ساخت رگولاتور متغیر سوییچینگ 1.8 تا 32 ولت، 3 آمپری @electroscience
منبع تغذیه 12 ولت، 120 میلی آمپری بدون ترانسفورمر @electroscience
✅نانو ال ای دی های جدید با پاسخ نوری:
گروهی از محققان از ایالات متحده آمریکا و کره جنوبی یک نوع منحصر به فرد از نانو ال ای دی ها با سطح روشنایی بی سابقه ای، که بیش از 80000 کاندلا بر مترمربع (واحد روشنایی) می باشد را ساخته اند که می تواند هم به صورت تشخیص دهنده نوری (light detectors) و هم تابنده نوری (light emitters) به کار رود.
این LED های جدید در حدود 50 نانومتر طول و 6 نانومتر قطر دارند که در ساختار آنها نقاط کوانتومی از دو نوع مختلف وجود دارد، که یکی از آنها می تواند شدت تابشی را افزایش دهد و نوع دیگر موجب تولید حاملهای نوری در ال ای دی میشود.
این دستگاه می تواند به حداکثر روشنایی بیش از 80000 کاندلا بر مترمربع با ولتاژ بایاس پایین (در حدود 1.7 ولت) برسد. این ال ای دی ها میتواند در روشنایی صفحه نمایش های با راندمان بالا و روشنایی زیاد استفاده شوند. این تیم تحقیقاتی مدعی شده اند که بازده این ال ای دی ها 80 درصد در روشنایی 1000 کاندلا بر مترمربع با ولتاژ بایاس 2.5 ولت میباشد.
در گزارش آمده در این دستاور، یکی از آزمایشات انجام شده با این ال ای دی ها به این ترتیب بوده است که این نانو ال ای دی ها را به صورت آرایه ای کنار هم قرار دادند و در بایاس معکوس قرار دادند و یک منبع نوری به آن نزدیک میشود و به محض دریافت نور این ال ای دی ها برای مدتی روشن میشوند که به این ال ای دی ها در این کاربرد DNHR-LED میگویند. از کاربردهای آینده DNHR-LED میتوان به موارد زیر اشاره کرد:
-تشخیص دهنده های نوری که به صورت نور پاسخ میدهند.
-تنظیم خودکار نور صفحه نمایش ها در پاسخ به تغییرات نور محیط خارجی
-تصویر برداری مستقیم و یا اسکن در سطح صفحه نمایش
-ارتباط داده ها به صورت Display-to-display
کلیپی در این زمینه نانو ال ای دی ها در ادامه آمده است.
@electroscience
گروهی از محققان از ایالات متحده آمریکا و کره جنوبی یک نوع منحصر به فرد از نانو ال ای دی ها با سطح روشنایی بی سابقه ای، که بیش از 80000 کاندلا بر مترمربع (واحد روشنایی) می باشد را ساخته اند که می تواند هم به صورت تشخیص دهنده نوری (light detectors) و هم تابنده نوری (light emitters) به کار رود.
این LED های جدید در حدود 50 نانومتر طول و 6 نانومتر قطر دارند که در ساختار آنها نقاط کوانتومی از دو نوع مختلف وجود دارد، که یکی از آنها می تواند شدت تابشی را افزایش دهد و نوع دیگر موجب تولید حاملهای نوری در ال ای دی میشود.
این دستگاه می تواند به حداکثر روشنایی بیش از 80000 کاندلا بر مترمربع با ولتاژ بایاس پایین (در حدود 1.7 ولت) برسد. این ال ای دی ها میتواند در روشنایی صفحه نمایش های با راندمان بالا و روشنایی زیاد استفاده شوند. این تیم تحقیقاتی مدعی شده اند که بازده این ال ای دی ها 80 درصد در روشنایی 1000 کاندلا بر مترمربع با ولتاژ بایاس 2.5 ولت میباشد.
در گزارش آمده در این دستاور، یکی از آزمایشات انجام شده با این ال ای دی ها به این ترتیب بوده است که این نانو ال ای دی ها را به صورت آرایه ای کنار هم قرار دادند و در بایاس معکوس قرار دادند و یک منبع نوری به آن نزدیک میشود و به محض دریافت نور این ال ای دی ها برای مدتی روشن میشوند که به این ال ای دی ها در این کاربرد DNHR-LED میگویند. از کاربردهای آینده DNHR-LED میتوان به موارد زیر اشاره کرد:
-تشخیص دهنده های نوری که به صورت نور پاسخ میدهند.
