⚔️ Тренды. Конкуренция. Тайвань. Китай
Конкуренцию по-китайски начали ощущать на Тайване
Производители Тайваня, не столь передовые как TSMC, сталкиваются с жесткой конкуренцией со стороны китайских производителей в области продуктов, создаваемых по зрелым технологиям. Об этом рассказывает TrendForce со ссылкой на Economic Daily News.
Давление создают такие, например, китайские производители микросхем, как SMIC, Hua Hong Group и Nexchip. В последнее время китайские контрактные производители снизили цены на 12-дюймовые пластины на 40% относительно уровня цен тайваньских конкурентов, что оставляет последним мало шансов на рынках, не защищенных от китайской продукции. В области 8-дюймовых пластин также предлагаются скидки, лишь немного меньшие – 20-30%.
Это относится, например, к такой продукции как микросхемы драйверов освещения, ИС управления питанием, микроконтроллеров. Наиболее значительные скидки предлагаются на продукцию на основе узлов 40/45 нм на пластинах 12 нм.
В итоге тайваньские предприятия, такие как UMC и VIS (дочерняя структура TSMC) уже потеряли ряд заказов, которые все чаще уходят в Китай.
Одна из причин – китайские предприятия, несмотря на слабый спрос на зрелые узлы, продолжают наращивать производственные мощности, формируя на рынке все больший избыток предложения. Скорее всего, это делается вполне осознанно, чтобы лишить конкурентов денежного потока от заказов, а с ним и возможности развиваться.
Основные планы по расширению мощностей в 2025 году – у SMIC в Лингане (Шанхай), Пекине. Есть также планы по развертыванию Fab 9 и Fab 10 компанией Hua Hong Group и N1A3 компанией Nexchip.
Ситуацию используют в своих интересах тайваньские фаблесс-производители чтобы выбивать у тайванских контрактных производителей высокие скидки под угрозой перевода заказов в Китай. В итоге прибыльность и портфели заказов UMC и VIS начали сокращаться. Загрузка производственных мощностей уже упала ниже 70%.
Если уж тайваньские производители с их особенностями использования рабочей силы и в целом невысокой себестоимостью не могут противостоять конкурентам с материка, то что уж можно говорить о европейских, японских и американских бизнесах? Пока что менее других страдают только технологические лидеры рынка, разработки которых Китаю пока не по зубам.
@RUSmicro
#тренды #ценоваяконкуренция #зрелыетехнологии
Конкуренцию по-китайски начали ощущать на Тайване
Производители Тайваня, не столь передовые как TSMC, сталкиваются с жесткой конкуренцией со стороны китайских производителей в области продуктов, создаваемых по зрелым технологиям. Об этом рассказывает TrendForce со ссылкой на Economic Daily News.
Давление создают такие, например, китайские производители микросхем, как SMIC, Hua Hong Group и Nexchip. В последнее время китайские контрактные производители снизили цены на 12-дюймовые пластины на 40% относительно уровня цен тайваньских конкурентов, что оставляет последним мало шансов на рынках, не защищенных от китайской продукции. В области 8-дюймовых пластин также предлагаются скидки, лишь немного меньшие – 20-30%.
Это относится, например, к такой продукции как микросхемы драйверов освещения, ИС управления питанием, микроконтроллеров. Наиболее значительные скидки предлагаются на продукцию на основе узлов 40/45 нм на пластинах 12 нм.
В итоге тайваньские предприятия, такие как UMC и VIS (дочерняя структура TSMC) уже потеряли ряд заказов, которые все чаще уходят в Китай.
Одна из причин – китайские предприятия, несмотря на слабый спрос на зрелые узлы, продолжают наращивать производственные мощности, формируя на рынке все больший избыток предложения. Скорее всего, это делается вполне осознанно, чтобы лишить конкурентов денежного потока от заказов, а с ним и возможности развиваться.
Основные планы по расширению мощностей в 2025 году – у SMIC в Лингане (Шанхай), Пекине. Есть также планы по развертыванию Fab 9 и Fab 10 компанией Hua Hong Group и N1A3 компанией Nexchip.
Ситуацию используют в своих интересах тайваньские фаблесс-производители чтобы выбивать у тайванских контрактных производителей высокие скидки под угрозой перевода заказов в Китай. В итоге прибыльность и портфели заказов UMC и VIS начали сокращаться. Загрузка производственных мощностей уже упала ниже 70%.
Если уж тайваньские производители с их особенностями использования рабочей силы и в целом невысокой себестоимостью не могут противостоять конкурентам с материка, то что уж можно говорить о европейских, японских и американских бизнесах? Пока что менее других страдают только технологические лидеры рынка, разработки которых Китаю пока не по зубам.
@RUSmicro
#тренды #ценоваяконкуренция #зрелыетехнологии
[News] SMIC, Hua Hong Reportedly Pressure Taiwan Foundries with up to 40% Discount on Mature Nodes | TrendForce News
As TSMC keeps making strides in advanced nodes, its Taiwanese foundry peers may be facing tough competition on mature nodes from Chinese rivals, inclu...
👍5👌5
🇷🇺 Производство электроники. Производство периферии. Россия
На рынке реестровых клавиатур растет конкуренция
Вот уже третья российская компания, ABR Technology (ООО АБР технолоджи), намеревается запустить в России производство клавиатур и компьютерных мышек, рассчитывая на включение их в реестр отечественной продукции Минпромторга, сообщают Ведомости.
До сих пор в реестре Минпромторга можно было найти только продукцию Бештау (КЛ104РУ, 72 балла) и НЬЮ АЙ ТИ (торговая марка NITRONET, НК-007, беспроводная, 135 баллов).
Учитывая разговоры на тему, что необходимо включить требование о российской периферии в контракты на поставку ПАК (решение еще не принято), понятно стремление компании включить свою продукцию в реестр.
Интересно, что ABR Technology рассчитывает не только на госзаказы, но и на розницу. Это очень конкурентный и зачастую низкомаржинальный рынок с высоким уровнем конкуренции. Для потребителей B2C «реестровость» практически не имеет значения, а «российскость» не всегда воспринимается как позитивное качество.
Здесь придется конкурировать качеством и маркетинговой поддержкой своих изделий. И если не выделиться из бесконечного ряда конкурентных изделий чем-то особенным, например, ценой или тихим срабатыванием клавиш, то обеспечить успешные продажи будет непросто.
Для начала, ABR Technology собирается продвигать свою продукцию через Wildberries (кстати, кому он там нынче принадлежит?). Что же, маркетплейсы это не самый дорогой способ «прощупать» аудиторию, получить отзывы на свой продукт.
Кроме периферии, включая мониторы, ABR Technology выпускает также ПК и моноблоки, а также корпуса. Мониторы Руслан получили 90 баллов в реестре.
Емкость регулируемого рынка мышей и клавиатур – порядка 3 млн штук в год, если не более, та же Бештау не справляется с удовлетворением спроса, поскольку ее производственные мощности – до 0.5 млн изделий в год. Пока что производители еще не начали жестко конкурировать в этом сегменте.
Текущие лидеры российского рынка клавиатур и мышей – китайская Logitech, тайваньская A4Tech и российский бренд Defender (сборка в Китае) а также Оклик (собственная торговая марка дистрибутора Merlion). Также на рынке заметна продукция крупных китайских производителей, например, Genius и Rapoo.
Полное импортзамещение мышек и клавиатур обеспечить сложно – нужно собственное микроэлектронное производство, чтобы выпустить кристаллы для контроллеров. А для мышек с памятью необходимо производство микросхем памяти.
@RUSmicro
#клавиатуры #мыши #производствоэлектроники
На рынке реестровых клавиатур растет конкуренция
Вот уже третья российская компания, ABR Technology (ООО АБР технолоджи), намеревается запустить в России производство клавиатур и компьютерных мышек, рассчитывая на включение их в реестр отечественной продукции Минпромторга, сообщают Ведомости.
До сих пор в реестре Минпромторга можно было найти только продукцию Бештау (КЛ104РУ, 72 балла) и НЬЮ АЙ ТИ (торговая марка NITRONET, НК-007, беспроводная, 135 баллов).
Учитывая разговоры на тему, что необходимо включить требование о российской периферии в контракты на поставку ПАК (решение еще не принято), понятно стремление компании включить свою продукцию в реестр.
Интересно, что ABR Technology рассчитывает не только на госзаказы, но и на розницу. Это очень конкурентный и зачастую низкомаржинальный рынок с высоким уровнем конкуренции. Для потребителей B2C «реестровость» практически не имеет значения, а «российскость» не всегда воспринимается как позитивное качество.
Здесь придется конкурировать качеством и маркетинговой поддержкой своих изделий. И если не выделиться из бесконечного ряда конкурентных изделий чем-то особенным, например, ценой или тихим срабатыванием клавиш, то обеспечить успешные продажи будет непросто.
Для начала, ABR Technology собирается продвигать свою продукцию через Wildberries (кстати, кому он там нынче принадлежит?). Что же, маркетплейсы это не самый дорогой способ «прощупать» аудиторию, получить отзывы на свой продукт.
Кроме периферии, включая мониторы, ABR Technology выпускает также ПК и моноблоки, а также корпуса. Мониторы Руслан получили 90 баллов в реестре.
Емкость регулируемого рынка мышей и клавиатур – порядка 3 млн штук в год, если не более, та же Бештау не справляется с удовлетворением спроса, поскольку ее производственные мощности – до 0.5 млн изделий в год. Пока что производители еще не начали жестко конкурировать в этом сегменте.
