что нет современных российских стандартов в области силовой микроэлектроники, дает и плюсы и минусы, производители ориентируются на зарубежные стандарты, что повышает экспортный потенциал российских изделий. До 2022 года силовая продукция некоторых российских предприятий пользовалась уверенным спросом за рубежом, да и сейчас кое-что по-прежнему поставляется на экспорт.
В целом в России силовая электроника, несмотря на перечисленные проблемы, выпускалась и выпускается, можно вспомнить хотя бы:
🔹 Ангстрем, Зеленоград. Мощные IGBT-модули
🔹 ВЗПП-С, Воронеж - силовые модули на основе полевых транзисторов и другая силовая продукция
🔹 Оптрон-Ставрополь. Силовые выпрямительные диоды, сборки
🔹 Протон-Электротекс, Орел. Разработки различной силовой электроники, включая диоды, тиристоры и IGBT-модули и т.п., в том числе - на базе SiC. В том числе – разработка и производство измерительного оборудования, необходимого для разработок и производства.
🔹 Пульсар (ГЗ Пульсар), Москва. Силовые транзисторы.
🔹 Фокон, Калуга, платы силовой электроники
(..)
👍7
(2) Есть немало предприятий, которые интересуются этим интересным рынком, и объявляли о тех или иных планах и намерениях по его освоению:
🔹 КремнийЭл, Брянск,
🔹 ЛИТИЭЛ (СП ЛЭТИ и Элемент), Зеленоград
🔹 НИИЭТ (Элемент), Воронеж (планы инвестиций 5.5 млрд р в локализацию производства транзисторов GaN и GaN HEMT)
🔹 Экран-Оптические системы, Новосибирск
Списки, конечно, далеко не полные, это просто примеры. Если в них нет каких-то существенных участников российского рынка электроники – подскажите мне в личку, запомню на будущее.
Элемент, например, обещает инвестировать в производство силовой электроники до 20 млрд руб в ближайшие годы, к 2030 году выпускать 100 тыс пластин в год на кремнии и 40 тысяч пластин SiC, обеспечив до 60% спроса в РФ.
Есть подвижки и в направлении производственного оборудования, например НГТУ и белорусский холдинг Планар, не так давно подписали договор о совместной разработке оборудования для производства силовой электроники. В рамках совместных активностей планируется разработать технологическое оборудование и производственные технологии для выпуска силовых гибридных ИС высокого уровня интеграции по технологии Flip-Chip (2.5/3D). Будут изготовлены опытные образцы оборудования.
Есть поступательное движение в области выращивания кристаллов SiC и производства SiC пластин в РФ, компаундов и других материалов, необходимых для производства силовой электроники.
В частности, об освоении технологии производства пластин из карбида кремния для полупроводникового производства сообщили специалисты Института проблем машиноведения (ИПМаш) РАН. Заявляли, что стоимость получения пластин SiC у них почти в 10 раз меньше, чем у зарубежных (в условиях лабораторного производства).
В Воронежской области собирались с китайцами наладить производство карбида кремния в Семилукском районе. Не знаю, что там с этим проектом.
Свой «кремний» в РФ выпускается (були, пластины), производство SiC кристаллов и пластин в РФ – «на подходе». Вполне выражено движение к «полному циклу». \\
🔹 КремнийЭл, Брянск,
🔹 ЛИТИЭЛ (СП ЛЭТИ и Элемент), Зеленоград
🔹 НИИЭТ (Элемент), Воронеж (планы инвестиций 5.5 млрд р в локализацию производства транзисторов GaN и GaN HEMT)
🔹 Экран-Оптические системы, Новосибирск
Списки, конечно, далеко не полные, это просто примеры. Если в них нет каких-то существенных участников российского рынка электроники – подскажите мне в личку, запомню на будущее.
Элемент, например, обещает инвестировать в производство силовой электроники до 20 млрд руб в ближайшие годы, к 2030 году выпускать 100 тыс пластин в год на кремнии и 40 тысяч пластин SiC, обеспечив до 60% спроса в РФ.
Есть подвижки и в направлении производственного оборудования, например НГТУ и белорусский холдинг Планар, не так давно подписали договор о совместной разработке оборудования для производства силовой электроники. В рамках совместных активностей планируется разработать технологическое оборудование и производственные технологии для выпуска силовых гибридных ИС высокого уровня интеграции по технологии Flip-Chip (2.5/3D). Будут изготовлены опытные образцы оборудования.
