🇯🇵 Горизонты технологий. Аналоговые микросхемы. 3D-упаковка. Япония
Японские компании демонстрируют успехи в 3D-интеграции аналоговых схем
Компании Nisshinbo Micro Devices и Oki Electric Industry добились 3D интеграции аналоговых ИС на основе технологии локализованного экранирования Nisshinbo Micro Devices и технологии CFB (Crystal Film Bonding) OKI.
Технология локализованного экранирования снижает паразитную емкость и шумы, но при этом является частичной, оставляя возможность слоям многослойной микросхемы взаимодействовать друг с другом.
Технология CFB подразумевает отделение функционального слоя кристалла от подложки в виде тонкой пленки с креплением этой пленки к другой тонкой пленке. Соединение обеспечивают межмолекулярные силы, клей не используется. Такое соединение обеспечивает возможность электрического, оптического подключения двух и более слоев и теплового рассеивания этими слоями.
Компании планируют продолжать разработку продукта на основе этой технологии, с планами выхода на массовое производство к 2026 году.
Новая технология позволяет нарастить возможности создания аналоговых схем, повысив плотность интеграции без уменьшения физических размеров элементов схем. Технология хорошо ложится на чиплетный подход и гетерогенную интеграцию.
Интерес к аналоговым ИС растет в связи с ростом востребованности датчиков, который в свою очередь растет по мере развития таких направлений, как системы автономного вождения и робототехника. Аналоговые ИС предназначены для усиления как правило слабых сигналов, снимаемых с сенсоров. Переход к технологии 3D компоновки должно позволить существенно нарастить производительность аналоговых ИС без роста их размеров или сократить размер при сохранении производительности.
В частности, в экспериментах компаний наложение 2-канального операционного усилителя (ОУ) на другой аналогичный ОУ, позволило создать 2-слойный 4-канальный ОУ с площадью на 30% меньшей, чем у «классического» ОУ. Переход к 4-слойному стеку, можно сократить площадь кристалла 4-канального ОУ примерно до четверти от первоначального размера. Поскольку толщина пленок невелика, общая толщина кристалла 3D остается сопоставимой с традиционными конструкциями. Это позволит продолжать использовать ранее разработанные корпуса.
Метод сталкивается с ограничениями из-за взаимных помех слоев тонких пленок. Справиться с помехами помогает метод частичного (локализованного) экранирования слоев, который эффективно подавляет перекрестные помехи. Для этого используется напыление алюминия.
Стекирование пленок позволяет добиваться электрических соединений между уложенными друг на друга структурами с минимумом контактных площадок и практически без необходимости использования технологии сквозных кремниевых переходов (TSV).
@RUSmicro по материалам Nisshinbo Micro Devices Inc., фото и картинки - Nisshinbo Micro Devices
#3D #аналоговые #упаковка #стекирование
Японские компании демонстрируют успехи в 3D-интеграции аналоговых схем
Компании Nisshinbo Micro Devices и Oki Electric Industry добились 3D интеграции аналоговых ИС на основе технологии локализованного экранирования Nisshinbo Micro Devices и технологии CFB (Crystal Film Bonding) OKI.
Технология локализованного экранирования снижает паразитную емкость и шумы, но при этом является частичной, оставляя возможность слоям многослойной микросхемы взаимодействовать друг с другом.
Технология CFB подразумевает отделение функционального слоя кристалла от подложки в виде тонкой пленки с креплением этой пленки к другой тонкой пленке. Соединение обеспечивают межмолекулярные силы, клей не используется. Такое соединение обеспечивает возможность электрического, оптического подключения двух и более слоев и теплового рассеивания этими слоями.
Компании планируют продолжать разработку продукта на основе этой технологии, с планами выхода на массовое производство к 2026 году.
Новая технология позволяет нарастить возможности создания аналоговых схем, повысив плотность интеграции без уменьшения физических размеров элементов схем. Технология хорошо ложится на чиплетный подход и гетерогенную интеграцию.
Интерес к аналоговым ИС растет в связи с ростом востребованности датчиков, который в свою очередь растет по мере развития таких направлений, как системы автономного вождения и робототехника. Аналоговые ИС предназначены для усиления как правило слабых сигналов, снимаемых с сенсоров. Переход к технологии 3D компоновки должно позволить существенно нарастить производительность аналоговых ИС без роста их размеров или сократить размер при сохранении производительности.
В частности, в экспериментах компаний наложение 2-канального операционного усилителя (ОУ) на другой аналогичный ОУ, позволило создать 2-слойный 4-канальный ОУ с площадью на 30% меньшей, чем у «классического» ОУ. Переход к 4-слойному стеку, можно сократить площадь кристалла 4-канального ОУ примерно до четверти от первоначального размера. Поскольку толщина пленок невелика, общая толщина кристалла 3D остается сопоставимой с традиционными конструкциями. Это позволит продолжать использовать ранее разработанные корпуса.
Метод сталкивается с ограничениями из-за взаимных помех слоев тонких пленок. Справиться с помехами помогает метод частичного (локализованного) экранирования слоев, который эффективно подавляет перекрестные помехи. Для этого используется напыление алюминия.
Стекирование пленок позволяет добиваться электрических соединений между уложенными друг на друга структурами с минимумом контактных площадок и практически без необходимости использования технологии сквозных кремниевых переходов (TSV).
@RUSmicro по материалам Nisshinbo Micro Devices Inc., фото и картинки - Nisshinbo Micro Devices
#3D #аналоговые #упаковка #стекирование
👍7🔥1
🇺🇸 Твердотельная память. Рекорды. PCIe 6.0. США
Micron и Astera Labs показали SSD с PCIe 6.0
Это устройства в форм-факторе E3.S, предназначенные для облачных и корпоративных ЦОД, обеспечивающие вдвое более высокую емкость по сравнению с 2.5 дюймовыми накопителями, альтернатива форм-фактору U.2.
Накопитель был анонсирован в августе 2025 года, тогда заявлялось о скорости чтения в 26 ГБ/с. В рамках испытаний SSD в связке с коммутационным чипом Astera Labs Scorpio PCI 6.0 (поддержка до 64 линий PCI 6.0) была достигнута скорость чтения 27.14 ГБ/с для каждого из двух SSD в тестовой системе. Это намного превосходит показатели SSD с PCIe 5.0 (14.5 ГБ/с).
В тестах использовалась технология Nvidia Magnum IO GPUDirect (GDS), позволяющая устройствам хранения данных напрямую обращаться к памяти GPU, минуя центральный процессор.
Такие SSD могут быть востребованы в СХД ЦОД ИИ, спрос на высокоскоростные компоненты для которых постоянно растет.
Стандарт PCIe 6.0 продолжает развитие, хотя Группа по стандартизации PCIe еще до конца 2025 года планирует выпустить спецификацию PCIe 7.0.
@RUSmicro по материалам 3dnews
#PCIe #SSD
Micron и Astera Labs показали SSD с PCIe 6.0
Это устройства в форм-факторе E3.S, предназначенные для облачных и корпоративных ЦОД, обеспечивающие вдвое более высокую емкость по сравнению с 2.5 дюймовыми накопителями, альтернатива форм-фактору U.2.
Накопитель был анонсирован в августе 2025 года, тогда заявлялось о скорости чтения в 26 ГБ/с. В рамках испытаний SSD в связке с коммутационным чипом Astera Labs Scorpio PCI 6.0 (поддержка до 64 линий PCI 6.0) была достигнута скорость чтения 27.14 ГБ/с для каждого из двух SSD в тестовой системе. Это намного превосходит показатели SSD с PCIe 5.0 (14.5 ГБ/с).
В тестах использовалась технология Nvidia Magnum IO GPUDirect (GDS), позволяющая устройствам хранения данных напрямую обращаться к памяти GPU, минуя центральный процессор.
Такие SSD могут быть востребованы в СХД ЦОД ИИ, спрос на высокоскоростные компоненты для которых постоянно растет.
Стандарт PCIe 6.0 продолжает развитие, хотя Группа по стандартизации PCIe еще до конца 2025 года планирует выпустить спецификацию PCIe 7.0.
@RUSmicro по материалам 3dnews
#PCIe #SSD
3DNews - Daily Digital Digest
Micron показала самый быстрый SSD в мире — с PCIe 6.0 и скоростью до 27 Гбайт/с
Компания Micron совместно с Astera Labs продемонстрировала на конференции DesignCon 2025 первый в мире твердотельный накопитель (SSD) с интерфейсом PCIe 6.
👍5🤔1
🇰🇷 Участники рынка. Корея
Samsung может свернуть или притормозить строительство фабов в США
Samsung еще в 2021 году планировал построить фаб в Тейлоре, США, и запустить серийное производство в 2024 году. Но эти планы последовательно сдвигались «вправо», в условиях США корейские расчеты не работали. В апреле 2024 года Samsung перенесла сроки на 2025 год, а затем перестала комментировать тему новых планируемых сроков запуска. Все, как минимум, уехало на 2026 год.