Текущие лидеры российского рынка клавиатур и мышей – китайская Logitech, тайваньская A4Tech и российский бренд Defender (сборка в Китае) а также Оклик (собственная торговая марка дистрибутора Merlion). Также на рынке заметна продукция крупных китайских производителей, например, Genius и Rapoo.
Полное импортзамещение мышек и клавиатур обеспечить сложно – нужно собственное микроэлектронное производство, чтобы выпустить кристаллы для контроллеров. А для мышек с памятью необходимо производство микросхем памяти.
@RUSmicro
#клавиатуры #мыши #производствоэлектроники
Ведомости
В России появится еще один производитель компьютерных мышек и клавиатур
Сейчас отечественной продукции в этих категориях не хватает
👍6🤔1👌1
🇨🇳 Локализация производства микроэлектроники. Китай
Китай ускоряет локализацию в полупроводниковой промышленности
Локализация полупроводниковой промышленности в Китае – долгосрочная стратегическая цель страны. Уровень локализации постепенно, но уверенно растет.
Производственное оборудование
Одно из сложных направлений – это оборудование для полупроводникового производства. На сегодня можно говорить о том, что в Китае выпускается практически все необходимое для производства полупроводников, кроме современных фотолитографов.
Китай является крупнейшим в мире рынком оборудования для полупроводникового производства. В первой половине 2024 года Китай потратил рекордные $25 млрд на оборудование для производства микросхем, больше, чем потратили Тайвань, Корея и США.
Производство памяти
Китайские производители памяти активно наращивают производственные мощности DRAM, чтобы нарастить свою долю рынка. Китайская продукция конкурентна вплоть до DDR4 и LPDDR4, идут активные НИОКР в технологиях HBM и DDR5, где пока что сохраняется лидерство корейских и американских компаний.
Силовая микроэлектроника / SiC
В секторе карбида кремния (SiC) производители по всей цепочке от материалов (подложка и эпитаксия) до кристаллов/модулей переходят на 8-дюймовые пластины SiC.
Согласно неполной статистике DRAMeXchange, за последние 2 года на рынок SiC вышло более 100 китайских компаний. Как минимум, 50 из них за 2024 год добились заметного прогресса.
В частности, в Китае созданы 2 крупные линии по производству 8 дюймовых пластин SiC. UNT построила первую такую линию по производству структур SiC MOSFET в Шаосине Юэчэн, а Silan Microelectronics запустила проект про производству структур для управления силовыми устройствами на 8-дюймовых пластинах с инвестициям в 12 млрд юаней.
Производство структур на базе зрелых узлов
Китай продолжает наращивать свои позиции на рынке зрелых узлов. Предполагается, что мощности 10 крупнейших в мире производителей полупроводниковых структур на основе зрелых узлов вырастут на 6% к 2025 году, хотя это может вызывать снижение цен из-за растущего уровня конкуренции.
Согласно оценкам TrendForce, к концу 2025 года мощности китайских производителей полупроводниковых структур на основе зрелых узлов составят более 25% от мощностей 10 крупнейших в мире производителей. Быстрее всего в Китае нарастают мощности производства на основе узлов 28/22 нм.
Упаковка
Усовершенствуются применяемые технологии упаковки. В мире сейчас растет спрос на такие виды упаковки, как SiP, WL-CSP, 2.5D, 3D, CoWoS, InFO, Foveros, X-Cub. В 2024 году такие китайские компании как JCET, Tongfu Microelectronics и HT-Tech, активно инвестировали в проекты современной упаковки, достигнув заметного прогресса. Активно расширяют свои возможности упаковки FOPLP такие китайские компании как HT-Tech, ECHINT, MIIC, SiPTORY. Идут попытки разработки технологии 2.5D, внедряется чиплетный подход.
Искусственный интеллект
Есть успехи и по части технологий ИИ, несмотря на все происки США. Индустрия ИИ в Китае развивается активно, появляются все новые компании-единороги, среди них можно отметить Infinigence AI, Alibaba Cloud, Baidu, AIsphere, Vastai Technologies, BIRENTECH и MThreads и другие. Китай лидирует в мире по объему исследований в области ИИ, имея наибольшее количество патентов и статей. Какие-то из этих патентов принято относить к «мусорным», но количество, что не говори, зачастую коррелирует и с качеством.
Вместе с тем, китайская индустрия ИИ все еще отстает от американской из-за сложностей прорыва через ограничения «железа». В частности, наиболее критичным «бутылочным горлышком» для Китая являются чипы ИИ, особенно GPU.
Выводов не будет. Но будет риторический вопрос - кто сможет конкурировать с Китаем и в каких областях, если не закрывать свои рынки торговыми барьерами и ограничениями?
@RUSmicro по материалам TrendForce
Китай ускоряет локализацию в полупроводниковой промышленности
Локализация полупроводниковой промышленности в Китае – долгосрочная стратегическая цель страны. Уровень локализации постепенно, но уверенно растет.
Производственное оборудование
Одно из сложных направлений – это оборудование для полупроводникового производства. На сегодня можно говорить о том, что в Китае выпускается практически все необходимое для производства полупроводников, кроме современных фотолитографов.
Китай является крупнейшим в мире рынком оборудования для полупроводникового производства. В первой половине 2024 года Китай потратил рекордные $25 млрд на оборудование для производства микросхем, больше, чем потратили Тайвань, Корея и США.
Производство памяти
Китайские производители памяти активно наращивают производственные мощности DRAM, чтобы нарастить свою долю рынка. Китайская продукция конкурентна вплоть до DDR4 и LPDDR4, идут активные НИОКР в технологиях HBM и DDR5, где пока что сохраняется лидерство корейских и американских компаний.
Силовая микроэлектроника / SiC
В секторе карбида кремния (SiC) производители по всей цепочке от материалов (подложка и эпитаксия) до кристаллов/модулей переходят на 8-дюймовые пластины SiC.
Согласно неполной статистике DRAMeXchange, за последние 2 года на рынок SiC вышло более 100 китайских компаний. Как минимум, 50 из них за 2024 год добились заметного прогресса.
В частности, в Китае созданы 2 крупные линии по производству 8 дюймовых пластин SiC. UNT построила первую такую линию по производству структур SiC MOSFET в Шаосине Юэчэн, а Silan Microelectronics запустила проект про производству структур для управления силовыми устройствами на 8-дюймовых пластинах с инвестициям в 12 млрд юаней.
Производство структур на базе зрелых узлов
Китай продолжает наращивать свои позиции на рынке зрелых узлов. Предполагается, что мощности 10 крупнейших в мире производителей полупроводниковых структур на основе зрелых узлов вырастут на 6% к 2025 году, хотя это может вызывать снижение цен из-за растущего уровня конкуренции.
Согласно оценкам TrendForce, к концу 2025 года мощности китайских производителей полупроводниковых структур на основе зрелых узлов составят более 25% от мощностей 10 крупнейших в мире производителей. Быстрее всего в Китае нарастают мощности производства на основе узлов 28/22 нм.
Упаковка
Усовершенствуются применяемые технологии упаковки. В мире сейчас растет спрос на такие виды упаковки, как SiP, WL-CSP, 2.5D, 3D, CoWoS, InFO, Foveros, X-Cub. В 2024 году такие китайские компании как JCET, Tongfu Microelectronics и HT-Tech, активно инвестировали в проекты современной упаковки, достигнув заметного прогресса. Активно расширяют свои возможности упаковки FOPLP такие китайские компании как HT-Tech, ECHINT, MIIC, SiPTORY. Идут попытки разработки технологии 2.5D, внедряется чиплетный подход.
Искусственный интеллект
Есть успехи и по части технологий ИИ, несмотря на все происки США. Индустрия ИИ в Китае развивается активно, появляются все новые компании-единороги, среди них можно отметить Infinigence AI, Alibaba Cloud, Baidu, AIsphere, Vastai Technologies, BIRENTECH и MThreads и другие. Китай лидирует в мире по объему исследований в области ИИ, имея наибольшее количество патентов и статей. Какие-то из этих патентов принято относить к «мусорным», но количество, что не говори, зачастую коррелирует и с качеством.
Вместе с тем, китайская индустрия ИИ все еще отстает от американской из-за сложностей прорыва через ограничения «железа». В частности, наиболее критичным «бутылочным горлышком» для Китая являются чипы ИИ, особенно GPU.
Выводов не будет. Но будет риторический вопрос - кто сможет конкурировать с Китаем и в каких областях, если не закрывать свои рынки торговыми барьерами и ограничениями?
@RUSmicro по материалам TrendForce
[News] Acceleration of Localization in China’s Semiconductor Industry | TrendForce News
The localization of the semiconductor industry in China is a long-term strategic goal. In recent years, the localization rate across the semiconductor...
👍5👀5👌1
🇺🇸🇯🇵 2нм. Техпроцессы. Разработки. США
Японская Rapidus и IBM приближаются к созданию технологии 2нм
Компании заявляют о достижении «критической вехи». Используя 2 различные стратегии для селективного уменьшения толщины нанолиста, они смогут создавать транзисторы GAA под различные пороговые напряжения.
Название нового подхода – технология Multi-Vt. Ее использование позволит создавать более энергоэффективные чипы, в которых транзисторы с высокими пороговыми напряжениями задействованы для высокопроизводительных вычислений, а с высокими – для операций с низким энергопотреблением.
В частности, ученые IBM убедились, что так они могут решить проблему с границами металлических затворов (metal gate boundary problems). Суть этой проблемы в том, что при высокой плотности транзисторов в технологии 2нм GAA расстояние между n- и p- каналами (n-p пространство) становится уже 40 нм. Узкое пространство оставляет мало места для металлического затвора. Это плохо тем, что если в тесном соседстве расположены транзисторы NMOS и PMOS, то может возникать диффузия алюминия, что будет повышать пороговые напряжения для транзистора PMOS.
