(2) Экспериментальные результаты и прототипы
На уровне исследовательских прототипов продемонстрированы следующие характеристики:
▫️ Площадь ячейки: порядка 4F²
▫️ Архитектура: вертикальные IGZO-транзисторы с двойным затвором
▫️ Тип ячейки: 2T0C
▫️ Многоуровневое хранение (MLC): до 4 бит информации в одной ячейке
▫️ Время записи: десятки наносекунд (порядка 50 нс)
▫️ Удержание данных: сотни секунд при температуре до 85 °C
В ряде работ применяются самовыравнивающиеся технологические подходы, включая процессы формирования металлических электродов с in-situ окислением, что позволяет повысить повторяемость параметров и уменьшить вариабельность ячеек.
Монолитная 3D DRAM как ключевое преимущество
Основным стратегическим преимуществом 2T0C-архитектуры является возможность создания монолитной 3D DRAM, в которой слои памяти формируются непосредственно на одном кристалле, без склеивания готовых чипов, как это делается в современных HBM-решениях. Такой подход потенциально снижает энергопотребление, увеличивает пропускную способность и упрощает интеграцию функций «обработки в памяти» (Processing-in-Memory, PiM).
Участники исследований и промышленный контекст
Значительный вклад в развитие данной технологии внесли международные исследовательские центры, включая imec (Бельгия), а также научные группы в Китае — в частности, Институт микроэлектроники Китайской академии наук (IME CAS) в сотрудничестве с рядом университетов и профильных академий. Эти работы демонстрируют жизнеспособность вертикальных 4F² 2T0C-ячеек, однако пока остаются на уровне лабораторных и предсерийных прототипов.
Крупные производители памяти — Samsung, SK hynix и другие — также исследуют пути перехода к ячейкам меньшей площади и 3D-архитектурам, включая использование оксидных каналов. Однако коммерческих продуктов DRAM на основе IGZO-2T0C на сегодняшний день не анонсировано.
💎 Перспективы развития
В краткосрочной перспективе наиболее вероятным сценарием остается внедрение 4F²-архитектур с сохранением конденсатора (2T1C) в традиционных DRAM-чипах. Безконденсаторные 2T0C-ячейки рассматриваются как следующий этап эволюции, реализация которого потребует дополнительных лет исследований, отработки технологических процессов и подтверждения надежности на промышленных объемах.
Таким образом, 2T0C-DRAM с вертикальными IGZO-транзисторами сегодня представляет собой одну из наиболее перспективных, но все еще исследовательских технологий, способных в будущем радикально изменить подход к масштабированию и трехмерной интеграции.
@RUSmicro,
Картинка - Институт микроэлектроники Китайской академии наук. На ней изображена схема и картинка, полученная на электронном микроскопе массива памяти 4F² 2T0C.
На уровне исследовательских прототипов продемонстрированы следующие характеристики:
▫️ Площадь ячейки: порядка 4F²
▫️ Архитектура: вертикальные IGZO-транзисторы с двойным затвором
▫️ Тип ячейки: 2T0C
▫️ Многоуровневое хранение (MLC): до 4 бит информации в одной ячейке
▫️ Время записи: десятки наносекунд (порядка 50 нс)
▫️ Удержание данных: сотни секунд при температуре до 85 °C
В ряде работ применяются самовыравнивающиеся технологические подходы, включая процессы формирования металлических электродов с in-situ окислением, что позволяет повысить повторяемость параметров и уменьшить вариабельность ячеек.
Монолитная 3D DRAM как ключевое преимущество
Основным стратегическим преимуществом 2T0C-архитектуры является возможность создания монолитной 3D DRAM, в которой слои памяти формируются непосредственно на одном кристалле, без склеивания готовых чипов, как это делается в современных HBM-решениях. Такой подход потенциально снижает энергопотребление, увеличивает пропускную способность и упрощает интеграцию функций «обработки в памяти» (Processing-in-Memory, PiM).
Участники исследований и промышленный контекст
Значительный вклад в развитие данной технологии внесли международные исследовательские центры, включая imec (Бельгия), а также научные группы в Китае — в частности, Институт микроэлектроники Китайской академии наук (IME CAS) в сотрудничестве с рядом университетов и профильных академий. Эти работы демонстрируют жизнеспособность вертикальных 4F² 2T0C-ячеек, однако пока остаются на уровне лабораторных и предсерийных прототипов.
Крупные производители памяти — Samsung, SK hynix и другие — также исследуют пути перехода к ячейкам меньшей площади и 3D-архитектурам, включая использование оксидных каналов. Однако коммерческих продуктов DRAM на основе IGZO-2T0C на сегодняшний день не анонсировано.
В краткосрочной перспективе наиболее вероятным сценарием остается внедрение 4F²-архитектур с сохранением конденсатора (2T1C) в традиционных DRAM-чипах. Безконденсаторные 2T0C-ячейки рассматриваются как следующий этап эволюции, реализация которого потребует дополнительных лет исследований, отработки технологических процессов и подтверждения надежности на промышленных объемах.
Таким образом, 2T0C-DRAM с вертикальными IGZO-транзисторами сегодня представляет собой одну из наиболее перспективных, но все еще исследовательских технологий, способных в будущем радикально изменить подход к масштабированию и трехмерной интеграции.
@RUSmicro,
Картинка - Институт микроэлектроники Китайской академии наук. На ней изображена схема и картинка, полученная на электронном микроскопе массива памяти 4F² 2T0C.
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
👍2
📈 Силовая электроника. Широкозонные полупроводники. Тренды. Мнения
Чипы на SiC и GaN: главные тренды 2025 года
Что происходит в мире силовой электроники на базе широкозонных полупроводников - подробнее читайте в детальном обзоре Дмитрия Боднаря для журнала Электронные компоненты, №12, 2025.
Главный тренд: переход к стандартным пластинам большого размера
Ключевой стратегией всех крупных игроков стал стремительный переход с пластин диаметром 150 мм на 200 мм и даже 300 мм. Еще 4–5 лет назад стандартом были 100 мм, а сегодня 150 мм уже считается устаревшим. Зачем это нужно?
Простой пример: переход с 150 мм на 200 мм дает почти двукратное увеличение количества чипов с одной пластины при почти неизменной себестоимости процесса. Это самый эффективный путь снижения цены конечных устройств.
Кто и как переходит на новый размер?
▫️TSMC полностью закрывает свое производство GaN-on-Si на 150-мм пластинах.
▫️Infineon разрабатывает пластины SiC диаметром 300 мм, массовое производство планируется на 2026 год.
▫️Innoscience (Китай) уже запустила линию 200-мм пластин мощностью 10 тыс. пластин в месяц.
▫️Texas Instruments, Nexperia, XFAB, GlobalFoundries — все либо уже выпускают, либо активно готовят производство на 200–300 мм пластинах.
Нет ни одной крупной IDM- или фаундри-компании, которая бы не готовила этот переход. На заметку всем, кто цепляется за пластины 150 мм (и 200 мм) будто экономика процесса не имеет значения (и так купят, куда денутся?).
Новые технологии меняют правила игры
Помимо размера, появляются и принципиально новые подходы, которые могут перевернуть рынок.
🔸 GaN-on-QST: технологию лицензировала тайваньская компания VIS. Эта технология в ближайшие годы может лишить IDM-компании их ключевых преимуществ, изменив весь рыночный ландшафт.
🔸 Победа китайских цен: Китайские компании (например, SICC и SuperSiC) активно осваивают выпуск 300-мм пластин SiC на собственном оборудовании. Их агрессивная ценовая политика уже привела к банкротству некоторых западных конкурентов (как бельгийская BelGaN) и заставляет пересматривать бизнес-модели.
🔸 Новые материалы: Исследования с перспективными материалами, такими как AlN и ScAlN, переходят из лабораторий в прикладную стадию.
💎 Индустрия переживает этап стремительной эволюции и жесткой консолидации. Побеждать будут те, кто сможет эффективно масштабироваться до 300 мм, контролировать всю цепочку создания стоимости и противостоять ценовому давлению с востока.
@RUSmicro
Чипы на SiC и GaN: главные тренды 2025 года
Что происходит в мире силовой электроники на базе широкозонных полупроводников - подробнее читайте в детальном обзоре Дмитрия Боднаря для журнала Электронные компоненты, №12, 2025.
Главный тренд: переход к стандартным пластинам большого размера
Ключевой стратегией всех крупных игроков стал стремительный переход с пластин диаметром 150 мм на 200 мм и даже 300 мм. Еще 4–5 лет назад стандартом были 100 мм, а сегодня 150 мм уже считается устаревшим. Зачем это нужно?
