🇺🇸 Американский ВПК проспонсирует новые технологии. В частности, DARPA в рамках программы FRANC заказала Globalfoundries разработку магниторезистивной памяти (MRAM) и других перспективных типов запоминающих устройств. В рамках программы также идут работы в Skywater Technology Foundry по созданию монолитных 3D-чипов (3DSoC) с нормами техпроцесса, эквивалентными 7 мм, с использованием оборудования для производства с нормами 90 нм. Подробнее: http://bit.ly/2ODIWyc

🇷🇺 НИИМА “Прогресс” “восстанавливает выпуск” микросхемы аттенюатора входных сигналов L-диапазона 1338ХК8У. Для этого в качестве партнера привлечено, предположительно, ЗНТЦ, которое выполнит корпусирование и проведет отбраковочные испытания. http://bit.ly/2n6zoiT

🇷🇺 В 2018 году в ОНПП “Технология” им. А.Г.Ромашина завершилась разработка ситалловых подложек для микросхем. Чистота рабочей поверхности Rz-0.024-0.032. Производит их “РТ-Химкомпозит”. Первые заказы на 30 тыс.подложек в год разместили на предприятии заказчики из Омска, Пензы и С.Петербурга. Мощность производства - до 100 тыс. подложек в год. Источник. http://www.russianelectronics.ru/leader-r/news/russianmarket/doc/80186/

🌐 На производстве “ФОТЭК” (Интеграл, Беларусь) в 1H2018 освоены новые ЖКИ и модули индикации: индикаторы ИЖЦ 3-15/7Ф и ИЖЦ В-3.5/7Ф, модули МИ-702С и МИ-706С. В разработке находятся еще несколько изделий. Подробнее https://integral.by/ru/osvoenie-ispytaniya

Воронежский НИИЭТ сообщает, что для тестирования доступны мощные СВЧ GaN транзисторы (ПП9139Б1) с выходной мощностью 100Вт в непрерывном режиме с напряжением питания 28В для работы на частотах до 3 ГГц. Load-pull измерения доступны по ссылкам: https://niiet.ru/wp-content/uploads/Plot.pdf и https://niiet.ru/wp-content/uploads/Table.pdf

🇷🇺 Срок приёма заявок для участия в работе Всероссийской юбилейной научно-технической конференции «Современное состояние и перспективы развития специальных систем радиосвязи и радиоуправления», посвященной 60-летию образования Омского НИИ приборостроения, продлен до 20 августа 2018 г. Подробнее http://www.oniip.ru/predpriyatie/novosti/opisanie.php?ID=1590

🌐 Производство кристаллов на тайваньских заводах TSMC 3 августа подверглось воздействию вируса. В связи с этим возникли опасения, что этот фаб не сможет своевременно выполнить ряд обязательств по производству, что негативно скажется на сроках выпуска оконечных изделий заказчиками TSMC. В частности, это может коснуться даже новых продуктов Apple, поскольку заражение коснулось заводов Fab 12 в Hsinchu Science Park и Fab 15 в Central Taiwan Science Park, где были повреждены несколько тысяч пластин. Также в числе “пострадавших” AMD, Qualcomm, Nvidia, Xilinx и несколько производителей ASIC-плат.
В компании оценивают ущерб примерно в 3% от дохода за квартал, то есть $88-98 млн, и обещают вернуться к графику исполнения заказов еще до конца 2018 года. Тем не менее инцидент может сказаться на снижении доверия заказчиков к TSMC, что может иметь негативные для компании финансовые последствия в будущем. Подробнее: https://www.digitimes.com/news/a20180806PD210.html

🇷🇺 Холдинг РКС (входит в Роскосмос) и ПАО “Ярославский радиозавод” (дочерняя компания Концерна РТИ, входит в АФК “Система”) будут совместно производить бортовую аппаратуру для навигационных спутников, спутников связи и дистанционного зондирования Земли. В Ярославле запущен цех сборки модулей полезной нагрузки (МПН). Будет использована единая виртуальная рабочая среда, предусматривающая доступ к конструкторской документации, часть технологических процессов с московской площадки РКС перейдет в Ярославль. На начальном этапе Ярославский радиозавод станет участвовать в производстве приборов для спутников ГЛОНАСС, спутников связи, ряда модулей полезной нагрузки для спутников ДЗЗ и соответствующей контрольно-проверочной аппаратуры. Подробнее: http://russianspacesystems.ru/2018/08/06/yaroslavskiy-radiozavod-voshel-v-sistemu/