Исследования были представлены на конференции IEDM.
Multi-Vt в свою очередь создает ряд проблем при попытках реализовать узел GAA, в последние годы исследователи решают их одну за другой.
В частности, в 2019 году были представлены такие решения как Tsus pinchoff и безобъемный multi-Vt.
Tsus pinchoff – это решение, которое позволяет контролировать N/P границу при формировании тонких слоев на поверхности пространства между любыми нанолистами (Tsus – sheet-to-sheet spacing). Материал для multi-Vt имеет толщину менее 1нм, при этом он диффундирует в базовую структуру, что и позволяет говорить о безобъемности.
В 2020 году разработчики представили двухдипольную интеграцию, что позволило еще более снизить пороговое напряжение для обоих типов полупроводниковых каналов. Это позволило надеяться на еще более высокую производительность отдельных транзисторов и повысило гибкость безобъемного multi-Vt.
На конференции IEDM в 2023 году разработчики показали приложение, которое сделала возможным двухдипольная интеграция: транзистор, который хорошо подходит для охлаждения жидким азотом, что обещает возможности повышения производительности.
В 2024 году были представлены результаты исследований узкого пространства N-P, где тонкослойная структура материалов позволяет выборочно использовать дипольные материалы для создания безобъемных многофазных транзисторов. При этом пространство выступает как донор или металл с активной рабочей функцией для многофазных транзисторов.
Так можно интегрировать устройства с высоким Vt, тогда как толстослойная структура определяет устройства с низким Vt. Команда использовала два подхода селективного сужения слоев (SLR), которые они назвали SLR1 и SLR2.
Если пространство N-P уже 40нм, то возможны проблемы из-за различных дефектов и ошибок изготовления. В частности, ионы плазмы, часто используемые для травления пластин, могут повреждать диэлектрический слой затвора или непреднамеренно утолщать интерфейсные слои, что негативно сказывается на производительности и надежности устройств. В рамках метода SLR1 тонкий слой металла решал проблему «подрезки» материалов в этом промежутке.
Метод SLR2 помогал справиться с проблемой подрезки, которая возникала при использовании толстого слоя металла с активной рабочей функцией. В экспериментах исследователи добились того, что могли утонять материал только в N-P пространстве, не затрагивая при этом затвор.
Все эти новинки – те кирпичики, из которых формируется технология нанолистов с разными Vt для узлов GAA, идущим на замену узлам FinFET. Как только в IBM завершат разработку технологии GAA 2нм, она будет внедрена в японском производстве Rapidus.
Японская Rapidus строит современное производство IIM 2нм в Титосе, Хоккайдо, с планами начать массовый выпуск пластин в 2027 году.
@RUSmicro
Обозначения на картинке: 1. Кольцевой затвор (Wrap-around gate); 2 - три нанолистовых слоя; 3 - исток; 4 - подложка; 5 – сток; 6 – изоляция
Японская Rapidus и IBM приближаются к созданию технологии 2нм
Компании заявляют о достижении «критической вехи». Используя 2 различные стратегии для селективного уменьшения толщины нанолиста, они смогут создавать транзисторы GAA под различные пороговые напряжения.
Название нового подхода – технология Multi-Vt. Ее использование позволит создавать более энергоэффективные чипы, в которых транзисторы с высокими пороговыми напряжениями задействованы для высокопроизводительных вычислений, а с высокими – для операций с низким энергопотреблением.
В частности, ученые IBM убедились, что так они могут решить проблему с границами металлических затворов (metal gate boundary problems). Суть этой проблемы в том, что при высокой плотности транзисторов в технологии 2нм GAA расстояние между n- и p- каналами (n-p пространство) становится уже 40 нм. Узкое пространство оставляет мало места для металлического затвора. Это плохо тем, что если в тесном соседстве расположены транзисторы NMOS и PMOS, то может возникать диффузия алюминия, что будет повышать пороговые напряжения для транзистора PMOS.
Исследования были представлены на конференции IEDM.
Multi-Vt в свою очередь создает ряд проблем при попытках реализовать узел GAA, в последние годы исследователи решают их одну за другой.
В частности, в 2019 году были представлены такие решения как Tsus pinchoff и безобъемный multi-Vt.
Tsus pinchoff – это решение, которое позволяет контролировать N/P границу при формировании тонких слоев на поверхности пространства между любыми нанолистами (Tsus – sheet-to-sheet spacing). Материал для multi-Vt имеет толщину менее 1нм, при этом он диффундирует в базовую структуру, что и позволяет говорить о безобъемности.
В 2020 году разработчики представили двухдипольную интеграцию, что позволило еще более снизить пороговое напряжение для обоих типов полупроводниковых каналов. Это позволило надеяться на еще более высокую производительность отдельных транзисторов и повысило гибкость безобъемного multi-Vt.
На конференции IEDM в 2023 году разработчики показали приложение, которое сделала возможным двухдипольная интеграция: транзистор, который хорошо подходит для охлаждения жидким азотом, что обещает возможности повышения производительности.
В 2024 году были представлены результаты исследований узкого пространства N-P, где тонкослойная структура материалов позволяет выборочно использовать дипольные материалы для создания безобъемных многофазных транзисторов. При этом пространство выступает как донор или металл с активной рабочей функцией для многофазных транзисторов.
Так можно интегрировать устройства с высоким Vt, тогда как толстослойная структура определяет устройства с низким Vt. Команда использовала два подхода селективного сужения слоев (SLR), которые они назвали SLR1 и SLR2.
Если пространство N-P уже 40нм, то возможны проблемы из-за различных дефектов и ошибок изготовления. В частности, ионы плазмы, часто используемые для травления пластин, могут повреждать диэлектрический слой затвора или непреднамеренно утолщать интерфейсные слои, что негативно сказывается на производительности и надежности устройств. В рамках метода SLR1 тонкий слой металла решал проблему «подрезки» материалов в этом промежутке.
Метод SLR2 помогал справиться с проблемой подрезки, которая возникала при использовании толстого слоя металла с активной рабочей функцией. В экспериментах исследователи добились того, что могли утонять материал только в N-P пространстве, не затрагивая при этом затвор.
Все эти новинки – те кирпичики, из которых формируется технология нанолистов с разными Vt для узлов GAA, идущим на замену узлам FinFET. Как только в IBM завершат разработку технологии GAA 2нм, она будет внедрена в японском производстве Rapidus.
Японская Rapidus строит современное производство IIM 2нм в Титосе, Хоккайдо, с планами начать массовый выпуск пластин в 2027 году.
@RUSmicro
Обозначения на картинке: 1. Кольцевой затвор (Wrap-around gate); 2 - три нанолистовых слоя; 3 - исток; 4 - подложка; 5 – сток; 6 – изоляция
👍5🤔2
🇺🇸 Господдержка. Субсидии. Производство памяти. США
Micron – еще один американский производитель микроэлектроники получил крупную госсубсидию
Минторг США сообщил о завершении оформления госсубсидии в размере $6,165 млрд для Micron Technology, которая поддержит долгосрочный план по развитию производства в штатах Нью-Йорк (инвестплан - $100 млрд) и Айдахо (инвестплан - $25 млрд). Для производства в Нью-Йорке правительством США выделено $4.6 млрд, для Айдахо – $1.5 млрд.
Это одна из нескольких крупнейших госсубсидий, которые правительство США направило на поддержку производства в США современных полупроводников. Две недели тому назад было выделено $7.86 млрд компании Intel и $6.6 млрд компании TSMC, а также $1.5 млрд компании Global Foundries.
В Минторге США делают все возможное, чтобы раскидать деньги по страждущим до вступления в должность президента США г-на Трампа, который критиковал программу госсубсидий для микроэлектронной промышленности США. Будет интересно посмотреть, в связи с этим, продолжит ли он ту же политику, став президентом, и к чему это приведет.
Кроме получения крупной субсидии Micron достиг предварительного соглашения с Минторгом о предоставлении еще $275 млн в качестве господдержки расширения и модернизации своего предприятия в Манассасе, Вирджиния, с целью наращивания производства пластин.
В Минторге США заявляют, что инвестиции Micron создадут около 20 тысяч рабочих мест и помогут США нарастить свою долю в производстве передовых микросхем памяти с нынешних менее 2% до примерно 10% к 2035 году.
Micron работает над кампусом площадью 5 665 600 кв.м, где будет производиться память DRAM в центральной части штата Нью-Йорк (округ Онодага).
Отрасль производства памяти отличается высокой конкуренцией в мировых масштабах. Ее лидеры сосредоточены в Корее, это Samsung по части объемов производства и SK Hynix – технологический лидер, как минимум, по части наиболее высокотехнологичной HBM памяти и не только.
Micron пока что удерживает третье место в мире, но китайские производители все более уверенно внедряются и на мировой рынок памяти.
Технологическое отставание китайских производителей еще сохраняется, например, если SK Hynix выпускает микросхемы HBM 3Е (5-е поколение), то китайская CXMT освоила пока что только HBM 2 (2-е поколение), да и то на американском оборудовании.
А вот по числу слоев, похоже, разрыв между продуктами NAND flash, произведенными Micron и китайской YMTC, практически ликвидирован. Японцы в лице Kioxia и вовсе позади, только Samsung и SK Hynix сохраняют лидерство по этому показателю.
@RUSmicro по материалам Reuters
#память #господдержка #госсубсидии
Micron – еще один американский производитель микроэлектроники получил крупную госсубсидию
Минторг США сообщил о завершении оформления госсубсидии в размере $6,165 млрд для Micron Technology, которая поддержит долгосрочный план по развитию производства в штатах Нью-Йорк (инвестплан - $100 млрд) и Айдахо (инвестплан - $25 млрд). Для производства в Нью-Йорке правительством США выделено $4.6 млрд, для Айдахо – $1.5 млрд.
