🇰🇷 Производство памяти. HBM. Производственное оборудование. Корея

LG Electronics разработает оборудование для формирования гибридных соединений для новых видов упаковки HBM

На фоне роста спроса на чипы ИИ, растет спрос и на память HBM. В LG Electronics, похоже, хотят отщипнуть свою крошку от этого пирога. Корпоративный исследовательский институт группы начал разработку оборудования для формирования гибридного соединения. Об этом пишет 3dnews со ссылкой на SEDaily.

За счет таких соединений можно создавать многоярусные микросхемы со сравнительно невысокой высотой. Кроме того, эта технология положительно влияет тепловые характеристики и позволяет еще более повысить производительность - именно это и требуется от каждого следующего поколения HBM.

Сейчас лидеры рынка, а это две корейские компании, SK hynix и Samsung Electronics занимаются подготовкой к выпуску 16-слойных микросхем HBM.

Начиная разработку производственного оборудования для гибридных соединений, LG Electronics вступает на территорию таких производителей оборудования как BESI, Нидерланды и Applied Materials, США. Логично, что корейская компания хочет попытаться вклиниться в этот рынок, благо заказчики - вот они, производственные корпуса по соседству. Впрочем, в любом случае, это будет сделать не просто даже с опытом LG.

Микросхемы HBM с 16-слоями мы вероятно увидим где-то в 2028 году. Так что у компании есть время на разработку своей версии оборудования для этой цели.

@RUSmicro

🌎 Стандартизация. Память. LPDDR6

В JEDEC утвердили новый стандарт LPDDR6 (JESD209-6)

Этот вид чипов памяти с произвольным доступом и пониженным энергопотреблением необходим, прежде всего, для мобильных устройств – смартфонов, планшетов, ноутбуков. Но и в системах ИИ такие микросхемы все чаще востребованы, опять же, поскольку вопрос энергопотребления столь же актуален, как для самых миниатюрных, так и для самых больших вычислительных систем. Об этом на днях сообщила Jedec.

LPDDR6 обещает существенный выигрыш в ключевых параметрах относительно LPDDR5, в частности, скорости чтения могут вырасти до 10 Гбит/с, а энергоэффективность – на 20%, а то и на 30%. Рабочие напряжения питания могут быть в диапазоне 0.85-1 В.

Обеспечить такое улучшение характеристик должна архитектура с двумя подканалами (12 линий передачи данных (DQ) на субканал для оптимизации производительности канала) и ухищрения с адресацией. Память может работать с длиной доступа 32 или 64 байта, предусмотрена поддержка динамической записи NT-ODT для стабильной работы на высоких скоростях. Предусмотрена поддержка динамического масштабирования частоты и напряжения DVFSL, чередующиеся тактовые входы. Есть коррекция ошибок, встроенное самотестирование MBIST и схема защиты ссылок.

Участники рынка наперегонки занимаются разработкой микросхем LPDDR6 – этим заняты и в Samsung c 1c, и американская Micron с использованием техпроцесса 1-alpha, а в SK hynix завершили тесты (1-beta, GAA). В Китае тоже претендуют на участие в этой гонке – СХMT в 2025 году начала разрабатывать LPDDR6 (1a) с планами выхода на серию в 2026 году.

@RUSmicro

🇯🇵 Производство компонентов. Силовые полупроводники. Япония

Рынок силовых полупроводников – выживают не все

Сколько позитивных прогнозов обещали рынку силовых полупроводников бурный рост на фоне роста интереса к электромобилям (во многом навязываемого) и к средствам индивидуальной мобильности. Участников рынка не пугали даже сообщения о тренде на консолидацию на этом рынке. Вот и в Японии была предпринята попытка сыграть на этом «вкусном» рынке.

В префектуре Ниигата в 1984 году было построено производство полупроводников. Первоначально оно принадлежало японской Sanyo Electrics, затем, когда американцы «прижали» японских производителей электроники, в 2011 году компания перешла в руки американской Onsemi. В рамках попытки «сделать Японию великой опять» в 2022 году производство перешло в руки японской компании FS Foundry, денег на эту покупку дал правительственный фонд DBI.

