🇷🇺 С компанией Протон-Электротекс можно встретиться без временных парадоксов, 23-24 октября 2018 года на выставке “Силовая электроника 2018” в Москве. На стенде B305, пав.1, зал 1 будет представлена линейка биполярной продукции компании. Из новинок, Протон-Электротекс привезет:
+ Линейку драйверов для IGBT и SiC MOSFET модулей средней мощности.
+ Линейку DC-AC инверторов напряжения для электротранспорта
+ Низкоиндуктивный 1200В 500А Full-SiC IGBT модуль для электротранспорта
+ IGBT модули прижимной конструкции для мощной энергетики.
Во второй день выставки специалисты компании представят несколько докладов в рамках семинара:
+ Линейка драйверов для IGBT и SiC MOSFET модулей средней мощности — Е. В. Гостенков, инженер по новой технике
+ Высоковольтные тиристоры с элементами самозащиты от перенапряжения — Д. А. Титушкин, инженер по новой технике
+ Базовые подходы АО «Протон-Электротекс» к развитию направления силовых полупроводниковых приборов — А. В. Ставцев, технический директор
Записаться на встречу можно по адресу marketing@proton-electrotex.com
+ Линейку драйверов для IGBT и SiC MOSFET модулей средней мощности.
+ Линейку DC-AC инверторов напряжения для электротранспорта
+ Низкоиндуктивный 1200В 500А Full-SiC IGBT модуль для электротранспорта
+ IGBT модули прижимной конструкции для мощной энергетики.
Во второй день выставки специалисты компании представят несколько докладов в рамках семинара:
+ Линейка драйверов для IGBT и SiC MOSFET модулей средней мощности — Е. В. Гостенков, инженер по новой технике
+ Высоковольтные тиристоры с элементами самозащиты от перенапряжения — Д. А. Титушкин, инженер по новой технике
+ Базовые подходы АО «Протон-Электротекс» к развитию направления силовых полупроводниковых приборов — А. В. Ставцев, технический директор
Записаться на встречу можно по адресу marketing@proton-electrotex.com
Уже получены независимые заключения, подтверждающие качество кристалла. Кристалл весом 2 кг выращен на установке GENESIS AIR. В испытаниях он показал предельное для этого кристалла значение световыхода в 24500 фотонов на Мэв (с источником Cs137). В ближайших планах компании - выращивание небольшой промышленной партии кристаллов для их реализации на мировом рынке.
Кристаллы CWO находят применение в детекторах гамма излучения, в компьютерной томографии, радиометрии низкофоновых значений радионуклидов, интроскопах, рентгеновских и гамма сканерах. https://adgex.com/n/2018-9-19-ADGEX-VITIM-STAL-NA-SHAG-BLIZHE-K-VYXODU-NA-RYNOK-MONOKRISTALLOV
Кристаллы CWO находят применение в детекторах гамма излучения, в компьютерной томографии, радиометрии низкофоновых значений радионуклидов, интроскопах, рентгеновских и гамма сканерах. https://adgex.com/n/2018-9-19-ADGEX-VITIM-STAL-NA-SHAG-BLIZHE-K-VYXODU-NA-RYNOK-MONOKRISTALLOV
💻 Китай обеспечит почти весь рост на мировом рынке фаундри-услуг
В 2017 году объемы заказов на контрактное производство чипов от китайских компаний составили $7.5 млрд (+26% гг). В 2018 году аналитики IC Insight прогнозируют рост заказов от китайцев до $11.2 млрд (+51%). Если эти прогнозы сбудутся, то доля китайских заказов на мировом рынке фаундри-устройств вырастет до 19% (+5 пп).
Объемы заказов американцев останутся стабильными на уровне $31 млрд, объемы заказов японцев сократятся на 1% до $4.47 млрд, европейцев - вырастут до $4.3 млрд.
Кто заработает на китайских заказах? Как обычно, все сливки достанутся передовой TSMC. Если в 2017 году объем фаундри-услуг, оказанных TSMC китайцам выросли на 44%, то в 2018 году портфель китайских заказов вырастет еще на 79%, уже до $6.7 млрд. Это все более заметный сегмент бизнеса TSMC, который по итогам 2017 года, составил $32,2 млрд. Разрыв с остальными участниками рынка гигантский - TSMC зарабатывает впятеро больше GlobalFoundries и в 10 раз больше, чем SMIC. Подробнее http://www.dailycomm.ru/m/45046/
В 2017 году объемы заказов на контрактное производство чипов от китайских компаний составили $7.5 млрд (+26% гг). В 2018 году аналитики IC Insight прогнозируют рост заказов от китайцев до $11.2 млрд (+51%). Если эти прогнозы сбудутся, то доля китайских заказов на мировом рынке фаундри-устройств вырастет до 19% (+5 пп).
