📈 Горизонты технологий. Прогнозы
Корейские аналитики предлагают долгосрочный прогноз развития отрасли до 2040 года
Согласно прогнозу, через 15 лет отрасль перейдет от нанометровой эры в ангстремную, для этого потребуется справиться фундаментальные изменения в проектировании чипов. Такой прогноз содержится в «Дорожной карте технологий полупроводников 2026» Корейского института инженеров полупроводниковой отрасли (KISE).
Ключевые ориентиры:
🔹 Логические (системные) полупроводники. От 2нм GAA на 2025 год ожидается переход к техпроцессу 2А (0.2нм).
🔹 Транзисторная архитектура. От GAA ожидается переход к CFET (Complimentary FET) и монолитным 3D-структурам. Эта архитектура подразумевает вертикальное размещение транзисторов для преодоления физических ограничений масштабирования.
🔹 DRAM. От текущих ~11 нм планируется переход к ~6 нм. Для этого ожидается изменение структуры на вертикальные канальные транзисторы (VCT) и появление новых материалов.
🔹 HBM (высокоскоростная). Текущее состояние: 12 уровней, пропускная способность ~2 ТБ/с; ожидаемое: более 30 уровней, пропускная способность 128 ТБ/с. Значительное увеличение пропускной способности требуется для ИИ и высокопроизводительных вычислений. И оно будет обеспечено.
🔹 NAND Flash. От текущих порядка 321 уровня следует ожидать движения к 2000 уровней. Это необходимо и востребовано на уровне SSD и ЦОД.
🔹 ИИ-чипы для обучения. От текущих порядка 10 TOPS/Вт прогнозируют переход к 1000 TOPS/Вт (рост в 100 раз), что необходимо для появления сложных нейросетей.
🔹 ИИ-чипы для вывода. С текущих порядка 10 TOPS/Вт ожидается рост производительности в 10 раз до 100 TOPS/Вт.
🔹 Оптические интерфейсы: от 100 Гбит/с на линию ждем перехода к 800 Гбит/с на линию (системы достигнут производительности до 6.4 Тбит/с).
🔹 Беспроводные интерфейсы: от порядка 7 Гбит/с ждем роста скорости 1000 Гбит/с (1Тбит/с) за счет развития технологий миллиметровых волн и антенных решеток.
Таким образом, можно говорить о том, что нам прочат не линейное развитие, а существенные технологические сдвиги.
🎈 Переход к трехмерности, как в логических микросхемах (CDFET и монолитная 3D), так и в памяти (VCT и 2000-слойная NAND);
🎈 Память станет не только плотнее, но и быстрее. Специализированные ИИ-процессоры преодолеют барьер в 1000 TOPS/Вт для обучения моделей;
🎈 В отношении целевого разрешения есть разные мнения, кто-то из экспертов говорит даже о 0.2 нм. С другой стороны, еще к 2030 году традиционные подходы могут упереться в физические пределы.
🎈 Кроме технологических барьеров, человечество может столкнуться с инфраструктурными. Если проблемы с энергией представляются решаемыми, проблемы с водой могут оказаться более сложными. Для обеспечения работы новых фабов потребуются количества воды, сопоставимые с потреблением крупного мегаполиса.
💎 Путь к ангстремной эре мог бы быть намного проще, если бы человечество не столкнулось с попытками сегментирования на "геополитические блоки" и даже отдельные государства, стремящиеся к самоизоляции. Для беспрецедентных инженерных вызовов требуется глобальная координация в области фундаментальных исследований и развития производственных цепочек. Решение этих задач по силам только крупнейшим экономикам с достаточным объемом энергоресурсов, легким доступом к финансам и квалифицированными инженерными ресурсами.
@RUSmicro
Корейские аналитики предлагают долгосрочный прогноз развития отрасли до 2040 года
Согласно прогнозу, через 15 лет отрасль перейдет от нанометровой эры в ангстремную, для этого потребуется справиться фундаментальные изменения в проектировании чипов. Такой прогноз содержится в «Дорожной карте технологий полупроводников 2026» Корейского института инженеров полупроводниковой отрасли (KISE).
Ключевые ориентиры:
🔹 Логические (системные) полупроводники. От 2нм GAA на 2025 год ожидается переход к техпроцессу 2А (0.2нм).
🔹 Транзисторная архитектура. От GAA ожидается переход к CFET (Complimentary FET) и монолитным 3D-структурам. Эта архитектура подразумевает вертикальное размещение транзисторов для преодоления физических ограничений масштабирования.
🔹 DRAM. От текущих ~11 нм планируется переход к ~6 нм. Для этого ожидается изменение структуры на вертикальные канальные транзисторы (VCT) и появление новых материалов.
🔹 HBM (высокоскоростная). Текущее состояние: 12 уровней, пропускная способность ~2 ТБ/с; ожидаемое: более 30 уровней, пропускная способность 128 ТБ/с. Значительное увеличение пропускной способности требуется для ИИ и высокопроизводительных вычислений. И оно будет обеспечено.
🔹 NAND Flash. От текущих порядка 321 уровня следует ожидать движения к 2000 уровней. Это необходимо и востребовано на уровне SSD и ЦОД.
🔹 ИИ-чипы для обучения. От текущих порядка 10 TOPS/Вт прогнозируют переход к 1000 TOPS/Вт (рост в 100 раз), что необходимо для появления сложных нейросетей.
🔹 ИИ-чипы для вывода. С текущих порядка 10 TOPS/Вт ожидается рост производительности в 10 раз до 100 TOPS/Вт.
🔹 Оптические интерфейсы: от 100 Гбит/с на линию ждем перехода к 800 Гбит/с на линию (системы достигнут производительности до 6.4 Тбит/с).
🔹 Беспроводные интерфейсы: от порядка 7 Гбит/с ждем роста скорости 1000 Гбит/с (1Тбит/с) за счет развития технологий миллиметровых волн и антенных решеток.
Таким образом, можно говорить о том, что нам прочат не линейное развитие, а существенные технологические сдвиги.
🎈 Переход к трехмерности, как в логических микросхемах (CDFET и монолитная 3D), так и в памяти (VCT и 2000-слойная NAND);
🎈 Память станет не только плотнее, но и быстрее. Специализированные ИИ-процессоры преодолеют барьер в 1000 TOPS/Вт для обучения моделей;
🎈 В отношении целевого разрешения есть разные мнения, кто-то из экспертов говорит даже о 0.2 нм. С другой стороны, еще к 2030 году традиционные подходы могут упереться в физические пределы.
🎈 Кроме технологических барьеров, человечество может столкнуться с инфраструктурными. Если проблемы с энергией представляются решаемыми, проблемы с водой могут оказаться более сложными. Для обеспечения работы новых фабов потребуются количества воды, сопоставимые с потреблением крупного мегаполиса.
@RUSmicro
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
🔥6
🇬🇧 Космическое производство полупроводников. Великобритания
Орбитальное производство полупроводников – британская Space Forge получила плазму в условиях автономного коммерческого спутника
Речь идет о спутнике SpaceForge-1, предназначенном для орбитального производства полупроводниковых структур. Как ожидается, выращенные на спутнике в условиях микрогравитации и чистого вакуума полупроводники будут отличаться рядом интересных особенностей, которые оправдают расходы и суету, связанную с запусками спутников и, особенно, с их возвратом на Землю.
Сообщается, что в условиях SpaceForge 1 удалось получить плазму при температуре примерно в 1000 °C, что создает основу для газофазного выращивания кристаллов. Это, в свою очередь, как ожидается, позволит в перспективе наладить в условиях орбиты коммерческое производство материалов GaN, SiC и т.п. «космического качества».
SpaceForge 1, это небольшой спутник, объемом менее 1 куб.м, который способен синтезировать из разных комбинаций химически чистых материалов новые полупроводники и проводить ряд тестов их свойств. Эта модель спутника не предполагает управляемого возврата на планету, спутник сгорит в атмосфере. Но если будет достигнут успех, на смену SpaceForge 1 могут прийти другие модели спутников, с возможностью контролируемой посадки, способные к автономному производству десятков тысяч кристаллов.
Проект, если окажется успешным, будет масштабируемым, можно будет отправлять на орбиту десятки, да хоть бы и сотни спутников – микрофабов.
Уместно вспомнить о российских экспериментах с выращиванием кристаллов на МКС. Впрямую с тем, что делают британцы этот проект сравнивать сложно. Во-первых, на МКС отсутствует «идеальная» невесомость, кроме того, для станции характерны микровибрации, то и другое может влиять на процесс роста тонких кристаллических пленок. Во-вторых, даже в случае успеха, проект будет непросто масштабировать.
Тем не менее, российские ученые уже вырастили методом МЛЭ первые полупроводниковые кристаллы GaAs, причем эти образцы доставлены на Землю для анализа. При выращивании использовались различные ухищрения, например, для защиты установки от посторонних атомов ее защитили специальным экраном, а для защиты от образования капель испаряемых металлов задействована специальная сетка, пропускающая только пары.
Будет любопытно наблюдать за судьбой каждого из этих проектов.
@RUSmicro
Орбитальное производство полупроводников – британская Space Forge получила плазму в условиях автономного коммерческого спутника
Речь идет о спутнике SpaceForge-1, предназначенном для орбитального производства полупроводниковых структур. Как ожидается, выращенные на спутнике в условиях микрогравитации и чистого вакуума полупроводники будут отличаться рядом интересных особенностей, которые оправдают расходы и суету, связанную с запусками спутников и, особенно, с их возвратом на Землю.
Сообщается, что в условиях SpaceForge 1 удалось получить плазму при температуре примерно в 1000 °C, что создает основу для газофазного выращивания кристаллов. Это, в свою очередь, как ожидается, позволит в перспективе наладить в условиях орбиты коммерческое производство материалов GaN, SiC и т.п. «космического качества».
SpaceForge 1, это небольшой спутник, объемом менее 1 куб.м, который способен синтезировать из разных комбинаций химически чистых материалов новые полупроводники и проводить ряд тестов их свойств. Эта модель спутника не предполагает управляемого возврата на планету, спутник сгорит в атмосфере. Но если будет достигнут успех, на смену SpaceForge 1 могут прийти другие модели спутников, с возможностью контролируемой посадки, способные к автономному производству десятков тысяч кристаллов.
Проект, если окажется успешным, будет масштабируемым, можно будет отправлять на орбиту десятки, да хоть бы и сотни спутников – микрофабов.
Уместно вспомнить о российских экспериментах с выращиванием кристаллов на МКС. Впрямую с тем, что делают британцы этот проект сравнивать сложно. Во-первых, на МКС отсутствует «идеальная» невесомость, кроме того, для станции характерны микровибрации, то и другое может влиять на процесс роста тонких кристаллических пленок. Во-вторых, даже в случае успеха, проект будет непросто масштабировать.
Тем не менее, российские ученые уже вырастили методом МЛЭ первые полупроводниковые кристаллы GaAs, причем эти образцы доставлены на Землю для анализа. При выращивании использовались различные ухищрения, например, для защиты установки от посторонних атомов ее защитили специальным экраном, а для защиты от образования капель испаряемых металлов задействована специальная сетка, пропускающая только пары.
Будет любопытно наблюдать за судьбой каждого из этих проектов.
@RUSmicro
❤3👍2
🔬 Горизонты технологий. AQFP. Криогенная электроника. Сверхпроводящая логика.
AQFP – сверхпроводящая логика, еще один вектор развития полупроводниковых технологий
Adiabatic Quantum-Flux-Parametron (AQFP) — это семейство сверхпроводниковой логики, разработанное для создания энергоэффективных вычислительных систем. Технология основана на принципе квантового флюкс-параметрона (параметрона с квантовым потоком) (Quantum Flux Parametron, QFP), предложенном в 1950-х годах, но адаптированном для адиабатического (реверсивного) переключения, чтобы минимизировать энергопотери.
AQFP относится к области сверхпроводниковой электроники и предназначена для работы в криогенных условиях (обычно при температуре 4,2 K). Она не является полноценной квантовой вычислительной технологией (как кубиты в квантовых компьютерах), а представляет собой классическую логику с использованием квантовых эффектов Джозефсона для сверхнизкого энергопотребления.
Разработки AQFP идут преимущественно в Японии (NEC, Yokohama National University, AIST) с 2010-х годов. Впрочем, занимаются ею и в США, например, в MIT Lincoln Laboratory.
Принципы работы
AQFP использует сверхпроводящие петли (rf-SQUID) с джозефсоновскими переходами (Josephson junctions) для представления логических состояний. Основной элемент — буфер, состоящий из двойного SQUID, где логика определяется направлением выходного тока, соответствующего хранению кванта магнитного потока.
🔹 Адиабатическое переключение. Энергия переключения может быть ниже 10⁻²¹ Дж (зептоджоули) на джозефсоновский переход. Это очень мало и близко к теоретически достижимым термодинамическим пределам. Но требует охлаждения до 4.2 К.
