🇺🇸 🇨🇳 Чипы ИИ. США. Китай
Оставить Китай без американских чипов ИИ не получилось
Как и множество других кавалерийских наскоков с уже предсказуемым последующим отступлением, инициатива "команды Т" по оставлению Китая без доступа к чипам ИИ потерпела фиаско.
Американцы попытались было запретить поставки чипов ИИ в Китай, китайцы тихонько напомнили, откуда США получают необходимые их военной и гражданской промышленности РМ и РЗЭ, и в июне 2025 года была заключена сделка, в рамках которой китайцы возобновят поставки редких и редкоземельных металлов в США, а американцы ослабят ограничения на поставку передовых технологий в Китай.
В частности, Nvidia уже подала заявку на получение экспортных лицензий на поставку в Китай видеокарт H20 и получила "предварительное одобрение". Об этом сообщает blogs.nvidia, как заметили в Ъ. Теперь ничто не помешает китайским компаниям и далее наращивать вычислительный/интеллектуальный потенциал их LLM и систем ИИ на их основе.
@RUSmicro
Оставить Китай без американских чипов ИИ не получилось
Как и множество других кавалерийских наскоков с уже предсказуемым последующим отступлением, инициатива "команды Т" по оставлению Китая без доступа к чипам ИИ потерпела фиаско.
Американцы попытались было запретить поставки чипов ИИ в Китай, китайцы тихонько напомнили, откуда США получают необходимые их военной и гражданской промышленности РМ и РЗЭ, и в июне 2025 года была заключена сделка, в рамках которой китайцы возобновят поставки редких и редкоземельных металлов в США, а американцы ослабят ограничения на поставку передовых технологий в Китай.
В частности, Nvidia уже подала заявку на получение экспортных лицензий на поставку в Китай видеокарт H20 и получила "предварительное одобрение". Об этом сообщает blogs.nvidia, как заметили в Ъ. Теперь ничто не помешает китайским компаниям и далее наращивать вычислительный/интеллектуальный потенциал их LLM и систем ИИ на их основе.
@RUSmicro
NVIDIA Blog
NVIDIA CEO Jensen Huang Promotes AI in Washington, DC and China
This month, NVIDIA founder and CEO Jensen Huang promoted AI in both Washington, D.C. and Beijing — emphasizing the benefits that AI will bring to business and society worldwide. In the U.S. capital, Huang met with President Trump and U.S. policymakers, reaffirming…
👍3
🇷🇺 Партнерские проекты. Производство электроники. Тесты. Россия
Отечественные телематические комплексы для транспорта Kraftway пройдут испытания в МИЛМ Микрон
МИЛМ - Московская испытательная лаборатория микроэлектроники Микрон (ГК Элемент, резидент Технополис Москва).
В решении планируется задействовать микроконтроллер MIK32 Амур, производственные мощности и дизайн платформы, включая прошивки контроллеров, компании
Kraftway, программное обеспечение KasperskyOS Automotive Secure Gateway от «Лаборатории Касперского», испытательным полигоном МИЛМ.
Комплекс предназначен для отправки, получения и сохранения данных о местоположении транспортного средства, его скорости, расходе топлива, возможных неполадках и т.п., а также для обеспечения связи водителя или машиниста с диспетчерским центром. Ожидается, что рабочий прототип устройства будет готов к концу июля 2025 года, а массовые поставки начнутся в 2026 году.
Условия сотрудничества включают проведение комплексных испытаний отечественных решений на стойкость к воздействию внешних факторов: измерений электрических параметров, испытаний на воздействие климатических и механических факторов, неразрушающего и разрушающего физического анализа, испытаний на электромагнитную совместимость и других видов испытаний.
@RUSmicro
Отечественные телематические комплексы для транспорта Kraftway пройдут испытания в МИЛМ Микрон
МИЛМ - Московская испытательная лаборатория микроэлектроники Микрон (ГК Элемент, резидент Технополис Москва).
«Мы не просто заключаем соглашение о сотрудничестве, а даем старт созданию полноценного отечественного комплекса транспортной телематики. От применения отечественного микроконтроллера до программного обеспечения и испытательного центра — вся цепочка будет локализована в России, что особенно важно в современных условиях», – сообщил Алексей Кравцов, президент Kraftway.
В решении планируется задействовать микроконтроллер MIK32 Амур, производственные мощности и дизайн платформы, включая прошивки контроллеров, компании
Kraftway, программное обеспечение KasperskyOS Automotive Secure Gateway от «Лаборатории Касперского», испытательным полигоном МИЛМ.
Комплекс предназначен для отправки, получения и сохранения данных о местоположении транспортного средства, его скорости, расходе топлива, возможных неполадках и т.п., а также для обеспечения связи водителя или машиниста с диспетчерским центром. Ожидается, что рабочий прототип устройства будет готов к концу июля 2025 года, а массовые поставки начнутся в 2026 году.
Условия сотрудничества включают проведение комплексных испытаний отечественных решений на стойкость к воздействию внешних факторов: измерений электрических параметров, испытаний на воздействие климатических и механических факторов, неразрушающего и разрушающего физического анализа, испытаний на электромагнитную совместимость и других видов испытаний.
@RUSmicro
👍9❤1
🇧🇪 Мощные транзисторы. Научные разработки. GaN-on-Si. Бельгия
Бельгийская Imec достигла рекордных характеристик СВЧ-транзистора GaN-на-Si – пригодится для 6G
Компания Imec представила MOSHEMT-транзистор на основе нитрида галлия (GaN) – металл-оксид-полупроводник с высокой подвижностью электронов на кремнии (Si), заявляя, что это устройство обеспечило рекордные КПД и выходную мощность в режиме обогащения (E-mode) при низком напряжении питания. Кроме того, компания отмечает рекордно низкое контактное сопротивление – 0,024 Ом*мм. Об этом рассказывает Semiconductor Digest.
Как ожидается, такое устройство может пригодиться для использования в системах связи 6G FR3, использующих частоты от 7 до 24 ГГц.
Современные мобильные сети работают в основном на частотах ниже 6 ГГц, но для обеспечения необходимой пропускной способности систем связи следующего поколения необходим переход на более высокие частоты. На таких частотах решения на основе более привычных гетеропереходных биполярных транзисторов (ГБТ) на базе GaAs теряют производительность, особенно на частотах 10-15 ГГц. Это приводит к быстрому разряду аккумулятора пользовательского устройства.
С нитридом галлия связывают перспективы развития, за счет более высокой плотности мощности в устройствах на базе этой технологии и более высоких напряжений пробоя. Хотя транзисторы GaN на SiC уже демонстрируют высокие радиочастотные характеристики, пока что их применение ограничено, не в последнюю очередь из-за высокой стоимости пластин SiC.
Кремний – куда более масштабируемая и привычная история, но создание на его основе высокоэффективных GaN-транзисторов оказалось сложной задачей из-за несоответствия кристаллической решетки и температурных характеристик этих материалов, что может негативно сказаться на качестве материалов и надежности устройств. Еще более актуальны эти проблемы для изделий, рассчитанных на работу в E-режиме, что требует уменьшения толщины канала под затвором. Это ограничивает ток открытого канала и увеличивает утечку в закрытом состоянии, затрудняя достижение мощности, эффективности и коэффициента усиления, необходимых для сетей 6G.
Компания Imec представила MOSHEMT-транзистор GaN-на-Si с E-режимом, который обеспечивает выходную мощность 27,8 дБм (1 Вт/мм) и КПД добавленной мощности (PAE) 66% на частотах 13 ГГц, при напряжении питания 5В. Результат был получен в одном устройстве с 8-контактной топологией затвора, что обеспечивает ширину затвора, необходимую для обеспечения высокой выходной мощности без необходимости использования нескольких транзисторов. Превосходные характеристики стали возможными за счет сочетания технологии заглубления затвора (gate recess), используемой для перевода устройства в режим E-mode, с барьерным слоем InAlN, компенсирующим потери производительности из-за утончения канала.
В imec одновременно добились рекордно низкого контактного сопротивления 0,024 Ом·мм, используя восстановленный слой n⁺(In)GaN, что максимизирует ток и минимизирует потери мощности. Хотя результат был получен в отдельном модуле, разработчики заявляют, что он полностью совместим с архитектурой транзистора с режимом E-mode. Моделирование показывает, что интеграция этого контактного модуля может повысить выходную плотность мощности еще на 70%, достигая целевого показателя производительности для пользовательского оборудования 6G. Следующим шагом разработчиков будет интеграция контактного модуля в транзистор с режимом E-mode.
