🇷🇺 Дизайн-центры. На базе ДВФУ на о-ве Русский открыт первый российский центр коллективного проектирования электроники на Дальнем Востоке (ЦПК Восток).
Задачей центра является разработка электронной компонентной базы, инжиниринговая и исследовательская деятельность в интересах развития региона, отрасли и страны. Это первый стратегический проект группы компаний «Элемент».
Разработки ЦКП «Восток» будут ориентированы на центры разработок и производства крупнейших российских корпораций и мировых компаний, проекты резидентов ДВФУ и инновационных компаний ДФО.
Разработки будут проводиться в тесном взаимодействии с Московским институтом электронной техники (МИЭТ) и центром обработки данных (ЦОД) ДВФУ.
Глава ЦКП «Восток» Константин Окунев представил первые проекты центра: нейро-стимулятор и систему для определения местоположения и состояния объектов.
Задачей центра является разработка электронной компонентной базы, инжиниринговая и исследовательская деятельность в интересах развития региона, отрасли и страны. Это первый стратегический проект группы компаний «Элемент».
Разработки ЦКП «Восток» будут ориентированы на центры разработок и производства крупнейших российских корпораций и мировых компаний, проекты резидентов ДВФУ и инновационных компаний ДФО.
Разработки будут проводиться в тесном взаимодействии с Московским институтом электронной техники (МИЭТ) и центром обработки данных (ЦОД) ДВФУ.
Глава ЦКП «Восток» Константин Окунев представил первые проекты центра: нейро-стимулятор и систему для определения местоположения и состояния объектов.
🤝 Встречи. Одна из секций приближающегося Форума "Микроэлектроника 2019" - Технологическое и контрольно-измерительное оборудование для производства микросхем и полупроводниковых приборов.
Ее модераторы (Алексей Алексеев, НТО, и Михаил Бирюков, НИИТМ) рассказали о планах ее проведения.
Одна из задач - убедить производителей ЭКБ в преимуществах кооперации с отечественными производителями.
Получены тезисы от первых докладчиков, они посвящены вопросам изготовления СВЧ ЭКБ на основе GaN и GaAs, вопросам развития измерений параметров СВЧ устройств, вопросы инжиниринга и т.п.
Михаил Бирюков рассказал, что в ОАО НИИТМ в 2019 году удалось выйти на производство оборудования для обработки пластин диаметром 300 мм, недавно прошли первые поставки оборудования заказчику.
Подробнее: http://microelectronica.pro/novosti/intervyu-s-moderatorami-sektsii-9/?portfolioID=13257&fbclid=IwAR3gDHtwJfvT1x_6s0xc1Bbc7QSfnLX-wGcX_lEugoHTAuvxoNbaWjmpj4M
Ее модераторы (Алексей Алексеев, НТО, и Михаил Бирюков, НИИТМ) рассказали о планах ее проведения.
Одна из задач - убедить производителей ЭКБ в преимуществах кооперации с отечественными производителями.
Получены тезисы от первых докладчиков, они посвящены вопросам изготовления СВЧ ЭКБ на основе GaN и GaAs, вопросам развития измерений параметров СВЧ устройств, вопросы инжиниринга и т.п.
Михаил Бирюков рассказал, что в ОАО НИИТМ в 2019 году удалось выйти на производство оборудования для обработки пластин диаметром 300 мм, недавно прошли первые поставки оборудования заказчику.
Подробнее: http://microelectronica.pro/novosti/intervyu-s-moderatorami-sektsii-9/?portfolioID=13257&fbclid=IwAR3gDHtwJfvT1x_6s0xc1Bbc7QSfnLX-wGcX_lEugoHTAuvxoNbaWjmpj4M
🗝 Конкурсы. Прием заявок для участия в конкурсе УМНИК - Электроника 2019 завершится 30 сентября, то есть время еще есть. Для начала нужно зарегистрироваться, описать свою идею в заявке и затем подать ее на конкурс в электронном виде. При условии, что вы студент, аспирант или молодой ученый от 18 до 30 лет включительно.
Конкурс проводят МИЭТ и Фонд Содействия Инновациям с 1 по 11 октября 2019 года в заочном формате. Финал проходит в очном режиме в городе Зеленоград под Москвой с 28.10 по 30.10.2019. Победителю обещаны 500 тысяч рублей в течение двух лет на развитие заявленной на конкурс идеи.
