💻 3D NAND стала лидирующей технологией производства флэш-памяти
По данным DigiTimes, доля 64- и 72-слойных микросхем 3D NAND в общем объеме флэш-памяти превысила 60%. И это в среднем, у лидеров рынка, таких как Samsung Electronics этот показатель достигает 85%, у Micron - 90%.
Рост плотности чипов 3D NAND на фоне снижения их стоимости приводит к росту объемов памяти в смартфонах - в 2019 году большинство флагманских моделей смогут похвастаться памятью в 512 ГБ.
Несмотря на рост числа компаний, желающих заниматься производством чипов памяти, Топ-5 в 2018 году не изменится, это по-прежнему будут Samsung Electronics, Toshiba, Western Digital, Micron и SK Hynix. Подробнее: http://www.dailycomm.ru/m/45025/
По данным DigiTimes, доля 64- и 72-слойных микросхем 3D NAND в общем объеме флэш-памяти превысила 60%. И это в среднем, у лидеров рынка, таких как Samsung Electronics этот показатель достигает 85%, у Micron - 90%.
Рост плотности чипов 3D NAND на фоне снижения их стоимости приводит к росту объемов памяти в смартфонах - в 2019 году большинство флагманских моделей смогут похвастаться памятью в 512 ГБ.
Несмотря на рост числа компаний, желающих заниматься производством чипов памяти, Топ-5 в 2018 году не изменится, это по-прежнему будут Samsung Electronics, Toshiba, Western Digital, Micron и SK Hynix. Подробнее: http://www.dailycomm.ru/m/45025/
🌐 Тайваньская WIN Semiconductors готовится к росту спроса на решения 5G на базе технологии GaAs.
WIN Semiconductors Corp. - компания pure play, то есть производство, которое сосредоточено на выпуске микросхем под заказ, не имея собственного отдела разработки интегральных схем. Компания ожидает роста спроса на производство фронтэнд-чипов. От качества таких чипов существенно зависит время работы абонентского терминала от батареи, а если говорить о базовых станциях и активных антеннах, то фронтэнд оказывает существенное влияние на потребляемую мощность.
В системах с поддержкой MIMO существенно возрастают требования к линейности усиления и потребляемой мощности устройств. В WIN подготовили набор технологий на основе GaAs, чтобы отвечать этим требованиям, как для диапазонов ниже 6 ГГц, так и для миллиметровых диапазонов, которые будут использоваться системами 5G, в частности, для диапазона 28-39 ГГц.
В частности, были разработаны такие технологии на базе GaAs, как PIH1-10, предназначенные для монолитной интеграции в усилители мощности передатчиков, ультрамалошумящие усилители для приемных устройств и коммутаторы с низким уровнем потерь. Кроме того, на базе разработанных технологий GaAs создаются опциональные линейные диоды Шоттки для детекторов мощности и комбайнеров, PIN-диоды с низкой емкостью.
https://electroiq.com/2018/09/win-semiconductors-corp-integrated-gaas-technologies-support-5g-user-equipment-and-network-infrastructure/
WIN Semiconductors Corp. - компания pure play, то есть производство, которое сосредоточено на выпуске микросхем под заказ, не имея собственного отдела разработки интегральных схем. Компания ожидает роста спроса на производство фронтэнд-чипов. От качества таких чипов существенно зависит время работы абонентского терминала от батареи, а если говорить о базовых станциях и активных антеннах, то фронтэнд оказывает существенное влияние на потребляемую мощность.
В системах с поддержкой MIMO существенно возрастают требования к линейности усиления и потребляемой мощности устройств. В WIN подготовили набор технологий на основе GaAs, чтобы отвечать этим требованиям, как для диапазонов ниже 6 ГГц, так и для миллиметровых диапазонов, которые будут использоваться системами 5G, в частности, для диапазона 28-39 ГГц.
В частности, были разработаны такие технологии на базе GaAs, как PIH1-10, предназначенные для монолитной интеграции в усилители мощности передатчиков, ультрамалошумящие усилители для приемных устройств и коммутаторы с низким уровнем потерь. Кроме того, на базе разработанных технологий GaAs создаются опциональные линейные диоды Шоттки для детекторов мощности и комбайнеров, PIN-диоды с низкой емкостью.
https://electroiq.com/2018/09/win-semiconductors-corp-integrated-gaas-technologies-support-5g-user-equipment-and-network-infrastructure/
Electroiq
WIN Semiconductors Corp integrated GaAs technologies support 5G user equipment and network infrastructure | Solid State Technology
WIN Semiconductors Corp., the world's largest pure-play compound semiconductor foundry, is driving the development and deployment of 5G user equipment and network infrastructure in the sub-6GHz and mmWave frequency bands.