Объемы заказов американцев останутся стабильными на уровне $31 млрд, объемы заказов японцев сократятся на 1% до $4.47 млрд, европейцев - вырастут до $4.3 млрд.
Кто заработает на китайских заказах? Как обычно, все сливки достанутся передовой TSMC. Если в 2017 году объем фаундри-услуг, оказанных TSMC китайцам выросли на 44%, то в 2018 году портфель китайских заказов вырастет еще на 79%, уже до $6.7 млрд. Это все более заметный сегмент бизнеса TSMC, который по итогам 2017 года, составил $32,2 млрд. Разрыв с остальными участниками рынка гигантский - TSMC зарабатывает впятеро больше GlobalFoundries и в 10 раз больше, чем SMIC. Подробнее http://www.dailycomm.ru/m/45046/
💻 3D NAND стала лидирующей технологией производства флэш-памяти
По данным DigiTimes, доля 64- и 72-слойных микросхем 3D NAND в общем объеме флэш-памяти превысила 60%. И это в среднем, у лидеров рынка, таких как Samsung Electronics этот показатель достигает 85%, у Micron - 90%.
Рост плотности чипов 3D NAND на фоне снижения их стоимости приводит к росту объемов памяти в смартфонах - в 2019 году большинство флагманских моделей смогут похвастаться памятью в 512 ГБ.
Несмотря на рост числа компаний, желающих заниматься производством чипов памяти, Топ-5 в 2018 году не изменится, это по-прежнему будут Samsung Electronics, Toshiba, Western Digital, Micron и SK Hynix. Подробнее: http://www.dailycomm.ru/m/45025/
По данным DigiTimes, доля 64- и 72-слойных микросхем 3D NAND в общем объеме флэш-памяти превысила 60%. И это в среднем, у лидеров рынка, таких как Samsung Electronics этот показатель достигает 85%, у Micron - 90%.
Рост плотности чипов 3D NAND на фоне снижения их стоимости приводит к росту объемов памяти в смартфонах - в 2019 году большинство флагманских моделей смогут похвастаться памятью в 512 ГБ.
Несмотря на рост числа компаний, желающих заниматься производством чипов памяти, Топ-5 в 2018 году не изменится, это по-прежнему будут Samsung Electronics, Toshiba, Western Digital, Micron и SK Hynix. Подробнее: http://www.dailycomm.ru/m/45025/
🌐 Тайваньская WIN Semiconductors готовится к росту спроса на решения 5G на базе технологии GaAs.
WIN Semiconductors Corp. - компания pure play, то есть производство, которое сосредоточено на выпуске микросхем под заказ, не имея собственного отдела разработки интегральных схем. Компания ожидает роста спроса на производство фронтэнд-чипов. От качества таких чипов существенно зависит время работы абонентского терминала от батареи, а если говорить о базовых станциях и активных антеннах, то фронтэнд оказывает существенное влияние на потребляемую мощность.
В системах с поддержкой MIMO существенно возрастают требования к линейности усиления и потребляемой мощности устройств. В WIN подготовили набор технологий на основе GaAs, чтобы отвечать этим требованиям, как для диапазонов ниже 6 ГГц, так и для миллиметровых диапазонов, которые будут использоваться системами 5G, в частности, для диапазона 28-39 ГГц.
В частности, были разработаны такие технологии на базе GaAs, как PIH1-10, предназначенные для монолитной интеграции в усилители мощности передатчиков, ультрамалошумящие усилители для приемных устройств и коммутаторы с низким уровнем потерь. Кроме того, на базе разработанных технологий GaAs создаются опциональные линейные диоды Шоттки для детекторов мощности и комбайнеров, PIN-диоды с низкой емкостью.
https://electroiq.com/2018/09/win-semiconductors-corp-integrated-gaas-technologies-support-5g-user-equipment-and-network-infrastructure/
WIN Semiconductors Corp. - компания pure play, то есть производство, которое сосредоточено на выпуске микросхем под заказ, не имея собственного отдела разработки интегральных схем. Компания ожидает роста спроса на производство фронтэнд-чипов. От качества таких чипов существенно зависит время работы абонентского терминала от батареи, а если говорить о базовых станциях и активных антеннах, то фронтэнд оказывает существенное влияние на потребляемую мощность.
