🇷🇺 Измерительные приборы. Производство. Россия
ВНИИФТРИ в начале февраля 2025 года запустил в эксплуатацию новую линию поверхностного монтажа компонентов на печатных платах для создания сложных электронных устройств.
Линия предназначена для выпуска универсальных цифровых осциллографов, разработанных в институте с полосой пропускания до 1 ГГц. (Это, например, модели C8-3100, C8-3050, C8-3035 с дифференцированными активными пробниками).
Производительность линии – до 40 тысяч компонентов в час. Она оснащена системой для групповой пайки компонентов, что обеспечивает не только стабильную повторяемость этапов, но и контроль температурного режима, а также точность и надежность соединений.
Контроль качества производимых изделий обеспечивает современная автоматическая установка 3D-оптической инспекции.
ВНИИФТРИ сейчас реализует 5 ОКР, в рамках которых разрабатывается 11 продуктов в области радиотехнических измерений.
ВНИИФТРИ – это Всероссийский научно-исследовательский институт физико-технических и радиотехнических измерений Росстандарта.
@RUSmicro по материалам ВНИИФТРИ
#измерительная #производство
ВНИИФТРИ в начале февраля 2025 года запустил в эксплуатацию новую линию поверхностного монтажа компонентов на печатных платах для создания сложных электронных устройств.
Линия предназначена для выпуска универсальных цифровых осциллографов, разработанных в институте с полосой пропускания до 1 ГГц. (Это, например, модели C8-3100, C8-3050, C8-3035 с дифференцированными активными пробниками).
Производительность линии – до 40 тысяч компонентов в час. Она оснащена системой для групповой пайки компонентов, что обеспечивает не только стабильную повторяемость этапов, но и контроль температурного режима, а также точность и надежность соединений.
Контроль качества производимых изделий обеспечивает современная автоматическая установка 3D-оптической инспекции.
ВНИИФТРИ сейчас реализует 5 ОКР, в рамках которых разрабатывается 11 продуктов в области радиотехнических измерений.
ВНИИФТРИ – это Всероссийский научно-исследовательский институт физико-технических и радиотехнических измерений Росстандарта.
@RUSmicro по материалам ВНИИФТРИ
#измерительная #производство
👍22🤔1
🇺🇸 Производственные мощности. Инвестиции. Передовые техпроцессы. США
TSMC объявила о намерении нарастить инвестиции в США до $165 млрд
Если этим планам суждено реализоваться, то будут построены еще 3 фаба TSMC в США, массовое производство на них начнется около 2030 года. Fab 21 TSMC в Аризоне уже вышел на режим массового производства пластин по техпроцессу 4нм, вторая и третья фабрики запустятся в работу ближе к 2026 и 2028 году, соответственно. Вторая фабрика будет работать с техпроцессами 3нм, 2нм или даже A16. Доступные американские мощности TSMC полностью забронированы на 2025-2026 год.
После сооружения остальных проектов, которые будут выходить на серийное производство после 2030 года, доля США на рынке передовой полупроводниковой продукции может достичь 22%. Такими цифрами делится TrendForce.
При этом известно, что администрация Трампа не собирается инвестировать в эти планы расширения деятельности TSMC в США. И, похоже, инвестиции TSCM станут крупнейшими иностранными инвестициями в истории США.
На 2021 год на Тайвань приходилось 71% производства микросхем по передовым технологиям (и 53% по зрелым). Бурное развитие мощностей по зрелым технологиям в Китае и по передовым технологиям в США должны снизить эти цифры до 58% и 30% соответственно. Доля Китая в передовых чипах, как ожидается, не превысит 5%. Реалистично?
TSMC планирует построить в США не только еще 3 фаба, производящих полупроводниковые структуры на кремниевых пластинах, но также 2 предприятия по упаковке и центр исследований и разработок в области технологий высокопроизводительных вычислений. На текущий момент произведенные в США пластины приходится направлять на разделение и упаковку в Тайвань, постройка американских упаковочных предприятий TSMC должна будет замкнуть этот логистический этап внутри Аризоны.
Заказчиками на американские чипы TSMC выступают Apple, Nvidia, AMD, Broadcom и Qualcomm, так что о загрузке заводов можно не беспокоиться.
Единственной очевидной проблемой является высокая себестоимость производства в США, - по данным TSMC, каждый «американский» чип компании обойдется TSMC на 30% дороже, чем выпущенный в Тайване. TSMCвынужденно добровольно примет на себя 15% этого роста, но и заказчикам из американских компаний придется смириться с повышением своих затрат на 15% (это, вероятно, скажется и на росте цен на конечную продукцию). Более высокая цена чипов объясняется рядом причин, прежде всего на 66% большими расходами на оплату труда персонала в США.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#инвестиции
TSMC объявила о намерении нарастить инвестиции в США до $165 млрд
Если этим планам суждено реализоваться, то будут построены еще 3 фаба TSMC в США, массовое производство на них начнется около 2030 года. Fab 21 TSMC в Аризоне уже вышел на режим массового производства пластин по техпроцессу 4нм, вторая и третья фабрики запустятся в работу ближе к 2026 и 2028 году, соответственно. Вторая фабрика будет работать с техпроцессами 3нм, 2нм или даже A16. Доступные американские мощности TSMC полностью забронированы на 2025-2026 год.
После сооружения остальных проектов, которые будут выходить на серийное производство после 2030 года, доля США на рынке передовой полупроводниковой продукции может достичь 22%. Такими цифрами делится TrendForce.
При этом известно, что администрация Трампа не собирается инвестировать в эти планы расширения деятельности TSMC в США. И, похоже, инвестиции TSCM станут крупнейшими иностранными инвестициями в истории США.
На 2021 год на Тайвань приходилось 71% производства микросхем по передовым технологиям (и 53% по зрелым). Бурное развитие мощностей по зрелым технологиям в Китае и по передовым технологиям в США должны снизить эти цифры до 58% и 30% соответственно. Доля Китая в передовых чипах, как ожидается, не превысит 5%. Реалистично?