Конкурс адресован прежде всего молодым специалистам, работающим в дизайн-центрах. Организаторы надеются таким образом поддержать разработчиков, реализующих современные проекты в области нано- и микроэлектроники, создания ЭКБ (компонентной базы), устройств сенсорики, радиоэлектронной аппаратуры (РЭА).
подробнее https://abloud.blogspot.com/2019/09/blog-post_7.html
Конкурс проводят МИЭТ и Фонд Содействия Инновациям с 1 по 11 октября 2019 года в заочном формате. Финал проходит в очном режиме в городе Зеленоград под Москвой с 28.10 по 30.10.2019. Победителю обещаны 500 тысяч рублей в течение двух лет на развитие заявленной на конкурс идеи.
Конкурс адресован прежде всего молодым специалистам, работающим в дизайн-центрах. Организаторы надеются таким образом поддержать разработчиков, реализующих современные проекты в области нано- и микроэлектроники, создания ЭКБ (компонентной базы), устройств сенсорики, радиоэлектронной аппаратуры (РЭА).
подробнее https://abloud.blogspot.com/2019/09/blog-post_7.html
🇷🇺🇨🇳 Специалисты Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) разработали прототип программы точного построения моделей элементов электроники, позволяющую сократить сроки проектирования устройств и сделать их дешевле.
Командой студенческого бизнес-инкубатора ТУСУР "50ом" руководил аспирант кафедры физической электроники Артем Попов. Создано ПО CMA Wizards в виде расширений и плагинов для широко используемых коммерческих платформ моделирования компонентов электроники.
Разработка выиграла российско-китайский конкурс индустриальных инноваций. Источник: https://tusur.ru/ru/novosti-i-meropriyatiya/novosti/prosmotr/-/novost-aspirant-tusura-stal-pobeditelem-rossiysko-kitayskoy-premii-industrialnyh-innovatsiy
Командой студенческого бизнес-инкубатора ТУСУР "50ом" руководил аспирант кафедры физической электроники Артем Попов. Создано ПО CMA Wizards в виде расширений и плагинов для широко используемых коммерческих платформ моделирования компонентов электроники.
Разработка выиграла российско-китайский конкурс индустриальных инноваций. Источник: https://tusur.ru/ru/novosti-i-meropriyatiya/novosti/prosmotr/-/novost-aspirant-tusura-stal-pobeditelem-rossiysko-kitayskoy-premii-industrialnyh-innovatsiy
Участники выставки РАДЭЛ (С.Петербург), 17-19 сентября 2019
http://radelexpo.ru/exibition/allmembers/
http://radelexpo.ru/exibition/allmembers/
Участники выставки РАДЭЛ (С.Петербург), 17-19 сентября 2019. Часть 2/2. http://radelexpo.ru/exibition/allmembers/
🎓 Образование. Курсы.
Где научиться проектированию на FPGA (ПЛИС)? Где освоить SystemVerilog, VHDK, Tcl, Vivado? Разобраться с архитектурой SoC Zynq-7000, средой SDSoC, протоколом PCI Express и проектированием высокоскоростных интерфейсов на базе трансиверов UltraScale FPGA?
https://plis2.ru/training.html - здесь.
Где научиться проектированию на FPGA (ПЛИС)? Где освоить SystemVerilog, VHDK, Tcl, Vivado? Разобраться с архитектурой SoC Zynq-7000, средой SDSoC, протоколом PCI Express и проектированием высокоскоростных интерфейсов на базе трансиверов UltraScale FPGA?
https://plis2.ru/training.html - здесь.
🤝 Выставки. Силовая электроника. 22-24 октября 2019, выставка "Силовая электроника", Крокус Экспо, Москва. Одна из основных тем: компоненты и модули силовой электроники.