Простой пример: переход с 150 мм на 200 мм дает почти двукратное увеличение количества чипов с одной пластины при почти неизменной себестоимости процесса. Это самый эффективный путь снижения цены конечных устройств.
Кто и как переходит на новый размер?
▫️TSMC полностью закрывает свое производство GaN-on-Si на 150-мм пластинах.
▫️Infineon разрабатывает пластины SiC диаметром 300 мм, массовое производство планируется на 2026 год.
▫️Innoscience (Китай) уже запустила линию 200-мм пластин мощностью 10 тыс. пластин в месяц.
▫️Texas Instruments, Nexperia, XFAB, GlobalFoundries — все либо уже выпускают, либо активно готовят производство на 200–300 мм пластинах.
Нет ни одной крупной IDM- или фаундри-компании, которая бы не готовила этот переход. На заметку всем, кто цепляется за пластины 150 мм (и 200 мм) будто экономика процесса не имеет значения (и так купят, куда денутся?).
Новые технологии меняют правила игры
Помимо размера, появляются и принципиально новые подходы, которые могут перевернуть рынок.
🔸 GaN-on-QST: технологию лицензировала тайваньская компания VIS. Эта технология в ближайшие годы может лишить IDM-компании их ключевых преимуществ, изменив весь рыночный ландшафт.
🔸 Победа китайских цен: Китайские компании (например, SICC и SuperSiC) активно осваивают выпуск 300-мм пластин SiC на собственном оборудовании. Их агрессивная ценовая политика уже привела к банкротству некоторых западных конкурентов (как бельгийская BelGaN) и заставляет пересматривать бизнес-модели.
🔸 Новые материалы: Исследования с перспективными материалами, такими как AlN и ScAlN, переходят из лабораторий в прикладную стадию.
@RUSmicro
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
Время электроники
Полупроводниковая микроэлектроника – 2025 г. Часть 2.2. Стремительная эволюция технологий и приборов на основе широкозонных полупроводников…
Мировая полупроводниковая отрасль в производстве ШЗП переходит на пластины диаметром 200–300 мм, что приведет к снижению себестоимости, рыночным ценам чипов и росту конкуренции. Компания Onsemi анонсирует высоковольтную вертикальную технологию GaN-on-GaN.…
👍4
🇺🇸 ИИ-чипы. Анонсы. Участники рынка. США
AMD на CES 2026 - ИИ повсюду и вызов Nvidia
На CES 2026 в Лас-Вегасе глава AMD Лиза Су представила планы компании по захвату ИИ-рынка от дата-центров до персональных компьютеров. Компания представила по-сути экосистему продукции. Ключевая амбиция — увеличить производительность своих ускорителей для ИИ в 1000 раз к 2027 году.
Война за железо для ЦОД
Ключевая премьера — концептуальная стойка для ИИ Helios. Производительность: ~3 экзафлопса на стойку, что в 10 раз выше, чем у предшественников. Это еще не коммерческий продукт, а скорее уровень блюпринта. Эту разработку можно считать прямым вызовом лидеру Nvidia, хотя AMD и не заявляла о такой цели. В любом случае это решение будет конкурировать за рынок ИИ-платформ «стоечного уровня».
Начинка: до 72 новых ускорителей Instinct MI455X, 256-ядерные процессоры Epyc Venice на 2-нм техпроцессе и сетевые карты AMD Pensando Vulcano, программная экосистема - AMD ROCm.
Был также представлен компактный ускоритель для корпоративных ИИ задач в локальных ЦОД GPU MI440X в форм-факторе 8хGPU. MI440X создан на основе недавно анонсированных графических процессоров AMD Instinct MI430X. Графические процессоры MI430X можно будет использовать для научных, суверенных и HPC применений.
AMD поделилась дополнительными подробностями о графических процессорах AMD Instinct MI500 следующего поколения, запуск которых запланирован на 2027 год. Серия MI500 (на 2нм и архитектуре AMD CDNA 6 с памятью HBM4E), как ожидается, обеспечит до 1000-кратного роста производительности ИИ по сравнению с графическими процессорами AMD Instinct MI300X, представленными в 2023 году.
Ставка на ИИ в ноутбуке
Массовому рынку адресованы мобильные процессоры Ryzen AI 400 Series (кодовое название Gorgon Point) и Ryzen AI PRO 400 Series. Главный козырь — встроенный нейропроцессор (NPU) второго поколения XDNA 2. Первые системы с этими процессорами поступят в продажу в январе 2026 года, а более широкая доступность для OEM-производителей ожидается в первом квартале 2026 года.
Ryzen AI 9 HX 475 получила 12 ядер (24 потока), тактовая частота 5.2 ГГц, заявляемая производительность NPU – 60 TOPS. Это основа для создания ноутбуков, способных локально справляться с такими задачами, как ИИ-обработка фото и видео, обеспечивать работу умных ассистентов.
ИИ повсюду
AMD представила процессоры Ryzen AI Embedded — новую линейку встраиваемых процессоров x86, предназначенных для работы с приложениями на основе ИИ на периферии сети.
Для разработчиков
Для создания и тестирования ИИ-моделей AMD выпускает мини-ПК Ryzen AI Halo, аналог Nvidia DGX Spark. Компактное устройство с флагманским Ryzen AI Max+ (392 или 388) поддержит ИИ модель с количеством параметров до 128 млрд и предоставит до 128 ГБ унифицированной памяти.
Война объявлена
Компании осталось убедить рынок в зрелости своего программного стека ROCm и выполнить все новые общания.
Хозяйке на заметку
В AMD ожидают расширение глобальных вычислительных мощностей с сегодняшних 100 зеттафлопс до более 10 йоттафлопс в течение следующих 5 лет.
@RUSmicro по материалам AMD
AMD на CES 2026 - ИИ повсюду и вызов Nvidia
На CES 2026 в Лас-Вегасе глава AMD Лиза Су представила планы компании по захвату ИИ-рынка от дата-центров до персональных компьютеров. Компания представила по-сути экосистему продукции. Ключевая амбиция — увеличить производительность своих ускорителей для ИИ в 1000 раз к 2027 году.
Война за железо для ЦОД
Ключевая премьера — концептуальная стойка для ИИ Helios. Производительность: ~3 экзафлопса на стойку, что в 10 раз выше, чем у предшественников. Это еще не коммерческий продукт, а скорее уровень блюпринта. Эту разработку можно считать прямым вызовом лидеру Nvidia, хотя AMD и не заявляла о такой цели. В любом случае это решение будет конкурировать за рынок ИИ-платформ «стоечного уровня».
Начинка: до 72 новых ускорителей Instinct MI455X, 256-ядерные процессоры Epyc Venice на 2-нм техпроцессе и сетевые карты AMD Pensando Vulcano, программная экосистема - AMD ROCm.
Был также представлен компактный ускоритель для корпоративных ИИ задач в локальных ЦОД GPU MI440X в форм-факторе 8хGPU. MI440X создан на основе недавно анонсированных графических процессоров AMD Instinct MI430X. Графические процессоры MI430X можно будет использовать для научных, суверенных и HPC применений.
AMD поделилась дополнительными подробностями о графических процессорах AMD Instinct MI500 следующего поколения, запуск которых запланирован на 2027 год. Серия MI500 (на 2нм и архитектуре AMD CDNA 6 с памятью HBM4E), как ожидается, обеспечит до 1000-кратного роста производительности ИИ по сравнению с графическими процессорами AMD Instinct MI300X, представленными в 2023 году.
Ставка на ИИ в ноутбуке
Массовому рынку адресованы мобильные процессоры Ryzen AI 400 Series (кодовое название Gorgon Point) и Ryzen AI PRO 400 Series. Главный козырь — встроенный нейропроцессор (NPU) второго поколения XDNA 2. Первые системы с этими процессорами поступят в продажу в январе 2026 года, а более широкая доступность для OEM-производителей ожидается в первом квартале 2026 года.
Ryzen AI 9 HX 475 получила 12 ядер (24 потока), тактовая частота 5.2 ГГц, заявляемая производительность NPU – 60 TOPS. Это основа для создания ноутбуков, способных локально справляться с такими задачами, как ИИ-обработка фото и видео, обеспечивать работу умных ассистентов.
ИИ повсюду
AMD представила процессоры Ryzen AI Embedded — новую линейку встраиваемых процессоров x86, предназначенных для работы с приложениями на основе ИИ на периферии сети.
Для разработчиков
Для создания и тестирования ИИ-моделей AMD выпускает мини-ПК Ryzen AI Halo, аналог Nvidia DGX Spark. Компактное устройство с флагманским Ryzen AI Max+ (392 или 388) поддержит ИИ модель с количеством параметров до 128 млрд и предоставит до 128 ГБ унифицированной памяти.
