2024.01.31 17:04:41
기업명: 대주전자재료(시가총액: 1조 697억)
보고서명: 신규시설투자등

*투자구분 및 목적
- 신규시설투자
- 이차전지용 실리콘 음극재 제조시설 확대에 따른 사무실및 복지시설 확충

투자금액 : 192억
자본대비 : 15.89%

투자시작 : 2024-01-31
투자종료 : 2025-04-30
투자기간 : 1.2년

공시링크: https://dart.fss.or.kr/dsaf001/main.do?rcpNo=20240131900900
회사정보: https://finance.naver.com/item/main.nhn?code=078600

2024.01.31 16:32:52
기업명: 유진테크(시가총액: 9,671억)
보고서명: 매출액또는손익구조30%(대규모법인은15%)이상변동

재무제표 종류 : 연결

매출액 : 706억(예상치 : 756억)
영업익 : 54억(예상치 : 67억)
순이익 : 45억(예상치 : 71억)

**최근 실적 추이**
2023.4Q 706억/ 54억/ 45억
2023.3Q 503억/ 7억/ 18억
2023.2Q 781억/ 85억/ 82억
2023.1Q 775억/ 97억/ 108억
2022.4Q 574억/ 15억/ -15억

* 변동요인
- 반도체 소자업체의 투자축소 및 지연으로 인한 매출 감소 - 신규장비에 대한 R&D 비용 증가로 인한 영업이익 감소

공시링크: https://dart.fss.or.kr/dsaf001/main.do?rcpNo=20240131900705
회사정보: https://finance.naver.com/item/main.nhn?code=084370

2024.01.31 16:51:51
기업명: 유진테크(시가총액: 9,671억)
보고서명: 현금ㆍ현물배당결정

배당구분 : 결산배당( 현금 )

* 배당금
보통주 : 200원(현재가43,500원)
기타주 :

* 배당률
보통주 : 0.5%
기타주 :

기준일 : 2023-12-31
지급일 : -

공시링크: https://dart.fss.or.kr/dsaf001/main.do?rcpNo=20240131900773
회사정보: https://finance.naver.com/item/main.nhn?code=084370

[한투증권 채민숙/조수헌] 유진테크 4Q23 Review: 24년에도 이어질 공정 전환 수혜

● 4분기 실적은 컨센서스를 하회
- 매출액 706억원(+40% QoQ, +23% YoY), 영업이익 53억원(+641% QoQ, +247% YoY)으로 컨센서스 매출액 762억원과 영업이익 68억원을 각각 7%, 22% 하회
- 수주가 늘어나 매출이 증가함에도 불구하고 이익률이 곧바로 회복되지 않는 것은 고객사들이 비용 절감을 위해 장비 이설과 개조를 요구해 ASP가 신규 장비 매출 대비 낮게 인식되기 때문
- 그러나 24년 비중이 증가하는 DRAM 선단 공정으로는 신규 장비가 필요. CAPEX 집행이 본격화되는 1분기 이후 신규 장비 비중 증가 예상
- 3분기까지 신규 발주 없었던 국내 고객사향 수주 증가 및 매출 인식이 시작됨
- 메모리 업황 부진으로 한 개 고객사에 집중되었던 매출 비중이 4분기에는 50:30:20으로 고르게 분포

● DRAM, NAND 공정 전환 수혜 예상, 매수 추천
- DRAM 3사 모두로부터 장비 발주 증가. 또한 고객사들은 장비 입고 일정을 앞당겨줄 것을 요구 중. 동사의 24년 연간 매출 가이던스 상향 가능성 높을 것
- DRAM 뿐 아니라 NAND에서도 주요 고객사 공정 전환 수요가 발생할 것
- 선단 공정으로의 공정 전환으로 ASP가 높은 QXP Metal ALD 장비 매출이 지속 증가해 전사 영업이익률이 개선될 것
- CAPEX 집행은 24년 점진적으로 확대될 것으로 전망. 따라서 동사 매출 또한 상저하고의 흐름을 보일 것으로 예상함
- 목표주가 56,000원(12MF EPS에 목표PER 23배 적용) 유지, 투자의견 매수와 비중확대 제시

본문: https://buly.kr/uRI4aO
텔레그램: https://news.1rj.ru/str/KISemicon

1분기부터 선단쪽 장비 입고가 본격화되는군요

#유진테크

3D D램 대응 가능한 국내 유일 장비사

2024년 D램/낸드 전공정 투자는 신규증설보다 선단공정으로의 전환 투자가 예상되는 가운데 유진테크는 글로벌 메모리
3사 전환 투자 모두 장비가 들어갈 것으로 예상됨.

