🇰🇷 🇯🇵 Тренды. Конкуренция. Сенсоры изображения
Sony и Samsung бьются за рынок CMOS-датчиков изображения
Компания Sony на сегодня контролирует более 50% рассматриваемого рынка. Аналитики Counterpoint Research утверждают, что в 1H2019 на долю Sony пришлось более 57% глобальной выручки от продажи датчиков изображения для смартфонов.
Лидерству Sony способствуют новые 40мпикс CMOS Image Sensor, выпускаемые компанией. Они уже пошли в серийные флагманы ряда брендов. Кроме того, Sony активно работает над дополнением своих сенсоров обработкой изображения с поддержкой AI.
Samsung в последние месяцы имеет возможности использовать все более передовые техпроцессы. В частности, компания начала выпускать датчики изображения с более крупными пикселями и при этом более высокой плотностью их размещения, например, сенсор 108мпикс, разработанный в партнерстве с Xiaomi.
Пока что смартфоны остаются основными потребителями датчиков (60% в 2018 году).
В то же время CIS будут все более востребованы в автомобильных системах. Digitime Research обещает рост рынка CIS для автомобильного сегмента с 2019 до 2023 года в среднем на 29,7% ежегодно.
Близкую оценку ранее предложила IC Insights - $3.2 млрд в 2023 году это оценка объема рынка CIS для автомобилей. Общий объем продаж всех видов датчиков изображений к этому времени прогнозируется на уровне $21,5 млрд.
Источник: http://www.dailycomm.ru/m/49054/
Sony и Samsung бьются за рынок CMOS-датчиков изображения
Компания Sony на сегодня контролирует более 50% рассматриваемого рынка. Аналитики Counterpoint Research утверждают, что в 1H2019 на долю Sony пришлось более 57% глобальной выручки от продажи датчиков изображения для смартфонов.
Лидерству Sony способствуют новые 40мпикс CMOS Image Sensor, выпускаемые компанией. Они уже пошли в серийные флагманы ряда брендов. Кроме того, Sony активно работает над дополнением своих сенсоров обработкой изображения с поддержкой AI.
Samsung в последние месяцы имеет возможности использовать все более передовые техпроцессы. В частности, компания начала выпускать датчики изображения с более крупными пикселями и при этом более высокой плотностью их размещения, например, сенсор 108мпикс, разработанный в партнерстве с Xiaomi.
Пока что смартфоны остаются основными потребителями датчиков (60% в 2018 году).
В то же время CIS будут все более востребованы в автомобильных системах. Digitime Research обещает рост рынка CIS для автомобильного сегмента с 2019 до 2023 года в среднем на 29,7% ежегодно.
Близкую оценку ранее предложила IC Insights - $3.2 млрд в 2023 году это оценка объема рынка CIS для автомобилей. Общий объем продаж всех видов датчиков изображений к этому времени прогнозируется на уровне $21,5 млрд.
Источник: http://www.dailycomm.ru/m/49054/
🇨🇳🇺🇸 САПР. Мнения
Стюарт Рэндалл пробует "на пальцах" показать, почему Китаю или практически любой другой стране мира будет трудно добиться независимости в производстве интегральных схем от США.
Ответ прост - все основные продукты для проектирования микроэлектроники это американские САПР Synopsys, Cadence и Mentor Graphics. На их долю приходится порядка 60-70% мирового рынка САПР для электронных устройств.
Автор размышляет о перспективах китайских производителей чипов в связи с такой расстановкой сил, а мы можем задуматься и о российской микроэлектронике.
https://ru.technode.com/2019/11/08/silicon-chinas-design-tools-conundrum/
Стюарт Рэндалл пробует "на пальцах" показать, почему Китаю или практически любой другой стране мира будет трудно добиться независимости в производстве интегральных схем от США.
Ответ прост - все основные продукты для проектирования микроэлектроники это американские САПР Synopsys, Cadence и Mentor Graphics. На их долю приходится порядка 60-70% мирового рынка САПР для электронных устройств.
Автор размышляет о перспективах китайских производителей чипов в связи с такой расстановкой сил, а мы можем задуматься и о российской микроэлектронике.
https://ru.technode.com/2019/11/08/silicon-chinas-design-tools-conundrum/
🇬🇧 MEMS. МЭМС. Награда "Прорывная инновация 2019 года" была присвоена британской компании Nanusens за ее технологию MEMS-within-CMOS, то есть дословно МЭМС на КМОП.
Эта технология позволяет уменьшить размеры MEMS с традиционных 1-100 мкм до размеров, измеряемых нанометрами. И это дает технологии новое качество, поскольку в ее рамках можно использовать стандартные процессы для работы с CMOS, отказавшись от заказных специализированных производственных линий.
Это позволяет выпускать столько чипов с MEMS, сколько нужно, без создания новых линий.
Согласно прогнозам аналитиков, спрос на датчики и другие устройства MEMS будет расти. Новая технология позволит рынку сенсоров на базе MEMS вырасти с миллиардов до триллионов штук.
Эта технология позволяет уменьшить размеры MEMS с традиционных 1-100 мкм до размеров, измеряемых нанометрами. И это дает технологии новое качество, поскольку в ее рамках можно использовать стандартные процессы для работы с CMOS, отказавшись от заказных специализированных производственных линий.
Это позволяет выпускать столько чипов с MEMS, сколько нужно, без создания новых линий.
Согласно прогнозам аналитиков, спрос на датчики и другие устройства MEMS будет расти. Новая технология позволит рынку сенсоров на базе MEMS вырасти с миллиардов до триллионов штук.
🇬🇧 Дискретные элементы. Термисторы
Новинка Amphenol Advanced Sensor - устойчивые к ЭМ-шумам термисторы NKI на чипах NTC. На рентгеновском снимке видно, что термочувствительный элемент зашунтирован встроенным конденсатором, что обеспечивает защиту от помех. Это позволяет подключать термистор неэкранированным кабелем, использовать его в различных электронных системах, в том числе в таких, где может быть сравнительно высокий уровень паразитных ЭМ-излучений. Это позволяет говорить о более надежном выполнении прибором своей задачи. (..)