Сейчас, похоже, наступает и вовсе критический момент для американских планов компании. Если TSMC удваивает свои и без того масштабные планы по развертыванию современного производства в США, поскольку компания буквально завалена заказами американских производителей, то позиции Samsung и близко не такие удачные. Да и в мире на рынке контрактных услуг у Samsung Foundry от силы 8.2%, тогда как у TSMC – более 60%.
И это при том, что Samsung инвестировал в развитие своего контрактного бизнеса немалые средства. Деньги тратятся немалые, но при этом заказчиков на контрактные мощности корейцев не так много, да и процессоры Exynos собственной разработки Samsung не особенно востребованы. Не так уж проста ситуация в сегменте сенсоров изображений, где Samsung на сегодня контролирует до 20% мирового датчика изображений – здесь корейцы планируют повысить активность, укрепить свои позиции в сегменте компонентов камер для роботов и автопилотов для автомобилей.
Все это ставит дальнейшие планы Samsung в США под большой вопрос. Но без американского рынка, с учетом растущих пошлин, компания может еще больше потерять в своих рыночных позициях. Непростая для Samsung ситуация.
@RUSmicro по материалам 3dnews
Samsung может свернуть или притормозить строительство фабов в США
Samsung еще в 2021 году планировал построить фаб в Тейлоре, США, и запустить серийное производство в 2024 году. Но эти планы последовательно сдвигались «вправо», в условиях США корейские расчеты не работали. В апреле 2024 года Samsung перенесла сроки на 2025 год, а затем перестала комментировать тему новых планируемых сроков запуска. Все, как минимум, уехало на 2026 год.
Сейчас, похоже, наступает и вовсе критический момент для американских планов компании. Если TSMC удваивает свои и без того масштабные планы по развертыванию современного производства в США, поскольку компания буквально завалена заказами американских производителей, то позиции Samsung и близко не такие удачные. Да и в мире на рынке контрактных услуг у Samsung Foundry от силы 8.2%, тогда как у TSMC – более 60%.
И это при том, что Samsung инвестировал в развитие своего контрактного бизнеса немалые средства. Деньги тратятся немалые, но при этом заказчиков на контрактные мощности корейцев не так много, да и процессоры Exynos собственной разработки Samsung не особенно востребованы. Не так уж проста ситуация в сегменте сенсоров изображений, где Samsung на сегодня контролирует до 20% мирового датчика изображений – здесь корейцы планируют повысить активность, укрепить свои позиции в сегменте компонентов камер для роботов и автопилотов для автомобилей.
Все это ставит дальнейшие планы Samsung в США под большой вопрос. Но без американского рынка, с учетом растущих пошлин, компания может еще больше потерять в своих рыночных позициях. Непростая для Samsung ситуация.
@RUSmicro по материалам 3dnews
3DNews - Daily Digital Digest
Samsung разуверилась в целесообразности строительства новых фабрик чипов в США
По информации южнокорейского издания The Korea Economic Daily, в январе этого года занимающаяся управленческим аудитом структура Samsung Electronics взялась за подразделение System LSI, а затем примется за оптимизацию деятельности контрактного подразделения…
👍3❤1
RISC-V & YADRO Meetup: Экосистема ПО для RISC-V
🗓 14 марта в 19:00
📍 онлайн
🤝 бесплатное участие
Регистрируйтесь, чтобы получить ссылку на трансляцию на популярных платформах: VK, Youtube, Rutube.
В программе 3 доклада с теорией и кейсами. Коллеги расскажут:
→ каким образом RISC-V стандарты и профиль RVA23 закрывает текущие потребности мобильных устройств и клиентской экосистемы ПО, а чего в нём может не хватать для развития приложений Linux и AOSP;
→ что остается за рамками спецификаций и стандартов RISC-V на примере векторного расширения;
→ о готовности высокопроизводительных библиотек для RISC-V;
→ о практическом опыте разработки прототипа программно-аппаратного комплекса, построенного с использованием СнК на базе RISC-V, для АСУ ТП;
→ какие есть особенности развития экосистемы ПО для задач АСУ ТП, а также требования к аппаратным платформам.
Скорее ставьте событие в свой календарь и обязательно регистрируйтесь.
До встречи!
🗓 14 марта в 19:00
📍 онлайн
🤝 бесплатное участие
Регистрируйтесь, чтобы получить ссылку на трансляцию на популярных платформах: VK, Youtube, Rutube.
В программе 3 доклада с теорией и кейсами. Коллеги расскажут:
→ каким образом RISC-V стандарты и профиль RVA23 закрывает текущие потребности мобильных устройств и клиентской экосистемы ПО, а чего в нём может не хватать для развития приложений Linux и AOSP;
→ что остается за рамками спецификаций и стандартов RISC-V на примере векторного расширения;
→ о готовности высокопроизводительных библиотек для RISC-V;
→ о практическом опыте разработки прототипа программно-аппаратного комплекса, построенного с использованием СнК на базе RISC-V, для АСУ ТП;
→ какие есть особенности развития экосистемы ПО для задач АСУ ТП, а также требования к аппаратным платформам.
Скорее ставьте событие в свой календарь и обязательно регистрируйтесь.
До встречи!
👍4❤1
🇨🇳 Слухи. Чипы ИИ. Китай
Huawei, возможно, купила более, чем к 2 млн кристаллов ИИ-микросхем, произведенных TSMC
Это утверждает американский Центр стратегических и международных исследований (CSIS). По заявлению этой организации Huawei воспользовалась услугами подставных компаний для закупки 2 млн кристаллов ИИ-чипов, проведенных TSMC, а также накопила достаточно памяти с высокой пропускной способностью (HBM), чтобы поддерживать производство более года.
Речь идет о 2 млн кристаллов логики процессора Ascend 910B, которые якобы поступили в распоряжение Huawei. Либо на их базе можно произвести 1 млн процессоров Ascend 910C.
В отчете CSIS утверждается, что компании из «белого списка» могут соблазниться предложениями Huawei, чтобы выступить в качестве посредников, размещая заказы в TSMC в интересах Huawei. Аналогичную тактику китайская компания, в теории, может использовать для получения заказов, размещаемых в Samsung и даже в Intel.
По данным источников CSIS у Huawei сейчас сформированы запасы HBM-микросхем, достаточные, чтобы обеспечивать необходимое производство в течение целого года. Часть этого запаса была приобретена, скорее всего, еще до введенных экспортных ограничений США.
В Huawei делали ставку на два основных подхода к производству ИИ-чипов. Во-первых, ставка делалась на аутсорсинговое размещение заказов у TSMC, во-вторых, на партнерство с китайским фабом SMIC.
Американские ограничения заметно повлияли на SMIC. В итоге компания сталкивается с низким выходом годных (чуть ли не 20%) и другими проблемами, что ограничивает ее производственную мощность на уровне в 20 тысяч пластин по техпроцессу 7нм. Это не мешает SMIC усердно пытаться продвинуться на уровни технологий ниже 7нм.
Несмотря на все старания американских властей, разрыв в теме ИИ сокращается и сейчас уже вряд ли превышает 1-2 года. Близки и вычислительные мощности, доступные Китаю и США. Без экспортного контроля США, китайские компании, вероятно, уже превзошли бы американских конкурентов в уровне передовых моделей ИИ, уверены аналитики CSIS и с этим вряд ли стоит спорить.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#чипыИИ
Huawei, возможно, купила более, чем к 2 млн кристаллов ИИ-микросхем, произведенных TSMC
Это утверждает американский Центр стратегических и международных исследований (CSIS). По заявлению этой организации Huawei воспользовалась услугами подставных компаний для закупки 2 млн кристаллов ИИ-чипов, проведенных TSMC, а также накопила достаточно памяти с высокой пропускной способностью (HBM), чтобы поддерживать производство более года.
Речь идет о 2 млн кристаллов логики процессора Ascend 910B, которые якобы поступили в распоряжение Huawei. Либо на их базе можно произвести 1 млн процессоров Ascend 910C.
В отчете CSIS утверждается, что компании из «белого списка» могут соблазниться предложениями Huawei, чтобы выступить в качестве посредников, размещая заказы в TSMC в интересах Huawei. Аналогичную тактику китайская компания, в теории, может использовать для получения заказов, размещаемых в Samsung и даже в Intel.
По данным источников CSIS у Huawei сейчас сформированы запасы HBM-микросхем, достаточные, чтобы обеспечивать необходимое производство в течение целого года. Часть этого запаса была приобретена, скорее всего, еще до введенных экспортных ограничений США.
В Huawei делали ставку на два основных подхода к производству ИИ-чипов. Во-первых, ставка делалась на аутсорсинговое размещение заказов у TSMC, во-вторых, на партнерство с китайским фабом SMIC.
Американские ограничения заметно повлияли на SMIC. В итоге компания сталкивается с низким выходом годных (чуть ли не 20%) и другими проблемами, что ограничивает ее производственную мощность на уровне в 20 тысяч пластин по техпроцессу 7нм. Это не мешает SMIC усердно пытаться продвинуться на уровни технологий ниже 7нм.