Это одна из нескольких крупнейших госсубсидий, которые правительство США направило на поддержку производства в США современных полупроводников. Две недели тому назад было выделено $7.86 млрд компании Intel и $6.6 млрд компании TSMC, а также $1.5 млрд компании Global Foundries.
В Минторге США делают все возможное, чтобы раскидать деньги по страждущим до вступления в должность президента США г-на Трампа, который критиковал программу госсубсидий для микроэлектронной промышленности США. Будет интересно посмотреть, в связи с этим, продолжит ли он ту же политику, став президентом, и к чему это приведет.
Кроме получения крупной субсидии Micron достиг предварительного соглашения с Минторгом о предоставлении еще $275 млн в качестве господдержки расширения и модернизации своего предприятия в Манассасе, Вирджиния, с целью наращивания производства пластин.
В Минторге США заявляют, что инвестиции Micron создадут около 20 тысяч рабочих мест и помогут США нарастить свою долю в производстве передовых микросхем памяти с нынешних менее 2% до примерно 10% к 2035 году.
Micron работает над кампусом площадью 5 665 600 кв.м, где будет производиться память DRAM в центральной части штата Нью-Йорк (округ Онодага).
Отрасль производства памяти отличается высокой конкуренцией в мировых масштабах. Ее лидеры сосредоточены в Корее, это Samsung по части объемов производства и SK Hynix – технологический лидер, как минимум, по части наиболее высокотехнологичной HBM памяти и не только.
Micron пока что удерживает третье место в мире, но китайские производители все более уверенно внедряются и на мировой рынок памяти.
Технологическое отставание китайских производителей еще сохраняется, например, если SK Hynix выпускает микросхемы HBM 3Е (5-е поколение), то китайская CXMT освоила пока что только HBM 2 (2-е поколение), да и то на американском оборудовании.
А вот по числу слоев, похоже, разрыв между продуктами NAND flash, произведенными Micron и китайской YMTC, практически ликвидирован. Японцы в лице Kioxia и вовсе позади, только Samsung и SK Hynix сохраняют лидерство по этому показателю.
@RUSmicro по материалам Reuters
#память #господдержка #госсубсидии
Reuters
US finalizes $6.1 bln Micron chip-making subsidy
The U.S. Commerce Department said on Tuesday it had finalized a $6.165 billion government subsidy for Micron Technology to produce semiconductors in New York and Idaho.
👍2👀1🙈1
🇪🇺 Микроконтроллеры. edge AI. Европа
STMicro запускает микроконтроллер для поддержки ИИ на устройствах
Европейская STMicroelectronics, известная своими микроконтроллерами, объявила о выпуске новой серии микроконтроллеров STM32N6, первой серии микроконтроллеров компании с поддержкой edge AI и ML.
Производитель ожидает, что эта серия найдет спрос у производителей потребительской и промышленной электроники для выполнения непосредственно на устройстве обработки изображений и звука – для решения задач, которые на сегодня требуют клиент-серверного подхода и передачи данных на обработку в облачные сервисы.
@RUSmicro по материалам Reuters
#микроконтроллеры #edgeAI
STMicro запускает микроконтроллер для поддержки ИИ на устройствах
Европейская STMicroelectronics, известная своими микроконтроллерами, объявила о выпуске новой серии микроконтроллеров STM32N6, первой серии микроконтроллеров компании с поддержкой edge AI и ML.
Производитель ожидает, что эта серия найдет спрос у производителей потребительской и промышленной электроники для выполнения непосредственно на устройстве обработки изображений и звука – для решения задач, которые на сегодня требуют клиент-серверного подхода и передачи данных на обработку в облачные сервисы.
@RUSmicro по материалам Reuters
#микроконтроллеры #edgeAI
Reuters
STMicro launches 'edge' AI microcontroller
STMicroelectronics , one of Europe's biggest computer chip companies, has launched a new series of microcontrollers, its first for so called edge AI and machine learning.
👍5
🇺🇸 Квантовые вычисления. Чипы. США
Alphabet представил чип нового поколения
Американская Alphabet представила чип «нового поколения» Willow, который, по заявлению компании, является решением «ключевой проблемы» в квантовых вычислениях. Подробностей о чипе пока что немного.
В качестве рекламы новинки, Alphabet заявляет, что компьютер на основе нового чипа за 5 минут решил задачу, на решение которой классический компьютер потратил бы больше времени, чем оценка возраста Вселенной. Мощность чипа – 105 кубитов. Для работы чип приходится охлаждать в криостате.
«Ключевая проблема» квантовых компьютеров, это свойственные кубитам ошибки. Чем больше кубитов используется в квантовом компьютере – тем он мощнее, но при этом тем больше ошибок.
Alphabet заявляет, что нашла способ объединения кубитов чипа, при котором частота ошибок снижается по мере наращивания числа кубитов. Кроме того, компания нашла способ исправления ошибок в реальном времени.
@RUSmicro, фото - Reuters
#квантовыевычисления #кубиты
Alphabet представил чип нового поколения
Американская Alphabet представила чип «нового поколения» Willow, который, по заявлению компании, является решением «ключевой проблемы» в квантовых вычислениях. Подробностей о чипе пока что немного.
В качестве рекламы новинки, Alphabet заявляет, что компьютер на основе нового чипа за 5 минут решил задачу, на решение которой классический компьютер потратил бы больше времени, чем оценка возраста Вселенной. Мощность чипа – 105 кубитов. Для работы чип приходится охлаждать в криостате.
«Ключевая проблема» квантовых компьютеров, это свойственные кубитам ошибки. Чем больше кубитов используется в квантовом компьютере – тем он мощнее, но при этом тем больше ошибок.
Alphabet заявляет, что нашла способ объединения кубитов чипа, при котором частота ошибок снижается по мере наращивания числа кубитов. Кроме того, компания нашла способ исправления ошибок в реальном времени.
@RUSmicro, фото - Reuters
#квантовыевычисления #кубиты
👍6
🇨🇳 Геополитика и микроэлектроника. Китай
Война чипов: импорт полупроводников в Китай растет в преддверии ужесточения ограничений США
С января по ноябрь 2024 года Китай импортировал в общей сложности 501,47 млрд ИС, что на 14,8% больше, чем за аналогичный период 2023 года. Такие данные предоставило Главное таможенное управление Китая.
Импорт полупроводников в Китай продолжал расти в 2024 году, поскольку предприятия материкового Китая спешат запастись зарубежными микросхемами в ожидании новых торговых санкций Вашингтона.
Общая стоимость импорта микросхем за 11 месяцев, достигла 349 млрд США, что на 10,5% больше, чем годом ранее.
Рост объема и стоимости импорта, по мнению авторов заметки, свидетельствует о росте обеспокоенности китайских производителей ужесточением американских санкций.
С другой стороны, экспорт микросхем из Китая достиг 271,6 млрд штук, что на 11,4% больше, чем за аналогичный период прошлого года. Доход от этого экспорта составил 145 млрд долларов, что на 18,8% больше год к году.
Если подсчитать среднюю цену изделий, то для импорта получим $0,7 за шт. для импорта и $0.53 за шт. для экспорта, что, вероятно, отражает перевес в структуре экспорта из Китая микросхем, выпущенных по зрелым технологиям.
Только за октябрь в Китае произвели 35,9 млрд микросхем, что на 11,8% год к году. Объем выпуска микросхем за первые 10 месяцев 2024 года вырос на 24,8% год к году, по данным Национального бюро статистики Китая.
Власти Китая в качестве очередного ответа на новые ограничения США затеяли расследование против Nvidia. Поводом выбрано приобретение израильского производителя сетевых продуктов Mellanox Technologies за $6.9 млрд в далеком 2020 году. Эта сделка тогда получила одобрение Китая, а теперь вот с папочки в шкафу смахнули пыль решили «проверить на антимонопольность».
Китайская ассоциация полупроводников поспешила заявить, что американские чипы «больше не безопасны, больше не надежны».
Чиповая война США и Китая продолжается и эскалируется, но при этом Китай исправно покупает все больше зарубежных чипов.
@RUSmicro по материалам South China Morning Post
#геополитика #войначипов
Война чипов: импорт полупроводников в Китай растет в преддверии ужесточения ограничений США
С января по ноябрь 2024 года Китай импортировал в общей сложности 501,47 млрд ИС, что на 14,8% больше, чем за аналогичный период 2023 года. Такие данные предоставило Главное таможенное управление Китая.
Импорт полупроводников в Китай продолжал расти в 2024 году, поскольку предприятия материкового Китая спешат запастись зарубежными микросхемами в ожидании новых торговых санкций Вашингтона.
Общая стоимость импорта микросхем за 11 месяцев, достигла 349 млрд США, что на 10,5% больше, чем годом ранее.
Рост объема и стоимости импорта, по мнению авторов заметки, свидетельствует о росте обеспокоенности китайских производителей ужесточением американских санкций.
С другой стороны, экспорт микросхем из Китая достиг 271,6 млрд штук, что на 11,4% больше, чем за аналогичный период прошлого года. Доход от этого экспорта составил 145 млрд долларов, что на 18,8% больше год к году.
Если подсчитать среднюю цену изделий, то для импорта получим $0,7 за шт. для импорта и $0.53 за шт. для экспорта, что, вероятно, отражает перевес в структуре экспорта из Китая микросхем, выпущенных по зрелым технологиям.
Только за октябрь в Китае произвели 35,9 млрд микросхем, что на 11,8% год к году. Объем выпуска микросхем за первые 10 месяцев 2024 года вырос на 24,8% год к году, по данным Национального бюро статистики Китая.