Новинка Amphenol Advanced Sensor - устойчивые к ЭМ-шумам термисторы NKI на чипах NTC. На рентгеновском снимке видно, что термочувствительный элемент зашунтирован встроенным конденсатором, что обеспечивает защиту от помех. Это позволяет подключать термистор неэкранированным кабелем, использовать его в различных электронных системах, в том числе в таких, где может быть сравнительно высокий уровень паразитных ЭМ-излучений. Это позволяет говорить о более надежном выполнении прибором своей задачи. (..)
(2.) Результаты эксперимента подтверждают защищенность прибора от электромагнитных помех на различных частотах.
Такой прибор может найти широкое применение в электронике для автопрома, где проблема ЭМ-помех является значимой.
https://ru.mouser.com/pdfDocs/AAS-920-729A-Thermometrics-NTCTypeNKI-Thermistors-013019-web.pdf подробнее
Такой прибор может найти широкое применение в электронике для автопрома, где проблема ЭМ-помех является значимой.
https://ru.mouser.com/pdfDocs/AAS-920-729A-Thermometrics-NTCTypeNKI-Thermistors-013019-web.pdf подробнее
🔭 Аналитика. Великолепный обзор Анатолия Белоуса, д. т. н. и Виталия Солодухи, к. т. н. "Основные тенденции развития, проблемы и угрозы современной микроэлектроники".
Доступен только на Facebook: https://www.facebook.com/343158689827168/posts/563925857750449/
В статье проведен системный анализ и делаются выводы о необходимости разработки конструкций и технологий новых приборов на основе широкозонных материалов.
Рассматриваются такие тренды, как:
+ Глобализация полупроводникового бизнеса;
+ Использование новых материалов
+ Смена драйверов развития
Уделено внимание вопросам экономики субмикронного производства.
Говорится об усилении деструктивного действия эффекта Yield Killer.
Оценивается состояние и перспективы развития технологии FinFET в Китае.
Поясняется, чего мы ждем за "горизонтом FinFET".
Подробно анализируются технологические проблемы современной микроэлектроники.
Высказываются мнения о трендах развития космической микроэлектроники.
Уделено внимание интегральной фотонике и основам квантовой микроэлектроники.
Резюмы: текст определенно стоит времени на его прочтение https://www.facebook.com/343158689827168/posts/563925857750449/
Доступен только на Facebook: https://www.facebook.com/343158689827168/posts/563925857750449/
В статье проведен системный анализ и делаются выводы о необходимости разработки конструкций и технологий новых приборов на основе широкозонных материалов.
Рассматриваются такие тренды, как:
+ Глобализация полупроводникового бизнеса;
+ Использование новых материалов
+ Смена драйверов развития
Уделено внимание вопросам экономики субмикронного производства.
Говорится об усилении деструктивного действия эффекта Yield Killer.
Оценивается состояние и перспективы развития технологии FinFET в Китае.
Поясняется, чего мы ждем за "горизонтом FinFET".
Подробно анализируются технологические проблемы современной микроэлектроники.
Высказываются мнения о трендах развития космической микроэлектроники.
Уделено внимание интегральной фотонике и основам квантовой микроэлектроники.
Резюмы: текст определенно стоит времени на его прочтение https://www.facebook.com/343158689827168/posts/563925857750449/
🔭 Прогнозы. Мнения. Рынок микросхем для автоэлектроники
Несмотря на признаки восстановления экономики Германии, стагнация в мировом автомобильном секторе заставляет производителей чипов для автоэлектроники не ожидать быстрого восстановления спроса со стороны этой отрасли.
Такие идеи, в частности, высказывают в Infineon Technologies и даже называют сроки - еще полгода, минимум, не следует рассчитывать на рост спроса со стороны автопрома.
Компании удалось удержать свои показатели в основном за счет заказов на силовые полупроводники для применения в области источников возобновляемой энергии и на датчики, применяемые в устройствах потребителей.
В Dialog Semiconductor и вовсе в 2019 году распустили автомобильное и промышленное подразделение, которые сталкивались со стагнацией. Компания была рада в таких условиях видеть рост спроса со стороны производителей потребительских устройств (смартфонов и других), что позволило нарастить выручку.
https://ru.investing.com/news/stock-market-news/article-1928325
Несмотря на признаки восстановления экономики Германии, стагнация в мировом автомобильном секторе заставляет производителей чипов для автоэлектроники не ожидать быстрого восстановления спроса со стороны этой отрасли.
Такие идеи, в частности, высказывают в Infineon Technologies и даже называют сроки - еще полгода, минимум, не следует рассчитывать на рост спроса со стороны автопрома.
Компании удалось удержать свои показатели в основном за счет заказов на силовые полупроводники для применения в области источников возобновляемой энергии и на датчики, применяемые в устройствах потребителей.
В Dialog Semiconductor и вовсе в 2019 году распустили автомобильное и промышленное подразделение, которые сталкивались со стагнацией. Компания была рада в таких условиях видеть рост спроса со стороны производителей потребительских устройств (смартфонов и других), что позволило нарастить выручку.
https://ru.investing.com/news/stock-market-news/article-1928325
Investing.com Россия
Производители микросхем бегут с авторынка
Производители микросхем бегут с авторынка
🇺🇸 Материалы. Перовскиты. Фотовольтаика.
В Университете Пердью (Purdue University) группа исследователей под руководством профессора Доу Лэтяня (Letian Dou) разработали гибридный слоеный материал из органических и неорганических компонентов.
Он не содержит свинца и отличается повышенной стабильностью. Подробнее http://www.mforum.ru/t4/forum/news120873?goto=327723#msg327723
Больше новостей о перовскитах: http://www.mforum.ru/news/article/120873.htm
В Университете Пердью (Purdue University) группа исследователей под руководством профессора Доу Лэтяня (Letian Dou) разработали гибридный слоеный материал из органических и неорганических компонентов.