TSMC планирует построить в США не только еще 3 фаба, производящих полупроводниковые структуры на кремниевых пластинах, но также 2 предприятия по упаковке и центр исследований и разработок в области технологий высокопроизводительных вычислений. На текущий момент произведенные в США пластины приходится направлять на разделение и упаковку в Тайвань, постройка американских упаковочных предприятий TSMC должна будет замкнуть этот логистический этап внутри Аризоны.
Заказчиками на американские чипы TSMC выступают Apple, Nvidia, AMD, Broadcom и Qualcomm, так что о загрузке заводов можно не беспокоиться.
Единственной очевидной проблемой является высокая себестоимость производства в США, - по данным TSMC, каждый «американский» чип компании обойдется TSMC на 30% дороже, чем выпущенный в Тайване. TSMC
@RUSmicro по материалам TrendForce
#инвестиции
🤔3👍1
🇺🇸 Участники рынка. Передовые технологии. 18А. США
Intel отдала TSMC на аутсорсинг производство до 30% заказов
Несмотря на то, что Intel явно активно продвигается в области передовых чипов по техпроцессу 18А, компания более не пытается избавиться от своей зависимости от TSMC (на этом, возможно, сказываются «американские планы» TSMC).
Со ссылкой на вице-президента Intel по корпоративному планированию Джона Питцера, Tom’s hardware отмечает, что Intel отдала на аутсорсинг до 30% всего объема производства пластин. По словам г-на Питцера, «всегда хорошо размещать хотя бы часть наших пластин у TSMC, это отличный поставщик», - заявил Питцер, добавив, что это создает хороший стимул для конкуренции.
Сейчас Intel полагается на TSMC в производстве пластин процессоров Arrow Lake и Lunar Lake, которые затем собираются с использованием технологии упаковки Foveros 3D.
В связи с этим успех Panther Lake и техпроцесса 18A имеют важное значение для Intel, поскольку это позволит задействовать для их производства собственные производственные мощности – Fab 52 и Fab 62 в Аризоне. Это обеспечит для Intel больше валовой прибыли, чем в ситуации, когда приходится делить ее с TSMC.
В Intel надеются выйти на уровень безубыточности к 2027 году. А к 2030 году компания надеется стать вторым по объемам выручки контрактным производством в мире после TSMC, с объемом выручки около $15 млрд. Это обеспечило бы компании порядка 10% мирового высококонкурентного рынка.
В 2024 году Intel Foundry понесла убытки в размере $13.4 млрд, при этом выручка составила $17.5 млрд (-7% гг).
Сыграет ли ставка Intel на Panther Lake?
@RUSmicro по материалам TrendForce
#18A
Intel отдала TSMC на аутсорсинг производство до 30% заказов
Несмотря на то, что Intel явно активно продвигается в области передовых чипов по техпроцессу 18А, компания более не пытается избавиться от своей зависимости от TSMC (на этом, возможно, сказываются «американские планы» TSMC).
Со ссылкой на вице-президента Intel по корпоративному планированию Джона Питцера, Tom’s hardware отмечает, что Intel отдала на аутсорсинг до 30% всего объема производства пластин. По словам г-на Питцера, «всегда хорошо размещать хотя бы часть наших пластин у TSMC, это отличный поставщик», - заявил Питцер, добавив, что это создает хороший стимул для конкуренции.
Сейчас Intel полагается на TSMC в производстве пластин процессоров Arrow Lake и Lunar Lake, которые затем собираются с использованием технологии упаковки Foveros 3D.
В связи с этим успех Panther Lake и техпроцесса 18A имеют важное значение для Intel, поскольку это позволит задействовать для их производства собственные производственные мощности – Fab 52 и Fab 62 в Аризоне. Это обеспечит для Intel больше валовой прибыли, чем в ситуации, когда приходится делить ее с TSMC.
В Intel надеются выйти на уровень безубыточности к 2027 году. А к 2030 году компания надеется стать вторым по объемам выручки контрактным производством в мире после TSMC, с объемом выручки около $15 млрд. Это обеспечило бы компании порядка 10% мирового высококонкурентного рынка.
В 2024 году Intel Foundry понесла убытки в размере $13.4 млрд, при этом выручка составила $17.5 млрд (-7% гг).
Сыграет ли ставка Intel на Panther Lake?
@RUSmicro по материалам TrendForce
#18A
[News] Intel Reportedly Has 30% Wafers Outsourced, Hails TSMC as a Great Supplier | TrendForce News
While Intel pushes ahead with its 18A and advanced node roadmaps, the company’s ambition to boost its foundry business appears evident. However, accor...
🤔3
🇳🇱 Производственное оборудование. Фотолитография. Нидерланды. Европа
ASML продолжает строить ремонтно-сервисный центр в Пекине, несмотря на ужесточение экспортных ограничений
В отличие от американской Applied Materials, которая была вынуждена прекратить сервисное обслуживание оборудования ряда клиентов в Китае, нидерландская ASML намерена открыть центр «повторного использования и ремонта» в Пекине в 2025 году, знают в South China Morning Post.
Этот шаг свидетельствует о том, что несмотря на очевидное давление США на правительство Нидерландов, компания ASML не намерена отказываться от весьма существенного для нее рынка – согласно годовому отчету ASML, на Китай пришлось 36% ее дохода в 2024 году, больше, чем на Корею (23%), США (16%) и Тайвань (15%).
ASML в отчете отметила, что спрос на DUV-машины был выше, чем компания могла обеспечить, особенно, заказы из Китая на определенные модели.
Как подчеркивает South China Morning Post, ASML объясняет высокий спрос из Китая своего рода «отложенным спросом», в компании ожидают его снижения после того, как китайские производители смогут получить то, что хотели, но не могли купить ранее. Отмечается высокий спрос на оборудование для производства чипов памяти, обусловленный ростом спроса на технологии ИИ, при этом Китай лидирует по объему заказов на такое оборудование.