Есть поступательное движение в области выращивания кристаллов SiC и производства SiC пластин в РФ, компаундов и других материалов, необходимых для производства силовой электроники.
В частности, об освоении технологии производства пластин из карбида кремния для полупроводникового производства сообщили специалисты Института проблем машиноведения (ИПМаш) РАН. Заявляли, что стоимость получения пластин SiC у них почти в 10 раз меньше, чем у зарубежных (в условиях лабораторного производства).
В Воронежской области собирались с китайцами наладить производство карбида кремния в Семилукском районе. Не знаю, что там с этим проектом.
Свой «кремний» в РФ выпускается (були, пластины), производство SiC кристаллов и пластин в РФ – «на подходе». Вполне выражено движение к «полному циклу». \\
CNews.ru
В России в 10 раз подорожало оборудование для микроэлектроники - CNews
Производители микроэлектроники заявили о десятикратном подорожании измерительного оборудования, которое необходимо...
👍8
Forwarded from Центр НТИ «Фотоника»
В России пройдет XVI конференция по физике полупроводников (РКФП-XVI)
С 7 по 11 октября 2024 года на базе участника консорциума Центра компетенций НТИ «Фотоника» Алферовского университета и ФТИ им. А.Ф. Иоффе пройдет конференция, посвященная фундаментальным и прикладным проблемам современной физики и технологии полупроводников — XVI Российская конференция по физике полупроводников.
Основные разделы программы конференции охватывают актуальные проблемы физики полупроводников, включая: объемные полупроводники, эпитаксия, атомная и электронная структура поверхности, оптическая микроскопия, двумерные и одномерные системы, гетероструктуры и сверхрешетки, нульмерные системы, спинтроника и наномагнетизм, высокочастотные явления в полупроводниках, атомарно-тонкие двумерные полупроводники, нанофотоника и квантовая оптика.
В ходе конференции пройдет выставка, предоставляющая возможность ознакомиться с последними тенденциями и инновациями в полупроводниковых технологиях и экспериментальном оборудовании. Также состоится круглый стол, посвященный российско-белорусскому научному сотрудничеству в проектировании, синтезе и исследовании полупроводниковых гетероструктур.
Организаторами конференции выступают ФТИ им. А.Ф. Иоффе и СПбАУ РАН им. Ж.И. Алферова, Отделение физических наук РАН и Научный совет РАН по физике полупроводников.
Подробнее можно ознакомиться на сайте
С 7 по 11 октября 2024 года на базе участника консорциума Центра компетенций НТИ «Фотоника» Алферовского университета и ФТИ им. А.Ф. Иоффе пройдет конференция, посвященная фундаментальным и прикладным проблемам современной физики и технологии полупроводников — XVI Российская конференция по физике полупроводников.
Основные разделы программы конференции охватывают актуальные проблемы физики полупроводников, включая: объемные полупроводники, эпитаксия, атомная и электронная структура поверхности, оптическая микроскопия, двумерные и одномерные системы, гетероструктуры и сверхрешетки, нульмерные системы, спинтроника и наномагнетизм, высокочастотные явления в полупроводниках, атомарно-тонкие двумерные полупроводники, нанофотоника и квантовая оптика.
В ходе конференции пройдет выставка, предоставляющая возможность ознакомиться с последними тенденциями и инновациями в полупроводниковых технологиях и экспериментальном оборудовании. Также состоится круглый стол, посвященный российско-белорусскому научному сотрудничеству в проектировании, синтезе и исследовании полупроводниковых гетероструктур.
Организаторами конференции выступают ФТИ им. А.Ф. Иоффе и СПбАУ РАН им. Ж.И. Алферова, Отделение физических наук РАН и Научный совет РАН по физике полупроводников.
Подробнее можно ознакомиться на сайте
👍6🔥2❤1🤔1
🇺🇸 САПР микросхем. ИИ и САПР. США
Google представил AlphaChip - технологию проектирования микросхем с использованием ИИ
Мы уже знаем о тренде на все более активное использование ИИ в проектировании микросхем. В доказательство этого можно привести хотя бы последнюю версию САПР микросхем американской компании Synopsys. При этом в Synopsys стараются воспользоваться положением лидера и взять с рынка побольше денег за свой передовой продукт. В Cadence тоже занимаются темой повышения уровня автоматизации САПР с использованием ИИ, но пока что я мало что об этом слышал.