Он не содержит свинца и отличается повышенной стабильностью. Подробнее http://www.mforum.ru/t4/forum/news120873?goto=327723#msg327723
Больше новостей о перовскитах: http://www.mforum.ru/news/article/120873.htm
🎓 Силовая электроника.
Полезное чтение. В книге "Основы силовой электроники" (Белоус А, Ефименко С., Солодуха В. и др) представлена информация о принципах работы, основных технических характеристиках и технологиях изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, применяемых в силовой электронике.
Рассмотрена элементная база для вторичных источников питания, управления электродвигателями и осветительным оборудованием, для автомобильной электроники, управления MOSFET и IGBT.
Отдельные главы посвящены приборам на основе широкозонных полупроводников – нитрида галлия, карбида кремния и арсенида галлия. Рассмотрены вопросы высокотемпературной обработки в технологии приборов для силовой электроники, особенности корпусирования мощных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
http://www.technosphera.ru/lib/book/607 - можно читать бесплатно, или
https://www.chitai-gorod.ru/catalog/book/1222362/ - заказать.
Полезное чтение. В книге "Основы силовой электроники" (Белоус А, Ефименко С., Солодуха В. и др) представлена информация о принципах работы, основных технических характеристиках и технологиях изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, применяемых в силовой электронике.
Рассмотрена элементная база для вторичных источников питания, управления электродвигателями и осветительным оборудованием, для автомобильной электроники, управления MOSFET и IGBT.
Отдельные главы посвящены приборам на основе широкозонных полупроводников – нитрида галлия, карбида кремния и арсенида галлия. Рассмотрены вопросы высокотемпературной обработки в технологии приборов для силовой электроники, особенности корпусирования мощных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
http://www.technosphera.ru/lib/book/607 - можно читать бесплатно, или
https://www.chitai-gorod.ru/catalog/book/1222362/ - заказать.
www.technosphera.ru
Техносфера - Основы силовой электроники
...
🇳🇱 🇸🇬 Материалы. Перовскиты. Фотовольтаика
Ученые Гронингенского университета, Нидерланды, и Наньянского технологического университета, Сингапур, экспериментируют с комбинацией перовскита с органическим акцептором так называемых "горячих электронов".
Такой подход, как ожидается, позволит задействовать в производстве электричества в том числе и избыточную энергию фотонов.
В традиционных фотобатареях к.п.д. не слишком велик потому, что фотоны с недостаточной энергией проходят через материал фотоэлектрической панели без поглощения, и, напротив, энергия более высокочастотных фотонов рассеивается без пользы, переходя в тепло. Электрическую энергию дают только фотоны со строго определенным объемом энергии.
Решение проблемы видится в переходе к использованию материала, который обладает так называемой расширенной запрещенной зоной (разницей в энергиях между самой высокой занятой и самой низкой свободной молекулярными орбиталями).
Ученые нашли материал, который по их мнению, в значительной степени отвечает подобным требованиям. Это комбинация гибридного органического/неорганического перовскита и органического материала с широкой запрещенной зоной - батофенантропина (bphen). bphen успешно поглощает "горячие электроны" из перовскитного полупроводника, без необходимости в каких-либо иных ухищрениях.
Следующий шаг, который ученые намерены осуществить, это конструирование практического устройства, которое позволит доказать возможность практического применения обнаруженного эффекта.
Источник: https://ko.com.ua/v_groningene_nashli_upravu_na_goryachie_jelektrony_130915
Другие новости по теме применения перовскитов в микроэлектронике: http://www.mforum.ru/news/article/120873.htm
Ученые Гронингенского университета, Нидерланды, и Наньянского технологического университета, Сингапур, экспериментируют с комбинацией перовскита с органическим акцептором так называемых "горячих электронов".
Такой подход, как ожидается, позволит задействовать в производстве электричества в том числе и избыточную энергию фотонов.
В традиционных фотобатареях к.п.д. не слишком велик потому, что фотоны с недостаточной энергией проходят через материал фотоэлектрической панели без поглощения, и, напротив, энергия более высокочастотных фотонов рассеивается без пользы, переходя в тепло. Электрическую энергию дают только фотоны со строго определенным объемом энергии.
Решение проблемы видится в переходе к использованию материала, который обладает так называемой расширенной запрещенной зоной (разницей в энергиях между самой высокой занятой и самой низкой свободной молекулярными орбиталями).
Ученые нашли материал, который по их мнению, в значительной степени отвечает подобным требованиям. Это комбинация гибридного органического/неорганического перовскита и органического материала с широкой запрещенной зоной - батофенантропина (bphen). bphen успешно поглощает "горячие электроны" из перовскитного полупроводника, без необходимости в каких-либо иных ухищрениях.
Следующий шаг, который ученые намерены осуществить, это конструирование практического устройства, которое позволит доказать возможность практического применения обнаруженного эффекта.
Источник: https://ko.com.ua/v_groningene_nashli_upravu_na_goryachie_jelektrony_130915
Другие новости по теме применения перовскитов в микроэлектронике: http://www.mforum.ru/news/article/120873.htm
Компьютерное Обозрение
Управление "горячими электронами" поднимет эффективность солнечных батарей
Эффективность работы солнечных батарей ограничивается тем обстоятельством, что попадающий в них фотон должен иметь строго определённое количество энергии для преобразование в электричество. Фотоны с меньшей энергией проходят фотоэлектрическую панель насквозь…
📉 Мировой рынок микроэлектроники. Оценки и прогнозы
IC Insights - Intel в 2019 году возвратил себе статус "номера 1" на рынке производителей полупроводников. В целом, объемы продаж Топ-15 компаний по производству полупроводников, упали на 15% в 2019 году, если сравнивать с 2018 годом, то есть на 2 п.п. больше, чем ожидаемое сокращение объемов продаж всего рынка до 13%.