-تنظیم خودکار نور صفحه نمایش ها در پاسخ به تغییرات نور محیط خارجی
-تصویر برداری مستقیم و یا اسکن در سطح صفحه نمایش
-ارتباط داده ها به صورت Display-to-display
کلیپی در این زمینه نانو ال ای دی ها در ادامه آمده است.
@electroscience
This media is not supported in your browser
VIEW IN TELEGRAM
نانو ال ای دی های جدید با پاسخ نوری @electroscience
✅تریستور:
تریستور یک نیمه هادی قدرت است و به صورت یک قطعهٔ چهار لایهای P-N-P-N ساخته میشود که نقش کلید را دارد. تریستورها ۳ پایانهٔ آند، کاتد و گیت دارند. پایهٔ آند با A، کاتد با K و گیت آن با G نمایش داده میشوند که از این میان آند و کاتد به مدار قدرت متصل میشوند و گیت جریان کمتری دارد. تریستورها در دو حالت پایدار روشن و خاموش مورد بهرهبرداری قرار میگیرند.
برای اینکه تریستور در وضعیت هدایت قرار بگیرد باید شرایط زیر برقرار باشد
✳️1-ولتاژ آند نسبت به کاتد مثبت باشد
✳️2-گیت یک پالس مثبت دریافت کند (ولتاژ گیت بیشتر از ولتاژ کاتد شود)
✳️3-برای روشنماندن تریستور جریان آند باید به اندازه کافی زیاد باشد.
مداری که پالس جریان گیت را تولید میکند مدار آتش مینامند. پس از روشنشدن تریستور ولتاژ آند کاتد بسیار ناچیز خواهد شد به طوری که در مقاصد عملی VAK≈0 در نظر میگیرند و میتوان گفت که تریستور در هنگام هدایت تقریباً مانند یک اتصالکوتاه عمل میکند. تریستور بسیار سریع روشن میشود، به مدتزمان لازم برای روشنسازی تریستور زمان روشنسازی میگویند که با ton نمایش داده میشود و حدود ۱ تا ۳ میکروثانیه است. پهنای پالس اعمالی به جریان گیت که برای روشنشدن تریستور استفاده میشود حدود ۱۰ تا ۵۰ میکروثانیه است و دامنهای حدود ۲۰ تا ۲۰۰ میلیآمپر دارد.
برای شکل موجهای متناوب ورودی میتوان محور افقی را برحسب درجه از صفر تا ۳۶۰ تقسیمبندی کرد. اگر شرط مثبتبودن آند نسبت به کاتد برقرار باشد، میتوان پالس اعمالی به گیت را به گونهای تنظیم کرد که در لحظهای بخصوص از شکل موج ورودی تریستور روشن شود که این لحظه معادل زاویهای معین خواهد بود. به این زاویه، زاویه آتش تریستور میگویند. با تعیین زاویه آتش مناسب میتوان مقدار مؤثر ولتاژ خروجی را تغییر داد که در کاربردهای مختلفی استفاده میشود.
اگر به صورت ناگهانی ولتاژ مستقیم زیادی به تریستور اعمال شود، حتی بدون وجود جریان گیت، تریستور ممکن است روشن شود، این پدیده را روشنسازی dv/dt مینامند که ممکن است در عملکرد مدارها مشکل ایجاد کند. برای جلوگیری از این اتفاق از یک مدار حفاظتی) مدار اسنابر مقاومتی-خازنی (RC)) به همراه تریستور استفاده میشود.
به روشهای خاموشکردن تریستور کموتاسیون میگویند. در مدارهای جریان متناوب به علت تغییر خودکار پلاریتهٔ دو سر آند و کاتد تریستور به صورت خودکار خاموش میشود که به این حالت کموتاسیون طبیعی میگویند. در مقابل اگر جریان بالاجبار صفر شود کموتاسیون اجباری رخ داده است.
برای خاموشکردن تریستوری که روشنشده است باید یکی از شرایط زیر برقرار شود:
✳️1.ولتاژ آند نسبت به کاتد منفی شود.