Несмотря на все старания американских властей, разрыв в теме ИИ сокращается и сейчас уже вряд ли превышает 1-2 года. Близки и вычислительные мощности, доступные Китаю и США. Без экспортного контроля США, китайские компании, вероятно, уже превзошли бы американских конкурентов в уровне передовых моделей ИИ, уверены аналитики CSIS и с этим вряд ли стоит спорить.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#чипыИИ
[News] Huawei Reportedly Acquired Over 2 Million AI Chip Dies Manufactured by TSMC Through Shell Companies | TrendForce News
According to a report from Central News Agency, the latest report from the Washington-based think tank, the Center for Strategic and International Stu...
👍6❤1
🇺🇸 Господдержка. Стратегии. США
Отмена американского Закона о чипах может сократить долю США на международном рынке до одноразрядных чисел
Многое указывает на то, что администрация Трампа может отменить принятый администрацией Байдена Закон о чипах, смысл которого состоял в предоставлении госсубсидий перспективным предприятиям, развивающим производство в США. Его появление не только вдохновило на ускоренное развитие ряд американских компаний, но и привлекло на внутренний рынок США некоторых зарубежных производителей, прежде всего, тайваньскую TSMC. С фантастическими даже по американским масштабам инвестициями. Уходящая администрация Байдена успела распределить субсидии до заступления Трампа на пост президента США. Сейчас Ассоциация полупроводниковой промышленности оценивает, что мощности по производству полупроводников США должны вырасти в 3 раза к 2032 году. Доля США на мировом рынке при этом может вырасти с 10% до 14%. Но если Закон о чипах перестанет действовать, этого может не случиться, в этом случае доля США дорастет только до 8%.
С момента, когда разрабатывался Закон о чипах, расходы на строительство фабрик по производству полупроводников в США значительно выросли. С другой стороны, даже компании, не получавшие госсубсидий, выиграли от общего роста полупроводниковой промышленности США.
Кроме того, Закон о чипах предполагает заметный налоговый кредит в размере 25% для производственных проектов, который, согласно отчету, служит одним из основных стимулов для предприятий, входящих в программу. Тогда как субсидии, как правило, покрывают только 10-15% от стоимости проекта.
Но Закон о чипах оставил правительству Трампа возможность задерживать обещанные выплаты и может даже истребовать возврат средств, при определенных условиях. В Министерстве торговли США сейчас изучают реализацию Закона о чипах и пока что не взяли на себя обязательства соблюдать предшествующие договоренности.
Тем не менее, администрация Трампа юридически обязана использовать средства, ранее выделенные Конгрессом для Закона о чипах. Уже выделены все $39 млрд, которые должны стимулировать производство в период до 2026 финансового года.
Примерно 75% грантового финансирования в рамках Закона о чипах будут предоставлены четырем ведущим производителям передовых полупроводников – Intel, TSMC, Samsung и Micron, причем Intel – крупнейший получатель.
Будет интересно посмотреть, к какому решению все же склонятся в США. На кону серьезный вопрос, учитывая роль микроэлектроники, как в плане ставки на лидерство в плане ИИ, так и в целом, учитывая ее растущую востребованность практически во всех отраслях. Мне кажется, что с учетом того, что госсубсидии и льготы своим бизнесам в области микроэлектроники выделают все страны, где делают ставку на развитие микроэлектроники, в США не смогут отказаться от субсидирования отрасли в ближайшие годы. И тогда, возможно, сбудется прогноз на получение доли 22% от мирового рынка.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#господдержка #стратегии
Отмена американского Закона о чипах может сократить долю США на международном рынке до одноразрядных чисел
Многое указывает на то, что администрация Трампа может отменить принятый администрацией Байдена Закон о чипах, смысл которого состоял в предоставлении госсубсидий перспективным предприятиям, развивающим производство в США. Его появление не только вдохновило на ускоренное развитие ряд американских компаний, но и привлекло на внутренний рынок США некоторых зарубежных производителей, прежде всего, тайваньскую TSMC. С фантастическими даже по американским масштабам инвестициями. Уходящая администрация Байдена успела распределить субсидии до заступления Трампа на пост президента США. Сейчас Ассоциация полупроводниковой промышленности оценивает, что мощности по производству полупроводников США должны вырасти в 3 раза к 2032 году. Доля США на мировом рынке при этом может вырасти с 10% до 14%. Но если Закон о чипах перестанет действовать, этого может не случиться, в этом случае доля США дорастет только до 8%.
С момента, когда разрабатывался Закон о чипах, расходы на строительство фабрик по производству полупроводников в США значительно выросли. С другой стороны, даже компании, не получавшие госсубсидий, выиграли от общего роста полупроводниковой промышленности США.
Кроме того, Закон о чипах предполагает заметный налоговый кредит в размере 25% для производственных проектов, который, согласно отчету, служит одним из основных стимулов для предприятий, входящих в программу. Тогда как субсидии, как правило, покрывают только 10-15% от стоимости проекта.
Но Закон о чипах оставил правительству Трампа возможность задерживать обещанные выплаты и может даже истребовать возврат средств, при определенных условиях. В Министерстве торговли США сейчас изучают реализацию Закона о чипах и пока что не взяли на себя обязательства соблюдать предшествующие договоренности.
Тем не менее, администрация Трампа юридически обязана использовать средства, ранее выделенные Конгрессом для Закона о чипах. Уже выделены все $39 млрд, которые должны стимулировать производство в период до 2026 финансового года.
Примерно 75% грантового финансирования в рамках Закона о чипах будут предоставлены четырем ведущим производителям передовых полупроводников – Intel, TSMC, Samsung и Micron, причем Intel – крупнейший получатель.
Будет интересно посмотреть, к какому решению все же склонятся в США. На кону серьезный вопрос, учитывая роль микроэлектроники, как в плане ставки на лидерство в плане ИИ, так и в целом, учитывая ее растущую востребованность практически во всех отраслях. Мне кажется, что с учетом того, что госсубсидии и льготы своим бизнесам в области микроэлектроники выделают все страны, где делают ставку на развитие микроэлектроники, в США не смогут отказаться от субсидирования отрасли в ближайшие годы. И тогда, возможно, сбудется прогноз на получение доли 22% от мирового рынка.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#господдержка #стратегии
👍3🤔1
🇰🇷 Датчики изображений. Южная Корея
SK hynix выходит из бизнеса CIS
Речь не идет о странах СНГ, CIS в данном контексте, это Contact Image Sensor (датчики изображения CIS). По данным ZDNet и Edaily, на фоне бума спроса на HBM, вызванного мощным интересом к ИИ, SK hynix выходит из своего непрофильного бизнеса датчиков изображений CMOS (CIS).
До сих пор SK hynix поставляла датчики изображения CMOS для Samsung Galaxy Z3 и для китайских смартфонов, но испытывала сложности с расширением из-за слабого рыночного спроса и растущей конкуренции со стороны китайских новичков в этом сегменте.
Подразделение CIS SK hynix было запущено в 2007 году и получила достаточный опыт за пределами производства памяти. Тем не менее, компания решила перенаправить ресурсы из подразделения CIS в подразделение разработок памяти ИИ, чтобы усилить свои стратегические позиции.
В отчете fnews отмечается, что SK hynix вышла на рынок датчиков изображения в 2008 году, прежде всего, за счет покупки компании Silicon File. В 2019 году компания создала центр исследований и разработок в области CIS в Японии и запустила бренд Black Pearl для сенсоров. Тем не менее, компания не смогла потеснить таких мощных участников рынка сенсоров как Sony и Samsung. Тем временем подтянулся еще и ряд китайских производителей, как всегда, с низкими расценками и активным маркетингом. И, как видим, для SK hynix все завершилось перенаправлением ресурсов разработчиков в другое русло.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#тренды #датчики
SK hynix выходит из бизнеса CIS
Речь не идет о странах СНГ, CIS в данном контексте, это Contact Image Sensor (датчики изображения CIS). По данным ZDNet и Edaily, на фоне бума спроса на HBM, вызванного мощным интересом к ИИ, SK hynix выходит из своего непрофильного бизнеса датчиков изображений CMOS (CIS).
До сих пор SK hynix поставляла датчики изображения CMOS для Samsung Galaxy Z3 и для китайских смартфонов, но испытывала сложности с расширением из-за слабого рыночного спроса и растущей конкуренции со стороны китайских новичков в этом сегменте.
Подразделение CIS SK hynix было запущено в 2007 году и получила достаточный опыт за пределами производства памяти. Тем не менее, компания решила перенаправить ресурсы из подразделения CIS в подразделение разработок памяти ИИ, чтобы усилить свои стратегические позиции.
В отчете fnews отмечается, что SK hynix вышла на рынок датчиков изображения в 2008 году, прежде всего, за счет покупки компании Silicon File. В 2019 году компания создала центр исследований и разработок в области CIS в Японии и запустила бренд Black Pearl для сенсоров. Тем не менее, компания не смогла потеснить таких мощных участников рынка сенсоров как Sony и Samsung. Тем временем подтянулся еще и ряд китайских производителей, как всегда, с низкими расценками и активным маркетингом. И, как видим, для SK hynix все завершилось перенаправлением ресурсов разработчиков в другое русло.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#тренды #датчики
TrendForce
[News] SK hynix Reportedly Exits CIS to Focus on AI amid Weak Demand and Fierce China Competition
Amid the AI-driven HBM boom, SK hynix is exiting its non-core CMOS image sensor (CIS) business, according to ZDNet and Edaily.