В ренкинге Топ-15 поставщиков полупроводников (по объемам продаж) 6 поставщиков со штаб-квартирами в США, 3 в Европе, по два из Кореи, Японии и Тайваня.
Три крупнейших поставщика чипов памяти, Samsung, SK Hynix и Micron, прогнозируют сокращение объемов поставок вплоть на 29% или более год к году. В частности, SK Hynix ожидает снижения объемов продаж на 38%!
Подробнее: http://www.mforum.ru/news/article/121175.htm или https://abloud.blogspot.com/2019/11/ic-insights-intel-2019-1.html
IC Insights - Intel в 2019 году возвратил себе статус "номера 1" на рынке производителей полупроводников. В целом, объемы продаж Топ-15 компаний по производству полупроводников, упали на 15% в 2019 году, если сравнивать с 2018 годом, то есть на 2 п.п. больше, чем ожидаемое сокращение объемов продаж всего рынка до 13%.
В ренкинге Топ-15 поставщиков полупроводников (по объемам продаж) 6 поставщиков со штаб-квартирами в США, 3 в Европе, по два из Кореи, Японии и Тайваня.
Три крупнейших поставщика чипов памяти, Samsung, SK Hynix и Micron, прогнозируют сокращение объемов поставок вплоть на 29% или более год к году. В частности, SK Hynix ожидает снижения объемов продаж на 38%!
Подробнее: http://www.mforum.ru/news/article/121175.htm или https://abloud.blogspot.com/2019/11/ic-insights-intel-2019-1.html
🔬 ЭКБ. Справочная литература
На сайте ecworld.ru можно найти гигантскую подборку статей из российских журналов, посвященных зарубежным электронным компонентам.
Статьи упорядочены по типу компонентов и по производителю. Ценный источник знаний, учитыая, что далеко не все издания доступны в сети.
http://www.ecworld.ru/media/bip.htm
На сайте ecworld.ru можно найти гигантскую подборку статей из российских журналов, посвященных зарубежным электронным компонентам.
Статьи упорядочены по типу компонентов и по производителю. Ценный источник знаний, учитыая, что далеко не все издания доступны в сети.
http://www.ecworld.ru/media/bip.htm
🇷🇺 Участники рынка. Судебные споры
Московский арбитраж удовлетворил иск ПАО "Банк "Зенит" к ООО "Альтернатива капитал". На более, чем 1 млн именных акций АО Ангстрем наложено взыскание и они будут реализованы с публичных торгов, если решение суда не будет обжаловано.
АО "Ангстрем" брало кредиты у Зенита и их частично не возвратило (по первому кредиту - 162,5 млн руб., по второму - 371 млн руб), а также не выплатила проценты (80,9 млн и 151,44 млн руб.). Обеспечением выступали акции в объеме примерно 1% от голосующих.
12 января 2015 года была прекращена деятельность ООО "Группа Ангстрем" , которая присоединилась к ООО "Альтернатива капитал".
Источник: https://regnum.ru/news/economy/2784722.html
Подробнее о компании Ангстрем: http://www.mforum.ru/news/article/118981.htm
Московский арбитраж удовлетворил иск ПАО "Банк "Зенит" к ООО "Альтернатива капитал". На более, чем 1 млн именных акций АО Ангстрем наложено взыскание и они будут реализованы с публичных торгов, если решение суда не будет обжаловано.
АО "Ангстрем" брало кредиты у Зенита и их частично не возвратило (по первому кредиту - 162,5 млн руб., по второму - 371 млн руб), а также не выплатила проценты (80,9 млн и 151,44 млн руб.). Обеспечением выступали акции в объеме примерно 1% от голосующих.
12 января 2015 года была прекращена деятельность ООО "Группа Ангстрем" , которая присоединилась к ООО "Альтернатива капитал".
Источник: https://regnum.ru/news/economy/2784722.html
Подробнее о компании Ангстрем: http://www.mforum.ru/news/article/118981.htm
ИА REGNUM
Фирма Реймана проиграла банку пакет акций завода «Ангстрем»
Московский арбитраж удовлетворил иск ПАО «Банк «Зенит» к ООО «Альтернатива капитал», принадлежащему Леониду Рейману, чьи данные...
🇷🇺🇨🇳 Силовая электроника
Делегация АО "Протон-Электротекст", Орел, в ноябре осуществила бизнес-поездку в Китай.
С представителями ряда китайских компаний обсуждалось развитие линейки Press-Pack IGBT, в частности, изделий FullSiC MOSFET. Выраженный интерес был к сварочным диодам.
Российская компания планирует участие в ряде отраслевых выставок в Китае, отмечая перспективность этого рынка.
https://www.proton-electrotex.com/news/Business-visit-to-China
Делегация АО "Протон-Электротекст", Орел, в ноябре осуществила бизнес-поездку в Китай.
С представителями ряда китайских компаний обсуждалось развитие линейки Press-Pack IGBT, в частности, изделий FullSiC MOSFET. Выраженный интерес был к сварочным диодам.
Российская компания планирует участие в ряде отраслевых выставок в Китае, отмечая перспективность этого рынка.
https://www.proton-electrotex.com/news/Business-visit-to-China
🇷🇺 🎓 Встречи. Обучение
АО НИИЭТ совместно с ООО ЭНЭЛ 26 ноября приглашают:
в С.-Петербург с 10 до 14.30 в конференц-зал отеля VOX Hotel (С.-Петербург, Лиговский пр., д.29А)
в Москву (с 10 до 14:30 в конференц-зал отеля Райкин Plaza (Москва, ул.Шереметьевская д.6, корп.1).