@RUSmicro
Бельгийская Imec достигла рекордных характеристик СВЧ-транзистора GaN-на-Si – пригодится для 6G
Компания Imec представила MOSHEMT-транзистор на основе нитрида галлия (GaN) – металл-оксид-полупроводник с высокой подвижностью электронов на кремнии (Si), заявляя, что это устройство обеспечило рекордные КПД и выходную мощность в режиме обогащения (E-mode) при низком напряжении питания. Кроме того, компания отмечает рекордно низкое контактное сопротивление – 0,024 Ом*мм. Об этом рассказывает Semiconductor Digest.
Как ожидается, такое устройство может пригодиться для использования в системах связи 6G FR3, использующих частоты от 7 до 24 ГГц.
Современные мобильные сети работают в основном на частотах ниже 6 ГГц, но для обеспечения необходимой пропускной способности систем связи следующего поколения необходим переход на более высокие частоты. На таких частотах решения на основе более привычных гетеропереходных биполярных транзисторов (ГБТ) на базе GaAs теряют производительность, особенно на частотах 10-15 ГГц. Это приводит к быстрому разряду аккумулятора пользовательского устройства.
С нитридом галлия связывают перспективы развития, за счет более высокой плотности мощности в устройствах на базе этой технологии и более высоких напряжений пробоя. Хотя транзисторы GaN на SiC уже демонстрируют высокие радиочастотные характеристики, пока что их применение ограничено, не в последнюю очередь из-за высокой стоимости пластин SiC.
Кремний – куда более масштабируемая и привычная история, но создание на его основе высокоэффективных GaN-транзисторов оказалось сложной задачей из-за несоответствия кристаллической решетки и температурных характеристик этих материалов, что может негативно сказаться на качестве материалов и надежности устройств. Еще более актуальны эти проблемы для изделий, рассчитанных на работу в E-режиме, что требует уменьшения толщины канала под затвором. Это ограничивает ток открытого канала и увеличивает утечку в закрытом состоянии, затрудняя достижение мощности, эффективности и коэффициента усиления, необходимых для сетей 6G.
Компания Imec представила MOSHEMT-транзистор GaN-на-Si с E-режимом, который обеспечивает выходную мощность 27,8 дБм (1 Вт/мм) и КПД добавленной мощности (PAE) 66% на частотах 13 ГГц, при напряжении питания 5В. Результат был получен в одном устройстве с 8-контактной топологией затвора, что обеспечивает ширину затвора, необходимую для обеспечения высокой выходной мощности без необходимости использования нескольких транзисторов. Превосходные характеристики стали возможными за счет сочетания технологии заглубления затвора (gate recess), используемой для перевода устройства в режим E-mode, с барьерным слоем InAlN, компенсирующим потери производительности из-за утончения канала.
В imec одновременно добились рекордно низкого контактного сопротивления 0,024 Ом·мм, используя восстановленный слой n⁺(In)GaN, что максимизирует ток и минимизирует потери мощности. Хотя результат был получен в отдельном модуле, разработчики заявляют, что он полностью совместим с архитектурой транзистора с режимом E-mode. Моделирование показывает, что интеграция этого контактного модуля может повысить выходную плотность мощности еще на 70%, достигая целевого показателя производительности для пользовательского оборудования 6G. Следующим шагом разработчиков будет интеграция контактного модуля в транзистор с режимом E-mode.
@RUSmicro
👍2
🇨🇳 Фотоэлектрические элементы. Тандемные. Китай
Вчера эта новость уже публиковалась, но качество изложения было далеко от идеала. Коллеги из лаборатории «Новых материалов для солнечной энергетики» МГУ предложили правку, и я с благодарностью ей воспользовался. Ниже - скорректированный и дополненный текст.
Китайский производитель солнечных элементов представил тандемный перовскит-кремниевый элемент с эффективностью 34,58%
Последние 10 лет ученые разных стран активно экспериментируют с гибридными галогенидными перовскитами - новыми искусственными полупроводниками (не путать с природным минералом перовскитом), которые являются перспективными светопоглощающими материалами для создания недорогих фотоэлектрических элементов, превосходящих кремниевые солнечные элементы по стоимости и эффективности.
В ходе исследований одним из основных трендов исследований стало создание тандемных – перовскит-кремниевых солнечных элементов (СЭ), в которых перовскитный СЭ располагается поверх кремниевого СЭ, а солнечный свет последовательно поглощается сначала перовскитным (коротковолновая фракция) и затем кремниевым (длинноволновая фракция). Данные устройства сочетают в себе преимущества обоих типов СЭ и обладают более высокой предельной эффективностью (до 45%) за счет наличия сразу двух светопоглощающих материалов – кремния и гибридного перовскита.
Такой подход позволил заметно увеличить эффективность преобразования энергии у тестовых тандемных устройств по сравнению с классическими кремниевыми или перовскитными СЭ, однако добавил технологических проблем. Одной из таких проблем стал точный контроль толщины и ориентации вспомогательного дырочно-проводящего слоя, в роли которого в составе устройства выступали самоорганизующиеся молекулярные монослои (SAM).
Китайский производитель солнечных модулей Longi представил новый тандемный перовскит-кремниевый элемент с эффективностью преобразования энергии 34,58%. Отличительной чертой устройства стало использование асимметричного SAM под кратким названием HTL201, который является дырочно-селективным. HTL201 имеет низкое паразитное поглощение и способность быстро переносить заряды, что позволяет использовать его в качестве селективного дырочно-проводящего слоя в перовскитных СЭ. Основной задачей учёных было добиться контроля толщины и ориентации слоев HTL201, которые необходимо наносить на текстурированные кремниевые подложки. (..)
Вчера эта новость уже публиковалась, но качество изложения было далеко от идеала. Коллеги из лаборатории «Новых материалов для солнечной энергетики» МГУ предложили правку, и я с благодарностью ей воспользовался. Ниже - скорректированный и дополненный текст.
Китайский производитель солнечных элементов представил тандемный перовскит-кремниевый элемент с эффективностью 34,58%
Последние 10 лет ученые разных стран активно экспериментируют с гибридными галогенидными перовскитами - новыми искусственными полупроводниками (не путать с природным минералом перовскитом), которые являются перспективными светопоглощающими материалами для создания недорогих фотоэлектрических элементов, превосходящих кремниевые солнечные элементы по стоимости и эффективности.
В ходе исследований одним из основных трендов исследований стало создание тандемных – перовскит-кремниевых солнечных элементов (СЭ), в которых перовскитный СЭ располагается поверх кремниевого СЭ, а солнечный свет последовательно поглощается сначала перовскитным (коротковолновая фракция) и затем кремниевым (длинноволновая фракция). Данные устройства сочетают в себе преимущества обоих типов СЭ и обладают более высокой предельной эффективностью (до 45%) за счет наличия сразу двух светопоглощающих материалов – кремния и гибридного перовскита.
Такой подход позволил заметно увеличить эффективность преобразования энергии у тестовых тандемных устройств по сравнению с классическими кремниевыми или перовскитными СЭ, однако добавил технологических проблем. Одной из таких проблем стал точный контроль толщины и ориентации вспомогательного дырочно-проводящего слоя, в роли которого в составе устройства выступали самоорганизующиеся молекулярные монослои (SAM).
Китайский производитель солнечных модулей Longi представил новый тандемный перовскит-кремниевый элемент с эффективностью преобразования энергии 34,58%. Отличительной чертой устройства стало использование асимметричного SAM под кратким названием HTL201, который является дырочно-селективным. HTL201 имеет низкое паразитное поглощение и способность быстро переносить заряды, что позволяет использовать его в качестве селективного дырочно-проводящего слоя в перовскитных СЭ. Основной задачей учёных было добиться контроля толщины и ориентации слоев HTL201, которые необходимо наносить на текстурированные кремниевые подложки. (..)
👍3
(2) В отличие от большинства SAM на основе карбазола с симметричной молекулярной структурой, новый HTL201 отличает асимметрия молекулы. Разработчики заявляют, что это позволило повысить однородность слоя на кремниевой подложке и улучшило выравнивание положения энергетических уровней. Кроме того, HTL201 снижает безызлучательную рекомбинацию в перовскитной плёнке, что свидетельствует о положительном влиянии данного SAM на поверхностные дефекты перовскитного материала и, как результат, способствует повышению производительности СЭ.