고객사의 3D D램 연구개발도 본격 확대되고 있는 만큼 유진테크의 수혜가 예상

4Q23 Review: 전환 투자 위주 매출 /
성과급 지급으로 예상치 하회

유진테크의 2023년 4분기 실적은 매출액 706억원 (+23% YoY, +40% QoQ), 영업이익
53억원 (+247% YoY, +641% QoQ, 영업이익률 7.5%)을 기록해 컨센서스를 하회

전환 투자는 신규 증설보다 단위당 매출액이 10-15% 감소하는데 전환 투자 위주의 매출 발생으로 약 10%의 매출액이 하락했고, 성과급 발생에 따른 판관비 증가가 원인으로 추정됨

2024년 실적: 상저하고

긍정적인 부분은 4분기에 특정 고객사 위주의 매출 발생이 예상됐던 것과 달리 메모리 3사 모두 고른 매출 비중을 보여 고객사들의 투자가 일부 재개된 것으로 추정됨

따라서 2024년 실적은 전년 대비 상승한 매출액 3,253억원 (+18% YoY), 영업이익 358억원 (+47% YoY, 영업이익률
11%)을 기록할 전망
상반기보다 하반기에 고객사 투자가 집중돼 상저하고의 실적 흐름이 전망됨

3D D램용 R&D 장비 납품

D램 기술의 방향성은 마이그레이션을 통해 원가절감임.

하지만 공정 미세화는 2D D램의 구조상 9나노부터 한계에 봉착할 것으로 예상돼 3D D램에 대한 연구가 활발히 진행되고 있음.

삼성전자는 최근 3D D램 R&D 조직을 신설했으며, SK하이닉스와 마이크론 역시 장비사들과 협력해 3D D램에 대한 연구를 진행하고 있음.

3D D램을 대응할 수 있는 국내 장비사는
유진테크가 유일하며, 해외 장비사로는 어플라이드 머티리얼즈, 램리서치가 있음.

유진테크는 3D D램용 R&D 장비를 이미 납품한 것으로 추정돼 중장기적인 수혜를 전망함.

#삼성전자

당분간 보수적 관점 권고

반도체, VD/가전 부문 주도로 4Q23 실적 부진

동사 4Q23 실적 부진은 반도체, VD/가전 부문이 이끈 것으로 보임. Memory 반도체 부문에서는 DRAM, NAND 모두 30%대 중반의 높은 출하율이 기록됨

다만, 오래된 재고의 판매 증가에 따라 ASP 상승률이 DRAM 13%, NAND 9%에 머문 것으로 보임.

4Q23에 DRAM 부문은 10% 수준의 영업 흑자로 전환되고 NAND 부문에서는 영업적자율이 30% 수준으로 판단됨.

Sys LSI 부문에서는 당초 기대보다는 약한 수요에 따라 가동률 및 실적이 전분기 대비 추가 둔화된 것으로 보임.

1Q24 영업이익 4.7조원으로 개선 예상

당사가 예상하고 있는 1Q24 매출과 영업이익은 72.9조원과 4.7조원임.

DRAM, NAND 부문에서는 4Q23의 역기저 효과에 따라 1Q24 출하량이 전분기 대비 감소할 것이나, ASP는 DRAM 10%대 초중반, NAND 20% 가량의 상승이 가능할 전망임.

1Q24 DRAM OPM은 19%, NAND 영업적자율은 12%로 축소되어, Memory 반도체 부문 전체적으로 0.66조원 가량의 흑자로 전환될 것으로 예상함.

MX/네트워크 부문에서도 갤럭시 S24 등 고가폰을 포함한 스마트폰 출하 증가에 따라 이익 증가가 기대됨

#삼성전자


단, Sys LSI 부문에서는 선단 공정 가동률 상승에도 불구하고 비수기 진입과 고객사 재고 감축 지속에 따라 의미있는 실적 개선이 발생하지 못할 전망임. SDC, VD/가전 부문에서도 계절적 수요 감소와 경쟁 심화에 따라 실적 둔화가 불가피할 전망

2H24 Memory 반도체 업황 단기 둔화 예상

당사는 2H24에 단기적인 Memory 반도체 업황 둔화가 발생할 것이라고 생각함. 4Q23, 1Q24의 판매, 출하 데이터 감안 시 올해 PC 출하량은 전년 대비 소폭 감소하고 스마트폰 출하량은 소폭 증가에 그칠 가능성이 높음.