Очень скоро выяснилось, что «вкусный» рынок ждет совсем не каждого. И уж точно не тех, кто приходит на готовенькое, с деньгами, полученными от доброго «дяди» в лице государства.

Выручка компании FS Foundry в 2023 году составила $68 млн, а уже в 2024 году сократилась до $17.6 млн. Казалось бы, контрактное производство силовой электроники для электростанций, автомобильного и железнодорожного транспорта, заказы должны поступать со всего мира, но нет, «Скрипач не нужен».

Одна из причин проблем, с которыми столкнулись японцы, хорошо знакома многим российским предприятиям – нехватка оборотных средств. Товарищам из DBI хорошо было бы об этом подумать заранее, и, раз уж выделили средства для покупки бизнеса, выделить также и достаточный объем оборотных средств.

Итог – компания FS Foundry обратилась в суд с иском о защите от требований кредиторов по делу о банкротстве, об этом сообщает Nikkei Asian Review. Госденьги, по сути, «выброшены в пропасть».

@RUSmicro

🇺🇸 🇨🇳 Чипы ИИ. США. Китай

Оставить Китай без американских чипов ИИ не получилось

Как и множество других кавалерийских наскоков с уже предсказуемым последующим отступлением, инициатива "команды Т" по оставлению Китая без доступа к чипам ИИ потерпела фиаско.

Американцы попытались было запретить поставки чипов ИИ в Китай, китайцы тихонько напомнили, откуда США получают необходимые их военной и гражданской промышленности РМ и РЗЭ, и в июне 2025 года была заключена сделка, в рамках которой китайцы возобновят поставки редких и редкоземельных металлов в США, а американцы ослабят ограничения на поставку передовых технологий в Китай.

В частности, Nvidia уже подала заявку на получение экспортных лицензий на поставку в Китай видеокарт H20 и получила "предварительное одобрение". Об этом сообщает blogs.nvidia, как заметили в Ъ. Теперь ничто не помешает китайским компаниям и далее наращивать вычислительный/интеллектуальный потенциал их LLM и систем ИИ на их основе.

@RUSmicro

🇷🇺 Партнерские проекты. Производство электроники. Тесты. Россия

Отечественные телематические комплексы для транспорта Kraftway пройдут испытания в МИЛМ Микрон

МИЛМ - Московская испытательная лаборатория микроэлектроники Микрон (ГК Элемент, резидент Технополис Москва).

«Мы не просто заключаем соглашение о сотрудничестве, а даем старт созданию полноценного отечественного комплекса транспортной телематики. От применения отечественного микроконтроллера до программного обеспечения и испытательного центра — вся цепочка будет локализована в России, что особенно важно в современных условиях», – сообщил Алексей Кравцов, президент Kraftway.

В решении планируется задействовать микроконтроллер MIK32 Амур, производственные мощности и дизайн платформы, включая прошивки контроллеров, компании
Kraftway, программное обеспечение KasperskyOS Automotive Secure Gateway от «Лаборатории Касперского», испытательным полигоном МИЛМ.

Комплекс предназначен для отправки, получения и сохранения данных о местоположении транспортного средства, его скорости, расходе топлива, возможных неполадках и т.п., а также для обеспечения связи водителя или машиниста с диспетчерским центром. Ожидается, что рабочий прототип устройства будет готов к концу июля 2025 года, а массовые поставки начнутся в 2026 году.

Условия сотрудничества включают проведение комплексных испытаний отечественных решений на стойкость к воздействию внешних факторов: измерений электрических параметров, испытаний на воздействие климатических и механических факторов, неразрушающего и разрушающего физического анализа, испытаний на электромагнитную совместимость и других видов испытаний.

@RUSmicro

🇧🇪 Мощные транзисторы. Научные разработки. GaN-on-Si. Бельгия

Бельгийская Imec достигла рекордных характеристик СВЧ-транзистора GaN-на-Si – пригодится для 6G

Компания Imec представила MOSHEMT-транзистор на основе нитрида галлия (GaN) – металл-оксид-полупроводник с высокой подвижностью электронов на кремнии (Si), заявляя, что это устройство обеспечило рекордные КПД и выходную мощность в режиме обогащения (E-mode) при низком напряжении питания. Кроме того, компания отмечает рекордно низкое контактное сопротивление – 0,024 Ом*мм. Об этом рассказывает Semiconductor Digest.