В Google, похоже, сочли момент подходящим для своей попытки вывести на открытый рынок систем автоматизированного проектирования микросхем. Речь идет о продукте AplhaChip, основанном на методе обучения с подкреплением и предназначенный для проектирования макетов (layout) чипа. Это не последняя новинка из недр исследовательской лаборатории, в Google эту систему применяли в режиме in-house с 2020 года, она была, в частности, опробована в проектировании тензорных процессоров Google. Кроме того, AlphaChip внедряют MediaTek и некоторые другие компании.
В Google отмечают, что предложение компании демократичное по цене. Важнее, на мой взгляд, другой фактор – если правдой является то, что ПО AlphaChip способно рассчитать layout всего за несколько часов, вместо месяцев, одно это уже обеспечит разработчику возможность существенно сэкономить в плане расходов. Стоимость решения для проектирования при этом, на мой взгляд, перестает играть существенную роль для любого, особенно, если использовать AlphaChip для множества разработок.
Мало этого. Google утверждает, что ее система на основе ИИ вдобавок существенно оптимизирует энергоэффективность и производительность чипа. (..)
🔹 Картинка иллюстрирует суммарное сокращение длины проводников в чипе, достигаемое САПР по сравнению с продуктами, которые придумывают люди.
@RUSmicro по материалам Tom's hardware
#EDA #САПР #микроэлектроника
Google представил AlphaChip - технологию проектирования микросхем с использованием ИИ
Мы уже знаем о тренде на все более активное использование ИИ в проектировании микросхем. В доказательство этого можно привести хотя бы последнюю версию САПР микросхем американской компании Synopsys. При этом в Synopsys стараются воспользоваться положением лидера и взять с рынка побольше денег за свой передовой продукт. В Cadence тоже занимаются темой повышения уровня автоматизации САПР с использованием ИИ, но пока что я мало что об этом слышал.
В Google, похоже, сочли момент подходящим для своей попытки вывести на открытый рынок систем автоматизированного проектирования микросхем. Речь идет о продукте AplhaChip, основанном на методе обучения с подкреплением и предназначенный для проектирования макетов (layout) чипа. Это не последняя новинка из недр исследовательской лаборатории, в Google эту систему применяли в режиме in-house с 2020 года, она была, в частности, опробована в проектировании тензорных процессоров Google. Кроме того, AlphaChip внедряют MediaTek и некоторые другие компании.
В Google отмечают, что предложение компании демократичное по цене. Важнее, на мой взгляд, другой фактор – если правдой является то, что ПО AlphaChip способно рассчитать layout всего за несколько часов, вместо месяцев, одно это уже обеспечит разработчику возможность существенно сэкономить в плане расходов. Стоимость решения для проектирования при этом, на мой взгляд, перестает играть существенную роль для любого, особенно, если использовать AlphaChip для множества разработок.
Мало этого. Google утверждает, что ее система на основе ИИ вдобавок существенно оптимизирует энергоэффективность и производительность чипа. (..)
🔹 Картинка иллюстрирует суммарное сокращение длины проводников в чипе, достигаемое САПР по сравнению с продуктами, которые придумывают люди.
@RUSmicro по материалам Tom's hardware
#EDA #САПР #микроэлектроника
👍5👀3
(2) На второй картинке показано, сколько блоков разработанных AlphaChip для тензорных процессоров компании, внедрены в ее последние продукты.
В MediaTek с использованием AlphaChip спроектировали SoC Dimensity 5G для использования в смартфонах. Это демонстрирует возможность применения AplhaChip для проектирования чипов различных типов.
В Google обещают расширение возможностей AlphaChip с тем, чтобы эта САПР могла обеспечить автоматическое проектирование не только макета (layout) микросхемы, но ускорить прохождение и других этапов проектирования микросхемы - от проектирования архитектуры. Соответствующие работы уже идут.
@RUSmicro по материалам Tom's hardware
В MediaTek с использованием AlphaChip спроектировали SoC Dimensity 5G для использования в смартфонах. Это демонстрирует возможность применения AplhaChip для проектирования чипов различных типов.