🇨🇳 В Gowin Semiconductor надеются на рост спроса на чипы FPGA
FPGA, программируемые вентильные матрицы, один из видов ПЛИС. Соответствущие решения выпускают в основном американские компании, такие как Xilinx, Altera, Lattice. На их долю сейчас приходится до 90% мирового рынка. Китайская Gowin Semiconductors из Гуанчжоу также надеется откусить от пирога растущего спроса на FPGA, здесь в последние несколько месяцев начали массовое производство FPGA-чипов с малой и средней плотностью элементов, на собственных IP-блоках.
Китайские FPGA предназначены для использования в самой различной радиоэлектронике, включая авто-мото, видеоинтерфейсы, электроника, телеком, оборона и космос. Непосредственным выпуском FPGA занимается тайваньская TSMC, пока что продукция Gowin Semiconductors доступна только на рынке материкового Китая.
В этом году в Gowin надеются продать 10 млн чипов FPGA. Росту продаж помог кризис в ZTE, спровоцированный ужесточением торговой политики США. Это облегчило компании получить финансовую поддержку на сумму $11.7 млн в виде субсидий и сокращения налогов, как участнику Зоны экономическо-технологического развития Гуаньчжоу. Еще $14,6 млн компания привлекла в ходе первого круга венчурного финансирования.
Компания разрабатывает изделия по процессу 55 нм, что позволяет ее изделиям оставаться конкурентными на базе продукции ведущих американских конкурентов. В 2019 году в Gowin надеются освоить также процесс 28 нм, чтобы выпускать изделия с более высокой плотностью транзисторов.
Говорить о полном импортзамещении в отношении Gowin не получится, изделия компании разрабатываться на архитектуре ARM, а для дизайна топологии используется ПО американской Synopsys. На сегодняшний день производители микроэлектроники практически в любой стране в той или иной степени зависимы от американских технологий, так что о реальном импортзамещении в области полупроводников не может всерьез говорить даже Китай со всеми его финансовыми ресурсами и растущим портфелем технологий. https://www.scmp.com/business/companies/article/2165558/made-china-2025-guangzhou-start-aiming-big-semiconductors
FPGA, программируемые вентильные матрицы, один из видов ПЛИС. Соответствущие решения выпускают в основном американские компании, такие как Xilinx, Altera, Lattice. На их долю сейчас приходится до 90% мирового рынка. Китайская Gowin Semiconductors из Гуанчжоу также надеется откусить от пирога растущего спроса на FPGA, здесь в последние несколько месяцев начали массовое производство FPGA-чипов с малой и средней плотностью элементов, на собственных IP-блоках.
Китайские FPGA предназначены для использования в самой различной радиоэлектронике, включая авто-мото, видеоинтерфейсы, электроника, телеком, оборона и космос. Непосредственным выпуском FPGA занимается тайваньская TSMC, пока что продукция Gowin Semiconductors доступна только на рынке материкового Китая.
В этом году в Gowin надеются продать 10 млн чипов FPGA. Росту продаж помог кризис в ZTE, спровоцированный ужесточением торговой политики США. Это облегчило компании получить финансовую поддержку на сумму $11.7 млн в виде субсидий и сокращения налогов, как участнику Зоны экономическо-технологического развития Гуаньчжоу. Еще $14,6 млн компания привлекла в ходе первого круга венчурного финансирования.
Компания разрабатывает изделия по процессу 55 нм, что позволяет ее изделиям оставаться конкурентными на базе продукции ведущих американских конкурентов. В 2019 году в Gowin надеются освоить также процесс 28 нм, чтобы выпускать изделия с более высокой плотностью транзисторов.
Говорить о полном импортзамещении в отношении Gowin не получится, изделия компании разрабатываться на архитектуре ARM, а для дизайна топологии используется ПО американской Synopsys. На сегодняшний день производители микроэлектроники практически в любой стране в той или иной степени зависимы от американских технологий, так что о реальном импортзамещении в области полупроводников не может всерьез говорить даже Китай со всеми его финансовыми ресурсами и растущим портфелем технологий. https://www.scmp.com/business/companies/article/2165558/made-china-2025-guangzhou-start-aiming-big-semiconductors
South China Morning Post
Chinese start-up takes on biggest specialised chip makers in US
‘Made in China 2025’: the Guangzhou start-up aiming big in semiconductors
Рынок силовых устройств на базе нитрида галлия вырастет до $1.5 млрд к 2024 году
Рынок силовых устройств на базе GaN представлен компаниями в США, Европе, Азиатско-Тихоокеанском регионе, Латинской Америке, Ближнем Востоке и в Африке.