Как ожидается, такое устройство может пригодиться для использования в системах связи 6G FR3, использующих частоты от 7 до 24 ГГц.

Современные мобильные сети работают в основном на частотах ниже 6 ГГц, но для обеспечения необходимой пропускной способности систем связи следующего поколения необходим переход на более высокие частоты. На таких частотах решения на основе более привычных гетеропереходных биполярных транзисторов (ГБТ) на базе GaAs теряют производительность, особенно на частотах 10-15 ГГц. Это приводит к быстрому разряду аккумулятора пользовательского устройства.

С нитридом галлия связывают перспективы развития, за счет более высокой плотности мощности в устройствах на базе этой технологии и более высоких напряжений пробоя. Хотя транзисторы GaN на SiC уже демонстрируют высокие радиочастотные характеристики, пока что их применение ограничено, не в последнюю очередь из-за высокой стоимости пластин SiC.

Кремний – куда более масштабируемая и привычная история, но создание на его основе высокоэффективных GaN-транзисторов оказалось сложной задачей из-за несоответствия кристаллической решетки и температурных характеристик этих материалов, что может негативно сказаться на качестве материалов и надежности устройств. Еще более актуальны эти проблемы для изделий, рассчитанных на работу в E-режиме, что требует уменьшения толщины канала под затвором. Это ограничивает ток открытого канала и увеличивает утечку в закрытом состоянии, затрудняя достижение мощности, эффективности и коэффициента усиления, необходимых для сетей 6G.

Компания Imec представила MOSHEMT-транзистор GaN-на-Si с E-режимом, который обеспечивает выходную мощность 27,8 дБм (1 Вт/мм) и КПД добавленной мощности (PAE) 66% на частотах 13 ГГц, при напряжении питания 5В. Результат был получен в одном устройстве с 8-контактной топологией затвора, что обеспечивает ширину затвора, необходимую для обеспечения высокой выходной мощности без необходимости использования нескольких транзисторов. Превосходные характеристики стали возможными за счет сочетания технологии заглубления затвора (gate recess), используемой для перевода устройства в режим E-mode, с барьерным слоем InAlN, компенсирующим потери производительности из-за утончения канала.

В imec одновременно добились рекордно низкого контактного сопротивления 0,024 Ом·мм, используя восстановленный слой n⁺(In)GaN, что максимизирует ток и минимизирует потери мощности. Хотя результат был получен в отдельном модуле, разработчики заявляют, что он полностью совместим с архитектурой транзистора с режимом E-mode. Моделирование показывает, что интеграция этого контактного модуля может повысить выходную плотность мощности еще на 70%, достигая целевого показателя производительности для пользовательского оборудования 6G. Следующим шагом разработчиков будет интеграция контактного модуля в транзистор с режимом E-mode.

@RUSmicro

🇨🇳 Фотоэлектрические элементы. Тандемные. Китай

Вчера эта новость уже публиковалась, но качество изложения было далеко от идеала. Коллеги из лаборатории «Новых материалов для солнечной энергетики» МГУ предложили правку, и я с благодарностью ей воспользовался. Ниже - скорректированный и дополненный текст.

Китайский производитель солнечных элементов представил тандемный перовскит-кремниевый элемент с эффективностью 34,58%

Последние 10 лет ученые разных стран активно экспериментируют с гибридными галогенидными перовскитами - новыми искусственными полупроводниками (не путать с природным минералом перовскитом), которые являются перспективными светопоглощающими материалами для создания недорогих фотоэлектрических элементов, превосходящих кремниевые солнечные элементы по стоимости и эффективности.

В ходе исследований одним из основных трендов исследований стало создание тандемных – перовскит-кремниевых солнечных элементов (СЭ), в которых перовскитный СЭ располагается поверх кремниевого СЭ, а солнечный свет последовательно поглощается сначала перовскитным (коротковолновая фракция) и затем кремниевым (длинноволновая фракция). Данные устройства сочетают в себе преимущества обоих типов СЭ и обладают более высокой предельной эффективностью (до 45%) за счет наличия сразу двух светопоглощающих материалов – кремния и гибридного перовскита.