🔹 Питание и тактирование. Токи возбуждения служат одновременно источником питания и тактовыми сигналами. Многофазная схема обеспечивает последовательную активацию гейтов и передачу данных.
🔹 Элементы логики. Созданы и испытаны буферы, инверторы, сплиттеры, majority-гейты (для AND/OR), ветвления. Из базовых блоков можно создавать сложные логические структуры, как и в обычной логике.
🔹 Доступные частоты. Оценки расходятся, но точно быстрее, чем CMOS. Возможно, уступая RSFQ-логике (Rapid Single Flux Quantum).
🔹 Что в основе? Ниобиевая (Nb) технология с высокой плотностью тока (до 10 кА/см²), поддемпфированные джозефсоновские переходы для снижения потерь.
Технология минимизирует статические потери (без DC-смещения, как в RSFQ) и динамические диссипации за счёт адиабатического режима.
Преимущества и недостатки
Энергоэффективность. AQFP позволяет достичь энергоэффективности в 10⁴–10⁵ раз лучше, чем у CMOS (например, 9–48 тысяч по «энергии на операцию» по сравнению с 12–40 нм FinFET). Конечно, этот гигантский разрыв смазывает необходимость криогенного охлаждения, но даже «на круг» получается на 2 порядка эффективнее, чем при использовании CMOS полупроводников.
▫️ Масштабируемость. Низкие потери позволяют создавать чипы со сравнительно большим числом элементов (до 20 тысяч джозефсоновских переходов в демонстрациях).
▫️ Устойчивость. Технология устойчива к вариациям параметров и совместима с другими сверхпроводящими технологиями - RSFQ, SFQ.
▫️ Применения. В теории, может быть использована для создания высокопроизводительных систем с низким энергопотреблением, включая ИИ-акселераторы, системы стохастических вычислений, интерфейсы для кубитов и датчиков (например, детекторов единичных фотонов).
▫️ Недостатки. Необходимость криогенного охлаждения. Низкая плотность интеграции (в 4 – 26 раз ниже, чем у CMOS). Сложность производства на текущий момент.
Это коммерчески доступная технология или пока что нет?
AQFP остаётся преимущественно научной и исследовательской технологией, с акцентом на демонстрацию прототипов.
Подборка статусных новостей
Были показаны, например, 8-битный сумматор; 16-словный регистр; 10000-гейтовый чип; 4-битный RISC-V микропроцессор MANA (460 джозефсоновских переходов); интерфейсы для детекторов единичных фотонов.
AQFP – сверхпроводящая логика, еще один вектор развития полупроводниковых технологий
Adiabatic Quantum-Flux-Parametron (AQFP) — это семейство сверхпроводниковой логики, разработанное для создания энергоэффективных вычислительных систем. Технология основана на принципе квантового флюкс-параметрона (параметрона с квантовым потоком) (Quantum Flux Parametron, QFP), предложенном в 1950-х годах, но адаптированном для адиабатического (реверсивного) переключения, чтобы минимизировать энергопотери.
AQFP относится к области сверхпроводниковой электроники и предназначена для работы в криогенных условиях (обычно при температуре 4,2 K). Она не является полноценной квантовой вычислительной технологией (как кубиты в квантовых компьютерах), а представляет собой классическую логику с использованием квантовых эффектов Джозефсона для сверхнизкого энергопотребления.
Разработки AQFP идут преимущественно в Японии (NEC, Yokohama National University, AIST) с 2010-х годов. Впрочем, занимаются ею и в США, например, в MIT Lincoln Laboratory.
Принципы работы
AQFP использует сверхпроводящие петли (rf-SQUID) с джозефсоновскими переходами (Josephson junctions) для представления логических состояний. Основной элемент — буфер, состоящий из двойного SQUID, где логика определяется направлением выходного тока, соответствующего хранению кванта магнитного потока.
🔹 Адиабатическое переключение. Энергия переключения может быть ниже 10⁻²¹ Дж (зептоджоули) на джозефсоновский переход. Это очень мало и близко к теоретически достижимым термодинамическим пределам. Но требует охлаждения до 4.2 К.
🔹 Питание и тактирование. Токи возбуждения служат одновременно источником питания и тактовыми сигналами. Многофазная схема обеспечивает последовательную активацию гейтов и передачу данных.
🔹 Элементы логики. Созданы и испытаны буферы, инверторы, сплиттеры, majority-гейты (для AND/OR), ветвления. Из базовых блоков можно создавать сложные логические структуры, как и в обычной логике.
🔹 Доступные частоты. Оценки расходятся, но точно быстрее, чем CMOS. Возможно, уступая RSFQ-логике (Rapid Single Flux Quantum).
🔹 Что в основе? Ниобиевая (Nb) технология с высокой плотностью тока (до 10 кА/см²), поддемпфированные джозефсоновские переходы для снижения потерь.
Технология минимизирует статические потери (без DC-смещения, как в RSFQ) и динамические диссипации за счёт адиабатического режима.
Преимущества и недостатки
Энергоэффективность. AQFP позволяет достичь энергоэффективности в 10⁴–10⁵ раз лучше, чем у CMOS (например, 9–48 тысяч по «энергии на операцию» по сравнению с 12–40 нм FinFET). Конечно, этот гигантский разрыв смазывает необходимость криогенного охлаждения, но даже «на круг» получается на 2 порядка эффективнее, чем при использовании CMOS полупроводников.
▫️ Масштабируемость. Низкие потери позволяют создавать чипы со сравнительно большим числом элементов (до 20 тысяч джозефсоновских переходов в демонстрациях).
▫️ Устойчивость. Технология устойчива к вариациям параметров и совместима с другими сверхпроводящими технологиями - RSFQ, SFQ.
▫️ Применения. В теории, может быть использована для создания высокопроизводительных систем с низким энергопотреблением, включая ИИ-акселераторы, системы стохастических вычислений, интерфейсы для кубитов и датчиков (например, детекторов единичных фотонов).
▫️ Недостатки. Необходимость криогенного охлаждения. Низкая плотность интеграции (в 4 – 26 раз ниже, чем у CMOS). Сложность производства на текущий момент.
Это коммерчески доступная технология или пока что нет?
AQFP остаётся преимущественно научной и исследовательской технологией, с акцентом на демонстрацию прототипов.
Подборка статусных новостей
Были показаны, например, 8-битный сумматор; 16-словный регистр; 10000-гейтовый чип; 4-битный RISC-V микропроцессор MANA (460 джозефсоновских переходов); интерфейсы для детекторов единичных фотонов.
👍1
(2) Созданы стандартные библиотеки элементов под ниобиевый техпроцесс и EDA-инструменты для синтеза, размещения и маршрутизации (включая HDL-симуляции). Синтезировано 18 схем, включая изделия для бенчмарков, ИИ-ускорители и 32-битный RISC-V ALU.
В последние три года идет создание масштабируемых flux-контроллеров кубитов (AQFP/SFQ), микроволновых мультиплексированных контроллеров кубитов с низким энергопотреблением (7 пВт на джозефсоновский переход), компактных ячеек памяти для регистровых файлов. Разрабатывается FPGA на AQFP. Тестируются новые техпроцессы.
Ожидается интеграция в квантовые контроллеры.
Место технологии
На 2026 год нет свидетельств о коммерческих процессорах или полноценных вычислительных устройствах на базе AQFP. Все разработки — лабораторные прототипы, демонстрирующие теоретическую возможность создания, но не готовые к массовому производству. Технология фокусируется на преодолении ограничений энергопотребления в ИКТ.
Где, в теории, смогут применяться в будущем
▫️В квантовых компьютерах, в интерфейсах управления кубитами (AQFP-QC контроллеры)
▫️В нейросетях или в ASIC-акселераторах – для создания специализированных вычислительных блоков.
▫️В ультранизкопотребляющих сценариях.
А что в других странах?
🇷🇺 Прямых упоминаний исследований в области AQFP в России навскидку не нашел, но учитывая такие российские проекты как Суперквант, можно говорить, что в целом направлением сверхпроводящей микроэлектроники в нашей стране занимаются. В частности, есть публикации по сверхпроводящим ячейкам, интерферометрам на основе джозефсоновских переходов, логике на основе квантового флюкса.
Но публикаций по AQFP-процессорам, ядрам или вычислительным платформам в открытых источниках не увидел.
🇨🇳 В Китае впрямую тема AQFP упоминается не редко, но в целом адиабатическим сверхпроводящим схемам общего рода посвящается немало статей, которые развивают теоретические и экспериментальные основы.
В Китае действует ряд лабораторий, занимающихся сверхпроводящими логическими элементами и квантовыми схемами (Шанхайский университет Цзяо Тун), включая джозефсоновские элементы (Университет Цинхуа) и работы по моделированию интегральных сверхпроводящих схем (Синьхуа Ухань / Университет Цзилинь). И, конечно, есть центры Китайской академии наук по сверхпроводящим технологиям. Ничего, близкого к практическому применению не видно.
🇪🇺 В Европе темой адиабатической логики занимаются. Но на той же «ранней стадии», в основном научно-лабораторной.
Кто драйвит исследования AQFP?
На текущий момент, как обычно – военные и правительства, которые решают свои узкие задачи. В ближайшие годы так и будет.
В 2025-2028 году технология будет применяться в научных и оборонных лабораториях для управления квантовыми процессорами, как криогенные контроллеры, сверхэнергоэффективные ALU малой сложности. Искать их можно будет в оборонных НИИ, национальных лабораториях, космических агентствах и в разведывательных структурах. Этот процесс уже начался и он, конечно, не публичный.
В 2028-2035 годы начнется выход из лабораторий в практическое применение.
Какие можно ожидать применения:
▫️криогенные контроллеры квантовых
▫️криптографические модули (post-quantum);
▫️автономные разведывательные системы;
▫️дальние космические аппараты (где энергия дороже массы);
▫️спецпроцессоры обработки сигналов (SIGINT, радары, гидролокаторы).
После 2035 года – расширение, но не доминирование.
AQFP не заменит CMOS. Не будет ни массовых серверов, ни, тем более, AQFP-ноутбуков. Но в криогенной электронике AQFP может стать стандартным и массовым решением.
Прогнозный порядок вывода AQFP в практические применения: Япония, затем США, позднее - Китай. Россия и Европа, скорее всего, запоздают. Впрочем, человеку не дано знать будущее.
@RUSmicro
В последние три года идет создание масштабируемых flux-контроллеров кубитов (AQFP/SFQ), микроволновых мультиплексированных контроллеров кубитов с низким энергопотреблением (7 пВт на джозефсоновский переход), компактных ячеек памяти для регистровых файлов. Разрабатывается FPGA на AQFP. Тестируются новые техпроцессы.
Ожидается интеграция в квантовые контроллеры.
Место технологии
На 2026 год нет свидетельств о коммерческих процессорах или полноценных вычислительных устройствах на базе AQFP. Все разработки — лабораторные прототипы, демонстрирующие теоретическую возможность создания, но не готовые к массовому производству. Технология фокусируется на преодолении ограничений энергопотребления в ИКТ.
Где, в теории, смогут применяться в будущем
▫️В квантовых компьютерах, в интерфейсах управления кубитами (AQFP-QC контроллеры)
▫️В нейросетях или в ASIC-акселераторах – для создания специализированных вычислительных блоков.
▫️В ультранизкопотребляющих сценариях.
А что в других странах?
🇷🇺 Прямых упоминаний исследований в области AQFP в России навскидку не нашел, но учитывая такие российские проекты как Суперквант, можно говорить, что в целом направлением сверхпроводящей микроэлектроники в нашей стране занимаются. В частности, есть публикации по сверхпроводящим ячейкам, интерферометрам на основе джозефсоновских переходов, логике на основе квантового флюкса.
Но публикаций по AQFP-процессорам, ядрам или вычислительным платформам в открытых источниках не увидел.
🇨🇳 В Китае впрямую тема AQFP упоминается не редко, но в целом адиабатическим сверхпроводящим схемам общего рода посвящается немало статей, которые развивают теоретические и экспериментальные основы.
В Китае действует ряд лабораторий, занимающихся сверхпроводящими логическими элементами и квантовыми схемами (Шанхайский университет Цзяо Тун), включая джозефсоновские элементы (Университет Цинхуа) и работы по моделированию интегральных сверхпроводящих схем (Синьхуа Ухань / Университет Цзилинь). И, конечно, есть центры Китайской академии наук по сверхпроводящим технологиям. Ничего, близкого к практическому применению не видно.
🇪🇺 В Европе темой адиабатической логики занимаются. Но на той же «ранней стадии», в основном научно-лабораторной.
Кто драйвит исследования AQFP?
