골드만삭스) 2026년 디램/낸드 전망

1. 범용 메모리 (범용 D램 및 낸드)
우리는 범용 D램과 낸드가 주로 강력한 AI 서버 수요에 힘입어 견조한 수요 성장을 보일 것으로 예상합니다. 그러나 업계 전반의 공급 제약으로 인해 두 제품 모두 공급 부족 현상을 겪을 것이며, 이는 올해 내내 유의미한 가격 상승으로 이어질 것입니다.

업계 관계자들과의 대화에 따르면, 미국 하이퍼스케일러들은 올해 AI 및 일반 서버 구축을 위해 상당한 물량의 범용 메모리를 요구하고 있습니다. 여기에 더해 SOCAMM의 채택 확대(올해 약 200억 Gb 수요 예상, 전년 대비 +300%)가 범용 D램의 수요 성장을 추가로 견인할 것으로 예상됩니다. 또한 HDD 부족 현상은 기업용 SSD(eSSD) 낸드의 수요 성장을 뒷받침할 것입니다.

강력한 수요 성장 전망에도 불구하고 공급은 여전히 제한적입니다. 우리가 확인한 모든 공급업체의 재고 수준은 정상 수준에서 감소하고 있으며, 주요 공급업체의 제한된 클린룸 공간으로 인해 신규 웨이퍼 생산 능력 증설도 제한적입니다. 따라서 공급 증가가 수요 증가를 따라가지 못해 올해 공급이 더욱 타이트해질 것으로 보이며, 이는 공급업체들의 가격 협상에 유리한 조건을 제공할 것입니다.

2. HBM (고대역폭 메모리)
GPU와 ASIC(주문형 반도체) 모두에 대한 강력한 수요로 인해 HBM 수요는 전년 대비 61% 증가할 것으로 예상합니다. 평균판매단가(ASP) 측면에서는 업계 전반의 HBM ASP가 전년 대비 11% 하락할 것으로 봅니다. 이는 경쟁 심화로 인해 올해 주류 제품으로 자리 잡을 12단 HBM3E의 가격이 전년 대비 의미 있게 하락할 가능성이 높기 때문입니다. 결과적으로 올해 HBM 전체 시장 규모(TAM)는 전년 대비 44% 증가하여 500억 달러에 이를 것으로 예상합니다.

3. 주요 논쟁점과 당사의 관점
범용 메모리 가격 상승 폭 투자자 대부분이 올해 범용 메모리의 가격 상승 추세에는 동의하고 있으며, 그 상승 폭이 주요 논쟁점이 될 것입니다. 삼성전자(SEC)의 범용 D램 전분기 대비(QoQ) 가격 상승률은 25년 4분기부터 26년 4분기까지 각각 +49% / +56% / +10% / +7% / +2%로 예상합니다. 낸드의 경우 같은 기간 동안 +32% / +35% / +15% / +5% / +3%를 기록할 것으로 전망합니다.

HBM 경쟁 구도 올해 HBM 경쟁 구도는 더욱 심화될 것으로 보입니다. 12단 HBM3E는 엔비디아가 사용하는 '주류' HBM 시장에서 3대 주요 공급사(SK하이닉스, 삼성전자, 마이크론)가 모두 경쟁하는 첫 번째 제품이 될 것이기 때문입니다. 또한, 삼성전자가 엔비디아와의 HBM4 인증(qualification)을 순조롭게 진행 중이며 ASIC 시장에서 강력한 입지를 유지하고 있다는 보도가 있습니다. 이에 따라 삼성전자는 2025년의 시장 점유율 하락 이후 강력한 HBM 매출 성장과 일부 점유율 회복을 보일 것으로 예상됩니다. 하지만 SK하이닉스가 약 55%의 시장 점유율로 업계 리더십을 유지할 것으로 전망합니다.

4. 촉매제 및 주목해야 할 주요 이벤트
올해 면밀히 모니터링해야 할 주요 촉매제와 이벤트는 다음과 같습니다.
1) 미국 하이퍼스케일러들의 설비투자(Capex) 계획
2) 범용 메모리 현물 및 고정거래 가격 추이
3) HBM 공급업체들의 엔비디아 향 HBM4 인증 및 양산 일정
4) 메모리 비용 상승에 따른 스마트폰/PC 생산 및 수요 전망 변화
5) 잠재적인 SK하이닉스의 미국 ADR(주식예탁증서) 상장