Такой подход позволил заметно увеличить эффективность преобразования энергии у тестовых тандемных устройств по сравнению с классическими кремниевыми или перовскитными СЭ, однако добавил технологических проблем. Одной из таких проблем стал точный контроль толщины и ориентации вспомогательного дырочно-проводящего слоя, в роли которого в составе устройства выступали самоорганизующиеся молекулярные монослои (SAM).

Китайский производитель солнечных модулей Longi представил новый тандемный перовскит-кремниевый элемент с эффективностью преобразования энергии 34,58%. Отличительной чертой устройства стало использование асимметричного SAM под кратким названием HTL201, который является дырочно-селективным. HTL201 имеет низкое паразитное поглощение и способность быстро переносить заряды, что позволяет использовать его в качестве селективного дырочно-проводящего слоя в перовскитных СЭ. Основной задачей учёных было добиться контроля толщины и ориентации слоев HTL201, которые необходимо наносить на текстурированные кремниевые подложки. (..)

(2) В отличие от большинства SAM на основе карбазола с симметричной молекулярной структурой, новый HTL201 отличает асимметрия молекулы. Разработчики заявляют, что это позволило повысить однородность слоя на кремниевой подложке и улучшило выравнивание положения энергетических уровней. Кроме того, HTL201 снижает безызлучательную рекомбинацию в перовскитной плёнке, что свидетельствует о положительном влиянии данного SAM на поверхностные дефекты перовскитного материала и, как результат, способствует повышению производительности СЭ.

Эффективность тандемных СЭ на основе гибридного перовскит-кремниевого элемента площадью 1 кв.см с нанесенным под слой перовскита слоем HTL201 составила 34,58% в лабораторных условиях. Элемент выдавал напряжение холостого хода (Voc) 2В, ток короткого замыкания достигал 20,64 мА, коэффициент заполнения (FF) достигал 83.8%.

Архитектура верхнего перовскитного СЭ в тандемном устройстве включает в себя помимо перовскитного светопоглощающего слоя серебряный металлический электрод, буферный слой фторида лития, электрон-проводящий слой из бакминстерфуллерена (C60), дырочно-проводящий слой на основе HTL201.

Нижняя кремниевая ячейка построена по схеме с двухсторонним текстурированным гетеропереходом. Можно предположить, что это недавно анонсированная ячейка с тыльным контактом и эффективностью 27.3%.

Достигнутый результат близок к предыдущему мировому рекорду, установленному той же компанией Longi также на базе тандемной перовскит-кремниевой ячейки, которая показала эффективность преобразования света в электроэнергию 34.85%. На сентябрь 2023 года компания добивалась показателя эффективности 34,6%. Эти результаты приближается к теоретическому пределу эффективности (~45%) для тандемных перовскит-кремниевых элементов.

На ключевой вопрос – когда станут массово доступны фотоэлектрические панели с такими показателями энергоэффективности, в источнике ответа нет. Несмотря на впечатляющие лабораторные показатели, массовое производство подобных устройств сталкивается с такими проблемами, как недостаточная долговечность самого перовскитного слоя, высокая стоимость производства тандемных элементов, сложность контроля качества при увеличении площади элементов, нестабильность работы при изменении внешних условий (температуры, влажности, уровня УФ-излучения).

@RUSmicro по материалам Interesting Engineering

🇺🇸 Горизонты технологий. 18А. США

Intel существенно продвинулась вперед с 18A?

Эту тему сейчас обсуждают в различных медиа. Но цифры отличаются - в ComputerBase, например, утверждается, что выход годных достиг уже 70%. В эту цифру трудно поверить, но она означала бы, что Intel вполне может выпускать свои Panther Lake экономически обоснованным путем.

Вместе с тем, другие источники, например, wccftech сообщает, что процент выхода годных у Intel достигает 50-55% - это лучше, чем было, это лучше, чем 40% у Samsung с его SF2, но хуже 70% и хуже чем у TSMC с N2 и 65%. С другой стороны, ожидается, что Intel еще придет к 70% к 4q2025.