В системах с поддержкой MIMO существенно возрастают требования к линейности усиления и потребляемой мощности устройств. В WIN подготовили набор технологий на основе GaAs, чтобы отвечать этим требованиям, как для диапазонов ниже 6 ГГц, так и для миллиметровых диапазонов, которые будут использоваться системами 5G, в частности, для диапазона 28-39 ГГц.
В частности, были разработаны такие технологии на базе GaAs, как PIH1-10, предназначенные для монолитной интеграции в усилители мощности передатчиков, ультрамалошумящие усилители для приемных устройств и коммутаторы с низким уровнем потерь. Кроме того, на базе разработанных технологий GaAs создаются опциональные линейные диоды Шоттки для детекторов мощности и комбайнеров, PIN-диоды с низкой емкостью.
https://electroiq.com/2018/09/win-semiconductors-corp-integrated-gaas-technologies-support-5g-user-equipment-and-network-infrastructure/
Electroiq
WIN Semiconductors Corp integrated GaAs technologies support 5G user equipment and network infrastructure | Solid State Technology
WIN Semiconductors Corp., the world's largest pure-play compound semiconductor foundry, is driving the development and deployment of 5G user equipment and network infrastructure in the sub-6GHz and mmWave frequency bands.
🇨🇳 В Gowin Semiconductor надеются на рост спроса на чипы FPGA
FPGA, программируемые вентильные матрицы, один из видов ПЛИС. Соответствущие решения выпускают в основном американские компании, такие как Xilinx, Altera, Lattice. На их долю сейчас приходится до 90% мирового рынка. Китайская Gowin Semiconductors из Гуанчжоу также надеется откусить от пирога растущего спроса на FPGA, здесь в последние несколько месяцев начали массовое производство FPGA-чипов с малой и средней плотностью элементов, на собственных IP-блоках.
Китайские FPGA предназначены для использования в самой различной радиоэлектронике, включая авто-мото, видеоинтерфейсы, электроника, телеком, оборона и космос. Непосредственным выпуском FPGA занимается тайваньская TSMC, пока что продукция Gowin Semiconductors доступна только на рынке материкового Китая.
В этом году в Gowin надеются продать 10 млн чипов FPGA. Росту продаж помог кризис в ZTE, спровоцированный ужесточением торговой политики США. Это облегчило компании получить финансовую поддержку на сумму $11.7 млн в виде субсидий и сокращения налогов, как участнику Зоны экономическо-технологического развития Гуаньчжоу. Еще $14,6 млн компания привлекла в ходе первого круга венчурного финансирования.
Компания разрабатывает изделия по процессу 55 нм, что позволяет ее изделиям оставаться конкурентными на базе продукции ведущих американских конкурентов. В 2019 году в Gowin надеются освоить также процесс 28 нм, чтобы выпускать изделия с более высокой плотностью транзисторов.
Говорить о полном импортзамещении в отношении Gowin не получится, изделия компании разрабатываться на архитектуре ARM, а для дизайна топологии используется ПО американской Synopsys. На сегодняшний день производители микроэлектроники практически в любой стране в той или иной степени зависимы от американских технологий, так что о реальном импортзамещении в области полупроводников не может всерьез говорить даже Китай со всеми его финансовыми ресурсами и растущим портфелем технологий. https://www.scmp.com/business/companies/article/2165558/made-china-2025-guangzhou-start-aiming-big-semiconductors
FPGA, программируемые вентильные матрицы, один из видов ПЛИС. Соответствущие решения выпускают в основном американские компании, такие как Xilinx, Altera, Lattice. На их долю сейчас приходится до 90% мирового рынка. Китайская Gowin Semiconductors из Гуанчжоу также надеется откусить от пирога растущего спроса на FPGA, здесь в последние несколько месяцев начали массовое производство FPGA-чипов с малой и средней плотностью элементов, на собственных IP-блоках.
Китайские FPGA предназначены для использования в самой различной радиоэлектронике, включая авто-мото, видеоинтерфейсы, электроника, телеком, оборона и космос. Непосредственным выпуском FPGA занимается тайваньская TSMC, пока что продукция Gowin Semiconductors доступна только на рынке материкового Китая.