✳️2.جریان عبوری از آند قطع شود (به کمتر از مقدار بحرانی برسد(
اگر تریستور روشن شده باشد، با صفرشدن جریان گیت تریستور خاموش نخواهد شد. در روش اول خاموش کردن تریستور، دو پیوند از سه پیوند آن در گرایش معکوس قرار میگیرند و پیوند سوم گرایش مستقیم خواهد داشت، در این حالت تریستور جریان نشتی کمی از خود نشان میدهد. اگر ولتاژ معکوس بیش از حد زیاد شود و مقدار آن به ولتاژ فروپاشی معکوس برسد، پدیدهٔ بهمنی در تریستور رخ خواهد داد که در صورت محدودنشدن، بر اثر تلفات توان ممکن است به تریستور آسیب برسد. در روش دوم، به جریان بحرانی آند که اگر از آن عبور کنیم تریستور خاموش میشود جریان نگهدارندهمیگویند و آن را با Ih نمایش میدهند؛ در این حالت تریستور به حالت سدکنندهٔ مستقیم بازمیگردد.
در شکل پست نمودار ولت آمپر تریستور نشان داده شده است، اگر جریان گیت تریستور (ig) صفر و ولتاژ اعمالشده به پایهٔ آند بیشتر از کاتد باشد، دو پیوند از سهپیوند نیمههادیهای موجود در تریستور در گرایش مستقیم قرار میگیرند، اما یکی از پیوندها در گرایش معکوس است و تریستور در مقابل جریان مقاومت زیادی از خود نمایش میدهد. اگر افزایش ولتاژ آند نسبت به گیت ادامه پیدا کند، به ولتاژ بحرانی خواهد رسید و تریستور به مرحلهٔ هدایت قوی میرسد. این ولتاژ بحرانی را در تریستور ولتاژ شکست مستقیم یا ولتاژ فروپاشی میگویند. در شکل رو به رو این ولتاژ با VBO نمایش داده شده است. با اعمال جریان به پایانهٔ گیت میتوان ولتاژ فروپاشی مستقیم را کاهش داد و در صورتی که این افزایش به اندازهٔ کافی زیاد باشد ناحیهٔ سد مستقیم به کلی از بین خواهد رفت و تریستور مشابه یک دیود عمل خواهد کرد.
اگر نرخ تغییرات جریان تریستور (di/dt) زیاد باشد، باعث سوختن آن خواهد شد. برای حفاظت تریستور در برابر تغییرات ناگهانی جریان از یک سلف قبل از آن استفاده میکنند. میزان مجاز di/dt توسط کارخانههای سازندهٔ تریستور اعلام میشود. در پست بعدی در مورد درایو تریستور خواهیم گفت...
@electroscience
تریستور یک نیمه هادی قدرت است و به صورت یک قطعهٔ چهار لایهای P-N-P-N ساخته میشود که نقش کلید را دارد. تریستورها ۳ پایانهٔ آند، کاتد و گیت دارند. پایهٔ آند با A، کاتد با K و گیت آن با G نمایش داده میشوند که از این میان آند و کاتد به مدار قدرت متصل میشوند و گیت جریان کمتری دارد. تریستورها در دو حالت پایدار روشن و خاموش مورد بهرهبرداری قرار میگیرند.
برای اینکه تریستور در وضعیت هدایت قرار بگیرد باید شرایط زیر برقرار باشد
✳️1-ولتاژ آند نسبت به کاتد مثبت باشد
✳️2-گیت یک پالس مثبت دریافت کند (ولتاژ گیت بیشتر از ولتاژ کاتد شود)
✳️3-برای روشنماندن تریستور جریان آند باید به اندازه کافی زیاد باشد.
مداری که پالس جریان گیت را تولید میکند مدار آتش مینامند. پس از روشنشدن تریستور ولتاژ آند کاتد بسیار ناچیز خواهد شد به طوری که در مقاصد عملی VAK≈0 در نظر میگیرند و میتوان گفت که تریستور در هنگام هدایت تقریباً مانند یک اتصالکوتاه عمل میکند. تریستور بسیار سریع روشن میشود، به مدتزمان لازم برای روشنسازی تریستور زمان روشنسازی میگویند که با ton نمایش داده میشود و حدود ۱ تا ۳ میکروثانیه است. پهنای پالس اعمالی به جریان گیت که برای روشنشدن تریستور استفاده میشود حدود ۱۰ تا ۵۰ میکروثانیه است و دامنهای حدود ۲۰ تا ۲۰۰ میلیآمپر دارد.