Для Intel принципиально важно показать свою способность двигаться вперед по части технологий, пусть даже пока что на собственных продуктах, а не в рамках контрактного производства.

@RUSmicro

🇸🇦 🇷🇺 РМ и РЗЭ. Сотрудничество. Саудовская Аравия

Саудовская Аравия заинтересована во «взаимодействии с Россией» в области РМ и РЗЭ

Об этом заявил министр промышленности и минеральных ресурсов Саудовской Аравии в интервью ТАСС.

У саудитов, в частности, есть заинтересованность в технологиях разделения РМ и РЗЭ, в их дальнейшей подготовке к промышленному использованию.
Саудовская Аравия не входит в число лидеров даже по запасам РЗЭ в мире. Тем более по экспорту. Тем не менее в стране есть немалые запасы лития и цезия в виде глинистых пород и рассолов. Кроме того, ранее были обнаружены ниобий, тантал и цирконий. Чего нет – это компетенций в разделении и очистке. Возможно, в этом могла бы помочь Россия.

На сегодня доступ к РМ и РЗЭ – часть «стратегического суверенитета», не удивительно, что все новые страны включаются в тему.

@RUSmicro

🇷🇺 Кремниевая фотоника. Патенты. Россия

Запатентована топология, считывающая кванты с помощью детекторов и микросхемы

Сотрудники кафедры №3 «Электроника» ИНТЭЛ НИЯУ МИФИ, Эдуард Аткин с коллегами разработали и зарегистрировали топологию новой интегральной микросхемы (ИМС), предназначенной для обработки сигналов с полупроводниковых детекторов.

Что за микросхема?

Это 16-канальная микросхема, которая:

🔹 усиливает и сравнивает сигналы с порогом;
🔹 подсчитывает импульсы от рентгеновских квантов;
🔹 работает асинхронно по каждому каналу.

Где может пригодиться?

Такая ИМС может пригодиться в физике высоких энергий и в медицинской диагностике — там, где нужно точно фиксировать отдельные события, вроде попадания рентгеновского кванта.

Юридический статус:

🔹 Топология зарегистрирована Роспатентом под №202 463 0240
🔹 Коллектив из сотрудников МИФИ
🔹 Срок действия исключительного права: до 2034 года

🔗 Патент в реестре ФИПС

@RUSmicro по материалам telegram-канала ИНТЭЛ НИЯУ МИФИ

🇷🇺 Производство электроники. Производство ТВ. Россия

Против Кванта завели десятки исков

ООО Квант известно тем, что в эпоху до 2022 года собирало электронику Xiaomi, TCL и других брендов. После 2022 года Xiaomi перестало поставлять в РФ комплекты компонентов для сборки, и в Квант переключились на сборку телевизоров Irbis, которые по каким-то странным причинам некоторое время были единственными российскими телевизорами в реестре Минпромторга. Но даже «реестровый монополизм» не спас ситуацию, в апреле 2025 года предприятие остановило сборку ТВ Irbis всех диагоналей – от 32 до 65 дюймов. Представители Кванта утверждали, что виной тому – низкий спрос, об этом писал КоммерсантЪ.

Проблемы копились постепенно, зарплаты работникам предприятие перестало выплачивать еще раньше, с декабря 2024 года, сообщает Инфопортал Зеленограда. В 2025 году невыплатами зарплат занялась прокуратура, которая за последние 3 месяца направила в суд 24 гражданских иска по этой теме. Но задолженность по зарплатам на 60,7 млн рублей, это не основная проблема Кванта. Намного больше требуют с предприятия экс-партнеры – ДНС Ритейл (654,5 млн рублей) и Атлас (1,45 млрд рублей).

Причины произошедшего, на мой взгляд, связаны с низкой маржинальностью рынка ТВ. Мало кто сегодня готов покупать «аннеймы» в виде российских брендов по цене выше, чем у корейской продукции.

Но, возможно, дело не только в этом. Есть ощущение, что с проблемами падения выручки, кассовыми разрывами, штрафами, а также с уменьшением господдержки сталкиваются далеко не только в Кванте. Тогда следует ожидать, что последней проблемной компанией Квант будет оставаться недолго.