Война объявлена
Компании осталось убедить рынок в зрелости своего программного стека ROCm и выполнить все новые общания.
Хозяйке на заметку
В AMD ожидают расширение глобальных вычислительных мощностей с сегодняшних 100 зеттафлопс до более 10 йоттафлопс в течение следующих 5 лет.
@RUSmicro по материалам AMD
👍4🤣1
🇮🇳 Господдержка. Индия
В Индии углубляют программу локализации производства электроники – правительство обещает стимулировать производство электронных компонентов на $4.6 млрд в ближайшие 6 лет
Индия, как и практически любая крупная страна, сейчас активно озаботилась созданием локализованного производства микроэлектроники и электроники.
В рамках госинициативы в Индии одобрили 22 проекта на сумму 418.6 млрд индийских рупий ($4.6 млрд) с общей задачей роста внутреннего производства электронных компонентов. Это субсидирование будет осуществляться в рамках государственной схемы Electronics Components Manufacturing Scheme (ECMS), запущенной в марте 2025 года.
Приоритетно будут субсидироваться проекты создания предприятий, которые должны будут наладить выпуск электронных компонентов. Поддержку получат проекты не только индийских, но и зарубежных компаний, готовых инвестировать в производство в Индии. В частности, госсубсидии получат корейский Samsung у которого уже есть сборочная фабрика в Ноиде (Уттар-Прадеш) и тайвньская Foxconn. Если говорить об индийских проектах, то одним из получателей субсидий станет Tata Electronics.
Кроме проектов создания новых предприятий, часть поддержки распространится также на производство электронных компонентов. И не только электронных, в частности, планируется поддержать, например, производство медных ламинатов, полипропиленовой пленки для конденсаторов, выпуск печатных плат.
Как ожидается, реализация этих планов позволит создать в Индии 33.8 тысяч прямых рабочих мест. Среди других задач индийской программы ECMS – «приземление» в Индии производственных цепочек – от материалов до готовых модулей, обеспечение собственными компонентами внутреннего рынка и выход на мировой рынок в рамках глобального экспорта.
Министерство электроники и информационных технологий страны (MEitY) сообщило, что на данный момент в рамках программы ECMS одобрено в общей сложности 46 заявок из 11 штатов.
@RUSmicro
В Индии углубляют программу локализации производства электроники – правительство обещает стимулировать производство электронных компонентов на $4.6 млрд в ближайшие 6 лет
Индия, как и практически любая крупная страна, сейчас активно озаботилась созданием локализованного производства микроэлектроники и электроники.
В рамках госинициативы в Индии одобрили 22 проекта на сумму 418.6 млрд индийских рупий ($4.6 млрд) с общей задачей роста внутреннего производства электронных компонентов. Это субсидирование будет осуществляться в рамках государственной схемы Electronics Components Manufacturing Scheme (ECMS), запущенной в марте 2025 года.
Приоритетно будут субсидироваться проекты создания предприятий, которые должны будут наладить выпуск электронных компонентов. Поддержку получат проекты не только индийских, но и зарубежных компаний, готовых инвестировать в производство в Индии. В частности, госсубсидии получат корейский Samsung у которого уже есть сборочная фабрика в Ноиде (Уттар-Прадеш) и тайвньская Foxconn. Если говорить об индийских проектах, то одним из получателей субсидий станет Tata Electronics.
Кроме проектов создания новых предприятий, часть поддержки распространится также на производство электронных компонентов. И не только электронных, в частности, планируется поддержать, например, производство медных ламинатов, полипропиленовой пленки для конденсаторов, выпуск печатных плат.
Как ожидается, реализация этих планов позволит создать в Индии 33.8 тысяч прямых рабочих мест. Среди других задач индийской программы ECMS – «приземление» в Индии производственных цепочек – от материалов до готовых модулей, обеспечение собственными компонентами внутреннего рынка и выход на мировой рынок в рамках глобального экспорта.
Министерство электроники и информационных технологий страны (MEitY) сообщило, что на данный момент в рамках программы ECMS одобрено в общей сложности 46 заявок из 11 штатов.
@RUSmicro
❤2
🇺🇸 Процессоры. Чиплеты. Участники рынка. США
Intel анонсировал процессоры Core Ultra Series 3 (Panther Lake)
На выставке CES 2026 компания Intel представила новое поколение процессоров Core Ultra Series 3 на архитектуре Panther Lake и передовом техпроцессе Intel 18A.
Что показала Intel?
Главный козырь — полностью чиплетный дизайн. Отдельный графический чиплет теперь собирается с вычислительными ядрами в единый процессор, что позволило совершить мощный рывок в производительности.
Графика нового уровня для геймеров
Компания представила интегрированную графику Arc B390 — iGPU с поддержкой фрейм-генерации Intel XeSS 3. Заявленные цифры могут поразить воображение:
▫️В среднем на 73% быстрее в играх, чем у текущих решений AMD.
▫️В отдельных проектах (например, Battlefield 6) — до 147 FPS на ультра-настройках в Full HD.
▫️Intel также анонсировала полноценную портативную игровую платформу на Panther Lake, бросая вызов доминированию AMD Ryzen Z-Series в сегменте портативных консолей.
Фокус на периферийные вычисления
Новое поколение NPU обеспечивает мощность до 50 TOPS для локальных ИИ-задач. Впервые в линейке появились модели, сертифицированные для промышленного использования в робототехнике, умных городах и автоматизации.
Производительность и автономность
Заявленные улучшения для топовых ноутбучных моделей (до 16 ядер CP, 12 ядер Xe):
▫️До +60% многопоточной производительности к предшественнику (Lunar Lake).
▫️До +77% в играх.
▫️До 27 часов автономной работы.
Когда ждать?
▫️27 января 2026: старт глобальных продаж потребительских ноутбуков (предзаказ с 6 января).
▫️1H2026: выход дополнительных моделей.
▫️2q2026: доступность решений для периферийных систем и промышленности.
Среди первых партнеров — Dell и Samsung, которая планирует использовать чип в Galaxy Book 6.
Intel претендует на возврат лидерства в ключевых сегментах?
@RUSmicro
Intel анонсировал процессоры Core Ultra Series 3 (Panther Lake)
На выставке CES 2026 компания Intel представила новое поколение процессоров Core Ultra Series 3 на архитектуре Panther Lake и передовом техпроцессе Intel 18A.
Что показала Intel?
Главный козырь — полностью чиплетный дизайн. Отдельный графический чиплет теперь собирается с вычислительными ядрами в единый процессор, что позволило совершить мощный рывок в производительности.
Графика нового уровня для геймеров
Компания представила интегрированную графику Arc B390 — iGPU с поддержкой фрейм-генерации Intel XeSS 3. Заявленные цифры могут поразить воображение:
▫️В среднем на 73% быстрее в играх, чем у текущих решений AMD.
▫️В отдельных проектах (например, Battlefield 6) — до 147 FPS на ультра-настройках в Full HD.
▫️Intel также анонсировала полноценную портативную игровую платформу на Panther Lake, бросая вызов доминированию AMD Ryzen Z-Series в сегменте портативных консолей.
Фокус на периферийные вычисления
Новое поколение NPU обеспечивает мощность до 50 TOPS для локальных ИИ-задач. Впервые в линейке появились модели, сертифицированные для промышленного использования в робототехнике, умных городах и автоматизации.
Производительность и автономность
Заявленные улучшения для топовых ноутбучных моделей (до 16 ядер CP, 12 ядер Xe):
▫️До +60% многопоточной производительности к предшественнику (Lunar Lake).
▫️До +77% в играх.
▫️До 27 часов автономной работы.
Когда ждать?
▫️27 января 2026: старт глобальных продаж потребительских ноутбуков (предзаказ с 6 января).
▫️1H2026: выход дополнительных моделей.
▫️2q2026: доступность решений для периферийных систем и промышленности.
Среди первых партнеров — Dell и Samsung, которая планирует использовать чип в Galaxy Book 6.
Intel претендует на возврат лидерства в ключевых сегментах?
@RUSmicro
👍2
🇰🇷 Микросхемы памяти. Новинки. Участники рынка. Корея
SK hynix представила на CES2026 16-слойную HBM4 объемом 48 ГБ, наряду с SOCAMM2 и LPDDR6
SK hynix представила на CES2026 16-слойную HBM4 объемом 48 ГБ. Это - следующее поколение 12-слойной HBM4 (36 ГБ). Про техпроцессы не сообщается, но предположительно используется 4нм процесс для логической части и 10нм процесс для DRAM-слоев. Задействовано ли гибридное соединение.
Помимо 16-слойной HBM4, компания также представила свою 12-слойную HBM3E объемом 36 ГБ, которая, как ожидается, станет ключевым фактором развития рынка памяти в 2026 году.
