НТ-МДТ – Telegram
НТ-МДТ
507 subscribers
422 photos
7 videos
54 files
153 links
Официальный канал группы компаний "НТ-МДТ" — российского разработчика и производителя оборудования для высокоточных исследований поверхностей и химического состава материалов.

Узнать о нас больше: https://ntmdt-russia.com/
Download Telegram
📈 Рисунок 1 — (а) СТМ-изображение линейных цепочек хлора, растущих в ГЦК-доменах на Au(111), после адсорбции Cl2 при 300 К. Два типа упаковки атомов хлора: указаны ГЦК-ГЦК (А) и ГЦК-мостик (B);
(b) СТМ-изображение линейной структуры из (а), показанное с большим увеличением. На СТМ-изображение наложена гексагональная сетка, обозначающая решетку Au(111)-(1x1);
(c) СТМ-изображение, показывающее зарождение нанопор;
(d), (e) СТМ-изображения, демонстрирующие реконструкцию цепочечной структуры в процессе адсорбции хлора; (d) 0,01 ML; (e) 0,08 ML;
📈 Рисунок 2 — СТМ-изображения (200–200 Å2, 5 К) пористых структур, образовавшихся на поверхностях Au(111) (а), Cu(111) (b) и Ag(111) (c) после адсорбции Cl2 при 300 К


🔜 Следите за нашими обновлениями — скоро выложим вторую часть обзора этой статьи!
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
4👍2🔥1
Surface Science Reports 73 (2018) 83.pdf
17.2 MB
Оригинальная статья для ознакомления⬆️
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
6
#статья

📆 Завтра начинается новая рабочая неделя, а сегодня мы выкладываем продолжение обзора статьи Константина Николаевича Ельцова!

⬅️В предыдущей части мы писали о росте субмонослойных пленок галогена на чистых металлических поверхностях и о том, как сканирующая туннельная микроскопия (СТМ) способна пролить свет на механизм их роста. Сегодня же рассмотрим другой класс систем — пленки галогенидов, нанесенные на металлические поверхности.

На первой стадии осаждение галогенида металла на поверхность монокристалла того же металла может привести к распаду молекулы галогенида и образованию монослоя хемосорбированного галогена.

Как утверждают в статье К.Н. Ельцов и его коллеги, такой сценарий реализуется в случае осаждения AgCl на Ag(111), Ag(100) и осаждения CuCl2 на Cu(100). Дальнейшее осаждение молекул галогенидов даже в этих случаях приводит к росту галогенидной пленки на поверхности.

➡️ Щелочно-галогенидные пленки на металлах являются простейшими системами, изученными методами сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) и бесконтактной атомно-силовой микроскопии (NC-AFM). Совместное использование методов СТМ и NC-AFM в этих исследованиях выглядит весьма результативным.

✏️ В статье К.Н. Ельцова описано получение первых изображений с атомным разрешением пленки NaCl, осажденной на поверхность Al(111) при комнатной температуре (см. рисунки 1 а и b). По СТМ-изображению, показанному на рисунке 1 а, островки хлорида натрия следуют «ковровому» росту по ступеням поверхности. Анализ изображений атомного разрешения показывает, что СТМ в этом случае может различать только ионы хлора. Однако в других исследованиях, ссылки на которые приводятся в статье К.Н. Ельцова, была продемонстрирована одновременная визуализация атомов щелочи и галогена в плотную гексоганальную упаковку - в областях поверхности NaCl/Au(111) с использованием функционализированной иглы СТМ. Рост галогенидов щелочных металлов на этих металлах также может давать характерные муаровые картины, видимые в СТМ (рисунок 1 c и d).
📏📏📏📏📏📏📏📏📏📏📏
К.Н. Ельцов с коллегами исследовали рост NaCl на вицинальной поверхности Cu(210) с помощью СТМ. Эксперименты проводились при комнатной температуре и при температуре роста 95°С. В итоге было установлено, что нанесение хлорида натрия NaCl приводит к трансформации исходной плоской поверхности в систему граней (311) и (111), причем пленка NaCl селективно растет на грани (331) (см. рисунок 2 а). Когда же NaCl был нанесен на изогнутую поверхность Cu(532), СТМ-изображения показали регулярный двумерный массив трехсторонних пирамид (рисунок 2 b). Только две грани пирамид оказались покрыты хлоридом натрия.