🔬 Специалистам в области метрологии и контроля возможно будет интересна публикация по итогам конференции SEMI - о новых проблемах метрологии и контроля, опубликованная в журнале “Зарубежная электронная техника”, вып. 15 от 02.08.2018.
Любопытны, в частности, приведенные оценки рынка электронных материалов:
- материалы для изготовления пластин - $28 млрд;
- материалы для корпусирования полупроводниковых приборов - $19 млрд
- материалы, расходуемые при сборке электроники - $20 млрд.
Почитать можно здесь: https://user-dwnn0ie.cld.bz/Layout-15/8/

🇷🇺 В Швабе научились работать с двумерными наноматериалами, как на основе графена и фосфорена, так и на основе гетероструктур. Эти технологии могут найти различные применения, ближайшим из которых будет применение в качестве фотосенсоров в тепловизионных камерах. Ожидается, что переход к использованию новых материалов обеспечит возможность расширения "видимого" устройством диапазона, позволит снизить габариты устройств за счет отказа от криогенного охлажения. http://rostec.ru/news/shvabe-sozdaet-teplovizionnuyu-kameru-s-ispolzovaniem-nanostruktur/

🇷🇺 В НЦ СЭО РКС (Научном центре сертификации элементов и оборудования Российских космических систем) планируют ввести в эксплуатацию роботизированную систему параметрического контроля сверхбольших интегральных схем. Это ускорит проведение испытаний больших партий микросхем. О сроках запуска не сообщается. Источник: https://regnum.ru/news/2461991.html

🇺🇸 Qualcomm порешал проблемы с Тайванем. Компания объявила о достижения соглашения с Тайваньской комиссией по честной торговле в судебном процессе, касающемся предполагаемых нарушений компанией Qualcomm тайваньского закона «О добросовестной торговле». Иск, поданный в Тайваньский суд по интеллектуальной собственности, считается закрытым. Такое решение вопроса стоило Qualcomm выплаты штрафа в размере US$93 млн.

🌐 Строительство сетей 5G разгонит рынок радиочастотных чипов GaN более, чем до $1 млрд

Сегмент радиочастотных чипов на базе нитрида галлия (GaN) в 2017 году продолжал разогреваться. Выручка выросла на 38% год к году. Причины очевидны - материал находит все более широкое применения в различных радиочастотных изделиях. Сказывается его востребованность в коммерческих изделиях индустрии сотовой связи, а также растет потребление полупроводников на базе GaN для изготовления военных радаров, электронного оружия и систем связи.

По данным отчета “RF GaN Market Update: 2017-2022”, подготовленного в Strategy Analytics, выручка от продаж RF GaN превысит $1 млрд на конец 2022 года, причем выручка от изделий военного применения будет лишь немногим выше, нежели, чем от изделий, предназначенных для гражданских применений.

Объем заказов RF GaN военного применения вырос в 2017 году вырос на 72% год к году. Как ожидается, рост будет продолжаться среднегодовыми темпами в 22% до 2022 года. Сегмент радаров останется основным потребителем устройств GaN военного применения, поскольку растет производство активных антенных решеток для радаров наземного и морского базирования.

Базовые станции сотовой связи продолжают оставаться крупнейшим генератором дохода от изделий RF GaN, доходы в этом сегменте растут более, чем на 20% ежегодно. Завершился всплеск, сформированный китайским рынком, когда там активно разворачивались сети LTE. Ожидается новая волна спроса со стороны гражданских по мере того, как начнется массовое развертывание сетей 5G.

Изделия на базе GaN отличают высокие рабочие частоты, быстродействие транзисторов во всем диапазоне частот и высокая линейность, что позволяет создавать на базе изделий этой технологии оборудование, отличающееся высокой емкостью, мощностью и другими качествами.

