Forwarded from 켐트로닉스 개인채널
삼성 GAA 공정 관련 요약
삼성전자 GAA 기반 ‘단단’, 경계현 2나노에서 TSMC 기술 추월 노린다
https://www.businesspost.co.kr/BP?command=article_view&num=319468
* 6월 28일자 삼성은 실리콘밸리 ‘삼성 파운드리 포럼 2023’에서 25년 2나노 공정 양산을 시작해 26년 고성능 컴퓨팅, 27년 오토모티브 분야로 확대 하겠다는 로드맵을 발표.
아래 1~4번은 3나노 GAA 당시 자료.
1. 최시영 (파운드리사업부 사장)
삼성전자는 파운드리 업계 최초로 ‘하이-케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate)’, 핀펫(FinFET), EUV 등 신기술을 선제적으로 도입하며 빠르게 성장해 왔고, 이번에 MBCFET GAA기술을 적용한 3나노 공정의 파운드리 서비스 또한 세계 최초로 제공하게 됐다”며, “앞으로도 차별화된 기술을 적극 개발하고, 공정 성숙도를 빠르게 높이는 시스템을 구축해 나가겠다
2. GAA?
- 도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널(Channel) 4개면을 게이트(Gate)가 둘러 싸는 형태
- 채널의 3개면을 감싸는 기존 핀펫 구조와 비교해, GAA 기술은 게이트의 면적이 넓어지며 공정 미세화에 따른 트랜지스터 성능 저하를 극복하고 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높이는 차세대 반도체 핵심 기술
- 채널을 얇고 넓은 모양의 나노시트(Nanosheet) 형태로 구현한 독자적 MBCFET GAA 구조도 적용
- 나노시트의 폭을 조정하면서 채널의 크기도 다양하게 변경할 수 있으며, 기존 핀펫 구조나 일반적인 나노와이어(Nanowire) GAA 구조에 비해 전류를 더 세밀하게 조절할 수 있어 고성능·저전력 반도체 설계에 큰 장점
- 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력 45% 절감, 성능 23% 향상, 면적 16% 축소되었고, 이어 GAA 2세대 공정은 전력 50% 절감, 성능 30% 향상, 면적 35% 축소
* High-K Metal Gate: 공정이 미세화 될수록 증가하는 누설전류를 효과적으로 줄일 수 있도록 절연 효과가 높은 High-K 물질을 게이트에 적용하는 기술 (HIGH-K는 증착 소재)
* MBCFET: Multi-Bridge Channel Field Effect Transistor
3. 양산
- 고객사 칩 도입 일정에 따라 차질 없이 양산을 준비할 계획”이라고 밝혔다. 양산 팹은 화성 V1라인과 평택 극자외선(EUV) 라인이 후보
4. 시놉시스
-삼성전자와 3nm 공정 설계 협업
- 시놉시스는 EDA 매출이 전체 매출의 60% 수준 (2021년 기준)
- AI(인공지능), 5G 등 신기술 개발이 자사 실적 증가에 큰 역할을 할 것
- 새로운 고성능 반도체 시장이 커질수록 시놉시스가 보유한 EDA와 IP(설계자산)에 대한 수요가 커질 것
* 팹리스(반도체 설계전문 업체), 파운드리는 각각 또는 공동으로 반도체를 설계하고 개발한다. 이 때 활용하는 게 EDA다. 즉, 반도체를 설계할 때 필수적인 소프트웨어이다. 설계는 물론 검증에도 활용된다. EDA 툴이 훌륭할수록 팹리스의 설계 능력과 팹리스의 설계대로 칩을 만드는 파운드리의 경쟁력이 올라갈 수 밖에 없는 구조
5. EUV 시대에서 ALD는?
- EUV로 패터닝 이후 ALD로 증착.
- ALD라고 하는 거는 atomic layer deposition (원자층증착법)
- ALD, 원자층증착법은 독특한 원리에 의해서 한 층씩 이론적으로는 원자 수준의 두께 정도. 보통은 1옹스트롬 내외 정도 (10억 분의 1m)
6. ALD와 CVD
가) CVD
- CVD를 하게 되면 화학 반응이니까 전구체라고 하는 반응이 되기 전 단계.