Новый сервисный центр ASML в Пекине должен будет упростить и ускорить логистику для китайских покупателей оборудования ASML. У ASML есть множество ремонтных центров по всему миру, например, в Азии (Корея, Тайвань, Китай), США (Уилтон, Сан-Диего, Вашингтон), Канаде (Ванкувер), ЕС (Вельдховен).
Тем временем американской Applied Materials пришлось прекратить обслуживание ряда (не всех!) клиентов в Китае, что уже привело к потери дохода в размере $400 млн в 2025 ф. году.
Несмотря на свойдерзкий шаг, ASML предупредила, что геополитические риски и экспортные ограничения могут негативно повлиять на продажи компании в Китае. Санкции США, Нидерландов и Японии уже ограничили компанию в возможностях поставки передовых систем. В ASML ожидают, что на Китай придется около 20% от объема продаж в 2025 году.
ASML рассчитывает в 2025 году выручить от 30 до 35 млрд евро, что на 15% больше год к году. Ожидается, что бум спроса на ИИ приведет к росту спроса на системы фотолитографии в экстремальном ультрафиолете (EUV). Такие системы ASML Нидерланды не разрешают поставлять в Китай по просьбе США.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#геополитика #фотолитография
ASML продолжает строить ремонтно-сервисный центр в Пекине, несмотря на ужесточение экспортных ограничений
В отличие от американской Applied Materials, которая была вынуждена прекратить сервисное обслуживание оборудования ряда клиентов в Китае, нидерландская ASML намерена открыть центр «повторного использования и ремонта» в Пекине в 2025 году, знают в South China Morning Post.
Этот шаг свидетельствует о том, что несмотря на очевидное давление США на правительство Нидерландов, компания ASML не намерена отказываться от весьма существенного для нее рынка – согласно годовому отчету ASML, на Китай пришлось 36% ее дохода в 2024 году, больше, чем на Корею (23%), США (16%) и Тайвань (15%).
ASML в отчете отметила, что спрос на DUV-машины был выше, чем компания могла обеспечить, особенно, заказы из Китая на определенные модели.
Как подчеркивает South China Morning Post, ASML объясняет высокий спрос из Китая своего рода «отложенным спросом», в компании ожидают его снижения после того, как китайские производители смогут получить то, что хотели, но не могли купить ранее. Отмечается высокий спрос на оборудование для производства чипов памяти, обусловленный ростом спроса на технологии ИИ, при этом Китай лидирует по объему заказов на такое оборудование.
Новый сервисный центр ASML в Пекине должен будет упростить и ускорить логистику для китайских покупателей оборудования ASML. У ASML есть множество ремонтных центров по всему миру, например, в Азии (Корея, Тайвань, Китай), США (Уилтон, Сан-Диего, Вашингтон), Канаде (Ванкувер), ЕС (Вельдховен).
Тем временем американской Applied Materials пришлось прекратить обслуживание ряда (не всех!) клиентов в Китае, что уже привело к потери дохода в размере $400 млн в 2025 ф. году.
Несмотря на свой
ASML рассчитывает в 2025 году выручить от 30 до 35 млрд евро, что на 15% больше год к году. Ожидается, что бум спроса на ИИ приведет к росту спроса на системы фотолитографии в экстремальном ультрафиолете (EUV). Такие системы ASML Нидерланды не разрешают поставлять в Китай по просьбе США.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#геополитика #фотолитография
TrendForce
[News] ASML Moves Ahead with New Beijing Repair Hub in 2025 Amid Tightening Chip Export Controls
As export control headwinds are hitting the chip industry, semiconductor equipment giants take different approaches. Unlike Applied Materials, which h...
👍5
Forwarded from ГК БЕШТАУ| Импортозамещение
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
👍26
Forwarded from ГК БЕШТАУ| Импортозамещение
Media is too big
VIEW IN TELEGRAM
750 000 компонентов в час и 500 тысяч изделий в год
- производственная мощность нового завода ГК БЕШТАУ в Ростове-на-Дону!
Благодарим почетных гостей и представителей СМИ за то, что разделили важный момент в жизни нашей компании!
Подробности в видео🎥
🤩 Бештау. Путь к вершине
- производственная мощность нового завода ГК БЕШТАУ в Ростове-на-Дону!
Благодарим почетных гостей и представителей СМИ за то, что разделили важный момент в жизни нашей компании!
Подробности в видео
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
👍17🤔2
🇨🇳 🇳🇱 Силовая электроника. SiC. Китай. Нидерланды
Нидерландо-китайская компания начала производство силовой электроники на пластинах SiC в Китае
Нидерландская STMicroelectronics и ее китайский партнер Sanan Optoelectronics (Chongqing Sanan Semiconductor) официально приступили к производству полупроводниковых структур на пластинах карбида кремния в Чунцине. Серийное производство на 8-дюймовых SiC пластинах начнется в 4q2025.
В рамках проекта сооружается фабрика по производству чипов и предприятие по производству пластин SiC. Предприятие займется также R&D в области чипов, их продажами.
Это предприятие в промышленном парке Xiyong Microelectronics, Чунцин, должно стать крупнейшей линией такого рода в Китае. Как ожидается, это позволит удовлетворить растущий спрос на изделия на базе карбида кремния на рынке Китая, прежде всего, в сегментах электромобилей, промышленного электропитания и электроэнергетики.
Инвестиции в проект оцениваются на уровне $3.1 млрд (23 млрд юаней).
По оценкам TrendForce, рынок силовых устройств на базе SiC в Китае достиг примерно $1.8 млрд в 2024 году, вырастет до $2.2 млрд в 2025 году, и к 2030 году увеличится до $6.1 млрд.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#SiC #силовая #карбидкремния
Нидерландо-китайская компания начала производство силовой электроники на пластинах SiC в Китае
Нидерландская STMicroelectronics и ее китайский партнер Sanan Optoelectronics (Chongqing Sanan Semiconductor) официально приступили к производству полупроводниковых структур на пластинах карбида кремния в Чунцине. Серийное производство на 8-дюймовых SiC пластинах начнется в 4q2025.