The ZDNet report sug...
The ZDNet report sug...
👍2
🇺🇸 Чипы ИИ. Ускорители обучения. США
Компания на M* тестирует свой первый чип ИИ на базе RISC-V для обучения ИИ
Компания уже несколько лет как создала чипы на базе RISC-V для задач вывода в системах ИИ, чтобы сократить расходы и снизить зависимость от Nvidia. А теперь, выходит, компания пошла еще далее и разработала (предположительно с участием Broadcom) свой собственный ускоритель для более сложной задачи – обучения ИИ.
Пока что нет данных о характеристиках новинки, но если чип оправдает ожидания, это сможет еще более снизить зависимость компании от Nvidia.
@RUSmicro по материалам Tom’s hardware
#искусственныйинтеллект #ускорителиобучения #RISCV
Компания на M* тестирует свой первый чип ИИ на базе RISC-V для обучения ИИ
Компания уже несколько лет как создала чипы на базе RISC-V для задач вывода в системах ИИ, чтобы сократить расходы и снизить зависимость от Nvidia. А теперь, выходит, компания пошла еще далее и разработала (предположительно с участием Broadcom) свой собственный ускоритель для более сложной задачи – обучения ИИ.
Пока что нет данных о характеристиках новинки, но если чип оправдает ожидания, это сможет еще более снизить зависимость компании от Nvidia.
@RUSmicro по материалам Tom’s hardware
#искусственныйинтеллект #ускорителиобучения #RISCV
🇷🇺 Регулирование. Аккумуляторные батареи. Мнения. Россия
В Минпромторге готовы перенастроить требования к российскости производимых Li-Ion аккумуляторов
Мне это представляется демонстрацией трезвого взгляда на ситуацию, сейчас готовится соответствующий проект поправок к ПП719. Тему сегодня разбирают Ведомости.
Действующее ПП719 требует от ЛИА, произведенных на территории РФ не менее 600 баллов с 2023 года, 800 с 2025 и 900 с 2026 года. Вместо этого планируется продлить действие планки в 600 баллов до 2027 года, а уж затем, с 2027 года ввести 860, а с 2029 года - 1010. Для систем хранения энергии – 900 баллов с 2027 года вместо 1000 с 2026 года.
Эти изменения отражают реальную ситуацию – в России по-прежнему нет серийного производства катодных и анодных материалов, сепараторов и электролитов для Li-Ion аккумуляторов. По крайней мере, это утверждается в пояснительной заметке к проекту.
Мое мнение: В сроки локализации, которые стояли ранее, без серьезных структурных изменений и гигантских инвестиций сразу в несколько отраслей не было возможности достичь поставленных целей. Полученная отсрочка и изменения в требованиях оставляют производителям больше шансов выполнить задачи, хотя и не гарантируют успеха в горизонте до 2027 года.
Необходимые цепочки производства локализовать сложно: если катодные материалы и добываются в РФ, то их переработка пока развита слабо.
Попытки исправить ситуацию в области аккумуляторов для электромобилей предпринимает Росатом. Ситуация с такими компонентами, как электролиты и сепараторы, остается сложной, сейчас в РФ проводятся только эксперименты по их производству.
Входящая в Росатом Рэнера в октябре 2022 года начала строительство завода полного цикла по выпуску топливных ячеек и сборке аккумуляторов на территории, которая ранее предназначалась для Балтийской АЭС (Калининградская область). Еще один такой завод собирались запускать в Москве.
За 2 года запустить производства сложно, сейчас называются сроки запуска – 2025 год для предприятия в Калининградской области, 2026 год – для Москвы.
Технологиями изготовления катодных материалов занимаются и в Норникеле, даже планируют создать завод, способный производить до 10 000 тонн катодов (планируется партнерство с Росатомом). Но когда это произойдет?
Мое мнение: организации локального производства полного цикла сохраняется, но это потребует более 10 лет, а в ближайшие пять лет можно будет добиться локализации от 50% и более, но вряд ли более 70–80%. В частности, кто, например, занимается сепараторами?
А еще несколько огорчает, что все усилия по созданию отечественных производств сосредоточены на технологиях с жидким электролитом (260-290 Втч/кг). А стоило бы отдельно стимулировать и направление с твердыми электролитами с более высокими плотностями хранения энергии – оно наверняка будет востребовано, например, в гуманоидной робототехнике и не только.
Возвращаясь к теме – смягчение требований отражает реальную ситуацию, и потому я его приветствую. Возможно, мы еще увидим тот же подход к тонкой настройке балльной системы и в ряде других направлений, в частности, в микроэлектронике и электронике.
@RUSmicro
#регулирование #балльная #аккумуляторы #ЛИА
В Минпромторге готовы перенастроить требования к российскости производимых Li-Ion аккумуляторов
Мне это представляется демонстрацией трезвого взгляда на ситуацию, сейчас готовится соответствующий проект поправок к ПП719. Тему сегодня разбирают Ведомости.
Действующее ПП719 требует от ЛИА, произведенных на территории РФ не менее 600 баллов с 2023 года, 800 с 2025 и 900 с 2026 года. Вместо этого планируется продлить действие планки в 600 баллов до 2027 года, а уж затем, с 2027 года ввести 860, а с 2029 года - 1010. Для систем хранения энергии – 900 баллов с 2027 года вместо 1000 с 2026 года.
Эти изменения отражают реальную ситуацию – в России по-прежнему нет серийного производства катодных и анодных материалов, сепараторов и электролитов для Li-Ion аккумуляторов. По крайней мере, это утверждается в пояснительной заметке к проекту.
Мое мнение: В сроки локализации, которые стояли ранее, без серьезных структурных изменений и гигантских инвестиций сразу в несколько отраслей не было возможности достичь поставленных целей. Полученная отсрочка и изменения в требованиях оставляют производителям больше шансов выполнить задачи, хотя и не гарантируют успеха в горизонте до 2027 года.
Необходимые цепочки производства локализовать сложно: если катодные материалы и добываются в РФ, то их переработка пока развита слабо.
Попытки исправить ситуацию в области аккумуляторов для электромобилей предпринимает Росатом. Ситуация с такими компонентами, как электролиты и сепараторы, остается сложной, сейчас в РФ проводятся только эксперименты по их производству.
Входящая в Росатом Рэнера в октябре 2022 года начала строительство завода полного цикла по выпуску топливных ячеек и сборке аккумуляторов на территории, которая ранее предназначалась для Балтийской АЭС (Калининградская область). Еще один такой завод собирались запускать в Москве.
За 2 года запустить производства сложно, сейчас называются сроки запуска – 2025 год для предприятия в Калининградской области, 2026 год – для Москвы.
Технологиями изготовления катодных материалов занимаются и в Норникеле, даже планируют создать завод, способный производить до 10 000 тонн катодов (планируется партнерство с Росатомом). Но когда это произойдет?
Мое мнение: организации локального производства полного цикла сохраняется, но это потребует более 10 лет, а в ближайшие пять лет можно будет добиться локализации от 50% и более, но вряд ли более 70–80%. В частности, кто, например, занимается сепараторами?
А еще несколько огорчает, что все усилия по созданию отечественных производств сосредоточены на технологиях с жидким электролитом (260-290 Втч/кг). А стоило бы отдельно стимулировать и направление с твердыми электролитами с более высокими плотностями хранения энергии – оно наверняка будет востребовано, например, в гуманоидной робототехнике и не только.
Возвращаясь к теме – смягчение требований отражает реальную ситуацию, и потому я его приветствую. Возможно, мы еще увидим тот же подход к тонкой настройке балльной системы и в ряде других направлений, в частности, в микроэлектронике и электронике.
@RUSmicro
#регулирование #балльная #аккумуляторы #ЛИА
Ведомости
Минпромторг предложил смягчить требования к производству аккумуляторов
Единственный потенциальный производитель – «Росатом», но его фабрика заработает только в 2025 году
👍4🔥3
🇰🇷 Фотолитография. Передовые техпроцессы. Производственное оборудование. Корея
Samsung привезла свой первый литограф High-NA EUV ASML EXE:5000
Стоимость комплекта – порядка $500 млн, развернуть его собираются в кампусе Хвасонг (Hwaseong). Как ожидается, ввод в действие этого степпера, позволит Samsung двинуться к покорению техпроцессов от 2нм и ниже.
Тем самым Samsung вошел в новый виток гонки к ангстремам, которую запустила Intel, закупив первую в мире установку High-NA EUV. Первый контракт с ASML на поставку этого вида литографов был подписан еще в 2023 году, а на текущий момент в Intel законтрактовала у ASML в общей сложности 6 таких машин. По данным компании Intel, 2 литографа уже запущены в производстве, выпуская порядка 10 тысяч пластин в месяц. Компания отрабатывает технологию 18А, которая, как ожидается, станет серийной в конце 2025 года.