Среди участников:
+ Eural Gnutti
+ FAW
+ Fuji Electric
+ IXYS Corporation
+ Keysight Technologies
+ Mitsubishi Electric
+ TDK-Lambda
+ Ай-Си Контракт
+ АКТОР
+ Ангстрем
+ Воронежский Завод
+ Полупроводниковых Приборов-Сборка
+ Гаммамет
+ Лазерный центр
+ Миландр
+ Мстатор
+ НИФРИТ НПП
+ Нюкон
+ Полимагнит
+ Протон-Электротекс
+ Псковский завод силовых трансформаторов
+ СКТБ РТ
+ Теплоком ИЦ
+ Техно-Логика
+ ЦИТМ Экспонента
+ Электровыпрямитель
+ ЭТ-Комплекс
+ ЭФО
Получить билет: https://www.powerelectronics.ru/ru-RU/visitors/e-ticket.aspx#goanchor
О других встречах в области микроэлектроники http://www.mforum.ru/news/article/119038.htm
Среди участников:
+ Eural Gnutti
+ FAW
+ Fuji Electric
+ IXYS Corporation
+ Keysight Technologies
+ Mitsubishi Electric
+ TDK-Lambda
+ Ай-Си Контракт
+ АКТОР
+ Ангстрем
+ Воронежский Завод
+ Полупроводниковых Приборов-Сборка
+ Гаммамет
+ Лазерный центр
+ Миландр
+ Мстатор
+ НИФРИТ НПП
+ Нюкон
+ Полимагнит
+ Протон-Электротекс
+ Псковский завод силовых трансформаторов
+ СКТБ РТ
+ Теплоком ИЦ
+ Техно-Логика
+ ЦИТМ Экспонента
+ Электровыпрямитель
+ ЭТ-Комплекс
+ ЭФО
Получить билет: https://www.powerelectronics.ru/ru-RU/visitors/e-ticket.aspx#goanchor
О других встречах в области микроэлектроники http://www.mforum.ru/news/article/119038.htm
🇷🇺 Сделано в России. Банковские чипы:
ПАО Микрон, АО НИИМЭ, АО НСПК завершили разработку, сертификацию и подготовку производства к серийному выпуску отечественной микросхемы первого уровня К501ВК01 (MIK51BC16D) - первого российского "дуального" банковского чипа для контактных и бесконтактных платежей.
Чип стандарта HF разработали в НИИМЭ (НИИ молекулярной электроники), в июле 2019 года его сертифицировала АО "Национальная система платежных карт" для использования в платежной системе Мир и добавили в список рекомендованных карточных платформ под названием MIKPay.MTD.D6.
Микрон подготовился к выпуску этого однокристалльного микропроцессора с дуальными интерфейсом по технологическим нормам 180нм. "Производственные мощности Микрона позволяют полностью удовлетворить текущую потребность НСПК в отечественных чипах", -
отметила генеральный директор ПАО «Микрон» Гульнара Хасьянова.
Источник: https://mikron.ru/company/press-center/news/7207/?utm_source=rusmicro
ПАО Микрон, АО НИИМЭ, АО НСПК завершили разработку, сертификацию и подготовку производства к серийному выпуску отечественной микросхемы первого уровня К501ВК01 (MIK51BC16D) - первого российского "дуального" банковского чипа для контактных и бесконтактных платежей.
Чип стандарта HF разработали в НИИМЭ (НИИ молекулярной электроники), в июле 2019 года его сертифицировала АО "Национальная система платежных карт" для использования в платежной системе Мир и добавили в список рекомендованных карточных платформ под названием MIKPay.MTD.D6.
Микрон подготовился к выпуску этого однокристалльного микропроцессора с дуальными интерфейсом по технологическим нормам 180нм. "Производственные мощности Микрона позволяют полностью удовлетворить текущую потребность НСПК в отечественных чипах", -
отметила генеральный директор ПАО «Микрон» Гульнара Хасьянова.
Источник: https://mikron.ru/company/press-center/news/7207/?utm_source=rusmicro
🇷🇺 Проектирование СБИС. Научные исследования
Ученые ЮФУ предлагают вести оптимизацию размещения СБИС с применением модифицированного генетического алгоритма, разработанного ими. Как утверждают авторы статьи, применение такого подхода позволяет повысить качество размещение, прежде всего, сократить площадь кристалла.
В эксперименте показано, что площадь размещения СБИС за счет обработки дизайна новым алгоритмом уменьшилась с 9.14 кв.мкм до 7.56 кв.мкм.
Подробнее: http://izv-tn.tti.sfedu.ru/index.php/izv_tn/article/view/86/99
фото отсюда: https://expert.ru/expert/2015/27/mikroelektronnyij-sapr-vchera-segodnya-zavtra/
Ученые ЮФУ предлагают вести оптимизацию размещения СБИС с применением модифицированного генетического алгоритма, разработанного ими. Как утверждают авторы статьи, применение такого подхода позволяет повысить качество размещение, прежде всего, сократить площадь кристалла.
В эксперименте показано, что площадь размещения СБИС за счет обработки дизайна новым алгоритмом уменьшилась с 9.14 кв.мкм до 7.56 кв.мкм.