Эффективность тандемных СЭ на основе гибридного перовскит-кремниевого элемента площадью 1 кв.см с нанесенным под слой перовскита слоем HTL201 составила 34,58% в лабораторных условиях. Элемент выдавал напряжение холостого хода (Voc) 2В, ток короткого замыкания достигал 20,64 мА, коэффициент заполнения (FF) достигал 83.8%.
Архитектура верхнего перовскитного СЭ в тандемном устройстве включает в себя помимо перовскитного светопоглощающего слоя серебряный металлический электрод, буферный слой фторида лития, электрон-проводящий слой из бакминстерфуллерена (C60), дырочно-проводящий слой на основе HTL201.
Нижняя кремниевая ячейка построена по схеме с двухсторонним текстурированным гетеропереходом. Можно предположить, что это недавно анонсированная ячейка с тыльным контактом и эффективностью 27.3%.
Достигнутый результат близок к предыдущему мировому рекорду, установленному той же компанией Longi также на базе тандемной перовскит-кремниевой ячейки, которая показала эффективность преобразования света в электроэнергию 34.85%. На сентябрь 2023 года компания добивалась показателя эффективности 34,6%. Эти результаты приближается к теоретическому пределу эффективности (~45%) для тандемных перовскит-кремниевых элементов.
На ключевой вопрос – когда станут массово доступны фотоэлектрические панели с такими показателями энергоэффективности, в источнике ответа нет. Несмотря на впечатляющие лабораторные показатели, массовое производство подобных устройств сталкивается с такими проблемами, как недостаточная долговечность самого перовскитного слоя, высокая стоимость производства тандемных элементов, сложность контроля качества при увеличении площади элементов, нестабильность работы при изменении внешних условий (температуры, влажности, уровня УФ-излучения).
@RUSmicro по материалам Interesting Engineering
Эффективность тандемных СЭ на основе гибридного перовскит-кремниевого элемента площадью 1 кв.см с нанесенным под слой перовскита слоем HTL201 составила 34,58% в лабораторных условиях. Элемент выдавал напряжение холостого хода (Voc) 2В, ток короткого замыкания достигал 20,64 мА, коэффициент заполнения (FF) достигал 83.8%.
Архитектура верхнего перовскитного СЭ в тандемном устройстве включает в себя помимо перовскитного светопоглощающего слоя серебряный металлический электрод, буферный слой фторида лития, электрон-проводящий слой из бакминстерфуллерена (C60), дырочно-проводящий слой на основе HTL201.
Нижняя кремниевая ячейка построена по схеме с двухсторонним текстурированным гетеропереходом. Можно предположить, что это недавно анонсированная ячейка с тыльным контактом и эффективностью 27.3%.
Достигнутый результат близок к предыдущему мировому рекорду, установленному той же компанией Longi также на базе тандемной перовскит-кремниевой ячейки, которая показала эффективность преобразования света в электроэнергию 34.85%. На сентябрь 2023 года компания добивалась показателя эффективности 34,6%. Эти результаты приближается к теоретическому пределу эффективности (~45%) для тандемных перовскит-кремниевых элементов.
На ключевой вопрос – когда станут массово доступны фотоэлектрические панели с такими показателями энергоэффективности, в источнике ответа нет. Несмотря на впечатляющие лабораторные показатели, массовое производство подобных устройств сталкивается с такими проблемами, как недостаточная долговечность самого перовскитного слоя, высокая стоимость производства тандемных элементов, сложность контроля качества при увеличении площади элементов, нестабильность работы при изменении внешних условий (температуры, влажности, уровня УФ-излучения).
@RUSmicro по материалам Interesting Engineering
Interesting Engineering
Chinese firm unveils near-record 34.58% efficient hybrid solar cell
Longi announces a new perovskite-silicon solar cell achieving 34.58% efficiency, thanks to an innovative asymmetric SAM (HTL201).
👍1
🇺🇸 Горизонты технологий. 18А. США
Intel существенно продвинулась вперед с 18A?
Эту тему сейчас обсуждают в различных медиа. Но цифры отличаются - в ComputerBase, например, утверждается, что выход годных достиг уже 70%. В эту цифру трудно поверить, но она означала бы, что Intel вполне может выпускать свои Panther Lake экономически обоснованным путем.
Вместе с тем, другие источники, например, wccftech сообщает, что процент выхода годных у Intel достигает 50-55% - это лучше, чем было, это лучше, чем 40% у Samsung с его SF2, но хуже 70% и хуже чем у TSMC с N2 и 65%. С другой стороны, ожидается, что Intel еще придет к 70% к 4q2025.
Для Intel принципиально важно показать свою способность двигаться вперед по части технологий, пусть даже пока что на собственных продуктах, а не в рамках контрактного производства.
@RUSmicro
Intel существенно продвинулась вперед с 18A?
Эту тему сейчас обсуждают в различных медиа. Но цифры отличаются - в ComputerBase, например, утверждается, что выход годных достиг уже 70%. В эту цифру трудно поверить, но она означала бы, что Intel вполне может выпускать свои Panther Lake экономически обоснованным путем.
Вместе с тем, другие источники, например, wccftech сообщает, что процент выхода годных у Intel достигает 50-55% - это лучше, чем было, это лучше, чем 40% у Samsung с его SF2, но хуже 70% и хуже чем у TSMC с N2 и 65%. С другой стороны, ожидается, что Intel еще придет к 70% к 4q2025.
Для Intel принципиально важно показать свою способность двигаться вперед по части технологий, пусть даже пока что на собственных продуктах, а не в рамках контрактного производства.
@RUSmicro
ComputerBase
CPU-Gerüchte: Zen-6-Node-Details bei AMD und hohe Yields bei Intel 18A
Die CPU-Gerüchteküche kocht zuletzt Überstunden. Nun geht es um die Fertigungsstufen von Zen 6 und die Ausbeute von Intel Panther Lake.
🇸🇦 🇷🇺 РМ и РЗЭ. Сотрудничество. Саудовская Аравия
Саудовская Аравия заинтересована во «взаимодействии с Россией» в области РМ и РЗЭ
Об этом заявил министр промышленности и минеральных ресурсов Саудовской Аравии в интервью ТАСС.
У саудитов, в частности, есть заинтересованность в технологиях разделения РМ и РЗЭ, в их дальнейшей подготовке к промышленному использованию.
Саудовская Аравия не входит в число лидеров даже по запасам РЗЭ в мире. Тем более по экспорту. Тем не менее в стране есть немалые запасы лития и цезия в виде глинистых пород и рассолов. Кроме того, ранее были обнаружены ниобий, тантал и цирконий. Чего нет – это компетенций в разделении и очистке. Возможно, в этом могла бы помочь Россия.
На сегодня доступ к РМ и РЗЭ – часть «стратегического суверенитета», не удивительно, что все новые страны включаются в тему.
@RUSmicro
Саудовская Аравия заинтересована во «взаимодействии с Россией» в области РМ и РЗЭ
Об этом заявил министр промышленности и минеральных ресурсов Саудовской Аравии в интервью ТАСС.
У саудитов, в частности, есть заинтересованность в технологиях разделения РМ и РЗЭ, в их дальнейшей подготовке к промышленному использованию.
Саудовская Аравия не входит в число лидеров даже по запасам РЗЭ в мире. Тем более по экспорту. Тем не менее в стране есть немалые запасы лития и цезия в виде глинистых пород и рассолов. Кроме того, ранее были обнаружены ниобий, тантал и цирконий. Чего нет – это компетенций в разделении и очистке. Возможно, в этом могла бы помочь Россия.
На сегодня доступ к РМ и РЗЭ – часть «стратегического суверенитета», не удивительно, что все новые страны включаются в тему.
@RUSmicro
👍2🤔2
🇷🇺 Кремниевая фотоника. Патенты. Россия
Запатентована топология, считывающая кванты с помощью детекторов и микросхемы
Сотрудники кафедры №3 «Электроника» ИНТЭЛ НИЯУ МИФИ, Эдуард Аткин с коллегами разработали и зарегистрировали топологию новой интегральной микросхемы (ИМС), предназначенной для обработки сигналов с полупроводниковых детекторов.
Что за микросхема?