В рамках проекта сооружается фабрика по производству чипов и предприятие по производству пластин SiC. Предприятие займется также R&D в области чипов, их продажами.
Это предприятие в промышленном парке Xiyong Microelectronics, Чунцин, должно стать крупнейшей линией такого рода в Китае. Как ожидается, это позволит удовлетворить растущий спрос на изделия на базе карбида кремния на рынке Китая, прежде всего, в сегментах электромобилей, промышленного электропитания и электроэнергетики.
Инвестиции в проект оцениваются на уровне $3.1 млрд (23 млрд юаней).
По оценкам TrendForce, рынок силовых устройств на базе SiC в Китае достиг примерно $1.8 млрд в 2024 году, вырастет до $2.2 млрд в 2025 году, и к 2030 году увеличится до $6.1 млрд.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#SiC #силовая #карбидкремния
TrendForce
[News] Sanan-STMicroelectronics SiC Device Fab Goes Online
On February 27, the SiC (silicon carbide) wafer manufacturing joint venture between Sanan Optoelectronics and STMicroelectronics in Chongqing, officia...
👌3
🇺🇸 Микросхемы. Модемы 5G. Искусственный интеллект. США
Qualcomm представил 5G модем X85 и заявляет о его превосходстве над модемом Apple C1
В феврале 2025 года Apple представила свой первый модем 5G собственной разработки C1, который дебютировал в iPhone 16e. Это ознаменовало близость к завершению многолетних партнерских отношений с Qualcomm, у которой Apple годами закупала модемы RF. В марте Qualcomm представила свою новинку – X85 5G Modem RF.
X85 поддерживает 5G mmWave, спутниковые подключения и возможность работы с полосой до 400 МГц на частотах ниже 6ГГц. Как утверждает Qualcomm, эппловский C1 на это не способен.
В отчете Wccftech подчеркивается, что по сравнению с предшественником X85 оснащен процессором 5G AI, оснащенным выделенным тензорным ускорителем, что обеспечивает 30%-ное улучшение скорости вывода ИИ. Кроме того, в отчете говорится, что X85 обеспечивает скорости загрузки до 12.5 Гбит/c и аплоада до 3.7 Гбит/с.
Одна из ключевых возможностей новинки – расширенные возможности ИИ. Как заявляет гендиректор Qualcomm, Кристиано Амон, X85 – первый модем с такой обширной интеграцией ИИ, что повышает его производительность и позволяет ему более эффективно обрабатывать более слабые сигналы.
В итоге, как утверждает Qualcomm, X85 обеспечит значительный разрыв в производительности между премиальными устройствами Android и устройствами iOS. Поскольку модем на сегодня, это один из основных энейблеров ИИ на мобильном устройстве, более мощный модем Qualcomm обеспечит пользователям смартфонов более высокую производительность ИИ, чем решение Apple.
Г-н Амон подтвердил, что Qualcomm прекратит поставлять модемы Apple к 2027 году.
Apple, между тем, разрабатывает модем 5G второго поколения, который, как ожидается, будет представлен в предстоящей серии iPhone 18.
К 2027 году Apple намерена превзойти Qualcomm по производительности модема и возможностям ИИ. Компания планирует интегрировать модем 5G с процессором приложений.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#модемы #5G #ИИ
Qualcomm представил 5G модем X85 и заявляет о его превосходстве над модемом Apple C1
В феврале 2025 года Apple представила свой первый модем 5G собственной разработки C1, который дебютировал в iPhone 16e. Это ознаменовало близость к завершению многолетних партнерских отношений с Qualcomm, у которой Apple годами закупала модемы RF. В марте Qualcomm представила свою новинку – X85 5G Modem RF.
X85 поддерживает 5G mmWave, спутниковые подключения и возможность работы с полосой до 400 МГц на частотах ниже 6ГГц. Как утверждает Qualcomm, эппловский C1 на это не способен.
В отчете Wccftech подчеркивается, что по сравнению с предшественником X85 оснащен процессором 5G AI, оснащенным выделенным тензорным ускорителем, что обеспечивает 30%-ное улучшение скорости вывода ИИ. Кроме того, в отчете говорится, что X85 обеспечивает скорости загрузки до 12.5 Гбит/c и аплоада до 3.7 Гбит/с.
Одна из ключевых возможностей новинки – расширенные возможности ИИ. Как заявляет гендиректор Qualcomm, Кристиано Амон, X85 – первый модем с такой обширной интеграцией ИИ, что повышает его производительность и позволяет ему более эффективно обрабатывать более слабые сигналы.
В итоге, как утверждает Qualcomm, X85 обеспечит значительный разрыв в производительности между премиальными устройствами Android и устройствами iOS. Поскольку модем на сегодня, это один из основных энейблеров ИИ на мобильном устройстве, более мощный модем Qualcomm обеспечит пользователям смартфонов более высокую производительность ИИ, чем решение Apple.
Г-н Амон подтвердил, что Qualcomm прекратит поставлять модемы Apple к 2027 году.
Apple, между тем, разрабатывает модем 5G второго поколения, который, как ожидается, будет представлен в предстоящей серии iPhone 18.
К 2027 году Apple намерена превзойти Qualcomm по производительности модема и возможностям ИИ. Компания планирует интегрировать модем 5G с процессором приложений.
@RUSmicro по материалам TrendForce
#модемы #5G #ИИ
👍5🤔1
🇨🇳 Фотолитография. EUV. Китай
Вчера и сегодня активно обсуждается тема "китайского прорыва" в области создания EUV-фотолитографа. Пока что речь идет, скорее, о слухах, чем о чем-либо достоверном. В ситуации пробовал разобраться Электромозг.
Если отбросить спекуляции, то в сухом остатке - в Китае ведут разработку фотолитографа EUV с источником на базе лазерно-индуцированной плазмы разряда (LDP) (и что-то, возможно, уже испытывается), на заводе Huawei в Дунгуане.