Кроме того, ожидается, что Intel первой получит и следующую модель – ASML EXE:5200, которая позволит американской компании освоить техпроцесс 14A.
TSMC пока что не спешит с закупками ранних моделей, компания заявила, что собирается запускать массовое производство с использованием фотолитографов High-NA лишь в 2028 году.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#HighNA #литография
Samsung привезла свой первый литограф High-NA EUV ASML EXE:5000
Стоимость комплекта – порядка $500 млн, развернуть его собираются в кампусе Хвасонг (Hwaseong). Как ожидается, ввод в действие этого степпера, позволит Samsung двинуться к покорению техпроцессов от 2нм и ниже.
Тем самым Samsung вошел в новый виток гонки к ангстремам, которую запустила Intel, закупив первую в мире установку High-NA EUV. Первый контракт с ASML на поставку этого вида литографов был подписан еще в 2023 году, а на текущий момент в Intel законтрактовала у ASML в общей сложности 6 таких машин. По данным компании Intel, 2 литографа уже запущены в производстве, выпуская порядка 10 тысяч пластин в месяц. Компания отрабатывает технологию 18А, которая, как ожидается, станет серийной в конце 2025 года.
Кроме того, ожидается, что Intel первой получит и следующую модель – ASML EXE:5200, которая позволит американской компании освоить техпроцесс 14A.
TSMC пока что не спешит с закупками ранних моделей, компания заявила, что собирается запускать массовое производство с использованием фотолитографов High-NA лишь в 2028 году.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#HighNA #литография
[News] Samsung Reportedly Brings High-NA EUV Machine to Hwaseong Campus in Early March amid 2nm Race | TrendForce News
As noted by Korean media outlet The Financial News, citing sources, Samsung Electronics brought in its first High-NA EUV equipment, the EXE:5000, to i...
🇷🇺 Силовая электроника. Компоненты. SiC. Россия
В ЛЭТИ разработали прототип силового транзистора на основе SiC
Об этом сообщили Известия.
Прототип транзистора на базе карбида кремния способен работать с напряжениями до 1700 В, заявил проректор по научной и инновационной деятельности СПбГЭТУ ЛЭТИ Александр Семенов. Также заявляется, что топология и технологический маршрут могут быть адаптированы к производственным возможностям российских предприятий.
В теории это означает, что при соответствующей коммутации целевые изделия способны работать при напряжениях более 15 кВ на более высоких, чем типовые кремниевые аналоги частотах.
Транзисторы на базе SiC, в среднем могут работать при более высоких температурах, выше 200 °C, например. Можно получить прибор SiC с тем же напряжением пробоя, что и у кремниевого аналога, но при этом с меньшей площадью кристалла: на пластине равного размера может поместиться больше кристаллов SiC приборов, впрочем, пластины SiC как правило существенно дороже кремниевых, так что здесь пока что особо не выиграть.
Пока что российские предприятия закупают SiC-транзисторы за рубежом.
Соответственно, разработка делает возможным создание востребованных отечественных аналогов.
В 2024 году стало известно о запуске совместного предприятия ЛЭТИЭЛ в Зеленограде группой компаний Элемент и СПбГЭТУ ЛЭТИ – это предприятие занимается разработкой компонентов на основе карбида кремния.
Производством карбидкремниевых приборов может заняться Микрон – есть план создания производства с мощностью до 40 тысяч пластин SiC в год к 2030 году.
Известно, что НПО Энергомодуль выпустило первые силовые модули на кристаллах SiC, разработанные ГК Элемент. Это, впрочем, тоже еще не серийное производство.
@RUSmicro
#SiC #карбидкремния #силовая
В ЛЭТИ разработали прототип силового транзистора на основе SiC
Об этом сообщили Известия.
Прототип транзистора на базе карбида кремния способен работать с напряжениями до 1700 В, заявил проректор по научной и инновационной деятельности СПбГЭТУ ЛЭТИ Александр Семенов. Также заявляется, что топология и технологический маршрут могут быть адаптированы к производственным возможностям российских предприятий.
В теории это означает, что при соответствующей коммутации целевые изделия способны работать при напряжениях более 15 кВ на более высоких, чем типовые кремниевые аналоги частотах.
Транзисторы на базе SiC, в среднем могут работать при более высоких температурах, выше 200 °C, например. Можно получить прибор SiC с тем же напряжением пробоя, что и у кремниевого аналога, но при этом с меньшей площадью кристалла: на пластине равного размера может поместиться больше кристаллов SiC приборов, впрочем, пластины SiC как правило существенно дороже кремниевых, так что здесь пока что особо не выиграть.
Пока что российские предприятия закупают SiC-транзисторы за рубежом.
Соответственно, разработка делает возможным создание востребованных отечественных аналогов.
В 2024 году стало известно о запуске совместного предприятия ЛЭТИЭЛ в Зеленограде группой компаний Элемент и СПбГЭТУ ЛЭТИ – это предприятие занимается разработкой компонентов на основе карбида кремния.
Производством карбидкремниевых приборов может заняться Микрон – есть план создания производства с мощностью до 40 тысяч пластин SiC в год к 2030 году.
Известно, что НПО Энергомодуль выпустило первые силовые модули на кристаллах SiC, разработанные ГК Элемент. Это, впрочем, тоже еще не серийное производство.
@RUSmicro
#SiC #карбидкремния #силовая
CNews.ru
В России создали отечественный прототип полевого транзистора из материала, альтернативного чистому кремнию - CNews
В Санкт-Петербургском университете «ЛЭТИ» создали прототип полевого транзистора на основе карбида кремния. В мире уже применяют эту альтернативу кремнию, который почти исчерпал свои возможности...
👍13🤔1
🇨🇳 СВЧ. Фотоника. Китай
В Пекинском университете разработали оптический чип, способный работать на частотах 100 ГГц
Это заявка на намного более высокое быстродействие, чем у обычных кремниевых чипов, тактовая частота которых обычно не превышает 6 ГГц.
Способность кремниевых чипов работать на более высоких частотах ограничена множеством факторов, связанных, прежде всего, с нагревом материала при переключениях транзисторов, с паразитными емкостями. В конечном итоге ограничение задает использование электрического тока для переключения традиционных транзисторов.
При переходе ко все меньшим размерам элементов интегральных схем электроны уже не получается локализовать в конкретной зоне транзистора, например, в канале, если длина канала составляет менее 1.5 нм.
В оптическом чипе роль электронов исполняют фотоны. Они не несут заряда и не вызывают нагрева, позволяя выполнять вычислительные операции с минимальным энергопотреблением. Это позволяет надеяться, что при переходе к фотонике от классической кремниевой электроники можно достичь более высоких показателей, в частности, работы микросхемы на более высоких частотах.
На одной 8-дюймовой пластине может разместиться до тысячи разработанных в университете чипов. Заявляется потенциал использования таких чипов в мобильных сетях 5G и 6G.
@RUSmicro по материалам Overclockers
#фотоника
В Пекинском университете разработали оптический чип, способный работать на частотах 100 ГГц
Это заявка на намного более высокое быстродействие, чем у обычных кремниевых чипов, тактовая частота которых обычно не превышает 6 ГГц.
Способность кремниевых чипов работать на более высоких частотах ограничена множеством факторов, связанных, прежде всего, с нагревом материала при переключениях транзисторов, с паразитными емкостями. В конечном итоге ограничение задает использование электрического тока для переключения традиционных транзисторов.
При переходе ко все меньшим размерам элементов интегральных схем электроны уже не получается локализовать в конкретной зоне транзистора, например, в канале, если длина канала составляет менее 1.5 нм.
В оптическом чипе роль электронов исполняют фотоны. Они не несут заряда и не вызывают нагрева, позволяя выполнять вычислительные операции с минимальным энергопотреблением. Это позволяет надеяться, что при переходе к фотонике от классической кремниевой электроники можно достичь более высоких показателей, в частности, работы микросхемы на более высоких частотах.
На одной 8-дюймовой пластине может разместиться до тысячи разработанных в университете чипов. Заявляется потенциал использования таких чипов в мобильных сетях 5G и 6G.
@RUSmicro по материалам Overclockers
#фотоника
Overclockers.ru
Overclockers.ru: Оптический чип на 100 ГГц может изменить будущее мобильных сетей 5G и 6G
Ученые из Китая создали оптический чип, который достигает рекордной тактовой частоты 100 ГГц.
👍8❤1👏1
🇺🇸 Участники рынка. США
Intel назначает Лип-Бу Тана генеральным директором – он должен ускорить реструктуризацию
Intel назначила Лип-Бу Тана новым генеральным директором с 18 марта. Тан ранее был членом совета директоров Intel до августа 2024 года. Он сменит двух временных со-генеральных директоров Дэвида Цинснера и Мишель Джонстон Холтхаус.
Тан известен работой на посту гендиректора Cadence Design Systems с 2009 по 2021 год, где он обеспечил рост выручки более чем на 100%, увеличил маржу прибыли и обеспечил рост стоимости акций компании более чем на 3200%. В настоящее время он входит в советы директоров Credo Technology Group и Schneider Electric и является партнером-основателем Walden Catalyst Ventures.