В этом году в Gowin надеются продать 10 млн чипов FPGA. Росту продаж помог кризис в ZTE, спровоцированный ужесточением торговой политики США. Это облегчило компании получить финансовую поддержку на сумму $11.7 млн в виде субсидий и сокращения налогов, как участнику Зоны экономическо-технологического развития Гуаньчжоу. Еще $14,6 млн компания привлекла в ходе первого круга венчурного финансирования.
Компания разрабатывает изделия по процессу 55 нм, что позволяет ее изделиям оставаться конкурентными на базе продукции ведущих американских конкурентов. В 2019 году в Gowin надеются освоить также процесс 28 нм, чтобы выпускать изделия с более высокой плотностью транзисторов.
Говорить о полном импортзамещении в отношении Gowin не получится, изделия компании разрабатываться на архитектуре ARM, а для дизайна топологии используется ПО американской Synopsys. На сегодняшний день производители микроэлектроники практически в любой стране в той или иной степени зависимы от американских технологий, так что о реальном импортзамещении в области полупроводников не может всерьез говорить даже Китай со всеми его финансовыми ресурсами и растущим портфелем технологий. https://www.scmp.com/business/companies/article/2165558/made-china-2025-guangzhou-start-aiming-big-semiconductors
South China Morning Post
Chinese start-up takes on biggest specialised chip makers in US
‘Made in China 2025’: the Guangzhou start-up aiming big in semiconductors
Рынок силовых устройств на базе нитрида галлия вырастет до $1.5 млрд к 2024 году
Рынок силовых устройств на базе GaN представлен компаниями в США, Европе, Азиатско-Тихоокеанском регионе, Латинской Америке, Ближнем Востоке и в Африке.
Ключевые участники рынка - это Fujitsu Limited, Transphorm Inc., Cree Incorporated (Wolfspeed), OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Qorvo, Inc. и другие.
Как ожидают аналитики MarketWatch, рынок силовых устройств на базе нитрида галлия вырастет до $1.5 млрд к 2024 году, что соответствует среднегодовым темпам роста в 28% в прогнозируемый период.
Платный обзор-прогноз рынка можно приобрести здесь: https://www.marketresearchengine.com/gan-power-device-market
Рынок силовых устройств на базе GaN представлен компаниями в США, Европе, Азиатско-Тихоокеанском регионе, Латинской Америке, Ближнем Востоке и в Африке.
Ключевые участники рынка - это Fujitsu Limited, Transphorm Inc., Cree Incorporated (Wolfspeed), OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Qorvo, Inc. и другие.
Как ожидают аналитики MarketWatch, рынок силовых устройств на базе нитрида галлия вырастет до $1.5 млрд к 2024 году, что соответствует среднегодовым темпам роста в 28% в прогнозируемый период.
Платный обзор-прогноз рынка можно приобрести здесь: https://www.marketresearchengine.com/gan-power-device-market
🇯🇵 Прогресс в области полупроводников на основе висмута
Сейчас в мире идет активный поиск материалов, которые можно было бы использовать в фотовольтаике. Этот поиск осложняется тем, что мало найти материал сам по себе, требуется еще разработать оптимальный процесс формирования пленок этого материала, а этот процесс порой занимает годы.
Исследователи в Университете Осаки разработали двухшаговый процесс производства оптоэлектронных материалов с хорошими морфологическими свойствами, а также с великолепными фоторезистивными характеристиками. Эти исследования опубликованы в Journal of Physical Chemistry Letters.
Bi2S3 относится к классу материалов, известных как халькогениды металлов, которые многообещающе выглядят с точки зрения перспектив использования их оптических и электронных свойств. В то же время качество функционирования фоточувствительных устройств на базе Bi2S3 во многом определяется методом, используемым в производстве пленки, в частности, многие из выявленных интересных качеств демпфируются низкой кристалличностью пленки. И даже если удается повысить степень ее кристалличности, зернистость может оказывать негативный эффект на качество работы кристалла, поэтому предпочтительны пленки с малой шероховатостью поверхности, но большим размером зерен.
По итогам краткого исследования более 200 различных материалов, было выявлено, что Bi2S3, это менее дорогой и менее токсичный материал, нежели те неорганические материалы (типа галогенидных первовскитов), которые сейчас применяются в фотовольтаики, при этом его можно обрабатывать так, чтобы не испортить его великолепные фотоэлектрические свойства.