Ключевые участники рынка - это Fujitsu Limited, Transphorm Inc., Cree Incorporated (Wolfspeed), OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Qorvo, Inc. и другие.
Как ожидают аналитики MarketWatch, рынок силовых устройств на базе нитрида галлия вырастет до $1.5 млрд к 2024 году, что соответствует среднегодовым темпам роста в 28% в прогнозируемый период.
Платный обзор-прогноз рынка можно приобрести здесь: https://www.marketresearchengine.com/gan-power-device-market
Рынок силовых устройств на базе GaN представлен компаниями в США, Европе, Азиатско-Тихоокеанском регионе, Латинской Америке, Ближнем Востоке и в Африке.
Ключевые участники рынка - это Fujitsu Limited, Transphorm Inc., Cree Incorporated (Wolfspeed), OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Qorvo, Inc. и другие.
Как ожидают аналитики MarketWatch, рынок силовых устройств на базе нитрида галлия вырастет до $1.5 млрд к 2024 году, что соответствует среднегодовым темпам роста в 28% в прогнозируемый период.
Платный обзор-прогноз рынка можно приобрести здесь: https://www.marketresearchengine.com/gan-power-device-market
🇯🇵 Прогресс в области полупроводников на основе висмута
Сейчас в мире идет активный поиск материалов, которые можно было бы использовать в фотовольтаике. Этот поиск осложняется тем, что мало найти материал сам по себе, требуется еще разработать оптимальный процесс формирования пленок этого материала, а этот процесс порой занимает годы.
Исследователи в Университете Осаки разработали двухшаговый процесс производства оптоэлектронных материалов с хорошими морфологическими свойствами, а также с великолепными фоторезистивными характеристиками. Эти исследования опубликованы в Journal of Physical Chemistry Letters.
Bi2S3 относится к классу материалов, известных как халькогениды металлов, которые многообещающе выглядят с точки зрения перспектив использования их оптических и электронных свойств. В то же время качество функционирования фоточувствительных устройств на базе Bi2S3 во многом определяется методом, используемым в производстве пленки, в частности, многие из выявленных интересных качеств демпфируются низкой кристалличностью пленки. И даже если удается повысить степень ее кристалличности, зернистость может оказывать негативный эффект на качество работы кристалла, поэтому предпочтительны пленки с малой шероховатостью поверхности, но большим размером зерен.
По итогам краткого исследования более 200 различных материалов, было выявлено, что Bi2S3, это менее дорогой и менее токсичный материал, нежели те неорганические материалы (типа галогенидных первовскитов), которые сейчас применяются в фотовольтаики, при этом его можно обрабатывать так, чтобы не испортить его великолепные фотоэлектрические свойства.
Японские ученые разработали метод формирования двухслойной пленки в результате применения двухстадийного процесса - использование раствора (solution spin-coating), а затем кристаллизация. Кстати, этот процесс можно будет использовать для работы и с другими металл-сульфидными полупроводниковыми материалами. https://compoundsemiconductor.net/article/105342/Material_Progress_Around_Bismuth_Semiconductors
Сейчас в мире идет активный поиск материалов, которые можно было бы использовать в фотовольтаике. Этот поиск осложняется тем, что мало найти материал сам по себе, требуется еще разработать оптимальный процесс формирования пленок этого материала, а этот процесс порой занимает годы.
Исследователи в Университете Осаки разработали двухшаговый процесс производства оптоэлектронных материалов с хорошими морфологическими свойствами, а также с великолепными фоторезистивными характеристиками. Эти исследования опубликованы в Journal of Physical Chemistry Letters.
Bi2S3 относится к классу материалов, известных как халькогениды металлов, которые многообещающе выглядят с точки зрения перспектив использования их оптических и электронных свойств. В то же время качество функционирования фоточувствительных устройств на базе Bi2S3 во многом определяется методом, используемым в производстве пленки, в частности, многие из выявленных интересных качеств демпфируются низкой кристалличностью пленки. И даже если удается повысить степень ее кристалличности, зернистость может оказывать негативный эффект на качество работы кристалла, поэтому предпочтительны пленки с малой шероховатостью поверхности, но большим размером зерен.