또한 최대 스마트폰 시장인 중국에서는 지난해 4분기 동안 출햐랑이 실판매량을 크게 상회하는 추세로 재고가 빠르게 증가한 바 있음.

특히, 고객들은 가격이 급락했고 감산 확대가 예고된 바 있는 NAND 재고를 2Q24부터 빠르게 재축적 중인 것으로 보임. 당사는 올해 업계 HBM 출하량이 127% 증가할 것으로 전망함.

당사는 재공품 포함 기준 올해 DRAM, NAND 업계 생산 증가율은 각각 13%, 11%로 전망함. 특히, 올해 동사의 올해 DRAM 생산 증가율은 지난해에도 이어진 강력한 선단 공정 투자 기조에 따라 경쟁사들을 크게 앞설 가능성이 높음. 업계 생산 증가율은 감산 원복 효과가 본격화 되는 2H24에 빠르게 상승할 가능성이 높음

경기선행지표들의 하락 전환

더욱이 역사적으로 메모리 반도체 시장 규모를 6개월 가량 선행하고 동사 주가와
동행해온 경기선행지표들 중, 글로벌 유동성 YoY 증감률은 이미 하락이 시작되었고 OECD 경기선행지수 역시 조만간 하락 전환할 가능성이 높은 것으로 판단됨.

역사적으로 상승 싸이클이 평균 14개월 지속되었던 OECD 경기선행지수의 이번
상승이 지난 12월까지 14개월간 이어진 점은 향후 동사 주가에 우려 요소임.

HBM3 시장 점유율의 빠른 상승이 예상되나

동사에 따르면 동사의 4Q23 HBM 판매량은 전분기 대비 40% 이상 증가했고, HBM 중 HBM3와 HBM3E의 비중이 1H24 50%, 연말에 90%까지 상승할 것으로 예상함.

또한 동사는 현재 고객 인증 중인 HBM3E 8단 제품의 양산을 1H24 내에 게시하고 12단 36GB HBM3E 제품도 1Q24 내 샘플링을 시작할 계획임

#3DD램

삼성전자가 개발하고 있는 3D D램은 칩 안에 있는 기억 소자를 아파트처럼 세로로 쌓는 차세대 D램이다. 삼성전자는 2013년 세계 최초로 3차원 수직구조 낸드(3D V-NAND) 상용화에 성공한 경험을 바탕으로 D램에서도 3차원 수직 구조 개발 선점을 목표로 한다.

앞서 삼성전자는 작년 10월 '메모리 테크 데이’ 행사에서 차세대 10나노 이하 D램에 기존 2D 평면이 아닌 3D 신구조 도입 계획을 밝힌 바 있다.

현재 D램은 단일 평면에 데이터 저장 기본단위인 셀을 촘촘히 배치한 2D 구조다. 칩 면적을 줄여야 하는 한계를 3D 수직 구조로 적층하면, 회로 축소 부담을 덜 수 있고 성능도 향상돼 1개 칩에서 용량을 100기가바이트(GB) 이상 늘린 수 있다.

이달 초 삼성전자는 3D D램에서 선도적으로 기술을 개발하기 위해 미국 실리콘밸리에 위치한 반도체 미주총괄(DSA)에 'R&D-Dram Path Finding' 조직을 만들었다. 이 조직은 반도체연구소 산하 조직으로, 송재혁 사장이 직접 이끈다. 삼성전자는 이 곳에서 우수 개발인력을 적극 영입하고, 다양한 반도체 생태계와 협력한다는 방침이다.

https://zdnet.co.kr/view/?no=20240131191900

AZ주식이라고 불리는(=베타가 작다고 알려진) 종목들을 생전 처음 매수하는 사람들이 많아지고 있다

밸류업 삼총사 금.자.지

https://m.blog.naver.com/PostView.naver?blogId=kinvestors&logNo=223340931585

2024.02.01 17:50:12
기업명: DL이앤씨(시가총액: 1조 6,677억)
보고서명: 주식소각결정

소각할 주식수
- 보통주 : 2,939,077주
- 우선주 :