В частности, кроме перечисленных выше сегментов рынка, которые будут формировать спрос на изделия на базе GaN, можно упомянуть также оборудование для создания беспроводных опорных сетей и оборудование спутниковой связи.

Если говорить о крупнейших участниках рынка полупроводниковых изделий на базе GaN, то, по-оценкам Strategy Analytics, это компания Qorvo, которая в 2017 году нарастила отрыв от конкурентов в области изделий GaN, ориентированных на военное применение. Компания SEDI (Sumitomo Electric Device Innovations) продолжает оставаться лидирующим поставщиком рынка RF GaN по итогам 2017 года, в основном, поскольку ее изделия активно применяются в базовых станциях сотовой связи, тогда как Wolfspeed (входит в американскую Cree) удерживает вторую позицию. По материалам http://www.microwavejournal.com/articles/30821-strategy-analytics-reports-defense-5g-to-propel-rf-gan-market-past-1b

В России разработками мощных СВЧ полупроводников из GaN занимаются, например, в Воронежском НИИЭТе, экспериментируют с этим бинарным веществом и в Томском госуниверситете. Есть у GaN и перспективные конкуренты, например, гетероструктуры на базе InGaAs.

🇷🇺 Мнение: Технологический суверенитет России обеспечить не получится

"Стране, располагающей двумя процентами мирового населения и двумя процентами мировой экономики, не хватит мозгов, размеров внутреннего рынка и финансовых возможностей для обеспечения технологического суверенитета”, - Андрей Ионин, член-корреспондент Российской академии космонавтики.

Хорошо, что есть люди, которые честно и публично высказывают свое мнение об отсутствии перспектив выполнения "хотелок" российских политиков в текущих условиях.

Вместе с тем, по части эффективности мер, которые предлагаются в качестве решения проблемы, есть сомнения. Андрей Ионин высказался о необходимости технологического сотрудничества. Вот только сотрудничать предлагается со странами, которые либо сами находятся не в слишком хорошем положении, или зависимы от США и находятся в кильватере политики этой страны. Поэтому по части озвученных проблем согласие есть, а по части предложенных рецептов выхода из кризиса - скорее скепсис. Источник https://www.novayagazeta.ru/articles/2018/08/10/77465-rossiya-i-ee-sputniki

💻 Рынок памяти DRAM в 2018 году достигнет пика

В 2018 году рынок микросхем DRAM вырастет на 39% и достигнет 101.6 млрд. Тем самым, сегмент DRAM станет первой категорией на рынке микросхем, годовой объем которой превысит $100 млрд. На долю микросхем этого типа придется почти четверть продаж. Второй по значимости категорией станет память NAND flash с прогнозом объема $62.2 млрд. На долю этих сегментов придется суммарно около 38% всего рынка чипов, суммарный объем которого в 2018 году оценивается в $428 млрд. Другие подробности от IC Insights. http://www.dailycomm.ru/m/44546/

🇷🇺 Перспективные направления. В лаборатории новых элементов наноэлектроники Курчатовского комплекса НБИКС-природоподобных технологий НИЦ Курчатовский институт в 2018 году ведут исследования в области силицена, аналога графена с атомами кремния вместо атомов углерода в узлах решетки. Если силицен интеркалировать магнитными ионами, например, ионами гадолиния и европия, он становится магнитным, оставаясь двумерным и интегрированным с традиционными кремниевыми технологиями. В отличие от ван-дер-ваальсовских материалов на основе хрома, материал на основе силицена обладает более сильным ферромагнетизмом. Ожидаемая область применения - кремниевая спинтроника. Проблемой пока что остается то, что температура ферромагнитного перехода составляет порядка 50 К. https://scientificrussia.ru/articles/magnitnyj-silitsen-material-elektroniki-budushchego

🇷🇺 Ангстрем-Т отгрузил первую коммерческую партию заказных пластин. Партия скромная - 50 MPW пластин диаметром 200 мм. Пластины изготовлены по технологии AT250G, которая является частью техпроцесса 90 нм. Изделия, размещенные на пластинах, были разработаны в шести различных дизайн-центрах, расположенных в Москве, Воронеже и Екатеринбурге. Первая партия изготовлена для тестирования. По результатам доработок могут быть заключены соглашения о выпуске серийных партий микросхем. Источник https://www.osp.ru/news/2018/0810/13035085/

💻 Вам наверняка не раз приходилось слышать высказывание: полупроводники - это новая нефть. И если задуматься и посмотреть на рынок, то так оно и есть. Объемы закупок полупроводников иными странами лишь немногим уступают объемам затрат на приобретение нефти.