На текущий момент, как обычно – военные и правительства, которые решают свои узкие задачи. В ближайшие годы так и будет.
В 2025-2028 году технология будет применяться в научных и оборонных лабораториях для управления квантовыми процессорами, как криогенные контроллеры, сверхэнергоэффективные ALU малой сложности. Искать их можно будет в оборонных НИИ, национальных лабораториях, космических агентствах и в разведывательных структурах. Этот процесс уже начался и он, конечно, не публичный.
В 2028-2035 годы начнется выход из лабораторий в практическое применение.
Какие можно ожидать применения:
▫️криогенные контроллеры квантовых
▫️криптографические модули (post-quantum);
▫️автономные разведывательные системы;
▫️дальние космические аппараты (где энергия дороже массы);
▫️спецпроцессоры обработки сигналов (SIGINT, радары, гидролокаторы).
После 2035 года – расширение, но не доминирование.
AQFP не заменит CMOS. Не будет ни массовых серверов, ни, тем более, AQFP-ноутбуков. Но в криогенной электронике AQFP может стать стандартным и массовым решением.
Прогнозный порядок вывода AQFP в практические применения: Япония, затем США, позднее - Китай. Россия и Европа, скорее всего, запоздают. Впрочем, человеку не дано знать будущее.
@RUSmicro
❤2👍2
🇪🇬 Производство смартфонов. Сборка смартфонов. Египет
Египет наращивает производство смартфонов
Египет начал локальное производство смартфонов в 2017–2018 годах, в основном через государственную компанию Silicon Industries Corporation of Egypt (SICO), которая выпускает собственные модели. Кроме того, в стране осуществляется сборка для международных брендов, что помогло самым решительным образом снизить импорт (упал на 99,9% к концу 2024 года). Всего сообщается о производстве продукции для 15 международных брендов.
В частности, Египет собирает смартфоны для Samsung, Vivo, OPPO, Xiaomi, идут переговоры еще с рядом брендов. Локальный бренд SICO наладил производство уже нескольких моделей смартфонов бюджетного уровня (3ГБ, 32 ГБ, 4-ядерные процессоры). В основном это процессоры на MediaTek и даже Spreadtrum (Unisoc). Операционные системы, само собой, Android. Египетский рынок – это 86% ОС Android и 13% - iOS.
В 2025 году Египет уже произвёл 10 миллионов устройств и неплохо сэкономил, учитывая, что в основном собранные устройства потреблялись на внутреннем рынке страны - сообщается о 40% локальной добавленной стоимости. Согласно заявлению министра связи и информационных технологий Египта Амра Талаата, страна планирует произвести 15 миллионов мобильных телефонов в 2026 году и начать их экспорт на международные рынки.
Наладить производство такого технологически сложного продукта как смартфоны, в немалой степени помогла господдержка в размере 60 млрд египетских фунтов. Локализована сборка не только бюджетных моделей, но и моделей среднего уровня. Итог – импорт готовых телефонов уже удалось сократить на 99.9% к 2024 году.
Стратегия Египта — это комплексная государственная промышленная политика Egypt Makes Electronics, которая одновременно отвечает на запрос о диверсификации глобальных цепочек поставок и ориентирована на бюджетный сегмент рынка, но с амбициями выйти за его пределы. С амбициями создать региональный производственных хаб.
Планы включают не только развертывание сборочных производств, но и обучение 1 млн IT-специалистов к 2030 году, развитие сетей 5G и оптоволоконной связи.
Есть и проблемы. Развернутые мощности (на 20 млн устройств) пока что недозагружены. Безусловно есть зависимость от импорта компонентов, хотя в Египте есть собственное производство некоторых компонентов, но ключевое – чипсеты, экраны, завозятся из других стран. На компоненты установлены льготные пошлины.
@RUSmicro
Египет наращивает производство смартфонов
Египет начал локальное производство смартфонов в 2017–2018 годах, в основном через государственную компанию Silicon Industries Corporation of Egypt (SICO), которая выпускает собственные модели. Кроме того, в стране осуществляется сборка для международных брендов, что помогло самым решительным образом снизить импорт (упал на 99,9% к концу 2024 года). Всего сообщается о производстве продукции для 15 международных брендов.
В частности, Египет собирает смартфоны для Samsung, Vivo, OPPO, Xiaomi, идут переговоры еще с рядом брендов. Локальный бренд SICO наладил производство уже нескольких моделей смартфонов бюджетного уровня (3ГБ, 32 ГБ, 4-ядерные процессоры). В основном это процессоры на MediaTek и даже Spreadtrum (Unisoc). Операционные системы, само собой, Android. Египетский рынок – это 86% ОС Android и 13% - iOS.
В 2025 году Египет уже произвёл 10 миллионов устройств и неплохо сэкономил, учитывая, что в основном собранные устройства потреблялись на внутреннем рынке страны - сообщается о 40% локальной добавленной стоимости. Согласно заявлению министра связи и информационных технологий Египта Амра Талаата, страна планирует произвести 15 миллионов мобильных телефонов в 2026 году и начать их экспорт на международные рынки.
Наладить производство такого технологически сложного продукта как смартфоны, в немалой степени помогла господдержка в размере 60 млрд египетских фунтов. Локализована сборка не только бюджетных моделей, но и моделей среднего уровня. Итог – импорт готовых телефонов уже удалось сократить на 99.9% к 2024 году.
Стратегия Египта — это комплексная государственная промышленная политика Egypt Makes Electronics, которая одновременно отвечает на запрос о диверсификации глобальных цепочек поставок и ориентирована на бюджетный сегмент рынка, но с амбициями выйти за его пределы. С амбициями создать региональный производственных хаб.
Планы включают не только развертывание сборочных производств, но и обучение 1 млн IT-специалистов к 2030 году, развитие сетей 5G и оптоволоконной связи.
Есть и проблемы. Развернутые мощности (на 20 млн устройств) пока что недозагружены. Безусловно есть зависимость от импорта компонентов, хотя в Египте есть собственное производство некоторых компонентов, но ключевое – чипсеты, экраны, завозятся из других стран. На компоненты установлены льготные пошлины.
@RUSmicro
1👍9❤1
🇨🇳 Чипы ИИ. Участники рынка. IPO. Китай
Китайская Biren успешно разместилась на Гонконгской фондовой бирже
После проведенного 2 января 2026 года IPO, компания Biren Technology стала первым разработчиком GPU из материкового Китая с листингом в Гонконге.
Компания привлекла 5.58 млрд гонконгских долларов (около $717 млн). Розничная часть размещения была переподписана более чем в 2300 раз, институциональная – почти в 26 раз. Торги в первый день закрылись с приростом в 76%, это лучший дебют в Гонконге для размещений такого масштаба. Основная часть средств будет направлена на исследования и разработки (R&D), а также на коммерциализацию решений.
Основанная в 2019 году бывшим президентом SenseTime Чжаном Вэнем, Biren входит в число китайских «четырёх маленьких драконов» в сегменте GPU (наряду с Moore Threads, MetaX и Enflame).
В 2022 году компания представила серверный ИИ-ускоритель BR100 на собственной архитектуре, позиционируя его как аналог NVIDIA A100. Чип изготовлен по 7-нм техпроцессу TSMC.
В октябре 2023 года Biren была внесена в санкционный список США (Entity List), что ограничило ей доступ к передовым производственным мощностям, включая TSMC.
В 2024 году выручка Biren составила 336.8 млн юаней (~$47.8 млн). Компания пока убыточна из-за активных инвестиций в R&D. На первое полугодие 2025 года чистый убыток составил 1.6 млрд юаней.
Почему, несмотря на то что Biren лишена доступа к современному производству и в целом убыточна, сохраняется интерес к этой компании, почему в нее готовы инвестировать?
Экспортные ограничения США на поставку в Китай чипов ИИ создали острую необходимость в местных аналогах. Китайские компании, разрабатывающие большие языковые модели (LLM), такие как DeepSeek-R1, нуждаются в огромных вычислительных мощностях. Это создаёт готовый рынок сбыта для местных производителей чипов. И, конечно, потому, что несмотря на текущее отставание, инвесторы верят в долгосрочный потенциал и возможность Китая создать конкурентоспособные решения, особенно в условиях изоляции от западных технологий.
Пока рано говорить, смогут ли Biren и другие «драконы» полностью заменить продукцию Nvidia в глобальных масштабах. Однако их успешный выход на биржу и государственная поддержка показывают, что Китай последовательно строит независимую экосистему ИИ.
@RUSmicro
Китайская Biren успешно разместилась на Гонконгской фондовой бирже
После проведенного 2 января 2026 года IPO, компания Biren Technology стала первым разработчиком GPU из материкового Китая с листингом в Гонконге.
Компания привлекла 5.58 млрд гонконгских долларов (около $717 млн). Розничная часть размещения была переподписана более чем в 2300 раз, институциональная – почти в 26 раз. Торги в первый день закрылись с приростом в 76%, это лучший дебют в Гонконге для размещений такого масштаба. Основная часть средств будет направлена на исследования и разработки (R&D), а также на коммерциализацию решений.
Основанная в 2019 году бывшим президентом SenseTime Чжаном Вэнем, Biren входит в число китайских «четырёх маленьких драконов» в сегменте GPU (наряду с Moore Threads, MetaX и Enflame).
В 2022 году компания представила серверный ИИ-ускоритель BR100 на собственной архитектуре, позиционируя его как аналог NVIDIA A100. Чип изготовлен по 7-нм техпроцессу TSMC.
В октябре 2023 года Biren была внесена в санкционный список США (Entity List), что ограничило ей доступ к передовым производственным мощностям, включая TSMC.
В 2024 году выручка Biren составила 336.8 млн юаней (~$47.8 млн). Компания пока убыточна из-за активных инвестиций в R&D. На первое полугодие 2025 года чистый убыток составил 1.6 млрд юаней.
Почему, несмотря на то что Biren лишена доступа к современному производству и в целом убыточна, сохраняется интерес к этой компании, почему в нее готовы инвестировать?
Экспортные ограничения США на поставку в Китай чипов ИИ создали острую необходимость в местных аналогах. Китайские компании, разрабатывающие большие языковые модели (LLM), такие как DeepSeek-R1, нуждаются в огромных вычислительных мощностях. Это создаёт готовый рынок сбыта для местных производителей чипов. И, конечно, потому, что несмотря на текущее отставание, инвесторы верят в долгосрочный потенциал и возможность Китая создать конкурентоспособные решения, особенно в условиях изоляции от западных технологий.
Пока рано говорить, смогут ли Biren и другие «драконы» полностью заменить продукцию Nvidia в глобальных масштабах. Однако их успешный выход на биржу и государственная поддержка показывают, что Китай последовательно строит независимую экосистему ИИ.
@RUSmicro
👍2
🇺🇸 Регулирование. Производственное оборудование. Геополитика и микроэлектроника
Правительство США вернуло разрешения TSMC, Samsung и SK Hynix на закупку американского оборудования для заводов компаний в Китае, но есть нюанс
Это продолжение истории с отзывом постоянного разрешения TSMC и южнокорейским компаниям на закупку американского оборудования для их производств в Китае. Теперь TSMC придется всякий раз получать индивидуальные разрешения от правительства США на будущие поставки американского оборудования на Fab16 в Нанкине, ежегодно. Первое такое разрешение уже выдано. Фаб TSMC в Нанкине производит чипы по зрелым техпроцессам, включая 16нм.
Эпоха «бессрочных» разрешений завершилась. До конца 2025 года три азиатских производителя, TSMC, Samsung и SK Hynix, пользовались статусом «валидированного конечного пользователя» (VEU), что позволяло им получать американское оборудование. Теперь все они потеряли этот статус и должны получать разрешения ежегодно. Это уже сделано каждым из трех производителей, так что «де-факто» изменений нет. Но теперь этим компаниям есть, что терять. Что будет сказываться на их политике в отношении китайских заказчиков.
TSMC сравнительно незначительно зависит от фаба в Китае, нанкинское производство это всего лишь 2.4% выручки тайваньской компании. Совсем в другой ситуации южнокорейские Samsung и SK Hynix. У первой – производство NAND-памяти в Сиане, которое обеспечивает порядка 30% общего объема их производства. У SK Hynix в Китае работают фабрики в Уси по производству DRAM, а в Даляне (Дальнем) – по производству NAND и совокупный объем их производства – 30-45% от общего. Так что впору говорить о серьезной зависимости южнокорейских производителей от производственных мощностей в Китае.
В США считают эту меру достаточной и эффективной на сегодня. Полный запрет и требования закрытия производств Тайваня и Южной Кореи в Китае было бы слишком критичными, прежде всего, для «западного блока». А так повышается контроль над доступностью этих производств для нежелательных заказчиков. В США называют это «управляемой фрагментацией» глобальных цепочек поставки.
