🇯🇵 2нм. Производство кристаллов. Япония
Японская Rapidus вновь объявляет о начале тестового производства микросхем 2нм
В апреле 2025 года Reuters уже сообщала о начале пилотного производство передовых чипов на Хоккайдо по техпроцессу 2нм на предприятии недалеко от нового аэропорта Титосэ. А сегодня различные медиа сообщают, что компания объявила о начале создания прототипов тестовых пластин (had begun prototyping of test wafers) с GAA транзисторами с плотностью размещения 2нм на предприятии IIM-1.
По заявлению компании, сэмплы пластин уже показывают ожидаемые характеристики.
Прототипирование – важный и необходимый этап в производстве полупроводников, призванный подтвердить соответствие тестовых пластин расчетным характеристикам.
Сейчас Rapidus проводит измерения характеристик созданных чипов, включая проверки порогового напряжения, тока во включенном состоянии, тока утечки, подпорогового наклона (резкости перехода устройства из выключенного состояния во включенное). А также скорости переключения, энергопотребления и емкости. Результаты пока не публикуются.
Rapidus уверенно идет к запуску в Японии современного производства полупроводников. В сентябре 2023 года началось строительство, в 2024 году завершилось сооружение чистой комнаты, к июню 2025 года компания развернула более 200 различных производственных установок, включая фотолитографы DUV и EUV. EUV-литографы установили в декабре 2024 года и к апрелю провели первые испытания. На текущий момент, фабрика уже готова для запуска производства тестовых пластин с GAA-структурами.
Особенность производства – single-wafer processing, то есть индивидуальное изготовление каждой пластины, а не групповой подход с «партиями». Это отличает подход Rapidus от подходов других крупных производителей, как Intel, Samsung и TSMC, которые используют комбинацию индивидуального и группового подходов. Индивидуально проводятся EUV- или DUV-паттернирование, плазменное травление, атомно-слоевое осаждение, мониторинг дефектов. А на других этапах – оксиление, ионная имплантация, очистка, отжиг и т.п.
В Rapidus говорят, что это обеспечивает точный контроль каждой операции, т.к. по итогам наблюдения за каждой пластиной можно вносить необходимые корректировки, оперативно выявлять аномалии и исправлять процесс, не дожидаясь обработки всей партии.
Ожидается, что собираемые таким образом данные, ИИ сможет использовать для непрерывного совершенствования процессов, чтобы повысить выход годных, а также для статистического управления процессами.
Удобна индивидуальная обработка и тем, что можно выпускать сколь угодно малые партии продуктов.
Платой за это является некоторое увеличение продолжительности производственного цикла и стоимости производства.
В Rapidus уверены, что такой «индпошив» - привлекательная стратегия для производства пластин по техпроцессу 2нм и менее.
Компания планирует выпустить PDK в 1q2026.
@RUSmicro по материалам Tom's Hardware
Японская Rapidus вновь объявляет о начале тестового производства микросхем 2нм
В апреле 2025 года Reuters уже сообщала о начале пилотного производство передовых чипов на Хоккайдо по техпроцессу 2нм на предприятии недалеко от нового аэропорта Титосэ. А сегодня различные медиа сообщают, что компания объявила о начале создания прототипов тестовых пластин (had begun prototyping of test wafers) с GAA транзисторами с плотностью размещения 2нм на предприятии IIM-1.
По заявлению компании, сэмплы пластин уже показывают ожидаемые характеристики.
Прототипирование – важный и необходимый этап в производстве полупроводников, призванный подтвердить соответствие тестовых пластин расчетным характеристикам.
Сейчас Rapidus проводит измерения характеристик созданных чипов, включая проверки порогового напряжения, тока во включенном состоянии, тока утечки, подпорогового наклона (резкости перехода устройства из выключенного состояния во включенное). А также скорости переключения, энергопотребления и емкости. Результаты пока не публикуются.
Rapidus уверенно идет к запуску в Японии современного производства полупроводников. В сентябре 2023 года началось строительство, в 2024 году завершилось сооружение чистой комнаты, к июню 2025 года компания развернула более 200 различных производственных установок, включая фотолитографы DUV и EUV. EUV-литографы установили в декабре 2024 года и к апрелю провели первые испытания. На текущий момент, фабрика уже готова для запуска производства тестовых пластин с GAA-структурами.
Особенность производства – single-wafer processing, то есть индивидуальное изготовление каждой пластины, а не групповой подход с «партиями». Это отличает подход Rapidus от подходов других крупных производителей, как Intel, Samsung и TSMC, которые используют комбинацию индивидуального и группового подходов. Индивидуально проводятся EUV- или DUV-паттернирование, плазменное травление, атомно-слоевое осаждение, мониторинг дефектов. А на других этапах – оксиление, ионная имплантация, очистка, отжиг и т.п.
В Rapidus говорят, что это обеспечивает точный контроль каждой операции, т.к. по итогам наблюдения за каждой пластиной можно вносить необходимые корректировки, оперативно выявлять аномалии и исправлять процесс, не дожидаясь обработки всей партии.
Ожидается, что собираемые таким образом данные, ИИ сможет использовать для непрерывного совершенствования процессов, чтобы повысить выход годных, а также для статистического управления процессами.
Удобна индивидуальная обработка и тем, что можно выпускать сколь угодно малые партии продуктов.
Платой за это является некоторое увеличение продолжительности производственного цикла и стоимости производства.
В Rapidus уверены, что такой «индпошив» - привлекательная стратегия для производства пластин по техпроцессу 2нм и менее.
Компания планирует выпустить PDK в 1q2026.
@RUSmicro по материалам Tom's Hardware
Tom's Hardware
Japanese chipmaker Rapidus begins test production of 2nm circuits — company commits to single-wafer processing ahead of 2027 mass…
PDK set to be available in Q1 2026.
❤6👍5
📈 Материалы. Рутений
Востребованность рутения выросла на фоне спроса на ИИ
Рутений (Ru) не относится к РЗЭ, это редкий металл (РМ). Он является одним из металлов платиновой группы (МПГ), которая включает также осмий, иридий, платину, палладий и родий. Рутений обладает высокой плотностью 12,41 г/см³, устойчивостью к коррозии и высокой температурой плавления 2334 °C.
Спрос на рутений растет чем дальше, тем больше, в последний год он подорожал почти вдвое до $800 за унцию. Это близко к историческому максимуму в $870, достигнутому 18 лет назад.
