(2) Есть проблема, которая находится за пределами контроля отрасли:
«Мы сейчас находимся на тренде сокращающегося спроса, сокращающегося объёма производства. Это распространяется на всю цепочку, тем более со стороны производителей компонентов, которые находятся на третьем, четвёртом уровне кооперации. Решить эту проблему невозможно, они зависят от вышестоящих технологических переделов в оборудовании и комплексах, поэтому на ближайшее время выход — оптимизировать расходы, повышать устойчивость, разрабатывать решения в расчёте на то, что, когда включатся требования критической рынка критической инфраструктуры с переходом на доверенные программно-аппаратные комплексы, вернётся спрос и возобновится финансирование, и тренд развернётся в рост», — Иван Покровский.
Прогнозируемый спрос на мощности составит 387-502 тысяч пластин к 2030 году, с потенциалом дальнейшего роста до 713-925 тысяч пластин/год к 2035 году.
Существующие мощности аналитики оценили в 106 тыс. пластин в год. К 2030 году, с учётом прогнозов роста спроса, сформируется дефицит в объёме 281-396 тысяч пластин/год, который не может быть покрыт только за счёт иностранных контрактных производств. Для полного покрытия дефицита необходимо реализовать все запланированные и обсуждаемые проекты создания и модернизации производственных площадок, общие мощности которых к 2030 и 2035 годам достигнут 408 тысяч и 689 тысяч пластин/год соответственно.
@RUSmicro
«Мы сейчас находимся на тренде сокращающегося спроса, сокращающегося объёма производства. Это распространяется на всю цепочку, тем более со стороны производителей компонентов, которые находятся на третьем, четвёртом уровне кооперации. Решить эту проблему невозможно, они зависят от вышестоящих технологических переделов в оборудовании и комплексах, поэтому на ближайшее время выход — оптимизировать расходы, повышать устойчивость, разрабатывать решения в расчёте на то, что, когда включатся требования критической рынка критической инфраструктуры с переходом на доверенные программно-аппаратные комплексы, вернётся спрос и возобновится финансирование, и тренд развернётся в рост», — Иван Покровский.
Прогнозируемый спрос на мощности составит 387-502 тысяч пластин к 2030 году, с потенциалом дальнейшего роста до 713-925 тысяч пластин/год к 2035 году.
Существующие мощности аналитики оценили в 106 тыс. пластин в год. К 2030 году, с учётом прогнозов роста спроса, сформируется дефицит в объёме 281-396 тысяч пластин/год, который не может быть покрыт только за счёт иностранных контрактных производств. Для полного покрытия дефицита необходимо реализовать все запланированные и обсуждаемые проекты создания и модернизации производственных площадок, общие мощности которых к 2030 и 2035 годам достигнут 408 тысяч и 689 тысяч пластин/год соответственно.
@RUSmicro
telesputnik.ru
Что потребуется России для технологического лидерства в сфере производства ЭКБ
По прогнозам Strategy Partners темпы роста отечественного производства электронно-компонентной базы (ЭКБ) приблизятся к 33 %, а его объем может достичь к 2030 году 524 млрд. рублей. Ключевую роль в развитии отрасли сыграла государственная поддержка.
🇷🇺 Технологии. GaN. Встречи. Россия
Перспективы технологии GaN обсудят на встрече Микроэлектроника 2025, сообщает MashNews.
📈 Cогласно исследованию «RF GaN Market – Global Industry Analysis and Forecast», рынок только РЧ-компонентов на основе GaN в 2023 году составил $1,27 млрд, и ожидается его рост до $4,61 млрд к 2030 году.
В «Стратегии развития электронной промышленности Российской Федерации на период до 2030 года» GaN-технология внесена в ключевое направление «Научно-техническое развитие».
Кто в России занимается этой технологией? (Список ниже - по информации источника и некоторыми дополнениями по открытой информации).
🔹 АО НИИЭТ (ГК Элемент). Технологией и разработками GaN занимаются уже более 15 лет, используя контрактные возможности изготовления кристаллов. В сентябре 2024 года компания сообщала, что намерена вложить 5.5 млрд руб в локализацию производств транзисторов на основе GaN с планами выпуска до 5400 пластин 200 мм в год. Выход на проектную мощность в 2024 году обещали в 2027 году, сейчас говорится уже о 2028 годе. Финансирование обеспечивается в рамках механизма кластерной инвестпрограммы (оператор - ФРП РФ).
У компании есть разработка серии транзисторов ТНГ-КВ с напряжением пробоя до 650В. Запущена сборка в полимерные корпуса.
🔹 Микрон (ГК Элемент). Сообщалось, что планируется развернуть на базе реконструированной "4-й секции" производство GaN изделий с мощностью 36 тыс. пластин в год. Впрочем, о судьбе этого проекта новостей давно не было.
🔹 Миландр. Когда-то и это предприятие планировало собственное производство на базе GaN-технологии на производстве Миландр СВЧ, но в 2020 году проект был остановлен. В итоге сейчас компания также использует контрактную схему для получения кристаллов. На их базе разработана линейка псевдоморфных транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с напряжением питания до 50 В с выходной мощностью от 5 Вт до 600 Вт, а также приборы с выходной мощностью 1000 Вт и 1200 Вт в балансных корпусах. Компания исследует возможности корпусирования СВЧ GaN HEMT в металлополимерные корпуса. (..)
@RUSmicro
Перспективы технологии GaN обсудят на встрече Микроэлектроника 2025, сообщает MashNews.
📈 Cогласно исследованию «RF GaN Market – Global Industry Analysis and Forecast», рынок только РЧ-компонентов на основе GaN в 2023 году составил $1,27 млрд, и ожидается его рост до $4,61 млрд к 2030 году.
В «Стратегии развития электронной промышленности Российской Федерации на период до 2030 года» GaN-технология внесена в ключевое направление «Научно-техническое развитие».
Кто в России занимается этой технологией? (Список ниже - по информации источника и некоторыми дополнениями по открытой информации).
🔹 АО НИИЭТ (ГК Элемент). Технологией и разработками GaN занимаются уже более 15 лет, используя контрактные возможности изготовления кристаллов. В сентябре 2024 года компания сообщала, что намерена вложить 5.5 млрд руб в локализацию производств транзисторов на основе GaN с планами выпуска до 5400 пластин 200 мм в год. Выход на проектную мощность в 2024 году обещали в 2027 году, сейчас говорится уже о 2028 годе. Финансирование обеспечивается в рамках механизма кластерной инвестпрограммы (оператор - ФРП РФ).
У компании есть разработка серии транзисторов ТНГ-КВ с напряжением пробоя до 650В. Запущена сборка в полимерные корпуса.
🔹 Микрон (ГК Элемент). Сообщалось, что планируется развернуть на базе реконструированной "4-й секции" производство GaN изделий с мощностью 36 тыс. пластин в год. Впрочем, о судьбе этого проекта новостей давно не было.
🔹 Миландр. Когда-то и это предприятие планировало собственное производство на базе GaN-технологии на производстве Миландр СВЧ, но в 2020 году проект был остановлен. В итоге сейчас компания также использует контрактную схему для получения кристаллов. На их базе разработана линейка псевдоморфных транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с напряжением питания до 50 В с выходной мощностью от 5 Вт до 600 Вт, а также приборы с выходной мощностью 1000 Вт и 1200 Вт в балансных корпусах. Компания исследует возможности корпусирования СВЧ GaN HEMT в металлополимерные корпуса. (..)
@RUSmicro
❤4👏1🤔1
(2) 🔹 Исток им. Шокина. По заказу Минпромторга РФ разрабатывают техпроцесс и "комплексный инструмент проектирования" МИС СВЧ на основе GaN на подложках SiC по топологической норме 250 нм (DH025). Идет оснащение GaN производственной линии технологическим и инженерным оборудованием. В 2026 году, как ожидается, дизайн-центры смогут получить доступ к КИП.
🔹 ЗНТЦ. Не первый год занимаются разработками технологии и отработкой техпроцессов производства электроники GaN(Si) силовых и СВЧ модулей.
🔹 Светлана-Рост. Предприятие располагает контрактным фабом, который выполняет серийное производство и поставки полностью отечественных кристаллов GaN, подходящих для работы в L, P и S диапазонах.
🔹 ОКБ-Планета. В рамках проекта с ФПИ разработан полностью замкнутный техпроцесс изготовления СВЧ МИС Х-диапазона и СВЧ транзисторов X и S-диапазона на основе гетероструктур GaN/AlGaN на подложках SiC, На предприятии сформирована замкнутая технологическая линия по изготовлению монолитных СВЧ-схем, включая фотошаблоны, кристальное производство и сборку.
🔹 НТО. Можно вспомнить, что это предприятие в 2036 году обещает представить новую линейку специализированных унифицированных установок плазмохимического травления и осаждения для серийного производства СВЧ транзисторов и МИС на основе GaAs и GaN.
🔹 НИИТМ (ГК Элемент). В 2024 году сообщалось об испытании опытного образца установки эпитаксии для создания пластин GaN-on-Si. В разработке принимали участие ученые и инженеры АО НИИТМ (ГК Элемент), НТЦ микроэлектроники РАН, Петербург и ООО Софт-Импакт. Серийное производство установки ожидается с 2025 года. Расчетная производственная мощность установки – до 2 тысяч пластин 200 мм в год (6 пластин в сутки).
🔹 Экран-оптические системы. В феврале 2020 года предприятие сообщало о начале производства пластин на базе GaN. Давно не слышно новостей.
🔹 ТОЗ-Робототехника. Компания планировала внедрять в производство роботизированные ПАК для осуществления сборки и визуального контроля изделий, включая силовые GaN модули.