Японские ученые разработали метод формирования двухслойной пленки в результате применения двухстадийного процесса - использование раствора (solution spin-coating), а затем кристаллизация. Кстати, этот процесс можно будет использовать для работы и с другими металл-сульфидными полупроводниковыми материалами. https://compoundsemiconductor.net/article/105342/Material_Progress_Around_Bismuth_Semiconductors
Сейчас в мире идет активный поиск материалов, которые можно было бы использовать в фотовольтаике. Этот поиск осложняется тем, что мало найти материал сам по себе, требуется еще разработать оптимальный процесс формирования пленок этого материала, а этот процесс порой занимает годы.
Исследователи в Университете Осаки разработали двухшаговый процесс производства оптоэлектронных материалов с хорошими морфологическими свойствами, а также с великолепными фоторезистивными характеристиками. Эти исследования опубликованы в Journal of Physical Chemistry Letters.
Bi2S3 относится к классу материалов, известных как халькогениды металлов, которые многообещающе выглядят с точки зрения перспектив использования их оптических и электронных свойств. В то же время качество функционирования фоточувствительных устройств на базе Bi2S3 во многом определяется методом, используемым в производстве пленки, в частности, многие из выявленных интересных качеств демпфируются низкой кристалличностью пленки. И даже если удается повысить степень ее кристалличности, зернистость может оказывать негативный эффект на качество работы кристалла, поэтому предпочтительны пленки с малой шероховатостью поверхности, но большим размером зерен.
По итогам краткого исследования более 200 различных материалов, было выявлено, что Bi2S3, это менее дорогой и менее токсичный материал, нежели те неорганические материалы (типа галогенидных первовскитов), которые сейчас применяются в фотовольтаики, при этом его можно обрабатывать так, чтобы не испортить его великолепные фотоэлектрические свойства.
Японские ученые разработали метод формирования двухслойной пленки в результате применения двухстадийного процесса - использование раствора (solution spin-coating), а затем кристаллизация. Кстати, этот процесс можно будет использовать для работы и с другими металл-сульфидными полупроводниковыми материалами. https://compoundsemiconductor.net/article/105342/Material_Progress_Around_Bismuth_Semiconductors
Compound Semiconductor
Material progress around bismuth semiconductors - News
Our selection of industry specific magazines cover a large range of topics.
🌐 Микроэлектроника: У Bitmain появился конкурент - Halong Mining?
Канадская Squire Mining раньше занималась разработкой оборудования для добычи минералов, но летом 2018 году компания полностью переключилась на криптомайнинг. В планах компании - выпуск собственного майнингового оборудования и создание собственных майнинговых площадок.
Для выпуска собственного майнингового оборудования компания намерена использовать собственные ASIC-чипы по техпроцессу 10 нм, для их выпуска компания наладила сотрудничество с Samsung и Gaonchips. Источник: https://profitgid.ru/squire-mining-i-samsung-obedinilis-dlya-proizvodstva-asic.html
Канадская Squire Mining раньше занималась разработкой оборудования для добычи минералов, но летом 2018 году компания полностью переключилась на криптомайнинг. В планах компании - выпуск собственного майнингового оборудования и создание собственных майнинговых площадок.
Для выпуска собственного майнингового оборудования компания намерена использовать собственные ASIC-чипы по техпроцессу 10 нм, для их выпуска компания наладила сотрудничество с Samsung и Gaonchips. Источник: https://profitgid.ru/squire-mining-i-samsung-obedinilis-dlya-proizvodstva-asic.html
ProfitGid
Squire Mining и Samsung объединились для производства ASIC
Производитель майнингового оборудования Squire Mining и техно-гигант Samsung объединились и будут производить ASIC нового поколения.
🇰🇷 В августе в Республике Корея производство полупроводников сократилось на 6.2% по сравнению с июлем 2018 года. Источник: http://k-window.com/economics/obyom-promyshlennogo-proizvodstva-yuk-vyros-v-avguste-na-0-5/
ОКНО В КОРЕЮ
Объём промышленного производства ЮК вырос в августе на 0,5%
Объём промышленного производства РК вырос в августе на 0,5% по сравнению с предыдущим месяцем. Рост сохраняется второй месяц подряд. В металлообрабатывающей промышленности производство выросло на 1,4%..На 6,2% сократился объём производства полупрово...