Материал ценят производители электроники. В частности, он используется в производстве жестких дисков, в магниторезистивных головках (GMR, TMR), позволяя добиваться более высокой плотности хранения данных. Для каждого изделия требуется совсем немного рутения, но обойтись без него сложно. Применяют рутений также в тонкопленочных резисторах RuO₂ высокой точности и стабильности, с низким ТКС (температурным коэффициентом сопротивления), для межсоединений и барьерных слоев в микросхемах, в танталовых конденсаторах в качестве катодного материала. Рутений используется для создания солнечных элементов DSSC (сенсибилизированных красителем солнечных элементов) и PSC (перовскитных) – сейчас солнечные батареи все чаще рассматривают, как элемент энергообеспечения крупных ИИ-ЦОД. Рутений – перспективный катализатор электролиза воды с целью получения водорода. Это еще одна «связка» с ЦОД.
При этом рутений не торгуется на биржах, поэтому его сложно найти в продаже.
Любопытно, что основные производители рутения – это Южная Африка и Россия, контролирующие чуть не 90% мирового рынка, на третьих ролях - Канада. В условиях антироссийских санкций это заставляет некоторые страны все более активно смотреть на возможности вторичной переработки. Кроме того, идут попытки заменить рутений в HDD на что-нибудь другое, например, на железо-платиновые сплавы. В резисторах пробуют никель-хром, но не добиваются схожей стабильности.
Годовой объем поставок этого материала в 2024 году составил всего 30 тонн. И, как ожидается, он сокращается из-за того, что долгое время никто особо не вкладывал в процессы его добычи. А спрос, напротив, растет. Поэтому в 2026 году ряд стран может столкнуться с дефицитом, с превышением спроса над предложением.
@RUSmicro по материалам Bloomberg
Востребованность рутения выросла на фоне спроса на ИИ
Рутений (Ru) не относится к РЗЭ, это редкий металл (РМ). Он является одним из металлов платиновой группы (МПГ), которая включает также осмий, иридий, платину, палладий и родий. Рутений обладает высокой плотностью 12,41 г/см³, устойчивостью к коррозии и высокой температурой плавления 2334 °C.
Спрос на рутений растет чем дальше, тем больше, в последний год он подорожал почти вдвое до $800 за унцию. Это близко к историческому максимуму в $870, достигнутому 18 лет назад.
Материал ценят производители электроники. В частности, он используется в производстве жестких дисков, в магниторезистивных головках (GMR, TMR), позволяя добиваться более высокой плотности хранения данных. Для каждого изделия требуется совсем немного рутения, но обойтись без него сложно. Применяют рутений также в тонкопленочных резисторах RuO₂ высокой точности и стабильности, с низким ТКС (температурным коэффициентом сопротивления), для межсоединений и барьерных слоев в микросхемах, в танталовых конденсаторах в качестве катодного материала. Рутений используется для создания солнечных элементов DSSC (сенсибилизированных красителем солнечных элементов) и PSC (перовскитных) – сейчас солнечные батареи все чаще рассматривают, как элемент энергообеспечения крупных ИИ-ЦОД. Рутений – перспективный катализатор электролиза воды с целью получения водорода. Это еще одна «связка» с ЦОД.
При этом рутений не торгуется на биржах, поэтому его сложно найти в продаже.
Любопытно, что основные производители рутения – это Южная Африка и Россия, контролирующие чуть не 90% мирового рынка, на третьих ролях - Канада. В условиях антироссийских санкций это заставляет некоторые страны все более активно смотреть на возможности вторичной переработки. Кроме того, идут попытки заменить рутений в HDD на что-нибудь другое, например, на железо-платиновые сплавы. В резисторах пробуют никель-хром, но не добиваются схожей стабильности.
Годовой объем поставок этого материала в 2024 году составил всего 30 тонн. И, как ожидается, он сокращается из-за того, что долгое время никто особо не вкладывал в процессы его добычи. А спрос, напротив, растет. Поэтому в 2026 году ряд стран может столкнуться с дефицитом, с превышением спроса над предложением.
@RUSmicro по материалам Bloomberg
👍5❤2
🇷🇺 Скандалы. Проблемы. Импортзамещение. Россия
Продолжаются публикации, рассказывающие о том, как в объявленных российскими микросхемах обнаружились кристаллы "схожие" с импортными. Вот очередная. Авторы справедливо интересуются:
Это касается, в частности, микросхем:
▫️ АО "ДжиЭС-нанотех": GSN2516Y; GSN2517Y; GSN0727Z; GSN0726Z,
▫️ ООО "Интегральные Телематические Решения": К5553ВГ01Т; К5553ХП01Т; К5553ХП02Т,
▫️ ООО "НЭК.ТЕХ": К1987ПВ014 (NRTSAFE3A)
@RUSmicro
Продолжаются публикации, рассказывающие о том, как в объявленных российскими микросхемах обнаружились кристаллы "схожие" с импортными. Вот очередная. Авторы справедливо интересуются:
"если эти микросхемы не разрабатывались в России, то почему они быть признаны отечественными? И что делать с аппаратурой, которая получила свои баллы отечественности за счет применения этих псевдо-отечественных микросхем?"
Это касается, в частности, микросхем:
▫️ АО "ДжиЭС-нанотех": GSN2516Y; GSN2517Y; GSN0727Z; GSN0726Z,
▫️ ООО "Интегральные Телематические Решения": К5553ВГ01Т; К5553ХП01Т; К5553ХП02Т,
▫️ ООО "НЭК.ТЕХ": К1987ПВ014 (NRTSAFE3A)
@RUSmicro
😁6❤2
🇷🇺 Силовые транзисторы. GaN. Производство. Россия
Воронежский НИИЭТ займется производством силовых транзисторов GaN полного цикла
Инвестировать в проект будет материнская ГК Элемент с использованием льготного финансирования ФРП в рамках механизма кластерной инвестиционной платформы (КИП). Об этом рассказывает КоммерсантЪ.
Компания уже имеет мощности по сборке СВЧ и силовых переключающих GaN-транзисторов, их планируется дополнить кристальным производством. В совокупности должно получиться производство полного цикла.
Проектная мощность запланирована на уровне 5.5 тысяч пластин (в эквиваленте 200 мм пластин) в год.
@RUSmicro
Воронежский НИИЭТ займется производством силовых транзисторов GaN полного цикла
Инвестировать в проект будет материнская ГК Элемент с использованием льготного финансирования ФРП в рамках механизма кластерной инвестиционной платформы (КИП). Об этом рассказывает КоммерсантЪ.
Компания уже имеет мощности по сборке СВЧ и силовых переключающих GaN-транзисторов, их планируется дополнить кристальным производством. В совокупности должно получиться производство полного цикла.
Проектная мощность запланирована на уровне 5.5 тысяч пластин (в эквиваленте 200 мм пластин) в год.