Подробнее: http://izv-tn.tti.sfedu.ru/index.php/izv_tn/article/view/86/99
фото отсюда: https://expert.ru/expert/2015/27/mikroelektronnyij-sapr-vchera-segodnya-zavtra/
🔭 Тренды. Прогнозы. Филипп Вон (Philip Wong), вице-президент TSMC, на днях высказался о перспективах развития отрасли производства микропроцессоров. Он говорил о том, что, по его мнению, будет происходить в ближайшие годы на передовых рубежах производства микроэлектроники.
Подробнее: https://abloud.blogspot.com/2019/09/tsmc.html
Подробнее: https://abloud.blogspot.com/2019/09/tsmc.html
🇷🇺 На предприятии НПП Салют, Нижний Новгород, идет разработка усилителя для W-диапазона (92-95 ГГц) с выходной мощностью 40 Вт. Такие усилители могут быть востребованы при проектировании отечественного оборудования инфраструктуры 5G. Источник: Презентации участников российско-китайского конкурса Innovation Awards 2019.
Разработками приемопередатчиков W-диапазона в России занимаются в НПП Исток им.Шокина, Московская область.
Разработками приемопередатчиков W-диапазона в России занимаются в НПП Исток им.Шокина, Московская область.
🇯🇵 Разработки. Органические полупроводники. Команда японских ученых, Мицуру Мацузака, доктора Кёсукэ Исода и Томоаки Сугая из Университета Кагавы и Технологического института Тибы, синтезировали вещество C6OAHCQ из N-гетерогептаценхинона. Это вещество может работать как полупроводник n-типа, причем от ранее синтезированных аналогов отличается куда большей стабильностью , чем его предшественник N-гетерогептаценхинон. C6OAHCQ стабилен, имеет электростатический потенциал, устойчив к УФ-излучению видимого спектра, обладает электрохромными способами.
В перспективе этот материал может оказаться полезным для развития органических полупроводников.
https://pronedra.ru/novyj-organicheskij-poluprovodnik-pomozhet-v-razvitii-portativnoj-elektroniki-410047.html - подробности
В перспективе этот материал может оказаться полезным для развития органических полупроводников.
https://pronedra.ru/novyj-organicheskij-poluprovodnik-pomozhet-v-razvitii-portativnoj-elektroniki-410047.html - подробности
🇷🇺 Материалы для производства микроэлектроники.
Монокристалл успешно испытал новую низкотемпературную пасту для металлизации серебром серии MX для гетероструктурных солнечных элементов HJT. Тесты проводились совместно с Havel.
Улучшенный состав связующего и серебряный порошек собственного производства позволили добиться возможности скоростной печати, отсутствие разрывов на трафарете с открытиями менее 30 мкм. Улучшенное спекание частиц серебра дало снижение удельного сопротивления на четверть.
Это обещает возможность повышения эффективности солнечных элементов на 0.05% относительно среднего базового уровня. Хранить и перевозить пасту можно при стандартных температурах.
Источник: http://www.monocrystal.ru/content/files/Press%20release%20MX%20Hevel_%D1%80%D1%83%D1%81.pdf
Монокристалл успешно испытал новую низкотемпературную пасту для металлизации серебром серии MX для гетероструктурных солнечных элементов HJT. Тесты проводились совместно с Havel.
Улучшенный состав связующего и серебряный порошек собственного производства позволили добиться возможности скоростной печати, отсутствие разрывов на трафарете с открытиями менее 30 мкм. Улучшенное спекание частиц серебра дало снижение удельного сопротивления на четверть.
Это обещает возможность повышения эффективности солнечных элементов на 0.05% относительно среднего базового уровня. Хранить и перевозить пасту можно при стандартных температурах.
Источник: http://www.monocrystal.ru/content/files/Press%20release%20MX%20Hevel_%D1%80%D1%83%D1%81.pdf
🇧🇾 Президент Беларуси согласовал на позицию гендиректора холдинга Планар Сергея Авакова.
В составе Планара сейчас 5 предприятий (более 1000 человек) и 3 конструкторских бюро. Предприятие выпускает микросхемы, есть собственная фотолитография и сборка.
Список участников российского рынка микроэлектроники http://www.mforum.ru/news/article/118924.htm
В составе Планара сейчас 5 предприятий (более 1000 человек) и 3 конструкторских бюро. Предприятие выпускает микросхемы, есть собственная фотолитография и сборка.