Низкотемпературное осаждение галогенидов щелочных металлов непосредственно на эти металлы приводит к росту фрактальных островков. На рисунке 3 показаны СТМ-изображения, полученные после осаждения LiF на Ag(111) при 77 К. Зарождение молекул LiF происходило как на верхней, так и на нижней стороне краев ступеней, в отличие от роста металл по металлу.
🟡🟡🟡🟡🟡🟡🟡🟡🟡🟡🟡
В 1999 году Бенневиц с соавторами применили NC-AFM для исследования пленки NaCl на Cu(111) и получили изображения атомного разрешения.
Также тонкие пленки галогенидов щелочных металлов на металлах исследовались методом зондовой силовой микроскопии Кельвина (KPFM). Метод KPFM позволяет измерять изменения работы выхода металлических подложек, вызванные адсорбцией тонкой изолирующей пленки. Изменение работы выхода было измерено для LiCl, NaCl, KCl, RbCl на Au(111), для пленок NaCl и KBr на Cu(111) и для пленок KBr на Ag(111).
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
3👍1🔥1
📈 Рисунок 1 — СТМ-изображение (490–430 Å2; 1,2 В; 0,61 нА) частично однослойного и двухслойного островка NaCl (обозначено 1ML и 2 ML соответственно), лежащего над краем ступеньки подложки Al(111); (b) атомно-разрешенная часть (100,75 Å2; 1,2 В; 0,61 нА) изображения (а), показывающая части одинарного и двойного слоев; (c) СТМ-изображение (300–300 нм2), показывающее островки NaCl, выращенные на Ag(100) с ориентацией 0 и 45; (d) СТМ-изображение (25–25 нм2), демонстрирующее атомные детали муара e-подобного рисунка из (c);
📈 Рисунок 2 — (а) СТМ-изображение (120–80 Å2) при покрытии 0,1 ML, демонстрирующее селективный рост NaCl на грани (311) (в центре); гофрирование (справа и слева) показывает область поверхности Cu(211) и собственные медные ступеньки вицинальной грани (111), которая на этой стадии ориентирована (533). Нижняя панель (а) показывает соответствующее линейное сканирование, перпендикулярное направлению внутреннего шага;
(b) СТМ-изображение реорганизованной поверхности после выращивания; 0,6 ML при 600 К (3150–3150 Å2), демонстрирующий три четко выраженные ориентации граней; на вставке (100–100 Å2) показано, что грани B и C покрыты NaCl с концевыми (100), тогда как грань A все еще представляет собой голую медь;
📈 Рисунок 3 — СТМ-изображение (q = 0,44 ML, 3000 3000 Å2, 6 К), демонстрирующее фрактальный рост островков LiF, образовавшихся на Ag(111) после осаждения при 77 К
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
👍32🔥2
#дайджест #лекции

🔥 ПОСЛЕДНЯЯ ЗИМНЯЯ ЛЕКЦИЯ В НАШЕМ ЦЗМ AFM Centre! 🔥

🐾 О чем же мы поговорим на этот раз?

Тема лекции: Безапертурная сканирующая микроскопия ближнего оптического поля (ASNOM)
Наш лектор: д. ф.-м. н. Казанцев Дмитрий Всеволодович (ВШЭ)

💜💜💜💜💜💜💜💜💜💜💜💜
На лекции будут рассмотрены принципы работы микроскопа ближнего оптического поля. В этом приборе взаимодействие исследуемого объекта и электромагнитного поля сконцентрировано в зазоре между поверхностью и остриём иглы, имеющим размер 10-30 нм.
Метод позволяет преодолеть предел пространственного разрешения обычной микроскопии, задаваемый пределом Аббе (аналогом соотношения неопределенности в квантовой механике).
💜💜💜💜💜💜💜💜💜💜💜💜

С нетерпением ждём вас в нашем Центре 🥰

🎞 А онлайн-участников за 5 минут до начала трансляции будет ждать ссылка для подключения

📆 29 февраля 17:15
📍 Университет ИТМО, Санкт-Петербург, ул. Ломоносова 9, аудитория 2222, ЦЗМ AFM Centre
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
3👍2🔥1
#статья

☕️ Доброе утро, друзья! ☕️

Пока мы все с нетерпением ждём выступления Дмитрия Всеволодовича Казанцева в этот четверг, предлагаем вам ознакомиться с разбором одной из его статей 🦈

🐾 Сканирующая микроскопия ближнего поля (SNOM - Scanning Near-field Optical Microscopy) — это метод, позволяющий обойти оптические ограничения получения изображения и достичь разрешающей способности в нанометры.