برای شکل موجهای متناوب ورودی میتوان محور افقی را برحسب درجه از صفر تا ۳۶۰ تقسیمبندی کرد. اگر شرط مثبتبودن آند نسبت به کاتد برقرار باشد، میتوان پالس اعمالی به گیت را به گونهای تنظیم کرد که در لحظهای بخصوص از شکل موج ورودی تریستور روشن شود که این لحظه معادل زاویهای معین خواهد بود. به این زاویه، زاویه آتش تریستور میگویند. با تعیین زاویه آتش مناسب میتوان مقدار مؤثر ولتاژ خروجی را تغییر داد که در کاربردهای مختلفی استفاده میشود.
اگر به صورت ناگهانی ولتاژ مستقیم زیادی به تریستور اعمال شود، حتی بدون وجود جریان گیت، تریستور ممکن است روشن شود، این پدیده را روشنسازی dv/dt مینامند که ممکن است در عملکرد مدارها مشکل ایجاد کند. برای جلوگیری از این اتفاق از یک مدار حفاظتی) مدار اسنابر مقاومتی-خازنی (RC)) به همراه تریستور استفاده میشود.
به روشهای خاموشکردن تریستور کموتاسیون میگویند. در مدارهای جریان متناوب به علت تغییر خودکار پلاریتهٔ دو سر آند و کاتد تریستور به صورت خودکار خاموش میشود که به این حالت کموتاسیون طبیعی میگویند. در مقابل اگر جریان بالاجبار صفر شود کموتاسیون اجباری رخ داده است.
برای خاموشکردن تریستوری که روشنشده است باید یکی از شرایط زیر برقرار شود:
✳️1.ولتاژ آند نسبت به کاتد منفی شود.
✳️2.جریان عبوری از آند قطع شود (به کمتر از مقدار بحرانی برسد(
اگر تریستور روشن شده باشد، با صفرشدن جریان گیت تریستور خاموش نخواهد شد. در روش اول خاموش کردن تریستور، دو پیوند از سه پیوند آن در گرایش معکوس قرار میگیرند و پیوند سوم گرایش مستقیم خواهد داشت، در این حالت تریستور جریان نشتی کمی از خود نشان میدهد. اگر ولتاژ معکوس بیش از حد زیاد شود و مقدار آن به ولتاژ فروپاشی معکوس برسد، پدیدهٔ بهمنی در تریستور رخ خواهد داد که در صورت محدودنشدن، بر اثر تلفات توان ممکن است به تریستور آسیب برسد. در روش دوم، به جریان بحرانی آند که اگر از آن عبور کنیم تریستور خاموش میشود جریان نگهدارندهمیگویند و آن را با Ih نمایش میدهند؛ در این حالت تریستور به حالت سدکنندهٔ مستقیم بازمیگردد.
در شکل پست نمودار ولت آمپر تریستور نشان داده شده است، اگر جریان گیت تریستور (ig) صفر و ولتاژ اعمالشده به پایهٔ آند بیشتر از کاتد باشد، دو پیوند از سهپیوند نیمههادیهای موجود در تریستور در گرایش مستقیم قرار میگیرند، اما یکی از پیوندها در گرایش معکوس است و تریستور در مقابل جریان مقاومت زیادی از خود نمایش میدهد. اگر افزایش ولتاژ آند نسبت به گیت ادامه پیدا کند، به ولتاژ بحرانی خواهد رسید و تریستور به مرحلهٔ هدایت قوی میرسد. این ولتاژ بحرانی را در تریستور ولتاژ شکست مستقیم یا ولتاژ فروپاشی میگویند. در شکل رو به رو این ولتاژ با VBO نمایش داده شده است. با اعمال جریان به پایانهٔ گیت میتوان ولتاژ فروپاشی مستقیم را کاهش داد و در صورتی که این افزایش به اندازهٔ کافی زیاد باشد ناحیهٔ سد مستقیم به کلی از بین خواهد رفت و تریستور مشابه یک دیود عمل خواهد کرد.