@RUSmicro

🇺🇸 РМ и РЗЭ. США

Apple заключила сделку на поставку редкоземельных магнитов на $500 млн

Компания Apple заключила соглашение на $500 млн с американским производителем РМ и РЗМ – MP Materials, что укрепит цепочку поставок Apple. Это один из шагов в рамках обещания Apple потратить в США не менее $500 млрд в ближайшие 4 года.

MP Materials – единственный полностью интегрированный производитель редкоземельных материалов в стране. Магниты разработаны на предприятии горнодобывающей компании в Форт-Уэрте, Техас.

Компании собираются совместно создать линию переработки РЗЭ на новом предприятии в Калифорнии, где будет разрабатываться материалы и инновационные технологии обработки, которые должны будут повысить эффективность постоянных магнитов.

На предприятии в Техасе компании намерены построить несколько линий по производству неодимовых магнитов, необходимых Apple.

В Apple ожидают, что после завершения строительства линий, американские магниты будут поставляться как в США, так и в другие страны мира, отвечая росту спроса на этот материал, что позволит создать новые рабочие места в сфере НИОКР и в формировании нового кадрового резерва.

Завод по переработке в Калифорнии позволит принимать использованную электронику и промышленный лом, перерабатывая РМ и РЗЭ в материал, отвечающий строгим стандартам.

Масштаб американских проблем из-за зависимости от импорта РМ и РЗЭ иллюстрирует картинка с данными Геологической службы США на 2024 год. В расчет принимались только те запасы, которые, как считается, могут быть извлечены экономически выгодным способом.

Так что шаг Apple, в каком-то смысле вынужденный, вполне возможно, еще окупится в перспективе.

@RUSmicro

🇷🇺 Материалы. Тетрахлорид германия. Россия

Красноярский Германий запустил производство особо чистого тетрахлорида германия

Предприятие Германий (входит в Холдинг Швабе, Ростех) сообщает о запуске производства особо чистого (99,9999% или 6N) тетрахлорида германия. Это соединение можно использовать для производства оптоволокна высокого качества. Инвестиции в проект составили 328 млн рублей, из них 222 млн предоставил ФРП в формате льготного займа.

Тетрахлорид германия класса ОЧ применяют для изготовления преформ, из которых производят оптоволокно. Производственные мощности предприятия Германий, а это 2 тонны в год, достаточны для обеспечения как внутрироссийского, так и внешнего спроса, хотя в мире сильные позиции имеют китайские поставщики.

Предоставленный льготный займ позволил предприятию провести необходимую модернизацию производственных мощностей, на порядок нарастив чистоту вещества. Для этого в Красноярске используют многоступенчатую очистку, включая дистилляцию.

Новый продукт содержит меньше примесей водородных доноров и металлов. Это позволит использовать его для изготовления современного оптоволокна повышенного качества, пригодного для создания пассивных оптоволоконных сетей, развития инфраструктуры 5G и соединения ЦОД.

Преформы - это кварцевые стержни диаметром от 1 до 10 см длиной около метра, из которых делают оптическое волокно, сырье для волоконно-оптических кабелей.

Российское оптоволокно до сих пор выпускали в основном на основе преформ, закупаемых в Индии и в Китае. Стоимость российского оптоволокна - выше, чем у других мировых производителей, поэтому экспортные возможности пока что были весьма ограниченными.

В целом, основой оптоволокна является кварц - SiO₂, но его оптические свойства не идеальны, если хочется передавать сигнал на большие расстояния. Куда лучшие показатели кварц показывает после его легирования оксидом германия GeO₂

Пары GeCl₄ смешивают с кислородом в кварцевой заготовке. Реакция: GeCl₄ + O₂ -> GeO₂ + 2 Cl₂. Оксид германия формирует легированный слой сердцевины.
Затем заготовку нагревают до 2200°C спекая сердцевину и кварц в стержень, который впоследствие будут вытягивать в нити диаметром 125 мкм производители волокна

Легирование повышает показатель преломления сердечника без потерь сигнала - это позволяет значительно повысить дальность распространения сигнала. На преформы весом 200 кг требуется порядка 1,5 кг GeCl₄, так что 2 тонны - приличное количество.