Экс-со-генеральные директора, Дэвид Цинснер и Мишель Джонстон Холтхаус, будут подчинены Тану, первый в качестве финансового директора, вторая как гендиректор Intel Products.
Выбор нового гендиректора – стратегический шаг для Intel. Если говорить о бизнес-опыте г-на Тана, он хорош, но в фаундри бизнесах новый менеджер не работал. Другая проблема – сейчас все ждут от Intel быстрых изменений, но это просто невозможно в современной полупроводниковой индустрии.
В целом успех Intel будет определяться рядом факторов, важнейшими среди которых будут запуск техпроцесса 2нм или менее в 2025 году, ростом доли Intel в сегменте ЦОД, восстановлением маржи прибыли до 45-50%.
Продолжаем наблюдать.
@RUSmicro по материалам DigiTimes
Intel назначает Лип-Бу Тана генеральным директором – он должен ускорить реструктуризацию
Intel назначила Лип-Бу Тана новым генеральным директором с 18 марта. Тан ранее был членом совета директоров Intel до августа 2024 года. Он сменит двух временных со-генеральных директоров Дэвида Цинснера и Мишель Джонстон Холтхаус.
Тан известен работой на посту гендиректора Cadence Design Systems с 2009 по 2021 год, где он обеспечил рост выручки более чем на 100%, увеличил маржу прибыли и обеспечил рост стоимости акций компании более чем на 3200%. В настоящее время он входит в советы директоров Credo Technology Group и Schneider Electric и является партнером-основателем Walden Catalyst Ventures.
Экс-со-генеральные директора, Дэвид Цинснер и Мишель Джонстон Холтхаус, будут подчинены Тану, первый в качестве финансового директора, вторая как гендиректор Intel Products.
Выбор нового гендиректора – стратегический шаг для Intel. Если говорить о бизнес-опыте г-на Тана, он хорош, но в фаундри бизнесах новый менеджер не работал. Другая проблема – сейчас все ждут от Intel быстрых изменений, но это просто невозможно в современной полупроводниковой индустрии.
В целом успех Intel будет определяться рядом факторов, важнейшими среди которых будут запуск техпроцесса 2нм или менее в 2025 году, ростом доли Intel в сегменте ЦОД, восстановлением маржи прибыли до 45-50%.
Продолжаем наблюдать.
@RUSmicro по материалам DigiTimes
DIGITIMES
Intel names Lip-Bu Tan as CEO to drive turnaround
Intel has appointed Lip-Bu Tan, a seasoned semiconductor industry leader, as its new chief executive officer, effective March 18. Tan, who previously served on Intel's board until August 2024, will also rejoin the board, succeeding interim co-CEOs David Zinsner…
👍3❤1
🇺🇸 Фотоника. Стартапы. Инвестиции. США
Celestial AI привлекает $250 млн, стремясь ускорить связь между чипами ИИ
Celestial AI, один из нескольких стартапов в области чипов из Кремниевой долине, стремящегося создать чипы, которые могут обеспечить ИИ еще более высокую скорость. На днях компания заявила, что привлекла еще $250 млн венчурного капитала, что нарастило общий объем средств, привлеченных стартапом, до $515 млн.
Высокие скорости вряд ли достижимы в рамках традиционной микроэлектроники, не удивительно, что Celestial AI работает над изделиями кремниевой фотоники. Важнейшим показателем производительности чипов является пропускная способность памяти.
На сегодня Nvidia доминирует по этому показателю, используя фирменные технологии NVLink и NVSwitch. Многочисленные стартапы, включая Celestial AI, AI Lightmatter и Ayar Labs пытаются стать альтернативой и шагом вперед по сравнению с решениями Nvidia. Ai Lightmatter привлекла для этого $850 млн, а Ayar Labs - $370 млн.
Celestial AI разрабатывает технологию, которая сможет обеспечить фотонные подключения между двумя и более чипами, которое в компании романтично именуют «фотонная ткань». Ее предназначение – обеспечить скорость при экономии места и энергии, двух вещей, которые приоритетны при конструировании чипов. Это не попытка заменить решения Nvidia, а дать возможность их улучшения за счет повышения скорости подключения процессоров ИИ и высокопроизводительной памяти.
Celestial AI заявила, что новый раунд финансирования возглавила Fidelity Management & Research, к ней присоединились вездесущая BlackRock, Maverick Capital, Tiger Global Management, Lip-Bu Tan – новый гендиректор Intel, и еще ряд инвесторов.
@RUSmicro по материалам Reuters
#фотоника
Celestial AI привлекает $250 млн, стремясь ускорить связь между чипами ИИ
Celestial AI, один из нескольких стартапов в области чипов из Кремниевой долине, стремящегося создать чипы, которые могут обеспечить ИИ еще более высокую скорость. На днях компания заявила, что привлекла еще $250 млн венчурного капитала, что нарастило общий объем средств, привлеченных стартапом, до $515 млн.
Высокие скорости вряд ли достижимы в рамках традиционной микроэлектроники, не удивительно, что Celestial AI работает над изделиями кремниевой фотоники. Важнейшим показателем производительности чипов является пропускная способность памяти.
На сегодня Nvidia доминирует по этому показателю, используя фирменные технологии NVLink и NVSwitch. Многочисленные стартапы, включая Celestial AI, AI Lightmatter и Ayar Labs пытаются стать альтернативой и шагом вперед по сравнению с решениями Nvidia. Ai Lightmatter привлекла для этого $850 млн, а Ayar Labs - $370 млн.
Celestial AI разрабатывает технологию, которая сможет обеспечить фотонные подключения между двумя и более чипами, которое в компании романтично именуют «фотонная ткань». Ее предназначение – обеспечить скорость при экономии места и энергии, двух вещей, которые приоритетны при конструировании чипов. Это не попытка заменить решения Nvidia, а дать возможность их улучшения за счет повышения скорости подключения процессоров ИИ и высокопроизводительной памяти.
Celestial AI заявила, что новый раунд финансирования возглавила Fidelity Management & Research, к ней присоединились вездесущая BlackRock, Maverick Capital, Tiger Global Management, Lip-Bu Tan – новый гендиректор Intel, и еще ряд инвесторов.
@RUSmicro по материалам Reuters
#фотоника
👍3
🇨🇳 Производственное оборудование. Китай
Naura Tech приобретает долю в Kingsemi
Naura Technology планирует купить 9.5% акций местного производителя Kingsemi. Обе компании – вендоры оборудования для производства полупроводников. Kingsemi, в частности, производит машины для различных стадий обработки полупроводников: нанесения покрытий, разработки, очистки, удаления клея и травления.
Naura Technology – крупнейший в Китае вендор производственного оборудования, специализирующийся в таких сегментах, как травление, осаждение тонких пленок, очистка, эпитаксия, с долями рынка 30%, 25% и более 2%, соответственно.
Kingsemi, вероятно, единственный на сегодня китайский поставщик, способный массово производить фронтальные покрытия (front-end coating) и проявочные машины. Покупка Kingsemi позволит закрыть пробелы в портфеле Naura.
Naura и без этой покупки входит в десятку крупнейших в мире вендоров производительного оборудования, уступая только ASML, Applied Materials, Lam Research, Tokyo Electron и KLA.
Компания быстро растет, прогноз итогов 2024 года – выручка в размере порядка $4.4 млрд, что обещает годовой рост в 44%. Для сравнения – у крупнейшего вендора производственного оборудования она составила $30.9 млрд в 2024 году. Росту Naura способствует политика Китая, где настаивают на локализации производства на фоне растущих экспортных ограничений США.
В частности, такие крупные китайские производители как SMIC, Hua Hong и YMTC активно закупают оборудование внутреннего производства у китайских поставщиков, таких как AMEC, Naura Tech и ACM Research для техпроцессов 28нм и более современных.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#производственноеоборудование #производства
Naura Tech приобретает долю в Kingsemi
Naura Technology планирует купить 9.5% акций местного производителя Kingsemi. Обе компании – вендоры оборудования для производства полупроводников. Kingsemi, в частности, производит машины для различных стадий обработки полупроводников: нанесения покрытий, разработки, очистки, удаления клея и травления.
Naura Technology – крупнейший в Китае вендор производственного оборудования, специализирующийся в таких сегментах, как травление, осаждение тонких пленок, очистка, эпитаксия, с долями рынка 30%, 25% и более 2%, соответственно.
Kingsemi, вероятно, единственный на сегодня китайский поставщик, способный массово производить фронтальные покрытия (front-end coating) и проявочные машины. Покупка Kingsemi позволит закрыть пробелы в портфеле Naura.
Naura и без этой покупки входит в десятку крупнейших в мире вендоров производительного оборудования, уступая только ASML, Applied Materials, Lam Research, Tokyo Electron и KLA.
Компания быстро растет, прогноз итогов 2024 года – выручка в размере порядка $4.4 млрд, что обещает годовой рост в 44%. Для сравнения – у крупнейшего вендора производственного оборудования она составила $30.9 млрд в 2024 году. Росту Naura способствует политика Китая, где настаивают на локализации производства на фоне растущих экспортных ограничений США.