Кроме того, ожидается, что SK hynix представила модули GPU для серверов ИИ с использованием HBM3E совместно с заказчиком, подчеркивая роль этой технологии в системах ИИ.
SOCAMM2 и LPDDR6
Помимо HBM, компания также представила SOCAMM2, модуль памяти с низким энергопотреблением, разработанный для серверов ИИ, а также LPDDR6, оптимизированный для ИИ на устройствах и обеспечивающий значительно более высокую пропускную способность данных и улучшенную энергоэффективность по сравнению с предыдущими поколениями.
321-слойная 2-терабайтная QLC NAND ориентирована на применение в СХД ИИ ЦОД
Что касается флэш-памяти NAND, компания продемонстрирует свой 321-слойный продукт 2-терабайтной QLC, разработанный для сверхъемких твердотельных накопителей (eSSD), поскольку спрос на такие накопители растет по мере роста спроса на ЦОДы ИИ.
Начало массового производства 321-слойного QLC NAND ожидается в августе 2026 года.
💎 Анонс подчёркивает стратегию SK hynix по переходу от поставки стандартной памяти к созданию дифференцированных решений, оптимизированных под ИИ
@RUSmicro
SK hynix представила на CES2026 16-слойную HBM4 объемом 48 ГБ, наряду с SOCAMM2 и LPDDR6
SK hynix представила на CES2026 16-слойную HBM4 объемом 48 ГБ. Это - следующее поколение 12-слойной HBM4 (36 ГБ). Про техпроцессы не сообщается, но предположительно используется 4нм процесс для логической части и 10нм процесс для DRAM-слоев. Задействовано ли гибридное соединение.
Помимо 16-слойной HBM4, компания также представила свою 12-слойную HBM3E объемом 36 ГБ, которая, как ожидается, станет ключевым фактором развития рынка памяти в 2026 году.
Кроме того, ожидается, что SK hynix представила модули GPU для серверов ИИ с использованием HBM3E совместно с заказчиком, подчеркивая роль этой технологии в системах ИИ.
SOCAMM2 и LPDDR6
Помимо HBM, компания также представила SOCAMM2, модуль памяти с низким энергопотреблением, разработанный для серверов ИИ, а также LPDDR6, оптимизированный для ИИ на устройствах и обеспечивающий значительно более высокую пропускную способность данных и улучшенную энергоэффективность по сравнению с предыдущими поколениями.
321-слойная 2-терабайтная QLC NAND ориентирована на применение в СХД ИИ ЦОД
Что касается флэш-памяти NAND, компания продемонстрирует свой 321-слойный продукт 2-терабайтной QLC, разработанный для сверхъемких твердотельных накопителей (eSSD), поскольку спрос на такие накопители растет по мере роста спроса на ЦОДы ИИ.
Начало массового производства 321-слойного QLC NAND ожидается в августе 2026 года.
@RUSmicro
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
❤6
🇹🇼 Участники рынка. Производители полупроводниковых структур. Геополитика и микроэлектроника. Тайвань
TSMC планирует построить 12 фабов в Аризоне, тогда как экспансия в Японии и в Германии замедляется
Согласно последним рыночным отчетам, фабрики TSMC в Аризоне продолжают сталкиваться с проблемами, включая высокие затраты и низкую прибыль. Источники в отрасли перечисляют такие проблемы, как сбои в цепочке поставок, нехватка кадров, обслуживание оборудования, разность корпоративных культур и особенности американского трудового законодательства. Ожидается резкое падение прибыли к 3q2025.
Однако, как сообщают инсайдеры, несмотря на проблемы, TSMC подтвердила планы по расширению своего кампуса в Аризоне сверх существующих 6 фабрик за счет добавления еще 2-х новых. Мощности по продвинутой упаковке также планируется нарастить с 2 фабрик до 3-4. Это означает, что TSMC планирует довести число своих предприятий в Аризоне до 12, сохраняя высокие капитальные затраты в период с 2026 по 2028 год. Это примерно уравняет производственные мощности компании в США и на Тайване.
Сбой подачи газов в 3q2025 резко снизил прибыльность фабрик TSMC в США
На рынке усилились разговоры о стабильно высоких затратах на фабриках TSMC в США. А тут еще в 3q2025 неожиданное отключение электроэнергии у поставщика газа вызвало простои в несколько часов, что привело к выбраковке несколько тысяч пластин и сокращению квартальной прибыли на 99%. Этот инцидент подчеркнул пробелы в операционном управлении по сравнению с объектами на Тайване, где годами все работает как дорогие швейцарские часы.
Тем не менее, источники в цепочке поставок подтверждают твердую приверженность TSMC планам зарубежного расширения наряду с внутренним ростом.
Планы в Японии и Германии столкнулись с трудностями
Строительство 2-й фабрики TSMC в Кумамото (Япония) сталкивается с задержками из-за более слабого, чем ожидалось, объема заказов. Компания притормозила и с планами перехода с техпроцесса 6нм к 2-нм. Да и в целом «климат» не самый благоприятный для TSMC – крупных заказчиков настойчиво просят размещать все заказы у «отечественного производителя» Rapidus, экосистема – вода, электричество и т.п. – дорогие, вдобавок на рынке Японии не хватает квалифицированной рабочей силы. Раз уж мы упомянули Японию, то стоит отметить, что и строительство фаба Sony тоже замедлилось. Не в последнюю очередь и из-за стабильного роста мощностей 2нм в США и на Тайване.
Снизились и темпы строительства в рамках совместного предприятия TSMC в Германии. По схожим причинам.
Аризона становится центром зарубежного расширения
Фабрика TSMC P1, запустившая массовое производство в конце 2024 года, перешла с 5-нм на 4-нм процесс.
Строительство P2 ускорилось с планами установки оборудования к концу 2026 года и начала массового производства к концу 2027 года. Это соответствует требованиям крупных клиентов, таких как Apple, Nvidia и AMD.
Несмотря на преодоление первоначальных строительных сложностей сроки строительства фабрик P3–P6 были сдвинуты вправо. Строительство P3 уже начато; как P3, так и P4 будут ориентированы на процессы 2-нм и A16, тогда как P5 и P6 нацелены на A14 и более передовые техпроцессы. Еще более передовые техпроцессы ожидается внедрить на фабах P7 и P8.
Упаковочные мощности
Строительство двух предприятий продвинутой упаковки TSMC в США, AP1 и AP2 должно стартовать в начале 2026 года. Их строительство проще по сравнению с фабриками пластин, но все же ожидается, что AP1 начнет массовое производство только к 2028 году, сосредоточившись на технологиях SoIC и CoW (вероятно, имеются в виду CoWoS или аналоги).
В связи с значительным долгосрочным спросом на ИИ TSMC планирует добавить еще 2 фабрики по упаковке, хотя конкретные области их применения пока не определены. (..)
TSMC планирует построить 12 фабов в Аризоне, тогда как экспансия в Японии и в Германии замедляется
Согласно последним рыночным отчетам, фабрики TSMC в Аризоне продолжают сталкиваться с проблемами, включая высокие затраты и низкую прибыль. Источники в отрасли перечисляют такие проблемы, как сбои в цепочке поставок, нехватка кадров, обслуживание оборудования, разность корпоративных культур и особенности американского трудового законодательства. Ожидается резкое падение прибыли к 3q2025.
Однако, как сообщают инсайдеры, несмотря на проблемы, TSMC подтвердила планы по расширению своего кампуса в Аризоне сверх существующих 6 фабрик за счет добавления еще 2-х новых. Мощности по продвинутой упаковке также планируется нарастить с 2 фабрик до 3-4. Это означает, что TSMC планирует довести число своих предприятий в Аризоне до 12, сохраняя высокие капитальные затраты в период с 2026 по 2028 год. Это примерно уравняет производственные мощности компании в США и на Тайване.
Сбой подачи газов в 3q2025 резко снизил прибыльность фабрик TSMC в США
На рынке усилились разговоры о стабильно высоких затратах на фабриках TSMC в США. А тут еще в 3q2025 неожиданное отключение электроэнергии у поставщика газа вызвало простои в несколько часов, что привело к выбраковке несколько тысяч пластин и сокращению квартальной прибыли на 99%. Этот инцидент подчеркнул пробелы в операционном управлении по сравнению с объектами на Тайване, где годами все работает как дорогие швейцарские часы.
Тем не менее, источники в цепочке поставок подтверждают твердую приверженность TSMC планам зарубежного расширения наряду с внутренним ростом.