@RUSmicro
🔥10🤔2
🇷🇺 Производство микросхем. Материалы. Компаунды. Россия
На производственных мощностях GS Nanotech завершены испытания российского молд-компаунда
Материал разработан в ходе опытно-конструкторской работы (ОКР), выполняемой Национальным исследовательским университетом МИЭТ совместно с соисполнителями: АО Институт Пластмасс им. Г.С. Петрова, Федеральным исследовательским центром проблем химической физики и медицинской химии Российской академии наук (ФИЦ ПХФ и МХ РАН).
🎓 Молд-компаунд — это материал, применяемый для герметизации и изоляции электронных компонентов при корпусировании. Его функции заключаются в фиксации полупроводникового кристалла и защите электрических схем от воздействия влаги, окисления, механических повреждений и других внешних факторов.
Актуальность разработки обусловлена тем, что в настоящее время российские предприятия преимущественно используют молд-компаунды китайского производства. Создание качественного отечественного аналога способствует снижению импортозависимости.
Новый компаунд был протестирован и применен специалистами GS Nanotech в процессе корпусирования кристаллов микросхем в корпус типа PBGA196. По результатам валидации материала и отработки технологических режимов его нанесения получены положительные результаты. Испытания подтвердили, что характеристики компаунда соответствуют необходимым техническим нормативам.
@RUSmicro по информации GS Nanotech
На производственных мощностях GS Nanotech завершены испытания российского молд-компаунда
Материал разработан в ходе опытно-конструкторской работы (ОКР), выполняемой Национальным исследовательским университетом МИЭТ совместно с соисполнителями: АО Институт Пластмасс им. Г.С. Петрова, Федеральным исследовательским центром проблем химической физики и медицинской химии Российской академии наук (ФИЦ ПХФ и МХ РАН).
🎓 Молд-компаунд — это материал, применяемый для герметизации и изоляции электронных компонентов при корпусировании. Его функции заключаются в фиксации полупроводникового кристалла и защите электрических схем от воздействия влаги, окисления, механических повреждений и других внешних факторов.
Актуальность разработки обусловлена тем, что в настоящее время российские предприятия преимущественно используют молд-компаунды китайского производства. Создание качественного отечественного аналога способствует снижению импортозависимости.
Новый компаунд был протестирован и применен специалистами GS Nanotech в процессе корпусирования кристаллов микросхем в корпус типа PBGA196. По результатам валидации материала и отработки технологических режимов его нанесения получены положительные результаты. Испытания подтвердили, что характеристики компаунда соответствуют необходимым техническим нормативам.
@RUSmicro по информации GS Nanotech
❤9🔥4👍2
🇷🇺 Патенты. Фотодиоды. Россия
В России запатентовали фотодиоды, работающие в режиме ближнего ИК
Разработкой занимались ученые Санкт-Петербургского национального исследовательского Академического университета им. Ж. И. Алфёрова РАН (лаборатория перспективных гетероструктур СВЧ микроэлектроники), новгородское АО ОКБ-Планета и ООО Иоффе-ЛЕД, Петербург.
Такие диоды могут использоваться в высокочувствительных газовых сенсорах и приборах ночного видения. В их основе "оптимизированный состав" InGaAs, с высоким содержанием индия, что позволило расширить рабочий диапазон фотодиодов. Разработана технология, позволяющая получать соответствующие кристаллы.
Разработчики надеются, что разработка сможет быстро выйти на рынок в виде коммерчески доступных приборов, способных конкурировать с зарубежными аналогами.
@RUSmicro по материалам Наука.рф, фото - СПбАУ
В России запатентовали фотодиоды, работающие в режиме ближнего ИК
Разработкой занимались ученые Санкт-Петербургского национального исследовательского Академического университета им. Ж. И. Алфёрова РАН (лаборатория перспективных гетероструктур СВЧ микроэлектроники), новгородское АО ОКБ-Планета и ООО Иоффе-ЛЕД, Петербург.
Такие диоды могут использоваться в высокочувствительных газовых сенсорах и приборах ночного видения. В их основе "оптимизированный состав" InGaAs, с высоким содержанием индия, что позволило расширить рабочий диапазон фотодиодов. Разработана технология, позволяющая получать соответствующие кристаллы.
Разработчики надеются, что разработка сможет быстро выйти на рынок в виде коммерчески доступных приборов, способных конкурировать с зарубежными аналогами.
@RUSmicro по материалам Наука.рф, фото - СПбАУ
👍25❤3👏1
🇨🇳 Перспективные материалы. InSe. Китай
В Китае подошли чуть ближе к практическому использованию селенида индия?
По данным CGTN, исследование опубликовано на сайте журнала Science. Разработкой занимались ученые Пекинского университета и Народного университета Китая. Мне не удалось найти ни эту публикацию, ни ее анонс на сайте Xinhua. Возможно я плохо искал, а в CGTN ничего не перепутали.
Ученые давно присматриваются к селениду индия как к перспективному материалу для использования в полупроводниковом производстве. Его внедрение сдерживается рядом технологических сложностей. В частности, важным является поддержание в процессе выращивания кристалла соотношений индия и селена 1:1, чтобы получать InSe (II), а не In2Se (I) или In2Se3 (III).
Исследователи нагрели аморфную пленку селенида индия и твердый индий в герметичных условиях. Испаренные атомы индия сформировали богатую индием жидкую границу раздела на краю пленки, что позволило выращивать высококачественные кристаллы селенида индия с регулярным расположением атомов.
По мнению ученых, внедрение этой технологии позволит перевести технологию изготовления селенида индия из разряда лабораторных исследований в инженерную плоскость.
В частности, заявляется, что группе исследователей в Пекинском университете удалось успешно изготовить пластины InSe диаметром 50 мм и создать на них массивы кристаллов высокопроизводительных транзисторов, которые можно было бы использовать в интегральных схемах.
Пластины 50 мм – это все же далеко от промышленных технологий с пластинами 200-300 мм.
Ученые утверждают, что это создает основу для создания высокопроизводительных низкопотребляющих микросхем «следующего поколения» для систем ИИ, автономного вождения и прочих применений.
Рецензенты журнала Science назвали эту работу «достижением в области выращивания кристаллов».
Особенность InSe - высокая подвижность электронов (порядка 10³ см²/В·с), это обещает возможность создания транзисторов с низким напряжением переключения, что в теории позволяет добиться снижения энергопотребления в 3-5 раз относительно кремниевых структур. А еще InSe стабилен при температурах до 400 °C, что выгодно отличает его от органических полупроводников и обещает интересные перспективы внедрения в области автономных структур. У материала есть и другие интересные свойства. Вместе с тем, в публикации не говорится, как удалось минимизировать точечные дефекты (вакансии селена), которые зачастую ухудшают электронные свойства InSe.