Это все более понимают национальные правительства и транснациональные корпорации. Последние стараются подгрести под себя все самое лучшее по части производства, где бы эти производства не находились, тогда как местные правительства все менее склонны одобрять такие сделки.

За период с 2015 года по середину 2018 года в индустрии прошло около ста сделок M&A на общую стоимость $245 млрд. И этот тренд явно пошел на спад - за первое полугодие 2018 года объем таких сделок достиг смешных на фоне предыдущей цифры $12.6 млрд. Не удивительно, если вспомнить как были сорваны политиками сделки Broadcom - Qualcomm и Qualcomm - NXP. http://www.dailycomm.ru/m/44583/

Так что все верно, полупроводники, а также в целом новые технологии - это новая нефть. Разумные люди не будут продавать предприятия по изготовлению полупроводников и новые технологии в этой области, но только готовые продукты.

Это оставляет России не так много шансов - ведь чтобы попробовать уйти от зависимости от импорта полупроводников, оборудования и материалов для их производства, нужно не только придумать новые технологии (что возможно), но также наладить производство соответствующего производственного оборудования. А это уже сложно реализуемая задача, требующая серьезных изменений в стране.

🇯🇵 Fujitsu втрое увеличила выходную мощность транзисторов на базе GaN

Компания Fujitsu Laboratories объявила об успешной разработке кристаллической структуры, позволяющей существенно нарастить предельно допустимый ток и напряжение в транзисторах HEMT GaN, выходная мощность за счет этого выросла втрое.

Аббревиатура HEMT происходит от англ. High Electron Mobility Transistor - транзисторы с высокой подвижностью электронов, находят применение в системах спутниковой связи, радарах и мобильных устройствах, прежде всего в СВЧ. Как правило это достигается добавлением в систему материалов с высокой подвижностью электронов, например, GaAs, InAs. Создание подобных структур требует использования так называемых буферных слоев, позволяющих формировать бездефектные слои материалов с различными размерами кристаллических ячеек.

Новая технология может использоваться в усилителях мощности в таких приборах, как погодные радары, позволяя увеличить “дальнобойность” радара примерно в 2.3 раза.

Основная идея заключается в том, что напряжение должно подводиться к транзистору “дисперсно”. Запатентованная технология позволила добиться плотности мощности до 19.9 Вт/мм в GaN HEMT, использующим буферные слои InAlGaN.

Компания рассказала о своей технологии на симпозиуме ISGN-8 в Варшаве, которая прошла на прошлой неделе.
Fujitsu Laboratories работает с GaN HEMT с начала нулевых годов и обеспечивает поставки приборов на основе AlGaN HEMT. В последние месяцы лаборатория активно занимается исследованиями InAlGaN HEMT.

Для того, чтобы повысить выходную мощность транзистора, требуется создать структуру, которая бы выдерживала и высокие токи и высокие напряжения. Структура на базе InAlGaN позволяет повысить ток, поскольку в таком материале можно наращивать плотность электронов. Но проблемой оставалось то, что при повышении напряжения, структура кристалла получала повреждения.

Проблему удалось решить за счет добавления слоя AlGaN c высоким сопротивлением между слоем поставляющим электроны и канальным слоем. За счет этого, высокое напряжение в транзисторе рассеивается по слоям, разделенным AlGaN. Это снижает кинетическую энергию электронов и предотвращает кристалл от разрушения при напряжениях вплоть до 100В. При необходимости можно добиться и более высоких напряжений, если увеличивать расстояние между входным электродом и электродом затвора до 1 см.
Таким образом, добавляя слой AlGaN в структуру InAlGaN HEMT, достигается возможность нарастить одновременно напряжение и ток, то есть выходную мощность полупроводниковых приборов.