Планы в Японии и Германии столкнулись с трудностями
Строительство 2-й фабрики TSMC в Кумамото (Япония) сталкивается с задержками из-за более слабого, чем ожидалось, объема заказов. Компания притормозила и с планами перехода с техпроцесса 6нм к 2-нм. Да и в целом «климат» не самый благоприятный для TSMC – крупных заказчиков настойчиво просят размещать все заказы у «отечественного производителя» Rapidus, экосистема – вода, электричество и т.п. – дорогие, вдобавок на рынке Японии не хватает квалифицированной рабочей силы. Раз уж мы упомянули Японию, то стоит отметить, что и строительство фаба Sony тоже замедлилось. Не в последнюю очередь и из-за стабильного роста мощностей 2нм в США и на Тайване.
Снизились и темпы строительства в рамках совместного предприятия TSMC в Германии. По схожим причинам.
Аризона становится центром зарубежного расширения
Фабрика TSMC P1, запустившая массовое производство в конце 2024 года, перешла с 5-нм на 4-нм процесс.
Строительство P2 ускорилось с планами установки оборудования к концу 2026 года и начала массового производства к концу 2027 года. Это соответствует требованиям крупных клиентов, таких как Apple, Nvidia и AMD.
Несмотря на преодоление первоначальных строительных сложностей сроки строительства фабрик P3–P6 были сдвинуты вправо. Строительство P3 уже начато; как P3, так и P4 будут ориентированы на процессы 2-нм и A16, тогда как P5 и P6 нацелены на A14 и более передовые техпроцессы. Еще более передовые техпроцессы ожидается внедрить на фабах P7 и P8.
Упаковочные мощности
Строительство двух предприятий продвинутой упаковки TSMC в США, AP1 и AP2 должно стартовать в начале 2026 года. Их строительство проще по сравнению с фабриками пластин, но все же ожидается, что AP1 начнет массовое производство только к 2028 году, сосредоточившись на технологиях SoIC и CoW (вероятно, имеются в виду CoWoS или аналоги).
В связи с значительным долгосрочным спросом на ИИ TSMC планирует добавить еще 2 фабрики по упаковке, хотя конкретные области их применения пока не определены. (..)
👍5🤔1
(2) Прогнозы капитальных затрат растут на фоне геополитического давления
TSMC прогнозирует капитальные затраты в размере $40–42 млрд в 2025 году, выделяя около 70% на передовые процессы, 10–20% на специализированные процессы и еще 10–20% на продвинутую упаковку, изготовление фотомасок и другие области. По оценкам рынка, капитальные затраты вырастут до $44–46 млрд США в 2026 году и потенциально превысят $50 млрд долларов США в 2027 и в 2028 годах.
Эксперты по полупроводникам отмечают, что TSMC полностью принимает геополитические реалии при администрации президента США Дональда Трампа. Чтобы удовлетворить требования клиентов из США, на которые приходится более 70% выручки, TSMC должна создать устойчивые глобальные цепочки поставок.
В СМИ упоминали о падении прибыли фабрики в Аризоне на 99% в 3q2025, что подчеркивает трудности производства в США.
Источники в цепочке поставок объясняют убытки главным образом нестабильной чистотой газа от поставщика Linde, что вынудило TSMC временно остановить производство, чтобы не рисковать потерей партии изделий, находящихся в производстве — это, скорее всего, разовое событие. В связи с недавним повышением цен на обработку пластин на фабрике в США TSMC стремится агрессивно повышать прибыльность своего бизнеса.
TSMC вновь заявила, что не будет комментировать рыночные слухи до телеконференции о результатах деятельности 15 января 2026 года. Аналитики ожидают мощного спроса, подпитываемого почти всеми крупными клиентами в сфере ИИ, размещающими заказы, при этом мощности 5/4/3-нм будут загруженными на полную мощность в течение ближайших лет. Вновь запущенные мощности по 2-нм процессу достигнут рекордных уровней в следующие 3 года при наличии бронирований от нескольких клиентов.
Поддерживаемый ежегодным повышением цен, темп роста выручки TSMC в долларах, по прогнозам, сохранится на уровне около 30% в 2026 и 2027 годах, при этом прибыль будет стремительно расти, а валовая маржа достигнет примерно 60%.
💎 Все, что происходит с TSMC, наглядно отражает геополитические тренды
Удвоение ставки на Аризону, несмотря на колоссальные издержки и низкую рентабельность – прямое следствие давления со стороны США и желания американских клиентов масштаба Apple, Nvidia и AMD замкнуть цепочку поставок компонентов на территории США. Замедление проектов в Германии и Японии подчеркивает, что США становятся безусловным геополитическим приоритетом для TSMC.
Планы по ускоренному строительству фабрик по 2-нм техпроцессу и дополнительных мощностей для продвинутой упаковки (CoWoS, SoIC) на 100% обусловлены взрывным спросом на чипы для искусственного интеллекта. Прогнозы о полной загрузке мощностей на годы вперед и росте выручки подтверждают, что ИИ остается главным драйвером инвестиций и роста в отрасли.
Стоимость лидерства и «локализации» - публикация иллюстрирует, как высока цена создания передовых полупроводниковых мощностей вне исторически сложившегося кластера в Восточной Азии. Тренд на локализацию ведет к росту издержек и сложностей, которые компании вынуждены принимать как данность. Стоит понимать, что это касается и российского рынка.
@RUSmicro по материалам Digitimes
TSMC прогнозирует капитальные затраты в размере $40–42 млрд в 2025 году, выделяя около 70% на передовые процессы, 10–20% на специализированные процессы и еще 10–20% на продвинутую упаковку, изготовление фотомасок и другие области. По оценкам рынка, капитальные затраты вырастут до $44–46 млрд США в 2026 году и потенциально превысят $50 млрд долларов США в 2027 и в 2028 годах.
Эксперты по полупроводникам отмечают, что TSMC полностью принимает геополитические реалии при администрации президента США Дональда Трампа. Чтобы удовлетворить требования клиентов из США, на которые приходится более 70% выручки, TSMC должна создать устойчивые глобальные цепочки поставок.
В СМИ упоминали о падении прибыли фабрики в Аризоне на 99% в 3q2025, что подчеркивает трудности производства в США.
Источники в цепочке поставок объясняют убытки главным образом нестабильной чистотой газа от поставщика Linde, что вынудило TSMC временно остановить производство, чтобы не рисковать потерей партии изделий, находящихся в производстве — это, скорее всего, разовое событие. В связи с недавним повышением цен на обработку пластин на фабрике в США TSMC стремится агрессивно повышать прибыльность своего бизнеса.
TSMC вновь заявила, что не будет комментировать рыночные слухи до телеконференции о результатах деятельности 15 января 2026 года. Аналитики ожидают мощного спроса, подпитываемого почти всеми крупными клиентами в сфере ИИ, размещающими заказы, при этом мощности 5/4/3-нм будут загруженными на полную мощность в течение ближайших лет. Вновь запущенные мощности по 2-нм процессу достигнут рекордных уровней в следующие 3 года при наличии бронирований от нескольких клиентов.
Поддерживаемый ежегодным повышением цен, темп роста выручки TSMC в долларах, по прогнозам, сохранится на уровне около 30% в 2026 и 2027 годах, при этом прибыль будет стремительно расти, а валовая маржа достигнет примерно 60%.
Удвоение ставки на Аризону, несмотря на колоссальные издержки и низкую рентабельность – прямое следствие давления со стороны США и желания американских клиентов масштаба Apple, Nvidia и AMD замкнуть цепочку поставок компонентов на территории США. Замедление проектов в Германии и Японии подчеркивает, что США становятся безусловным геополитическим приоритетом для TSMC.
Планы по ускоренному строительству фабрик по 2-нм техпроцессу и дополнительных мощностей для продвинутой упаковки (CoWoS, SoIC) на 100% обусловлены взрывным спросом на чипы для искусственного интеллекта. Прогнозы о полной загрузке мощностей на годы вперед и росте выручки подтверждают, что ИИ остается главным драйвером инвестиций и роста в отрасли.
Стоимость лидерства и «локализации» - публикация иллюстрирует, как высока цена создания передовых полупроводниковых мощностей вне исторически сложившегося кластера в Восточной Азии. Тренд на локализацию ведет к росту издержек и сложностей, которые компании вынуждены принимать как данность. Стоит понимать, что это касается и российского рынка.
@RUSmicro по материалам Digitimes
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
👍5🤔1
🇻🇳 Господдержка. Вьетнам
Новый национальный координационный центр поддержит развитие полупроводниковой промышленности Вьетнама
Вьетнам сделал еще один шаг к усилению своей полупроводниковой промышленности, создав Вьетнамский национальный координационный центр по многопроектным разработкам микросхем (VNMPW/CC) при Министерстве информационных технологий (DIT).