예정금액 : 1,083억
시총대비 : 6.71%

취득방법 : 기취득자기주식
예정일자 : 2024-02-08

공시링크: https://dart.fss.or.kr/dsaf001/main.do?rcpNo=20240201800732
회사정보: https://finance.naver.com/item/main.nhn?code=375500

#밸류업프로그램

처음 저PBR 종목들이 부각되기 시작할때, 수급이 이쪽으로 이동하고 있다고,
정부 정책이여서 이건 길게 갈 이슈인 것 같다고 코멘트를 했었는데,
이제는 모두 저PBR 종목들을 얘기하고 있어서 조금 다른 관점으로 얘기를 해본다.

물론, 여전히 같은 생각으로, 정부정책이여서 길게 갈 이슈라고 생각을 하고,
업사이드가 남아있는 종목들이 많이 남아있다고 생각.

그런데, 왜 저PBR 종목들이 이렇게 급등을 했을까? 핵심은 수급이다.
월요일날 빠르게 캐치를 한것도 수급의 이동때문이였고, 지금 급등을 하는것도 수급때문이다.

왜일까?

사실 시작은 외국계 자금이다.
1월 26일날 CLSA에서 나온 국내시장 전략 레포트 전후로,
해외에서 마케팅이 이루어졌고, 큰 규모의 외국계 자금이 먼저 저PBR들을 사기 시작.

그리고 연기금이 움직였고, 그 다음은 기관이 따라사기 시작한 것.

현재의 코스닥 급락과 저PBR 종목의 급등은, 결론적으로는 기관들의 특성때문에 발생한 것.
몇몇 아닌 기관들도 있지만, 대부분의 기관매니저들은 BM으로 평가를 받는다.
매니저 동생들이랑 얘기를 해보면..빠른 동생들은 진작에 월요일부터 저PBR 종목들로 채워놨고,
늦은 친구들은 오늘까지도 머뭇거리다가 다 채우는 모습.
매니저들은 애초에 본인들한테 주어진 자금은 한정되어있다.
이런 상황에서, 코스닥 종목을 가지고 있으면? BM 수익률을 따라갈수가 없는 것.
그러니 제한된 운용자금에서 BM대비 언더퍼폼의 원인이 되는 코스닥 종목들을 다 팔아버리고, 저PBR 종목들을 채우는 상황이 온 것.

오늘 코스닥 150 종목들 중에 일부 종목들의 수급들로 이걸 확인해보자,
하락 종목: 엠로, 디어유, 알테오젠, ISC, 덕산네오룩스, 파크시스템스, 유진테크, 주성엔지니어링, 티씨케이, 하나마이크론, 레고켐바이오
상승 종목: 성우하이텍, 에코프로비엠, 에코프로, 케이엠더블유, 휴젤, 티에스이, 나노신소재, 대주전자재료, 에스티팜

코스닥 150 전체로 확대해봐도, 정말 소수의 몇몇 종목만 제외하면 공통점이 있다.

쎄게 빠진 종목들은, 기관매도가 쎄게 나왔고, 안 빠지거나 오른 종목들은 기관이 안 팔거나 산 종목들이다.

자, 상황은 이러하다.
그럼 여기서, 우리는 어떻게 기회를 찾아볼 수 있을까?

두가지 기회가 있다고 생각.
첫번째는,
외국계 큰 자금 중에 몇몇은 오늘까지가 마지막 매수였다고 한다.
그러면, 오늘까지 기관 자금들도 쎄게 들어왔고, 더 들어와서 좀 더 오른다고하면, 누가 그 급등한 종목들을 더 사줄까?
그러니, 개인적으로는 너무 급등한 저PBR 종목들은 조금씩 줄이고, 급등한 종목들말고, 여전히 업사이드가 남아있다고 생각되는 종목들을 포트에 가져가는걸로 대응하는게 좋아보인다.