Власти Китая в качестве очередного ответа на новые ограничения США затеяли расследование против Nvidia. Поводом выбрано приобретение израильского производителя сетевых продуктов Mellanox Technologies за $6.9 млрд в далеком 2020 году. Эта сделка тогда получила одобрение Китая, а теперь вот с папочки в шкафу смахнули пыль решили «проверить на антимонопольность».
Китайская ассоциация полупроводников поспешила заявить, что американские чипы «больше не безопасны, больше не надежны».
Чиповая война США и Китая продолжается и эскалируется, но при этом Китай исправно покупает все больше зарубежных чипов.
@RUSmicro по материалам South China Morning Post
#геополитика #войначипов
South China Morning Post
Chip war: China’s semiconductor imports expand ahead of new US restrictions
From January to November, China imported a total of 501.47 billion integrated circuits, up 14.8 per cent from the same period last year.
👍4❤1
🇹🇼 Участники рынка. Производители полупроводников. Тайвань
TSMC усиливает лидерство на рынке контрактного производства
TSMC зафиксировала 9-й подряд квартал с ростом выручки. Годовые продажи, как ожидается, достигнут 3 трлн долларов Тайваня ($9,2 млрд).
Продажи TSMC в ноябре выросли на 34% год к году, достигнув 276,1 млрд тайваньских долларов, выручка за первые 11 месяцев года выросла на $31,8 млрд до 2,6 трлн тайваньских долларов.
TSMC остается ключевым поставщиком микросхем для Apple, Qualcomm и MediaTek. Компания продолжает капитализировать свои успехи в технологическом развитии, что позволяет ей производить все более востребованные ИИ-микросхемы.
По данным TrendForce, TSMC усилила свои позиции в контрактном сегменте по итогам 3q2024, с долей 64.9% (в 3q2023 было 57,9%). Выручка в этом сегменте за 3q2024 составила $23,5 млрд (+36% гг).
Продажи TSMC в 2023 году было упали на 4.5% до 2.2 трлн тайваньских долларов, но восстановились уже в начале 2024 года.
@RUSmicro по материалам Mobile World Live
#контрактноепроизводство
TSMC усиливает лидерство на рынке контрактного производства
TSMC зафиксировала 9-й подряд квартал с ростом выручки. Годовые продажи, как ожидается, достигнут 3 трлн долларов Тайваня ($9,2 млрд).
Продажи TSMC в ноябре выросли на 34% год к году, достигнув 276,1 млрд тайваньских долларов, выручка за первые 11 месяцев года выросла на $31,8 млрд до 2,6 трлн тайваньских долларов.
TSMC остается ключевым поставщиком микросхем для Apple, Qualcomm и MediaTek. Компания продолжает капитализировать свои успехи в технологическом развитии, что позволяет ей производить все более востребованные ИИ-микросхемы.
По данным TrendForce, TSMC усилила свои позиции в контрактном сегменте по итогам 3q2024, с долей 64.9% (в 3q2023 было 57,9%). Выручка в этом сегменте за 3q2024 составила $23,5 млрд (+36% гг).
Продажи TSMC в 2023 году было упали на 4.5% до 2.2 трлн тайваньских долларов, но восстановились уже в начале 2024 года.
@RUSmicro по материалам Mobile World Live
#контрактноепроизводство
Mobile World Live
TSMC widens foundry lead
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co (TSMC) recorded a ninth consecutive quarter of near 30 per cent growth in November.
👍2
🇯🇵 САПР микроэлектроники. Партнерства. 2нм. Япония. США
Rapidus работает с Cadence над решениями EDA для технологии 2нм GAA
Японский контрактный производитель микроэлектроники Rapidus объявил о сотрудничестве с Cadense Design Systems с тем, чтобы предоставлять совместно оптимизированные, созданные с помощью ИИ эталонные потоки проектирования и IP.
Сотрудничество будет поддерживать процесс Rapidus 2нм GAA, клиенты смогут воспользоваться технологией BSPDN (backside power delivery network – сеть подачи питания снизу) в разработке своих чипов.
В сегменте высокопроизводительных вычислений и ИИ-вычислений, технологии GAA и BSPDN считаются жизненно важными для удовлетворения растущих требований к энергопотреблению, производительности и площади кристалла.
Клиентам Rapidus будет предоставлен доступ к обширному портфелю интерфейсных и IP-компонентов памяти, которыми располагает Cadence, включая HBM4, 224G SerDec, PCI Express 7.0 и другим. Кроме того, они смогут воспользоваться преимуществами решений по проектированию и производству 2нм GAA и BSPDN, которые поддерживают концепцию Rapidus Design for Manufacturing and Co-Optimisation (DMCO).
В сообщении не говорится о сроках. Но мы знаем, что японская Rapidus строит современное производство 2нм в Титосе, Хоккайдо, с планами начать массовый выпуск пластин в 2027 году. Так что пока что взаимодействие с Rapidus в области 2нм GAA может осуществляться лишь на самой ранней стадии.
@RUSmicro по материалам New Electronics
#EDA #САПР #2нм #GAA
Rapidus работает с Cadence над решениями EDA для технологии 2нм GAA
Японский контрактный производитель микроэлектроники Rapidus объявил о сотрудничестве с Cadense Design Systems с тем, чтобы предоставлять совместно оптимизированные, созданные с помощью ИИ эталонные потоки проектирования и IP.
Сотрудничество будет поддерживать процесс Rapidus 2нм GAA, клиенты смогут воспользоваться технологией BSPDN (backside power delivery network – сеть подачи питания снизу) в разработке своих чипов.
В сегменте высокопроизводительных вычислений и ИИ-вычислений, технологии GAA и BSPDN считаются жизненно важными для удовлетворения растущих требований к энергопотреблению, производительности и площади кристалла.
Клиентам Rapidus будет предоставлен доступ к обширному портфелю интерфейсных и IP-компонентов памяти, которыми располагает Cadence, включая HBM4, 224G SerDec, PCI Express 7.0 и другим. Кроме того, они смогут воспользоваться преимуществами решений по проектированию и производству 2нм GAA и BSPDN, которые поддерживают концепцию Rapidus Design for Manufacturing and Co-Optimisation (DMCO).
В сообщении не говорится о сроках. Но мы знаем, что японская Rapidus строит современное производство 2нм в Титосе, Хоккайдо, с планами начать массовый выпуск пластин в 2027 году. Так что пока что взаимодействие с Rapidus в области 2нм GAA может осуществляться лишь на самой ранней стадии.
@RUSmicro по материалам New Electronics
#EDA #САПР #2нм #GAA
New Electronics
Rapidus working with Cadence on 2nm semiconductor solutions
Rapidus has announced a collaboration with Cadence to provide co-optimised AI-driven reference design flows and IP.
🔥3👍1
🇺🇸 ИИ-чипы. США
Apple работает с Broadcom чтобы создать серверный ИИ-чип
Об этом сообщает Reuters со ссылкой на Information, который в свою очередь ссылается на неназванных людей, знакомых с вопросом. Это, как ожидается, должно сократить зависимость Apple от Nvidia. Серверные ИИ чипы Apple планирует использовать для поддержки функций ИИ на своих устройствах.
ИИ-чип Apple имеет кодовое название Baltra и, как ожидается, будет готов к массовому производству к 2026 году. Как ожидается, чип будет выпущен по техпроцессу N3P компании TSMC.
Apple привлекла Broadcom и к другому своему проекту – разработке радиочастотных компонентов 5G.
Google тоже сотрудничает с Broadcom по части разработки собственных ИИ-чипов.
Попытки крупных поставщиков облачных услуг диверсифицировать цепочки поставок за пределы работы с продукцией Nvidia, обеспечили Broadcom немало новых заказов в этом сегменте. Впрочем, у Broadcom есть и конкурент – компания Marvell.
Общий рынок заказных чипов может вырасти до $45 млрд, и основная его доля будет поделена между Broadcom и Marvell.
@RUSmicro
Apple работает с Broadcom чтобы создать серверный ИИ-чип
Об этом сообщает Reuters со ссылкой на Information, который в свою очередь ссылается на неназванных людей, знакомых с вопросом. Это, как ожидается, должно сократить зависимость Apple от Nvidia. Серверные ИИ чипы Apple планирует использовать для поддержки функций ИИ на своих устройствах.
ИИ-чип Apple имеет кодовое название Baltra и, как ожидается, будет готов к массовому производству к 2026 году. Как ожидается, чип будет выпущен по техпроцессу N3P компании TSMC.
Apple привлекла Broadcom и к другому своему проекту – разработке радиочастотных компонентов 5G.
Google тоже сотрудничает с Broadcom по части разработки собственных ИИ-чипов.
Попытки крупных поставщиков облачных услуг диверсифицировать цепочки поставок за пределы работы с продукцией Nvidia, обеспечили Broadcom немало новых заказов в этом сегменте. Впрочем, у Broadcom есть и конкурент – компания Marvell.
Общий рынок заказных чипов может вырасти до $45 млрд, и основная его доля будет поделена между Broadcom и Marvell.
@RUSmicro
Reuters
Apple working with Broadcom to develop AI chip, the Information reports
Apple is working with Broadcom to develop its first server chip specially designed for artificial intelligence processing, the Information reported on Wednesday, citing people with direct knowledge of the matter.
⚡1🤔1
🇺🇸 Роботизация производства микроэлектроники. США
Компания Lam Research, известный американский производитель производственного оборудования для выпуска полупроводниковых структур на пластинах, представила высокоточного мобильного робота Dextro, разработанного с учетом потребностей производителей микросхем.