🔹 ТУСУР. Здесь, среди прочего занимаются разработкой СФ блоков для СВЧ МИС, включая GaN.
Наверняка этот список далек от полноты, но это то, что легко находится в публичном поле информации. Общий вывод - в России с темой GaN дела обстоят в целом неплохо, а вскоре могут сработать все запущенные планы и заделы и мы получим вполне серийное местное производство, движущееся к полному циклу.
@RUSmicro
🔹 ЗНТЦ. Не первый год занимаются разработками технологии и отработкой техпроцессов производства электроники GaN(Si) силовых и СВЧ модулей.
🔹 Светлана-Рост. Предприятие располагает контрактным фабом, который выполняет серийное производство и поставки полностью отечественных кристаллов GaN, подходящих для работы в L, P и S диапазонах.
🔹 ОКБ-Планета. В рамках проекта с ФПИ разработан полностью замкнутный техпроцесс изготовления СВЧ МИС Х-диапазона и СВЧ транзисторов X и S-диапазона на основе гетероструктур GaN/AlGaN на подложках SiC, На предприятии сформирована замкнутая технологическая линия по изготовлению монолитных СВЧ-схем, включая фотошаблоны, кристальное производство и сборку.
🔹 НТО. Можно вспомнить, что это предприятие в 2036 году обещает представить новую линейку специализированных унифицированных установок плазмохимического травления и осаждения для серийного производства СВЧ транзисторов и МИС на основе GaAs и GaN.
🔹 НИИТМ (ГК Элемент). В 2024 году сообщалось об испытании опытного образца установки эпитаксии для создания пластин GaN-on-Si. В разработке принимали участие ученые и инженеры АО НИИТМ (ГК Элемент), НТЦ микроэлектроники РАН, Петербург и ООО Софт-Импакт. Серийное производство установки ожидается с 2025 года. Расчетная производственная мощность установки – до 2 тысяч пластин 200 мм в год (6 пластин в сутки).
🔹 Экран-оптические системы. В феврале 2020 года предприятие сообщало о начале производства пластин на базе GaN. Давно не слышно новостей.
🔹 ТОЗ-Робототехника. Компания планировала внедрять в производство роботизированные ПАК для осуществления сборки и визуального контроля изделий, включая силовые GaN модули.
🔹 ТУСУР. Здесь, среди прочего занимаются разработкой СФ блоков для СВЧ МИС, включая GaN.
Наверняка этот список далек от полноты, но это то, что легко находится в публичном поле информации. Общий вывод - в России с темой GaN дела обстоят в целом неплохо, а вскоре могут сработать все запущенные планы и заделы и мы получим вполне серийное местное производство, движущееся к полному циклу.
@RUSmicro
👍9❤6
🇷🇺 Производственные мощности. Производство фотошаблонов. Планы. Россия
В Алабушево готовятся начать выпускать фотошаблоны, необходимые для производства полупроводниковых структур на пластинах
Мы уже обсуждали в марте 2025 года старт этого проекта, инициированного НИУ МИЭТ. Сокращенное название центра НТЦ ФШ (Научно-технологический центр по изготовлению фотошаблонов). В проекте участвуют также правительство Москвы, Минпромторг, Минобрнауки.
Подробнее на днях рассказал CNews. В частности, планируется:
🎈 в 2026 году - разработка техпроцесса изготовления фотошаблонов под техпроцессы 350 нм и 250 нм.
🎈 в 2027 году – разработка техпроцесса изготовления фотошаблонов под 180 нм и начало выпуска фотошаблонов для 350 нм.
🎈 в 2028 году – разработка под 90 нм и начало выпуска под 250 нм
🎈 в 2029 – разработка под 65 нм, выпуск под 180 нм и под 90 нм
🎈 в 2030 – выпуска под 65 нм, разработка…
«в перспективе» планируется дойти и до 28 нм, но когда – разумно не говорится.
Плановая производственная мощность предприятия уже удвоилась по сравнению с тем, о чем шла речь в марте, теперь говорится о планах выпуска около 10 тыс. фотошблонов в год. Оптимизм растет? Инвестировали больше денег?
Упоминается, что НТЦ ФШ будет работать «в технологической цепочке» с Лассардом (выпускает синтетическое кварцевое стекло) и РФЯЦ ВНИИЭФ (изготавливает подложки из этого стекла).
НТЦ ФШ планирует выпускать фотошаблонные заготовки под фотолитографы с длиной волны 248 нм и 193 нм и фотошаблоны для техпроцессов от 180 нм и ниже.
Покупателями, как ожидается, станут российские фабы, прежде всего, Микрон и НМ-Тех, а также НИИМЭ и другие малосерийные производители.
Ключевой вопрос – откуда взялось оборудование для оснащения НТЦ ФШ?
Судя по всему, закупали «с бору по сосенке», в частности – установка контроля кварцевых подложек – американского производителя, установка контроля толщины слоев – китайская, оптический микроскоп – Германия и т.п. Есть две российские установки – для анализа кристаллографических параметров слоев и атомно-параметрический микроскоп.
Пока что не закуплены установки отмывки, оборудование контроля фотошаблонов, установки для нанесения слоев, установки для сушки, вакуумной упаковки. Все это еще только предстоит интегрировать в единую производственную цепочку, написать и отладить софт, наладить поставку материалов.
В России темой фотошаблонов занимается еще ряд организаций (ЗНТЦ, НИИМВ, МВЦ), есть и собственное производство: ЗИТЦ и ЦКП Фотошаблоны (выпускают маски под техпроцессы до 180 нм).
Необходимо будет решить еще немало проблем. В частности, еще только предстоит проверить качество российских кварцевых пластин (требуется одновременно чистота, ровность и низкая дефектность). Отдельная загадка - кто, например, будет производить пелликлы – это тоже совсем не простая задача?
В целом мне представляется, что с освоением технологий 180-90нм особых проблем быть не должно. Но планы по 65 нм и, тем более, в отношении 28 нм – весьма амбициозны. Это потребует развития ряда фундаментальных технологий, поэтому в отношении 2029-2030 года у меня есть сомнения даже про 65 нм.
Зарубежные станки – «мина замедленного действия», их мало купить, к ним еще нужно будет закупать запчасти, да и без официальной поддержки оборудование может обеспечить немало головной боли. В идеале, нужно разрабатывать отечественные установки под каждую операцию, причем желательно с потенциалом бесшовной интеграции в единую цепочку.
С пелликлами в целом не очень ясно, какие в их отношении планы. Их вообще кто-либо делает в РФ? Я таких не знаю.
Кадры. Нужны, в частности, качественные технологи. Они в дефиците. Могут, конечно, постепенно появиться (выучиться) по ходу дела, не боги горшки обжигают. Но это ОЧЕНЬ сложные технологии – чистота, химия, подбор параметров.
В общем, этот проект будет своего рода лакмусовой бумажкой – можно ли ожидать от российской микроэлектроники существенных позитивных технологически-производственных новостей.
@RUSmicro
В Алабушево готовятся начать выпускать фотошаблоны, необходимые для производства полупроводниковых структур на пластинах
Мы уже обсуждали в марте 2025 года старт этого проекта, инициированного НИУ МИЭТ. Сокращенное название центра НТЦ ФШ (Научно-технологический центр по изготовлению фотошаблонов). В проекте участвуют также правительство Москвы, Минпромторг, Минобрнауки.
Подробнее на днях рассказал CNews. В частности, планируется:
🎈 в 2026 году - разработка техпроцесса изготовления фотошаблонов под техпроцессы 350 нм и 250 нм.
🎈 в 2027 году – разработка техпроцесса изготовления фотошаблонов под 180 нм и начало выпуска фотошаблонов для 350 нм.
🎈 в 2028 году – разработка под 90 нм и начало выпуска под 250 нм
🎈 в 2029 – разработка под 65 нм, выпуск под 180 нм и под 90 нм
🎈 в 2030 – выпуска под 65 нм, разработка…
«в перспективе» планируется дойти и до 28 нм, но когда – разумно не говорится.
Плановая производственная мощность предприятия уже удвоилась по сравнению с тем, о чем шла речь в марте, теперь говорится о планах выпуска около 10 тыс. фотошблонов в год. Оптимизм растет? Инвестировали больше денег?
Упоминается, что НТЦ ФШ будет работать «в технологической цепочке» с Лассардом (выпускает синтетическое кварцевое стекло) и РФЯЦ ВНИИЭФ (изготавливает подложки из этого стекла).
НТЦ ФШ планирует выпускать фотошаблонные заготовки под фотолитографы с длиной волны 248 нм и 193 нм и фотошаблоны для техпроцессов от 180 нм и ниже.
Покупателями, как ожидается, станут российские фабы, прежде всего, Микрон и НМ-Тех, а также НИИМЭ и другие малосерийные производители.
Ключевой вопрос – откуда взялось оборудование для оснащения НТЦ ФШ?
Судя по всему, закупали «с бору по сосенке», в частности – установка контроля кварцевых подложек – американского производителя, установка контроля толщины слоев – китайская, оптический микроскоп – Германия и т.п. Есть две российские установки – для анализа кристаллографических параметров слоев и атомно-параметрический микроскоп.
Пока что не закуплены установки отмывки, оборудование контроля фотошаблонов, установки для нанесения слоев, установки для сушки, вакуумной упаковки. Все это еще только предстоит интегрировать в единую производственную цепочку, написать и отладить софт, наладить поставку материалов.
В России темой фотошаблонов занимается еще ряд организаций (ЗНТЦ, НИИМВ, МВЦ), есть и собственное производство: ЗИТЦ и ЦКП Фотошаблоны (выпускают маски под техпроцессы до 180 нм).