اگر نرخ تغییرات جریان تریستور (di/dt) زیاد باشد، باعث سوختن آن خواهد شد. برای حفاظت تریستور در برابر تغییرات ناگهانی جریان از یک سلف قبل از آن استفاده میکنند. میزان مجاز di/dt توسط کارخانههای سازندهٔ تریستور اعلام میشود. در پست بعدی در مورد درایو تریستور خواهیم گفت...
@electroscience
آموزش-نرم-افزار-POWER-WORLD.pdf
1.4 MB
آموزش نرم افزار Power World (نرم افزار برق قدرت) @electroscience
Media is too big
VIEW IN TELEGRAM
چهارشنبه سوری را به احترام خودمان و به پاس فداکاري آتش نشانان عزيزمون، آرام برگزار کنیم. ❤️❤️❤️
@electroscience
@electroscience
✅تفاوت 2g ، 3g ، 4g ، 5g و LTE در چیست؟؟
✅در 2g گوشی های موبایل فقط توانایی هایی مانند مکالمه، ارسال پیام کوتاه و کمی هم تبادل دیتا مانند mms دارند.
✅سرعت 3g از 384kbps تا 2mbps امکان پذیر است.
✅مسلما 4g بسیار سریعتر از 3g و بطور متوسط پنج برابر سریعتر از آن است بطور متوسط سرعتی بین 3mbps تا 10mbps دارد.
✅تکنولوژی 5g نسل بعدی 4g است . اپل ، سامسونگ و بدون شک دیگر غول های فناوری در حال کار بر روی توسعه شبکه 5g ( فناوری سیار mmWave) با حداکثر سرعت 1 گیگابیت در ثانیه (1Gbps) هستند. بطوریکه 100 برابر سریعتر از 4g است. به گفته شرکت سامسونگ 5g قادر به ارائه تجربه گیگابیتی در هرکجا برای مشترکین خواهد بود و سرعت ارسال دیتا را در هر ایستگاه تا دهها گیگابایت در ثانیه ممکن می سازد. انتظار می رود این فناوری تا سال 2020 به طول بیانجامد.
✅فناوری LTE مخفف long team evolution است، یک نسل و استاندادرد شبکه های موبایل نیست بلکه شاخه ای از 4g است که به دنبال دستیابی سرعت های تعریف شده در این استاندارد است.
✳️منبع: خانه هوشمند ماز
@electroscience
✅در 2g گوشی های موبایل فقط توانایی هایی مانند مکالمه، ارسال پیام کوتاه و کمی هم تبادل دیتا مانند mms دارند.
✅سرعت 3g از 384kbps تا 2mbps امکان پذیر است.
✅مسلما 4g بسیار سریعتر از 3g و بطور متوسط پنج برابر سریعتر از آن است بطور متوسط سرعتی بین 3mbps تا 10mbps دارد.
✅تکنولوژی 5g نسل بعدی 4g است . اپل ، سامسونگ و بدون شک دیگر غول های فناوری در حال کار بر روی توسعه شبکه 5g ( فناوری سیار mmWave) با حداکثر سرعت 1 گیگابیت در ثانیه (1Gbps) هستند. بطوریکه 100 برابر سریعتر از 4g است. به گفته شرکت سامسونگ 5g قادر به ارائه تجربه گیگابیتی در هرکجا برای مشترکین خواهد بود و سرعت ارسال دیتا را در هر ایستگاه تا دهها گیگابایت در ثانیه ممکن می سازد. انتظار می رود این فناوری تا سال 2020 به طول بیانجامد.
✅فناوری LTE مخفف long team evolution است، یک نسل و استاندادرد شبکه های موبایل نیست بلکه شاخه ای از 4g است که به دنبال دستیابی سرعت های تعریف شده در این استاندارد است.
✳️منبع: خانه هوشمند ماز
@electroscience
راهنمای انتخاب کلیدهای نیمه هادی: FET، BJT، IGBT کدامیک؟ @electroscience
✅ راهنمای انتخاب کلیدهای نیمه هادی: FET، BJT، IGBT کدامیک؟
کلیدهای نیمه هادی قدرت در بسیاری از موارد از لحاظ ویژگی همپوشانی دارند بنابراین یک سوال مهم طراح میتواند این باشد که کدامیک از این کلیدها در طرح بخش قدرت خود بهترین جواب را میدهد و طراحی بهتر با کدام کلید خواهد بود؟
پاسخ به این سوال را میتوان اینگونه داد: " بستگی دارد". اینکه طرح بهینه با کدام کلید حاصل میشود بستگی به هدف بخش قدرت شما دارد، در یک کارکرد بایستی بین جوانب طراحی خود یک مصالحه انجام دهید و محدوده های طراحی خود را بدانید، مثلا اینکه چه توانی ، چه ولتاژی، چه جریانی، چه فرکانس کلیدزنی و ... نیاز دارید و بین این مشخصه ها بر اساس کلیدهای موجود یک مصالحه انجام دهید.