@RUSmicro
Правительство США вернуло разрешения TSMC, Samsung и SK Hynix на закупку американского оборудования для заводов компаний в Китае, но есть нюанс
Это продолжение истории с отзывом постоянного разрешения TSMC и южнокорейским компаниям на закупку американского оборудования для их производств в Китае. Теперь TSMC придется всякий раз получать индивидуальные разрешения от правительства США на будущие поставки американского оборудования на Fab16 в Нанкине, ежегодно. Первое такое разрешение уже выдано. Фаб TSMC в Нанкине производит чипы по зрелым техпроцессам, включая 16нм.
Эпоха «бессрочных» разрешений завершилась. До конца 2025 года три азиатских производителя, TSMC, Samsung и SK Hynix, пользовались статусом «валидированного конечного пользователя» (VEU), что позволяло им получать американское оборудование. Теперь все они потеряли этот статус и должны получать разрешения ежегодно. Это уже сделано каждым из трех производителей, так что «де-факто» изменений нет. Но теперь этим компаниям есть, что терять. Что будет сказываться на их политике в отношении китайских заказчиков.
TSMC сравнительно незначительно зависит от фаба в Китае, нанкинское производство это всего лишь 2.4% выручки тайваньской компании. Совсем в другой ситуации южнокорейские Samsung и SK Hynix. У первой – производство NAND-памяти в Сиане, которое обеспечивает порядка 30% общего объема их производства. У SK Hynix в Китае работают фабрики в Уси по производству DRAM, а в Даляне (Дальнем) – по производству NAND и совокупный объем их производства – 30-45% от общего. Так что впору говорить о серьезной зависимости южнокорейских производителей от производственных мощностей в Китае.
В США считают эту меру достаточной и эффективной на сегодня. Полный запрет и требования закрытия производств Тайваня и Южной Кореи в Китае было бы слишком критичными, прежде всего, для «западного блока». А так повышается контроль над доступностью этих производств для нежелательных заказчиков. В США называют это «управляемой фрагментацией» глобальных цепочек поставки.
@RUSmicro
🔬 Горизонты технологий. Микроэлектроника. 3D DRAM. Китай
Вертикальные 2T0C-ячейки и архитектура 4F²: путь к монолитной 3D DRAM
Исследовательские группы во всем мире ведут активные работы по поиску альтернатив классической DRAM-ячейке, развитие которой все сильнее ограничивается физическими и технологическими барьерами. Одной из наиболее перспективных концепций считается безконденсаторная DRAM-ячейка архитектуры 2T0C (2 транзистора, без конденсатора), способная обеспечить дальнейшее масштабирование плотности памяти и создать основу для монолитной 3D DRAM.
Ограничения традиционной DRAM
Классическая DRAM-ячейка строится на архитектуре 1T1C и занимает площадь порядка 6F², где F — минимальный технологический размер. Хранение информации осуществляется за счет заряда в отдельном конденсаторе, размещение которого становится все более сложным по мере уменьшения геометрических размеров.
Дополнительной проблемой является трудность вертикального масштабирования: формирование высокоаспектных конденсаторов усложняет производство и ограничивает возможности многослойной интеграции.
Архитектура 2T0C и площадь 4F²
В архитектуре 2T0C отдельный накопительный конденсатор отсутствует. Хранение данных осуществляется за счет паразитной емкости и зарядовых эффектов в транзисторных структурах.
Типовая ячейка состоит из двух транзисторов — одного для записи и одного для чтения — что позволяет реализовать ячейку площадью порядка 4F², то есть примерно в 1,5 раза меньше, чем у традиционной 6F² 1T1C-ячейки.
Такое сокращение площади достигается благодаря применению вертикально-канальных транзисторов и компоновок с двойным затвором (dual-gate), где элементы могут размещаться друг над другом, формируя компактную объемную структуру.
Роль оксидных полупроводников (IGZO)
Ключевым элементом современных 2T0C-реализаций является использование тонкопленочных транзисторов на основе оксида индия-галлия-цинка (IGZO). По сравнению с кремнием IGZO обладает существенно меньшим током утечки, что критически важно для безконденсаторных DRAM-ячеек. Низкая утечка позволяет удерживать заряд в ячейке в течение сотен секунд, даже при повышенных температурах (до 85 °C).
Дополнительным преимуществом IGZO является возможность формирования транзисторов при относительно низких температурах, что делает такие структуры совместимыми с BEOL-процессами и, следовательно, пригодными для наращивания слоев памяти поверх логических схем. (..)
Вертикальные 2T0C-ячейки и архитектура 4F²: путь к монолитной 3D DRAM
Исследовательские группы во всем мире ведут активные работы по поиску альтернатив классической DRAM-ячейке, развитие которой все сильнее ограничивается физическими и технологическими барьерами. Одной из наиболее перспективных концепций считается безконденсаторная DRAM-ячейка архитектуры 2T0C (2 транзистора, без конденсатора), способная обеспечить дальнейшее масштабирование плотности памяти и создать основу для монолитной 3D DRAM.
Ограничения традиционной DRAM
Классическая DRAM-ячейка строится на архитектуре 1T1C и занимает площадь порядка 6F², где F — минимальный технологический размер. Хранение информации осуществляется за счет заряда в отдельном конденсаторе, размещение которого становится все более сложным по мере уменьшения геометрических размеров.
Дополнительной проблемой является трудность вертикального масштабирования: формирование высокоаспектных конденсаторов усложняет производство и ограничивает возможности многослойной интеграции.
Архитектура 2T0C и площадь 4F²
В архитектуре 2T0C отдельный накопительный конденсатор отсутствует. Хранение данных осуществляется за счет паразитной емкости и зарядовых эффектов в транзисторных структурах.
Типовая ячейка состоит из двух транзисторов — одного для записи и одного для чтения — что позволяет реализовать ячейку площадью порядка 4F², то есть примерно в 1,5 раза меньше, чем у традиционной 6F² 1T1C-ячейки.
Такое сокращение площади достигается благодаря применению вертикально-канальных транзисторов и компоновок с двойным затвором (dual-gate), где элементы могут размещаться друг над другом, формируя компактную объемную структуру.
Роль оксидных полупроводников (IGZO)
Ключевым элементом современных 2T0C-реализаций является использование тонкопленочных транзисторов на основе оксида индия-галлия-цинка (IGZO). По сравнению с кремнием IGZO обладает существенно меньшим током утечки, что критически важно для безконденсаторных DRAM-ячеек. Низкая утечка позволяет удерживать заряд в ячейке в течение сотен секунд, даже при повышенных температурах (до 85 °C).
Дополнительным преимуществом IGZO является возможность формирования транзисторов при относительно низких температурах, что делает такие структуры совместимыми с BEOL-процессами и, следовательно, пригодными для наращивания слоев памяти поверх логических схем. (..)
👍1
(2) Экспериментальные результаты и прототипы
На уровне исследовательских прототипов продемонстрированы следующие характеристики:
▫️ Площадь ячейки: порядка 4F²
▫️ Архитектура: вертикальные IGZO-транзисторы с двойным затвором
▫️ Тип ячейки: 2T0C
▫️ Многоуровневое хранение (MLC): до 4 бит информации в одной ячейке
▫️ Время записи: десятки наносекунд (порядка 50 нс)
▫️ Удержание данных: сотни секунд при температуре до 85 °C
В ряде работ применяются самовыравнивающиеся технологические подходы, включая процессы формирования металлических электродов с in-situ окислением, что позволяет повысить повторяемость параметров и уменьшить вариабельность ячеек.
Монолитная 3D DRAM как ключевое преимущество
Основным стратегическим преимуществом 2T0C-архитектуры является возможность создания монолитной 3D DRAM, в которой слои памяти формируются непосредственно на одном кристалле, без склеивания готовых чипов, как это делается в современных HBM-решениях. Такой подход потенциально снижает энергопотребление, увеличивает пропускную способность и упрощает интеграцию функций «обработки в памяти» (Processing-in-Memory, PiM).
Участники исследований и промышленный контекст
Значительный вклад в развитие данной технологии внесли международные исследовательские центры, включая imec (Бельгия), а также научные группы в Китае — в частности, Институт микроэлектроники Китайской академии наук (IME CAS) в сотрудничестве с рядом университетов и профильных академий. Эти работы демонстрируют жизнеспособность вертикальных 4F² 2T0C-ячеек, однако пока остаются на уровне лабораторных и предсерийных прототипов.
Крупные производители памяти — Samsung, SK hynix и другие — также исследуют пути перехода к ячейкам меньшей площади и 3D-архитектурам, включая использование оксидных каналов. Однако коммерческих продуктов DRAM на основе IGZO-2T0C на сегодняшний день не анонсировано.
💎 Перспективы развития
В краткосрочной перспективе наиболее вероятным сценарием остается внедрение 4F²-архитектур с сохранением конденсатора (2T1C) в традиционных DRAM-чипах. Безконденсаторные 2T0C-ячейки рассматриваются как следующий этап эволюции, реализация которого потребует дополнительных лет исследований, отработки технологических процессов и подтверждения надежности на промышленных объемах.
Таким образом, 2T0C-DRAM с вертикальными IGZO-транзисторами сегодня представляет собой одну из наиболее перспективных, но все еще исследовательских технологий, способных в будущем радикально изменить подход к масштабированию и трехмерной интеграции.
@RUSmicro,
Картинка - Институт микроэлектроники Китайской академии наук. На ней изображена схема и картинка, полученная на электронном микроскопе массива памяти 4F² 2T0C.
На уровне исследовательских прототипов продемонстрированы следующие характеристики:
▫️ Площадь ячейки: порядка 4F²
▫️ Архитектура: вертикальные IGZO-транзисторы с двойным затвором
▫️ Тип ячейки: 2T0C
▫️ Многоуровневое хранение (MLC): до 4 бит информации в одной ячейке
▫️ Время записи: десятки наносекунд (порядка 50 нс)
▫️ Удержание данных: сотни секунд при температуре до 85 °C
В ряде работ применяются самовыравнивающиеся технологические подходы, включая процессы формирования металлических электродов с in-situ окислением, что позволяет повысить повторяемость параметров и уменьшить вариабельность ячеек.
Монолитная 3D DRAM как ключевое преимущество
Основным стратегическим преимуществом 2T0C-архитектуры является возможность создания монолитной 3D DRAM, в которой слои памяти формируются непосредственно на одном кристалле, без склеивания готовых чипов, как это делается в современных HBM-решениях. Такой подход потенциально снижает энергопотребление, увеличивает пропускную способность и упрощает интеграцию функций «обработки в памяти» (Processing-in-Memory, PiM).
Участники исследований и промышленный контекст
Значительный вклад в развитие данной технологии внесли международные исследовательские центры, включая imec (Бельгия), а также научные группы в Китае — в частности, Институт микроэлектроники Китайской академии наук (IME CAS) в сотрудничестве с рядом университетов и профильных академий. Эти работы демонстрируют жизнеспособность вертикальных 4F² 2T0C-ячеек, однако пока остаются на уровне лабораторных и предсерийных прототипов.
Крупные производители памяти — Samsung, SK hynix и другие — также исследуют пути перехода к ячейкам меньшей площади и 3D-архитектурам, включая использование оксидных каналов. Однако коммерческих продуктов DRAM на основе IGZO-2T0C на сегодняшний день не анонсировано.
В краткосрочной перспективе наиболее вероятным сценарием остается внедрение 4F²-архитектур с сохранением конденсатора (2T1C) в традиционных DRAM-чипах. Безконденсаторные 2T0C-ячейки рассматриваются как следующий этап эволюции, реализация которого потребует дополнительных лет исследований, отработки технологических процессов и подтверждения надежности на промышленных объемах.
Таким образом, 2T0C-DRAM с вертикальными IGZO-транзисторами сегодня представляет собой одну из наиболее перспективных, но все еще исследовательских технологий, способных в будущем радикально изменить подход к масштабированию и трехмерной интеграции.
@RUSmicro,
Картинка - Институт микроэлектроники Китайской академии наук. На ней изображена схема и картинка, полученная на электронном микроскопе массива памяти 4F² 2T0C.
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
👍1
📈 Силовая электроника. Широкозонные полупроводники. Тренды. Мнения
Чипы на SiC и GaN: главные тренды 2025 года
Что происходит в мире силовой электроники на базе широкозонных полупроводников - подробнее читайте в детальном обзоре Дмитрия Боднаря для журнала Электронные компоненты, №12, 2025.
Главный тренд: переход к стандартным пластинам большого размера
Ключевой стратегией всех крупных игроков стал стремительный переход с пластин диаметром 150 мм на 200 мм и даже 300 мм. Еще 4–5 лет назад стандартом были 100 мм, а сегодня 150 мм уже считается устаревшим. Зачем это нужно?