В Google обещают расширение возможностей AlphaChip с тем, чтобы эта САПР могла обеспечить автоматическое проектирование не только макета (layout) микросхемы, но ускорить прохождение и других этапов проектирования микросхемы - от проектирования архитектуры. Соответствующие работы уже идут.
@RUSmicro по материалам Tom's hardware
👍7👀2
🇨🇳 Фотолитография. Оборудование. DUV. Китай
В Китае в сентябре 2024 года представили две новых DUV-машины.
Одна - с лазером на фториде аргона (ArF) с длиной волны 193 нм, что обещает на 12-дюймовых пластинах разрешение ниже 65 нм и точность наложения менее 8 нм. Другая для более зрелых процессов - с лазером на фториде криптона (KrF) с длиной волны 248 нм, разрешением 110 нм на 12-дюймовых пластинах, точностью наложения 25 нм.
Таким образом, можно говорить о том, что одна новая машина лучше, чем серийно производящаяся для 90нм техпроцесса китайская SMEE SSX600, а другая - скромнее.
Обе новых машины значительно отстают даже от японской Nikon NSR-S636E (разрешение 38 нм, точность наложения - 2.1 нм), и самой скромной из машин нидерландской ASML: NXT:1980Fi (разрешение 38 нм, точность наложения 1.3 нм).
Вместе с тем, стоит отметить, что SMEE совершенствует свою продукцию высокими темпами, быстро проходя все новые этапы развития востребованных технологий в области фотолитографии.
@RUSmicro по материалам Rutab.net
В Китае в сентябре 2024 года представили две новых DUV-машины.
Одна - с лазером на фториде аргона (ArF) с длиной волны 193 нм, что обещает на 12-дюймовых пластинах разрешение ниже 65 нм и точность наложения менее 8 нм. Другая для более зрелых процессов - с лазером на фториде криптона (KrF) с длиной волны 248 нм, разрешением 110 нм на 12-дюймовых пластинах, точностью наложения 25 нм.
Таким образом, можно говорить о том, что одна новая машина лучше, чем серийно производящаяся для 90нм техпроцесса китайская SMEE SSX600, а другая - скромнее.
Обе новых машины значительно отстают даже от японской Nikon NSR-S636E (разрешение 38 нм, точность наложения - 2.1 нм), и самой скромной из машин нидерландской ASML: NXT:1980Fi (разрешение 38 нм, точность наложения 1.3 нм).
Вместе с тем, стоит отметить, что SMEE совершенствует свою продукцию высокими темпами, быстро проходя все новые этапы развития востребованных технологий в области фотолитографии.
@RUSmicro по материалам Rutab.net
👍19❤1🤔1
🔥 Участники рынка. Проблемы. Регулирование. Внешнее управление. Россия
АО МЦСТ, известное как разработчик микропроцессоров Эльбрус, передали под внешнее управление «для обеспечения стабилизации состояния» акционерного предприятия и «сохранения архитектуры», сообщают Ведомости.
Как знают в редакции, управлять МЦСТ назначено НПЦ Элвис (Ростех). МЦСТ давно не раскрывает данных об акционерах и финансовые показатели. Так что могут быть любые сюрпризы, наиболее вероятным из которых является срыв сроков по тому или другому госзаданию.
В начале 2023 года покупкой МЦСТ интересовалась структура Росатома КИС (НПО Критические информационные системы), известная своей активностью на рынке микроэлектроники в области разработки САПР. Но тогда сделка не состоялась.
НПЦ Элвис занимается разработкой микросхем, в частности, микропроцессоров (SoC) Скиф, а также системами видеонаблюдения на основе компьютерного зрения (Элвис-Неотек). Мое мнение: это позволяет говорить о необходимых компетенциях внешнего управляющего, было бы гораздо хуже, если бы на эту роль назначили кого-то не столь глубоко разбирающегося в тематике работ МЦСТ. Кроме того, как я понимаю, Элвис находит способы для производства своей продукции в условиях санкций и сложной геополитической ситуации.
Решение о вводе внешнего управления принял Минпромторг. Существенный факт – в картотеке арбитражных дел не видно банкротных дел в отношении МЦСТ. А значит, речь идет не о «банкротном», а о «военном» внешнем управлении, уверен собеседник Ведомостей, партнер юрфирмы Nova Inc. Павел Желновод.