Список участников российского рынка микроэлектроники http://www.mforum.ru/news/article/118924.htm
🤝 Делегация ульяновского НПО Завод Искра посетила Арзамасский приборостроительный завод. АПЗ давно закупает транзисторы произведенные Заводом Искра.
Делегация из Ульяновска, возглавляемая гендиректором Русланом Тарасовым, предложила поставлять в Арзамас также микросхемы, произведенные НПО. В сообщении не говорится, была ли достигнута какая-либо конкретная договоренность. http://www.ifregion.ru/news/90510
Делегация из Ульяновска, возглавляемая гендиректором Русланом Тарасовым, предложила поставлять в Арзамас также микросхемы, произведенные НПО. В сообщении не говорится, была ли достигнута какая-либо конкретная договоренность. http://www.ifregion.ru/news/90510
🇺🇸 Наука. Фотовольтаика. Ученые Политехнического института Ренсселера (ПИР), под руководством Цзян Ши, выяснили, что уменьшение плотности дефектов (кристаллических дислокаций) в перовскитах может существенно повысить его производительность. Уменьшение плотности дислокаций более, чем на порядок приводит к увеличению времени жизни электрона в 4 раза. / https://www.nature.com/articles/s41467-019-12056-1
🇷🇺 🇮🇹 Наука. Фотовольтаика.
В НИТУ МИСиС, Россия, и Университете Tor Vergata, Милан, Италия, обнаружили, что добавление (допирование) двумерных структур карбида титана (максенов) в фотоэлемент на базе перовскита повышает его эффективность до 20,64%.
Максены позволяют вести "тонкую настройку" поверхностных свойств перовскита. Были испытаны конфигурации с внедрением максенов в фотопоглощающий перовскитный слой, в электронно-транспортный слой диоксида титана, а также на «интерфейс» между ними.
Выявлено, что эффект ярче всего проявляется тогда, когда максены добавлены во все слои (фотопоглощающий слой перовскита, в электронно-транспортный слой диоксида титана, а также на интерфейс между ними). Эксперименты подтвердило также моделирование полученных структур. Результаты исследования опубликованы в Nature Materials https://www.nature.com/articles/s41563-019-0478-1 https://indicator.ru/chemistry-and-materials/effektivnost-perovskitnykh-solnechnykh-batarei-uvelichili-dvumernye-materialy-15-09-2019.htm
В НИТУ МИСиС, Россия, и Университете Tor Vergata, Милан, Италия, обнаружили, что добавление (допирование) двумерных структур карбида титана (максенов) в фотоэлемент на базе перовскита повышает его эффективность до 20,64%.
Максены позволяют вести "тонкую настройку" поверхностных свойств перовскита. Были испытаны конфигурации с внедрением максенов в фотопоглощающий перовскитный слой, в электронно-транспортный слой диоксида титана, а также на «интерфейс» между ними.
Выявлено, что эффект ярче всего проявляется тогда, когда максены добавлены во все слои (фотопоглощающий слой перовскита, в электронно-транспортный слой диоксида титана, а также на интерфейс между ними). Эксперименты подтвердило также моделирование полученных структур. Результаты исследования опубликованы в Nature Materials https://www.nature.com/articles/s41563-019-0478-1 https://indicator.ru/chemistry-and-materials/effektivnost-perovskitnykh-solnechnykh-batarei-uvelichili-dvumernye-materialy-15-09-2019.htm
🇷🇺 Разработано в России.
В Malt system завершили работу по проектированию микропроцессора MALT-C 20Mb480G. Заказ на изготовление направлен в TSMC. Чип будет выпускаться по техпроцессу 28 мм TSMC HPCPlus (высокопроизводительные вычисления).
Процессор содержит 20 RISC ядер общего назначения и 480 процессорных элементов, объединенных в 15 SIMD кластеров по 32 элемента. Расчетное энергопотребление не превысит 5 Вт на частоте 800 МГц. Архитектура - собственной разработки компании.
Сейчас готовится комплект разработчика под этот чип для отладки пользовательских программ.
В качестве альтернативы в MALT systems планируют обеспечить онлайн-сервис WEB_SDK, позволяющий проверять свои программы на цифровых образах микросхем MALT или на специализированных платах с ПЛИС, на которых реализованы те или иные версии процессоров MALT.
Источник: https://maltsystem.ru/ru/news/288-mpw-500cores
В Malt system завершили работу по проектированию микропроцессора MALT-C 20Mb480G. Заказ на изготовление направлен в TSMC. Чип будет выпускаться по техпроцессу 28 мм TSMC HPCPlus (высокопроизводительные вычисления).