Необходимо будет решить еще немало проблем. В частности, еще только предстоит проверить качество российских кварцевых пластин (требуется одновременно чистота, ровность и низкая дефектность). Отдельная загадка - кто, например, будет производить пелликлы – это тоже совсем не простая задача?
В целом мне представляется, что с освоением технологий 180-90нм особых проблем быть не должно. Но планы по 65 нм и, тем более, в отношении 28 нм – весьма амбициозны. Это потребует развития ряда фундаментальных технологий, поэтому в отношении 2029-2030 года у меня есть сомнения даже про 65 нм.
Зарубежные станки – «мина замедленного действия», их мало купить, к ним еще нужно будет закупать запчасти, да и без официальной поддержки оборудование может обеспечить немало головной боли. В идеале, нужно разрабатывать отечественные установки под каждую операцию, причем желательно с потенциалом бесшовной интеграции в единую цепочку.
С пелликлами в целом не очень ясно, какие в их отношении планы. Их вообще кто-либо делает в РФ? Я таких не знаю.
Кадры. Нужны, в частности, качественные технологи. Они в дефиците. Могут, конечно, постепенно появиться (выучиться) по ходу дела, не боги горшки обжигают. Но это ОЧЕНЬ сложные технологии – чистота, химия, подбор параметров.
В общем, этот проект будет своего рода лакмусовой бумажкой – можно ли ожидать от российской микроэлектроники существенных позитивных технологически-производственных новостей.
@RUSmicro
🔥18❤8🤔5👀1
🇷🇺 Реестровость. Маркировка. Россия
Горячая тема поисков в электросчетчиках отечественных микросхем продолжилась под неожиданным, но важным ракурсом. Сотрудник Миландра разобрал на Хабре одну из публикаций по теме. И в "деле" появился новый аспект, не менее важный, чем поиски любителей "переклеивать шильдики".
Статья освещает проблему несовершенства маркировки российской радиоэлектронной продукции, включенной в реестр Минпромторга. На примере счетчиков компаний четырех российских производителей четко показано, что текущая система обозначений не позволяет однозначно идентифицировать, содержит ли устройство отечественные микросхемы или перемаркированные импортные компоненты. Иногда различие сводится к 1-му символу в длинной маркировке счетчика.
Нет и единого стандарта нейминга, например, у Энергомеры нет прозрачной системы обозначений, которая позволяла бы определить использование (или отсутствие) отечественных компонентов (если не иметь дополнительных таблиц или писем от компании).
В итоге сохраняется возможность ситуаций, когда устройства с импортными микросхемами (ошибочно или намеренно) представляют, как соответствующие реестровым требованиям. В итоге в реестр могли попасть устройства, например, на базе микросхемы GSN2516Y, которая тоже была в реестре, а теперь там отсутствует.
Возможно текущая система маркировки должна быть реформирована, чтобы начали действовать единые правила обозначений для реестровой продукции, чтобы из названия явно было понятно - используются или нет в изделии российские компоненты. Это, кстати, могло бы повысить доверие к отечественной электронике.
Возможно, свое веское слово должны сказать в Минпромторге. Сформулировав или модифицировав правила именования с тем, чтобы реестровые изделия четко выделялись от нереестровых "аналогов".
@RUSmicro
Горячая тема поисков в электросчетчиках отечественных микросхем продолжилась под неожиданным, но важным ракурсом. Сотрудник Миландра разобрал на Хабре одну из публикаций по теме. И в "деле" появился новый аспект, не менее важный, чем поиски любителей "переклеивать шильдики".
Статья освещает проблему несовершенства маркировки российской радиоэлектронной продукции, включенной в реестр Минпромторга. На примере счетчиков компаний четырех российских производителей четко показано, что текущая система обозначений не позволяет однозначно идентифицировать, содержит ли устройство отечественные микросхемы или перемаркированные импортные компоненты. Иногда различие сводится к 1-му символу в длинной маркировке счетчика.
Нет и единого стандарта нейминга, например, у Энергомеры нет прозрачной системы обозначений, которая позволяла бы определить использование (или отсутствие) отечественных компонентов (если не иметь дополнительных таблиц или писем от компании).
В итоге сохраняется возможность ситуаций, когда устройства с импортными микросхемами (ошибочно или намеренно) представляют, как соответствующие реестровым требованиям. В итоге в реестр могли попасть устройства, например, на базе микросхемы GSN2516Y, которая тоже была в реестре, а теперь там отсутствует.
Возможно текущая система маркировки должна быть реформирована, чтобы начали действовать единые правила обозначений для реестровой продукции, чтобы из названия явно было понятно - используются или нет в изделии российские компоненты. Это, кстати, могло бы повысить доверие к отечественной электронике.
Возможно, свое веское слово должны сказать в Минпромторге. Сформулировав или модифицировав правила именования с тем, чтобы реестровые изделия четко выделялись от нереестровых "аналогов".
@RUSmicro
Хабр
Проблема нейминга российской реестровой радиоэлектронной продукции
Последнее время на Хабре стало модным разбирать российские радиоэлектронные изделия. Большой скандал устроил @STriple разобрав счетчики от Энергомеры и Нартиса в надежде найти там российские...
👍4🔥4🤔3❤1
📈 Фабы. Статистика. Общепланетарное
По данным портала World Population Review, которые приводят Ведомости, больше всего фабрик по производству полупроводников расположено в Японии – 103. В США их 95, в Китае – 81, на Тайване – 80, а в ФРГ – 22.
При этом в 2023 году на рынке продвинутых полупроводников доля США составляла 12%, а Тайваня – 68%.
Так что не только количество фабов играет роль. Куда важнее степень их технологической современности, стоимость изделий (процент выхода годных и не только), точность соблюдения сроков поставки, уверенность в качестве изделий. А также масштабы фаба, - но для строительства гигантских фабов, как fab18 у TSMC, нужно, чтобы твоими услугами пользовалась хотя бы половина мира (желательно весь). А еще важна концентрация ресурсов. А еще десятилетия господдержки, как в случае с TSMC.
@RUSmicro, картинка - Worldpopulationreview
По данным портала World Population Review, которые приводят Ведомости, больше всего фабрик по производству полупроводников расположено в Японии – 103. В США их 95, в Китае – 81, на Тайване – 80, а в ФРГ – 22.
При этом в 2023 году на рынке продвинутых полупроводников доля США составляла 12%, а Тайваня – 68%.
Так что не только количество фабов играет роль. Куда важнее степень их технологической современности, стоимость изделий (процент выхода годных и не только), точность соблюдения сроков поставки, уверенность в качестве изделий. А также масштабы фаба, - но для строительства гигантских фабов, как fab18 у TSMC, нужно, чтобы твоими услугами пользовалась хотя бы половина мира (желательно весь). А еще важна концентрация ресурсов. А еще десятилетия господдержки, как в случае с TSMC.
@RUSmicro, картинка - Worldpopulationreview
❤1💯1
🇷🇺 Реестровые записи. AI-процессоры. Россия
В ГИСП появилась информация об AI-чипе Baikal BE-AI1000
Запись датируется 22 августа 2025. Микропроцессор BE-AI1000 представляет собой систему на кристалле (СнК), которую предлагается использовать в качестве специализированного ускорителя в задачах AI. В том числе заявляется возможность использования его в серверах, выполняющих обучение больших языковых моделей (LLM).
Заявляется "отечественность", "энергоэффективность", контролируемый стек ПО, использование оригинальных технологических подходов, что обеспечило "низкую себестоимость" по сравнению с зарубежными "конкурирующими изделиями".
Помечено, что "проверка уровня локализации производства в РФ не проводилась".
🔹 Рабочая частота: 3200 МГц.
🔹 Корпус:
QFN, 55 x 55 мм, 1738 вывод, кремний-на-сапфире.
🔹 Технология: e-beam литография
Потребляемая мощность: 200 Вт
🔹 Подсистема оперативной памяти: HBM 3E, до 512 ГБ, пропускная способность до 2 ТБ/с
🔹 Системная шина с когерентным кэшем L2: 32 МБ
🔹 Низкоскоростная периферия: 4 таймера; GPIO*32 с возможностью реконфигурации (UART, QSPI, eSPI, I2C/SMBus)
🔹 Высокоскоростная периферия: 120 PCIe Линий Gen5; USB 3.0; 10 Гб Ethernet, RoCE
Пока что это все, что опубликовано в открытом доступе.
@RUSmicro
В ГИСП появилась информация об AI-чипе Baikal BE-AI1000
Запись датируется 22 августа 2025. Микропроцессор BE-AI1000 представляет собой систему на кристалле (СнК), которую предлагается использовать в качестве специализированного ускорителя в задачах AI. В том числе заявляется возможность использования его в серверах, выполняющих обучение больших языковых моделей (LLM).
Заявляется "отечественность", "энергоэффективность", контролируемый стек ПО, использование оригинальных технологических подходов, что обеспечило "низкую себестоимость" по сравнению с зарубежными "конкурирующими изделиями".
Помечено, что "проверка уровня локализации производства в РФ не проводилась".
🔹 Рабочая частота: 3200 МГц.
🔹 Корпус:
QFN, 55 x 55 мм, 1738 вывод, кремний-на-сапфире.
🔹 Технология: e-beam литография
Потребляемая мощность: 200 Вт
🔹 Подсистема оперативной памяти: HBM 3E, до 512 ГБ, пропускная способность до 2 ТБ/с
🔹 Системная шина с когерентным кэшем L2: 32 МБ
🔹 Низкоскоростная периферия: 4 таймера; GPIO*32 с возможностью реконфигурации (UART, QSPI, eSPI, I2C/SMBus)
🔹 Высокоскоростная периферия: 120 PCIe Линий Gen5; USB 3.0; 10 Гб Ethernet, RoCE
Пока что это все, что опубликовано в открытом доступе.