Обещана возможность знакомства с новыми изделиями предприятия, общение с техническими специалистами, возможность задать вопросы, ознакомиться с образцами перспективных разработок в области импортзамещения, возможности сотрудничества. Подробнее: https://niiet.ru/news/mskpitersem
АО НИИЭТ совместно с ООО ЭНЭЛ 26 ноября приглашают:
в С.-Петербург с 10 до 14.30 в конференц-зал отеля VOX Hotel (С.-Петербург, Лиговский пр., д.29А)
в Москву (с 10 до 14:30 в конференц-зал отеля Райкин Plaza (Москва, ул.Шереметьевская д.6, корп.1).
Обещана возможность знакомства с новыми изделиями предприятия, общение с техническими специалистами, возможность задать вопросы, ознакомиться с образцами перспективных разработок в области импортзамещения, возможности сотрудничества. Подробнее: https://niiet.ru/news/mskpitersem
🔬Перспективные материалы. Исследования
Ученые в разных странах работают над повышением стабильности двумерного черного фосфора. Двумерный черный фосфор получают из белого фосфора в условиях высокого давления и температуры. Получается напоминающий графит материал фосфорен со слоистой структурой, обладающий полупроводниковыми свойствами. Ширина запрещенной зоны варьируется в зависимости от числа слоев.
К сожалению, фосфорен нестабилен и быстро деградирует под воздействием кислорода, содержащегося в воздухе. Для повышения его стабильности, ученые производят фторирование.
В красноярском СФУ разобрались с механизмом этого процесса, показав, что в системе PF характерная координация равна 3 или 5 (3 или 5 атомов фтора на 1 атом фосфора). Выявлен "механизм" по которому атомы фтора должны крепиться к поверхности фосфорена с тем, чтобы получить более стабильные соединения, устойчивые к окислению.
Как ожидается, в перспективе это позволит использовать фторированный фосфорен в различных оптоэлектронных устройствах - транзисторах, светодиодах, фотосенсорах, гибкой электронике, фотовольтаике и т.п.
https://baikal24.ru/text/18-11-2019/005/
Другие новости по теме "перспективные материалы" http://www.mforum.ru/news/article/121115.htm
Ученые в разных странах работают над повышением стабильности двумерного черного фосфора. Двумерный черный фосфор получают из белого фосфора в условиях высокого давления и температуры. Получается напоминающий графит материал фосфорен со слоистой структурой, обладающий полупроводниковыми свойствами. Ширина запрещенной зоны варьируется в зависимости от числа слоев.
К сожалению, фосфорен нестабилен и быстро деградирует под воздействием кислорода, содержащегося в воздухе. Для повышения его стабильности, ученые производят фторирование.
В красноярском СФУ разобрались с механизмом этого процесса, показав, что в системе PF характерная координация равна 3 или 5 (3 или 5 атомов фтора на 1 атом фосфора). Выявлен "механизм" по которому атомы фтора должны крепиться к поверхности фосфорена с тем, чтобы получить более стабильные соединения, устойчивые к окислению.
Как ожидается, в перспективе это позволит использовать фторированный фосфорен в различных оптоэлектронных устройствах - транзисторах, светодиодах, фотосенсорах, гибкой электронике, фотовольтаике и т.п.
https://baikal24.ru/text/18-11-2019/005/
Другие новости по теме "перспективные материалы" http://www.mforum.ru/news/article/121115.htm
Байкал24
Сибирские химики научились стабилизировать «капризный» фосфор
Международный коллектив российских, шведских и украинских учёных определил эффективную стратегию улучшения стабильности двумерного чёрного фосфора — перспективного материала для использования в оптоэлектронике. Выявлен наиболее действенный механизм прикрепления…
🇰🇷 Технологии. EUV фотолитография
В Samsung будут использовать заморозку пластин и низкое давление при EUV-литографии.
В Samsung используют EUV для коммерческого производства примерно уже год. Тем не менее, технология пока что остается проблемной.
Основные проблемы при использовании EUV - высокая плотность энергии пучка, что приводит к разрушению материала пластин. Другая проблема - после экспонирования пластины в EUV трудно протравить необходимые тончайшие дорожки. Столь же непросто депонировать добавки в структуры столь высокой плотности.
Удельная энергетическая плотность луча EUV-сканера с длиной волны 13.5нм в 10 раз выше, чем у луча лазера 193нм. Из-за этого в фоторезисте возникают паразитные образования. Образуются "микромосты", - непредусмотренные архитектурой чипа перемычки, которые в дальнейшем могут вызывать отказ. В Samsung с этим пытаются справиться за счет повторяемой короткой экспозицией и применением повторного травления. Это удлиняет производственный цикл.
Проблемы есть и с травлением все более узких канавок, это также требует больше времени на процесс, растет расход реагентов, включая защитное покрытие там, где не требуется травление.
Как решать эти проблемы?
В Samsung намерены снизить рабочую температуру в камере с обрабатываемой пластиной при одновременном снижении давления. Это снизит активность реагентов, в частности, снизится чувствительность фоторезиста, что позволяет рассчитывать на то, что микромосты не будут образовываться. Также снизятся требования к защитной полимерной пленке.
Сниженное давление усилит циркуляцию материалов в канавках при их обработке рабочими газами, что должно сократить по времени циклы травления и депонирования.
Пока что это рабочие идеи, которые только предстоит дорабатывать до того, как они станут частью серийного производства. Источник: https://3dnews.ru/998147 со ссылкой на http://www.etnews.com/20191120000032
Подробнее о EUV-технологии: http://www.mforum.ru/news/article/121202.htm
В Samsung будут использовать заморозку пластин и низкое давление при EUV-литографии.
В Samsung используют EUV для коммерческого производства примерно уже год. Тем не менее, технология пока что остается проблемной.
Основные проблемы при использовании EUV - высокая плотность энергии пучка, что приводит к разрушению материала пластин. Другая проблема - после экспонирования пластины в EUV трудно протравить необходимые тончайшие дорожки. Столь же непросто депонировать добавки в структуры столь высокой плотности.