Простой пример: переход с 150 мм на 200 мм дает почти двукратное увеличение количества чипов с одной пластины при почти неизменной себестоимости процесса. Это самый эффективный путь снижения цены конечных устройств.
Кто и как переходит на новый размер?
▫️TSMC полностью закрывает свое производство GaN-on-Si на 150-мм пластинах.
▫️Infineon разрабатывает пластины SiC диаметром 300 мм, массовое производство планируется на 2026 год.
▫️Innoscience (Китай) уже запустила линию 200-мм пластин мощностью 10 тыс. пластин в месяц.
▫️Texas Instruments, Nexperia, XFAB, GlobalFoundries — все либо уже выпускают, либо активно готовят производство на 200–300 мм пластинах.
Нет ни одной крупной IDM- или фаундри-компании, которая бы не готовила этот переход. На заметку всем, кто цепляется за пластины 150 мм (и 200 мм) будто экономика процесса не имеет значения (и так купят, куда денутся?).
Новые технологии меняют правила игры
Помимо размера, появляются и принципиально новые подходы, которые могут перевернуть рынок.
🔸 GaN-on-QST: технологию лицензировала тайваньская компания VIS. Эта технология в ближайшие годы может лишить IDM-компании их ключевых преимуществ, изменив весь рыночный ландшафт.
🔸 Победа китайских цен: Китайские компании (например, SICC и SuperSiC) активно осваивают выпуск 300-мм пластин SiC на собственном оборудовании. Их агрессивная ценовая политика уже привела к банкротству некоторых западных конкурентов (как бельгийская BelGaN) и заставляет пересматривать бизнес-модели.
🔸 Новые материалы: Исследования с перспективными материалами, такими как AlN и ScAlN, переходят из лабораторий в прикладную стадию.
💎 Индустрия переживает этап стремительной эволюции и жесткой консолидации. Побеждать будут те, кто сможет эффективно масштабироваться до 300 мм, контролировать всю цепочку создания стоимости и противостоять ценовому давлению с востока.
@RUSmicro
Чипы на SiC и GaN: главные тренды 2025 года
Что происходит в мире силовой электроники на базе широкозонных полупроводников - подробнее читайте в детальном обзоре Дмитрия Боднаря для журнала Электронные компоненты, №12, 2025.
Главный тренд: переход к стандартным пластинам большого размера
Ключевой стратегией всех крупных игроков стал стремительный переход с пластин диаметром 150 мм на 200 мм и даже 300 мм. Еще 4–5 лет назад стандартом были 100 мм, а сегодня 150 мм уже считается устаревшим. Зачем это нужно?
Простой пример: переход с 150 мм на 200 мм дает почти двукратное увеличение количества чипов с одной пластины при почти неизменной себестоимости процесса. Это самый эффективный путь снижения цены конечных устройств.
Кто и как переходит на новый размер?
▫️TSMC полностью закрывает свое производство GaN-on-Si на 150-мм пластинах.
▫️Infineon разрабатывает пластины SiC диаметром 300 мм, массовое производство планируется на 2026 год.
▫️Innoscience (Китай) уже запустила линию 200-мм пластин мощностью 10 тыс. пластин в месяц.
▫️Texas Instruments, Nexperia, XFAB, GlobalFoundries — все либо уже выпускают, либо активно готовят производство на 200–300 мм пластинах.
Нет ни одной крупной IDM- или фаундри-компании, которая бы не готовила этот переход. На заметку всем, кто цепляется за пластины 150 мм (и 200 мм) будто экономика процесса не имеет значения (и так купят, куда денутся?).
Новые технологии меняют правила игры
Помимо размера, появляются и принципиально новые подходы, которые могут перевернуть рынок.
🔸 GaN-on-QST: технологию лицензировала тайваньская компания VIS. Эта технология в ближайшие годы может лишить IDM-компании их ключевых преимуществ, изменив весь рыночный ландшафт.
🔸 Победа китайских цен: Китайские компании (например, SICC и SuperSiC) активно осваивают выпуск 300-мм пластин SiC на собственном оборудовании. Их агрессивная ценовая политика уже привела к банкротству некоторых западных конкурентов (как бельгийская BelGaN) и заставляет пересматривать бизнес-модели.
🔸 Новые материалы: Исследования с перспективными материалами, такими как AlN и ScAlN, переходят из лабораторий в прикладную стадию.
@RUSmicro
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
Время электроники
Полупроводниковая микроэлектроника – 2025 г. Часть 2.2. Стремительная эволюция технологий и приборов на основе широкозонных полупроводников…
Мировая полупроводниковая отрасль в производстве ШЗП переходит на пластины диаметром 200–300 мм, что приведет к снижению себестоимости, рыночным ценам чипов и росту конкуренции. Компания Onsemi анонсирует высоковольтную вертикальную технологию GaN-on-GaN.…
👍3
🇺🇸 ИИ-чипы. Анонсы. Участники рынка. США
AMD на CES 2026 - ИИ повсюду и вызов Nvidia
На CES 2026 в Лас-Вегасе глава AMD Лиза Су представила планы компании по захвату ИИ-рынка от дата-центров до персональных компьютеров. Компания представила по-сути экосистему продукции. Ключевая амбиция — увеличить производительность своих ускорителей для ИИ в 1000 раз к 2027 году.
Война за железо для ЦОД
Ключевая премьера — концептуальная стойка для ИИ Helios. Производительность: ~3 экзафлопса на стойку, что в 10 раз выше, чем у предшественников. Это еще не коммерческий продукт, а скорее уровень блюпринта. Эту разработку можно считать прямым вызовом лидеру Nvidia, хотя AMD и не заявляла о такой цели. В любом случае это решение будет конкурировать за рынок ИИ-платформ «стоечного уровня».
Начинка: до 72 новых ускорителей Instinct MI455X, 256-ядерные процессоры Epyc Venice на 2-нм техпроцессе и сетевые карты AMD Pensando Vulcano, программная экосистема - AMD ROCm.
Был также представлен компактный ускоритель для корпоративных ИИ задач в локальных ЦОД GPU MI440X в форм-факторе 8хGPU. MI440X создан на основе недавно анонсированных графических процессоров AMD Instinct MI430X. Графические процессоры MI430X можно будет использовать для научных, суверенных и HPC применений.
AMD поделилась дополнительными подробностями о графических процессорах AMD Instinct MI500 следующего поколения, запуск которых запланирован на 2027 год. Серия MI500 (на 2нм и архитектуре AMD CDNA 6 с памятью HBM4E), как ожидается, обеспечит до 1000-кратного роста производительности ИИ по сравнению с графическими процессорами AMD Instinct MI300X, представленными в 2023 году.
Ставка на ИИ в ноутбуке
Массовому рынку адресованы мобильные процессоры Ryzen AI 400 Series (кодовое название Gorgon Point) и Ryzen AI PRO 400 Series. Главный козырь — встроенный нейропроцессор (NPU) второго поколения XDNA 2. Первые системы с этими процессорами поступят в продажу в январе 2026 года, а более широкая доступность для OEM-производителей ожидается в первом квартале 2026 года.
Ryzen AI 9 HX 475 получила 12 ядер (24 потока), тактовая частота 5.2 ГГц, заявляемая производительность NPU – 60 TOPS. Это основа для создания ноутбуков, способных локально справляться с такими задачами, как ИИ-обработка фото и видео, обеспечивать работу умных ассистентов.
ИИ повсюду
AMD представила процессоры Ryzen AI Embedded — новую линейку встраиваемых процессоров x86, предназначенных для работы с приложениями на основе ИИ на периферии сети.
Для разработчиков
Для создания и тестирования ИИ-моделей AMD выпускает мини-ПК Ryzen AI Halo, аналог Nvidia DGX Spark. Компактное устройство с флагманским Ryzen AI Max+ (392 или 388) поддержит ИИ модель с количеством параметров до 128 млрд и предоставит до 128 ГБ унифицированной памяти.
Война объявлена
Компании осталось убедить рынок в зрелости своего программного стека ROCm и выполнить все новые общания.
Хозяйке на заметку
В AMD ожидают расширение глобальных вычислительных мощностей с сегодняшних 100 зеттафлопс до более 10 йоттафлопс в течение следующих 5 лет.
@RUSmicro по материалам AMD
AMD на CES 2026 - ИИ повсюду и вызов Nvidia
На CES 2026 в Лас-Вегасе глава AMD Лиза Су представила планы компании по захвату ИИ-рынка от дата-центров до персональных компьютеров. Компания представила по-сути экосистему продукции. Ключевая амбиция — увеличить производительность своих ускорителей для ИИ в 1000 раз к 2027 году.
Война за железо для ЦОД
Ключевая премьера — концептуальная стойка для ИИ Helios. Производительность: ~3 экзафлопса на стойку, что в 10 раз выше, чем у предшественников. Это еще не коммерческий продукт, а скорее уровень блюпринта. Эту разработку можно считать прямым вызовом лидеру Nvidia, хотя AMD и не заявляла о такой цели. В любом случае это решение будет конкурировать за рынок ИИ-платформ «стоечного уровня».
Начинка: до 72 новых ускорителей Instinct MI455X, 256-ядерные процессоры Epyc Venice на 2-нм техпроцессе и сетевые карты AMD Pensando Vulcano, программная экосистема - AMD ROCm.
Был также представлен компактный ускоритель для корпоративных ИИ задач в локальных ЦОД GPU MI440X в форм-факторе 8хGPU. MI440X создан на основе недавно анонсированных графических процессоров AMD Instinct MI430X. Графические процессоры MI430X можно будет использовать для научных, суверенных и HPC применений.
AMD поделилась дополнительными подробностями о графических процессорах AMD Instinct MI500 следующего поколения, запуск которых запланирован на 2027 год. Серия MI500 (на 2нм и архитектуре AMD CDNA 6 с памятью HBM4E), как ожидается, обеспечит до 1000-кратного роста производительности ИИ по сравнению с графическими процессорами AMD Instinct MI300X, представленными в 2023 году.
Ставка на ИИ в ноутбуке
Массовому рынку адресованы мобильные процессоры Ryzen AI 400 Series (кодовое название Gorgon Point) и Ryzen AI PRO 400 Series. Главный козырь — встроенный нейропроцессор (NPU) второго поколения XDNA 2. Первые системы с этими процессорами поступят в продажу в январе 2026 года, а более широкая доступность для OEM-производителей ожидается в первом квартале 2026 года.
Ryzen AI 9 HX 475 получила 12 ядер (24 потока), тактовая частота 5.2 ГГц, заявляемая производительность NPU – 60 TOPS. Это основа для создания ноутбуков, способных локально справляться с такими задачами, как ИИ-обработка фото и видео, обеспечивать работу умных ассистентов.
ИИ повсюду
AMD представила процессоры Ryzen AI Embedded — новую линейку встраиваемых процессоров x86, предназначенных для работы с приложениями на основе ИИ на периферии сети.
Для разработчиков
Для создания и тестирования ИИ-моделей AMD выпускает мини-ПК Ryzen AI Halo, аналог Nvidia DGX Spark. Компактное устройство с флагманским Ryzen AI Max+ (392 или 388) поддержит ИИ модель с количеством параметров до 128 млрд и предоставит до 128 ГБ унифицированной памяти.
Война объявлена
Компании осталось убедить рынок в зрелости своего программного стека ROCm и выполнить все новые общания.
Хозяйке на заметку
В AMD ожидают расширение глобальных вычислительных мощностей с сегодняшних 100 зеттафлопс до более 10 йоттафлопс в течение следующих 5 лет.
@RUSmicro по материалам AMD
👍3🤣1
🇮🇳 Господдержка. Индия
В Индии углубляют программу локализации производства электроники – правительство обещает стимулировать производство электронных компонентов на $4.6 млрд в ближайшие 6 лет
Индия, как и практически любая крупная страна, сейчас активно озаботилась созданием локализованного производства микроэлектроники и электроники.
В рамках госинициативы в Индии одобрили 22 проекта на сумму 418.6 млрд индийских рупий ($4.6 млрд) с общей задачей роста внутреннего производства электронных компонентов. Это субсидирование будет осуществляться в рамках государственной схемы Electronics Components Manufacturing Scheme (ECMS), запущенной в марте 2025 года.
Приоритетно будут субсидироваться проекты создания предприятий, которые должны будут наладить выпуск электронных компонентов. Поддержку получат проекты не только индийских, но и зарубежных компаний, готовых инвестировать в производство в Индии. В частности, госсубсидии получат корейский Samsung у которого уже есть сборочная фабрика в Ноиде (Уттар-Прадеш) и тайвньская Foxconn. Если говорить об индийских проектах, то одним из получателей субсидий станет Tata Electronics.
Кроме проектов создания новых предприятий, часть поддержки распространится также на производство электронных компонентов. И не только электронных, в частности, планируется поддержать, например, производство медных ламинатов, полипропиленовой пленки для конденсаторов, выпуск печатных плат.