@RUSmicro
👍29😁5🔥3❤1🤔1
🇰🇷 Память. QLC NAND. Корея
SK Hynix начинает производство 2 ТБ памяти NAND QLC
Компания SK Hynix объявила о начале массового производства памяти с 4-х уровневыми ячейками (QLC). Странно, но коммерческие поставки запланированы только на 1H2026 после сертификации у глобальных клиентов. Это может свидетельствовать о возможных технологических или производственных сложностях, которые компания пока не может преодолеть для полноценного выхода на рынок. Неплохой подарок для конкурентов, чтобы они ускорились и попытались представить свои аналоги.
Это 321-слойная память 2 ТБ обеспечивает скорости передачи данных вдвое большие, чем предыдущее поколение QLC. И на 56% более высокую производительность записи, - утверждает компания. Производительность чтения – всего на 18% больше, энергоэффективность – более, чем на 23%.
Цифры напоминают о том, что QLC медленнее чем TLC при операциях случайного чтения из-за сложности распознавания 16 уровней заряда в ячейки. Это может нивелировать преимущества в некоторых сценариях использования, требующих низкой задержки, несмотря на улучшения. А еще QLC-память по своей природе имеет более низкий ресурс по количеству циклов перезаписи (P/E cycles) по сравнению с TLC и SLC. Увеличение плотности могло потенциально усугубить проблему долговечности, что критично для интенсивных рабочих нагрузок AI, так что еще нужно будет присмотреться к тому, что покажут тесты у партнеров.
Тем не менее, пока что трудно спорить с тем, что память с такими параметрами, как ожидается, будет востребована в AI ЦОД. Впрочем, для применений типа CDN или потоковых видеосервисов новая память тоже может хорошо себя показать.
Технологическая особенность – компания нарастила количество независимых операционных блоков (их еще называют plane – плоскостями, модулями или слоями, несмотря на терминологическую путаницу) с 4-х до 6-ти.
🎓 Плоскость — это независимый блок ячеек со своей периферией, который может выполнять операции (чтение/запись) параллельно с другими плоскостями. Параллелизм повышает производительность, особенно для записи.
В SK Hynix задействовали свою технологию 32DP, позволяющую размещать 32-кристалла NAND в одном корпусе и планирует выпускать корпоративные твердотельные накопители eSSD для AI-серверов, удвоив плотность интеграции. Похоже, что компания стратегически движется в сторону сверхъемких SSD (скажем, более 100 ТБ), что актуально для создания сверхбольших языковых моделей. При минимальной стоимости за ГБ!
PS: Но если вам важнее частая запись, или высокая производительность, или низкая задержка (базы данных, виртуализация, HPC, интенсивные операции с СУБД), то оставайтесь с TLC.
@RUSmicro
SK Hynix начинает производство 2 ТБ памяти NAND QLC
Компания SK Hynix объявила о начале массового производства памяти с 4-х уровневыми ячейками (QLC). Странно, но коммерческие поставки запланированы только на 1H2026 после сертификации у глобальных клиентов. Это может свидетельствовать о возможных технологических или производственных сложностях, которые компания пока не может преодолеть для полноценного выхода на рынок. Неплохой подарок для конкурентов, чтобы они ускорились и попытались представить свои аналоги.
Это 321-слойная память 2 ТБ обеспечивает скорости передачи данных вдвое большие, чем предыдущее поколение QLC. И на 56% более высокую производительность записи, - утверждает компания. Производительность чтения – всего на 18% больше, энергоэффективность – более, чем на 23%.
Цифры напоминают о том, что QLC медленнее чем TLC при операциях случайного чтения из-за сложности распознавания 16 уровней заряда в ячейки. Это может нивелировать преимущества в некоторых сценариях использования, требующих низкой задержки, несмотря на улучшения. А еще QLC-память по своей природе имеет более низкий ресурс по количеству циклов перезаписи (P/E cycles) по сравнению с TLC и SLC. Увеличение плотности могло потенциально усугубить проблему долговечности, что критично для интенсивных рабочих нагрузок AI, так что еще нужно будет присмотреться к тому, что покажут тесты у партнеров.
Тем не менее, пока что трудно спорить с тем, что память с такими параметрами, как ожидается, будет востребована в AI ЦОД. Впрочем, для применений типа CDN или потоковых видеосервисов новая память тоже может хорошо себя показать.
Технологическая особенность – компания нарастила количество независимых операционных блоков (их еще называют plane – плоскостями, модулями или слоями, несмотря на терминологическую путаницу) с 4-х до 6-ти.
🎓 Плоскость — это независимый блок ячеек со своей периферией, который может выполнять операции (чтение/запись) параллельно с другими плоскостями. Параллелизм повышает производительность, особенно для записи.
В SK Hynix задействовали свою технологию 32DP, позволяющую размещать 32-кристалла NAND в одном корпусе и планирует выпускать корпоративные твердотельные накопители eSSD для AI-серверов, удвоив плотность интеграции. Похоже, что компания стратегически движется в сторону сверхъемких SSD (скажем, более 100 ТБ), что актуально для создания сверхбольших языковых моделей. При минимальной стоимости за ГБ!
PS: Но если вам важнее частая запись, или высокая производительность, или низкая задержка (базы данных, виртуализация, HPC, интенсивные операции с СУБД), то оставайтесь с TLC.
@RUSmicro
🔥4❤3👍1
🇷🇺 Производство микроэлектроники. Химия. Россия
В Томске начали производство HBr для микроэлектроники
Понемногу, вещество за веществом, в России запускают производство высокочистых материалов для производства микроэлектроники. Это все еще не более, чем начало пути, но шаг за шагом идет движение в сторону технологического суверенитета. Очередной такой шаг – в Томске запущено производство высокочистого бромистого водорода (HBr), об этом сообщает издание Tomsk.
Микротоннажное производство HBr запустили в инжиниринговом химико-технологическом центре (ИХТЦ) при Томском госуниверситете с планами выпуска до 650 кг в год и возможностью масштабирования объема производства. Этого должно хватить для полного обеспечения потребностей российских производителей микроэлектроники с тем, чтобы они могли отказаться от импорта из Китая и Европы.
Чистота вещества декларируется на уровне 5N (99.999%), для ее обеспечения была создана методика определения критически важных примесей, разработана система аналитического контроля. Качество продукта подтверждено паспортом бесзопасности химической продукции Института стандартизации.
В числе ожидаемых потребителей – Микрон, ОКБ Планета, ВЗПП-Микрон, Ангстрем и другие.
🎓 Бромистый водород используют, например, для анизотропного травления слоев поликремния при создании затворов транзисторов, метод обеспечивает высокую селективность к маске и подложке, а также контролируемую скорость травления и минимальное подтравливание (undercut). Также может применяться для формирования глубоких структур (например, в MEMS-устройствах). HBr применяют для удаления металлических слоев (в сочетании с Cl₂, например), травления барьерных материалов типа Ti, TiN, Ta. Можно говорить о преимуществах использования бромистого водорода перед Cl₂ или SF₆.
В ИХТЦ занимаются и другими веществами для производства микроэлектроники, в частности, центр производит прекурсор TDMAT (тетракис(диметиламидо)титан), используемый в процессах тонкопленочного осаждения (CVD и ALD процессах) – с его помощью создают, например, барьерные слои TiN, предотвращающие диффузию меди в кремниевую подложку в межсоединениях, электроды затворов транзисторов, формирования адгезионных слоев. До конца 2025 года здесь планируют наладить выпуск также трибромида бора с чистотой 99,99995%.
@RUSmicro
В Томске начали производство HBr для микроэлектроники
Понемногу, вещество за веществом, в России запускают производство высокочистых материалов для производства микроэлектроники. Это все еще не более, чем начало пути, но шаг за шагом идет движение в сторону технологического суверенитета. Очередной такой шаг – в Томске запущено производство высокочистого бромистого водорода (HBr), об этом сообщает издание Tomsk.
Микротоннажное производство HBr запустили в инжиниринговом химико-технологическом центре (ИХТЦ) при Томском госуниверситете с планами выпуска до 650 кг в год и возможностью масштабирования объема производства. Этого должно хватить для полного обеспечения потребностей российских производителей микроэлектроники с тем, чтобы они могли отказаться от импорта из Китая и Европы.
Чистота вещества декларируется на уровне 5N (99.999%), для ее обеспечения была создана методика определения критически важных примесей, разработана система аналитического контроля. Качество продукта подтверждено паспортом бесзопасности химической продукции Института стандартизации.
В числе ожидаемых потребителей – Микрон, ОКБ Планета, ВЗПП-Микрон, Ангстрем и другие.
🎓 Бромистый водород используют, например, для анизотропного травления слоев поликремния при создании затворов транзисторов, метод обеспечивает высокую селективность к маске и подложке, а также контролируемую скорость травления и минимальное подтравливание (undercut). Также может применяться для формирования глубоких структур (например, в MEMS-устройствах). HBr применяют для удаления металлических слоев (в сочетании с Cl₂, например), травления барьерных материалов типа Ti, TiN, Ta. Можно говорить о преимуществах использования бромистого водорода перед Cl₂ или SF₆.
В ИХТЦ занимаются и другими веществами для производства микроэлектроники, в частности, центр производит прекурсор TDMAT (тетракис(диметиламидо)титан), используемый в процессах тонкопленочного осаждения (CVD и ALD процессах) – с его помощью создают, например, барьерные слои TiN, предотвращающие диффузию меди в кремниевую подложку в межсоединениях, электроды затворов транзисторов, формирования адгезионных слоев. До конца 2025 года здесь планируют наладить выпуск также трибромида бора с чистотой 99,99995%.