Темой InSe занимаются не первый десяток лет, вряд ли можно ожидать быстрого внедрения данного материала в практику полупроводникового производства даже после этого исследования – это займет еще годы.
@RUSmicro
В Китае подошли чуть ближе к практическому использованию селенида индия?
По данным CGTN, исследование опубликовано на сайте журнала Science. Разработкой занимались ученые Пекинского университета и Народного университета Китая. Мне не удалось найти ни эту публикацию, ни ее анонс на сайте Xinhua. Возможно я плохо искал, а в CGTN ничего не перепутали.
Ученые давно присматриваются к селениду индия как к перспективному материалу для использования в полупроводниковом производстве. Его внедрение сдерживается рядом технологических сложностей. В частности, важным является поддержание в процессе выращивания кристалла соотношений индия и селена 1:1, чтобы получать InSe (II), а не In2Se (I) или In2Se3 (III).
Исследователи нагрели аморфную пленку селенида индия и твердый индий в герметичных условиях. Испаренные атомы индия сформировали богатую индием жидкую границу раздела на краю пленки, что позволило выращивать высококачественные кристаллы селенида индия с регулярным расположением атомов.
По мнению ученых, внедрение этой технологии позволит перевести технологию изготовления селенида индия из разряда лабораторных исследований в инженерную плоскость.
В частности, заявляется, что группе исследователей в Пекинском университете удалось успешно изготовить пластины InSe диаметром 50 мм и создать на них массивы кристаллов высокопроизводительных транзисторов, которые можно было бы использовать в интегральных схемах.
Пластины 50 мм – это все же далеко от промышленных технологий с пластинами 200-300 мм.
Ученые утверждают, что это создает основу для создания высокопроизводительных низкопотребляющих микросхем «следующего поколения» для систем ИИ, автономного вождения и прочих применений.
Рецензенты журнала Science назвали эту работу «достижением в области выращивания кристаллов».
Особенность InSe - высокая подвижность электронов (порядка 10³ см²/В·с), это обещает возможность создания транзисторов с низким напряжением переключения, что в теории позволяет добиться снижения энергопотребления в 3-5 раз относительно кремниевых структур. А еще InSe стабилен при температурах до 400 °C, что выгодно отличает его от органических полупроводников и обещает интересные перспективы внедрения в области автономных структур. У материала есть и другие интересные свойства. Вместе с тем, в публикации не говорится, как удалось минимизировать точечные дефекты (вакансии селена), которые зачастую ухудшают электронные свойства InSe.
Темой InSe занимаются не первый десяток лет, вряд ли можно ожидать быстрого внедрения данного материала в практику полупроводникового производства даже после этого исследования – это займет еще годы.
@RUSmicro
CGTN
China develops new method to mass-produce high-quality semiconductors
Chinese scientists have developed a novel method for the mass production of high-quality "golden semiconductor" indium selenide, paving the way for manufacturing a new generation of chips that outperform current silicon-based technology.The study, published
👍1
🇯🇵 Производственное оборудование. Безмасочная литография. back-end. PLP. Япония
Nikon объявил о начале приема заявок на систему безмасочной литографии DSP-100 с разрешением в 1.0 мкм
Японская Nikon начинает принимать заказы на систему цифровой литографии для полупроводникового back-end производства с июля 2025 года. Эта система разработана для создания изделий с использованием передовых методов упаковки. Литограф поддерживает работу с прямоугольными пластинами стороной до 600 мм и обеспечивает разрешение 1,0 мкм в терминах (L/S – ширина линии и расстояние до соседней линии), что подходит для формирования тонких межсоединений чиплетов.
Передовые методы упаковки стимулируют промышленность ориентироваться на производство чиплетов, которые затем упаковываются методом PLP (панельная упаковка) с использованием полимерных или стеклянных подложек.
Литограф Nikon DSP-100 основан на многолинзовой технологии, которую компания ранее уже использовала в литографических системах для изготовления плоских дисплеев (FPD). Заявляется разрешение 1.0 мкм, точность совмещения до ±0,3 мкм (снижает брак в многослойных структурах) и высокая производительность – до 50 панелей в час с использованием подложек 510х515 мм.
Многолинзовая технология при точном управлении дает примерно тот же эффект, что и при использовании одной гигантской линзы, что позволяет за 1 экспозицию формировать рисунок на большой площади, преодолевая обычные ограничения безмасковой литографии. Это позволяет использовать пространственный модулятор света (SLM) для непосредственного проецирования рисунка схемы на подложку за 1 проход без необходимости использования фотошаблона. Особенно удобны такие литографы для процесса разработки – снижается стоимость и время создания изделий или небольших партий изделий.
За счет способности работать с большими прямоугольными подложками, выход с одной пластины может быть в 9 раз выше, чем при использовании традиционных пластин 300 мм, если речь идет о выпуске изделий со стороной 100 мм. Система обеспечивает высокоточную коррекцию коробления и деформации подложки в реальном времени, сокращает производственные расходы за счет отказа от фотошаблонов и использования твердотельных источников света (SLM) 365 нм, что также снижает энергопотребление литографа.
Если говорить о конкурентном ландшафте, то TSMC планирует запустить пилотное производство методом FOPLP (Fan-Out Panel Level Packaging - Упаковка на уровне панели с разводкой наружу) только в 2027 году, причем на пластинах диаметром 300 мм, так что Nikon в каком-то смысле вырвался вперед. В частности, ожидается, что безмасочный подход ускорит итерации при проектировании чипов для ИИ. В целом можно ожидать, что рынок будет еще более активно сдвигаться к PLP, что обеспечит Nikon хорошие перспективы на рынке производственного оборудования.
@RUSmicro по материалам Nikon, картинки – Nikon
Nikon объявил о начале приема заявок на систему безмасочной литографии DSP-100 с разрешением в 1.0 мкм
Японская Nikon начинает принимать заказы на систему цифровой литографии для полупроводникового back-end производства с июля 2025 года. Эта система разработана для создания изделий с использованием передовых методов упаковки. Литограф поддерживает работу с прямоугольными пластинами стороной до 600 мм и обеспечивает разрешение 1,0 мкм в терминах (L/S – ширина линии и расстояние до соседней линии), что подходит для формирования тонких межсоединений чиплетов.
Передовые методы упаковки стимулируют промышленность ориентироваться на производство чиплетов, которые затем упаковываются методом PLP (панельная упаковка) с использованием полимерных или стеклянных подложек.