По итогам краткого исследования более 200 различных материалов, было выявлено, что Bi2S3, это менее дорогой и менее токсичный материал, нежели те неорганические материалы (типа галогенидных первовскитов), которые сейчас применяются в фотовольтаики, при этом его можно обрабатывать так, чтобы не испортить его великолепные фотоэлектрические свойства.
Японские ученые разработали метод формирования двухслойной пленки в результате применения двухстадийного процесса - использование раствора (solution spin-coating), а затем кристаллизация. Кстати, этот процесс можно будет использовать для работы и с другими металл-сульфидными полупроводниковыми материалами. https://compoundsemiconductor.net/article/105342/Material_Progress_Around_Bismuth_Semiconductors
Compound Semiconductor
Material progress around bismuth semiconductors - News
Our selection of industry specific magazines cover a large range of topics.
🌐 Микроэлектроника: У Bitmain появился конкурент - Halong Mining?
Канадская Squire Mining раньше занималась разработкой оборудования для добычи минералов, но летом 2018 году компания полностью переключилась на криптомайнинг. В планах компании - выпуск собственного майнингового оборудования и создание собственных майнинговых площадок.
Для выпуска собственного майнингового оборудования компания намерена использовать собственные ASIC-чипы по техпроцессу 10 нм, для их выпуска компания наладила сотрудничество с Samsung и Gaonchips. Источник: https://profitgid.ru/squire-mining-i-samsung-obedinilis-dlya-proizvodstva-asic.html
Канадская Squire Mining раньше занималась разработкой оборудования для добычи минералов, но летом 2018 году компания полностью переключилась на криптомайнинг. В планах компании - выпуск собственного майнингового оборудования и создание собственных майнинговых площадок.
Для выпуска собственного майнингового оборудования компания намерена использовать собственные ASIC-чипы по техпроцессу 10 нм, для их выпуска компания наладила сотрудничество с Samsung и Gaonchips. Источник: https://profitgid.ru/squire-mining-i-samsung-obedinilis-dlya-proizvodstva-asic.html
ProfitGid
Squire Mining и Samsung объединились для производства ASIC
Производитель майнингового оборудования Squire Mining и техно-гигант Samsung объединились и будут производить ASIC нового поколения.
🇰🇷 В августе в Республике Корея производство полупроводников сократилось на 6.2% по сравнению с июлем 2018 года. Источник: http://k-window.com/economics/obyom-promyshlennogo-proizvodstva-yuk-vyros-v-avguste-na-0-5/
ОКНО В КОРЕЮ
Объём промышленного производства ЮК вырос в августе на 0,5%
Объём промышленного производства РК вырос в августе на 0,5% по сравнению с предыдущим месяцем. Рост сохраняется второй месяц подряд. В металлообрабатывающей промышленности производство выросло на 1,4%..На 6,2% сократился объём производства полупрово...
🇨🇳 Alibaba Group объявила, что планирует начать производство собственных чипов для технологии искусственного интеллекта (ИИ), которые будут использоваться в смарт-устройствах, облачных вычислениях, умной бытовой технике и др. Выпуск запланирован на вторую половину 2019 года. https://gmbox.ru/materials/37723-alibaba-zaymetsya-importozameshcheniem-amerikanskih-chipov-dlya-ii
GMBOX
Alibaba займется импортозамещением американских чипов для ИИ
Alibaba Group объявила, что планирует начать производство собственных чипов для технологии искусственного интеллекта (ИИ), которые будут использоваться в смарт-устройствах, облачных вычислениях, умной бытовой технике и др.