@RUSmicro
www.tomsk.ru
Россия получила собственное производство критически важного для микроэлектроники вещества в Томске
Томичи планируют полностью обеспечить российский рынок и отказаться от импорта из Китая и Европы
👍23❤5🔥2
🇷🇺 Компоненты. Лавинные фотодиоды. Россия
Оптрон масштабирует серийное производство отечественных лавинных фотодиодов
Об этом сообщает пресс-служба Росэл (Ростех). Сейчас эти устройства выпускают хотя серийно, но лишь малыми сериями.
Лавинные фотодиоды (ЛФД) — это специальные высокочувствительные датчики, которые преобразуют свет в электрический ток. В обычных фотодиодах он небольшой. В лавинных же фотоны света разгоняются электрическим полем и «выбивают» все новые и новые электроны. Таким образом получается цепная реакция наподобие лавины. В итоге из почти незаметного света получается внушительный электрический ток. Поэтому лавинные фотодиоды используют там, где нужно заметить очень слабое излучение — например, в оптической связи, лазерной дальнометрии, лидарах, оптических томографах и т.п.
Производителем ЛФД в контуре «Росэла» является компания «Оптрон». В линейке есть изделия двух видов — на основе кремния и арсенида галлия—индия. Кремниевые лавинные фотодиоды эффективны в видимом и ближнем инфракрасном диапазонах (400–1100 нм). Они применяются для контроля и калибровки лазеров, в медицинской диагностике (например, в оптической томографии и спектроскопии), а также в системах квантовой криптографии.
ЛФД на основе арсенида галлия—индия работают в ближнем и коротковолновом ИК-диапазонах (900–1700 нм). Это делает их ключевыми компонентами в волоконно-оптической связи, телекоммуникациях и дальнометрии. Они востребованы в спектральном анализе и системах дистанционного зондирования Земли, где необходима высокая чувствительность в ИК-области. Также изделия находят применение в квантовых компьютерах и системах распределения ключей.
@RUSmicro
Оптрон масштабирует серийное производство отечественных лавинных фотодиодов
Об этом сообщает пресс-служба Росэл (Ростех). Сейчас эти устройства выпускают хотя серийно, но лишь малыми сериями.
Лавинные фотодиоды (ЛФД) — это специальные высокочувствительные датчики, которые преобразуют свет в электрический ток. В обычных фотодиодах он небольшой. В лавинных же фотоны света разгоняются электрическим полем и «выбивают» все новые и новые электроны. Таким образом получается цепная реакция наподобие лавины. В итоге из почти незаметного света получается внушительный электрический ток. Поэтому лавинные фотодиоды используют там, где нужно заметить очень слабое излучение — например, в оптической связи, лазерной дальнометрии, лидарах, оптических томографах и т.п.
Производителем ЛФД в контуре «Росэла» является компания «Оптрон». В линейке есть изделия двух видов — на основе кремния и арсенида галлия—индия. Кремниевые лавинные фотодиоды эффективны в видимом и ближнем инфракрасном диапазонах (400–1100 нм). Они применяются для контроля и калибровки лазеров, в медицинской диагностике (например, в оптической томографии и спектроскопии), а также в системах квантовой криптографии.
ЛФД на основе арсенида галлия—индия работают в ближнем и коротковолновом ИК-диапазонах (900–1700 нм). Это делает их ключевыми компонентами в волоконно-оптической связи, телекоммуникациях и дальнометрии. Они востребованы в спектральном анализе и системах дистанционного зондирования Земли, где необходима высокая чувствительность в ИК-области. Также изделия находят применение в квантовых компьютерах и системах распределения ключей.
«Оба диода выпускаются в корпусе с внешним диаметром 9 мм и фоточувствительной площадкой 500 мкм и 200 мкм. Наше предприятие расширяет номенклатуру производства ЛФД в корпусе с диаметром 5,6 мм и фоточувствительной площадкой 40 мкм. Данное решение уже нашло отклик на рынке. Также „Оптрон“ начал освоение производства бескорпусного исполнения ЛФД в виде микросборки с усилителем на промежуточном носителе, которое также востребовано рынком», — прокомментировали в холдинге «Росэл».
@RUSmicro
👍14❤3👌2
🇷🇺 Производство электроники. Покупки активов. Россия
ДЦ Эдельвейс купил ноу-хау, инженерные образцы и права на ПО обанкротившегося предприятия Т-Платформы
Эдельвейс купил разработки ноутбуков, серверов, рабочих станций на процессорах Baikal и т.п. за смешные 1.1 млн рублей. Об этом сообщает CNews. Это безусловно заниженная цена, что побуждает строить различные небезосновательные гипотезы о возможной связи между покупателем и продавцом.
Скорее всего, Эдельвейс теперь продолжит заниматься тем, чем занимались Т-Платформы. Вопрос лишь в том, будет ли это делаться в интересах прежнего бенефициара или в чьих-то еще. Мне кажется вероятным первое из этих двух предположений, но доказывать это я не возьмусь, так что пусть это остается лишь теоретическими упражнениями в логике.
@RUSmicro
ДЦ Эдельвейс купил ноу-хау, инженерные образцы и права на ПО обанкротившегося предприятия Т-Платформы
Эдельвейс купил разработки ноутбуков, серверов, рабочих станций на процессорах Baikal и т.п. за смешные 1.1 млн рублей. Об этом сообщает CNews. Это безусловно заниженная цена, что побуждает строить различные небезосновательные гипотезы о возможной связи между покупателем и продавцом.
Скорее всего, Эдельвейс теперь продолжит заниматься тем, чем занимались Т-Платформы. Вопрос лишь в том, будет ли это делаться в интересах прежнего бенефициара или в чьих-то еще. Мне кажется вероятным первое из этих двух предположений, но доказывать это я не возьмусь, так что пусть это остается лишь теоретическими упражнениями в логике.
@RUSmicro
CNews.ru
Сверхзагадочная компания за бесценок выкупила ноу-хау и образцы «железа» на российских процессорах - CNews
Дизайн-центр «Эдельвейс» приобрел секреты производства, инженерные образцы и права на ПО обанкротившегося микроэлектронного предприятия «Т-Платформы». Начальная цена лотов оценивалась в 5 млн руб. и...
👍5👀5🤔2
🇺🇸 Техпроцессы. 18А. 16А. 14А. США
Intel анонсировала процессор Xeon Clearwater Forest по техпроцессу 18A
На выставке Hot Chips компания Intel представила процессор Xeon Clearwater Forest, запланированный к массовому производству в 2026 году. Этот процессор построен на техпроцессе 18А и использует усовершенствованную упаковку Foveros Direct 3D и PowerVia, технологию подачи питания с тыльной стороны кристалла (BSPDN).
В рамках PowerVia сквозные кремниевые переходные отверстия (nano-TSV) ведут в каждую стандартную ячейку, чтобы питание распространялось оптимальным образом. По заверениям Intel новая структура повышает эффективность использования стандартных ячеек на 5-10%.
Clearwater Forest станет одним из первых изделий, который будет построен на техпроцессе 18A, в основе которого лежат транзисторы RibbonFET с обратной подачей питания.
Узел 18A будет в основном использоваться для внутренних продуктов компании. В планах Intel есть еще разработка узла 14A в котором будет использоваться PowerDirect – метод подачи питания, основанный на PowerVia.
TSMC тем временем готовится развернуть свой техпроцесс A16, также включающий подачу питания с тыльной стороны, но со второй половины 2026 года. По данным TSMC, узел 16 объединяет нанолистовые транзисторы с подходом Super Power Rail (SPR), что повышает плотность логики и производительность за счет выделения ресурсов маршрутизации на передней стороне для сигналов.
По сравнению с техпроцессом TSMC N2P, A16 обеспечит повышение скорости на 8-10% при том же Vdd (положительном напряжении питания), снижение энергопотребления 15-20% при той же скорости и увеличение плотности кристалла вплоть до 1,10х.
После A16 компания TSMC также планирует внедрить технологию подачи питания с тыльной стороны в свой следующей усовершенствованный узел, A14. Производство этого узла намечено на 2028 год. Но в первой версии BSPDN не будет, ее внедрят в узлы уже с 2029 года.
@RUSmicro
Intel анонсировала процессор Xeon Clearwater Forest по техпроцессу 18A
На выставке Hot Chips компания Intel представила процессор Xeon Clearwater Forest, запланированный к массовому производству в 2026 году. Этот процессор построен на техпроцессе 18А и использует усовершенствованную упаковку Foveros Direct 3D и PowerVia, технологию подачи питания с тыльной стороны кристалла (BSPDN).
В рамках PowerVia сквозные кремниевые переходные отверстия (nano-TSV) ведут в каждую стандартную ячейку, чтобы питание распространялось оптимальным образом. По заверениям Intel новая структура повышает эффективность использования стандартных ячеек на 5-10%.
Clearwater Forest станет одним из первых изделий, который будет построен на техпроцессе 18A, в основе которого лежат транзисторы RibbonFET с обратной подачей питания.
Узел 18A будет в основном использоваться для внутренних продуктов компании. В планах Intel есть еще разработка узла 14A в котором будет использоваться PowerDirect – метод подачи питания, основанный на PowerVia.
TSMC тем временем готовится развернуть свой техпроцесс A16, также включающий подачу питания с тыльной стороны, но со второй половины 2026 года. По данным TSMC, узел 16 объединяет нанолистовые транзисторы с подходом Super Power Rail (SPR), что повышает плотность логики и производительность за счет выделения ресурсов маршрутизации на передней стороне для сигналов.
По сравнению с техпроцессом TSMC N2P, A16 обеспечит повышение скорости на 8-10% при том же Vdd (положительном напряжении питания), снижение энергопотребления 15-20% при той же скорости и увеличение плотности кристалла вплоть до 1,10х.