Литограф Nikon DSP-100 основан на многолинзовой технологии, которую компания ранее уже использовала в литографических системах для изготовления плоских дисплеев (FPD). Заявляется разрешение 1.0 мкм, точность совмещения до ±0,3 мкм (снижает брак в многослойных структурах) и высокая производительность – до 50 панелей в час с использованием подложек 510х515 мм.
Многолинзовая технология при точном управлении дает примерно тот же эффект, что и при использовании одной гигантской линзы, что позволяет за 1 экспозицию формировать рисунок на большой площади, преодолевая обычные ограничения безмасковой литографии. Это позволяет использовать пространственный модулятор света (SLM) для непосредственного проецирования рисунка схемы на подложку за 1 проход без необходимости использования фотошаблона. Особенно удобны такие литографы для процесса разработки – снижается стоимость и время создания изделий или небольших партий изделий.
За счет способности работать с большими прямоугольными подложками, выход с одной пластины может быть в 9 раз выше, чем при использовании традиционных пластин 300 мм, если речь идет о выпуске изделий со стороной 100 мм. Система обеспечивает высокоточную коррекцию коробления и деформации подложки в реальном времени, сокращает производственные расходы за счет отказа от фотошаблонов и использования твердотельных источников света (SLM) 365 нм, что также снижает энергопотребление литографа.
Если говорить о конкурентном ландшафте, то TSMC планирует запустить пилотное производство методом FOPLP (Fan-Out Panel Level Packaging - Упаковка на уровне панели с разводкой наружу) только в 2027 году, причем на пластинах диаметром 300 мм, так что Nikon в каком-то смысле вырвался вперед. В частности, ожидается, что безмасочный подход ускорит итерации при проектировании чипов для ИИ. В целом можно ожидать, что рынок будет еще более активно сдвигаться к PLP, что обеспечит Nikon хорошие перспективы на рынке производственного оборудования.
@RUSmicro по материалам Nikon, картинки – Nikon
🔥8
🇷🇺 Микроконтроллеры. Образование. Россия
В лаборатории МЭИ студенты смогут обучаться работать с микроконтроллерами MIK32 Амур
В лаборатории микропроцессорной техники кафедры Промышленной электроники НИУ МЭИ появились отладочные платы на базе микроконтроллеров MIK32 Амур. Об этом сообщает Elec, ссылаясь на пресс-службу вуза.
Модернизацию лаборатории поддержал Микрон (ГК Элемент, резидент Технополис Москва), на кафедре были обновлены учебные стенды, компания передала вузу отладочные платы на базе микроконтроллера. Работы проведены в рамках соглашения между Микроном и НИУ МЭИ о совместной подготовке специалистов в области микроэлектроники.
Студенты 4-5 курса по направлению Электроника и наноэлектроника будут проходить обучение работы с несколькими видами микроконтроллеров.
@RUSmicro, фото - пресс-службы МЭИ
В лаборатории МЭИ студенты смогут обучаться работать с микроконтроллерами MIK32 Амур
В лаборатории микропроцессорной техники кафедры Промышленной электроники НИУ МЭИ появились отладочные платы на базе микроконтроллеров MIK32 Амур. Об этом сообщает Elec, ссылаясь на пресс-службу вуза.
Модернизацию лаборатории поддержал Микрон (ГК Элемент, резидент Технополис Москва), на кафедре были обновлены учебные стенды, компания передала вузу отладочные платы на базе микроконтроллера. Работы проведены в рамках соглашения между Микроном и НИУ МЭИ о совместной подготовке специалистов в области микроэлектроники.
Студенты 4-5 курса по направлению Электроника и наноэлектроника будут проходить обучение работы с несколькими видами микроконтроллеров.
@RUSmicro, фото - пресс-службы МЭИ
🔥17👍4
🇺🇸 Сетевые чипы. ЦОД ИИ. США
Broadcom выпускает новый сетевой чип Tomahawk Ultra
Broadcom на прошлой неделе представила новый сетевой процессор, предназначенный для объединения чипов ИИ, работающих вместе.
Broadcom производит чипы, востребованные Google для производства ИИ ускорителей.
Чип Broadcom, получивший название Tomahawk Ultra, выполняет функцию контроллера трафика для передачи данных между десятками или сотнями чипов, расположенных сравнительно недалеко друг от друга в серверах ЦОД, например, в одной серверной стойке.
Похожий чип – Nvidia NVLink Switch, но Tomahawk Ultra может объединить в 4 раза больше чипов – до 1024 ускорителей. Вместо проприетарного протокола для передачи данных новый чип использует протокол Ethernet с повышенной скоростью. Задержка – 250 нс при переключении пакетов размером 64 байта, что в 2-3 раза ниже, чем у других современных Ethernet-коммутаторов. Повышение скорости обеспечивается сжатием заголовков Ethernet с 46 до 10 байт за счет технологии AI Fabric Headers, оптимизирующей передачу мелких пакетов, характерных для ИИ.
Чипы обеих компаний помогают разработчикам оборудования ЦОД и другим компаниям объединять множество чипов поблизости. Это называют scale-up computing (масштабирование вверх, вертикальное масштабирование). За счет взаимодействия близко расположенных чипов, можно набрать необходимую вычислительную мощность для выполнения той или иной задачи ИИ.
Процессоры Tomahawk Ultra выпускает TSMC по техпроцессу 5 нм, что дает снижение энергопотребления на 30% относительно 7 нм. Изначально чип разрабатывался для сегмента высокопроизводительных вычислений, но с расцветом генеративного AI, компания Broadcom адаптировала его для использования компаниями, занимающимися ИИ.
Новинка – это солидный рывок вперед.
@RUSmicro, по материалам Reuters
Broadcom выпускает новый сетевой чип Tomahawk Ultra
Broadcom на прошлой неделе представила новый сетевой процессор, предназначенный для объединения чипов ИИ, работающих вместе.
Broadcom производит чипы, востребованные Google для производства ИИ ускорителей.
Чип Broadcom, получивший название Tomahawk Ultra, выполняет функцию контроллера трафика для передачи данных между десятками или сотнями чипов, расположенных сравнительно недалеко друг от друга в серверах ЦОД, например, в одной серверной стойке.
Похожий чип – Nvidia NVLink Switch, но Tomahawk Ultra может объединить в 4 раза больше чипов – до 1024 ускорителей. Вместо проприетарного протокола для передачи данных новый чип использует протокол Ethernet с повышенной скоростью. Задержка – 250 нс при переключении пакетов размером 64 байта, что в 2-3 раза ниже, чем у других современных Ethernet-коммутаторов. Повышение скорости обеспечивается сжатием заголовков Ethernet с 46 до 10 байт за счет технологии AI Fabric Headers, оптимизирующей передачу мелких пакетов, характерных для ИИ.