Dextro - это мобильный робот с коллаборативным манипулятором.
🔸 Робот способен установить расходные компоненты с точностью вдвое выше, чем при ручной установке.
🔸 Dextro способен затягивать болты вакуумных уплотнений с точном соответствии со спецификациями, снижая уровень ошибок на 5% по сравнению с ручным выполнением этой работы.
🔸 Dextro способен безопасно очищать стенки камер от полимерных отложений без демонтажа оборудования.
Пока что робот совместим с инструментами для травления серий Flex F и Flex H, но в 2025 году компания намеревается расширить его совместимость с другими производственными установками.
Lam Research уже развернула роботов Dextro на нескольких передовых фабах в разных странах и теперь с уверенностью утверждает, что это снизило ошибки при обслуживании и позволило повысить показатель FTR (улучшенные результаты с первой попытки).
В Samsung о роботах Dextro отзываются так: "безошибочное обслуживание Dextro способствует улучшению стабильности производства и выхода продукции".
Решение не только повышает качество исполнения ряда производственных задач микроэлектронного производства, но также решает такую проблему, как нехватка квалифицированных инженеров и растущая сложность современного оборудования для изготовления пластин.
Этот кейс - безусловный шаг к полной автоматизации и безлюдному производству микроэлектроники. Стоит обратить внимание.
@RUSmicro по материалам Tom's Hardware
#автоматизация #роботизация #мобильныероботы #производство #микроэлектроника
Компания Lam Research, известный американский производитель производственного оборудования для выпуска полупроводниковых структур на пластинах, представила высокоточного мобильного робота Dextro, разработанного с учетом потребностей производителей микросхем.
Dextro - это мобильный робот с коллаборативным манипулятором.
🔸 Робот способен установить расходные компоненты с точностью вдвое выше, чем при ручной установке.
🔸 Dextro способен затягивать болты вакуумных уплотнений с точном соответствии со спецификациями, снижая уровень ошибок на 5% по сравнению с ручным выполнением этой работы.
🔸 Dextro способен безопасно очищать стенки камер от полимерных отложений без демонтажа оборудования.
Пока что робот совместим с инструментами для травления серий Flex F и Flex H, но в 2025 году компания намеревается расширить его совместимость с другими производственными установками.
Lam Research уже развернула роботов Dextro на нескольких передовых фабах в разных странах и теперь с уверенностью утверждает, что это снизило ошибки при обслуживании и позволило повысить показатель FTR (улучшенные результаты с первой попытки).
В Samsung о роботах Dextro отзываются так: "безошибочное обслуживание Dextro способствует улучшению стабильности производства и выхода продукции".
Решение не только повышает качество исполнения ряда производственных задач микроэлектронного производства, но также решает такую проблему, как нехватка квалифицированных инженеров и растущая сложность современного оборудования для изготовления пластин.
Этот кейс - безусловный шаг к полной автоматизации и безлюдному производству микроэлектроники. Стоит обратить внимание.
@RUSmicro по материалам Tom's Hardware
#автоматизация #роботизация #мобильныероботы #производство #микроэлектроника
👍3🔥1🙈1
🇩🇪 🇫🇷 Кремниевая фотоника. Лазерные источники. Европа
В Европе разработан полупроводниковый лазер непрерывного действия для кремниевой фотоники
Ученые из Исследовательского центра Юлиха, Университета Штутгарда и Института высокопроизводительной микроэлектроники Лейбница (IHP) совместно с французским партнером CEA-LETI разработали полупроводниковый лазер с длиной волны 2,32 мкм непрерывного действия с электрической накачкой, состоящий исключительно из элементов IV группы периодической таблицы, которую называют «кремниевой группой».
Лазер выращивается из сверхтонких слоев кремния германия-олова и германия-олова (SiGeSn/GeSn) непосредственно на кремниевой пластине. Это открывает новые возможности для кремниевой фотоники, в частности для создания ФИС. Результаты опубликованы в Nature Communications.
В последние годы достигнут значительный прогресс в монолитной интеграции оптически активных компонентов на кремниевых чипах. Были разработаны ключевые компоненты, включая высокопроизводительные модуляторы, фотодетекторы и волноводы. Проблемой оставалось создание эффективного источника света с электрической начинкой на базе полупроводников группы IV.
До сих пор такие источники света полагались на материалы III-V, которые сложно и дорого интегрировать с кремнием. Новый лазер устраняет эти пробелы, он совместим с традиционной технологией КМОП, что позволит беспроблемно интегрировать его существующие производственные процессы. По сути, это последнее «недостающее звено» в наборе инструментов кремниевой фотоники.
Новый лазер работает с низкой инжекцией тока, всего 5 мА при 2В, что сопоставимо с потреблением светодиода. За счет усовершенствованной структуры с несколькими квантовыми ямами и кольцевой геометрии, лазер минимизирует энергопотребление и тепловыделение, что позволяет ему стабильно работать при температуре до 90К (-183,15 °С).
Конечно, для массового использования нужно будет усовершенствовать лазер с тем, чтобы он мог работать при комнатной температуре. Как только это будет сделано, можно будет надеяться на то, что кремниевая фотоника постепенно начнет превращаться в массовую технологию.
Исследовательская группа под руководством доктора Буки из исследовательского центра в Юлихе уже много лет исследует сплавы IV группы на основе олова. Они уже показали потенциал для их применения в фотонике, электронике, термоэлектронике и спинтронике.
@RUSmicro по материалам Optics
#фотоника #кремниеваяфотоника #материалы #наука
В Европе разработан полупроводниковый лазер непрерывного действия для кремниевой фотоники
Ученые из Исследовательского центра Юлиха, Университета Штутгарда и Института высокопроизводительной микроэлектроники Лейбница (IHP) совместно с французским партнером CEA-LETI разработали полупроводниковый лазер с длиной волны 2,32 мкм непрерывного действия с электрической накачкой, состоящий исключительно из элементов IV группы периодической таблицы, которую называют «кремниевой группой».
Лазер выращивается из сверхтонких слоев кремния германия-олова и германия-олова (SiGeSn/GeSn) непосредственно на кремниевой пластине. Это открывает новые возможности для кремниевой фотоники, в частности для создания ФИС. Результаты опубликованы в Nature Communications.
В последние годы достигнут значительный прогресс в монолитной интеграции оптически активных компонентов на кремниевых чипах. Были разработаны ключевые компоненты, включая высокопроизводительные модуляторы, фотодетекторы и волноводы. Проблемой оставалось создание эффективного источника света с электрической начинкой на базе полупроводников группы IV.
До сих пор такие источники света полагались на материалы III-V, которые сложно и дорого интегрировать с кремнием. Новый лазер устраняет эти пробелы, он совместим с традиционной технологией КМОП, что позволит беспроблемно интегрировать его существующие производственные процессы. По сути, это последнее «недостающее звено» в наборе инструментов кремниевой фотоники.
Новый лазер работает с низкой инжекцией тока, всего 5 мА при 2В, что сопоставимо с потреблением светодиода. За счет усовершенствованной структуры с несколькими квантовыми ямами и кольцевой геометрии, лазер минимизирует энергопотребление и тепловыделение, что позволяет ему стабильно работать при температуре до 90К (-183,15 °С).
Конечно, для массового использования нужно будет усовершенствовать лазер с тем, чтобы он мог работать при комнатной температуре. Как только это будет сделано, можно будет надеяться на то, что кремниевая фотоника постепенно начнет превращаться в массовую технологию.
Исследовательская группа под руководством доктора Буки из исследовательского центра в Юлихе уже много лет исследует сплавы IV группы на основе олова. Они уже показали потенциал для их применения в фотонике, электронике, термоэлектронике и спинтронике.
@RUSmicro по материалам Optics
#фотоника #кремниеваяфотоника #материалы #наука
👍7🤣1
🇯🇵 🇺🇸 Процессоры ЦОД. 2нм. Передовая упаковка. Япония. США
Fujitsu с поддержкой Broadcom разрабатывают серверный процессор Armv9 с использованием техпроцессов 2нм + 5нм и упаковки 3.5D eXtreme Dimension SiP
Fujitsu показала раскладку своего будущего 144-ядерного процессора Monaka. Он основан на Armv9 и предназначен для использования в решениях для ЦОД.
Компания разрабатывает его совместно с Broadcom, опираясь на передовую упаковку этой компании 3.5D XDSiP (3.5D eXtreme Dimension System in Package).
Monaka это большая система в упаковке (SiP – system in package) CoWoS, в состав которой входят 4 * 36-ядерных вычислительных чиплета, изготовленных по технологии TSMC N2 (2нм), то есть 144 ядра Armv9 с усовершенствованиями. Эти процессоры уложены поверх плиток SRAM методом F2F (лицом к лицу) с использованием гибридного медного соединения (HCB).
Плитки SRAM, играющие роль огромных кэшей, производятся по технологии TSMC N5. Конструкцию дополняет большой кристалл ввода-вывода, который интегрирует контроллер памяти, линии PCIe 6.0 с CXL 3.0 для подключения ускорителей и расширителей, а также другие интерфейсы, которые могут быть востребованы в ситуации с CPU уровня ЦОД.
Стоит отметить, что Monaka не стала использовать высокодефицитную память HBM, а применит массовую DDR5 DRAM, возможно в своих реализациях MR-DIMM и MCR-DIMM, что положительно скажется на емкости памяти и позволит не задрать в космос стоимость процессор.
Ядра процессора построены на наборе инструкций Armv9-A, они включают масштабируемые векторные расширения 2 (SVE2). Fujitsu не указала фиксированную длину вектора для конструкции, она может варьироваться от 128 до 2048 бит. Учитывая, что A64FX поддерживает векторы до 512 бит, процессор Monaka, вероятно, будет поддерживать векторы аналогичного или большего размера. Впрочем, это пока лишь предположения.