VNMPW/CC будет совместно с директором DIT отвечать за надзор за полупроводниковой промышленностью Вьетнама и поддерживать пилотные проекты по производству микросхем для стимулирования роста сектора.
Центр будет предоставлять необходимую инфраструктуру и государственные услуги для обеспечения проектирования и прототипирования полупроводников в рамках более широкой промышленной стратегии Вьетнама.
Эти услуги включают:
🔹 Предоставление доступа к специализированному ПО для автоматизации проектирования электроники
🔹 Обмен библиотеками интеллектуальной собственности
🔹 Проведение технической проверки проекта
🔹 Измерение и оценка производительности и качества микросхем после пилотного производства
VNMPW/CC также будет способствовать развитию экосистемы и международному сотрудничеству для стимулирования отечественных инноваций в полупроводниковой отрасли. Это соответствует усилиям правительства по развитию технических возможностей в этом секторе и более глубокой интеграции Вьетнама в глобальные цепочки поставок.
Развитие трудовых ресурсов как стратегический приоритет
Человеческий капитал играет решающую роль в амбициях Вьетнама в полупроводниковой отрасли, особенно по мере перехода страны от традиционных областей, таких как сборка, упаковка и тестирование, к более продвинутым сегментам цепочки создания стоимости полупроводников.
В настоящее время во Вьетнаме работают более 7 тысяч инженеров-проектировщиков интегральных схем, обладающих навыками в области упаковки, тестирования, материалов и полупроводникового оборудования. К 2025 году число инженеров-проектировщиков полупроводников в стране увеличилось почти на 1 тысячу человек, главным образом за счет повышения квалификации инженеров из смежных областей.
Сохраняются проблемы в масштабировании обучения, расширении лабораторных мощностей и увеличении числа квалифицированных преподавателей и экспертов.
В этом контексте создание стратегически важных кадров для полупроводниковой промышленности стало ключевой задачей Вьетнамской национальной программы развития трудовых ресурсов и Центра развития полупроводниковой промышленности. Для достижения этой цели будут организованы интенсивные практические курсы и оказана поддержка университетам в деятельности по проектированию микросхем, направленные на развитие высококвалифицированных инженерных кадров для этого важнейшего сектора. (..)
Новый национальный координационный центр поддержит развитие полупроводниковой промышленности Вьетнама
Вьетнам сделал еще один шаг к усилению своей полупроводниковой промышленности, создав Вьетнамский национальный координационный центр по многопроектным разработкам микросхем (VNMPW/CC) при Министерстве информационных технологий (DIT).
VNMPW/CC будет совместно с директором DIT отвечать за надзор за полупроводниковой промышленностью Вьетнама и поддерживать пилотные проекты по производству микросхем для стимулирования роста сектора.
Центр будет предоставлять необходимую инфраструктуру и государственные услуги для обеспечения проектирования и прототипирования полупроводников в рамках более широкой промышленной стратегии Вьетнама.
Эти услуги включают:
🔹 Предоставление доступа к специализированному ПО для автоматизации проектирования электроники
🔹 Обмен библиотеками интеллектуальной собственности
🔹 Проведение технической проверки проекта
🔹 Измерение и оценка производительности и качества микросхем после пилотного производства
VNMPW/CC также будет способствовать развитию экосистемы и международному сотрудничеству для стимулирования отечественных инноваций в полупроводниковой отрасли. Это соответствует усилиям правительства по развитию технических возможностей в этом секторе и более глубокой интеграции Вьетнама в глобальные цепочки поставок.
Развитие трудовых ресурсов как стратегический приоритет
Человеческий капитал играет решающую роль в амбициях Вьетнама в полупроводниковой отрасли, особенно по мере перехода страны от традиционных областей, таких как сборка, упаковка и тестирование, к более продвинутым сегментам цепочки создания стоимости полупроводников.
В настоящее время во Вьетнаме работают более 7 тысяч инженеров-проектировщиков интегральных схем, обладающих навыками в области упаковки, тестирования, материалов и полупроводникового оборудования. К 2025 году число инженеров-проектировщиков полупроводников в стране увеличилось почти на 1 тысячу человек, главным образом за счет повышения квалификации инженеров из смежных областей.
Сохраняются проблемы в масштабировании обучения, расширении лабораторных мощностей и увеличении числа квалифицированных преподавателей и экспертов.
В этом контексте создание стратегически важных кадров для полупроводниковой промышленности стало ключевой задачей Вьетнамской национальной программы развития трудовых ресурсов и Центра развития полупроводниковой промышленности. Для достижения этой цели будут организованы интенсивные практические курсы и оказана поддержка университетам в деятельности по проектированию микросхем, направленные на развитие высококвалифицированных инженерных кадров для этого важнейшего сектора. (..)
❤2👍2
(2) Кроме того, Вьетнам запустил 2 национальные стратегии по расширению кадрового резерва и приведению учебных программ в соответствие с потребностями отрасли, способствуя долгосрочному росту сектора. К ним относятся Стратегия 1018 по развитию полупроводниковой промышленности Вьетнама до 2030 года с перспективой до 2050 года и Программа 1017 по развитию человеческих ресурсов в этом секторе.
Эти инициативы отражают стратегическую цель правительства — развить полупроводниковую промышленность в ведущую высокотехнологичную отрасль, где развитие человеческих ресурсов является важнейшей опорой.
Коммерческие достижения: первый экспорт микросхем по многолетнему контракту
Прогресс частного сектора во вьетнамской полупроводниковой промышленности начал материализовываться. В конце декабря 2025 года вьетнамская корпорация FPT Semiconductor экспортировала первую партию коммерчески произведенных полупроводниковых микросхем японскому дистрибьютору электроники по многолетнему контракту. Эта поставка является ощутимой вехой для экспорта вьетнамских микросхем и позиционирует разработанную внутри страны интеллектуальную собственность для более широких рынков Азиатско-Тихоокеанского региона.
Разработанные в Вьетнаме микросхемы управления питанием демонстрируют свою способность соответствовать строгим японским промышленным стандартам надежности, безопасности и экологической безопасности, которые являются одними из самых жестких в мировой электронной промышленности. Это подчеркивает растущую компетентность Вьетнама в области проверки проектирования и обеспечения качества.
@RUSmicro по материалам Vietnam Briefing
Эти инициативы отражают стратегическую цель правительства — развить полупроводниковую промышленность в ведущую высокотехнологичную отрасль, где развитие человеческих ресурсов является важнейшей опорой.
Коммерческие достижения: первый экспорт микросхем по многолетнему контракту
Прогресс частного сектора во вьетнамской полупроводниковой промышленности начал материализовываться. В конце декабря 2025 года вьетнамская корпорация FPT Semiconductor экспортировала первую партию коммерчески произведенных полупроводниковых микросхем японскому дистрибьютору электроники по многолетнему контракту. Эта поставка является ощутимой вехой для экспорта вьетнамских микросхем и позиционирует разработанную внутри страны интеллектуальную собственность для более широких рынков Азиатско-Тихоокеанского региона.
Разработанные в Вьетнаме микросхемы управления питанием демонстрируют свою способность соответствовать строгим японским промышленным стандартам надежности, безопасности и экологической безопасности, которые являются одними из самых жестких в мировой электронной промышленности. Это подчеркивает растущую компетентность Вьетнама в области проверки проектирования и обеспечения качества.
@RUSmicro по материалам Vietnam Briefing
👍7❤2
🇺🇸 Космическое производство полупроводников. Участники рынка. Тренды. США
Aegis Aerospace и United Semiconductors запускают коммерческое производство полупроводников в космосе
Американские компании Aegis Aerospace и United Semiconductors LLC (USLLC) объявили о партнерстве для создания коммерческого предприятия по производству полупроводниковых материалов на низкой околоземной орбите (НОО). Это стало возможным благодаря гранту, полученному Aegis от Космической комиссии Техаса.
Цель сотрудничества — использовать уникальные условия микрогравитации на орбите для производства полупроводников с беспрецедентным качеством. Платформа Aegis Advanced Materials Manufacturing Platform (AMMP) станет основой для этой работы.
Почему этим занялась USLLC?
У этой компания есть очень интересная экспертиза, она заявляет, что является «единственным в США» производителем бинарных полупроводников III-V на 6-дюймовых подложках и «единственным в мире» — тройных полупроводников III-V на подложках большой площади.
Бинарные, то есть состоящие из двух элементов соединения (A³B⁵ или A²B⁶) хорошо известны каждому читателю RUSmicro, это, например, арсенид галлия (GaAs) и нитрид галлия (GaN), а также менее «раскачанный» антимонид индия (InSb), используемый, например, в ИК-датчиках.