Как ожидается, реализация этих планов позволит создать в Индии 33.8 тысяч прямых рабочих мест. Среди других задач индийской программы ECMS – «приземление» в Индии производственных цепочек – от материалов до готовых модулей, обеспечение собственными компонентами внутреннего рынка и выход на мировой рынок в рамках глобального экспорта.
Министерство электроники и информационных технологий страны (MEitY) сообщило, что на данный момент в рамках программы ECMS одобрено в общей сложности 46 заявок из 11 штатов.
@RUSmicro
В Индии углубляют программу локализации производства электроники – правительство обещает стимулировать производство электронных компонентов на $4.6 млрд в ближайшие 6 лет
Индия, как и практически любая крупная страна, сейчас активно озаботилась созданием локализованного производства микроэлектроники и электроники.
В рамках госинициативы в Индии одобрили 22 проекта на сумму 418.6 млрд индийских рупий ($4.6 млрд) с общей задачей роста внутреннего производства электронных компонентов. Это субсидирование будет осуществляться в рамках государственной схемы Electronics Components Manufacturing Scheme (ECMS), запущенной в марте 2025 года.
Приоритетно будут субсидироваться проекты создания предприятий, которые должны будут наладить выпуск электронных компонентов. Поддержку получат проекты не только индийских, но и зарубежных компаний, готовых инвестировать в производство в Индии. В частности, госсубсидии получат корейский Samsung у которого уже есть сборочная фабрика в Ноиде (Уттар-Прадеш) и тайвньская Foxconn. Если говорить об индийских проектах, то одним из получателей субсидий станет Tata Electronics.
Кроме проектов создания новых предприятий, часть поддержки распространится также на производство электронных компонентов. И не только электронных, в частности, планируется поддержать, например, производство медных ламинатов, полипропиленовой пленки для конденсаторов, выпуск печатных плат.
Как ожидается, реализация этих планов позволит создать в Индии 33.8 тысяч прямых рабочих мест. Среди других задач индийской программы ECMS – «приземление» в Индии производственных цепочек – от материалов до готовых модулей, обеспечение собственными компонентами внутреннего рынка и выход на мировой рынок в рамках глобального экспорта.
Министерство электроники и информационных технологий страны (MEitY) сообщило, что на данный момент в рамках программы ECMS одобрено в общей сложности 46 заявок из 11 штатов.
@RUSmicro
❤2
🇺🇸 Процессоры. Чиплеты. Участники рынка. США
Intel анонсировал процессоры Core Ultra Series 3 (Panther Lake)
На выставке CES 2026 компания Intel представила новое поколение процессоров Core Ultra Series 3 на архитектуре Panther Lake и передовом техпроцессе Intel 18A.
Что показала Intel?
Главный козырь — полностью чиплетный дизайн. Отдельный графический чиплет теперь собирается с вычислительными ядрами в единый процессор, что позволило совершить мощный рывок в производительности.
Графика нового уровня для геймеров
Компания представила интегрированную графику Arc B390 — iGPU с поддержкой фрейм-генерации Intel XeSS 3. Заявленные цифры могут поразить воображение:
▫️В среднем на 73% быстрее в играх, чем у текущих решений AMD.
▫️В отдельных проектах (например, Battlefield 6) — до 147 FPS на ультра-настройках в Full HD.
▫️Intel также анонсировала полноценную портативную игровую платформу на Panther Lake, бросая вызов доминированию AMD Ryzen Z-Series в сегменте портативных консолей.
Фокус на периферийные вычисления
Новое поколение NPU обеспечивает мощность до 50 TOPS для локальных ИИ-задач. Впервые в линейке появились модели, сертифицированные для промышленного использования в робототехнике, умных городах и автоматизации.
Производительность и автономность
Заявленные улучшения для топовых ноутбучных моделей (до 16 ядер CP, 12 ядер Xe):
▫️До +60% многопоточной производительности к предшественнику (Lunar Lake).
▫️До +77% в играх.
▫️До 27 часов автономной работы.
Когда ждать?
▫️27 января 2026: старт глобальных продаж потребительских ноутбуков (предзаказ с 6 января).
▫️1H2026: выход дополнительных моделей.
▫️2q2026: доступность решений для периферийных систем и промышленности.
Среди первых партнеров — Dell и Samsung, которая планирует использовать чип в Galaxy Book 6.
Intel претендует на возврат лидерства в ключевых сегментах?
@RUSmicro
Intel анонсировал процессоры Core Ultra Series 3 (Panther Lake)
На выставке CES 2026 компания Intel представила новое поколение процессоров Core Ultra Series 3 на архитектуре Panther Lake и передовом техпроцессе Intel 18A.
Что показала Intel?
Главный козырь — полностью чиплетный дизайн. Отдельный графический чиплет теперь собирается с вычислительными ядрами в единый процессор, что позволило совершить мощный рывок в производительности.
Графика нового уровня для геймеров
Компания представила интегрированную графику Arc B390 — iGPU с поддержкой фрейм-генерации Intel XeSS 3. Заявленные цифры могут поразить воображение:
▫️В среднем на 73% быстрее в играх, чем у текущих решений AMD.
▫️В отдельных проектах (например, Battlefield 6) — до 147 FPS на ультра-настройках в Full HD.
▫️Intel также анонсировала полноценную портативную игровую платформу на Panther Lake, бросая вызов доминированию AMD Ryzen Z-Series в сегменте портативных консолей.
Фокус на периферийные вычисления
Новое поколение NPU обеспечивает мощность до 50 TOPS для локальных ИИ-задач. Впервые в линейке появились модели, сертифицированные для промышленного использования в робототехнике, умных городах и автоматизации.
Производительность и автономность
Заявленные улучшения для топовых ноутбучных моделей (до 16 ядер CP, 12 ядер Xe):
▫️До +60% многопоточной производительности к предшественнику (Lunar Lake).
▫️До +77% в играх.
▫️До 27 часов автономной работы.
Когда ждать?
▫️27 января 2026: старт глобальных продаж потребительских ноутбуков (предзаказ с 6 января).
▫️1H2026: выход дополнительных моделей.
▫️2q2026: доступность решений для периферийных систем и промышленности.
Среди первых партнеров — Dell и Samsung, которая планирует использовать чип в Galaxy Book 6.
Intel претендует на возврат лидерства в ключевых сегментах?
@RUSmicro
👍1
🇰🇷 Микросхемы памяти. Новинки. Участники рынка. Корея
SK hynix представила на CES2026 16-слойную HBM4 объемом 48 ГБ, наряду с SOCAMM2 и LPDDR6
SK hynix представила на CES2026 16-слойную HBM4 объемом 48 ГБ. Это - следующее поколение 12-слойной HBM4 (36 ГБ). Про техпроцессы не сообщается, но предположительно используется 4нм процесс для логической части и 10нм процесс для DRAM-слоев. Задействовано ли гибридное соединение.
Помимо 16-слойной HBM4, компания также представила свою 12-слойную HBM3E объемом 36 ГБ, которая, как ожидается, станет ключевым фактором развития рынка памяти в 2026 году.
Кроме того, ожидается, что SK hynix представила модули GPU для серверов ИИ с использованием HBM3E совместно с заказчиком, подчеркивая роль этой технологии в системах ИИ.
SOCAMM2 и LPDDR6
Помимо HBM, компания также представила SOCAMM2, модуль памяти с низким энергопотреблением, разработанный для серверов ИИ, а также LPDDR6, оптимизированный для ИИ на устройствах и обеспечивающий значительно более высокую пропускную способность данных и улучшенную энергоэффективность по сравнению с предыдущими поколениями.
321-слойная 2-терабайтная QLC NAND ориентирована на применение в СХД ИИ ЦОД
Что касается флэш-памяти NAND, компания продемонстрирует свой 321-слойный продукт 2-терабайтной QLC, разработанный для сверхъемких твердотельных накопителей (eSSD), поскольку спрос на такие накопители растет по мере роста спроса на ЦОДы ИИ.
Начало массового производства 321-слойного QLC NAND ожидается в августе 2026 года.
💎 Анонс подчёркивает стратегию SK hynix по переходу от поставки стандартной памяти к созданию дифференцированных решений, оптимизированных под ИИ
@RUSmicro
SK hynix представила на CES2026 16-слойную HBM4 объемом 48 ГБ, наряду с SOCAMM2 и LPDDR6
SK hynix представила на CES2026 16-слойную HBM4 объемом 48 ГБ. Это - следующее поколение 12-слойной HBM4 (36 ГБ). Про техпроцессы не сообщается, но предположительно используется 4нм процесс для логической части и 10нм процесс для DRAM-слоев. Задействовано ли гибридное соединение.
Помимо 16-слойной HBM4, компания также представила свою 12-слойную HBM3E объемом 36 ГБ, которая, как ожидается, станет ключевым фактором развития рынка памяти в 2026 году.
Кроме того, ожидается, что SK hynix представила модули GPU для серверов ИИ с использованием HBM3E совместно с заказчиком, подчеркивая роль этой технологии в системах ИИ.
SOCAMM2 и LPDDR6
Помимо HBM, компания также представила SOCAMM2, модуль памяти с низким энергопотреблением, разработанный для серверов ИИ, а также LPDDR6, оптимизированный для ИИ на устройствах и обеспечивающий значительно более высокую пропускную способность данных и улучшенную энергоэффективность по сравнению с предыдущими поколениями.
321-слойная 2-терабайтная QLC NAND ориентирована на применение в СХД ИИ ЦОД
Что касается флэш-памяти NAND, компания продемонстрирует свой 321-слойный продукт 2-терабайтной QLC, разработанный для сверхъемких твердотельных накопителей (eSSD), поскольку спрос на такие накопители растет по мере роста спроса на ЦОДы ИИ.
Начало массового производства 321-слойного QLC NAND ожидается в августе 2026 года.
@RUSmicro
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
❤5
🇹🇼 Участники рынка. Производители полупроводниковых структур. Геополитика и микроэлектроника. Тайвань
TSMC планирует построить 12 фабов в Аризоне, тогда как экспансия в Японии и в Германии замедляется
Согласно последним рыночным отчетам, фабрики TSMC в Аризоне продолжают сталкиваться с проблемами, включая высокие затраты и низкую прибыль. Источники в отрасли перечисляют такие проблемы, как сбои в цепочке поставок, нехватка кадров, обслуживание оборудования, разность корпоративных культур и особенности американского трудового законодательства. Ожидается резкое падение прибыли к 3q2025.
Однако, как сообщают инсайдеры, несмотря на проблемы, TSMC подтвердила планы по расширению своего кампуса в Аризоне сверх существующих 6 фабрик за счет добавления еще 2-х новых. Мощности по продвинутой упаковке также планируется нарастить с 2 фабрик до 3-4. Это означает, что TSMC планирует довести число своих предприятий в Аризоне до 12, сохраняя высокие капитальные затраты в период с 2026 по 2028 год. Это примерно уравняет производственные мощности компании в США и на Тайване.
Сбой подачи газов в 3q2025 резко снизил прибыльность фабрик TSMC в США
На рынке усилились разговоры о стабильно высоких затратах на фабриках TSMC в США. А тут еще в 3q2025 неожиданное отключение электроэнергии у поставщика газа вызвало простои в несколько часов, что привело к выбраковке несколько тысяч пластин и сокращению квартальной прибыли на 99%. Этот инцидент подчеркнул пробелы в операционном управлении по сравнению с объектами на Тайване, где годами все работает как дорогие швейцарские часы.
Тем не менее, источники в цепочке поставок подтверждают твердую приверженность TSMC планам зарубежного расширения наряду с внутренним ростом.
Планы в Японии и Германии столкнулись с трудностями
Строительство 2-й фабрики TSMC в Кумамото (Япония) сталкивается с задержками из-за более слабого, чем ожидалось, объема заказов. Компания притормозила и с планами перехода с техпроцесса 6нм к 2-нм. Да и в целом «климат» не самый благоприятный для TSMC – крупных заказчиков настойчиво просят размещать все заказы у «отечественного производителя» Rapidus, экосистема – вода, электричество и т.п. – дорогие, вдобавок на рынке Японии не хватает квалифицированной рабочей силы. Раз уж мы упомянули Японию, то стоит отметить, что и строительство фаба Sony тоже замедлилось. Не в последнюю очередь и из-за стабильного роста мощностей 2нм в США и на Тайване.
Снизились и темпы строительства в рамках совместного предприятия TSMC в Германии. По схожим причинам.
Аризона становится центром зарубежного расширения
Фабрика TSMC P1, запустившая массовое производство в конце 2024 года, перешла с 5-нм на 4-нм процесс.
Строительство P2 ускорилось с планами установки оборудования к концу 2026 года и начала массового производства к концу 2027 года. Это соответствует требованиям крупных клиентов, таких как Apple, Nvidia и AMD.