Чипы обеих компаний помогают разработчикам оборудования ЦОД и другим компаниям объединять множество чипов поблизости. Это называют scale-up computing (масштабирование вверх, вертикальное масштабирование). За счет взаимодействия близко расположенных чипов, можно набрать необходимую вычислительную мощность для выполнения той или иной задачи ИИ.
Процессоры Tomahawk Ultra выпускает TSMC по техпроцессу 5 нм, что дает снижение энергопотребления на 30% относительно 7 нм. Изначально чип разрабатывался для сегмента высокопроизводительных вычислений, но с расцветом генеративного AI, компания Broadcom адаптировала его для использования компаниями, занимающимися ИИ.
Новинка – это солидный рывок вперед.
@RUSmicro, по материалам Reuters
👍1
🇷🇺 Интервью. Мнения.
Гендиректор ИНЭУМ о направлении работ института и перспективах развития отечественной электроники
Александр Ким в интервью Красной Звезде поделился своими мнениями по ряду интересных тем. Почитать целиком можно по ссылке на сайте Ростеха, ниже – основные тезисы:
О деятельности института
🔸 Наши промышленные контроллеры позволяют создавать АСУ высокой сложности.
🔸 Спроектированный в институте САПР ELPLC-LOGIC позволяет программировать все основные виды микропроцессоров и контроллеров, доступные на рынке, включая отечественные
🔸 Одна из компетенций – гарантированное обеспечение безопасности информации через опору на российские ключевые микросхемы
🔸 Институт давно сотрудничает с АО МЦСТ, является первопроходцем во внедрении решений этой компании, микропроцессоров и базового ПО.
🔸 Институт занят разработкой для силовых структур ряда доверенных решений на базе микропроцессоров линейки Эльбрус – от настольных компьютеров и серверов до КИИ.
🔸 Институт выпускает как базовые элементы автоматизации, так и решения «под ключ», для атомной промышленности, ТЭК. Разрабатываются АСУ ТП для транспорта.
🔸 Мы нейтрализуем саму возможность угрозы на аппаратном уровне – за счет архитектуры процессора и принципа его работы с памятью. Эльбрус может вычистить и обезопасить программный код, «не прибегая к средствам анализа программного кода».
🔸 Предстоит еще очень много работы по переносу прикладного и общесистемного ПО в режим безопасных вычислений.
🔸 В процессорах «Эльбрус» реализована технология двоичной совместимости с кодами х86. Ее эффективность позволяет на практике работать с ОС Windows или отдельными программами в кодах х86 на российской вычислительной технике, но никакие аппаратные «бэкдоры» зарубежной платформы задействовать не получится.
Отраслевые темы
🔸 Трудным является именно кадровый вопрос. С обучением специалистов высокого уровня в России пока все неплохо. Проблема в другом — как их удержать в отрасли? Молодые специалисты, проработав несколько лет у нас и получив хороший опыт, переходят в российские филиалы зарубежных фирм и потом уезжают за границу. Нужно создавать новые инструменты удержания профессионалов на наших предприятиях. Это могут быть и материальные факторы, и карьерные перспективы, и новые интересные проекты, в том числе в рамках государственно-частного партнерства.
🔸 В России активно развиваются собственные программные продукты, которые не только замещают иностранные решения, но и создают новый функционал.
🔸 Мы добились определенных успехов в создании собственных микропроцессоров, микроконтроллеров и других интегральных схем.
По уровню проектирования Россия в состоянии себя обеспечить микроэлектроникой необходимого качества и уровня защиты.
🔸 Суверенная вычислительная техника, ее мощность и практическая распространенность решают судьбу государств. Стране необходим полный отечественный жизненный цикл вычислительной техники — от микропроцессора и других ключевых микросхем до корпусов и блоков питания, от разработки архитектуры ядер процессоров до производства микросхем и химии для многослойных печатных плат.
🔸 В стране должна быть организована полноценная фабрика для производства высокопроизводительных микропроцессоров, включая кристаллы и подложки. Причем она должна обеспечивать значительную часть внутреннего спроса на вычислительную технику различных классов — от гражданских компьютеров до процессоров классов military и space.
🔸 Требуется крупносерийное производство [процессоров] с современным поколением архитектуры Эльбрус и других отечественных архитектур на технологическом уровне производства кристаллов, не сильно отстающем от зарубежного.
@RUSmicro
Гендиректор ИНЭУМ о направлении работ института и перспективах развития отечественной электроники
Александр Ким в интервью Красной Звезде поделился своими мнениями по ряду интересных тем. Почитать целиком можно по ссылке на сайте Ростеха, ниже – основные тезисы:
О деятельности института
🔸 Наши промышленные контроллеры позволяют создавать АСУ высокой сложности.
🔸 Спроектированный в институте САПР ELPLC-LOGIC позволяет программировать все основные виды микропроцессоров и контроллеров, доступные на рынке, включая отечественные
🔸 Одна из компетенций – гарантированное обеспечение безопасности информации через опору на российские ключевые микросхемы
🔸 Институт давно сотрудничает с АО МЦСТ, является первопроходцем во внедрении решений этой компании, микропроцессоров и базового ПО.
🔸 Институт занят разработкой для силовых структур ряда доверенных решений на базе микропроцессоров линейки Эльбрус – от настольных компьютеров и серверов до КИИ.
🔸 Институт выпускает как базовые элементы автоматизации, так и решения «под ключ», для атомной промышленности, ТЭК. Разрабатываются АСУ ТП для транспорта.
🔸 Мы нейтрализуем саму возможность угрозы на аппаратном уровне – за счет архитектуры процессора и принципа его работы с памятью. Эльбрус может вычистить и обезопасить программный код, «не прибегая к средствам анализа программного кода».
🔸 Предстоит еще очень много работы по переносу прикладного и общесистемного ПО в режим безопасных вычислений.
🔸 В процессорах «Эльбрус» реализована технология двоичной совместимости с кодами х86. Ее эффективность позволяет на практике работать с ОС Windows или отдельными программами в кодах х86 на российской вычислительной технике, но никакие аппаратные «бэкдоры» зарубежной платформы задействовать не получится.
Отраслевые темы
🔸 Трудным является именно кадровый вопрос. С обучением специалистов высокого уровня в России пока все неплохо. Проблема в другом — как их удержать в отрасли? Молодые специалисты, проработав несколько лет у нас и получив хороший опыт, переходят в российские филиалы зарубежных фирм и потом уезжают за границу. Нужно создавать новые инструменты удержания профессионалов на наших предприятиях. Это могут быть и материальные факторы, и карьерные перспективы, и новые интересные проекты, в том числе в рамках государственно-частного партнерства.