Процессор будет включать расширенные функции безопасности, включая архитектуру конфиденциальных вычислений Armv9-A (CCA), предлагающую улучшенную изоляцию рабочей нагрузки и надежную защиту.
Monaka будет конкурировать с процессорами AMD EPYC и Intel Xeon, поэтому ему придется чем-то выделиться на фоне этих раскрученных конкурентов. Возможно, речь будет идти об энергоэффективности. Например, если с охлаждением этого чипа справится воздушное охлаждение, это будет большим плюсом. И поскольку речь идет об Arm, можно надеяться, что энергоэффективность этой SiP действительно может оказаться заметно выше, чем у процессоров x86.
Это ранний анонс, доступность процессора ожидается в 2027 ф. году, который у компании начнется 1 апреля 2026 года и закончится 31 марта 2027 года.
Broadcom в последнее время чаще мелькает в новостях о разработках передовых чипов для различных брендов, вспомнить хотя бы о разработках ИИ-чипов и чипов 5G для и совместно с Apple. Похоже, здесь на сегодня собрана мощная команда разработчиков. Да и идея упаковки 3.5D XDSiP явно "зашла" рынку.
@RUSmicro по материалам MSN
#чиплеты #Armv9 #ЦОДпроцессоры #F2F #HCB #2нм #упаковка
Fujitsu с поддержкой Broadcom разрабатывают серверный процессор Armv9 с использованием техпроцессов 2нм + 5нм и упаковки 3.5D eXtreme Dimension SiP
Fujitsu показала раскладку своего будущего 144-ядерного процессора Monaka. Он основан на Armv9 и предназначен для использования в решениях для ЦОД.
Компания разрабатывает его совместно с Broadcom, опираясь на передовую упаковку этой компании 3.5D XDSiP (3.5D eXtreme Dimension System in Package).
Monaka это большая система в упаковке (SiP – system in package) CoWoS, в состав которой входят 4 * 36-ядерных вычислительных чиплета, изготовленных по технологии TSMC N2 (2нм), то есть 144 ядра Armv9 с усовершенствованиями. Эти процессоры уложены поверх плиток SRAM методом F2F (лицом к лицу) с использованием гибридного медного соединения (HCB).
Плитки SRAM, играющие роль огромных кэшей, производятся по технологии TSMC N5. Конструкцию дополняет большой кристалл ввода-вывода, который интегрирует контроллер памяти, линии PCIe 6.0 с CXL 3.0 для подключения ускорителей и расширителей, а также другие интерфейсы, которые могут быть востребованы в ситуации с CPU уровня ЦОД.
Стоит отметить, что Monaka не стала использовать высокодефицитную память HBM, а применит массовую DDR5 DRAM, возможно в своих реализациях MR-DIMM и MCR-DIMM, что положительно скажется на емкости памяти и позволит не задрать в космос стоимость процессор.
Ядра процессора построены на наборе инструкций Armv9-A, они включают масштабируемые векторные расширения 2 (SVE2). Fujitsu не указала фиксированную длину вектора для конструкции, она может варьироваться от 128 до 2048 бит. Учитывая, что A64FX поддерживает векторы до 512 бит, процессор Monaka, вероятно, будет поддерживать векторы аналогичного или большего размера. Впрочем, это пока лишь предположения.
Процессор будет включать расширенные функции безопасности, включая архитектуру конфиденциальных вычислений Armv9-A (CCA), предлагающую улучшенную изоляцию рабочей нагрузки и надежную защиту.
Monaka будет конкурировать с процессорами AMD EPYC и Intel Xeon, поэтому ему придется чем-то выделиться на фоне этих раскрученных конкурентов. Возможно, речь будет идти об энергоэффективности. Например, если с охлаждением этого чипа справится воздушное охлаждение, это будет большим плюсом. И поскольку речь идет об Arm, можно надеяться, что энергоэффективность этой SiP действительно может оказаться заметно выше, чем у процессоров x86.
Это ранний анонс, доступность процессора ожидается в 2027 ф. году, который у компании начнется 1 апреля 2026 года и закончится 31 марта 2027 года.
Broadcom в последнее время чаще мелькает в новостях о разработках передовых чипов для различных брендов, вспомнить хотя бы о разработках ИИ-чипов и чипов 5G для и совместно с Apple. Похоже, здесь на сегодня собрана мощная команда разработчиков. Да и идея упаковки 3.5D XDSiP явно "зашла" рынку.
@RUSmicro по материалам MSN
#чиплеты #Armv9 #ЦОДпроцессоры #F2F #HCB #2нм #упаковка
👍6🙈1
🇷🇺 Производственное оборудование. Участники рынка. Планы. Интервью
О российском производственном оборудовании микроэлектроники - Юлия Сухорослова, Нанотроника (Элемент)
С г-жой Сухорословой, гендиректором компании Нанотроника (ГК Элемент) беседовала Кристина Холупова, CNews, получилось интересно. Читайте целиком по ссылке, а я ниже приведу факты, которые мне показались важными для распространения.
🔸 Стратегическая задача Нанотроники – предложить полную проверенную линейку оборудования по технологическому маршруту, используя, преимущественно отечественные разработки – собственные, то есть разработанные предприятиями группы Элемент, либо партнерами.
🔸 Выросла загрузка российского производства микроэлектроники в РФ, на Микрон, НЗПП Восток и НИИЭТ производство работает в 2-3 смены.
🔸 30% технологических этапов производства микроэлектроники РФ может покрыть самостоятельно на текущий момент. Остальные еще только предстоит освоить: в частности, метрологическое оборудование, оборудование для отдельных процессов химико-механической планаризации.
🔸 От комплексного решения, которое должно быть основано на серийных российских производственных установках, совмещенных в едином технологическом цикле, ожидается экспортный потенциал.
🔸 Есть позитивные примеры, разработка НИИТМ (ГК Элемент) в области эпитаксии превосходит зарубежные аналоги производства Aixtron или Veeco, уверены в Нанотронике.
🔸 Российских компаний, работающий в области электронного машиностроения – порядка 1-2 десятков, из них 5-7 занимаются мелкосерийной сборкой (НИИТМ, НИИПМ, НТО и другие). У небольших предприятий нет ресурса, чтобы наладить серийный выпуск производственного оборудования.
🔸 Задача Нанотроники – консолидировать ресурсы, которыми обладает ГК Элемент и другие рыночные, для создания промышленных установок с их конвертацией в линейку уже созданного.
🔸 Кадровый резерв для разработки производственного оборудования – специалисты научных центров и институтов РАН. Готовится программа по привлечению российских специалистов с международным опытом. Формируются группы под руководством сильных технарей с опытом работы в ведущих мировых производителей. Без кадров нет смысла заливать отрасль деньгами.
🔸 Одна из проблем с кадрами – обучение по программе Электронное машиностроение почти ни в одном ВУЗе не выделено как отдельное направление. Есть конструкторы, не разбирающиеся в микроэлектронике, есть технологи, не умеющие разрабатывать оборудование. В периметре ГК Элемент планируется собрать порядка 2000 специалистов к 2030 году. Возможна и покупка небольших стартапов и компанией с подходящей специализацией в области машиностроения.
🔸 Развитие Нанотроники – в основном на средства ГК Элемент, а также в рамках программы развития электронного машиностроения, которую курирует Минпромторг.
🔸 Чем сейчас занята Нанотроника в плане разработки?
⚙️ Установка для эпитаксии нитрида галлия – в завершающей стадии, план запуска – с 2025 года в серию. (@RUSmicro - насколько помню, в АО НТО занимаются установкой молекулярно-лучевой эпитаксии для соединений A3B5).
⚙️ Установка для ионного легирования – удалось восстановить часть команды, которая занималась разработкой в советское время, когда эта установка выпускалась в СССР серийно. Та работа была утрачена. Сейчас запущен процесс создания установки, второй по сложности после литографа.
🔸 Для серийного выпуска оборудования потребуется производственная площадка, сейчас такой в РФ нет. Обсуждается возможность ее создания в Зеленограде. (RUSmicro: Все яйца в одну корзину? Инфраструктура этого района и без того уже перегружена). Нужна металлообработка, чистые комнаты, помещения для узловой сборки, технологической аттестации.
🔸 Цель Нанотроники – 70% техпроцессов к «волшебному» 2030 году должны выполняться на отечественном оборудовании. Остальные 30% пока что можно будет закрыть за счет поставок из Китая.
@RUSmicro
#производственноеоборудование #эпитаксия #ионноелегирование #интервью
О российском производственном оборудовании микроэлектроники - Юлия Сухорослова, Нанотроника (Элемент)
С г-жой Сухорословой, гендиректором компании Нанотроника (ГК Элемент) беседовала Кристина Холупова, CNews, получилось интересно. Читайте целиком по ссылке, а я ниже приведу факты, которые мне показались важными для распространения.
🔸 Стратегическая задача Нанотроники – предложить полную проверенную линейку оборудования по технологическому маршруту, используя, преимущественно отечественные разработки – собственные, то есть разработанные предприятиями группы Элемент, либо партнерами.
🔸 Выросла загрузка российского производства микроэлектроники в РФ, на Микрон, НЗПП Восток и НИИЭТ производство работает в 2-3 смены.
🔸 30% технологических этапов производства микроэлектроники РФ может покрыть самостоятельно на текущий момент. Остальные еще только предстоит освоить: в частности, метрологическое оборудование, оборудование для отдельных процессов химико-механической планаризации.