В основе - все те же пары олова, то есть та же длина волны - 13.5 нм. Но конструкция LDP - заметно проще в реализации, компактнее, энергоэффективнее, чем используемый в машинах ASML подход на основе LPP - плазмы, создаваемой лазером.
В России пока что идет еще более ранняя фаза разработки. Рассматриваются различные варианты источника, в частности, на основе ксенона (11.24 нм), что позволяет меньше волноваться о загрязнениях оптики. Но пока все на еще стадии "обоснования технической возможности".
Справочно:
LPP - Laser-Produced Plasma (плазма, создаваемая лазером). Метод генерации экстремального ультрафиолетового (EUV) излучения, при котором высокомощный лазер фокусируется на мишени (например, капля олова), создавая плазму, излучающую EUV-свет (длина волны ~13.5 нм).
LDP — Laser-Driven Plasma (плазма, управляемая лазером), по сути это синоним LPP, но лазер в нем используется только для создания небольшого облака паров олова, а в плазму их превращает уже высокое напряжение между электродами. Длина волны - та же, поскольку опять речь об олове. К лазеру - намного меньшие требования, чем в LPP. Раньше этот метод именовали DPP, в Европе сочли его неперспективным.
С ксеноновой плазмой в Европе тоже пробовали работать еще в начале 2000-х, тогда отказались от нее в пользу паров олова. В частности, не хватало мощности источника.
Вчера и сегодня активно обсуждается тема "китайского прорыва" в области создания EUV-фотолитографа. Пока что речь идет, скорее, о слухах, чем о чем-либо достоверном. В ситуации пробовал разобраться Электромозг.
Если отбросить спекуляции, то в сухом остатке - в Китае ведут разработку фотолитографа EUV с источником на базе лазерно-индуцированной плазмы разряда (LDP) (и что-то, возможно, уже испытывается), на заводе Huawei в Дунгуане.
В основе - все те же пары олова, то есть та же длина волны - 13.5 нм. Но конструкция LDP - заметно проще в реализации, компактнее, энергоэффективнее, чем используемый в машинах ASML подход на основе LPP - плазмы, создаваемой лазером.
В России пока что идет еще более ранняя фаза разработки. Рассматриваются различные варианты источника, в частности, на основе ксенона (11.24 нм), что позволяет меньше волноваться о загрязнениях оптики. Но пока все на еще стадии "обоснования технической возможности".
Справочно:
LPP - Laser-Produced Plasma (плазма, создаваемая лазером). Метод генерации экстремального ультрафиолетового (EUV) излучения, при котором высокомощный лазер фокусируется на мишени (например, капля олова), создавая плазму, излучающую EUV-свет (длина волны ~13.5 нм).
LDP — Laser-Driven Plasma (плазма, управляемая лазером), по сути это синоним LPP, но лазер в нем используется только для создания небольшого облака паров олова, а в плазму их превращает уже высокое напряжение между электродами. Длина волны - та же, поскольку опять речь об олове. К лазеру - намного меньшие требования, чем в LPP. Раньше этот метод именовали DPP, в Европе сочли его неперспективным.
С ксеноновой плазмой в Европе тоже пробовали работать еще в начале 2000-х, тогда отказались от нее в пользу паров олова. В частности, не хватало мощности источника.
Дзен | Статьи
Рентгеновский EUV-литограф уже к концу лета 2025 года, но у Китая
Статья автора «Электромозг» в Дзене ✍: 8 марта 2025 года спокойствие в СМИ нарушил китаец Yin Sun своим твитом в сети Х: Разработанная в Китае отечественная EUV-машина, использующая технологию...
👍12🤔3❤2
🇷🇺 🇮🇷 Международное сотрудничество. Россия. Иран
ЗНТЦ подписал соглашение о сотрудничестве с иранским Штабом по развитию микротехнологий
Договоренность предполагает, в частности, производство в России иранской электроники, сообщает КоммерсантЪ.
Предполагается, что ЗНТЦ выступит интегратором контрактных производств для иранских дизайн-центров. Между странами будет происходить обмен компетенциями и сотрудниками в области микроэлектроники.
Ожидается, что сотрудничество с иранской стороной будет касаться производства фотолитографов для работы с пластинами (это, видимо, следует понимать как намерение Ирана покупать у России фотолитографы 350 нм и другие по мере их разработки), мультиплексоров для сетей связи (опять же, у РФ есть в этом компетенции) и различных датчиков для автомобилей.
Что может предложить России Иран, кроме рынка сбыта?
В Иране есть предприятия, работающие на рынке микроэлектроники, в основном по военным заказам.
В частности, в Иране разрабатывают и производят компоненты для систем ПВО, ракет, БАС и спутников. Также есть производство некоторых компонентов для телекома, есть микроконтроллеры. Используемые техпроцессы – 90-250 нм. Для производства компонентов в Иране используют в основном устаревшие литографы (включая DUV), закупленные через третьи страны или восстановленные.
Из участников рынка можно назвать Iran Electronics Industries (IEI), Тегеранский университет, Иранский институт передовых технологий (ACECR), есть компании, специализирующиеся не телеком-оборудовании 4G/5G.
В целом, Иран отстает от России по масштабам и диверсификации микроэлектроники. В Иране ставят цель в 2025 году добиться полного цикла производства чипов 90нм для военных нужд. Закупки зарубежного производственного оборудования предположительно осуществляются по сложным схемам, в основном, китайского, а также другого – через ОАЭ и Турцию.
Санкции не позволяют создавать в Иране конкурентоспособную на глобальном рынке продукцию.
Для России возможность продавать продукцию в области микроэлектроники и электроники в Иран – это возможность загрузить свои производственные мощности и расширить рынки сбыта.
@RUSmicro
ЗНТЦ подписал соглашение о сотрудничестве с иранским Штабом по развитию микротехнологий
Договоренность предполагает, в частности, производство в России иранской электроники, сообщает КоммерсантЪ.