🔸 В России активно развиваются собственные программные продукты, которые не только замещают иностранные решения, но и создают новый функционал.
🔸 Мы добились определенных успехов в создании собственных микропроцессоров, микроконтроллеров и других интегральных схем.
По уровню проектирования Россия в состоянии себя обеспечить микроэлектроникой необходимого качества и уровня защиты.
🔸 Суверенная вычислительная техника, ее мощность и практическая распространенность решают судьбу государств. Стране необходим полный отечественный жизненный цикл вычислительной техники — от микропроцессора и других ключевых микросхем до корпусов и блоков питания, от разработки архитектуры ядер процессоров до производства микросхем и химии для многослойных печатных плат.
🔸 В стране должна быть организована полноценная фабрика для производства высокопроизводительных микропроцессоров, включая кристаллы и подложки. Причем она должна обеспечивать значительную часть внутреннего спроса на вычислительную технику различных классов — от гражданских компьютеров до процессоров классов military и space.
🔸 Требуется крупносерийное производство [процессоров] с современным поколением архитектуры Эльбрус и других отечественных архитектур на технологическом уровне производства кристаллов, не сильно отстающем от зарубежного.
@RUSmicro
👍9🙈6👀3🤔1
🇷🇺 Печатных плат производство. Полиамидные. Россия
ПО Электроприбор усовершенствовал технологию производства полиамидных плат для спецаппаратуры
В компании Электроприбор (концерн Автоматика – Росэл – Ростех) завершили отработку техпроцессов создания гибких полиамидных печатных плат из российских материалов, об этом сообщает сайт Концерна Автоматика.
Такие платы используют вместо стеклотекстолитовых в изделиях, где важна легкость, эластичность и термостойкость, например, в смартфонах, планшетах, медтехнике, изделиях робототехники и в аппаратуре специального назначения. «Расплатой» за особенные свойства таких плат является то, что в них непросто обеспечить высокоточное сверление.
В Электроприборе полиамидную заготовку крепят между листами-фиксаторами. Нижний лист – из древесно-волокнистой плиты высокой плотности со специальным покрытием, верхний – из алюминия. Такой «сендвич» обеспечивает точность сверления платы в пределах 20-25 мкм для изделий в пределах от 24х30 до 345х313 мм. По заявлению разработчика, такие платы сохраняют работоспособность в температурном диапазоне от -60°С до +120°С.
Предприятие производит двусторонние полиамидные платы 5-го класса точности, а для некоторых решений, где это требуется, с элементами 6-го класса точности.
🎓 Класс точности печатной платы характеризует наименьшие значения размеров элементов проводящего рисунка печатной платы и определяет допустимый предел отклонений в толщине, отверстиях, размерах и других параметрах платы в процессе ее изготовления. Ширина проводника печатной платы, а также расстояние между проводниками при 5-ом классе точности составляет 0,1 мм, при 6-ом классе точности – 0,075 мм.
@RUSmicro, изображение - Концерн-Автоматика
ПО Электроприбор усовершенствовал технологию производства полиамидных плат для спецаппаратуры
В компании Электроприбор (концерн Автоматика – Росэл – Ростех) завершили отработку техпроцессов создания гибких полиамидных печатных плат из российских материалов, об этом сообщает сайт Концерна Автоматика.
Такие платы используют вместо стеклотекстолитовых в изделиях, где важна легкость, эластичность и термостойкость, например, в смартфонах, планшетах, медтехнике, изделиях робототехники и в аппаратуре специального назначения. «Расплатой» за особенные свойства таких плат является то, что в них непросто обеспечить высокоточное сверление.
В Электроприборе полиамидную заготовку крепят между листами-фиксаторами. Нижний лист – из древесно-волокнистой плиты высокой плотности со специальным покрытием, верхний – из алюминия. Такой «сендвич» обеспечивает точность сверления платы в пределах 20-25 мкм для изделий в пределах от 24х30 до 345х313 мм. По заявлению разработчика, такие платы сохраняют работоспособность в температурном диапазоне от -60°С до +120°С.
Предприятие производит двусторонние полиамидные платы 5-го класса точности, а для некоторых решений, где это требуется, с элементами 6-го класса точности.
🎓 Класс точности печатной платы характеризует наименьшие значения размеров элементов проводящего рисунка печатной платы и определяет допустимый предел отклонений в толщине, отверстиях, размерах и других параметрах платы в процессе ее изготовления. Ширина проводника печатной платы, а также расстояние между проводниками при 5-ом классе точности составляет 0,1 мм, при 6-ом классе точности – 0,075 мм.
@RUSmicro, изображение - Концерн-Автоматика
👍17❤3
🇷🇺 Печатных плат производство. Участники рынка. Россия
Завод по производству печатных плат 4-го класса построят в Вологодской области
Предприятие «полного производственного цикла» будут строить ООО Луч и ООО Завод Нартис, входящие в промышленную Группу НЭК. Предположительная мощность производства – от 10 до 15 тысяч кв.м в год. Стройка намечена на территории ОЭЗ Вологодская.
Инвестиции в проект планируются на уровне 5 млрд рублей, подготовка к строительству начнется осенью 2025 года, сообщают Ведомости со ссылкой на пресс-службу правительства региона.
В частности, будут производиться не только обычные печатные платы, но и продукция типа HDI (High Density Interconnect), необходимые в миниатюрных изделиях, где используются компоненты с ультрамелким шагом выводов.
Кроме завода по производству печатных плат, планируется создать «объект» по корпусированию микросхем. Всего в рамках инвестпроекта будет создано более 450 рабочих мест.
@RUSmicro
Завод по производству печатных плат 4-го класса построят в Вологодской области
Предприятие «полного производственного цикла» будут строить ООО Луч и ООО Завод Нартис, входящие в промышленную Группу НЭК. Предположительная мощность производства – от 10 до 15 тысяч кв.м в год. Стройка намечена на территории ОЭЗ Вологодская.
Инвестиции в проект планируются на уровне 5 млрд рублей, подготовка к строительству начнется осенью 2025 года, сообщают Ведомости со ссылкой на пресс-службу правительства региона.
В частности, будут производиться не только обычные печатные платы, но и продукция типа HDI (High Density Interconnect), необходимые в миниатюрных изделиях, где используются компоненты с ультрамелким шагом выводов.
Кроме завода по производству печатных плат, планируется создать «объект» по корпусированию микросхем. Всего в рамках инвестпроекта будет создано более 450 рабочих мест.