Это 16-канальная микросхема, которая:
🔹 усиливает и сравнивает сигналы с порогом;
🔹 подсчитывает импульсы от рентгеновских квантов;
🔹 работает асинхронно по каждому каналу.
Где может пригодиться?
Такая ИМС может пригодиться в физике высоких энергий и в медицинской диагностике — там, где нужно точно фиксировать отдельные события, вроде попадания рентгеновского кванта.
Юридический статус:
🔹 Топология зарегистрирована Роспатентом под №202 463 0240
🔹 Коллектив из сотрудников МИФИ
🔹 Срок действия исключительного права: до 2034 года
🔗 Патент в реестре ФИПС
@RUSmicro по материалам telegram-канала ИНТЭЛ НИЯУ МИФИ
Запатентована топология, считывающая кванты с помощью детекторов и микросхемы
Сотрудники кафедры №3 «Электроника» ИНТЭЛ НИЯУ МИФИ, Эдуард Аткин с коллегами разработали и зарегистрировали топологию новой интегральной микросхемы (ИМС), предназначенной для обработки сигналов с полупроводниковых детекторов.
Что за микросхема?
Это 16-канальная микросхема, которая:
🔹 усиливает и сравнивает сигналы с порогом;
🔹 подсчитывает импульсы от рентгеновских квантов;
🔹 работает асинхронно по каждому каналу.
Где может пригодиться?
Такая ИМС может пригодиться в физике высоких энергий и в медицинской диагностике — там, где нужно точно фиксировать отдельные события, вроде попадания рентгеновского кванта.
Юридический статус:
🔹 Топология зарегистрирована Роспатентом под №202 463 0240
🔹 Коллектив из сотрудников МИФИ
🔹 Срок действия исключительного права: до 2034 года
🔗 Патент в реестре ФИПС
@RUSmicro по материалам telegram-канала ИНТЭЛ НИЯУ МИФИ
👍15❤5🔥3👌1
🇷🇺 Производство электроники. Производство ТВ. Россия
Против Кванта завели десятки исков
ООО Квант известно тем, что в эпоху до 2022 года собирало электронику Xiaomi, TCL и других брендов. После 2022 года Xiaomi перестало поставлять в РФ комплекты компонентов для сборки, и в Квант переключились на сборку телевизоров Irbis, которые по каким-то странным причинам некоторое время были единственными российскими телевизорами в реестре Минпромторга. Но даже «реестровый монополизм» не спас ситуацию, в апреле 2025 года предприятие остановило сборку ТВ Irbis всех диагоналей – от 32 до 65 дюймов. Представители Кванта утверждали, что виной тому – низкий спрос, об этом писал КоммерсантЪ.
Проблемы копились постепенно, зарплаты работникам предприятие перестало выплачивать еще раньше, с декабря 2024 года, сообщает Инфопортал Зеленограда. В 2025 году невыплатами зарплат занялась прокуратура, которая за последние 3 месяца направила в суд 24 гражданских иска по этой теме. Но задолженность по зарплатам на 60,7 млн рублей, это не основная проблема Кванта. Намного больше требуют с предприятия экс-партнеры – ДНС Ритейл (654,5 млн рублей) и Атлас (1,45 млрд рублей).
Причины произошедшего, на мой взгляд, связаны с низкой маржинальностью рынка ТВ. Мало кто сегодня готов покупать «аннеймы» в виде российских брендов по цене выше, чем у корейской продукции.
Но, возможно, дело не только в этом. Есть ощущение, что с проблемами падения выручки, кассовыми разрывами, штрафами, а также с уменьшением господдержки сталкиваются далеко не только в Кванте. Тогда следует ожидать, что последней проблемной компанией Квант будет оставаться недолго.
@RUSmicro
Против Кванта завели десятки исков
ООО Квант известно тем, что в эпоху до 2022 года собирало электронику Xiaomi, TCL и других брендов. После 2022 года Xiaomi перестало поставлять в РФ комплекты компонентов для сборки, и в Квант переключились на сборку телевизоров Irbis, которые по каким-то странным причинам некоторое время были единственными российскими телевизорами в реестре Минпромторга. Но даже «реестровый монополизм» не спас ситуацию, в апреле 2025 года предприятие остановило сборку ТВ Irbis всех диагоналей – от 32 до 65 дюймов. Представители Кванта утверждали, что виной тому – низкий спрос, об этом писал КоммерсантЪ.
Проблемы копились постепенно, зарплаты работникам предприятие перестало выплачивать еще раньше, с декабря 2024 года, сообщает Инфопортал Зеленограда. В 2025 году невыплатами зарплат занялась прокуратура, которая за последние 3 месяца направила в суд 24 гражданских иска по этой теме. Но задолженность по зарплатам на 60,7 млн рублей, это не основная проблема Кванта. Намного больше требуют с предприятия экс-партнеры – ДНС Ритейл (654,5 млн рублей) и Атлас (1,45 млрд рублей).
Причины произошедшего, на мой взгляд, связаны с низкой маржинальностью рынка ТВ. Мало кто сегодня готов покупать «аннеймы» в виде российских брендов по цене выше, чем у корейской продукции.
Но, возможно, дело не только в этом. Есть ощущение, что с проблемами падения выручки, кассовыми разрывами, штрафами, а также с уменьшением господдержки сталкиваются далеко не только в Кванте. Тогда следует ожидать, что последней проблемной компанией Квант будет оставаться недолго.
@RUSmicro
❤2👍1🤔1
🇺🇸 РМ и РЗЭ. США
Apple заключила сделку на поставку редкоземельных магнитов на $500 млн
Компания Apple заключила соглашение на $500 млн с американским производителем РМ и РЗМ – MP Materials, что укрепит цепочку поставок Apple. Это один из шагов в рамках обещания Apple потратить в США не менее $500 млрд в ближайшие 4 года.
MP Materials – единственный полностью интегрированный производитель редкоземельных материалов в стране. Магниты разработаны на предприятии горнодобывающей компании в Форт-Уэрте, Техас.
Компании собираются совместно создать линию переработки РЗЭ на новом предприятии в Калифорнии, где будет разрабатываться материалы и инновационные технологии обработки, которые должны будут повысить эффективность постоянных магнитов.
На предприятии в Техасе компании намерены построить несколько линий по производству неодимовых магнитов, необходимых Apple.
В Apple ожидают, что после завершения строительства линий, американские магниты будут поставляться как в США, так и в другие страны мира, отвечая росту спроса на этот материал, что позволит создать новые рабочие места в сфере НИОКР и в формировании нового кадрового резерва.
Завод по переработке в Калифорнии позволит принимать использованную электронику и промышленный лом, перерабатывая РМ и РЗЭ в материал, отвечающий строгим стандартам.
Масштаб американских проблем из-за зависимости от импорта РМ и РЗЭ иллюстрирует картинка с данными Геологической службы США на 2024 год. В расчет принимались только те запасы, которые, как считается, могут быть извлечены экономически выгодным способом.
Так что шаг Apple, в каком-то смысле вынужденный, вполне возможно, еще окупится в перспективе.
@RUSmicro
Apple заключила сделку на поставку редкоземельных магнитов на $500 млн
Компания Apple заключила соглашение на $500 млн с американским производителем РМ и РЗМ – MP Materials, что укрепит цепочку поставок Apple. Это один из шагов в рамках обещания Apple потратить в США не менее $500 млрд в ближайшие 4 года.
MP Materials – единственный полностью интегрированный производитель редкоземельных материалов в стране. Магниты разработаны на предприятии горнодобывающей компании в Форт-Уэрте, Техас.
Компании собираются совместно создать линию переработки РЗЭ на новом предприятии в Калифорнии, где будет разрабатываться материалы и инновационные технологии обработки, которые должны будут повысить эффективность постоянных магнитов.
На предприятии в Техасе компании намерены построить несколько линий по производству неодимовых магнитов, необходимых Apple.
В Apple ожидают, что после завершения строительства линий, американские магниты будут поставляться как в США, так и в другие страны мира, отвечая росту спроса на этот материал, что позволит создать новые рабочие места в сфере НИОКР и в формировании нового кадрового резерва.
Завод по переработке в Калифорнии позволит принимать использованную электронику и промышленный лом, перерабатывая РМ и РЗЭ в материал, отвечающий строгим стандартам.
Масштаб американских проблем из-за зависимости от импорта РМ и РЗЭ иллюстрирует картинка с данными Геологической службы США на 2024 год. В расчет принимались только те запасы, которые, как считается, могут быть извлечены экономически выгодным способом.