После A16 компания TSMC также планирует внедрить технологию подачи питания с тыльной стороны в свой следующей усовершенствованный узел, A14. Производство этого узла намечено на 2028 год. Но в первой версии BSPDN не будет, ее внедрят в узлы уже с 2029 года.
@RUSmicro
👍9🤣2
🇲🇾 Чипы AI. Малайзия
Малайзия представила первый отечественный чип AI - MARS1000 по технологии 7нм
По данным Bloomberg, в понедельник малайзийская компания SkyeChip представила процессор ИИ MARS1000.
Это первый в стране чип по техпроцессу 7нм, разработанный для периферийных вычислений. Он может быть полезен для применения в автономной робототехнике, интеллектуальной видеоаналитике, умных городах, промышленной автоматизации и генеративном AI.
Также была представлена система Edge AI.
Малайзия известна прежде всего как крупный участник рынка корпусирования - на страну приходится около 10% этого рынка, а на электронику - порядка 40% экспорта.
Малайзия также становится центром развития ЦОД с использованием AI, привлекая крупные инвестиции от таких компаний, как Oracle и Microsoft. Economic Daily News отмечает, что Джохор является крупнейшей зоной инвестиций в ЦОД в Малайзии, занимая девятое место на рынке ЦОД для AI в Азиатско-Тихоокеанском регионе и привлекая международных игроков, включая австралийского гиганта AirTrunk.
Создание собственных чипов AI - вопрос стратегической важности для Малайзии, где опасаются, что "команда Т" может ограничить поставки чипов AI в Малайзию и в Таиланд, опасаясь, что эти страны не смогут избежать участи перевалочных пунктов для поставок полупроводников в страны, где США не хотели бы их видеть.
@RUSmicro
Малайзия представила первый отечественный чип AI - MARS1000 по технологии 7нм
По данным Bloomberg, в понедельник малайзийская компания SkyeChip представила процессор ИИ MARS1000.
Это первый в стране чип по техпроцессу 7нм, разработанный для периферийных вычислений. Он может быть полезен для применения в автономной робототехнике, интеллектуальной видеоаналитике, умных городах, промышленной автоматизации и генеративном AI.
Также была представлена система Edge AI.
Малайзия известна прежде всего как крупный участник рынка корпусирования - на страну приходится около 10% этого рынка, а на электронику - порядка 40% экспорта.
Малайзия также становится центром развития ЦОД с использованием AI, привлекая крупные инвестиции от таких компаний, как Oracle и Microsoft. Economic Daily News отмечает, что Джохор является крупнейшей зоной инвестиций в ЦОД в Малайзии, занимая девятое место на рынке ЦОД для AI в Азиатско-Тихоокеанском регионе и привлекая международных игроков, включая австралийского гиганта AirTrunk.
Создание собственных чипов AI - вопрос стратегической важности для Малайзии, где опасаются, что "команда Т" может ограничить поставки чипов AI в Малайзию и в Таиланд, опасаясь, что эти страны не смогут избежать участи перевалочных пунктов для поставок полупроводников в страны, где США не хотели бы их видеть.
@RUSmicro
👍5
🇨🇳 Серверные процессоры. Китай
Утечка о 5нм серверном процессоре Huawei заставляет гадать, где он сделан
Первый серверный процессор Huawei, Kunpeng 920, был представлен в 2019 году. Он был основан на системе команд Arm и техпроцессе 7нм. С тех пор отрасль следила за слухами о его преемнике, появились первые подробности. По данным Wccftech, на которые ссылается TrendForce, новый серверный чип Huawei Kunpeng 930 показывает значительные преимущества по сравнению с предшественником.
Kunpeng 930 включает плотные вычислительные блоки, изготовленные предположительно на основе узла 5нм TSMC и большой кристалл ввода-вывода, изготовленным на SMIC по более зрелому процессу, предположительно, 14нм.
Но это предположительно. Другие источники уверены, что производитель может быть другим. Кроме того, непосредственно на SMIC уже освоен процесс N+3, который обеспечивает значительную плотность транзисторов – между N6 TSMC и 5нм Samsung, что примерно соответствует уровню 5.5нм TSMC.
Что касается корпуса, размеры составляют 77.5 мм х 58.0 мм, сравнительно много. Это объясняется тем, что чиплет Huawei объединяет 4 вычислительных кристалла с одним большим кристаллом I/O. Кристалл ввода-вывода в этой модели примерно на 81.26% больше, чем у Kunpeng 920.
Kunpeng 930 содержит 120 ядер. Каждый кристалл оснащен кэшем 2-го уровня 2 МБ и 91МБ кэш-памяти 3-го уровня. Чип основан на архитектуре Huawei Mount TaiShan на базе ARM, оснащен 96 линиями PCIe, поддерживает 16-канальную память DDR5. Плата – двухсокетная, что позволяет создавать конфигурации с двумя процессорами.
@RUSmicro
Утечка о 5нм серверном процессоре Huawei заставляет гадать, где он сделан
Первый серверный процессор Huawei, Kunpeng 920, был представлен в 2019 году. Он был основан на системе команд Arm и техпроцессе 7нм. С тех пор отрасль следила за слухами о его преемнике, появились первые подробности. По данным Wccftech, на которые ссылается TrendForce, новый серверный чип Huawei Kunpeng 930 показывает значительные преимущества по сравнению с предшественником.
Kunpeng 930 включает плотные вычислительные блоки, изготовленные предположительно на основе узла 5нм TSMC и большой кристалл ввода-вывода, изготовленным на SMIC по более зрелому процессу, предположительно, 14нм.
Но это предположительно. Другие источники уверены, что производитель может быть другим. Кроме того, непосредственно на SMIC уже освоен процесс N+3, который обеспечивает значительную плотность транзисторов – между N6 TSMC и 5нм Samsung, что примерно соответствует уровню 5.5нм TSMC.
Что касается корпуса, размеры составляют 77.5 мм х 58.0 мм, сравнительно много. Это объясняется тем, что чиплет Huawei объединяет 4 вычислительных кристалла с одним большим кристаллом I/O. Кристалл ввода-вывода в этой модели примерно на 81.26% больше, чем у Kunpeng 920.
Kunpeng 930 содержит 120 ядер. Каждый кристалл оснащен кэшем 2-го уровня 2 МБ и 91МБ кэш-памяти 3-го уровня. Чип основан на архитектуре Huawei Mount TaiShan на базе ARM, оснащен 96 линиями PCIe, поддерживает 16-канальную память DDR5. Плата – двухсокетная, что позволяет создавать конфигурации с двумя процессорами.
@RUSmicro
👍7🤔2❤1
🇷🇺 Производство электроники. Телекамеры высокой чувствительности. Россия
ЦНИИ Электрон наладил выпуск высокочувствительных телекамер УТК-1
В УТК-1 стоит высокочувствительная матрица китайской компании Gpixel GSENSE400BSI с технологией обратной засветки и крупными пикселями. При такой схеме свет проходит не через электроды, а через подложку, поэтому на сенсор попадает больше света. Большие пиксели тоже собирают больше света. В итоге матрица показывает лучшую чувствительность, высокое разрешение и минимальный шум.
Матрица с разрешением до 1.1 мкм (в ближнем ИК) размещена в едином металлокерамическом корпусе с входным окном и термоэлектрическим охладителем на элементах Пелетье. В приборе создана герметичная среда, которая заполнена ксеноном. Такое решение позволяет охлаждать сенсор с перепадом 40°С от температуры теплоотвода. Камера способна работать в условиях освещенности менее 0.001 люкс.
Подобные камеры применяют в микроскопии, астрофотографии, биолюминесценции и хемилюминесценции, дефектоскопии.
ЦНИИ Электрон (Росэл - Ростех) разработало линейку универсальных ТВ-камер, работающих в различных диапазонах электромагнитного спектра — от ультрафиолетового до ближнего коротковолнового инфракрасного.
@RUSmicro, фото - пресс-службы Ростех
ЦНИИ Электрон наладил выпуск высокочувствительных телекамер УТК-1
В УТК-1 стоит высокочувствительная матрица китайской компании Gpixel GSENSE400BSI с технологией обратной засветки и крупными пикселями. При такой схеме свет проходит не через электроды, а через подложку, поэтому на сенсор попадает больше света. Большие пиксели тоже собирают больше света. В итоге матрица показывает лучшую чувствительность, высокое разрешение и минимальный шум.
Матрица с разрешением до 1.1 мкм (в ближнем ИК) размещена в едином металлокерамическом корпусе с входным окном и термоэлектрическим охладителем на элементах Пелетье. В приборе создана герметичная среда, которая заполнена ксеноном. Такое решение позволяет охлаждать сенсор с перепадом 40°С от температуры теплоотвода. Камера способна работать в условиях освещенности менее 0.001 люкс.
Подобные камеры применяют в микроскопии, астрофотографии, биолюминесценции и хемилюминесценции, дефектоскопии.
ЦНИИ Электрон (Росэл - Ростех) разработало линейку универсальных ТВ-камер, работающих в различных диапазонах электромагнитного спектра — от ультрафиолетового до ближнего коротковолнового инфракрасного.
@RUSmicro, фото - пресс-службы Ростех
👍18👏3❤2🤔1
🇷🇺 Участники рынка. Россия
ИНТЦ в Великом Новгороде планирует создать производство «полного цикла» по выпуску микросхем с нормами 800 нм и 600 нм
Под «полным циклом» подразумевается процесс от разработки изделия до упаковки и корпусирования. Об этом узнали и рассказали в CNews.