Тройные – это так называемые «твердые растворы». Они образуются при легировании бинарного соединения третьим элементом, что позволяет точно настраивать желаемые свойства, например, ширину запрещенной зоны. Например, это твердые растворы на основе систем GaAs-CdSe или InSb-CdS, применяемые в создании высокочувствительных газовых сенсоров.
Кроме того, у USLLC есть опыт производства полупроводников на борту МКС, которые позволили проверить жизнеспособность технологии:
В 2024 году было проведено выращивание кристаллов в печи SUBSA на МКС, а в 2025 году – второй партии, причем отрабатывалась возможность нарастить объемы и сократить сроки производства. Заявлялось, что выход годных оказался в 10 раз выше, чем в наземных условиях (спасибо микрогравитации на орбите).
Конкретные планы на орбите
Партнёрство нацелено на переход от экспериментов к коммерческому производству. В ближайшей перспективе планируется:
🔹 Увеличить объёмы производства в космосе.
🔹 Сократить время цикла выращивания кристаллов на орбите.
🔹 Отработать контроль микроструктуры материалов для заданных свойств.
Зачем это нужно?
Космическое производство позволяет получать сверхчистые и однородные кристаллы, которые практически невозможно вырастить на Земле из-за гравитационных искажений. Такие материалы критически важны для:
🔹 Оборонной и космической электроники (устойчивой к радиации).
🔹 Квантовых вычислений, ИИ и телекоммуникаций.
🔹 Высокочувствительных сенсоров нового поколения
А еще на орбите – близкая к вакууму среда без необходимости использования громоздких и дорогих насосов и практически бесплатная энергия от солнечных батарей.
Создаваемое партнёрство — важный для США шаг к созданию устойчивой коммерческой экономики на низкой околоземной орбите и укреплению технологического суверенитета США в критически важной области.
В связи с этой новостью можем вспомнить, что российские ученые ранее тоже вырастили на МКС первые полупроводниковые кристаллы GaAs методом МЛЭ. И, конечно, стоит помнить о британской SpaceForge – эта компания планирует наладить серийное космическое полупроводниковое производство на низких орбитах уже в ближайшие годы. Вряд ли тему космического производства микроэлектроники обойдут Китай и Япония.
@RUSmicro по материалам Semiconductor Today
Aegis Aerospace и United Semiconductors запускают коммерческое производство полупроводников в космосе
Американские компании Aegis Aerospace и United Semiconductors LLC (USLLC) объявили о партнерстве для создания коммерческого предприятия по производству полупроводниковых материалов на низкой околоземной орбите (НОО). Это стало возможным благодаря гранту, полученному Aegis от Космической комиссии Техаса.
Цель сотрудничества — использовать уникальные условия микрогравитации на орбите для производства полупроводников с беспрецедентным качеством. Платформа Aegis Advanced Materials Manufacturing Platform (AMMP) станет основой для этой работы.
Почему этим занялась USLLC?
У этой компания есть очень интересная экспертиза, она заявляет, что является «единственным в США» производителем бинарных полупроводников III-V на 6-дюймовых подложках и «единственным в мире» — тройных полупроводников III-V на подложках большой площади.
Бинарные, то есть состоящие из двух элементов соединения (A³B⁵ или A²B⁶) хорошо известны каждому читателю RUSmicro, это, например, арсенид галлия (GaAs) и нитрид галлия (GaN), а также менее «раскачанный» антимонид индия (InSb), используемый, например, в ИК-датчиках.
Тройные – это так называемые «твердые растворы». Они образуются при легировании бинарного соединения третьим элементом, что позволяет точно настраивать желаемые свойства, например, ширину запрещенной зоны. Например, это твердые растворы на основе систем GaAs-CdSe или InSb-CdS, применяемые в создании высокочувствительных газовых сенсоров.
Кроме того, у USLLC есть опыт производства полупроводников на борту МКС, которые позволили проверить жизнеспособность технологии:
В 2024 году было проведено выращивание кристаллов в печи SUBSA на МКС, а в 2025 году – второй партии, причем отрабатывалась возможность нарастить объемы и сократить сроки производства. Заявлялось, что выход годных оказался в 10 раз выше, чем в наземных условиях (спасибо микрогравитации на орбите).
Конкретные планы на орбите
Партнёрство нацелено на переход от экспериментов к коммерческому производству. В ближайшей перспективе планируется:
🔹 Увеличить объёмы производства в космосе.
🔹 Сократить время цикла выращивания кристаллов на орбите.
🔹 Отработать контроль микроструктуры материалов для заданных свойств.
Зачем это нужно?
Космическое производство позволяет получать сверхчистые и однородные кристаллы, которые практически невозможно вырастить на Земле из-за гравитационных искажений. Такие материалы критически важны для:
🔹 Оборонной и космической электроники (устойчивой к радиации).
🔹 Квантовых вычислений, ИИ и телекоммуникаций.
🔹 Высокочувствительных сенсоров нового поколения
А еще на орбите – близкая к вакууму среда без необходимости использования громоздких и дорогих насосов и практически бесплатная энергия от солнечных батарей.
Создаваемое партнёрство — важный для США шаг к созданию устойчивой коммерческой экономики на низкой околоземной орбите и укреплению технологического суверенитета США в критически важной области.
В связи с этой новостью можем вспомнить, что российские ученые ранее тоже вырастили на МКС первые полупроводниковые кристаллы GaAs методом МЛЭ. И, конечно, стоит помнить о британской SpaceForge – эта компания планирует наладить серийное космическое полупроводниковое производство на низких орбитах уже в ближайшие годы. Вряд ли тему космического производства микроэлектроники обойдут Китай и Япония.
@RUSmicro по материалам Semiconductor Today
👍4
🇨🇳 Вычислительные платформы. Китай
Quectel анонсировала «мозги» для мобильных роботов следующего поколения
Компания Quectel анонсировала новый интеллектуальный вычислительный модуль SH602HA-AP, предназначенный специально для роботов следующего поколения. Его использование, как ожидается, позволит удешевить роботов следующего поколения, повысить их «интеллектуальные» возможности, ускорить создание все более функциональных моделей.
По сути, SH602HA-AP - это компактный одночиповый компьютер, на основе 8-ядерного Arm-процессора, который может служить центральным «мозгом» для роботизированных систем. Модуль построен на робототехнической платформе D-Robotics Sunrise 5 (X5M) и работает под управлением ОС Ubuntu. Заявленной вычислительной мощности в 10 TOPS должно хватать для обработки данных от лидаров, камер и других сенсоров в реальном времени – для навигации и взаимодействия с окружающим миром.
Кроме того, вычислительный модуль легко интегрируется с другими решениями Quectel, в частности, с 5G / 4G / Wi-Fi 6. Широкополосное подключение необходимо для получения обновлений карт и задач из облака, передачи на сервер собранных данных, дистанционного вмешательства оператора в сложных ситуациях, поддержки роевого взаимодействия. 5G с его низкими задержками и высокой пропускной способностью критически важен для таких ситуаций, когда речь идет о беспилотных транспортных средствах или передаче видео высокой четкости.
Встроенная память модуля - 4 ГБ с возможностью расширения до 32 ГБ. Поддерживается кодирование и декодирование 4K-видео @ 60 кадров/с. Модуль обеспечен различными интерфейсами: USB 3.0/2.0, RGMII, SDIO, QSPI, а также множеством UART и I2C портов. Размеры: 40.5 x 40.5 x 2.90 мм, рабочие температуры: -25°C ~ +85°C.
Для каких роботов предназначается новый модуль?
Прежде всего, это, конечно, различные сервисные роботы: курьеры, консьержи, уборщики и промоутеры в торговых центрах, отелях и на складах. В области промышленной автоматизации – это различные роботы для инспекции оборудования, контроля качества и логистики. Решения для «умного города» включают автономные «посты охраны», системы контроля доступа, интерактивные информационные киоски. В области потребительской электроники: умная бытовая техника и системы «умного дома».
@RUSmicro & @RobotsCobots, скриншоты - компании Quectel
Quectel анонсировала «мозги» для мобильных роботов следующего поколения
Компания Quectel анонсировала новый интеллектуальный вычислительный модуль SH602HA-AP, предназначенный специально для роботов следующего поколения. Его использование, как ожидается, позволит удешевить роботов следующего поколения, повысить их «интеллектуальные» возможности, ускорить создание все более функциональных моделей.
По сути, SH602HA-AP - это компактный одночиповый компьютер, на основе 8-ядерного Arm-процессора, который может служить центральным «мозгом» для роботизированных систем. Модуль построен на робототехнической платформе D-Robotics Sunrise 5 (X5M) и работает под управлением ОС Ubuntu. Заявленной вычислительной мощности в 10 TOPS должно хватать для обработки данных от лидаров, камер и других сенсоров в реальном времени – для навигации и взаимодействия с окружающим миром.