Проблемы МЦСТ в основном связаны с тем, что у компании нет собственного производства кристаллов и она лишилась возможности размещать их производство у тайваньской TSMC. За прошедшее время можно было либо пытаться разместить это производство у других доступных контрактных производителей в странах, где были бы готовы это сделать (если таковые еще остались), либо пытаться воспользоваться возможностями российского производства, например, опытным производством 90нм на Микрон. Остается предположить, что ни то, ни другое, в заданные сроки осуществить не получилось. Получится ли это сделать с внешним управлением и навыками Элвис?
@RUSmicro
АО МЦСТ, известное как разработчик микропроцессоров Эльбрус, передали под внешнее управление «для обеспечения стабилизации состояния» акционерного предприятия и «сохранения архитектуры», сообщают Ведомости.
Как знают в редакции, управлять МЦСТ назначено НПЦ Элвис (Ростех). МЦСТ давно не раскрывает данных об акционерах и финансовые показатели. Так что могут быть любые сюрпризы, наиболее вероятным из которых является срыв сроков по тому или другому госзаданию.
В начале 2023 года покупкой МЦСТ интересовалась структура Росатома КИС (НПО Критические информационные системы), известная своей активностью на рынке микроэлектроники в области разработки САПР. Но тогда сделка не состоялась.
НПЦ Элвис занимается разработкой микросхем, в частности, микропроцессоров (SoC) Скиф, а также системами видеонаблюдения на основе компьютерного зрения (Элвис-Неотек). Мое мнение: это позволяет говорить о необходимых компетенциях внешнего управляющего, было бы гораздо хуже, если бы на эту роль назначили кого-то не столь глубоко разбирающегося в тематике работ МЦСТ. Кроме того, как я понимаю, Элвис находит способы для производства своей продукции в условиях санкций и сложной геополитической ситуации.
Решение о вводе внешнего управления принял Минпромторг. Существенный факт – в картотеке арбитражных дел не видно банкротных дел в отношении МЦСТ. А значит, речь идет не о «банкротном», а о «военном» внешнем управлении, уверен собеседник Ведомостей, партнер юрфирмы Nova Inc. Павел Желновод.
Проблемы МЦСТ в основном связаны с тем, что у компании нет собственного производства кристаллов и она лишилась возможности размещать их производство у тайваньской TSMC. За прошедшее время можно было либо пытаться разместить это производство у других доступных контрактных производителей в странах, где были бы готовы это сделать (если таковые еще остались), либо пытаться воспользоваться возможностями российского производства, например, опытным производством 90нм на Микрон. Остается предположить, что ни то, ни другое, в заданные сроки осуществить не получилось. Получится ли это сделать с внешним управлением и навыками Элвис?
@RUSmicro
Ведомости
Разработчика процессоров «Эльбрус» передали во внешнее управление
Компания могла сорвать сроки выполнения гособоронзаказа
🤔11👍1
🇷🇺 Материалы. Производства. Россия
В Краснодарском крае начали производство диоксида кремния SiO2
Здесь открыто предприятие компании Райс Ашти (Химрусагро), которое планирует постепенно выйти на проектную мощность в 450 тонн диоксида кремния (кремнезема) в год.
Исходным сырьем для производства диоксида кремния служит рисовая лузга – отход производства риса. Технологию получения из лузги кремнезема разработали совместно с МГУ им. Ломоносова.
Создание завода в поселке Ильский в Северском районе Краснодарского края обошлось инвестору в 658 млн рублей. Региональный бюджет профинансировал до 30% от стоимости проекта.
Закупленное оборудование позволяет выпускать SiO2 чистотой 99,99%.
В России есть технология получения из диоксида кремния монокристаллов кремния. Последовательность технологических операций, разработанных НПП Салют (Росэлектроника) совместно с Институтом физики микроструктур РАН и Институтом химии высокочистых веществ РАН по заказу Минпромторга России, выглядит так: из диоксида кремния синтезируют моносилан, из него можно получить поликристаллический кремний, а на его основе – монокристаллический кремний с удельным электрическим сопротивлением более 1000 Ом-см. Из таких кристаллов можно нарезать пластины для полупроводникового производства.