В частности, такие крупные китайские производители как SMIC, Hua Hong и YMTC активно закупают оборудование внутреннего производства у китайских поставщиков, таких как AMEC, Naura Tech и ACM Research для техпроцессов 28нм и более современных.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#производственноеоборудование #производства
[News] China’s Chip Equipment Giant Naura Tech Acquires Stake in Kingsemi amid Local Industry Integration | TrendForce News
China's semiconductor industry is speeding up integration amid U.S. tensions, as the country’s chip equipment giant Naura Technology plans to acquire ...
👍5
📈 Тренды. ASEAN
ASEAN собирается стать одним из мировых центров в области производства микрочипов
В рамках форума ASEAN 2025, состоявшегося в Ханое в конце февраля, премьер-министр Малайзии Анвар бин Ибрагим заявил, что государствам-членам необходимо укрепить сотрудничество в производстве полупроводников, чтобы превратить Юго-Восточную Азию в крупный центр для такой продукции.
🇲🇾 Малайзия
Малайзия начала разработки полупроводниковой продукции около 20 лет назад при участии высокотехнологичных инвесторов из США, Китая, Кореи и Японии. По словам премьер-министра Ибрагима, этот успех необходимо разделить с другими странами ASEAN.
Малайзия на сегодня – 6-й по величине экспортер полупроводников в мире, на долю этой страны приходится 13% мирового рынка сборки, тестирования и упаковки. В Малайзии ожидают привлечь до $115 млрд инвестиций к 2030 году.
На прошлой неделе британская Arm Holdings подписала соглашение с Малайзией о партнерстве в области производства высококачественных полупроводников. В рамках соглашения, Arm представит IP на узлы и микросхемы, а также другие технологии, что должно помочь Малайзии перейти от сборки к изготовлению пластин и проектированию ИС. Малайзия в ближайшие 10 лет выплатит Arm $250 млн.
Национальная стратегия Малайзии в области полупроводников – инвестирование более $100 млрд в передовые технологии. В мае 2024 года правительство Малайзии обязалось инвестировать не менее $5.6 млрд в передовые технологии, чтобы добиться самодостаточности в производстве микросхем в течение 5-10 лет.
«Индонезия, Вьетнам и Таиланд также хотят развивать полупроводники, поэтому нам всем нужно сохранять единство и укреплять сотрудничество в этой отрасли. Малайзия готова поддержать Вьетнам в этом начинании», - заявил премьер-министр Ибрагим.
Глобальная полупроводниковая промышленность переживает существенные изменения, ASEAN становится заметным игроком. Геополитическая напряженность открыла возможности для региона, где сегодня лидируют Сингапур и Малайзия.
Общий экспорт региона достиг $268.8 млрд в 2023 году, это почти четверть мирового рынка полупроводников. Рост экспорта на 41.6% в период с 2018 по 2023 год подчеркивает рост отрасли макрорегиона.
🇻🇳 Вьетнам
Полупроводниковая промышленность Вьетнама лидирует за счет стратегической государственной политики, привлечению иностранных инвестиций и растущего спроса на чипы в различных отраслях. В частности, по данным Dezan Shira & Associates, полупроводниковый рынок страны сможет похвастаться $31.28 млрд к 2027 году и среднегодовыми темпами роста в 11.6% в период 2023-2027. Это позволяет говорить о Вьетнаме, как об одном из ключевых игроков глобального рынка полупроводниковой промышленности.
После того, как Вьетнам и США договорились о стратегическом партнерстве в 2023 году, полупроводниковая промышленность Вьетнама заметно усилилась за счет усилий Intel, OnSemi, Hana Micron и Amkor. Появляется все больше аутсорсинговых объектов по сборке и тестированию полупроводников (OSAT) на севере страны и в научно-исследовательских центрах на юге Вьетнама.
В соответствии со стратегией Вьетнама в области полупроводников до 2030 года с видением до 2050 года, страна сосредоточится на развитии талантов, производственных мощностей и глобальной интеграции. Страна создаст не менее 100 проектных компаний, одно мелкосерийное производство и 10 заводов по упаковке и тестированию с годовым доходом в полупроводниковой промышленности в размере $25 млрд, все планируется успеть провернуть до 2030 года. (..)
ASEAN собирается стать одним из мировых центров в области производства микрочипов
В рамках форума ASEAN 2025, состоявшегося в Ханое в конце февраля, премьер-министр Малайзии Анвар бин Ибрагим заявил, что государствам-членам необходимо укрепить сотрудничество в производстве полупроводников, чтобы превратить Юго-Восточную Азию в крупный центр для такой продукции.
🇲🇾 Малайзия
Малайзия начала разработки полупроводниковой продукции около 20 лет назад при участии высокотехнологичных инвесторов из США, Китая, Кореи и Японии. По словам премьер-министра Ибрагима, этот успех необходимо разделить с другими странами ASEAN.
Малайзия на сегодня – 6-й по величине экспортер полупроводников в мире, на долю этой страны приходится 13% мирового рынка сборки, тестирования и упаковки. В Малайзии ожидают привлечь до $115 млрд инвестиций к 2030 году.
На прошлой неделе британская Arm Holdings подписала соглашение с Малайзией о партнерстве в области производства высококачественных полупроводников. В рамках соглашения, Arm представит IP на узлы и микросхемы, а также другие технологии, что должно помочь Малайзии перейти от сборки к изготовлению пластин и проектированию ИС. Малайзия в ближайшие 10 лет выплатит Arm $250 млн.
Национальная стратегия Малайзии в области полупроводников – инвестирование более $100 млрд в передовые технологии. В мае 2024 года правительство Малайзии обязалось инвестировать не менее $5.6 млрд в передовые технологии, чтобы добиться самодостаточности в производстве микросхем в течение 5-10 лет.
«Индонезия, Вьетнам и Таиланд также хотят развивать полупроводники, поэтому нам всем нужно сохранять единство и укреплять сотрудничество в этой отрасли. Малайзия готова поддержать Вьетнам в этом начинании», - заявил премьер-министр Ибрагим.
Глобальная полупроводниковая промышленность переживает существенные изменения, ASEAN становится заметным игроком. Геополитическая напряженность открыла возможности для региона, где сегодня лидируют Сингапур и Малайзия.
Общий экспорт региона достиг $268.8 млрд в 2023 году, это почти четверть мирового рынка полупроводников. Рост экспорта на 41.6% в период с 2018 по 2023 год подчеркивает рост отрасли макрорегиона.
🇻🇳 Вьетнам
Полупроводниковая промышленность Вьетнама лидирует за счет стратегической государственной политики, привлечению иностранных инвестиций и растущего спроса на чипы в различных отраслях. В частности, по данным Dezan Shira & Associates, полупроводниковый рынок страны сможет похвастаться $31.28 млрд к 2027 году и среднегодовыми темпами роста в 11.6% в период 2023-2027. Это позволяет говорить о Вьетнаме, как об одном из ключевых игроков глобального рынка полупроводниковой промышленности.
После того, как Вьетнам и США договорились о стратегическом партнерстве в 2023 году, полупроводниковая промышленность Вьетнама заметно усилилась за счет усилий Intel, OnSemi, Hana Micron и Amkor. Появляется все больше аутсорсинговых объектов по сборке и тестированию полупроводников (OSAT) на севере страны и в научно-исследовательских центрах на юге Вьетнама.
В соответствии со стратегией Вьетнама в области полупроводников до 2030 года с видением до 2050 года, страна сосредоточится на развитии талантов, производственных мощностей и глобальной интеграции. Страна создаст не менее 100 проектных компаний, одно мелкосерийное производство и 10 заводов по упаковке и тестированию с годовым доходом в полупроводниковой промышленности в размере $25 млрд, все планируется успеть провернуть до 2030 года. (..)
👍4
(2) Доходы в отрасли планируется нарастить до $100 млрд к 2050 году, к этому времени Вьетнам намерен создать до 300 проектных компаний, 3 завода по производству и 20 заводов OSAT.
При этом Вьетнаму придется решать сложные задачи нехватки квалифицированного персонала, неразвитой инфраструктуры и административных барьеров.
🇸🇬 Сингапур
Сингапур расширяет свое производство пластин и улучшает услуги поддержки бизнеса. По данным Совета по экономическому развитию Сингапура, за последние десятилетия Сингапур стал центром полупроводниковой промышленности, на долю которого приходится 10% мирового производства микросхем и около 1/5 мирового производства оборудования для производства микросхем.
Премьер-министр Сингапура Лоуренс Вонг в своей бюджетной речи в конце февраля 2025 года сообщил, что Сингапур привлек ряд зарубежных компаний, занимающихся ИИ и квантовыми вычислениями. В стране собираются потратить $747 млн на новый исследовательский центр по микросхемам.
В Сингапуре уже развернуты заводы ряда ведущих американских производителей, включая Micron, GlobalFoundries и Applied Materials.