Несмотря на преодоление первоначальных строительных сложностей сроки строительства фабрик P3–P6 были сдвинуты вправо. Строительство P3 уже начато; как P3, так и P4 будут ориентированы на процессы 2-нм и A16, тогда как P5 и P6 нацелены на A14 и более передовые техпроцессы. Еще более передовые техпроцессы ожидается внедрить на фабах P7 и P8.
Упаковочные мощности
Строительство двух предприятий продвинутой упаковки TSMC в США, AP1 и AP2 должно стартовать в начале 2026 года. Их строительство проще по сравнению с фабриками пластин, но все же ожидается, что AP1 начнет массовое производство только к 2028 году, сосредоточившись на технологиях SoIC и CoW (вероятно, имеются в виду CoWoS или аналоги).
В связи с значительным долгосрочным спросом на ИИ TSMC планирует добавить еще 2 фабрики по упаковке, хотя конкретные области их применения пока не определены. (..)
TSMC планирует построить 12 фабов в Аризоне, тогда как экспансия в Японии и в Германии замедляется
Согласно последним рыночным отчетам, фабрики TSMC в Аризоне продолжают сталкиваться с проблемами, включая высокие затраты и низкую прибыль. Источники в отрасли перечисляют такие проблемы, как сбои в цепочке поставок, нехватка кадров, обслуживание оборудования, разность корпоративных культур и особенности американского трудового законодательства. Ожидается резкое падение прибыли к 3q2025.
Однако, как сообщают инсайдеры, несмотря на проблемы, TSMC подтвердила планы по расширению своего кампуса в Аризоне сверх существующих 6 фабрик за счет добавления еще 2-х новых. Мощности по продвинутой упаковке также планируется нарастить с 2 фабрик до 3-4. Это означает, что TSMC планирует довести число своих предприятий в Аризоне до 12, сохраняя высокие капитальные затраты в период с 2026 по 2028 год. Это примерно уравняет производственные мощности компании в США и на Тайване.
Сбой подачи газов в 3q2025 резко снизил прибыльность фабрик TSMC в США
На рынке усилились разговоры о стабильно высоких затратах на фабриках TSMC в США. А тут еще в 3q2025 неожиданное отключение электроэнергии у поставщика газа вызвало простои в несколько часов, что привело к выбраковке несколько тысяч пластин и сокращению квартальной прибыли на 99%. Этот инцидент подчеркнул пробелы в операционном управлении по сравнению с объектами на Тайване, где годами все работает как дорогие швейцарские часы.
Тем не менее, источники в цепочке поставок подтверждают твердую приверженность TSMC планам зарубежного расширения наряду с внутренним ростом.
Планы в Японии и Германии столкнулись с трудностями
Строительство 2-й фабрики TSMC в Кумамото (Япония) сталкивается с задержками из-за более слабого, чем ожидалось, объема заказов. Компания притормозила и с планами перехода с техпроцесса 6нм к 2-нм. Да и в целом «климат» не самый благоприятный для TSMC – крупных заказчиков настойчиво просят размещать все заказы у «отечественного производителя» Rapidus, экосистема – вода, электричество и т.п. – дорогие, вдобавок на рынке Японии не хватает квалифицированной рабочей силы. Раз уж мы упомянули Японию, то стоит отметить, что и строительство фаба Sony тоже замедлилось. Не в последнюю очередь и из-за стабильного роста мощностей 2нм в США и на Тайване.
Снизились и темпы строительства в рамках совместного предприятия TSMC в Германии. По схожим причинам.
Аризона становится центром зарубежного расширения
Фабрика TSMC P1, запустившая массовое производство в конце 2024 года, перешла с 5-нм на 4-нм процесс.
Строительство P2 ускорилось с планами установки оборудования к концу 2026 года и начала массового производства к концу 2027 года. Это соответствует требованиям крупных клиентов, таких как Apple, Nvidia и AMD.
Несмотря на преодоление первоначальных строительных сложностей сроки строительства фабрик P3–P6 были сдвинуты вправо. Строительство P3 уже начато; как P3, так и P4 будут ориентированы на процессы 2-нм и A16, тогда как P5 и P6 нацелены на A14 и более передовые техпроцессы. Еще более передовые техпроцессы ожидается внедрить на фабах P7 и P8.
Упаковочные мощности
Строительство двух предприятий продвинутой упаковки TSMC в США, AP1 и AP2 должно стартовать в начале 2026 года. Их строительство проще по сравнению с фабриками пластин, но все же ожидается, что AP1 начнет массовое производство только к 2028 году, сосредоточившись на технологиях SoIC и CoW (вероятно, имеются в виду CoWoS или аналоги).
В связи с значительным долгосрочным спросом на ИИ TSMC планирует добавить еще 2 фабрики по упаковке, хотя конкретные области их применения пока не определены. (..)
👍3🤔1
(2) Прогнозы капитальных затрат растут на фоне геополитического давления
TSMC прогнозирует капитальные затраты в размере $40–42 млрд в 2025 году, выделяя около 70% на передовые процессы, 10–20% на специализированные процессы и еще 10–20% на продвинутую упаковку, изготовление фотомасок и другие области. По оценкам рынка, капитальные затраты вырастут до $44–46 млрд США в 2026 году и потенциально превысят $50 млрд долларов США в 2027 и в 2028 годах.
Эксперты по полупроводникам отмечают, что TSMC полностью принимает геополитические реалии при администрации президента США Дональда Трампа. Чтобы удовлетворить требования клиентов из США, на которые приходится более 70% выручки, TSMC должна создать устойчивые глобальные цепочки поставок.
В СМИ упоминали о падении прибыли фабрики в Аризоне на 99% в 3q2025, что подчеркивает трудности производства в США.
Источники в цепочке поставок объясняют убытки главным образом нестабильной чистотой газа от поставщика Linde, что вынудило TSMC временно остановить производство, чтобы не рисковать потерей партии изделий, находящихся в производстве — это, скорее всего, разовое событие. В связи с недавним повышением цен на обработку пластин на фабрике в США TSMC стремится агрессивно повышать прибыльность своего бизнеса.
TSMC вновь заявила, что не будет комментировать рыночные слухи до телеконференции о результатах деятельности 15 января 2026 года. Аналитики ожидают мощного спроса, подпитываемого почти всеми крупными клиентами в сфере ИИ, размещающими заказы, при этом мощности 5/4/3-нм будут загруженными на полную мощность в течение ближайших лет. Вновь запущенные мощности по 2-нм процессу достигнут рекордных уровней в следующие 3 года при наличии бронирований от нескольких клиентов.
Поддерживаемый ежегодным повышением цен, темп роста выручки TSMC в долларах, по прогнозам, сохранится на уровне около 30% в 2026 и 2027 годах, при этом прибыль будет стремительно расти, а валовая маржа достигнет примерно 60%.
💎 Все, что происходит с TSMC, наглядно отражает геополитические тренды
Удвоение ставки на Аризону, несмотря на колоссальные издержки и низкую рентабельность – прямое следствие давления со стороны США и желания американских клиентов масштаба Apple, Nvidia и AMD замкнуть цепочку поставок компонентов на территории США. Замедление проектов в Германии и Японии подчеркивает, что США становятся безусловным геополитическим приоритетом для TSMC.
Планы по ускоренному строительству фабрик по 2-нм техпроцессу и дополнительных мощностей для продвинутой упаковки (CoWoS, SoIC) на 100% обусловлены взрывным спросом на чипы для искусственного интеллекта. Прогнозы о полной загрузке мощностей на годы вперед и росте выручки подтверждают, что ИИ остается главным драйвером инвестиций и роста в отрасли.
Стоимость лидерства и «локализации» - публикация иллюстрирует, как высока цена создания передовых полупроводниковых мощностей вне исторически сложившегося кластера в Восточной Азии. Тренд на локализацию ведет к росту издержек и сложностей, которые компании вынуждены принимать как данность. Стоит понимать, что это касается и российского рынка.
@RUSmicro по материалам Digitimes
TSMC прогнозирует капитальные затраты в размере $40–42 млрд в 2025 году, выделяя около 70% на передовые процессы, 10–20% на специализированные процессы и еще 10–20% на продвинутую упаковку, изготовление фотомасок и другие области. По оценкам рынка, капитальные затраты вырастут до $44–46 млрд США в 2026 году и потенциально превысят $50 млрд долларов США в 2027 и в 2028 годах.
Эксперты по полупроводникам отмечают, что TSMC полностью принимает геополитические реалии при администрации президента США Дональда Трампа. Чтобы удовлетворить требования клиентов из США, на которые приходится более 70% выручки, TSMC должна создать устойчивые глобальные цепочки поставок.
В СМИ упоминали о падении прибыли фабрики в Аризоне на 99% в 3q2025, что подчеркивает трудности производства в США.
Источники в цепочке поставок объясняют убытки главным образом нестабильной чистотой газа от поставщика Linde, что вынудило TSMC временно остановить производство, чтобы не рисковать потерей партии изделий, находящихся в производстве — это, скорее всего, разовое событие. В связи с недавним повышением цен на обработку пластин на фабрике в США TSMC стремится агрессивно повышать прибыльность своего бизнеса.
TSMC вновь заявила, что не будет комментировать рыночные слухи до телеконференции о результатах деятельности 15 января 2026 года. Аналитики ожидают мощного спроса, подпитываемого почти всеми крупными клиентами в сфере ИИ, размещающими заказы, при этом мощности 5/4/3-нм будут загруженными на полную мощность в течение ближайших лет. Вновь запущенные мощности по 2-нм процессу достигнут рекордных уровней в следующие 3 года при наличии бронирований от нескольких клиентов.
Поддерживаемый ежегодным повышением цен, темп роста выручки TSMC в долларах, по прогнозам, сохранится на уровне около 30% в 2026 и 2027 годах, при этом прибыль будет стремительно расти, а валовая маржа достигнет примерно 60%.
Удвоение ставки на Аризону, несмотря на колоссальные издержки и низкую рентабельность – прямое следствие давления со стороны США и желания американских клиентов масштаба Apple, Nvidia и AMD замкнуть цепочку поставок компонентов на территории США. Замедление проектов в Германии и Японии подчеркивает, что США становятся безусловным геополитическим приоритетом для TSMC.
Планы по ускоренному строительству фабрик по 2-нм техпроцессу и дополнительных мощностей для продвинутой упаковки (CoWoS, SoIC) на 100% обусловлены взрывным спросом на чипы для искусственного интеллекта. Прогнозы о полной загрузке мощностей на годы вперед и росте выручки подтверждают, что ИИ остается главным драйвером инвестиций и роста в отрасли.
Стоимость лидерства и «локализации» - публикация иллюстрирует, как высока цена создания передовых полупроводниковых мощностей вне исторически сложившегося кластера в Восточной Азии. Тренд на локализацию ведет к росту издержек и сложностей, которые компании вынуждены принимать как данность. Стоит понимать, что это касается и российского рынка.
@RUSmicro по материалам Digitimes
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
👍4🤔1
🇻🇳 Господдержка. Вьетнам
Новый национальный координационный центр поддержит развитие полупроводниковой промышленности Вьетнама
Вьетнам сделал еще один шаг к усилению своей полупроводниковой промышленности, создав Вьетнамский национальный координационный центр по многопроектным разработкам микросхем (VNMPW/CC) при Министерстве информационных технологий (DIT).
VNMPW/CC будет совместно с директором DIT отвечать за надзор за полупроводниковой промышленностью Вьетнама и поддерживать пилотные проекты по производству микросхем для стимулирования роста сектора.
Центр будет предоставлять необходимую инфраструктуру и государственные услуги для обеспечения проектирования и прототипирования полупроводников в рамках более широкой промышленной стратегии Вьетнама.
Эти услуги включают:
🔹 Предоставление доступа к специализированному ПО для автоматизации проектирования электроники
🔹 Обмен библиотеками интеллектуальной собственности
🔹 Проведение технической проверки проекта
🔹 Измерение и оценка производительности и качества микросхем после пилотного производства
VNMPW/CC также будет способствовать развитию экосистемы и международному сотрудничеству для стимулирования отечественных инноваций в полупроводниковой отрасли. Это соответствует усилиям правительства по развитию технических возможностей в этом секторе и более глубокой интеграции Вьетнама в глобальные цепочки поставок.
Развитие трудовых ресурсов как стратегический приоритет
Человеческий капитал играет решающую роль в амбициях Вьетнама в полупроводниковой отрасли, особенно по мере перехода страны от традиционных областей, таких как сборка, упаковка и тестирование, к более продвинутым сегментам цепочки создания стоимости полупроводников.