두번째는, 과매도로 빠진 코스닥 종목들 중에서 다시 수급이 쎄게 들어올 수 있는 종목들을 담아보는 것.
코스닥이 반등이 나오기 시작하면, 오늘까지 계속 밀어팔던 BM으로 평가받는 매니저들은, 그걸 두고볼 수가 없다.
그러면, 과매도 구간에 들어간 코스닥 종목들이 지금 많은데, 수급들이 조금만 돌아오기 시작해도 종목들의 반등은 꽤나 쎄게 나올 수 있다고 생각한다.
뭐 다른 긍정적인 내용도 있지만, 여기까지만 포함해서 생각하는게 맞는 것 같다.
코스닥 종목들 중에서는 개인적으로는 어제 금리가 쎄게 빠지고, 미국장에서도 헬스케어가 강한 모습을 보여줘서,
바이오에 포커스를 두려고하는데, 종목은 사실 과매도에 있으면서 모멘텀이 살아있는 종목이면 다 비슷할거라 생각.

여기까지가 현재의 상황을 확인하고, 고민한 끝에 나온 생각인데,
방구석 투자자의 생각이니 가볍게 참고만 하시면 좋을 것 같다.

모두 좋은 밤 되세요.

#저pbr #메르

https://m.blog.naver.com/ranto28/223340959884

3D DRAM 시장 점유율 전쟁의 조용한 시작

지속적인 기술 발전이 이뤄지는 시대에 반도체 업계는 NAND 기술의 진화에 주목하고 있습니다. 스케일링 제한을 극복하기 위해 트랜지스터는 평면에서 3D 아키텍처로 전환하여 단위 면적당 저장 장치 수를 늘리고 있습니다. 3D DRAM 아키텍처의 이러한 개념이 대중의 영역에 들어왔습니다.

기존 DRAM에서는 트랜지스터가 평면에 집적됩니다. 그러나 3D DRAM에서는 트랜지스터가 여러 겹으로 적층되어 트랜지스터가 분산됩니다. 3D DRAM 구조를 채택하면 트랜지스터 사이의 간격을 넓혀 누설 전류와 간섭을 줄일 수 있다고 믿어집니다.

이론적 관점에서 볼 때, 3D DRAM 기술은 메모리 기술의 기존 패러다임을 깨뜨립니다. 로직 유닛 위에 스토리지 셀을 적층해 단위 칩 면적 내에서 더 높은 용량을 구현하는 새로운 스토리지 방식이다.

차별화 측면에서 기존 DRAM은 데이터를 읽고 쓰기 위해 복잡한 연산 과정이 필요한 반면, 3D DRAM은 수직으로 쌓인 저장 장치를 통해 데이터에 직접 접근하고 쓸 수 있어 접근 속도가 대폭 향상됐다. 3D DRAM의 장점은 대용량과 빠른 데이터 액세스뿐만 아니라 낮은 전력 소비와 높은 신뢰성을 포함하여 다양한 애플리케이션 요구를 충족시킵니다.

적용 분야에서는 3D DRAM의 고속, 대용량이 고성능 컴퓨팅의 효율성과 성능을 향상시키는 데 도움이 될 것입니다. 3D DRAM은 컴팩트한 크기와 대용량으로 모바일 기기에 이상적인 메모리 솔루션입니다. 3D DRAM의 대용량 및 저전력 소비 특성은 사물 인터넷(IoT) 분야의 실시간 데이터 처리 및 전송 요구 사항을 충족할 수 있습니다.

또한, ChatGPT를 통한 AI 시대 도래 이후 AI 활용이 급증하고 있으며, AI 서버는 장기적으로 스토리지 수요 성장의 강력한 원동력이 될 것으로 예상된다.

마이크론의 최고사업책임자(CCO)는 앞서 로이터와의 인터뷰에서 일반적인 AI 서버의 DRAM 용량은 일반 서버의 최대 8배, NAND 용량의 3배에 달한다고 밝혔습니다.

현재 3D DRAM은 개발 초기 단계에 있으며, 삼성과 같은 기업들이 연구 개발 전장에 적극적으로 참여하고 있습니다. 빠르게 성장하는 시장에서 다양한 플레이어가 선두를 차지하기 위해 노력함에 따라 경쟁이 치열해졌습니다.

1. 삼성전자: 4F2 DRAM

삼성전자는 2019년부터 3D D램 연구를 진행해 같은 해 10월 업계 최초로 12단 3D-TSV(Through-Silicon Via) 기술을 발표했다 . 삼성전자는 2021년 DS사업부 내에 차세대 공정개발 연구팀을 신설해 이 분야 연구에 주력하고 있다.