Так что шаг Apple, в каком-то смысле вынужденный, вполне возможно, еще окупится в перспективе.
@RUSmicro
🤔3❤2👍1
🇷🇺 Материалы. Тетрахлорид германия. Россия
Красноярский Германий запустил производство особо чистого тетрахлорида германия
Предприятие Германий (входит в Холдинг Швабе, Ростех) сообщает о запуске производства особо чистого (99,9999% или 6N) тетрахлорида германия. Это соединение можно использовать для производства оптоволокна высокого качества. Инвестиции в проект составили 328 млн рублей, из них 222 млн предоставил ФРП в формате льготного займа.
Тетрахлорид германия класса ОЧ применяют для изготовления преформ, из которых производят оптоволокно. Производственные мощности предприятия Германий, а это 2 тонны в год, достаточны для обеспечения как внутрироссийского, так и внешнего спроса, хотя в мире сильные позиции имеют китайские поставщики.
Предоставленный льготный займ позволил предприятию провести необходимую модернизацию производственных мощностей, на порядок нарастив чистоту вещества. Для этого в Красноярске используют многоступенчатую очистку, включая дистилляцию.
Новый продукт содержит меньше примесей водородных доноров и металлов. Это позволит использовать его для изготовления современного оптоволокна повышенного качества, пригодного для создания пассивных оптоволоконных сетей, развития инфраструктуры 5G и соединения ЦОД.
Преформы - это кварцевые стержни диаметром от 1 до 10 см длиной около метра, из которых делают оптическое волокно, сырье для волоконно-оптических кабелей.
Российское оптоволокно до сих пор выпускали в основном на основе преформ, закупаемых в Индии и в Китае. Стоимость российского оптоволокна - выше, чем у других мировых производителей, поэтому экспортные возможности пока что были весьма ограниченными.
В целом, основой оптоволокна является кварц - SiO₂, но его оптические свойства не идеальны, если хочется передавать сигнал на большие расстояния. Куда лучшие показатели кварц показывает после его легирования оксидом германия GeO₂
Пары GeCl₄ смешивают с кислородом в кварцевой заготовке. Реакция: GeCl₄ + O₂ -> GeO₂ + 2 Cl₂. Оксид германия формирует легированный слой сердцевины.
Затем заготовку нагревают до 2200°C спекая сердцевину и кварц в стержень, который впоследствие будут вытягивать в нити диаметром 125 мкм производители волокна
Легирование повышает показатель преломления сердечника без потерь сигнала - это позволяет значительно повысить дальность распространения сигнала. На преформы весом 200 кг требуется порядка 1,5 кг GeCl₄, так что 2 тонны - приличное количество.
@RUSmicro по материалам Ростех
Красноярский Германий запустил производство особо чистого тетрахлорида германия
Предприятие Германий (входит в Холдинг Швабе, Ростех) сообщает о запуске производства особо чистого (99,9999% или 6N) тетрахлорида германия. Это соединение можно использовать для производства оптоволокна высокого качества. Инвестиции в проект составили 328 млн рублей, из них 222 млн предоставил ФРП в формате льготного займа.
Тетрахлорид германия класса ОЧ применяют для изготовления преформ, из которых производят оптоволокно. Производственные мощности предприятия Германий, а это 2 тонны в год, достаточны для обеспечения как внутрироссийского, так и внешнего спроса, хотя в мире сильные позиции имеют китайские поставщики.
Предоставленный льготный займ позволил предприятию провести необходимую модернизацию производственных мощностей, на порядок нарастив чистоту вещества. Для этого в Красноярске используют многоступенчатую очистку, включая дистилляцию.
Новый продукт содержит меньше примесей водородных доноров и металлов. Это позволит использовать его для изготовления современного оптоволокна повышенного качества, пригодного для создания пассивных оптоволоконных сетей, развития инфраструктуры 5G и соединения ЦОД.
Преформы - это кварцевые стержни диаметром от 1 до 10 см длиной около метра, из которых делают оптическое волокно, сырье для волоконно-оптических кабелей.
Российское оптоволокно до сих пор выпускали в основном на основе преформ, закупаемых в Индии и в Китае. Стоимость российского оптоволокна - выше, чем у других мировых производителей, поэтому экспортные возможности пока что были весьма ограниченными.
В целом, основой оптоволокна является кварц - SiO₂, но его оптические свойства не идеальны, если хочется передавать сигнал на большие расстояния. Куда лучшие показатели кварц показывает после его легирования оксидом германия GeO₂
Пары GeCl₄ смешивают с кислородом в кварцевой заготовке. Реакция: GeCl₄ + O₂ -> GeO₂ + 2 Cl₂. Оксид германия формирует легированный слой сердцевины.
Затем заготовку нагревают до 2200°C спекая сердцевину и кварц в стержень, который впоследствие будут вытягивать в нити диаметром 125 мкм производители волокна
Легирование повышает показатель преломления сердечника без потерь сигнала - это позволяет значительно повысить дальность распространения сигнала. На преформы весом 200 кг требуется порядка 1,5 кг GeCl₄, так что 2 тонны - приличное количество.
@RUSmicro по материалам Ростех
🔥8👍5❤2
🇯🇵 2нм. Производство кристаллов. Япония
Японская Rapidus вновь объявляет о начале тестового производства микросхем 2нм
В апреле 2025 года Reuters уже сообщала о начале пилотного производство передовых чипов на Хоккайдо по техпроцессу 2нм на предприятии недалеко от нового аэропорта Титосэ. А сегодня различные медиа сообщают, что компания объявила о начале создания прототипов тестовых пластин (had begun prototyping of test wafers) с GAA транзисторами с плотностью размещения 2нм на предприятии IIM-1.
По заявлению компании, сэмплы пластин уже показывают ожидаемые характеристики.
Прототипирование – важный и необходимый этап в производстве полупроводников, призванный подтвердить соответствие тестовых пластин расчетным характеристикам.
Сейчас Rapidus проводит измерения характеристик созданных чипов, включая проверки порогового напряжения, тока во включенном состоянии, тока утечки, подпорогового наклона (резкости перехода устройства из выключенного состояния во включенное). А также скорости переключения, энергопотребления и емкости. Результаты пока не публикуются.
Rapidus уверенно идет к запуску в Японии современного производства полупроводников. В сентябре 2023 года началось строительство, в 2024 году завершилось сооружение чистой комнаты, к июню 2025 года компания развернула более 200 различных производственных установок, включая фотолитографы DUV и EUV. EUV-литографы установили в декабре 2024 года и к апрелю провели первые испытания. На текущий момент, фабрика уже готова для запуска производства тестовых пластин с GAA-структурами.
Особенность производства – single-wafer processing, то есть индивидуальное изготовление каждой пластины, а не групповой подход с «партиями». Это отличает подход Rapidus от подходов других крупных производителей, как Intel, Samsung и TSMC, которые используют комбинацию индивидуального и группового подходов. Индивидуально проводятся EUV- или DUV-паттернирование, плазменное травление, атомно-слоевое осаждение, мониторинг дефектов. А на других этапах – оксиление, ионная имплантация, очистка, отжиг и т.п.
В Rapidus говорят, что это обеспечивает точный контроль каждой операции, т.к. по итогам наблюдения за каждой пластиной можно вносить необходимые корректировки, оперативно выявлять аномалии и исправлять процесс, не дожидаясь обработки всей партии.
Ожидается, что собираемые таким образом данные, ИИ сможет использовать для непрерывного совершенствования процессов, чтобы повысить выход годных, а также для статистического управления процессами.
Удобна индивидуальная обработка и тем, что можно выпускать сколь угодно малые партии продуктов.
Платой за это является некоторое увеличение продолжительности производственного цикла и стоимости производства.
В Rapidus уверены, что такой «индпошив» - привлекательная стратегия для производства пластин по техпроцессу 2нм и менее.
Компания планирует выпустить PDK в 1q2026.
@RUSmicro по материалам Tom's Hardware
Японская Rapidus вновь объявляет о начале тестового производства микросхем 2нм
В апреле 2025 года Reuters уже сообщала о начале пилотного производство передовых чипов на Хоккайдо по техпроцессу 2нм на предприятии недалеко от нового аэропорта Титосэ. А сегодня различные медиа сообщают, что компания объявила о начале создания прототипов тестовых пластин (had begun prototyping of test wafers) с GAA транзисторами с плотностью размещения 2нм на предприятии IIM-1.