🇮🇩 Индонезия
Индонезия, обладающая обильными запасами сырья, развивает цепочку поставок от добычи сырья до производства.
Региональная конкуренция этих стран повышает позиции ASEAN на мировом рынке полупроводников, но и способствует интегрированной цепочки создания стоимости.
Проблемой остается подготовка высококвалифицированных кадров. Вьетнам, в частности, намерен подготовить 50 тысяч квалифицированных инженеров для отрасли к 2030 году и около 100 тысяч – к 2040 году.
@RUSmicro по материалам Vietnam Investment Review
#ASEAN
При этом Вьетнаму придется решать сложные задачи нехватки квалифицированного персонала, неразвитой инфраструктуры и административных барьеров.
🇸🇬 Сингапур
Сингапур расширяет свое производство пластин и улучшает услуги поддержки бизнеса. По данным Совета по экономическому развитию Сингапура, за последние десятилетия Сингапур стал центром полупроводниковой промышленности, на долю которого приходится 10% мирового производства микросхем и около 1/5 мирового производства оборудования для производства микросхем.
Премьер-министр Сингапура Лоуренс Вонг в своей бюджетной речи в конце февраля 2025 года сообщил, что Сингапур привлек ряд зарубежных компаний, занимающихся ИИ и квантовыми вычислениями. В стране собираются потратить $747 млн на новый исследовательский центр по микросхемам.
В Сингапуре уже развернуты заводы ряда ведущих американских производителей, включая Micron, GlobalFoundries и Applied Materials.
🇮🇩 Индонезия
Индонезия, обладающая обильными запасами сырья, развивает цепочку поставок от добычи сырья до производства.
Региональная конкуренция этих стран повышает позиции ASEAN на мировом рынке полупроводников, но и способствует интегрированной цепочки создания стоимости.
Проблемой остается подготовка высококвалифицированных кадров. Вьетнам, в частности, намерен подготовить 50 тысяч квалифицированных инженеров для отрасли к 2030 году и около 100 тысяч – к 2040 году.
@RUSmicro по материалам Vietnam Investment Review
#ASEAN
Vietnam Investment Review - VIR
ASEAN compelled to become microchip hub
A call has been made for ASEAN member states to develop the region into a vast semiconductor hub, leveraging their strengths in manufacturing chips.
👍5
🇨🇳 Двумерные транзисторы. GAAFET. Разработки. Китай
В Пекинском университете разработали высокоэффективный 2D GAAFET транзистор на основе висмута
Группа исследователей изготовила то, что в статье в Nature описывается как «многослойная монокристаллическая 2D GAA конфигурация в масштабе пластины». «Это самый быстрый и эффективный транзистор из когда-либо существовавших», - заявил проф. Пэн Хайлинь. «Наша разработка транзисторов на основе 2D-материалов сродни «смене полосы движения», - продолжает Пэн в заявлении для веб-сайта Пекинского университета, процитированном South China Morning Post.
Команда утверждает, что провела сравнительные тесты своего транзистора и продуктов Intel, TSMC, Samsung и других компаний, и что их разработка превосходит конкурентные при соответствующих условиях эксплуатации.
Трудно недооценить роль транзисторов GAAFET, они, как ожидается, массово заменят предыдущие конструкции транзисторов в микросхемах, изготовленных по техпроцессу 3нм и ниже. Особенность китайской разработки – двумерная природа новинки и использование в ней элемента, отличного от кремния. Это обеспечивает высокое быстродействие транзистора и низкое потребление энергии.
Bi₂O₂Se, или оксиселениду висмута и ранее прочили хорошие перспективы при использовании в узлах передовых техпроцессов. Теперь это, похоже, подтверждено практическим образом. Двумерные полупроводники обладают рядом преимуществ по сравнению с кремнием, который отличается пониженной подвижностью носителей даже при использовании узлов 10нм и, тем более, меньше.
Это успешное исследование китайских ученых, одно из следствий американских ограничений на поставку в Китай EUV-литографов. В Китае, в итоге, тратят немалые средства на разработки, которые позволяют обойти ограничения, созданные американцами за счет разработки альтернативных технологий. И, похоже, достигают результатов.
@RUSmicro по материалам Tom’s hardware
#двумерные #висмут #GAAFET
В Пекинском университете разработали высокоэффективный 2D GAAFET транзистор на основе висмута
Группа исследователей изготовила то, что в статье в Nature описывается как «многослойная монокристаллическая 2D GAA конфигурация в масштабе пластины». «Это самый быстрый и эффективный транзистор из когда-либо существовавших», - заявил проф. Пэн Хайлинь. «Наша разработка транзисторов на основе 2D-материалов сродни «смене полосы движения», - продолжает Пэн в заявлении для веб-сайта Пекинского университета, процитированном South China Morning Post.
Команда утверждает, что провела сравнительные тесты своего транзистора и продуктов Intel, TSMC, Samsung и других компаний, и что их разработка превосходит конкурентные при соответствующих условиях эксплуатации.
Трудно недооценить роль транзисторов GAAFET, они, как ожидается, массово заменят предыдущие конструкции транзисторов в микросхемах, изготовленных по техпроцессу 3нм и ниже. Особенность китайской разработки – двумерная природа новинки и использование в ней элемента, отличного от кремния. Это обеспечивает высокое быстродействие транзистора и низкое потребление энергии.
Bi₂O₂Se, или оксиселениду висмута и ранее прочили хорошие перспективы при использовании в узлах передовых техпроцессов. Теперь это, похоже, подтверждено практическим образом. Двумерные полупроводники обладают рядом преимуществ по сравнению с кремнием, который отличается пониженной подвижностью носителей даже при использовании узлов 10нм и, тем более, меньше.
Это успешное исследование китайских ученых, одно из следствий американских ограничений на поставку в Китай EUV-литографов. В Китае, в итоге, тратят немалые средства на разработки, которые позволяют обойти ограничения, созданные американцами за счет разработки альтернативных технологий. И, похоже, достигают результатов.
@RUSmicro по материалам Tom’s hardware
#двумерные #висмут #GAAFET
Tom's Hardware
Chinese university designed 'world's first silicon-free 2D GAAFET transistor,' claims new bismuth-based tech is both the fastest…
Peking University is making big strides into the post-silicon and Angstrom eras.
👍7❤1🔥1
🇺🇸 Микроконтроллеры. США
Самый маленький в мире микроконтроллер: площадь - 1.38 кв.мм, цена - 20 центов
Американская Texas Instruments (TI) представила микроконтроллер MSPM0C1104, которое она называет «самым маленьким в мире микроконтроллером» на выставке Embedded World 2025.
Площадь кристалла новинки - всего 1.38 кв.мм. Возможные области применения – медицинские носимые устройства и персональные электронные приложения, например, наушники-вкладыши, медицинские зонды. По заявлениям TI, площадь нового МК на 38% меньше, чем у самых компактных конкурирующих МК. Цена новинки – всего 20 центов за штуку оптом.
Основные особенности – ЦП в этом МК – Armv32-битный Cortex-M0+, работающий на частотах до 24 МГц. Процессор имеет доступ к 1КБ SRAM и до 16 КБ флэш-памяти.
Другие ключевые компоненты – 12-битный АЦП с 3 каналами; 6 универсальных I/O; совместимость со стандартными интерфейсами связи (UART, SPI, I2C – Inter Integrated Circuit).
Новинка может работать в температурном диапазоне от -40 до 125 °C. Потребляемый ток – 87 мкА/МГц, 5 мкА – в режиме ожидания с сохранением содержимого SRAM. Есть встроенный бипер.
Комплект разработки – MSPM0C1104 LaunchPad стоит $6.
@RUSmicro по материалам Tom’s hardware
#микроконтроллеры
Самый маленький в мире микроконтроллер: площадь - 1.38 кв.мм, цена - 20 центов
Американская Texas Instruments (TI) представила микроконтроллер MSPM0C1104, которое она называет «самым маленьким в мире микроконтроллером» на выставке Embedded World 2025.
Площадь кристалла новинки - всего 1.38 кв.мм. Возможные области применения – медицинские носимые устройства и персональные электронные приложения, например, наушники-вкладыши, медицинские зонды. По заявлениям TI, площадь нового МК на 38% меньше, чем у самых компактных конкурирующих МК. Цена новинки – всего 20 центов за штуку оптом.
Основные особенности – ЦП в этом МК – Armv32-битный Cortex-M0+, работающий на частотах до 24 МГц. Процессор имеет доступ к 1КБ SRAM и до 16 КБ флэш-памяти.
Другие ключевые компоненты – 12-битный АЦП с 3 каналами; 6 универсальных I/O; совместимость со стандартными интерфейсами связи (UART, SPI, I2C – Inter Integrated Circuit).
Новинка может работать в температурном диапазоне от -40 до 125 °C. Потребляемый ток – 87 мкА/МГц, 5 мкА – в режиме ожидания с сохранением содержимого SRAM. Есть встроенный бипер.
Комплект разработки – MSPM0C1104 LaunchPad стоит $6.
@RUSmicro по материалам Tom’s hardware
#микроконтроллеры
👍18