@RUSmicro по материалам Ростех

(2) Год назад картина производства оптоволокна в России выглядела так, как на картинке. Теперь верхний левый прямоугольник можно закрасить в красный цвет.

@RUSmicro

🇯🇵 2нм. Производство кристаллов. Япония

Японская Rapidus вновь объявляет о начале тестового производства микросхем 2нм

В апреле 2025 года Reuters уже сообщала о начале пилотного производство передовых чипов на Хоккайдо по техпроцессу 2нм на предприятии недалеко от нового аэропорта Титосэ. А сегодня различные медиа сообщают, что компания объявила о начале создания прототипов тестовых пластин (had begun prototyping of test wafers) с GAA транзисторами с плотностью размещения 2нм на предприятии IIM-1.

По заявлению компании, сэмплы пластин уже показывают ожидаемые характеристики.

Прототипирование – важный и необходимый этап в производстве полупроводников, призванный подтвердить соответствие тестовых пластин расчетным характеристикам.

Сейчас Rapidus проводит измерения характеристик созданных чипов, включая проверки порогового напряжения, тока во включенном состоянии, тока утечки, подпорогового наклона (резкости перехода устройства из выключенного состояния во включенное). А также скорости переключения, энергопотребления и емкости. Результаты пока не публикуются.

Rapidus уверенно идет к запуску в Японии современного производства полупроводников. В сентябре 2023 года началось строительство, в 2024 году завершилось сооружение чистой комнаты, к июню 2025 года компания развернула более 200 различных производственных установок, включая фотолитографы DUV и EUV. EUV-литографы установили в декабре 2024 года и к апрелю провели первые испытания. На текущий момент, фабрика уже готова для запуска производства тестовых пластин с GAA-структурами.

Особенность производства – single-wafer processing, то есть индивидуальное изготовление каждой пластины, а не групповой подход с «партиями». Это отличает подход Rapidus от подходов других крупных производителей, как Intel, Samsung и TSMC, которые используют комбинацию индивидуального и группового подходов. Индивидуально проводятся EUV- или DUV-паттернирование, плазменное травление, атомно-слоевое осаждение, мониторинг дефектов. А на других этапах – оксиление, ионная имплантация, очистка, отжиг и т.п.

В Rapidus говорят, что это обеспечивает точный контроль каждой операции, т.к. по итогам наблюдения за каждой пластиной можно вносить необходимые корректировки, оперативно выявлять аномалии и исправлять процесс, не дожидаясь обработки всей партии.

Ожидается, что собираемые таким образом данные, ИИ сможет использовать для непрерывного совершенствования процессов, чтобы повысить выход годных, а также для статистического управления процессами.

Удобна индивидуальная обработка и тем, что можно выпускать сколь угодно малые партии продуктов.
Платой за это является некоторое увеличение продолжительности производственного цикла и стоимости производства.

В Rapidus уверены, что такой «индпошив» - привлекательная стратегия для производства пластин по техпроцессу 2нм и менее.

Компания планирует выпустить PDK в 1q2026.

@RUSmicro по материалам Tom's Hardware

📈 Материалы. Рутений

Востребованность рутения выросла на фоне спроса на ИИ

Рутений (Ru) не относится к РЗЭ, это редкий металл (РМ). Он является одним из металлов платиновой группы (МПГ), которая включает также осмий, иридий, платину, палладий и родий. Рутений обладает высокой плотностью 12,41 г/см³, устойчивостью к коррозии и высокой температурой плавления 2334 °C.

Спрос на рутений растет чем дальше, тем больше, в последний год он подорожал почти вдвое до $800 за унцию. Это близко к историческому максимуму в $870, достигнутому 18 лет назад.

Материал ценят производители электроники. В частности, он используется в производстве жестких дисков, в магниторезистивных головках (GMR, TMR), позволяя добиваться более высокой плотности хранения данных. Для каждого изделия требуется совсем немного рутения, но обойтись без него сложно. Применяют рутений также в тонкопленочных резисторах RuO₂ высокой точности и стабильности, с низким ТКС (температурным коэффициентом сопротивления), для межсоединений и барьерных слоев в микросхемах, в танталовых конденсаторах в качестве катодного материала. Рутений используется для создания солнечных элементов DSSC (сенсибилизированных красителем солнечных элементов) и PSC (перовскитных) – сейчас солнечные батареи все чаще рассматривают, как элемент энергообеспечения крупных ИИ-ЦОД. Рутений – перспективный катализатор электролиза воды с целью получения водорода. Это еще одна «связка» с ЦОД.