В настоящее время во Вьетнаме работают более 7 тысяч инженеров-проектировщиков интегральных схем, обладающих навыками в области упаковки, тестирования, материалов и полупроводникового оборудования. К 2025 году число инженеров-проектировщиков полупроводников в стране увеличилось почти на 1 тысячу человек, главным образом за счет повышения квалификации инженеров из смежных областей.
Сохраняются проблемы в масштабировании обучения, расширении лабораторных мощностей и увеличении числа квалифицированных преподавателей и экспертов.
В этом контексте создание стратегически важных кадров для полупроводниковой промышленности стало ключевой задачей Вьетнамской национальной программы развития трудовых ресурсов и Центра развития полупроводниковой промышленности. Для достижения этой цели будут организованы интенсивные практические курсы и оказана поддержка университетам в деятельности по проектированию микросхем, направленные на развитие высококвалифицированных инженерных кадров для этого важнейшего сектора. (..)
Новый национальный координационный центр поддержит развитие полупроводниковой промышленности Вьетнама
Вьетнам сделал еще один шаг к усилению своей полупроводниковой промышленности, создав Вьетнамский национальный координационный центр по многопроектным разработкам микросхем (VNMPW/CC) при Министерстве информационных технологий (DIT).
VNMPW/CC будет совместно с директором DIT отвечать за надзор за полупроводниковой промышленностью Вьетнама и поддерживать пилотные проекты по производству микросхем для стимулирования роста сектора.
Центр будет предоставлять необходимую инфраструктуру и государственные услуги для обеспечения проектирования и прототипирования полупроводников в рамках более широкой промышленной стратегии Вьетнама.
Эти услуги включают:
🔹 Предоставление доступа к специализированному ПО для автоматизации проектирования электроники
🔹 Обмен библиотеками интеллектуальной собственности
🔹 Проведение технической проверки проекта
🔹 Измерение и оценка производительности и качества микросхем после пилотного производства
VNMPW/CC также будет способствовать развитию экосистемы и международному сотрудничеству для стимулирования отечественных инноваций в полупроводниковой отрасли. Это соответствует усилиям правительства по развитию технических возможностей в этом секторе и более глубокой интеграции Вьетнама в глобальные цепочки поставок.
Развитие трудовых ресурсов как стратегический приоритет
Человеческий капитал играет решающую роль в амбициях Вьетнама в полупроводниковой отрасли, особенно по мере перехода страны от традиционных областей, таких как сборка, упаковка и тестирование, к более продвинутым сегментам цепочки создания стоимости полупроводников.
В настоящее время во Вьетнаме работают более 7 тысяч инженеров-проектировщиков интегральных схем, обладающих навыками в области упаковки, тестирования, материалов и полупроводникового оборудования. К 2025 году число инженеров-проектировщиков полупроводников в стране увеличилось почти на 1 тысячу человек, главным образом за счет повышения квалификации инженеров из смежных областей.
Сохраняются проблемы в масштабировании обучения, расширении лабораторных мощностей и увеличении числа квалифицированных преподавателей и экспертов.
В этом контексте создание стратегически важных кадров для полупроводниковой промышленности стало ключевой задачей Вьетнамской национальной программы развития трудовых ресурсов и Центра развития полупроводниковой промышленности. Для достижения этой цели будут организованы интенсивные практические курсы и оказана поддержка университетам в деятельности по проектированию микросхем, направленные на развитие высококвалифицированных инженерных кадров для этого важнейшего сектора. (..)
(2) Кроме того, Вьетнам запустил 2 национальные стратегии по расширению кадрового резерва и приведению учебных программ в соответствие с потребностями отрасли, способствуя долгосрочному росту сектора. К ним относятся Стратегия 1018 по развитию полупроводниковой промышленности Вьетнама до 2030 года с перспективой до 2050 года и Программа 1017 по развитию человеческих ресурсов в этом секторе.
Эти инициативы отражают стратегическую цель правительства — развить полупроводниковую промышленность в ведущую высокотехнологичную отрасль, где развитие человеческих ресурсов является важнейшей опорой.
Коммерческие достижения: первый экспорт микросхем по многолетнему контракту
Прогресс частного сектора во вьетнамской полупроводниковой промышленности начал материализовываться. В конце декабря 2025 года вьетнамская корпорация FPT Semiconductor экспортировала первую партию коммерчески произведенных полупроводниковых микросхем японскому дистрибьютору электроники по многолетнему контракту. Эта поставка является ощутимой вехой для экспорта вьетнамских микросхем и позиционирует разработанную внутри страны интеллектуальную собственность для более широких рынков Азиатско-Тихоокеанского региона.
Разработанные в Вьетнаме микросхемы управления питанием демонстрируют свою способность соответствовать строгим японским промышленным стандартам надежности, безопасности и экологической безопасности, которые являются одними из самых жестких в мировой электронной промышленности. Это подчеркивает растущую компетентность Вьетнама в области проверки проектирования и обеспечения качества.
@RUSmicro по материалам Vietnam Briefing
Эти инициативы отражают стратегическую цель правительства — развить полупроводниковую промышленность в ведущую высокотехнологичную отрасль, где развитие человеческих ресурсов является важнейшей опорой.
Коммерческие достижения: первый экспорт микросхем по многолетнему контракту
Прогресс частного сектора во вьетнамской полупроводниковой промышленности начал материализовываться. В конце декабря 2025 года вьетнамская корпорация FPT Semiconductor экспортировала первую партию коммерчески произведенных полупроводниковых микросхем японскому дистрибьютору электроники по многолетнему контракту. Эта поставка является ощутимой вехой для экспорта вьетнамских микросхем и позиционирует разработанную внутри страны интеллектуальную собственность для более широких рынков Азиатско-Тихоокеанского региона.
Разработанные в Вьетнаме микросхемы управления питанием демонстрируют свою способность соответствовать строгим японским промышленным стандартам надежности, безопасности и экологической безопасности, которые являются одними из самых жестких в мировой электронной промышленности. Это подчеркивает растущую компетентность Вьетнама в области проверки проектирования и обеспечения качества.
@RUSmicro по материалам Vietnam Briefing
👍5
🇺🇸 Космическое производство полупроводников. Участники рынка. Тренды. США
Aegis Aerospace и United Semiconductors запускают коммерческое производство полупроводников в космосе
Американские компании Aegis Aerospace и United Semiconductors LLC (USLLC) объявили о партнерстве для создания коммерческого предприятия по производству полупроводниковых материалов на низкой околоземной орбите (НОО). Это стало возможным благодаря гранту, полученному Aegis от Космической комиссии Техаса.
Цель сотрудничества — использовать уникальные условия микрогравитации на орбите для производства полупроводников с беспрецедентным качеством. Платформа Aegis Advanced Materials Manufacturing Platform (AMMP) станет основой для этой работы.
Почему этим занялась USLLC?
У этой компания есть очень интересная экспертиза, она заявляет, что является «единственным в США» производителем бинарных полупроводников III-V на 6-дюймовых подложках и «единственным в мире» — тройных полупроводников III-V на подложках большой площади.
Бинарные, то есть состоящие из двух элементов соединения (A³B⁵ или A²B⁶) хорошо известны каждому читателю RUSmicro, это, например, арсенид галлия (GaAs) и нитрид галлия (GaN), а также менее «раскачанный» антимонид индия (InSb), используемый, например, в ИК-датчиках.
Тройные – это так называемые «твердые растворы». Они образуются при легировании бинарного соединения третьим элементом, что позволяет точно настраивать желаемые свойства, например, ширину запрещенной зоны. Например, это твердые растворы на основе систем GaAs-CdSe или InSb-CdS, применяемые в создании высокочувствительных газовых сенсоров.
Кроме того, у USLLC есть опыт производства полупроводников на борту МКС, которые позволили проверить жизнеспособность технологии:
В 2024 году было проведено выращивание кристаллов в печи SUBSA на МКС, а в 2025 году – второй партии, причем отрабатывалась возможность нарастить объемы и сократить сроки производства. Заявлялось, что выход годных оказался в 10 раз выше, чем в наземных условиях (спасибо микрогравитации на орбите).
Конкретные планы на орбите
Партнёрство нацелено на переход от экспериментов к коммерческому производству. В ближайшей перспективе планируется:
🔹 Увеличить объёмы производства в космосе.
🔹 Сократить время цикла выращивания кристаллов на орбите.
🔹 Отработать контроль микроструктуры материалов для заданных свойств.
Зачем это нужно?
Космическое производство позволяет получать сверхчистые и однородные кристаллы, которые практически невозможно вырастить на Земле из-за гравитационных искажений. Такие материалы критически важны для:
🔹 Оборонной и космической электроники (устойчивой к радиации).
🔹 Квантовых вычислений, ИИ и телекоммуникаций.
🔹 Высокочувствительных сенсоров нового поколения
А еще на орбите – близкая к вакууму среда без необходимости использования громоздких и дорогих насосов и практически бесплатная энергия от солнечных батарей.
Создаваемое партнёрство — важный для США шаг к созданию устойчивой коммерческой экономики на низкой околоземной орбите и укреплению технологического суверенитета США в критически важной области.
В связи с этой новостью можем вспомнить, что российские ученые ранее тоже вырастили на МКС первые полупроводниковые кристаллы GaAs методом МЛЭ. И, конечно, стоит помнить о британской SpaceForge – эта компания планирует наладить серийное космическое полупроводниковое производство на низких орбитах уже в ближайшие годы. Вряд ли тему космического производства микроэлектроники обойдут Китай и Япония.
@RUSmicro по материалам Semiconductor Today
Aegis Aerospace и United Semiconductors запускают коммерческое производство полупроводников в космосе
Американские компании Aegis Aerospace и United Semiconductors LLC (USLLC) объявили о партнерстве для создания коммерческого предприятия по производству полупроводниковых материалов на низкой околоземной орбите (НОО). Это стало возможным благодаря гранту, полученному Aegis от Космической комиссии Техаса.
Цель сотрудничества — использовать уникальные условия микрогравитации на орбите для производства полупроводников с беспрецедентным качеством. Платформа Aegis Advanced Materials Manufacturing Platform (AMMP) станет основой для этой работы.
Почему этим занялась USLLC?
У этой компания есть очень интересная экспертиза, она заявляет, что является «единственным в США» производителем бинарных полупроводников III-V на 6-дюймовых подложках и «единственным в мире» — тройных полупроводников III-V на подложках большой площади.
Бинарные, то есть состоящие из двух элементов соединения (A³B⁵ или A²B⁶) хорошо известны каждому читателю RUSmicro, это, например, арсенид галлия (GaAs) и нитрид галлия (GaN), а также менее «раскачанный» антимонид индия (InSb), используемый, например, в ИК-датчиках.
Тройные – это так называемые «твердые растворы». Они образуются при легировании бинарного соединения третьим элементом, что позволяет точно настраивать желаемые свойства, например, ширину запрещенной зоны. Например, это твердые растворы на основе систем GaAs-CdSe или InSb-CdS, применяемые в создании высокочувствительных газовых сенсоров.
Кроме того, у USLLC есть опыт производства полупроводников на борту МКС, которые позволили проверить жизнеспособность технологии:
В 2024 году было проведено выращивание кристаллов в печи SUBSA на МКС, а в 2025 году – второй партии, причем отрабатывалась возможность нарастить объемы и сократить сроки производства. Заявлялось, что выход годных оказался в 10 раз выше, чем в наземных условиях (спасибо микрогравитации на орбите).
Конкретные планы на орбите
Партнёрство нацелено на переход от экспериментов к коммерческому производству. В ближайшей перспективе планируется:
🔹 Увеличить объёмы производства в космосе.
🔹 Сократить время цикла выращивания кристаллов на орбите.
🔹 Отработать контроль микроструктуры материалов для заданных свойств.
Зачем это нужно?
Космическое производство позволяет получать сверхчистые и однородные кристаллы, которые практически невозможно вырастить на Земле из-за гравитационных искажений. Такие материалы критически важны для:
🔹 Оборонной и космической электроники (устойчивой к радиации).
🔹 Квантовых вычислений, ИИ и телекоммуникаций.
🔹 Высокочувствительных сенсоров нового поколения
А еще на орбите – близкая к вакууму среда без необходимости использования громоздких и дорогих насосов и практически бесплатная энергия от солнечных батарей.
Создаваемое партнёрство — важный для США шаг к созданию устойчивой коммерческой экономики на низкой околоземной орбите и укреплению технологического суверенитета США в критически важной области.
В связи с этой новостью можем вспомнить, что российские ученые ранее тоже вырастили на МКС первые полупроводниковые кристаллы GaAs методом МЛЭ. И, конечно, стоит помнить о британской SpaceForge – эта компания планирует наладить серийное космическое полупроводниковое производство на низких орбитах уже в ближайшие годы. Вряд ли тему космического производства микроэлектроники обойдут Китай и Япония.
@RUSmicro по материалам Semiconductor Today