Существует два вида микроскопии ближнего оптического поля:
📎 апертурная ближнепольная микроскопия
📎 безапертурная ближнепольная микроскопия (ASNOM - Apertureless SNOM)

В статье Д.В. Казанцева речь идёт об ASNOM как о перспективном методе исследования оптических свойств поверхности с нанометровым разрешением.

➡️ Основной идеей безапертурной сканирующей оптической микроскопии (SNOM) является использование заостренного отрезка проводника, аналогичного штыревой антенне в классической радиотехнике, для достижения соответствия между электромагнитными процессами в исследуемом нанообъекте и полями обычных электромагнитных волн оптического диапазона. Для этих целей в атомно-силовом микроскопе (АСМ) применяется сканирующая игла, которая выступает в роли указанного отрезка проводника.

➡️ Электрические колебания в проводнике (как чисто дипольные колебания электронной плотности, так и более сложные плазмонные возбуждения) легко излучают световые волны в окружающее пространство и, в свою очередь, могут быть легко возбуждены электромагнитными волнами, прилетающими на такую антенну извне. Будучи поднесённым к исследуемому объекту (нанокристаллу, вирусу, отдельной молекуле) на достаточно малое расстояние, зонд-антенна вступает с объектом в электромагнитное взаимодействие через "ближние", в основном электрические, поля. Эти ближние поля не излучаются в окружающее пространство (слабо взаимодействуют с полями распространяющихся электромагнитных волн), и таким образом, без помощи зонда-антенны не могут быть оптически возбуждены или зарегистрированы извне. Однако ближние поля обеспечивают весьма эффективную связь исследуемого объекта с электрическими колебаниями в металле зонда (щель между зондом и образцом действует подобно конденсатору в классической радиотехнике).

Пространственное разрешение такого прибора (0,8 нм, 1 нм, 10 нм, 50 нм) определяется радиусом острия на кончике металлического зонда и практически не зависит от длины волны.

➡️ Излучательным (волновым) модам электромагнитного поля просторно вокруг иглы, безызлучательным (ближнепольным) модам тесно под остриём, как и должно быть.

➡️ В качестве такой иглы-антенны выступают кремниевые кантилеверы, подобные используемым для ACM, поверхность которых покрывают металлом (например платиной).

🔔 ASNOM позволяет получать контрастные изображения различных материалов (отличающихся диэлектрической проницаемостью на оптической частоте), что продемонстрировано на рисунке 1. На рисунке приведено ASNOM-изображение тестовой решетки из квадратиков SiO2, сформированных на поверхности кремниевой подложки. Различие диэлектрической проницаемость Si и SiO2 (12 и 3.9 соответственно) обеспечивает высокий контраст получаемого изображения.

➡️ Чувствительность метода ASNOM к значению диэлектрической проницаемости образца позволяет различать области полупроводника с различным уровнем легирования (рисунок 2).
Кремниевая пластина, на поверхности которой сформирована решетка параллельных полос легирования, была отсканирована “с торца”. Подложка была распилена перпендикулярно поверхности, и образовавшийся “скол”, соответствующий сечению исходного образца, был помещен для сканирования в s-SNOM.

➡️ Также, метод позволяет получать контрастные изображения поверхности, области которой отличаются коэффициентом поглощения на рабочей длине волны и коэффициентом термического расширения (рисунок 3).
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
🌭4👍1🔥1
📈 Рисунок 1 — Топографическое изображение и амплитуда рассеянной иглой ASNOM волны для решетки TGQ‑01, представляющей собой сетку квадратиков SiO2 на подложке Si
📈 Рисунок 2 — Сечение (слева), топографическое изображение (T) амплитуда (A) и фаза (P) рассеянной иглой ASNOM волны для двух склеенных вместе поперечных сколов кремниевой пластины (левая часть рисунка), на поверхности которой сформирована решетка легированных областей
📈 Рисунок 3 — Топографическое изображение (T) и амплитуда термомеханического отклика (X) на оптический сигнал для частиц полистирола (PS) в поливинилацетате (PVAC). Длина волны 10.8 мкм соответствует линии поглощения полистирола. Частота модуляции CO2 лазера 20 кГц
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
🆒42🔥1
Источники:

Казанцев Д. В. и др. СКАНИРУЮЩИЙ БЕЗАПЕРТУРНЫЙ МИКРОСКОП БЛИЖНЕГО ОПТИЧЕСКОГО ПОЛЯ-ПРИБОР ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОВЕРХНОСТИ С НАНОМЕТРОВЫМ РАЗРЕШЕНИЕМ //Известия Российской академии наук. Серия физическая. – 2017. – Т. 81. – №. 12. – С. 1709-1714

Казанцев Д. В. и др. Безапертурная микроскопия ближнего оптического поля //Успехи физических наук. – 2017. – Т. 187. – №. 3. – С. 277-295.
1
#дайджест #лекции

🔥УЖЕ ЗАВТРА ВЕСНА, А ПОКА...🔥

Напоминаем , что сегодня в нашем ЦЗМ AFM Centre выступит Казанцев Дмитрий Всеволодович (ВШЭ) с лекцией на тему «Безапертурная сканирующая микроскопия ближнего оптического поля (ASNOM) ».

📩 Приходите к нам в ЦЗМ AFM Centre или подключайтесь онлайн

🧑‍💻 Ссылку для подключения пришлём в 17:00

🗓 29 февраля 17:15
📍 Университет ИТМО, Санкт-Петербург, ул. Ломоносова 9, аудитория 2222, ЦЗМ AFM Centre

⚡️До встречи на лекции, дорогие друзья!⚡️
3👏2👍1🔥1
🔤🔤🔤🔤🔤🔤🔤
🔤🔤🔤🔤🔤🔤🔤


👀 В последнее время мы делаем разборы достаточно больших статей. И эти разборы сами получаются очень объемными.

🧐 Хотим поинтересоваться, интересно ли вам читать такие большие обзоры или нам стоит их сократить?


Голосуйте в опросе👇
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
2🔥2
#статья

☀️ДОБРОГО ДНЯ, ДРУЗЬЯ☀️

Спасибо всем, кто голосовал в предыдущем посте, вы нам очень помогли ❤️
Учитывая мнение наших читателей, мы перейдем к новому формату разборов статей: краткая аннотация в посте + подробный разбор по ссылке в telegra.ph 🔍

👇ТАК ЧТО...

🛸 Мы подготовили для вас обзор статьи нашего следующего лектора — Мочалова К.Е.


Речь пойдет про интеграцию атомно-силовой микроскопии с другими методами исследований и разработке экспериментальной установки «Система зондово-оптической 3D корреляционной микроскопии», с помощью которой было изучено формирование анизотропных особенностей поверхности полимеров.


https://telegra.ph/Obzor-stati-Mochalova-KE-03-06
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
6👍2🤩2🔥1
#дайджест #лекции

🔥НОВАЯ ЛЕКЦИЯ УЖЕ В ЭТОТ ЧЕТВЕРГ🔥

🐾 О чем же мы поговорим на этот раз?

Тема лекции: Корреляционная 3D-ультраструктурная микроспектроскопия
Наш лектор: Мочалов Константин Евгеньевич (ИБХ РАН)

💜💜💜💜💜💜💜💜💜💜💜💜
На лекции будут рассмотрены наиболее популярные и востребованные методы ультраструктурной микроскопии. Для каждого из представленных методов будут приведены примеры подходов для восстановления 3D-ультраструктурной информации. Отдельное внимание будет уделено коррелятивным подходам, нацеленным на синергетическое объединение возможностей сканирующей-зондовой и оптической микроскопии. В качестве наглядного примера будет подробно разобрана методика Оптико-Зондовой Нанотомографии.
💜💜💜💜💜💜💜💜💜💜💜💜

С нетерпением ждём вас в нашем Центре 🥰

🎞 А онлайн-участников за 10 минут до начала трансляции будет ждать ссылка для подключения

📆 14 марта в 17:15
📍 Университет ИТМО, Санкт-Петербург, ул. Ломоносова 9, аудитория 2222, ЦЗМ AFM Centre
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
4🔥2👍1