Предполагается, что ЗНТЦ выступит интегратором контрактных производств для иранских дизайн-центров. Между странами будет происходить обмен компетенциями и сотрудниками в области микроэлектроники.
Ожидается, что сотрудничество с иранской стороной будет касаться производства фотолитографов для работы с пластинами (это, видимо, следует понимать как намерение Ирана покупать у России фотолитографы 350 нм и другие по мере их разработки), мультиплексоров для сетей связи (опять же, у РФ есть в этом компетенции) и различных датчиков для автомобилей.
Что может предложить России Иран, кроме рынка сбыта?
В Иране есть предприятия, работающие на рынке микроэлектроники, в основном по военным заказам.
В частности, в Иране разрабатывают и производят компоненты для систем ПВО, ракет, БАС и спутников. Также есть производство некоторых компонентов для телекома, есть микроконтроллеры. Используемые техпроцессы – 90-250 нм. Для производства компонентов в Иране используют в основном устаревшие литографы (включая DUV), закупленные через третьи страны или восстановленные.
Из участников рынка можно назвать Iran Electronics Industries (IEI), Тегеранский университет, Иранский институт передовых технологий (ACECR), есть компании, специализирующиеся не телеком-оборудовании 4G/5G.
В целом, Иран отстает от России по масштабам и диверсификации микроэлектроники. В Иране ставят цель в 2025 году добиться полного цикла производства чипов 90нм для военных нужд. Закупки зарубежного производственного оборудования предположительно осуществляются по сложным схемам, в основном, китайского, а также другого – через ОАЭ и Турцию.
Санкции не позволяют создавать в Иране конкурентоспособную на глобальном рынке продукцию.
Для России возможность продавать продукцию в области микроэлектроники и электроники в Иран – это возможность загрузить свои производственные мощности и расширить рынки сбыта.
@RUSmicro
Коммерсантъ
Чипы с персидским отливом
Россия и Иран подписали меморандум о совместном производстве микроэлектроники
👍15
🇷🇺 Компоненты. Модули СВЧ. Россия
Первые модули СВЧ серии М34230 переданы заказчикам
Разработанные в СКТБ РТ изделия предназначены для коммутации сигналов до 18 ГГц и способны выдерживать многократные удары с ускорением до 50g и работать при температуре от −60 до +85 градусов по Цельсию. Кроме того, модули выдерживают акустический шум до 150 дБ.
СВЧ-модули включены в Реестр российской промышленной продукции и на 100% состоят из отечественных материалов и комплектующих, заявляет Росэлектроника, в которую входит Специальное конструкторское бюро по релейной технике.
«Предприятие уже передало заказчикам более 80 СВЧ-модулей и продолжает наращивать их выпуск», — отметил заместитель генерального директора СКТБ РТ по развитию бизнеса Дмитрий Бадулин. Разработанные комплектующие полностью заменяют модули серий 535, 545 и 565 фирмы Dow Key Microwave Corporation (США), а также являются функциональной заменой комплектующих фирм Radiall SA (Франция), Teledyne Technologies Incorporated (США), Tesat-Spacecom (Германия). Применение современной отечественной электронно-компонентной базы позволило снизить цену российских СВЧ-модулей на 40-55% по сравнению с зарубежными аналогами.
Модули СВЧ М34230 служат для коммутации высокочастотных сигналов в радиоэлектронной аппаратуре различного назначения:
▫️ для связи усилителей сверхвысокочастотных сигналов с приёмо-передающими устройствами;
▫️ для поочередного подключения узкополосных источников сигналов к общему широкополосному выходу;
▫️ для резервирования (включения резервного устройства в одну из 3/4/6 основных линий сети);
▫️ для коммутации полосовых фильтров;
▫️ для подключения к индикатору опорного и измеряемого сигнала в измерительной технике;
▫️ для работы анализаторов спектра;
▫️ для работы оборудования беспроводных теле-, радио-коммуникационных систем.
@RUSmicro по информации Ростех
#СВЧ
Первые модули СВЧ серии М34230 переданы заказчикам
Разработанные в СКТБ РТ изделия предназначены для коммутации сигналов до 18 ГГц и способны выдерживать многократные удары с ускорением до 50g и работать при температуре от −60 до +85 градусов по Цельсию. Кроме того, модули выдерживают акустический шум до 150 дБ.
СВЧ-модули включены в Реестр российской промышленной продукции и на 100% состоят из отечественных материалов и комплектующих, заявляет Росэлектроника, в которую входит Специальное конструкторское бюро по релейной технике.
«Предприятие уже передало заказчикам более 80 СВЧ-модулей и продолжает наращивать их выпуск», — отметил заместитель генерального директора СКТБ РТ по развитию бизнеса Дмитрий Бадулин. Разработанные комплектующие полностью заменяют модули серий 535, 545 и 565 фирмы Dow Key Microwave Corporation (США), а также являются функциональной заменой комплектующих фирм Radiall SA (Франция), Teledyne Technologies Incorporated (США), Tesat-Spacecom (Германия). Применение современной отечественной электронно-компонентной базы позволило снизить цену российских СВЧ-модулей на 40-55% по сравнению с зарубежными аналогами.
Модули СВЧ М34230 служат для коммутации высокочастотных сигналов в радиоэлектронной аппаратуре различного назначения:
▫️ для связи усилителей сверхвысокочастотных сигналов с приёмо-передающими устройствами;
▫️ для поочередного подключения узкополосных источников сигналов к общему широкополосному выходу;
▫️ для резервирования (включения резервного устройства в одну из 3/4/6 основных линий сети);
▫️ для коммутации полосовых фильтров;
▫️ для подключения к индикатору опорного и измеряемого сигнала в измерительной технике;
▫️ для работы анализаторов спектра;
▫️ для работы оборудования беспроводных теле-, радио-коммуникационных систем.
@RUSmicro по информации Ростех
#СВЧ
👍15
🇯🇵 Горизонты технологий. Аналоговые микросхемы. 3D-упаковка. Япония
Японские компании демонстрируют успехи в 3D-интеграции аналоговых схем
Компании Nisshinbo Micro Devices и Oki Electric Industry добились 3D интеграции аналоговых ИС на основе технологии локализованного экранирования Nisshinbo Micro Devices и технологии CFB (Crystal Film Bonding) OKI.