- 유기 또는 금속유기화합물 또는 그것과 화학 반응을 필요로 하는 반응 가스. 이 두 가지를 보통 집어넣어서 온도 또는 압력, 그다음 플라즈마들의 에너지들을 더 주면서 박막을 성장
나) ALD
- ALD도 같은 방식
- CVD와 똑같은 전구체, 리액턴트를 가지고 하는데 차이점이 있다면 하나의 챔버 내에 동시에 주입하기보다는 두 개를 분리함
- 두 개를 넣을 때 이것을 시분할 방식
- 시간적으로 분리해서 리액턴트를 먼저 넣어주고 프리커서를 그다음에 텀을 두고 넣어주거나 또는 최근에는 쓰루풋을 좀 높이기 위해서 공간 분할 방식도 있음
- 공간 분할 방식은 컴퓨터 프린터에 잉크젯 헤드처럼 생각하거나 아니면 드럼 롤 같은 것
- 그런 형태들로 공간이 움직이고 그다음에 가스들은 리액턴스나 프리커서들은 계속해서 분사
- 시분할과 공간분할 두 개가 만나는 간격을 떨어뜨려서 표면에서만 만나게. 그게 ALD와 CVD의 근본적인 개념의 차이
* 주성엔지니어링이 시분할 방식.
- CVD와 ALD가 공존하는 공정이지만 새로운 특성을 요구하는 구조에서는 ALD를 사용.
- 작은 구조내에 얇은 두께를 균일하게 하려면 ALD가 필요.
7. 애플리케이션
- D램, 로직, 낸드, 배리어, 게이트 등
- 패터닝 (더블, 쿼드러플 등)을 줄일 수 있음.
삼성전자 GAA 기반 ‘단단’, 경계현 2나노에서 TSMC 기술 추월 노린다
https://www.businesspost.co.kr/BP?command=article_view&num=319468
* 6월 28일자 삼성은 실리콘밸리 ‘삼성 파운드리 포럼 2023’에서 25년 2나노 공정 양산을 시작해 26년 고성능 컴퓨팅, 27년 오토모티브 분야로 확대 하겠다는 로드맵을 발표.
아래 1~4번은 3나노 GAA 당시 자료.
1. 최시영 (파운드리사업부 사장)
삼성전자는 파운드리 업계 최초로 ‘하이-케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate)’, 핀펫(FinFET), EUV 등 신기술을 선제적으로 도입하며 빠르게 성장해 왔고, 이번에 MBCFET GAA기술을 적용한 3나노 공정의 파운드리 서비스 또한 세계 최초로 제공하게 됐다”며, “앞으로도 차별화된 기술을 적극 개발하고, 공정 성숙도를 빠르게 높이는 시스템을 구축해 나가겠다