🇰🇷 Samsung Electronics Co Ltd во вторник дала оценку прибыли за третий квартал - в компании ожидают рекордные $15,5 млрд операционной прибыли. Основной вклад обеспечивает подразделение по производству полупроводников, - чуть менее 80%. Существенный вклад в рост прибыли дало повышение цен на микросхемы DRAM, которое не смогло подпортить даже снижение цен на микросхемы NAND из-за высокой конкуренции. Источник: https://fomag.ru/news-streem/samsung_elec_prognoziruet_rekordnuyu_pribyl_v_iii_kv
🇷🇺 На базе АО "Ангарский электролизный химический комбинат", г.Анганрск (Иркутская область, Росатом) планируется создать производство SiC (карбида кремния) и микропорошков на его основе мощностью до 25 тысяч тонн в год. Бюджет проекта - более 3 млрд рублей. Производимая продукция предназначается для внутреннего и внешнего рынка. Карбид кремния используется, в частности, в микроэлектронике и в производстве сверхмощных светодиодов. http://snews.ru/news/v-irkutske-obsudili-perspektivy-proizvodstva-karbida-kremniya
🇷🇺 "Санкции болезненнее всего сказались на российской микроэлектронике". Об этом в понедельник, 1 октября, в эфире Первого канала рассказал глава «Роскосмоса» Дмитрий Рогозин. Хотя тут же последовало "но мы справляемся". https://iz.ru/795413/2018-10-02/rogozin-rasskazal-o-vrede-sanktcii-dlia-rossiiskoi-mikroelektroniki
Известия
Рогозин рассказал о вреде санкций для российской микроэлектроники
Санкции болезненнее всего сказались на российской микроэлектронике. Об этом в понедельник, 1 октября, в эфире Первого канала рассказал глава «Роскосмоса» Дмитрий Рогозин.«Но мы справляемся, мы сумели сократить типы номиналов электронно-компонентной базы,…
🇰🇷 SK Hynix хочет больше доходов с рынка 3D NAND
Южнокорейская SK Hynix досрочно завершает строительство фабрики M15 в Чхонджу, предназначенной для выпуска чипов флеш-памяти 3D NAND. В 2018 году предприятие будет выпускать 72-слойные чипы, с 2019 года - 96-слойные. Инвестиции в фабрику составили $13.5 млрд. Ожидается, что компания сможет меньше зависеть от выпуска DRAM-чипов, которые в 2017 году обеспечивали 90% суммарной операционной прибыли (доля SK Hynix - 29.9% мирового рынка DRAM). Доля SK Hynix на рынке NAND flash составляла 10.6%, ее в компании хотели бы нарастить за счет новой фабрики.
Открытие нового производства SK Hynix окажет дополнительное давление на рынок и так падавшей в цене памяти NAND flash, рынок флеш-памяти становится все более конкурентным. Источник: http://www.dailycomm.ru/m/45115/
Южнокорейская SK Hynix досрочно завершает строительство фабрики M15 в Чхонджу, предназначенной для выпуска чипов флеш-памяти 3D NAND. В 2018 году предприятие будет выпускать 72-слойные чипы, с 2019 года - 96-слойные. Инвестиции в фабрику составили $13.5 млрд. Ожидается, что компания сможет меньше зависеть от выпуска DRAM-чипов, которые в 2017 году обеспечивали 90% суммарной операционной прибыли (доля SK Hynix - 29.9% мирового рынка DRAM). Доля SK Hynix на рынке NAND flash составляла 10.6%, ее в компании хотели бы нарастить за счет новой фабрики.
Открытие нового производства SK Hynix окажет дополнительное давление на рынок и так падавшей в цене памяти NAND flash, рынок флеш-памяти становится все более конкурентным. Источник: http://www.dailycomm.ru/m/45115/
🇷🇺 НТЦ "Модуль" на выставке RADEL в рамках семинара, посвященного нейронным сетям, представила ряд своих разработок. В частности были показаны такие системы на чипе, как К1879ВЯ1Я и К1888ВС018 (автор Осипов В.Г.) http://bit.ly/2IBgKcH
Также обсуждались темы: "Разработка приложений под NeuroMatrix: инструментальные средства, особенности и методики" (автор Мушкаев С.В.) http://bit.ly/2zQMqIF
"Встраиваемый модуль высокоточного спутникового трёхчастотного навигационного приемника МС149.01" (автор Клименко М.Ю.) http://bit.ly/2NkM7cn
и "Процессор 1879ВМ6Я. Реализация глубоких свёрточных нейронных сетей" (автор Таранин М.В.) http://bit.ly/2IByjJT
☝ Международная конференция "Микро- и наноэлектроника – 2018" (ICMNE-2018), включающая расширенную сессию "Квантовая информатика" (QI-2018), проходит 1-5 октября 2018 в парк-отеле "Ершово", Звенигород, Московская область, Россия. http://www.icmne.ftian.ru/index_r.shtml
☝ 1 октября, в Алуште начал свою работу IV Международный форум «Микроэлектроника». Ожидается, что в дни проведения Форума, с 1 по 5 октября, его посетят более 500 участников. http://microelectronica.pro/press-center/news/
Микроэлектроника
Новости
🇩🇪 Osram Opto присоединилась к ISELED Alliance, чтобы заниматься выпуском “умных светодиодов”
Германская Osram Opto Semiconductors GmbH из Регенсбурга присоединилась к Альянсу ISELED. Альянс был основан в 2016 году с целью дальнейшего развития и продвижения на рынок “цифровых светодиодов” (контроллеров с тремя разноцветными светодиодами), которые используются в инновационных концепциях освещения транспортных средств. Ранее в альянс вступили Inova Semiconductors, Dominant Opto Technologies, Lucie Labs, Melexis, OLSA Group, NXP, TE Connectivity, University of Pforzheim и Valeo.