По заявлению компании, сэмплы пластин уже показывают ожидаемые характеристики.
Прототипирование – важный и необходимый этап в производстве полупроводников, призванный подтвердить соответствие тестовых пластин расчетным характеристикам.
Сейчас Rapidus проводит измерения характеристик созданных чипов, включая проверки порогового напряжения, тока во включенном состоянии, тока утечки, подпорогового наклона (резкости перехода устройства из выключенного состояния во включенное). А также скорости переключения, энергопотребления и емкости. Результаты пока не публикуются.
Rapidus уверенно идет к запуску в Японии современного производства полупроводников. В сентябре 2023 года началось строительство, в 2024 году завершилось сооружение чистой комнаты, к июню 2025 года компания развернула более 200 различных производственных установок, включая фотолитографы DUV и EUV. EUV-литографы установили в декабре 2024 года и к апрелю провели первые испытания. На текущий момент, фабрика уже готова для запуска производства тестовых пластин с GAA-структурами.
Особенность производства – single-wafer processing, то есть индивидуальное изготовление каждой пластины, а не групповой подход с «партиями». Это отличает подход Rapidus от подходов других крупных производителей, как Intel, Samsung и TSMC, которые используют комбинацию индивидуального и группового подходов. Индивидуально проводятся EUV- или DUV-паттернирование, плазменное травление, атомно-слоевое осаждение, мониторинг дефектов. А на других этапах – оксиление, ионная имплантация, очистка, отжиг и т.п.
В Rapidus говорят, что это обеспечивает точный контроль каждой операции, т.к. по итогам наблюдения за каждой пластиной можно вносить необходимые корректировки, оперативно выявлять аномалии и исправлять процесс, не дожидаясь обработки всей партии.
Ожидается, что собираемые таким образом данные, ИИ сможет использовать для непрерывного совершенствования процессов, чтобы повысить выход годных, а также для статистического управления процессами.
Удобна индивидуальная обработка и тем, что можно выпускать сколь угодно малые партии продуктов.
Платой за это является некоторое увеличение продолжительности производственного цикла и стоимости производства.
В Rapidus уверены, что такой «индпошив» - привлекательная стратегия для производства пластин по техпроцессу 2нм и менее.
Компания планирует выпустить PDK в 1q2026.
@RUSmicro по материалам Tom's Hardware
Tom's Hardware
Japanese chipmaker Rapidus begins test production of 2nm circuits — company commits to single-wafer processing ahead of 2027 mass…
PDK set to be available in Q1 2026.
❤6👍5
📈 Материалы. Рутений
Востребованность рутения выросла на фоне спроса на ИИ
Рутений (Ru) не относится к РЗЭ, это редкий металл (РМ). Он является одним из металлов платиновой группы (МПГ), которая включает также осмий, иридий, платину, палладий и родий. Рутений обладает высокой плотностью 12,41 г/см³, устойчивостью к коррозии и высокой температурой плавления 2334 °C.
Спрос на рутений растет чем дальше, тем больше, в последний год он подорожал почти вдвое до $800 за унцию. Это близко к историческому максимуму в $870, достигнутому 18 лет назад.
Материал ценят производители электроники. В частности, он используется в производстве жестких дисков, в магниторезистивных головках (GMR, TMR), позволяя добиваться более высокой плотности хранения данных. Для каждого изделия требуется совсем немного рутения, но обойтись без него сложно. Применяют рутений также в тонкопленочных резисторах RuO₂ высокой точности и стабильности, с низким ТКС (температурным коэффициентом сопротивления), для межсоединений и барьерных слоев в микросхемах, в танталовых конденсаторах в качестве катодного материала. Рутений используется для создания солнечных элементов DSSC (сенсибилизированных красителем солнечных элементов) и PSC (перовскитных) – сейчас солнечные батареи все чаще рассматривают, как элемент энергообеспечения крупных ИИ-ЦОД. Рутений – перспективный катализатор электролиза воды с целью получения водорода. Это еще одна «связка» с ЦОД.
При этом рутений не торгуется на биржах, поэтому его сложно найти в продаже.
Любопытно, что основные производители рутения – это Южная Африка и Россия, контролирующие чуть не 90% мирового рынка, на третьих ролях - Канада. В условиях антироссийских санкций это заставляет некоторые страны все более активно смотреть на возможности вторичной переработки. Кроме того, идут попытки заменить рутений в HDD на что-нибудь другое, например, на железо-платиновые сплавы. В резисторах пробуют никель-хром, но не добиваются схожей стабильности.
Годовой объем поставок этого материала в 2024 году составил всего 30 тонн. И, как ожидается, он сокращается из-за того, что долгое время никто особо не вкладывал в процессы его добычи. А спрос, напротив, растет. Поэтому в 2026 году ряд стран может столкнуться с дефицитом, с превышением спроса над предложением.
@RUSmicro по материалам Bloomberg
Востребованность рутения выросла на фоне спроса на ИИ
Рутений (Ru) не относится к РЗЭ, это редкий металл (РМ). Он является одним из металлов платиновой группы (МПГ), которая включает также осмий, иридий, платину, палладий и родий. Рутений обладает высокой плотностью 12,41 г/см³, устойчивостью к коррозии и высокой температурой плавления 2334 °C.
Спрос на рутений растет чем дальше, тем больше, в последний год он подорожал почти вдвое до $800 за унцию. Это близко к историческому максимуму в $870, достигнутому 18 лет назад.
Материал ценят производители электроники. В частности, он используется в производстве жестких дисков, в магниторезистивных головках (GMR, TMR), позволяя добиваться более высокой плотности хранения данных. Для каждого изделия требуется совсем немного рутения, но обойтись без него сложно. Применяют рутений также в тонкопленочных резисторах RuO₂ высокой точности и стабильности, с низким ТКС (температурным коэффициентом сопротивления), для межсоединений и барьерных слоев в микросхемах, в танталовых конденсаторах в качестве катодного материала. Рутений используется для создания солнечных элементов DSSC (сенсибилизированных красителем солнечных элементов) и PSC (перовскитных) – сейчас солнечные батареи все чаще рассматривают, как элемент энергообеспечения крупных ИИ-ЦОД. Рутений – перспективный катализатор электролиза воды с целью получения водорода. Это еще одна «связка» с ЦОД.
При этом рутений не торгуется на биржах, поэтому его сложно найти в продаже.
Любопытно, что основные производители рутения – это Южная Африка и Россия, контролирующие чуть не 90% мирового рынка, на третьих ролях - Канада. В условиях антироссийских санкций это заставляет некоторые страны все более активно смотреть на возможности вторичной переработки. Кроме того, идут попытки заменить рутений в HDD на что-нибудь другое, например, на железо-платиновые сплавы. В резисторах пробуют никель-хром, но не добиваются схожей стабильности.
Годовой объем поставок этого материала в 2024 году составил всего 30 тонн. И, как ожидается, он сокращается из-за того, что долгое время никто особо не вкладывал в процессы его добычи. А спрос, напротив, растет. Поэтому в 2026 году ряд стран может столкнуться с дефицитом, с превышением спроса над предложением.
@RUSmicro по материалам Bloomberg
👍5❤2
🇷🇺 Скандалы. Проблемы. Импортзамещение. Россия
Продолжаются публикации, рассказывающие о том, как в объявленных российскими микросхемах обнаружились кристаллы "схожие" с импортными. Вот очередная. Авторы справедливо интересуются:
Это касается, в частности, микросхем:
▫️ АО "ДжиЭС-нанотех": GSN2516Y; GSN2517Y; GSN0727Z; GSN0726Z,
▫️ ООО "Интегральные Телематические Решения": К5553ВГ01Т; К5553ХП01Т; К5553ХП02Т,
▫️ ООО "НЭК.ТЕХ": К1987ПВ014 (NRTSAFE3A)
@RUSmicro
Продолжаются публикации, рассказывающие о том, как в объявленных российскими микросхемах обнаружились кристаллы "схожие" с импортными. Вот очередная. Авторы справедливо интересуются:
"если эти микросхемы не разрабатывались в России, то почему они быть признаны отечественными? И что делать с аппаратурой, которая получила свои баллы отечественности за счет применения этих псевдо-отечественных микросхем?"