پیوند و حاملهای کانال در یک کلید نیمه هادی میتواند روی مشخصه ی نحوه کنترل پذیری کلید و قابلیت عبور جریانهای مختلف تاثیرگذار باشد. از جمله مشخصات مهم دیگری که در یک کلید مدنظر است مشخصه های di/dt و dv/dt است. اما اگر بخواهیم مشخصه های اصلی برای انتخاب کلید را خلاصه کنیم میتوان به 3 مورد اصلی زیر اشاره کرد:
✳️ ولتاژ کاری
✳️ جریان کاری
✳️ فرکانس کاری
حال مشخصه های هر کلید را به طور خلاصه در ادامه معرفی میکنیم.
✳️ کلیدهای BJT:
از این کلیدها میتوان جریان به خوبی رد کرد و در کاربردهای منابع جریانی میتوانند استفاده شود چرا که در ساختار نیمه هادی حاملهای مثبت و منفی وجود دارد که در عبور جریانهای زیاد کمک میکنند. مزیت اصلی این کلیدها تحمل ولتاژ بالای آنهاست و عیب اصلی این کلیدها فرکانس کلیدزنی آنهاست که پایین است و همچنین درایو این کلیدها نسبتا دشوار است و در کاربردهای جریان بالا به جریان بیس زیادی نیاز است. میتوان به این صورت گفت که در این کلیدها جریان عبوری از کلید تابعی از جریان بیس است بنابراین به این کلیدها، کلیدهای کنترل شده با جریان میگویند.
✳️ کلیدهای FET:
برعکس کلیدهای BJT این کلیدها کنترل شده با ولتاژ هستند و میتوان جریان عبوری از کلید را با ولتاژ گیت کنترل کرد. این کلیدها در کاربردهای زیر ولتاژهای 600 ولت و همچنین جریانهای پایین تر کاربرد دارند چون ساختار نیمه هادی آنها تک حاملی است و نسبتا کلیدهای توان پایین تری هستند. اما مزیت آنها سرعت کلیدزنی شان است که بسیار بالاتر از کلیدهای BJT است.
✳️ کلیدهای IGBT:
این کلیدها هر 2 ویژگی خوب کلیدهای قبلی را دارند، ویژگی اول اینکه این کلیدها نیز مثل FET کنترل شده با ولتاژ هستند و با ولتاژ گیت قابلیت کنترل دارند. ویژگی مثبت دیگر آنها این است که مثل کلیدهای BJT در ساختار آنها برای عبور جریان 2 حاملی هستند و این ویژگی کمک میکند که افت ولتاژ این کلیدها در جریانهای بالا کم باشد و در نتیجه جریان بسیار بیشتر از کلیدهای FET را از خود عبور میدهند. اما از لحاظ سرعت کلیدزنی بالاتر از کلیدهای BJT و پایین تر از کلیدهای FET هستند. از این کلیدها معمولا در کاربرد ولتاژهای بالاتر از 600 ولت استفاده میشود.
در عکس پست مشخصه های اساسی هر یک از این کلیدهای نیمه هادی آمده است. در این پست سعی شد یک مقایسه مختصر و کوتاه بین این کلیدها داشته باشیم در پست های بعدی بیشتر در رابطه با مشخصات این کلیدها توضیح خواهیم داد.