Технология локализованного экранирования снижает паразитную емкость и шумы, но при этом является частичной, оставляя возможность слоям многослойной микросхемы взаимодействовать друг с другом.
Технология CFB подразумевает отделение функционального слоя кристалла от подложки в виде тонкой пленки с креплением этой пленки к другой тонкой пленке. Соединение обеспечивают межмолекулярные силы, клей не используется. Такое соединение обеспечивает возможность электрического, оптического подключения двух и более слоев и теплового рассеивания этими слоями.
Компании планируют продолжать разработку продукта на основе этой технологии, с планами выхода на массовое производство к 2026 году.
Новая технология позволяет нарастить возможности создания аналоговых схем, повысив плотность интеграции без уменьшения физических размеров элементов схем. Технология хорошо ложится на чиплетный подход и гетерогенную интеграцию.
Интерес к аналоговым ИС растет в связи с ростом востребованности датчиков, который в свою очередь растет по мере развития таких направлений, как системы автономного вождения и робототехника. Аналоговые ИС предназначены для усиления как правило слабых сигналов, снимаемых с сенсоров. Переход к технологии 3D компоновки должно позволить существенно нарастить производительность аналоговых ИС без роста их размеров или сократить размер при сохранении производительности.
В частности, в экспериментах компаний наложение 2-канального операционного усилителя (ОУ) на другой аналогичный ОУ, позволило создать 2-слойный 4-канальный ОУ с площадью на 30% меньшей, чем у «классического» ОУ. Переход к 4-слойному стеку, можно сократить площадь кристалла 4-канального ОУ примерно до четверти от первоначального размера. Поскольку толщина пленок невелика, общая толщина кристалла 3D остается сопоставимой с традиционными конструкциями. Это позволит продолжать использовать ранее разработанные корпуса.
Метод сталкивается с ограничениями из-за взаимных помех слоев тонких пленок. Справиться с помехами помогает метод частичного (локализованного) экранирования слоев, который эффективно подавляет перекрестные помехи. Для этого используется напыление алюминия.
Стекирование пленок позволяет добиваться электрических соединений между уложенными друг на друга структурами с минимумом контактных площадок и практически без необходимости использования технологии сквозных кремниевых переходов (TSV).
@RUSmicro по материалам Nisshinbo Micro Devices Inc., фото и картинки - Nisshinbo Micro Devices
#3D #аналоговые #упаковка #стекирование
Японские компании демонстрируют успехи в 3D-интеграции аналоговых схем
Компании Nisshinbo Micro Devices и Oki Electric Industry добились 3D интеграции аналоговых ИС на основе технологии локализованного экранирования Nisshinbo Micro Devices и технологии CFB (Crystal Film Bonding) OKI.
Технология локализованного экранирования снижает паразитную емкость и шумы, но при этом является частичной, оставляя возможность слоям многослойной микросхемы взаимодействовать друг с другом.
Технология CFB подразумевает отделение функционального слоя кристалла от подложки в виде тонкой пленки с креплением этой пленки к другой тонкой пленке. Соединение обеспечивают межмолекулярные силы, клей не используется. Такое соединение обеспечивает возможность электрического, оптического подключения двух и более слоев и теплового рассеивания этими слоями.
Компании планируют продолжать разработку продукта на основе этой технологии, с планами выхода на массовое производство к 2026 году.
Новая технология позволяет нарастить возможности создания аналоговых схем, повысив плотность интеграции без уменьшения физических размеров элементов схем. Технология хорошо ложится на чиплетный подход и гетерогенную интеграцию.
Интерес к аналоговым ИС растет в связи с ростом востребованности датчиков, который в свою очередь растет по мере развития таких направлений, как системы автономного вождения и робототехника. Аналоговые ИС предназначены для усиления как правило слабых сигналов, снимаемых с сенсоров. Переход к технологии 3D компоновки должно позволить существенно нарастить производительность аналоговых ИС без роста их размеров или сократить размер при сохранении производительности.
В частности, в экспериментах компаний наложение 2-канального операционного усилителя (ОУ) на другой аналогичный ОУ, позволило создать 2-слойный 4-канальный ОУ с площадью на 30% меньшей, чем у «классического» ОУ. Переход к 4-слойному стеку, можно сократить площадь кристалла 4-канального ОУ примерно до четверти от первоначального размера. Поскольку толщина пленок невелика, общая толщина кристалла 3D остается сопоставимой с традиционными конструкциями. Это позволит продолжать использовать ранее разработанные корпуса.
Метод сталкивается с ограничениями из-за взаимных помех слоев тонких пленок. Справиться с помехами помогает метод частичного (локализованного) экранирования слоев, который эффективно подавляет перекрестные помехи. Для этого используется напыление алюминия.
Стекирование пленок позволяет добиваться электрических соединений между уложенными друг на друга структурами с минимумом контактных площадок и практически без необходимости использования технологии сквозных кремниевых переходов (TSV).
@RUSmicro по материалам Nisshinbo Micro Devices Inc., фото и картинки - Nisshinbo Micro Devices
#3D #аналоговые #упаковка #стекирование
👍7🔥1
🇺🇸 Твердотельная память. Рекорды. PCIe 6.0. США
Micron и Astera Labs показали SSD с PCIe 6.0
Это устройства в форм-факторе E3.S, предназначенные для облачных и корпоративных ЦОД, обеспечивающие вдвое более высокую емкость по сравнению с 2.5 дюймовыми накопителями, альтернатива форм-фактору U.2.
Накопитель был анонсирован в августе 2025 года, тогда заявлялось о скорости чтения в 26 ГБ/с. В рамках испытаний SSD в связке с коммутационным чипом Astera Labs Scorpio PCI 6.0 (поддержка до 64 линий PCI 6.0) была достигнута скорость чтения 27.14 ГБ/с для каждого из двух SSD в тестовой системе. Это намного превосходит показатели SSD с PCIe 5.0 (14.5 ГБ/с).