🇨🇳 Alibaba Group объявила, что планирует начать производство собственных чипов для технологии искусственного интеллекта (ИИ), которые будут использоваться в смарт-устройствах, облачных вычислениях, умной бытовой технике и др. Выпуск запланирован на вторую половину 2019 года. https://gmbox.ru/materials/37723-alibaba-zaymetsya-importozameshcheniem-amerikanskih-chipov-dlya-ii
GMBOX
Alibaba займется импортозамещением американских чипов для ИИ
Alibaba Group объявила, что планирует начать производство собственных чипов для технологии искусственного интеллекта (ИИ), которые будут использоваться в смарт-устройствах, облачных вычислениях, умной бытовой технике и др.
🇰🇷 Samsung Electronics Co Ltd во вторник дала оценку прибыли за третий квартал - в компании ожидают рекордные $15,5 млрд операционной прибыли. Основной вклад обеспечивает подразделение по производству полупроводников, - чуть менее 80%. Существенный вклад в рост прибыли дало повышение цен на микросхемы DRAM, которое не смогло подпортить даже снижение цен на микросхемы NAND из-за высокой конкуренции. Источник: https://fomag.ru/news-streem/samsung_elec_prognoziruet_rekordnuyu_pribyl_v_iii_kv
🇷🇺 На базе АО "Ангарский электролизный химический комбинат", г.Анганрск (Иркутская область, Росатом) планируется создать производство SiC (карбида кремния) и микропорошков на его основе мощностью до 25 тысяч тонн в год. Бюджет проекта - более 3 млрд рублей. Производимая продукция предназначается для внутреннего и внешнего рынка. Карбид кремния используется, в частности, в микроэлектронике и в производстве сверхмощных светодиодов. http://snews.ru/news/v-irkutske-obsudili-perspektivy-proizvodstva-karbida-kremniya
🇷🇺 "Санкции болезненнее всего сказались на российской микроэлектронике". Об этом в понедельник, 1 октября, в эфире Первого канала рассказал глава «Роскосмоса» Дмитрий Рогозин. Хотя тут же последовало "но мы справляемся". https://iz.ru/795413/2018-10-02/rogozin-rasskazal-o-vrede-sanktcii-dlia-rossiiskoi-mikroelektroniki
Известия
Рогозин рассказал о вреде санкций для российской микроэлектроники
Санкции болезненнее всего сказались на российской микроэлектронике. Об этом в понедельник, 1 октября, в эфире Первого канала рассказал глава «Роскосмоса» Дмитрий Рогозин.«Но мы справляемся, мы сумели сократить типы номиналов электронно-компонентной базы,…
🇰🇷 SK Hynix хочет больше доходов с рынка 3D NAND
Южнокорейская SK Hynix досрочно завершает строительство фабрики M15 в Чхонджу, предназначенной для выпуска чипов флеш-памяти 3D NAND. В 2018 году предприятие будет выпускать 72-слойные чипы, с 2019 года - 96-слойные. Инвестиции в фабрику составили $13.5 млрд. Ожидается, что компания сможет меньше зависеть от выпуска DRAM-чипов, которые в 2017 году обеспечивали 90% суммарной операционной прибыли (доля SK Hynix - 29.9% мирового рынка DRAM). Доля SK Hynix на рынке NAND flash составляла 10.6%, ее в компании хотели бы нарастить за счет новой фабрики.
Открытие нового производства SK Hynix окажет дополнительное давление на рынок и так падавшей в цене памяти NAND flash, рынок флеш-памяти становится все более конкурентным. Источник: http://www.dailycomm.ru/m/45115/
Южнокорейская SK Hynix досрочно завершает строительство фабрики M15 в Чхонджу, предназначенной для выпуска чипов флеш-памяти 3D NAND. В 2018 году предприятие будет выпускать 72-слойные чипы, с 2019 года - 96-слойные. Инвестиции в фабрику составили $13.5 млрд. Ожидается, что компания сможет меньше зависеть от выпуска DRAM-чипов, которые в 2017 году обеспечивали 90% суммарной операционной прибыли (доля SK Hynix - 29.9% мирового рынка DRAM). Доля SK Hynix на рынке NAND flash составляла 10.6%, ее в компании хотели бы нарастить за счет новой фабрики.
Открытие нового производства SK Hynix окажет дополнительное давление на рынок и так падавшей в цене памяти NAND flash, рынок флеш-памяти становится все более конкурентным. Источник: http://www.dailycomm.ru/m/45115/
🇷🇺 НТЦ "Модуль" на выставке RADEL в рамках семинара, посвященного нейронным сетям, представила ряд своих разработок. В частности были показаны такие системы на чипе, как К1879ВЯ1Я и К1888ВС018 (автор Осипов В.Г.) http://bit.ly/2IBgKcH