Это касается, в частности, микросхем:
▫️ АО "ДжиЭС-нанотех": GSN2516Y; GSN2517Y; GSN0727Z; GSN0726Z,
▫️ ООО "Интегральные Телематические Решения": К5553ВГ01Т; К5553ХП01Т; К5553ХП02Т,
▫️ ООО "НЭК.ТЕХ": К1987ПВ014 (NRTSAFE3A)
@RUSmicro
😁6❤2
🇷🇺 Силовые транзисторы. GaN. Производство. Россия
Воронежский НИИЭТ займется производством силовых транзисторов GaN полного цикла
Инвестировать в проект будет материнская ГК Элемент с использованием льготного финансирования ФРП в рамках механизма кластерной инвестиционной платформы (КИП). Об этом рассказывает КоммерсантЪ.
Компания уже имеет мощности по сборке СВЧ и силовых переключающих GaN-транзисторов, их планируется дополнить кристальным производством. В совокупности должно получиться производство полного цикла.
Проектная мощность запланирована на уровне 5.5 тысяч пластин (в эквиваленте 200 мм пластин) в год.
@RUSmicro
Воронежский НИИЭТ займется производством силовых транзисторов GaN полного цикла
Инвестировать в проект будет материнская ГК Элемент с использованием льготного финансирования ФРП в рамках механизма кластерной инвестиционной платформы (КИП). Об этом рассказывает КоммерсантЪ.
Компания уже имеет мощности по сборке СВЧ и силовых переключающих GaN-транзисторов, их планируется дополнить кристальным производством. В совокупности должно получиться производство полного цикла.
Проектная мощность запланирована на уровне 5.5 тысяч пластин (в эквиваленте 200 мм пластин) в год.
@RUSmicro
🔥10🤔2
🇷🇺 Производство микросхем. Материалы. Компаунды. Россия
На производственных мощностях GS Nanotech завершены испытания российского молд-компаунда
Материал разработан в ходе опытно-конструкторской работы (ОКР), выполняемой Национальным исследовательским университетом МИЭТ совместно с соисполнителями: АО Институт Пластмасс им. Г.С. Петрова, Федеральным исследовательским центром проблем химической физики и медицинской химии Российской академии наук (ФИЦ ПХФ и МХ РАН).
🎓 Молд-компаунд — это материал, применяемый для герметизации и изоляции электронных компонентов при корпусировании. Его функции заключаются в фиксации полупроводникового кристалла и защите электрических схем от воздействия влаги, окисления, механических повреждений и других внешних факторов.
Актуальность разработки обусловлена тем, что в настоящее время российские предприятия преимущественно используют молд-компаунды китайского производства. Создание качественного отечественного аналога способствует снижению импортозависимости.
Новый компаунд был протестирован и применен специалистами GS Nanotech в процессе корпусирования кристаллов микросхем в корпус типа PBGA196. По результатам валидации материала и отработки технологических режимов его нанесения получены положительные результаты. Испытания подтвердили, что характеристики компаунда соответствуют необходимым техническим нормативам.
@RUSmicro по информации GS Nanotech
На производственных мощностях GS Nanotech завершены испытания российского молд-компаунда
Материал разработан в ходе опытно-конструкторской работы (ОКР), выполняемой Национальным исследовательским университетом МИЭТ совместно с соисполнителями: АО Институт Пластмасс им. Г.С. Петрова, Федеральным исследовательским центром проблем химической физики и медицинской химии Российской академии наук (ФИЦ ПХФ и МХ РАН).
🎓 Молд-компаунд — это материал, применяемый для герметизации и изоляции электронных компонентов при корпусировании. Его функции заключаются в фиксации полупроводникового кристалла и защите электрических схем от воздействия влаги, окисления, механических повреждений и других внешних факторов.
Актуальность разработки обусловлена тем, что в настоящее время российские предприятия преимущественно используют молд-компаунды китайского производства. Создание качественного отечественного аналога способствует снижению импортозависимости.
Новый компаунд был протестирован и применен специалистами GS Nanotech в процессе корпусирования кристаллов микросхем в корпус типа PBGA196. По результатам валидации материала и отработки технологических режимов его нанесения получены положительные результаты. Испытания подтвердили, что характеристики компаунда соответствуют необходимым техническим нормативам.
@RUSmicro по информации GS Nanotech
❤9🔥4👍2
🇷🇺 Патенты. Фотодиоды. Россия
В России запатентовали фотодиоды, работающие в режиме ближнего ИК
Разработкой занимались ученые Санкт-Петербургского национального исследовательского Академического университета им. Ж. И. Алфёрова РАН (лаборатория перспективных гетероструктур СВЧ микроэлектроники), новгородское АО ОКБ-Планета и ООО Иоффе-ЛЕД, Петербург.
Такие диоды могут использоваться в высокочувствительных газовых сенсорах и приборах ночного видения. В их основе "оптимизированный состав" InGaAs, с высоким содержанием индия, что позволило расширить рабочий диапазон фотодиодов. Разработана технология, позволяющая получать соответствующие кристаллы.
Разработчики надеются, что разработка сможет быстро выйти на рынок в виде коммерчески доступных приборов, способных конкурировать с зарубежными аналогами.
@RUSmicro по материалам Наука.рф, фото - СПбАУ
В России запатентовали фотодиоды, работающие в режиме ближнего ИК
Разработкой занимались ученые Санкт-Петербургского национального исследовательского Академического университета им. Ж. И. Алфёрова РАН (лаборатория перспективных гетероструктур СВЧ микроэлектроники), новгородское АО ОКБ-Планета и ООО Иоффе-ЛЕД, Петербург.
Такие диоды могут использоваться в высокочувствительных газовых сенсорах и приборах ночного видения. В их основе "оптимизированный состав" InGaAs, с высоким содержанием индия, что позволило расширить рабочий диапазон фотодиодов. Разработана технология, позволяющая получать соответствующие кристаллы.
Разработчики надеются, что разработка сможет быстро выйти на рынок в виде коммерчески доступных приборов, способных конкурировать с зарубежными аналогами.
@RUSmicro по материалам Наука.рф, фото - СПбАУ
👍25❤3👏1
🇨🇳 Перспективные материалы. InSe. Китай
В Китае подошли чуть ближе к практическому использованию селенида индия?
По данным CGTN, исследование опубликовано на сайте журнала Science. Разработкой занимались ученые Пекинского университета и Народного университета Китая. Мне не удалось найти ни эту публикацию, ни ее анонс на сайте Xinhua. Возможно я плохо искал, а в CGTN ничего не перепутали.
Ученые давно присматриваются к селениду индия как к перспективному материалу для использования в полупроводниковом производстве. Его внедрение сдерживается рядом технологических сложностей. В частности, важным является поддержание в процессе выращивания кристалла соотношений индия и селена 1:1, чтобы получать InSe (II), а не In2Se (I) или In2Se3 (III).
Исследователи нагрели аморфную пленку селенида индия и твердый индий в герметичных условиях. Испаренные атомы индия сформировали богатую индием жидкую границу раздела на краю пленки, что позволило выращивать высококачественные кристаллы селенида индия с регулярным расположением атомов.
По мнению ученых, внедрение этой технологии позволит перевести технологию изготовления селенида индия из разряда лабораторных исследований в инженерную плоскость.
В частности, заявляется, что группе исследователей в Пекинском университете удалось успешно изготовить пластины InSe диаметром 50 мм и создать на них массивы кристаллов высокопроизводительных транзисторов, которые можно было бы использовать в интегральных схемах.
Пластины 50 мм – это все же далеко от промышленных технологий с пластинами 200-300 мм.
Ученые утверждают, что это создает основу для создания высокопроизводительных низкопотребляющих микросхем «следующего поколения» для систем ИИ, автономного вождения и прочих применений.
Рецензенты журнала Science назвали эту работу «достижением в области выращивания кристаллов».
Особенность InSe - высокая подвижность электронов (порядка 10³ см²/В·с), это обещает возможность создания транзисторов с низким напряжением переключения, что в теории позволяет добиться снижения энергопотребления в 3-5 раз относительно кремниевых структур. А еще InSe стабилен при температурах до 400 °C, что выгодно отличает его от органических полупроводников и обещает интересные перспективы внедрения в области автономных структур. У материала есть и другие интересные свойства. Вместе с тем, в публикации не говорится, как удалось минимизировать точечные дефекты (вакансии селена), которые зачастую ухудшают электронные свойства InSe.