Удельная энергетическая плотность луча EUV-сканера с длиной волны 13.5нм в 10 раз выше, чем у луча лазера 193нм. Из-за этого в фоторезисте возникают паразитные образования. Образуются "микромосты", - непредусмотренные архитектурой чипа перемычки, которые в дальнейшем могут вызывать отказ. В Samsung с этим пытаются справиться за счет повторяемой короткой экспозицией и применением повторного травления. Это удлиняет производственный цикл.
Проблемы есть и с травлением все более узких канавок, это также требует больше времени на процесс, растет расход реагентов, включая защитное покрытие там, где не требуется травление.
Как решать эти проблемы?
В Samsung намерены снизить рабочую температуру в камере с обрабатываемой пластиной при одновременном снижении давления. Это снизит активность реагентов, в частности, снизится чувствительность фоторезиста, что позволяет рассчитывать на то, что микромосты не будут образовываться. Также снизятся требования к защитной полимерной пленке.
Сниженное давление усилит циркуляцию материалов в канавках при их обработке рабочими газами, что должно сократить по времени циклы травления и депонирования.
Пока что это рабочие идеи, которые только предстоит дорабатывать до того, как они станут частью серийного производства. Источник: https://3dnews.ru/998147 со ссылкой на http://www.etnews.com/20191120000032
Подробнее о EUV-технологии: http://www.mforum.ru/news/article/121202.htm
🖥 Российский рынок зарубежных микроконтроллеров. Аналитика
Статистика опирается на данные таможни в 2108 году, но с необходимой коррекцией (удалены данные кристаллов для SIM-карт и карт).
По числу поставленных 8-разрядных микропроцессоров лидирует Microchip/Atmel, как, впрочем, и по общей стоимости ввезенных чипов.
Texas Instruments остается на втором месте по поставкам в деньгах (сигнальные процессоры в среднем дорогие). Возможно мы видим эту компанию на второй позиции последний раз. поскольку в TI отказалась от региональных дистрибьюторов (!), что может серьезно ударить по продажам на ряде рынков, включая российский.
STMicroelectronics - на третьем месте, в основном это результат лидерства компании в 32-разрядных микропроцессорах, которые в среднем дороже, чем 8-разрядные.
Подробнее: http://www.russianelectronics.ru/leader-r/news/snabworldmarket/doc/85884/
Статистика опирается на данные таможни в 2108 году, но с необходимой коррекцией (удалены данные кристаллов для SIM-карт и карт).
По числу поставленных 8-разрядных микропроцессоров лидирует Microchip/Atmel, как, впрочем, и по общей стоимости ввезенных чипов.
Texas Instruments остается на втором месте по поставкам в деньгах (сигнальные процессоры в среднем дорогие). Возможно мы видим эту компанию на второй позиции последний раз. поскольку в TI отказалась от региональных дистрибьюторов (!), что может серьезно ударить по продажам на ряде рынков, включая российский.
STMicroelectronics - на третьем месте, в основном это результат лидерства компании в 32-разрядных микропроцессорах, которые в среднем дороже, чем 8-разрядные.
Подробнее: http://www.russianelectronics.ru/leader-r/news/snabworldmarket/doc/85884/
🇳🇱 Производственное оборудование. ASML станет лидером рынка оборудования для производства полупроводников по итогам 2019 года
Такой прогноз делают аналитики The Information Network. Если это произойдет, то на второе место уйдет компания Applied Materials, занимавшая первое место с 1990 года.
Доля рынка Applied Materials на рынке производственного оборудования для работы с пластинами сокращается вот уже три года подряд. У ASML, напротив, дела обстоят замечательно в связи с высоким спросом на выпускаемые этой компанией EUV-сканеры, устройства для литографии с помощью жесткого ультрафиолета. Основными покупателями выступают Samsung, TSMC и Intel, причем производственных мощностей ASML все еще не хватает для того, чтобы удовлетворить спрос.
В 2018 году доля рынка Applied Materials оценивалась в 19,2% (в 2015-м в 23,0%). В 2019 году прогнозируется рост доли рынка этой компании до 19,4%. Но у ASML этот показатель вырастет до 21,6% с 18,0% в 2018.
Прогноз на 2020 год говорит о том, что можно будет ожидать закрепления ситуации. Общий рост рынка производства пластин ожидается всего на 5%, рост доли ASML - до 22,8%, а доля Applied Materials останется практически неизменной - в 19,3%.
Источник: https://www.digitimes.com/news/a20191125VL200.html
Такой прогноз делают аналитики The Information Network. Если это произойдет, то на второе место уйдет компания Applied Materials, занимавшая первое место с 1990 года.
Доля рынка Applied Materials на рынке производственного оборудования для работы с пластинами сокращается вот уже три года подряд. У ASML, напротив, дела обстоят замечательно в связи с высоким спросом на выпускаемые этой компанией EUV-сканеры, устройства для литографии с помощью жесткого ультрафиолета. Основными покупателями выступают Samsung, TSMC и Intel, причем производственных мощностей ASML все еще не хватает для того, чтобы удовлетворить спрос.
В 2018 году доля рынка Applied Materials оценивалась в 19,2% (в 2015-м в 23,0%). В 2019 году прогнозируется рост доли рынка этой компании до 19,4%. Но у ASML этот показатель вырастет до 21,6% с 18,0% в 2018.
Прогноз на 2020 год говорит о том, что можно будет ожидать закрепления ситуации. Общий рост рынка производства пластин ожидается всего на 5%, рост доли ASML - до 22,8%, а доля Applied Materials останется практически неизменной - в 19,3%.
Источник: https://www.digitimes.com/news/a20191125VL200.html
DIGITIMES
ASML to take semiconductor equipment lead from Applied in 2019, says market research firm
For the first time since 1990, Applied Materials is poised to lose its lead in the semiconductor equipment market, according to The Information Network.