В тестах использовалась технология Nvidia Magnum IO GPUDirect (GDS), позволяющая устройствам хранения данных напрямую обращаться к памяти GPU, минуя центральный процессор.
Такие SSD могут быть востребованы в СХД ЦОД ИИ, спрос на высокоскоростные компоненты для которых постоянно растет.
Стандарт PCIe 6.0 продолжает развитие, хотя Группа по стандартизации PCIe еще до конца 2025 года планирует выпустить спецификацию PCIe 7.0.
@RUSmicro по материалам 3dnews
#PCIe #SSD
Micron и Astera Labs показали SSD с PCIe 6.0
Это устройства в форм-факторе E3.S, предназначенные для облачных и корпоративных ЦОД, обеспечивающие вдвое более высокую емкость по сравнению с 2.5 дюймовыми накопителями, альтернатива форм-фактору U.2.
Накопитель был анонсирован в августе 2025 года, тогда заявлялось о скорости чтения в 26 ГБ/с. В рамках испытаний SSD в связке с коммутационным чипом Astera Labs Scorpio PCI 6.0 (поддержка до 64 линий PCI 6.0) была достигнута скорость чтения 27.14 ГБ/с для каждого из двух SSD в тестовой системе. Это намного превосходит показатели SSD с PCIe 5.0 (14.5 ГБ/с).
В тестах использовалась технология Nvidia Magnum IO GPUDirect (GDS), позволяющая устройствам хранения данных напрямую обращаться к памяти GPU, минуя центральный процессор.
Такие SSD могут быть востребованы в СХД ЦОД ИИ, спрос на высокоскоростные компоненты для которых постоянно растет.
Стандарт PCIe 6.0 продолжает развитие, хотя Группа по стандартизации PCIe еще до конца 2025 года планирует выпустить спецификацию PCIe 7.0.
@RUSmicro по материалам 3dnews
#PCIe #SSD
3DNews - Daily Digital Digest
Micron показала самый быстрый SSD в мире — с PCIe 6.0 и скоростью до 27 Гбайт/с
Компания Micron совместно с Astera Labs продемонстрировала на конференции DesignCon 2025 первый в мире твердотельный накопитель (SSD) с интерфейсом PCIe 6.
👍5🤔1
🇰🇷 Участники рынка. Корея
Samsung может свернуть или притормозить строительство фабов в США
Samsung еще в 2021 году планировал построить фаб в Тейлоре, США, и запустить серийное производство в 2024 году. Но эти планы последовательно сдвигались «вправо», в условиях США корейские расчеты не работали. В апреле 2024 года Samsung перенесла сроки на 2025 год, а затем перестала комментировать тему новых планируемых сроков запуска. Все, как минимум, уехало на 2026 год.
Сейчас, похоже, наступает и вовсе критический момент для американских планов компании. Если TSMC удваивает свои и без того масштабные планы по развертыванию современного производства в США, поскольку компания буквально завалена заказами американских производителей, то позиции Samsung и близко не такие удачные. Да и в мире на рынке контрактных услуг у Samsung Foundry от силы 8.2%, тогда как у TSMC – более 60%.
И это при том, что Samsung инвестировал в развитие своего контрактного бизнеса немалые средства. Деньги тратятся немалые, но при этом заказчиков на контрактные мощности корейцев не так много, да и процессоры Exynos собственной разработки Samsung не особенно востребованы. Не так уж проста ситуация в сегменте сенсоров изображений, где Samsung на сегодня контролирует до 20% мирового датчика изображений – здесь корейцы планируют повысить активность, укрепить свои позиции в сегменте компонентов камер для роботов и автопилотов для автомобилей.
Все это ставит дальнейшие планы Samsung в США под большой вопрос. Но без американского рынка, с учетом растущих пошлин, компания может еще больше потерять в своих рыночных позициях. Непростая для Samsung ситуация.
@RUSmicro по материалам 3dnews
Samsung может свернуть или притормозить строительство фабов в США
Samsung еще в 2021 году планировал построить фаб в Тейлоре, США, и запустить серийное производство в 2024 году. Но эти планы последовательно сдвигались «вправо», в условиях США корейские расчеты не работали. В апреле 2024 года Samsung перенесла сроки на 2025 год, а затем перестала комментировать тему новых планируемых сроков запуска. Все, как минимум, уехало на 2026 год.
Сейчас, похоже, наступает и вовсе критический момент для американских планов компании. Если TSMC удваивает свои и без того масштабные планы по развертыванию современного производства в США, поскольку компания буквально завалена заказами американских производителей, то позиции Samsung и близко не такие удачные. Да и в мире на рынке контрактных услуг у Samsung Foundry от силы 8.2%, тогда как у TSMC – более 60%.
И это при том, что Samsung инвестировал в развитие своего контрактного бизнеса немалые средства. Деньги тратятся немалые, но при этом заказчиков на контрактные мощности корейцев не так много, да и процессоры Exynos собственной разработки Samsung не особенно востребованы. Не так уж проста ситуация в сегменте сенсоров изображений, где Samsung на сегодня контролирует до 20% мирового датчика изображений – здесь корейцы планируют повысить активность, укрепить свои позиции в сегменте компонентов камер для роботов и автопилотов для автомобилей.
Все это ставит дальнейшие планы Samsung в США под большой вопрос. Но без американского рынка, с учетом растущих пошлин, компания может еще больше потерять в своих рыночных позициях. Непростая для Samsung ситуация.
@RUSmicro по материалам 3dnews
3DNews - Daily Digital Digest
Samsung разуверилась в целесообразности строительства новых фабрик чипов в США
По информации южнокорейского издания The Korea Economic Daily, в январе этого года занимающаяся управленческим аудитом структура Samsung Electronics взялась за подразделение System LSI, а затем примется за оптимизацию деятельности контрактного подразделения…
👍3❤1