2. GAA?
- 도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널(Channel) 4개면을 게이트(Gate)가 둘러 싸는 형태
- 채널의 3개면을 감싸는 기존 핀펫 구조와 비교해, GAA 기술은 게이트의 면적이 넓어지며 공정 미세화에 따른 트랜지스터 성능 저하를 극복하고 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높이는 차세대 반도체 핵심 기술
- 채널을 얇고 넓은 모양의 나노시트(Nanosheet) 형태로 구현한 독자적 MBCFET GAA 구조도 적용
- 나노시트의 폭을 조정하면서 채널의 크기도 다양하게 변경할 수 있으며, 기존 핀펫 구조나 일반적인 나노와이어(Nanowire) GAA 구조에 비해 전류를 더 세밀하게 조절할 수 있어 고성능·저전력 반도체 설계에 큰 장점
- 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력 45% 절감, 성능 23% 향상, 면적 16% 축소되었고, 이어 GAA 2세대 공정은 전력 50% 절감, 성능 30% 향상, 면적 35% 축소
* High-K Metal Gate: 공정이 미세화 될수록 증가하는 누설전류를 효과적으로 줄일 수 있도록 절연 효과가 높은 High-K 물질을 게이트에 적용하는 기술 (HIGH-K는 증착 소재)
* MBCFET: Multi-Bridge Channel Field Effect Transistor
3. 양산
- 고객사 칩 도입 일정에 따라 차질 없이 양산을 준비할 계획”이라고 밝혔다. 양산 팹은 화성 V1라인과 평택 극자외선(EUV) 라인이 후보
4. 시놉시스
-삼성전자와 3nm 공정 설계 협업
- 시놉시스는 EDA 매출이 전체 매출의 60% 수준 (2021년 기준)
- AI(인공지능), 5G 등 신기술 개발이 자사 실적 증가에 큰 역할을 할 것
- 새로운 고성능 반도체 시장이 커질수록 시놉시스가 보유한 EDA와 IP(설계자산)에 대한 수요가 커질 것
* 팹리스(반도체 설계전문 업체), 파운드리는 각각 또는 공동으로 반도체를 설계하고 개발한다. 이 때 활용하는 게 EDA다. 즉, 반도체를 설계할 때 필수적인 소프트웨어이다. 설계는 물론 검증에도 활용된다. EDA 툴이 훌륭할수록 팹리스의 설계 능력과 팹리스의 설계대로 칩을 만드는 파운드리의 경쟁력이 올라갈 수 밖에 없는 구조
5. EUV 시대에서 ALD는?
- EUV로 패터닝 이후 ALD로 증착.
- ALD라고 하는 거는 atomic layer deposition (원자층증착법)
- ALD, 원자층증착법은 독특한 원리에 의해서 한 층씩 이론적으로는 원자 수준의 두께 정도. 보통은 1옹스트롬 내외 정도 (10억 분의 1m)
6. ALD와 CVD
가) CVD
- CVD를 하게 되면 화학 반응이니까 전구체라고 하는 반응이 되기 전 단계.
- 유기 또는 금속유기화합물 또는 그것과 화학 반응을 필요로 하는 반응 가스. 이 두 가지를 보통 집어넣어서 온도 또는 압력, 그다음 플라즈마들의 에너지들을 더 주면서 박막을 성장
나) ALD
- ALD도 같은 방식
- CVD와 똑같은 전구체, 리액턴트를 가지고 하는데 차이점이 있다면 하나의 챔버 내에 동시에 주입하기보다는 두 개를 분리함
- 두 개를 넣을 때 이것을 시분할 방식
- 시간적으로 분리해서 리액턴트를 먼저 넣어주고 프리커서를 그다음에 텀을 두고 넣어주거나 또는 최근에는 쓰루풋을 좀 높이기 위해서 공간 분할 방식도 있음
- 공간 분할 방식은 컴퓨터 프린터에 잉크젯 헤드처럼 생각하거나 아니면 드럼 롤 같은 것
- 그런 형태들로 공간이 움직이고 그다음에 가스들은 리액턴스나 프리커서들은 계속해서 분사
- 시분할과 공간분할 두 개가 만나는 간격을 떨어뜨려서 표면에서만 만나게. 그게 ALD와 CVD의 근본적인 개념의 차이
* 주성엔지니어링이 시분할 방식.
- CVD와 ALD가 공존하는 공정이지만 새로운 특성을 요구하는 구조에서는 ALD를 사용.
- 작은 구조내에 얇은 두께를 균일하게 하려면 ALD가 필요.
7. 애플리케이션
- D램, 로직, 낸드, 배리어, 게이트 등
- 패터닝 (더블, 쿼드러플 등)을 줄일 수 있음.