@RUSmicro
👍12🤔2
🇷🇺 Химия. Мнения. Россия
Выручка химпрома в России вырастет в 5 раз до 2042 года?
Тему обсуждает Бизнес Online. А пока что темпы роста производства хим.продукции в России снизились вдвое - рост составил 2.4% в 2024 году, тогда как в 2023-м было 5.8% - данные замдиректора департамента хим. промышленности Минпромторга РФ.
И это на фоне роста потребления химии в 2024 году на 10% до 9.3 трлн руб. Производство продукции мало- и среднетоннажной химии выросло на 29% гг в 2024 году, в основном за счет импортзамещения и закрытия пустот, образовавшихся в 2022 году.
В 2024 году в РФ запустили 20 проектов в химпроме, общая сумма инвестиций - 47.1 млрд руб., из них до 15 млрд - из бюджета, в основном (13 млрд) через ФРП. Причем ФРП ограничен в предоставлении льготных займов суммой в 1 млрд руб., то есть мало чем может помочь крупным проектам, поскольку средний чек инвестпроекта в химии - 20 млрд руб.
В Минпромторге заняты разработкой стратегии хим. комплекса РФ до 2042 года. Основной автор - томский инжиниринговый химико-технологический центр (ИХТЦ).
Ставку на химию делают не только в РФ, в Казахстане запланированные инвестиции в химпром - 5 трлн руб., в Индии ожидают роста вклада химпрома в ВРП страны вдвое - до 12%. В РФ по итогам 2024 года химики отгрузили продукции на 8.8 трлн рублей, лишь 1.77% ВВП РФ.
Что тормозит развитие химпрома?
Прежде всего, - нормативные ограничения. Средний срок организации хим.производства в РФ - 6-8 лет, в Китае - 3-4 года. Отсюда надежды разработчиков стратегии - уточнить (читай - ослабить?) экологические требования и требования промбезопасности к малотоннажной химии.
В краткосроке можно выиграть в темпах развития промышленности, в долгосроке... проиграть многое.
В России производится 2.5 тысячи индивидуальных хим. продуктов при мировой номенклатуре - более 120 тысяч.
Чтобы прийти к 45 трнл руб. выручки нужно инвестировать 70 трлн руб. Где их найти?
Как и в любой другой отрасли, нет квалифицированных сотрудников. В отрасли занято 680 тысяч человек, вакансии открыты на 186 тысяч. При этом идет системное снижение числа школьников, которые сдают ЕГЭ по химии. Да и на производства стремятся немногие - не более 20% от поступивших на профильные специальности в ВУЗы, причина - в сравнительно низких зарплатах.
@RUSmicro
Выручка химпрома в России вырастет в 5 раз до 2042 года?
Тему обсуждает Бизнес Online. А пока что темпы роста производства хим.продукции в России снизились вдвое - рост составил 2.4% в 2024 году, тогда как в 2023-м было 5.8% - данные замдиректора департамента хим. промышленности Минпромторга РФ.
И это на фоне роста потребления химии в 2024 году на 10% до 9.3 трлн руб. Производство продукции мало- и среднетоннажной химии выросло на 29% гг в 2024 году, в основном за счет импортзамещения и закрытия пустот, образовавшихся в 2022 году.
В 2024 году в РФ запустили 20 проектов в химпроме, общая сумма инвестиций - 47.1 млрд руб., из них до 15 млрд - из бюджета, в основном (13 млрд) через ФРП. Причем ФРП ограничен в предоставлении льготных займов суммой в 1 млрд руб., то есть мало чем может помочь крупным проектам, поскольку средний чек инвестпроекта в химии - 20 млрд руб.
В Минпромторге заняты разработкой стратегии хим. комплекса РФ до 2042 года. Основной автор - томский инжиниринговый химико-технологический центр (ИХТЦ).
Ставку на химию делают не только в РФ, в Казахстане запланированные инвестиции в химпром - 5 трлн руб., в Индии ожидают роста вклада химпрома в ВРП страны вдвое - до 12%. В РФ по итогам 2024 года химики отгрузили продукции на 8.8 трлн рублей, лишь 1.77% ВВП РФ.
Что тормозит развитие химпрома?
Прежде всего, - нормативные ограничения. Средний срок организации хим.производства в РФ - 6-8 лет, в Китае - 3-4 года. Отсюда надежды разработчиков стратегии - уточнить (читай - ослабить?) экологические требования и требования промбезопасности к малотоннажной химии.
В краткосроке можно выиграть в темпах развития промышленности, в долгосроке... проиграть многое.
В России производится 2.5 тысячи индивидуальных хим. продуктов при мировой номенклатуре - более 120 тысяч.
Чтобы прийти к 45 трнл руб. выручки нужно инвестировать 70 трлн руб. Где их найти?
Как и в любой другой отрасли, нет квалифицированных сотрудников. В отрасли занято 680 тысяч человек, вакансии открыты на 186 тысяч. При этом идет системное снижение числа школьников, которые сдают ЕГЭ по химии. Да и на производства стремятся немногие - не более 20% от поступивших на профильные специальности в ВУЗы, причина - в сравнительно низких зарплатах.
@RUSmicro
БИЗНЕС Online
«Чтобы в России создать химическое производство, нужно «развлекаться» лет 10»
Химпрому нарисовали стратегию развития с пятикратным ростом выручки к 2042 году, нужно лишь найти 70 трлн для инвестиций
❤4😢2😁1🤔1
🇹🇼 Участники рынка. Контрактное производство микроэлектроники. Тайвань
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) впервые достигла капитализации в 1 триллион долларов на Тайваньской фондовой бирже
Это результат растущего глобального спроса на чипы ИИ.
TSMC стала второй компанией из Азии, которая взяла планку в $1 трлн, до нее такой успех кратковременно показала только PetroChina в 2007 году.
Выручка TSMC в 2q2025 выросла на 39% год к году до $31.7 млрд (это за квартал!). Чистая прибыль - составила $13.5 млрд. Прогноз по росту годовой прибыли в 2025 - 30% гг.
@RUSmicro
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) впервые достигла капитализации в 1 триллион долларов на Тайваньской фондовой бирже
Это результат растущего глобального спроса на чипы ИИ.
TSMC стала второй компанией из Азии, которая взяла планку в $1 трлн, до нее такой успех кратковременно показала только PetroChina в 2007 году.
Выручка TSMC в 2q2025 выросла на 39% год к году до $31.7 млрд (это за квартал!). Чистая прибыль - составила $13.5 млрд. Прогноз по росту годовой прибыли в 2025 - 30% гг.
@RUSmicro
🤔2