Процессор содержит 20 RISC ядер общего назначения и 480 процессорных элементов, объединенных в 15 SIMD кластеров по 32 элемента. Расчетное энергопотребление не превысит 5 Вт на частоте 800 МГц. Архитектура - собственной разработки компании.
Сейчас готовится комплект разработчика под этот чип для отладки пользовательских программ.
В качестве альтернативы в MALT systems планируют обеспечить онлайн-сервис WEB_SDK, позволяющий проверять свои программы на цифровых образах микросхем MALT или на специализированных платах с ПЛИС, на которых реализованы те или иные версии процессоров MALT.
Источник: https://maltsystem.ru/ru/news/288-mpw-500cores
📉 Материалы для производства микроэлектроники.
Газ гелий (He) знаком каждому из нас - ведь именно им вот уже несколько десятилетий подряд заполняют воздушные шарики и рекламные дирижабли. Этот газ имеет существенное значение для научных и промышленных применений, используется, например, аквалангистами при работе на глубине, в медицине - для охлаждения сканеров МРТ, для придания свойств сверхпроводимости различным металлам, в аэрокосмической отрасли и не только. В производстве микроэлектронике он также применяется - в качестве индикаторного газа при контроле герметичности корпусов микросхем.
В последние годы месторождения, где добывался гелий в США, истощились, США с мирового рынка поставок гелия уходят, что приводит к росту цен на газ. Другие страны собираются налаживать или расширять собственное производство, но в перспективе нескольких десятилетий, люди могут столкнуться с дефицитом данного газа.
https://abloud.blogspot.com/2019/09/blog-post_17.html - подробнее
Газ гелий (He) знаком каждому из нас - ведь именно им вот уже несколько десятилетий подряд заполняют воздушные шарики и рекламные дирижабли. Этот газ имеет существенное значение для научных и промышленных применений, используется, например, аквалангистами при работе на глубине, в медицине - для охлаждения сканеров МРТ, для придания свойств сверхпроводимости различным металлам, в аэрокосмической отрасли и не только. В производстве микроэлектронике он также применяется - в качестве индикаторного газа при контроле герметичности корпусов микросхем.
В последние годы месторождения, где добывался гелий в США, истощились, США с мирового рынка поставок гелия уходят, что приводит к росту цен на газ. Другие страны собираются налаживать или расширять собственное производство, но в перспективе нескольких десятилетий, люди могут столкнуться с дефицитом данного газа.
https://abloud.blogspot.com/2019/09/blog-post_17.html - подробнее
🇷🇺 Техпроцессы. GaN - интересный материал для полупроводников. Он имеет массу свойств, заставляющих отдавать ему предпочтение перед традиционными кремниевыми технологиями.
Проблемой при изготовлении GaN-приборов является кислород. Он может встраиваться в кристаллическую структуру полупроводника, вызывая токи утечки в буферном слое и, тем самым, ухудшая электрофизические свойства. Поэтому производство ведут в условиях вакуума. Также проблему решают дополнительным введением углерода или железа для захвата "лишних" электронов.
В ИФП РАН придумали альтернативный метод - буферный слой создается при рассчитанных оптимальных параметрах роста (на нижней границе температуры - 800 градусов и при скорости потока аммиака 250 мл в минуту), так удается создавать слой с высоким сопротивлением, но с минимальным вхождением кислорода.
В планах - апробировать техпроцесс на установке Riber Compact 21-N https://www.popmech.ru/science/news-506872-rossiyskie-uchenye-radikalno-uluchshili-poluprovodniki-dlya-radarov/
Проблемой при изготовлении GaN-приборов является кислород. Он может встраиваться в кристаллическую структуру полупроводника, вызывая токи утечки в буферном слое и, тем самым, ухудшая электрофизические свойства. Поэтому производство ведут в условиях вакуума. Также проблему решают дополнительным введением углерода или железа для захвата "лишних" электронов.
В ИФП РАН придумали альтернативный метод - буферный слой создается при рассчитанных оптимальных параметрах роста (на нижней границе температуры - 800 градусов и при скорости потока аммиака 250 мл в минуту), так удается создавать слой с высоким сопротивлением, но с минимальным вхождением кислорода.
В планах - апробировать техпроцесс на установке Riber Compact 21-N https://www.popmech.ru/science/news-506872-rossiyskie-uchenye-radikalno-uluchshili-poluprovodniki-dlya-radarov/