Продукция Райс Ашти, скорее всего, не будет использоваться для производства поликремния и, тем более, монокристаллов. Для этого есть более традиционные способы с использованием сырья в виде песка. Использование лузги - хороший способ для изготовления аморфного материала, пригодного для изготовления силикагеля. То есть речь идет про производство адсорбентов на базе аморфного кремнезема.
@RUSmicro по материалам kuban.rbc.ru , картинка: yugopolis
В Краснодарском крае начали производство диоксида кремния SiO2
Здесь открыто предприятие компании Райс Ашти (Химрусагро), которое планирует постепенно выйти на проектную мощность в 450 тонн диоксида кремния (кремнезема) в год.
Исходным сырьем для производства диоксида кремния служит рисовая лузга – отход производства риса. Технологию получения из лузги кремнезема разработали совместно с МГУ им. Ломоносова.
Создание завода в поселке Ильский в Северском районе Краснодарского края обошлось инвестору в 658 млн рублей. Региональный бюджет профинансировал до 30% от стоимости проекта.
Закупленное оборудование позволяет выпускать SiO2 чистотой 99,99%.
В России есть технология получения из диоксида кремния монокристаллов кремния. Последовательность технологических операций, разработанных НПП Салют (Росэлектроника) совместно с Институтом физики микроструктур РАН и Институтом химии высокочистых веществ РАН по заказу Минпромторга России, выглядит так: из диоксида кремния синтезируют моносилан, из него можно получить поликристаллический кремний, а на его основе – монокристаллический кремний с удельным электрическим сопротивлением более 1000 Ом-см. Из таких кристаллов можно нарезать пластины для полупроводникового производства.
Продукция Райс Ашти, скорее всего, не будет использоваться для производства поликремния и, тем более, монокристаллов. Для этого есть более традиционные способы с использованием сырья в виде песка. Использование лузги - хороший способ для изготовления аморфного материала, пригодного для изготовления силикагеля. То есть речь идет про производство адсорбентов на базе аморфного кремнезема.
@RUSmicro по материалам kuban.rbc.ru , картинка: yugopolis
👍16❤1
🇷🇺 Оборудование. Фотолитографы. Эксимерные лазеры. 130нм. Россия
ГК Лассард на днях сообщала, что ведет разработку двух мощных эксимерных лазеров для литографии с длинами волн 130 нм (странная цифра?) и 248 нм в рамках проекта Прогресс 130.
Компания произвела 2 образца источников, в 2025 году они будут направлены на испытания, с 2026 года ожидается их серийное производство.
Как ожидается, серийное производство российских эксимерных лазеров поможет заменить импортные источники света в разрабатываемых российских фотолитографах.
Как ожидается, испытаниями лазеров займутся в ЗНТЦ, где, как известно, идет разработка отечественных степперов, при поддержке коллег из белорусской компании ОАО Планар.
В заметке не приводятся подробности о лазерах, но мы помним, что ЗНТЦ в 2021 году выиграл тендер на разработку к 2026 году отечественного литографа 130 нм, «реплику» имеющегося у ЗНТЦ нидерландского ASML PAS 5500/300C (ОКР Прогресс ППМ 130). В теории на таком литографе можно будет освоить техпроцесс 90 нм, а может быть и 65 нм.
В рамках этой разработки предусматривается создание источников излучения с длиной волны 193 нм и 248 нм. Как видим, по 248 нм уже есть подтверждение.
Что касается источника с длиной волны 193 нм, его возможно еще придется подождать.
Что до 130 нм в тексте сообщения на сайте Лассард - это какая-то ошибка. Либо имелось в виду что-то "лазер с длиной волны 248 нм для литографа с разрешением 130 нм".
Ранее ЗНТЦ сообщала, что «решена сложная задача расчета модели оптико-механической системы степпера, которая позволила не только спроектировать объектив, но и оптимизировать применение дорогостоящего кварца». Так что процесс создания российского фотолитографа с источником 248 нм, как видим, идет полным ходом, хотя не все сроки получается соблюсти, в частности, испытания лазеров должны были быть произведены еще в 2023 году.
@RUSmicro, картинка - ЗНТЦ
UPD: текст заметки изменен, в связи с новыми данными, которыми поделились участники чата ChipChat.