🔸 От комплексного решения, которое должно быть основано на серийных российских производственных установках, совмещенных в едином технологическом цикле, ожидается экспортный потенциал.
🔸 Есть позитивные примеры, разработка НИИТМ (ГК Элемент) в области эпитаксии превосходит зарубежные аналоги производства Aixtron или Veeco, уверены в Нанотронике.
🔸 Российских компаний, работающий в области электронного машиностроения – порядка 1-2 десятков, из них 5-7 занимаются мелкосерийной сборкой (НИИТМ, НИИПМ, НТО и другие). У небольших предприятий нет ресурса, чтобы наладить серийный выпуск производственного оборудования.
🔸 Задача Нанотроники – консолидировать ресурсы, которыми обладает ГК Элемент и другие рыночные, для создания промышленных установок с их конвертацией в линейку уже созданного.
🔸 Кадровый резерв для разработки производственного оборудования – специалисты научных центров и институтов РАН. Готовится программа по привлечению российских специалистов с международным опытом. Формируются группы под руководством сильных технарей с опытом работы в ведущих мировых производителей. Без кадров нет смысла заливать отрасль деньгами.
🔸 Одна из проблем с кадрами – обучение по программе Электронное машиностроение почти ни в одном ВУЗе не выделено как отдельное направление. Есть конструкторы, не разбирающиеся в микроэлектронике, есть технологи, не умеющие разрабатывать оборудование. В периметре ГК Элемент планируется собрать порядка 2000 специалистов к 2030 году. Возможна и покупка небольших стартапов и компанией с подходящей специализацией в области машиностроения.
🔸 Развитие Нанотроники – в основном на средства ГК Элемент, а также в рамках программы развития электронного машиностроения, которую курирует Минпромторг.
🔸 Чем сейчас занята Нанотроника в плане разработки?
⚙️ Установка для эпитаксии нитрида галлия – в завершающей стадии, план запуска – с 2025 года в серию. (@RUSmicro - насколько помню, в АО НТО занимаются установкой молекулярно-лучевой эпитаксии для соединений A3B5).
⚙️ Установка для ионного легирования – удалось восстановить часть команды, которая занималась разработкой в советское время, когда эта установка выпускалась в СССР серийно. Та работа была утрачена. Сейчас запущен процесс создания установки, второй по сложности после литографа.
🔸 Для серийного выпуска оборудования потребуется производственная площадка, сейчас такой в РФ нет. Обсуждается возможность ее создания в Зеленограде. (RUSmicro: Все яйца в одну корзину? Инфраструктура этого района и без того уже перегружена). Нужна металлообработка, чистые комнаты, помещения для узловой сборки, технологической аттестации.
🔸 Цель Нанотроники – 70% техпроцессов к «волшебному» 2030 году должны выполняться на отечественном оборудовании. Остальные 30% пока что можно будет закрыть за счет поставок из Китая.
@RUSmicro
#производственноеоборудование #эпитаксия #ионноелегирование #интервью
CNews.ru
Юлия Сухорослова: У нас есть возможность довести российские разработки оборудования до экспортного уровня - CNews
О первых знаковых разработках российских ученых, перспективах возрождения серийного производства установок для предприятий микроэлектронной отрасли и экспортном потенциале отечественного оборудования...
🔥10👍7😁1
🇷🇺 Производственное оборудование. Рентгеновский фотолитограф. Россия
В РФ определились – источник передового рентгеновского литографа будет ксеноновым, а не оловянным
Кристина Холупова, CNews, приготовила для нас очередную информационную бомбу – рассказ о «Новой концепции развития высокопроизводительной рентгеновской литографии» Николая Чхало, ИФМ РАН. Ладно, может и не совсем бомбу, кто в теме, для того новостей может быть и не так много, но по крайней мере, информация по теме освежилась.
Основное – в ИФМ РАН сделали выбор в пользу ксенонового лазерно-плазменного источника 11.2 нм. Как и предлагали в НЦФМ летом 2023 года.
Это влечет массу последствий, но, главное, делает процесс создания современных российских литографов под техпроцесс 7нм вполне реалистичным. Говорится даже, что уже в 2028 году первая установка может начать работу, свежо предание…
📌 Плазменный источник на основе сверхзвуковой струи ксенона – уже есть и опытная установка, и сопло, и технология скачков уплотнения, позволяющая удалить лазерную искру от сопла, чтобы нарастить его долговечность.
📌 Кремнийорганические фоторезисты под 11.2 уже разработали ИФМ РАН вместе с Институтом химии ННГУ им. Н.И.Лобачевского. Благо, были заделы еще с начала нулевых годов.
📌 Есть заделы по изготовлению масок.
📌 У ИФМ РАН и партнеров есть и другие заделы для этого литографа, прежде всего, безэталонная интерферометрия, ионно-пучковая полировка и асферизация, технология напыления многослойных зеркал, технологии оценки шероховатостей с ангстремными точностями.
Ксеноновый плазменный источник – это возможность получить источник излучения, который не загрязняет оптику мгновенно без кучи ухищрений по ее от этого защите. (Тоже нужно заморачиваться, вести откачку турбомолекулярными насосами со скоростью тысяч литров в секунду, но все равно это проще, чем возня с оловом).
Это возможность сделать фотолитограф проще, обменять часть его производительности на удешевление конструкции, получить более «долгоиграющие» коллектор, пелликлы, маски. Платой будет сниженная почти втрое производительность, да что с того, на лавры TSMC в РФ никто пока не замахивается.
В итоге, в теории, получится аппарат с пространственным разрешением 13нм (NA 0.27), который может оказаться дешевле чем ASML TWINSCAN NXE:3400C. А это шанс не только на его использование для собственных нужд, но и на продажу в другие страны - на российские литографы спрос вполне может обнаружиться.
Конечно, наверняка найдутся какие-нибудь подводные камни, например, нужно будет научиться бороться с объемными дефектами масок, корректировать дефекты, создать оборудование для установки пелликлов на маску.
Лазер под этот проект пока не создан, в ИПФ РАН разработали экспериментальный образец дискового лазера со средней мощностью 650 Вт, так что еще придется повозиться. Но все же 3.6 кВт это не 21,5 кВт как у ASML, а экспертиза в области лазерных технологий в РФ неплохая.
Предстоит справиться с механикой для систем сканирования и совмещения с точностью в 1 нм, что заставляет меня с сомнением смотреть на 2028 год в качестве цели. Но как цель годится и такой срок, цели должны быть высокими.
@RUSmicro, картинки - CNews, НЦФМ
#фотолитографы
В РФ определились – источник передового рентгеновского литографа будет ксеноновым, а не оловянным
Кристина Холупова, CNews, приготовила для нас очередную информационную бомбу – рассказ о «Новой концепции развития высокопроизводительной рентгеновской литографии» Николая Чхало, ИФМ РАН. Ладно, может и не совсем бомбу, кто в теме, для того новостей может быть и не так много, но по крайней мере, информация по теме освежилась.
Основное – в ИФМ РАН сделали выбор в пользу ксенонового лазерно-плазменного источника 11.2 нм. Как и предлагали в НЦФМ летом 2023 года.
Это влечет массу последствий, но, главное, делает процесс создания современных российских литографов под техпроцесс 7нм вполне реалистичным. Говорится даже, что уже в 2028 году первая установка может начать работу, свежо предание…
📌 Плазменный источник на основе сверхзвуковой струи ксенона – уже есть и опытная установка, и сопло, и технология скачков уплотнения, позволяющая удалить лазерную искру от сопла, чтобы нарастить его долговечность.
📌 Кремнийорганические фоторезисты под 11.2 уже разработали ИФМ РАН вместе с Институтом химии ННГУ им. Н.И.Лобачевского. Благо, были заделы еще с начала нулевых годов.
📌 Есть заделы по изготовлению масок.
📌 У ИФМ РАН и партнеров есть и другие заделы для этого литографа, прежде всего, безэталонная интерферометрия, ионно-пучковая полировка и асферизация, технология напыления многослойных зеркал, технологии оценки шероховатостей с ангстремными точностями.
Ксеноновый плазменный источник – это возможность получить источник излучения, который не загрязняет оптику мгновенно без кучи ухищрений по ее от этого защите. (Тоже нужно заморачиваться, вести откачку турбомолекулярными насосами со скоростью тысяч литров в секунду, но все равно это проще, чем возня с оловом).
Это возможность сделать фотолитограф проще, обменять часть его производительности на удешевление конструкции, получить более «долгоиграющие» коллектор, пелликлы, маски. Платой будет сниженная почти втрое производительность, да что с того, на лавры TSMC в РФ никто пока не замахивается.
В итоге, в теории, получится аппарат с пространственным разрешением 13нм (NA 0.27), который может оказаться дешевле чем ASML TWINSCAN NXE:3400C. А это шанс не только на его использование для собственных нужд, но и на продажу в другие страны - на российские литографы спрос вполне может обнаружиться.
Конечно, наверняка найдутся какие-нибудь подводные камни, например, нужно будет научиться бороться с объемными дефектами масок, корректировать дефекты, создать оборудование для установки пелликлов на маску.
Лазер под этот проект пока не создан, в ИПФ РАН разработали экспериментальный образец дискового лазера со средней мощностью 650 Вт, так что еще придется повозиться. Но все же 3.6 кВт это не 21,5 кВт как у ASML, а экспертиза в области лазерных технологий в РФ неплохая.
Предстоит справиться с механикой для систем сканирования и совмещения с точностью в 1 нм, что заставляет меня с сомнением смотреть на 2028 год в качестве цели. Но как цель годится и такой срок, цели должны быть высокими.
@RUSmicro, картинки - CNews, НЦФМ
#фотолитографы
🔥35👍15🤔2😁1👀1🙈1