🇰🇷 Чипы памяти. V-NAND. SSD
Samsung обещает начать продажи 128-слойных чипов V-NAND и модулей SSD на их базе в 2020 году
В Samsung планируют в 2020 году начать продажу SSD TLC на базе чипов V-nand 512Гб с плотностью хранения данных 3бит/ячейку, выполненных по 128-слойной технологии. Разработчики компании тем временем работают над созданием памяти с использованием 500 и более слоев. (Выход этих чипов ожидался еще до конца 2019 года.)
Модули на 256/512 смогут обеспечит скорость ввода-вывода до 1200 Мбит/c.
SSD, предназначенные для использования в облачных решениях, будут включать PM1733 SSD с интерфейсами PCI Express Gen4 (PCIe Gen4), поддерживающими последовательное чтение на скорости до 6400 МБ/с и запись на скорости до 3800 МБ/с. Компания уже показала модель емкостью 30,72ТБ, снабженную двумя контроллерами для повышения надежности.
Кроме того, готовится серия PM1735, которая будет доступна в форм-факторах U.2 и HHHL. PM1735 U.2 обеспечит скорости 6400/3800 МБ/c при последовательном считывании/записи при емкости в 25.6 ТБ. Его родной брат HHHL будет выпускаться с емкостью 12,8 ТБ и поддерживать скорости чтения до 8000 МБ/с.
Samsung рекомендует использовать решения Z-SSD там, где предъявляются жесткие требования к уровню задержек. В результате оптимизации компания добилась уровня задержки менее 100 мкс в системе хранения данных, что примерно в 5.5 раз меньше, чем при использовании SSD TLC и 4КБ со случайным обращением и в 100 раз меньшую, чем при использовании смешанного чтения со случайным доступом.
Подробнее: http://www.mforum.ru/news/article/121219.htm
Samsung обещает начать продажи 128-слойных чипов V-NAND и модулей SSD на их базе в 2020 году
В Samsung планируют в 2020 году начать продажу SSD TLC на базе чипов V-nand 512Гб с плотностью хранения данных 3бит/ячейку, выполненных по 128-слойной технологии. Разработчики компании тем временем работают над созданием памяти с использованием 500 и более слоев. (Выход этих чипов ожидался еще до конца 2019 года.)
Модули на 256/512 смогут обеспечит скорость ввода-вывода до 1200 Мбит/c.
SSD, предназначенные для использования в облачных решениях, будут включать PM1733 SSD с интерфейсами PCI Express Gen4 (PCIe Gen4), поддерживающими последовательное чтение на скорости до 6400 МБ/с и запись на скорости до 3800 МБ/с. Компания уже показала модель емкостью 30,72ТБ, снабженную двумя контроллерами для повышения надежности.
Кроме того, готовится серия PM1735, которая будет доступна в форм-факторах U.2 и HHHL. PM1735 U.2 обеспечит скорости 6400/3800 МБ/c при последовательном считывании/записи при емкости в 25.6 ТБ. Его родной брат HHHL будет выпускаться с емкостью 12,8 ТБ и поддерживать скорости чтения до 8000 МБ/с.
Samsung рекомендует использовать решения Z-SSD там, где предъявляются жесткие требования к уровню задержек. В результате оптимизации компания добилась уровня задержки менее 100 мкс в системе хранения данных, что примерно в 5.5 раз меньше, чем при использовании SSD TLC и 4КБ со случайным обращением и в 100 раз меньшую, чем при использовании смешанного чтения со случайным доступом.
Подробнее: http://www.mforum.ru/news/article/121219.htm
MForum.ru
Микроэлектроника: Чипы памяти. SSD. V-NAND
Микроэлектроника Чипы памяти. SSD. V-NAND
🇷🇺 Регулирование. Минкомсвязи опубликовало финальный вариант дорожной карты «Технологии беспроводной связи». Документ был подготовлен «дочкой» госкорпорации «Ростех» — «Национальным центром информации» (НЦИ).
В документе, в частности, приведены планы разработки широкого набора ЭКБ.
В частности, должен быть создан аналоговый тракт радиомодулей gNB-Ru базовой станции 5G/IMT-202 для диапазонов частот до 3 ГГц. В рамках соответствующего мероприятия будут проведены опытно-конструкторские работы (ОКР) по созданию комплекта интегральных микросхем малошумящих усилителей для приемо-передающих трактов беспроводных сетей 5G, комплекта интегральных микросхем цифровых аттенюаторов для приемо-передающих трактов беспроводных сетей 5G и комплекта интегральных микросхем переключателей и предварительных с высокой развязкой для приемо-передающих трактов беспроводных сетей 5G.
После проведения ОКР будут разработаны: гибридный gAN СВЧ-усилитель (сверхвысокочастотное излучение); технология создания мощных внутри согласованных транзисторов L-, S-диапазонов; технология проектирования и создания интегральных микросхем, совмещающих в одном корпусе радиочастотные и цифровые кристаллы; производство кремний-германиевого транзистора; мембранные СВЧ-тонкопленочные пьезоэлектрические фильтры на структурах AIN (FBAR) для применения в современных информационно-коммуникационных системах нового поколения.
Другое мероприятие в рамках создания ЭКБ связано с ЦАП/АЦП радиомодулей gNB-RU базовой станции 5G/IMT-202 для диапазонов рабочих частот до 3 ГГц. В этой части запланирована разработка и освоение производства высокочастотного кремний-германиевого аналого-цифрового преобразователя с увеличенной разрядностью, сверхвысокочастного кремний-германиевого двухканального аналого-цифрового преобразователя широкой номенклатуры аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей.
Также запланировано создание ЭКБ для аналогового тракта радиомодулей gNB-Ru базовой станции для диапазонов рабочих частот 3-6 ГГц. В этой части должны быть разработаны: интегральные микросхемы переключателей высокой мощности 0,05-6 ГГц и цифрового аттенюатора для приемо-передающих трактов беспроводных сетей 5G; СВЧ-усилитель на частоте 3,5 ГГц с динамической нагрузкой, использующий GaN Vacator, а также широкополосный последовательный усилитель мощности 3,2-4 ГГц для приложений MIMO с размером модуля для интеграции массива; цифровой модульный передатчик MIMO с 1-битовым импульсным модулированным сигналом на частоту 3,5 ГГц.