ГК Лассард на днях сообщала, что ведет разработку двух мощных эксимерных лазеров для литографии с длинами волн 130 нм (странная цифра?) и 248 нм в рамках проекта Прогресс 130.
Компания произвела 2 образца источников, в 2025 году они будут направлены на испытания, с 2026 года ожидается их серийное производство.
Как ожидается, серийное производство российских эксимерных лазеров поможет заменить импортные источники света в разрабатываемых российских фотолитографах.
Как ожидается, испытаниями лазеров займутся в ЗНТЦ, где, как известно, идет разработка отечественных степперов, при поддержке коллег из белорусской компании ОАО Планар.
В заметке не приводятся подробности о лазерах, но мы помним, что ЗНТЦ в 2021 году выиграл тендер на разработку к 2026 году отечественного литографа 130 нм, «реплику» имеющегося у ЗНТЦ нидерландского ASML PAS 5500/300C (ОКР Прогресс ППМ 130). В теории на таком литографе можно будет освоить техпроцесс 90 нм, а может быть и 65 нм.
В рамках этой разработки предусматривается создание источников излучения с длиной волны 193 нм и 248 нм. Как видим, по 248 нм уже есть подтверждение.
Что касается источника с длиной волны 193 нм, его возможно еще придется подождать.
Что до 130 нм в тексте сообщения на сайте Лассард - это какая-то ошибка. Либо имелось в виду что-то "лазер с длиной волны 248 нм для литографа с разрешением 130 нм".
Ранее ЗНТЦ сообщала, что «решена сложная задача расчета модели оптико-механической системы степпера, которая позволила не только спроектировать объектив, но и оптимизировать применение дорогостоящего кварца». Так что процесс создания российского фотолитографа с источником 248 нм, как видим, идет полным ходом, хотя не все сроки получается соблюсти, в частности, испытания лазеров должны были быть произведены еще в 2023 году.
@RUSmicro, картинка - ЗНТЦ
UPD: текст заметки изменен, в связи с новыми данными, которыми поделились участники чата ChipChat.
👍17🤔2
Forwarded from Форум «Микроэлектроника»
НИЯУ МИФИ и ООО «Физика-Прибор» на форуме Микроэлектроника-2024 подписали меморандум о планах по поставке оборудования и разработке учебного курса для студентов.
В рамках данного меморандума будет создана лаборатория с оборудованием для линейки поверхностного монтажа компонентов на печатные платы, в том числе трафаретный принтер, автоматический расстановщик компонентов, камерную и конвейерную печи оплавления припоя, УЗ-ванну отмывки, а также 4х канальную паяльную станцию для осуществления выводного монтажа.
Новая лаборатория позволит студентам НИЯУ МИФИ практическим экспериментом завершать курсы по разработке печатных плат. Студентам предстоит освоить тонкости технологического процесса, настройки оборудования и работу с современными материалами, которые используются при монтаже компонентов в различных типах корпусов.
В конечном итоге данная инициатива позволит учащимся иметь базовый опыт в вопросах монтажа компонентов на печатные платы, что выгодно скажется для них при дальнейшем трудоустройстве на предприятия радиоэлектронной промышленности.
В рамках данного меморандума будет создана лаборатория с оборудованием для линейки поверхностного монтажа компонентов на печатные платы, в том числе трафаретный принтер, автоматический расстановщик компонентов, камерную и конвейерную печи оплавления припоя, УЗ-ванну отмывки, а также 4х канальную паяльную станцию для осуществления выводного монтажа.
Новая лаборатория позволит студентам НИЯУ МИФИ практическим экспериментом завершать курсы по разработке печатных плат. Студентам предстоит освоить тонкости технологического процесса, настройки оборудования и работу с современными материалами, которые используются при монтаже компонентов в различных типах корпусов.
В конечном итоге данная инициатива позволит учащимся иметь базовый опыт в вопросах монтажа компонентов на печатные платы, что выгодно скажется для них при дальнейшем трудоустройстве на предприятия радиоэлектронной промышленности.
👍13❤1
Media is too big
VIEW IN TELEGRAM
(2) А вот и видео, поясняющее принципы работы наноимпринтного литографа, представленное компанией Canon.
@RUSmicro
@RUSmicro
👍5