При этом рутений не торгуется на биржах, поэтому его сложно найти в продаже.

Любопытно, что основные производители рутения – это Южная Африка и Россия, контролирующие чуть не 90% мирового рынка, на третьих ролях - Канада. В условиях антироссийских санкций это заставляет некоторые страны все более активно смотреть на возможности вторичной переработки. Кроме того, идут попытки заменить рутений в HDD на что-нибудь другое, например, на железо-платиновые сплавы. В резисторах пробуют никель-хром, но не добиваются схожей стабильности.

Годовой объем поставок этого материала в 2024 году составил всего 30 тонн. И, как ожидается, он сокращается из-за того, что долгое время никто особо не вкладывал в процессы его добычи. А спрос, напротив, растет. Поэтому в 2026 году ряд стран может столкнуться с дефицитом, с превышением спроса над предложением.

@RUSmicro по материалам Bloomberg

🇷🇺 Скандалы. Проблемы. Импортзамещение. Россия

Продолжаются публикации, рассказывающие о том, как в объявленных российскими микросхемах обнаружились кристаллы "схожие" с импортными. Вот очередная. Авторы справедливо интересуются:

"если эти микросхемы не разрабатывались в России, то почему они быть признаны отечественными? И что делать с аппаратурой, которая получила свои баллы отечественности за счет применения этих псевдо-отечественных микросхем?"

Это касается, в частности, микросхем:

▫️ АО "ДжиЭС-нанотех": GSN2516Y; GSN2517Y; GSN0727Z; GSN0726Z,
▫️ ООО "Интегральные Телематические Решения": К5553ВГ01Т; К5553ХП01Т; К5553ХП02Т,
▫️ ООО "НЭК.ТЕХ": К1987ПВ014 (NRTSAFE3A)

@RUSmicro

🇷🇺 Силовые транзисторы. GaN. Производство. Россия

Воронежский НИИЭТ займется производством силовых транзисторов GaN полного цикла

Инвестировать в проект будет материнская ГК Элемент с использованием льготного финансирования ФРП в рамках механизма кластерной инвестиционной платформы (КИП). Об этом рассказывает КоммерсантЪ.

Компания уже имеет мощности по сборке СВЧ и силовых переключающих GaN-транзисторов, их планируется дополнить кристальным производством. В совокупности должно получиться производство полного цикла.

Проектная мощность запланирована на уровне 5.5 тысяч пластин (в эквиваленте 200 мм пластин) в год.

@RUSmicro

🇷🇺 Производство микросхем. Материалы. Компаунды. Россия

На производственных мощностях GS Nanotech завершены испытания российского молд-компаунда

Материал разработан в ходе опытно-конструкторской работы (ОКР), выполняемой Национальным исследовательским университетом МИЭТ совместно с соисполнителями: АО Институт Пластмасс им. Г.С. Петрова, Федеральным исследовательским центром проблем химической физики и медицинской химии Российской академии наук (ФИЦ ПХФ и МХ РАН).

🎓 Молд-компаунд — это материал, применяемый для герметизации и изоляции электронных компонентов при корпусировании. Его функции заключаются в фиксации полупроводникового кристалла и защите электрических схем от воздействия влаги, окисления, механических повреждений и других внешних факторов.

Актуальность разработки обусловлена тем, что в настоящее время российские предприятия преимущественно используют молд-компаунды китайского производства. Создание качественного отечественного аналога способствует снижению импортозависимости.

Новый компаунд был протестирован и применен специалистами GS Nanotech в процессе корпусирования кристаллов микросхем в корпус типа PBGA196. По результатам валидации материала и отработки технологических режимов его нанесения получены положительные результаты. Испытания подтвердили, что характеристики компаунда соответствуют необходимым техническим нормативам.

@RUSmicro по информации GS Nanotech