Запланировано появление системы на кристалле, построенной на базе ПЛИС (программируемая логическая интегральная схема) для цифрового тракта радиомодулей gNB-RU базовой станции 5G. В этой части должно быть разработано и освоено производство: процессора типа «система-в-корпусе», совмещенного с ПЛИС — для использования в перспективных системах связи специального, двойного и гражданского применения; микросхемы цифрового модема беспроводных пакетных сетей — для использования в «системах-в-корпусе» и электронных модулях перспективных систем связи профессионального, двойного и гражданского назначения.
Ожидается появление ЭКБ аналогового тракта радиомодулей gNB-RU базовой станции gNB-Ru базовой станции 5G/IMT-2020 для миллиметровых диапазонов частот свыше 6 ГГц. В этой части будут разработаны: технологии создания мощных внутрисогласованных транзисторов C-X-Ku-диапазонов; технологии создания GaAs pHEMT монолитной интегральной схемы в диапазоне 28-34 ГГц с выходной мощностью 1 Вт для входных каскадов усилителей передатчиков беспроводной связи; технологии создания GAN MMIC в диапазоне 28-34 ГГц с выходной мощностью 5-8 Вт для усилителей передатчиков беспроводной связи; технологии создания 6Вт SPDT-переключателя диапазона 28-34 ГГц приемопередатчика для беспроводной связи; технологии создания высокостабильных малошумящих генераторов на базе МИС-усилителей и диэлектрических резонаторов в диапазоне до 36 ГГц; технологии создания высокостабильных малошумящих генараторов на базе МИС усилителей и диэлектрических резонаторов в диапазоне до 36 ГГц;
В документе, в частности, приведены планы разработки широкого набора ЭКБ.
В частности, должен быть создан аналоговый тракт радиомодулей gNB-Ru базовой станции 5G/IMT-202 для диапазонов частот до 3 ГГц. В рамках соответствующего мероприятия будут проведены опытно-конструкторские работы (ОКР) по созданию комплекта интегральных микросхем малошумящих усилителей для приемо-передающих трактов беспроводных сетей 5G, комплекта интегральных микросхем цифровых аттенюаторов для приемо-передающих трактов беспроводных сетей 5G и комплекта интегральных микросхем переключателей и предварительных с высокой развязкой для приемо-передающих трактов беспроводных сетей 5G.
После проведения ОКР будут разработаны: гибридный gAN СВЧ-усилитель (сверхвысокочастотное излучение); технология создания мощных внутри согласованных транзисторов L-, S-диапазонов; технология проектирования и создания интегральных микросхем, совмещающих в одном корпусе радиочастотные и цифровые кристаллы; производство кремний-германиевого транзистора; мембранные СВЧ-тонкопленочные пьезоэлектрические фильтры на структурах AIN (FBAR) для применения в современных информационно-коммуникационных системах нового поколения.
Другое мероприятие в рамках создания ЭКБ связано с ЦАП/АЦП радиомодулей gNB-RU базовой станции 5G/IMT-202 для диапазонов рабочих частот до 3 ГГц. В этой части запланирована разработка и освоение производства высокочастотного кремний-германиевого аналого-цифрового преобразователя с увеличенной разрядностью, сверхвысокочастного кремний-германиевого двухканального аналого-цифрового преобразователя широкой номенклатуры аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей.
Также запланировано создание ЭКБ для аналогового тракта радиомодулей gNB-Ru базовой станции для диапазонов рабочих частот 3-6 ГГц. В этой части должны быть разработаны: интегральные микросхемы переключателей высокой мощности 0,05-6 ГГц и цифрового аттенюатора для приемо-передающих трактов беспроводных сетей 5G; СВЧ-усилитель на частоте 3,5 ГГц с динамической нагрузкой, использующий GaN Vacator, а также широкополосный последовательный усилитель мощности 3,2-4 ГГц для приложений MIMO с размером модуля для интеграции массива; цифровой модульный передатчик MIMO с 1-битовым импульсным модулированным сигналом на частоту 3,5 ГГц.
Запланировано появление системы на кристалле, построенной на базе ПЛИС (программируемая логическая интегральная схема) для цифрового тракта радиомодулей gNB-RU базовой станции 5G. В этой части должно быть разработано и освоено производство: процессора типа «система-в-корпусе», совмещенного с ПЛИС — для использования в перспективных системах связи специального, двойного и гражданского применения; микросхемы цифрового модема беспроводных пакетных сетей — для использования в «системах-в-корпусе» и электронных модулях перспективных систем связи профессионального, двойного и гражданского назначения.
Ожидается появление ЭКБ аналогового тракта радиомодулей gNB-RU базовой станции gNB-Ru базовой станции 5G/IMT-2020 для миллиметровых диапазонов частот свыше 6 ГГц. В этой части будут разработаны: технологии создания мощных внутрисогласованных транзисторов C-X-Ku-диапазонов; технологии создания GaAs pHEMT монолитной интегральной схемы в диапазоне 28-34 ГГц с выходной мощностью 1 Вт для входных каскадов усилителей передатчиков беспроводной связи; технологии создания GAN MMIC в диапазоне 28-34 ГГц с выходной мощностью 5-8 Вт для усилителей передатчиков беспроводной связи; технологии создания 6Вт SPDT-переключателя диапазона 28-34 ГГц приемопередатчика для беспроводной связи; технологии создания высокостабильных малошумящих генераторов на базе МИС-усилителей и диэлектрических резонаторов в диапазоне до 36 ГГц; технологии создания высокостабильных малошумящих генараторов на базе МИС усилителей и диэлектрических резонаторов в диапазоне до 36 ГГц;