@electroscience
کلیدهای نیمه هادی قدرت در بسیاری از موارد از لحاظ ویژگی همپوشانی دارند بنابراین یک سوال مهم طراح میتواند این باشد که کدامیک از این کلیدها در طرح بخش قدرت خود بهترین جواب را میدهد و طراحی بهتر با کدام کلید خواهد بود؟
پاسخ به این سوال را میتوان اینگونه داد: " بستگی دارد". اینکه طرح بهینه با کدام کلید حاصل میشود بستگی به هدف بخش قدرت شما دارد، در یک کارکرد بایستی بین جوانب طراحی خود یک مصالحه انجام دهید و محدوده های طراحی خود را بدانید، مثلا اینکه چه توانی ، چه ولتاژی، چه جریانی، چه فرکانس کلیدزنی و ... نیاز دارید و بین این مشخصه ها بر اساس کلیدهای موجود یک مصالحه انجام دهید.
پیوند و حاملهای کانال در یک کلید نیمه هادی میتواند روی مشخصه ی نحوه کنترل پذیری کلید و قابلیت عبور جریانهای مختلف تاثیرگذار باشد. از جمله مشخصات مهم دیگری که در یک کلید مدنظر است مشخصه های di/dt و dv/dt است. اما اگر بخواهیم مشخصه های اصلی برای انتخاب کلید را خلاصه کنیم میتوان به 3 مورد اصلی زیر اشاره کرد:
✳️ ولتاژ کاری
✳️ جریان کاری
✳️ فرکانس کاری
حال مشخصه های هر کلید را به طور خلاصه در ادامه معرفی میکنیم.
✳️ کلیدهای BJT:
از این کلیدها میتوان جریان به خوبی رد کرد و در کاربردهای منابع جریانی میتوانند استفاده شود چرا که در ساختار نیمه هادی حاملهای مثبت و منفی وجود دارد که در عبور جریانهای زیاد کمک میکنند. مزیت اصلی این کلیدها تحمل ولتاژ بالای آنهاست و عیب اصلی این کلیدها فرکانس کلیدزنی آنهاست که پایین است و همچنین درایو این کلیدها نسبتا دشوار است و در کاربردهای جریان بالا به جریان بیس زیادی نیاز است. میتوان به این صورت گفت که در این کلیدها جریان عبوری از کلید تابعی از جریان بیس است بنابراین به این کلیدها، کلیدهای کنترل شده با جریان میگویند.
✳️ کلیدهای FET:
برعکس کلیدهای BJT این کلیدها کنترل شده با ولتاژ هستند و میتوان جریان عبوری از کلید را با ولتاژ گیت کنترل کرد. این کلیدها در کاربردهای زیر ولتاژهای 600 ولت و همچنین جریانهای پایین تر کاربرد دارند چون ساختار نیمه هادی آنها تک حاملی است و نسبتا کلیدهای توان پایین تری هستند. اما مزیت آنها سرعت کلیدزنی شان است که بسیار بالاتر از کلیدهای BJT است.
✳️ کلیدهای IGBT:
این کلیدها هر 2 ویژگی خوب کلیدهای قبلی را دارند، ویژگی اول اینکه این کلیدها نیز مثل FET کنترل شده با ولتاژ هستند و با ولتاژ گیت قابلیت کنترل دارند. ویژگی مثبت دیگر آنها این است که مثل کلیدهای BJT در ساختار آنها برای عبور جریان 2 حاملی هستند و این ویژگی کمک میکند که افت ولتاژ این کلیدها در جریانهای بالا کم باشد و در نتیجه جریان بسیار بیشتر از کلیدهای FET را از خود عبور میدهند. اما از لحاظ سرعت کلیدزنی بالاتر از کلیدهای BJT و پایین تر از کلیدهای FET هستند. از این کلیدها معمولا در کاربرد ولتاژهای بالاتر از 600 ولت استفاده میشود.
در عکس پست مشخصه های اساسی هر یک از این کلیدهای نیمه هادی آمده است. در این پست سعی شد یک مقایسه مختصر و کوتاه بین این کلیدها داشته باشیم در پست های بعدی بیشتر در رابطه با مشخصات این کلیدها توضیح خواهیم داد.
@electroscience
انواع هیت سینکها و نحوه انتخاب.pdf
554.9 KB
انواع هیت سینکها و نحوه انتخاب @electroscience
This media is not supported in your browser
VIEW IN TELEGRAM
سال نو همگی مبارک ، سالی پر از شادی، سلامتی و موفقیت و امنیت و آرامش برای همه
This media is not supported in your browser
VIEW IN TELEGRAM
آموزش سریع نرم افزار PSIM (نرم افزار الکترونیک قدرتی) @electroscience