2022 SAFE 포럼에서 삼성은 삼성 파운드리의 전반적인 3DIC 여정을 설명 하고 로직 스택 칩인 SAINT-D로 DRAM 스택 문제를 해결할 준비가 되어 있음을 밝혔습니다. 이 설계는 8개의 HBM3 칩을 하나의 거대한 인터포저 칩에 통합하는 것을 목표로 합니다.

삼성전자는 2023년 5월 4F2 구조 D램을 양산하기 위해 반도체연구소 내에 개발팀을 꾸렸다.

DRAM 셀 스케일링이 한계에 도달함에 따라 10nm 공정 이상의 DRAM에 4F2를 적용하는 것이 목표인 것으로 알려졌습니다 . 보고서는 삼성전자의 4F2 DRAM 저장장치 구조 연구가 성공할 경우 노드 변경 없이 기존 6F2 DRAM 저장장치 구조에 비해 칩 다이 면적을 약 30% 줄일 수 있다고 밝혔다.

같은 해 10월 '메모리 기술의 날' 행사에서 삼성전자는 차세대 10나노급 노드 D램에 기존 2D 평면 구조가 아닌 새로운 3D 구조를 도입하겠다는 계획을 밝혔다. 이 프로젝트의 목표는 칩 생산 능력을 100G 이상 늘리는 것입니다.

삼성전자는 지난해 일본에서 열린 'VLSI 심포지엄'에서 3D D램에 대한 연구 결과를 담은 논문을 발표하고, 실제 반도체 구현으로서 3D D램의 상세 이미지를 선보였다.

삼성전자는 최근 미국 실리콘밸리에 차세대 3D D램 개발을 전담하는 새로운 R&D 연구소를 설립했다고 발표했다.

이 연구소는 Silicon Valley의 Device Solutions America(DSA) 산하에서 운영되며 삼성의 미국 내 반도체 생산을 감독하고 차세대 DRAM 제품 개발에 주력하고 있습니다.

2. SK 하이닉스 – 미래 DRAM 채널 소재로 IGZO 소개

SK하이닉스 조사 에 따르면 DRAM의 리프레시 특성을 향상시키기 위해 IGZO 채널이 주목받고 있다.

IGZO 박막 트랜지스터는 적당한 캐리어 이동도, 극히 낮은 누설 전류, 기판 크기 확장성 등으로 인해 디스플레이 산업에서 오랫동안 사용되어 온 것으로 알려졌다. 이는 미래 DRAM의 적층형 채널 소재 후보가 될 수 있습니다.

3. 결론

DRAM 기술이 1D에서 2D로, 그리고 현재는 다양한 3D 구조로 진화하면서 업계는 당면 과제를 해결할 수 있는 다양한 솔루션을 제공했습니다. 그러나 제조 비용, 내구성 및 신뢰성을 최적화하고 개선하는 것은 3D DRAM 기술 발전에 있어 여전히 중요한 과제로 남아 있습니다. 신소재 개발의 어려움과 물리적 한계로 인해 3D D램 상용화에는 아직 시간이 필요하다.

업계에서는 현재의 연구 성과를 바탕으로 아직 초기 단계인 3D DRAM 개발에 적극 나서고 있다. 업계 관계자에 따르면 2025년쯤 3D D램이 등장하기 시작해 2030년 이후에는 실제 양산이 가능할 것으로 예상된다.

https://www.trendforce.com/news/2024/02/02/news-the-quiet-beginning-of-the-3d-dram-market-share-battle/

삼전 9만5천 상향 제이피모건

우리는 1분기 가이던스 약세가 이벤트성이 없는 것으로 보고 있으며, 비트 생산량 제한에 대한 경영진의 언급 이후 투자자들의 관심이 수요 전망으로 옮겨갈 것으로 예상한다.

우리는 비-HBM 수급 긴축에 대한 우리의 논거가 잘 진행되고 있다고 믿으며, 이는 24년도 전반에 걸쳐 강력한 ASP 성장과 회사의 수익 성장 모멘텀 가속화를 의미한다.

수정된 주주환원 계획은 비이벤트(이전 계획과 변동 없음)였지만, ASP와 이익 성장 궤적은 주가 상승을 견인할 것으로 예상하며 이전 12월 24일 목표가를 95,000원으로 상향 조정한다. 투자자들에게 주식 축적을 권장한다.