비즈니스포스트
삼성전자 GAA 기반 ‘단단’, 경계현 2나노에서 TSMC 기술 추월 노린다
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Forwarded from AWAKE - 실시간 주식 공시 정리채널
2023.07.17 11:18:12
기업명: 엔비티(시가총액: 1,297억)
보고서명: 기업설명회(IR)개최
일시 : 2023-07-19(14:00)
IR목적: 회사 소개 및 주요 사업현황에 대한 투자자 이해 증진
주요내용:
주요 사업현황 설명 및 질의응답
공시링크: https://dart.fss.or.kr/dsaf001/main.do?rcpNo=20230717900164
회사정보: https://finance.naver.com/item/main.nhn?code=236810
기업명: 엔비티(시가총액: 1,297억)
보고서명: 기업설명회(IR)개최
일시 : 2023-07-19(14:00)
IR목적: 회사 소개 및 주요 사업현황에 대한 투자자 이해 증진
주요내용:
주요 사업현황 설명 및 질의응답
공시링크: https://dart.fss.or.kr/dsaf001/main.do?rcpNo=20230717900164
회사정보: https://finance.naver.com/item/main.nhn?code=236810
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Forwarded from 내가 커버하는 주식
받)
하이브리드 본딩
향후 하이브리드 본딩으로 가면 고도의 정밀함으로 인해 작업이 전공정에서 이루어 지게 되고 여기에 Besi 장비가 가장 앞서가는 것으로 보이는데 뇌피셜이지만 테스가 이번 R&D 투자를 결정한 이유가 이게 아닐까 싶네요.
향후 하이브리드 본딩 관련 기술이나 장비를 국산화에 성공한다면 퀀텀 점프도 가능할 듯.
하이브리드 본딩 관련하여 R&D를 시작했다는 소식이라도 있으면 좋겠네요. 단순히 단기 뉴스로만 볼게 아닌 중요한 방향성으로 보여집니다.
여기서 따라가지 못하면 뒤쳐질 듯.. 하긴 그걸 인지했으니 투자를 저정도로 과감히 했을 듯.
올해 6월 약 636억원을 투입해 연구개발(R&D) 시설 확충.
그래도 테스 들고 가는 이유가 배당과 자사주 지속 매수로 eps 높이주는 것과 장비 국산화 의지치를 보는 건데 하이브리드 본딩은 향후 미세화와 패키징 과정의 핵심이 될 기술로 보여지니 통큰 투자로 꼭 성공했으면 하네요.
https://m.blog.naver.com/noback91/223151319525
하이브리드 본딩 공정 분석
https://m.blog.naver.com/noback91/223149403175
하이브리드 본딩 디일렉 영상 리뷰 및 시사점
#테스
하이브리드 본딩
향후 하이브리드 본딩으로 가면 고도의 정밀함으로 인해 작업이 전공정에서 이루어 지게 되고 여기에 Besi 장비가 가장 앞서가는 것으로 보이는데 뇌피셜이지만 테스가 이번 R&D 투자를 결정한 이유가 이게 아닐까 싶네요.
향후 하이브리드 본딩 관련 기술이나 장비를 국산화에 성공한다면 퀀텀 점프도 가능할 듯.
하이브리드 본딩 관련하여 R&D를 시작했다는 소식이라도 있으면 좋겠네요. 단순히 단기 뉴스로만 볼게 아닌 중요한 방향성으로 보여집니다.
여기서 따라가지 못하면 뒤쳐질 듯.. 하긴 그걸 인지했으니 투자를 저정도로 과감히 했을 듯.
올해 6월 약 636억원을 투입해 연구개발(R&D) 시설 확충.
그래도 테스 들고 가는 이유가 배당과 자사주 지속 매수로 eps 높이주는 것과 장비 국산화 의지치를 보는 건데 하이브리드 본딩은 향후 미세화와 패키징 과정의 핵심이 될 기술로 보여지니 통큰 투자로 꼭 성공했으면 하네요.
https://m.blog.naver.com/noback91/223151319525
하이브리드 본딩 공정 분석
https://m.blog.naver.com/noback91/223149403175
하이브리드 본딩 디일렉 영상 리뷰 및 시사점
#테스
NAVER
하이브리드 본딩 공정 분석(Feat. BESI)
BESI의 자료와 굉장히 부족한 지식을 활용해서 하이브리드 본딩 공정을 상상(?)과 분석을 해보았다. 왜...