Темой InSe занимаются не первый десяток лет, вряд ли можно ожидать быстрого внедрения данного материала в практику полупроводникового производства даже после этого исследования – это займет еще годы.
@RUSmicro
В Китае подошли чуть ближе к практическому использованию селенида индия?
По данным CGTN, исследование опубликовано на сайте журнала Science. Разработкой занимались ученые Пекинского университета и Народного университета Китая. Мне не удалось найти ни эту публикацию, ни ее анонс на сайте Xinhua. Возможно я плохо искал, а в CGTN ничего не перепутали.
Ученые давно присматриваются к селениду индия как к перспективному материалу для использования в полупроводниковом производстве. Его внедрение сдерживается рядом технологических сложностей. В частности, важным является поддержание в процессе выращивания кристалла соотношений индия и селена 1:1, чтобы получать InSe (II), а не In2Se (I) или In2Se3 (III).
Исследователи нагрели аморфную пленку селенида индия и твердый индий в герметичных условиях. Испаренные атомы индия сформировали богатую индием жидкую границу раздела на краю пленки, что позволило выращивать высококачественные кристаллы селенида индия с регулярным расположением атомов.
По мнению ученых, внедрение этой технологии позволит перевести технологию изготовления селенида индия из разряда лабораторных исследований в инженерную плоскость.
В частности, заявляется, что группе исследователей в Пекинском университете удалось успешно изготовить пластины InSe диаметром 50 мм и создать на них массивы кристаллов высокопроизводительных транзисторов, которые можно было бы использовать в интегральных схемах.
Пластины 50 мм – это все же далеко от промышленных технологий с пластинами 200-300 мм.
Ученые утверждают, что это создает основу для создания высокопроизводительных низкопотребляющих микросхем «следующего поколения» для систем ИИ, автономного вождения и прочих применений.
Рецензенты журнала Science назвали эту работу «достижением в области выращивания кристаллов».
Особенность InSe - высокая подвижность электронов (порядка 10³ см²/В·с), это обещает возможность создания транзисторов с низким напряжением переключения, что в теории позволяет добиться снижения энергопотребления в 3-5 раз относительно кремниевых структур. А еще InSe стабилен при температурах до 400 °C, что выгодно отличает его от органических полупроводников и обещает интересные перспективы внедрения в области автономных структур. У материала есть и другие интересные свойства. Вместе с тем, в публикации не говорится, как удалось минимизировать точечные дефекты (вакансии селена), которые зачастую ухудшают электронные свойства InSe.
Темой InSe занимаются не первый десяток лет, вряд ли можно ожидать быстрого внедрения данного материала в практику полупроводникового производства даже после этого исследования – это займет еще годы.
@RUSmicro
CGTN
China develops new method to mass-produce high-quality semiconductors
Chinese scientists have developed a novel method for the mass production of high-quality "golden semiconductor" indium selenide, paving the way for manufacturing a new generation of chips that outperform current silicon-based technology.The study, published
👍1
🇯🇵 Производственное оборудование. Безмасочная литография. back-end. PLP. Япония
Nikon объявил о начале приема заявок на систему безмасочной литографии DSP-100 с разрешением в 1.0 мкм
Японская Nikon начинает принимать заказы на систему цифровой литографии для полупроводникового back-end производства с июля 2025 года. Эта система разработана для создания изделий с использованием передовых методов упаковки. Литограф поддерживает работу с прямоугольными пластинами стороной до 600 мм и обеспечивает разрешение 1,0 мкм в терминах (L/S – ширина линии и расстояние до соседней линии), что подходит для формирования тонких межсоединений чиплетов.
Передовые методы упаковки стимулируют промышленность ориентироваться на производство чиплетов, которые затем упаковываются методом PLP (панельная упаковка) с использованием полимерных или стеклянных подложек.
Литограф Nikon DSP-100 основан на многолинзовой технологии, которую компания ранее уже использовала в литографических системах для изготовления плоских дисплеев (FPD). Заявляется разрешение 1.0 мкм, точность совмещения до ±0,3 мкм (снижает брак в многослойных структурах) и высокая производительность – до 50 панелей в час с использованием подложек 510х515 мм.
Многолинзовая технология при точном управлении дает примерно тот же эффект, что и при использовании одной гигантской линзы, что позволяет за 1 экспозицию формировать рисунок на большой площади, преодолевая обычные ограничения безмасковой литографии. Это позволяет использовать пространственный модулятор света (SLM) для непосредственного проецирования рисунка схемы на подложку за 1 проход без необходимости использования фотошаблона. Особенно удобны такие литографы для процесса разработки – снижается стоимость и время создания изделий или небольших партий изделий.
За счет способности работать с большими прямоугольными подложками, выход с одной пластины может быть в 9 раз выше, чем при использовании традиционных пластин 300 мм, если речь идет о выпуске изделий со стороной 100 мм. Система обеспечивает высокоточную коррекцию коробления и деформации подложки в реальном времени, сокращает производственные расходы за счет отказа от фотошаблонов и использования твердотельных источников света (SLM) 365 нм, что также снижает энергопотребление литографа.
Если говорить о конкурентном ландшафте, то TSMC планирует запустить пилотное производство методом FOPLP (Fan-Out Panel Level Packaging - Упаковка на уровне панели с разводкой наружу) только в 2027 году, причем на пластинах диаметром 300 мм, так что Nikon в каком-то смысле вырвался вперед. В частности, ожидается, что безмасочный подход ускорит итерации при проектировании чипов для ИИ. В целом можно ожидать, что рынок будет еще более активно сдвигаться к PLP, что обеспечит Nikon хорошие перспективы на рынке производственного оборудования.
@RUSmicro по материалам Nikon, картинки – Nikon
Nikon объявил о начале приема заявок на систему безмасочной литографии DSP-100 с разрешением в 1.0 мкм
Японская Nikon начинает принимать заказы на систему цифровой литографии для полупроводникового back-end производства с июля 2025 года. Эта система разработана для создания изделий с использованием передовых методов упаковки. Литограф поддерживает работу с прямоугольными пластинами стороной до 600 мм и обеспечивает разрешение 1,0 мкм в терминах (L/S – ширина линии и расстояние до соседней линии), что подходит для формирования тонких межсоединений чиплетов.
Передовые методы упаковки стимулируют промышленность ориентироваться на производство чиплетов, которые затем упаковываются методом PLP (панельная упаковка) с использованием полимерных или стеклянных подложек.
Литограф Nikon DSP-100 основан на многолинзовой технологии, которую компания ранее уже использовала в литографических системах для изготовления плоских дисплеев (FPD). Заявляется разрешение 1.0 мкм, точность совмещения до ±0,3 мкм (снижает брак в многослойных структурах) и высокая производительность – до 50 панелей в час с использованием подложек 510х515 мм.
Многолинзовая технология при точном управлении дает примерно тот же эффект, что и при использовании одной гигантской линзы, что позволяет за 1 экспозицию формировать рисунок на большой площади, преодолевая обычные ограничения безмасковой литографии. Это позволяет использовать пространственный модулятор света (SLM) для непосредственного проецирования рисунка схемы на подложку за 1 проход без необходимости использования фотошаблона. Особенно удобны такие литографы для процесса разработки – снижается стоимость и время создания изделий или небольших партий изделий.
За счет способности работать с большими прямоугольными подложками, выход с одной пластины может быть в 9 раз выше, чем при использовании традиционных пластин 300 мм, если речь идет о выпуске изделий со стороной 100 мм. Система обеспечивает высокоточную коррекцию коробления и деформации подложки в реальном времени, сокращает производственные расходы за счет отказа от фотошаблонов и использования твердотельных источников света (SLM) 365 нм, что также снижает энергопотребление литографа.
Если говорить о конкурентном ландшафте, то TSMC планирует запустить пилотное производство методом FOPLP (Fan-Out Panel Level Packaging - Упаковка на уровне панели с разводкой наружу) только в 2027 году, причем на пластинах диаметром 300 мм, так что Nikon в каком-то смысле вырвался вперед. В частности, ожидается, что безмасочный подход ускорит итерации при проектировании чипов для ИИ. В целом можно ожидать, что рынок будет еще более активно сдвигаться к PLP, что обеспечит Nikon хорошие перспективы на рынке производственного оборудования.
@RUSmicro по материалам Nikon, картинки – Nikon
🔥8