Для начала планируется создать и оснастить необходимой инженерной инфраструктурой и технологическим оборудованием Научно-исследовательский центр полупроводникового материаловедения, ИНТЦ (НТЦ Интеллектуальная электроника – Валдай).
На старте собираются освоить технологический процесс с нормами 1,5–1 мкм совместно с производителем микроэлектроники ОКБ Планета.
В состав Центра также войдет дизайн-центр микроэлектроники, который будет выполнять задачи по разработке топологий микросхем, сборки, корпусированию и упаковки разработанных изделий. Выпускать собираются микросхемы и микросборки.
Научным направлением Центра является исследование и разработка высокопроизводительных гетероструктур для современной электронной промышленности на основе полупроводниковых материалов групп АIIIBV и AIIBIV (например, кремний-германиевые нано-структуры).
В качестве потребителей продукции в ИНТЦ видят: научно-исследовательскую лабораторию «Цифровой обработки сигналов»; передовую инженерную школу НовГУ; резидентов ИНТЦ; региональные предприятия; внешние заказчики.
Проект интересен тем, что планируется организовать полный цикл производства: от обработки подложек до упаковки и корпусирования. Технормы, по которым собирается производить чипы ИНТЦ остаются востребованными в военной и космической сферах, в области силовой и автомобильной электроники, в аналоговой схемотехнике, в МЭМС-устройствах. — Соответствующие продукты востребованы там, где в приоритете отечественность и надежность.
Если говорить об инвестициях, то их объем зависит от масштабов, но, в любом случае, это миллиарды рублей. Значительные инвестиции требуются для создания "чистых комнат", а также для закупки большого количества высокотехнологичного оборудования - установок фотолитографии, травления, напыления, легирования, тестирования. Нужны системы очистки воды, подачи газов и т.п. Сократить необходимые инвестиции можно будет за счет опоры на существующее производство ОКБ Планета.
Если говорить о потенциальных проблемах, то среди них стоит отметить, например, кадровый голод в части квалифицированных специалистов, прежде всего, технологов. Проект может затягиваться по срокам, требовать дополнительных инвестиций относительно планового уровня. Ключевая проблема - закупка оборудования. Если будет закупаться зарубежное оборудование, то встанут вопросы запчастей и сервисного обслуживания. Но и закупка материалов - не самое простое дело в текущий исторический период. Но под техпроцессы 1,5–0.5 мкм оборудование, вполне вероятно, можно будет приобрести в Беларуси, у Планара.
@RUSmicro
ИНТЦ в Великом Новгороде планирует создать производство «полного цикла» по выпуску микросхем с нормами 800 нм и 600 нм
Под «полным циклом» подразумевается процесс от разработки изделия до упаковки и корпусирования. Об этом узнали и рассказали в CNews.
Для начала планируется создать и оснастить необходимой инженерной инфраструктурой и технологическим оборудованием Научно-исследовательский центр полупроводникового материаловедения, ИНТЦ (НТЦ Интеллектуальная электроника – Валдай).
На старте собираются освоить технологический процесс с нормами 1,5–1 мкм совместно с производителем микроэлектроники ОКБ Планета.
В состав Центра также войдет дизайн-центр микроэлектроники, который будет выполнять задачи по разработке топологий микросхем, сборки, корпусированию и упаковки разработанных изделий. Выпускать собираются микросхемы и микросборки.
Научным направлением Центра является исследование и разработка высокопроизводительных гетероструктур для современной электронной промышленности на основе полупроводниковых материалов групп АIIIBV и AIIBIV (например, кремний-германиевые нано-структуры).
В качестве потребителей продукции в ИНТЦ видят: научно-исследовательскую лабораторию «Цифровой обработки сигналов»; передовую инженерную школу НовГУ; резидентов ИНТЦ; региональные предприятия; внешние заказчики.
Проект интересен тем, что планируется организовать полный цикл производства: от обработки подложек до упаковки и корпусирования. Технормы, по которым собирается производить чипы ИНТЦ остаются востребованными в военной и космической сферах, в области силовой и автомобильной электроники, в аналоговой схемотехнике, в МЭМС-устройствах. — Соответствующие продукты востребованы там, где в приоритете отечественность и надежность.
Если говорить об инвестициях, то их объем зависит от масштабов, но, в любом случае, это миллиарды рублей. Значительные инвестиции требуются для создания "чистых комнат", а также для закупки большого количества высокотехнологичного оборудования - установок фотолитографии, травления, напыления, легирования, тестирования. Нужны системы очистки воды, подачи газов и т.п. Сократить необходимые инвестиции можно будет за счет опоры на существующее производство ОКБ Планета.
Если говорить о потенциальных проблемах, то среди них стоит отметить, например, кадровый голод в части квалифицированных специалистов, прежде всего, технологов. Проект может затягиваться по срокам, требовать дополнительных инвестиций относительно планового уровня. Ключевая проблема - закупка оборудования. Если будет закупаться зарубежное оборудование, то встанут вопросы запчастей и сервисного обслуживания. Но и закупка материалов - не самое простое дело в текущий исторический период. Но под техпроцессы 1,5–0.5 мкм оборудование, вполне вероятно, можно будет приобрести в Беларуси, у Планара.
@RUSmicro
👍15🤣4❤2🙈2🤔1
🇷🇺 Кадры. Партнерства. Россия
В рамках кадровой программы Микрон подписал соглашения с СибГУТИ, Элроном, Электро-директ и Фондом Технопарк Академгородка
Соглашения подписаны на площадке XII Международного форума технологического развития Технопром-2025 в Новосибирске.
Трехстороннее соглашение Микрона (Элемент, Технополис-Москва), СибГУТИ и Элрона включает подготовку IT-специалистов и кадров для радиоэлектронной отрасти на базе СибГУТИ, создание и внедрение совместных программ обучения, образовательных и исследовательских проектов, реализацию программ по привлечению к разработке отечественных решений новосибирских ИТ-специалистов и трудоустройство профильных кадров, высвободившихся вследствие ухода с рынка зарубежных компаний.
Соглашение включает проведение совместных исследований, экспериментальных разработок, экспертных, аналитических работ, а также распространение сведений о разработке и производстве электроники в российском обществе.
Соглашение Микрона и Фонда «Технопарк Академгородка» нацелено на поддержку технологического предпринимательства, поиск перспективных решений и реализацию проектов и мероприятий в сфере информационных технологий.
@RUSmicro
В рамках кадровой программы Микрон подписал соглашения с СибГУТИ, Элроном, Электро-директ и Фондом Технопарк Академгородка
Соглашения подписаны на площадке XII Международного форума технологического развития Технопром-2025 в Новосибирске.
Трехстороннее соглашение Микрона (Элемент, Технополис-Москва), СибГУТИ и Элрона включает подготовку IT-специалистов и кадров для радиоэлектронной отрасти на базе СибГУТИ, создание и внедрение совместных программ обучения, образовательных и исследовательских проектов, реализацию программ по привлечению к разработке отечественных решений новосибирских ИТ-специалистов и трудоустройство профильных кадров, высвободившихся вследствие ухода с рынка зарубежных компаний.
Соглашение включает проведение совместных исследований, экспериментальных разработок, экспертных, аналитических работ, а также распространение сведений о разработке и производстве электроники в российском обществе.
Соглашение Микрона и Фонда «Технопарк Академгородка» нацелено на поддержку технологического предпринимательства, поиск перспективных решений и реализацию проектов и мероприятий в сфере информационных технологий.
@RUSmicro
👍8❤1👏1
🇺🇸 🇰🇷 🇨🇳 Экспортный контроль. США. Корея. Китай
США затрудняют производство чипов в Китае для SK Hynix и Samsung
В США начали отзывать разрешения, которые позволяли Samsung и SK Hynix, закупать американское оборудование для производства полупроводников. Об этом сообщает Reuters.
Теперь компаниям придется получать лицензии на закупку оборудования для производств в Китае. На всякий случай отозвали аналогичное разрешение и у Intel, хотя особого смысла это не имеет, Intel уже избавилась от своего производства в Даляне (Дальнем) в рамках сделки с SK Hynix, которая была завершена в 2025 году.
Изменение условий лицензирования, вероятно, нацелено на сокращение продаж в Китай продукции американских производителей оборудования – KLA Corp, Lam Research и Applied Materials. Акции этих компаний снизились на 1.9-3.7%.
Сейчас между США и Китай действует «тарифное перемирие», при котором на китайский импорт в США налагаются пошлины 30%, а на американские товары – 10%.
В последние месяцы тысячи заявок американских компаний на экспорт товаров и технологий в Китай также оказались в подвешенном состоянии, что привело к задержкам заявок на оборудование для производства полупроводников на миллиарды долларов.
У Samsung и Hynix были статусы «проверенного конечного пользователя», что позволяло им закупать производственное оборудование без экспортной лицензии. Этот статус будет отменен.
В выигрыше – китайские производители оборудования, чьи инструменты могут заполнить пробелы. Впрочем и американский Micron может выиграть от возможных проблем Samsung и SK Hynix с выпуском чипов памяти.
@RUSmicro
США затрудняют производство чипов в Китае для SK Hynix и Samsung
В США начали отзывать разрешения, которые позволяли Samsung и SK Hynix, закупать американское оборудование для производства полупроводников. Об этом сообщает Reuters.
Теперь компаниям придется получать лицензии на закупку оборудования для производств в Китае. На всякий случай отозвали аналогичное разрешение и у Intel, хотя особого смысла это не имеет, Intel уже избавилась от своего производства в Даляне (Дальнем) в рамках сделки с SK Hynix, которая была завершена в 2025 году.
Изменение условий лицензирования, вероятно, нацелено на сокращение продаж в Китай продукции американских производителей оборудования – KLA Corp, Lam Research и Applied Materials. Акции этих компаний снизились на 1.9-3.7%.