Альянс планирует выпуск комплексных решений, включающих соответствующее железо и ПО в рамках концепции ISELED. Фокус при этом делается не на каком-то отдельном продукте, но на их взаимодействии со всей системой. Разработан специальный протокол, который должен обеспечить оптимальную координацию железа и компонентов ПО, используемых в рамках системного решения. Как ожидается, такой подход обеспечит оптимальную интеграцию “умных светодиодов” и контроллера. Благодаря такому подходы можно не только упростить контроллер, но также расширить возможности встраиваемый в автомобиль светодиодной системы освещения. В новом поколении автомобильных интерьеров и фоновой подсветки используются сотни светодиодов, которые обычно выпускаются, как гибкие полосы с большим числом RGB LED на них. При этом должна быть возможность управления индивидуально каждым светодиодом, чтобы можно было создавать динамические световые эффекты.
В рамках концепции ISELED, каждый “цифровой светодиод” состоит из чипов красного, зеленого и синего светодиодов, которые могут быть интегрированы с контроллером в компактную сборку. Такие сборки можно соединять последовательно. Вплоть до 4079 таких цифровых светодиодов могут быть объединены с использованием дифференциальной двупроводной шины, которая поддерживает передачу данных со скоростью до 2 Мбит/c, которой управляет внешний контроллер. Добавьте к этому ПО, которое создается партнерами ISELED, и можно добиться великолепных световых эффектов.
Osram Opto вскоре выпустит первые прототипы “умных светодиодов” (smart RGB LEDs). Важное преимущество нового подхода - не требуется калибровка яркости отдельных светодиодов. После первого опыта, который будет получен при оформлении новым продуктом внутренних интерьеров автомобиля, Альянс намеревается выпустить также “умные светодиоды” для наружного оформления.
Германская Osram Opto Semiconductors GmbH из Регенсбурга присоединилась к Альянсу ISELED. Альянс был основан в 2016 году с целью дальнейшего развития и продвижения на рынок “цифровых светодиодов” (контроллеров с тремя разноцветными светодиодами), которые используются в инновационных концепциях освещения транспортных средств. Ранее в альянс вступили Inova Semiconductors, Dominant Opto Technologies, Lucie Labs, Melexis, OLSA Group, NXP, TE Connectivity, University of Pforzheim и Valeo.
Альянс планирует выпуск комплексных решений, включающих соответствующее железо и ПО в рамках концепции ISELED. Фокус при этом делается не на каком-то отдельном продукте, но на их взаимодействии со всей системой. Разработан специальный протокол, который должен обеспечить оптимальную координацию железа и компонентов ПО, используемых в рамках системного решения. Как ожидается, такой подход обеспечит оптимальную интеграцию “умных светодиодов” и контроллера. Благодаря такому подходы можно не только упростить контроллер, но также расширить возможности встраиваемый в автомобиль светодиодной системы освещения. В новом поколении автомобильных интерьеров и фоновой подсветки используются сотни светодиодов, которые обычно выпускаются, как гибкие полосы с большим числом RGB LED на них. При этом должна быть возможность управления индивидуально каждым светодиодом, чтобы можно было создавать динамические световые эффекты.
В рамках концепции ISELED, каждый “цифровой светодиод” состоит из чипов красного, зеленого и синего светодиодов, которые могут быть интегрированы с контроллером в компактную сборку. Такие сборки можно соединять последовательно. Вплоть до 4079 таких цифровых светодиодов могут быть объединены с использованием дифференциальной двупроводной шины, которая поддерживает передачу данных со скоростью до 2 Мбит/c, которой управляет внешний контроллер. Добавьте к этому ПО, которое создается партнерами ISELED, и можно добиться великолепных световых эффектов.
Osram Opto вскоре выпустит первые прототипы “умных светодиодов” (smart RGB LEDs). Важное преимущество нового подхода - не требуется калибровка яркости отдельных светодиодов. После первого опыта, который будет получен при оформлении новым продуктом внутренних интерьеров автомобиля, Альянс намеревается выпустить также “умные светодиоды” для наружного оформления.