Сейчас между США и Китай действует «тарифное перемирие», при котором на китайский импорт в США налагаются пошлины 30%, а на американские товары – 10%.
В последние месяцы тысячи заявок американских компаний на экспорт товаров и технологий в Китай также оказались в подвешенном состоянии, что привело к задержкам заявок на оборудование для производства полупроводников на миллиарды долларов.
У Samsung и Hynix были статусы «проверенного конечного пользователя», что позволяло им закупать производственное оборудование без экспортной лицензии. Этот статус будет отменен.
В выигрыше – китайские производители оборудования, чьи инструменты могут заполнить пробелы. Впрочем и американский Micron может выиграть от возможных проблем Samsung и SK Hynix с выпуском чипов памяти.
@RUSmicro
🤔1
🇺🇸 Участники рынка. Производители заказных чипов. США
Акции Marvell падают на фоне слабых перспектив в сфере ЦОД
Акции Marvell Technology сегодня упали почти на 18%, поскольку прогнозы этого производителя чипов для серверов ЦОД не оправдали ожиданий рынка. Об этом сообщает Reuters.
Проблема связана с нерегулярностью спроса на заказные ИИ-чипы со стороны облачных гигантов, прежде всего, Amazon и Microsoft. К тому же эти компании разрабатывают собственные решения для снижения зависимости от Nvidia.
С другой стороны, Microsoft отложила выпуск собственных чипов для AI до 2028 года или позднее.
Marvell конкурирует с Broadcom, имеющей более устойчивые рыночные позиции в теме поставок заказных чипов и сетевых решений для гиперскейлеров. На долю Marvell достается только часть заказов, в основном в ситуациях, когда клиенты придерживаются стратегии закупок у нескольких поставщиков.
@RUSmicro
Акции Marvell падают на фоне слабых перспектив в сфере ЦОД
Акции Marvell Technology сегодня упали почти на 18%, поскольку прогнозы этого производителя чипов для серверов ЦОД не оправдали ожиданий рынка. Об этом сообщает Reuters.
Проблема связана с нерегулярностью спроса на заказные ИИ-чипы со стороны облачных гигантов, прежде всего, Amazon и Microsoft. К тому же эти компании разрабатывают собственные решения для снижения зависимости от Nvidia.
С другой стороны, Microsoft отложила выпуск собственных чипов для AI до 2028 года или позднее.
Marvell конкурирует с Broadcom, имеющей более устойчивые рыночные позиции в теме поставок заказных чипов и сетевых решений для гиперскейлеров. На долю Marvell достается только часть заказов, в основном в ситуациях, когда клиенты придерживаются стратегии закупок у нескольких поставщиков.
@RUSmicro
👍1
🇷🇺 Научные разработки. Терагерцовые импульсы. Россия
В России показали генерацию терагерцовых импульсов с энергией до 5 пДж
Коллектив российских ученых из МФТИ, ИОФ РАН и ФИАН впервые в мире экспериментально продемонстрировал генерацию терагерцового излучения (Т-лучей) с рекордной энергией до 5.5 пДж с помощью вакуумного фотодиода, облучаемого фемтосекундными лазерными импульсами. В основе метода лежит фотоэмиссия электронов из катода с последующим их ускорением в сильном электрическом поле, что приводит к генерации сверхширокополосных электромагнитных импульсов. Об этом пишет Habr со ссылкой на статью в Frontiers of Optoelectronics.
Главное преимущество метода — использование электростатической энергии, запасенной в вакуумном промежутке, что потенциально позволяет превзойти по энергетике традиционные фотопроводящие антенны. Это открывает перспективы для создания мощных и компактных источников Т-излучения для неинвазивной томографии, безопасности, радиолокации и силового воздействия на электронику. Кроме того, фотодиоды отличаются низкой стоимостью, что позволяет рассчитывать на перспективы их широкого применения.
Исследование включало разработку полуаналитической модели и проведение численного моделирования в COMSOL Multiphysics, результаты которых хорошо согласуются с экспериментальными данными. Были изучены ключевые зависимости энергии излучения от угла падения лазера, диаметра пучка, приложенного напряжения и плотности заряда. Установлено, что более 80% энергии излучения распространяется в узком телесном углу (<20°), а поляризация является линейной.
Не буду лишать вас удовольствия насладиться деталями разработки, включая схемы и графики.
@RUSmicro
В России показали генерацию терагерцовых импульсов с энергией до 5 пДж
Коллектив российских ученых из МФТИ, ИОФ РАН и ФИАН впервые в мире экспериментально продемонстрировал генерацию терагерцового излучения (Т-лучей) с рекордной энергией до 5.5 пДж с помощью вакуумного фотодиода, облучаемого фемтосекундными лазерными импульсами. В основе метода лежит фотоэмиссия электронов из катода с последующим их ускорением в сильном электрическом поле, что приводит к генерации сверхширокополосных электромагнитных импульсов. Об этом пишет Habr со ссылкой на статью в Frontiers of Optoelectronics.
Главное преимущество метода — использование электростатической энергии, запасенной в вакуумном промежутке, что потенциально позволяет превзойти по энергетике традиционные фотопроводящие антенны. Это открывает перспективы для создания мощных и компактных источников Т-излучения для неинвазивной томографии, безопасности, радиолокации и силового воздействия на электронику. Кроме того, фотодиоды отличаются низкой стоимостью, что позволяет рассчитывать на перспективы их широкого применения.
Исследование включало разработку полуаналитической модели и проведение численного моделирования в COMSOL Multiphysics, результаты которых хорошо согласуются с экспериментальными данными. Были изучены ключевые зависимости энергии излучения от угла падения лазера, диаметра пучка, приложенного напряжения и плотности заряда. Установлено, что более 80% энергии излучения распространяется в узком телесном углу (<20°), а поляризация является линейной.
Не буду лишать вас удовольствия насладиться деталями разработки, включая схемы и графики.
@RUSmicro
👍13❤3🔥2🤔1
🇨🇳 Чипы AI. Производители. Китай
Cambricon сообщил о рекордной прибыли за счет реализации чипов ИИ
Рост прибыли обеспечил резкий рост спроса со стороны таких компаний, как ByteDance, на полупроводники отечественного производства в попытках замены чипов Nvidia. Прибыль за 1H2025 составила $140 млн, выручка компании составила 2.9 млрд юаней, более $400 млн, что в 44 раза больше, чем годом ранее.
Пока что Cambricon это совсем небольшой игрок по сравнению с Huawei, но она уже считается главным конкурентом, хотя на ее долю приходится лишь около 3% рынка AI-чипов.
Компания намерена привлечь несколько миллиардов долларов за счет дополнительного размещения акций – средства нужны для дополнительных инвестиций в AI-чипы и ПО для обучения LLM.
Итак, что мы наблюдаем?
Жесткая госполитика Китая по части импортзамещения чипов AI давит на техногигантов, стимулируя их переход на использование отечественных AI-чипов, что создает спрос на продукцию Cambricon и Huawei.
Экспортная политика США, запрещающая экспорт высокопроизводительных чипов Nvidia в Китай (и история с необходимостью отчислять 15% от выручки с продаж H20 американскому правительству) создают вакуум на рынке Китая, который должны и могут заполнить местные игроки.
Успешные китайские AI-модели, прежде всего, DeepSeek понемногу переезжают на отечественные чипы. Учитывая, что Cambricon делает не только свои чипы, но также развивает программную экосистему, это позволяет надеяться на возможность миграции с решений Nvidia CUDA.
Риски для Cambricon – зависимость от протекционистских решений правительства Китая (зависимость от изменений политического курса), проблемы с доступом к EUV-литографии, суровый соперник в лице Huawei. И, конечно, технологические проблемы. Чипы Cambricon пока что уступают даже Nvidia H20, получится ли у компании догнать американских разработчиков чипов AI?
@RUSmicro
Cambricon сообщил о рекордной прибыли за счет реализации чипов ИИ
Рост прибыли обеспечил резкий рост спроса со стороны таких компаний, как ByteDance, на полупроводники отечественного производства в попытках замены чипов Nvidia. Прибыль за 1H2025 составила $140 млн, выручка компании составила 2.9 млрд юаней, более $400 млн, что в 44 раза больше, чем годом ранее.
Пока что Cambricon это совсем небольшой игрок по сравнению с Huawei, но она уже считается главным конкурентом, хотя на ее долю приходится лишь около 3% рынка AI-чипов.
Компания намерена привлечь несколько миллиардов долларов за счет дополнительного размещения акций – средства нужны для дополнительных инвестиций в AI-чипы и ПО для обучения LLM.
Итак, что мы наблюдаем?
Жесткая госполитика Китая по части импортзамещения чипов AI давит на техногигантов, стимулируя их переход на использование отечественных AI-чипов, что создает спрос на продукцию Cambricon и Huawei.
Экспортная политика США, запрещающая экспорт высокопроизводительных чипов Nvidia в Китай (и история с необходимостью отчислять 15% от выручки с продаж H20 американскому правительству) создают вакуум на рынке Китая, который должны и могут заполнить местные игроки.
Успешные китайские AI-модели, прежде всего, DeepSeek понемногу переезжают на отечественные чипы. Учитывая, что Cambricon делает не только свои чипы, но также развивает программную экосистему, это позволяет надеяться на возможность миграции с решений Nvidia CUDA.
Риски для Cambricon – зависимость от протекционистских решений правительства Китая (зависимость от изменений политического курса), проблемы с доступом к EUV-литографии, суровый соперник в лице Huawei. И, конечно, технологические проблемы. Чипы Cambricon пока что уступают даже Nvidia H20, получится ли у компании догнать американских разработчиков чипов AI?
@RUSmicro
👍7❤2