Кроме того, вычислительный модуль легко интегрируется с другими решениями Quectel, в частности, с 5G / 4G / Wi-Fi 6. Широкополосное подключение необходимо для получения обновлений карт и задач из облака, передачи на сервер собранных данных, дистанционного вмешательства оператора в сложных ситуациях, поддержки роевого взаимодействия. 5G с его низкими задержками и высокой пропускной способностью критически важен для таких ситуаций, когда речь идет о беспилотных транспортных средствах или передаче видео высокой четкости.
Встроенная память модуля - 4 ГБ с возможностью расширения до 32 ГБ. Поддерживается кодирование и декодирование 4K-видео @ 60 кадров/с. Модуль обеспечен различными интерфейсами: USB 3.0/2.0, RGMII, SDIO, QSPI, а также множеством UART и I2C портов. Размеры: 40.5 x 40.5 x 2.90 мм, рабочие температуры: -25°C ~ +85°C.
Для каких роботов предназначается новый модуль?
Прежде всего, это, конечно, различные сервисные роботы: курьеры, консьержи, уборщики и промоутеры в торговых центрах, отелях и на складах. В области промышленной автоматизации – это различные роботы для инспекции оборудования, контроля качества и логистики. Решения для «умного города» включают автономные «посты охраны», системы контроля доступа, интерактивные информационные киоски. В области потребительской электроники: умная бытовая техника и системы «умного дома».
@RUSmicro & @RobotsCobots, скриншоты - компании Quectel
❤1
🇯🇵 РЗЭ и РМ. Глубоководная добыча. Подводная добыча. Япония
Япония на пороге глубоководной добычи редкоземельных элементов с помощью робототехники
Команда инженеров и исследователей на борту судна «Тикю» в эти дни разворачивает в Тихом океане операцию, которая может навсегда изменить глобальную карту высоких технологий и энергетики. С 11 января Япония приступает к беспрецедентному испытанию: непрерывной добыче ила, богатого редкоземельными элементами (РЗЭ), с глубины около 6000 метров у отдаленного острова Минамитори.
Это не просто научный эксперимент — это полномасштабная проверка технологий глубоководной робототехники и автоматизации, которые могут стать ключом к технологическому суверенитету Японии.
Цель испытаний, которые продлятся до 14 февраля, — поднять на поверхность до 350 метрических тонн ила в сутки. Проект курируется японским Агентством по морским наукам и технологиям (JAMSTEC) и является частью государственной программы, на которую с 2018 года уже потрачено около 40 миллиардов иен ($256 млн).
Процесс представляет собой сложную инженерную цепочку, критически зависящую от автоматизации:
🔹 На глубине в 6 километров работает глубоководная система забора осадков. Это первый в мире опыт непрерывной добычи с такой глубины.
🔹 Добытый ил поднимается вертикальной подъемной системой и доставляется на Минамитори, где его пропускают через оборудование, работающее по принципу центрифуги, для удаления морской воды и сокращения объема на 80%.
🔹 Концентрированный материал отправляется на основные японские острова для окончательного разделения и выделения чистых РЗЭ.
Интересно, что, в отличие от наземных месторождений, глубоководные осадки у Минамитори, по словам Исии, не содержат радиоактивных тория и урана, что упрощает и удешевляет их переработку.
Почему Японии срочно нужны свои РЗЭ
Этот технологический рывок вызван жесткой геополитической и экономической необходимостью. Китай контролирует около 70% мировой добычи и до 90% переработки РЗЭ. Япония, несмотря на усилия по диверсификации, все еще зависит от китайского импорта на 60%, а по некоторым «тяжелым» РЗЭ для двигателей электромобилей и оборонной техники — практически на 100%.
Ситуация сейчас острая, Китай ввел запрет на экспорт в Китай товаров «двойного назначения». Эксперты полагают, что под эти ограничения могут попасть и РЗЭ. Трехмесячное эмбарго может стоить экономике Японии ~$4.2 млрд и 0.11% ВВП.
Проекту также сопутствуют прямые военные демарши. В июне 2025 года, когда японское исследовательское судно работало в своей исключительной экономической зоне у Минамитори, в эти воды вошли корабли китайских ВМС. Эти действия были расценены Токио как запугивающие.
Ответом стало стратегическое партнерство с США. В октябре 2025 года страны договорились о совместной работе над добычей и переработкой РЗЭ у Минамитори. Этот шаг направлен на создание новой, безопасной цепочки поставок в обход Китая.
Экологические риски
Глубоководная добыча вызывает серьезные опасения у экологов. Поднятие тысяч тонн донных отложений может нанести долговременный ущерб малоизученным глубинных экосистемам. Исследования показывают, что в зонах разведки популяции донных животных могут сокращаться на 37%. Японская сторона заявляет, что в рамках испытаний будет вести непрерывный мониторинг воздействия как на морское дно, так и в толще воды.
Если январские испытания 2026 года будут признаны успешными, полномасштабные испытания добычи запланированы на февраль 2027 года. В перспективе эта технология может не только обеспечить Японию стратегическим сырьем, но и вывести страну в лидеры новой отрасли — глубоководной роботизированной добычи полезных ископаемых.
@RUSmicro & @SeaRobotics
Япония на пороге глубоководной добычи редкоземельных элементов с помощью робототехники
Команда инженеров и исследователей на борту судна «Тикю» в эти дни разворачивает в Тихом океане операцию, которая может навсегда изменить глобальную карту высоких технологий и энергетики. С 11 января Япония приступает к беспрецедентному испытанию: непрерывной добыче ила, богатого редкоземельными элементами (РЗЭ), с глубины около 6000 метров у отдаленного острова Минамитори.
Это не просто научный эксперимент — это полномасштабная проверка технологий глубоководной робототехники и автоматизации, которые могут стать ключом к технологическому суверенитету Японии.
Цель испытаний, которые продлятся до 14 февраля, — поднять на поверхность до 350 метрических тонн ила в сутки. Проект курируется японским Агентством по морским наукам и технологиям (JAMSTEC) и является частью государственной программы, на которую с 2018 года уже потрачено около 40 миллиардов иен ($256 млн).
Процесс представляет собой сложную инженерную цепочку, критически зависящую от автоматизации:
🔹 На глубине в 6 километров работает глубоководная система забора осадков. Это первый в мире опыт непрерывной добычи с такой глубины.
🔹 Добытый ил поднимается вертикальной подъемной системой и доставляется на Минамитори, где его пропускают через оборудование, работающее по принципу центрифуги, для удаления морской воды и сокращения объема на 80%.
🔹 Концентрированный материал отправляется на основные японские острова для окончательного разделения и выделения чистых РЗЭ.
Интересно, что, в отличие от наземных месторождений, глубоководные осадки у Минамитори, по словам Исии, не содержат радиоактивных тория и урана, что упрощает и удешевляет их переработку.
Почему Японии срочно нужны свои РЗЭ
Этот технологический рывок вызван жесткой геополитической и экономической необходимостью. Китай контролирует около 70% мировой добычи и до 90% переработки РЗЭ. Япония, несмотря на усилия по диверсификации, все еще зависит от китайского импорта на 60%, а по некоторым «тяжелым» РЗЭ для двигателей электромобилей и оборонной техники — практически на 100%.
Ситуация сейчас острая, Китай ввел запрет на экспорт в Китай товаров «двойного назначения». Эксперты полагают, что под эти ограничения могут попасть и РЗЭ. Трехмесячное эмбарго может стоить экономике Японии ~$4.2 млрд и 0.11% ВВП.
Проекту также сопутствуют прямые военные демарши. В июне 2025 года, когда японское исследовательское судно работало в своей исключительной экономической зоне у Минамитори, в эти воды вошли корабли китайских ВМС. Эти действия были расценены Токио как запугивающие.
Ответом стало стратегическое партнерство с США. В октябре 2025 года страны договорились о совместной работе над добычей и переработкой РЗЭ у Минамитори. Этот шаг направлен на создание новой, безопасной цепочки поставок в обход Китая.
Экологические риски
Глубоководная добыча вызывает серьезные опасения у экологов. Поднятие тысяч тонн донных отложений может нанести долговременный ущерб малоизученным глубинных экосистемам. Исследования показывают, что в зонах разведки популяции донных животных могут сокращаться на 37%. Японская сторона заявляет, что в рамках испытаний будет вести непрерывный мониторинг воздействия как на морское дно, так и в толще воды.
Если январские испытания 2026 года будут признаны успешными, полномасштабные испытания добычи запланированы на февраль 2027 года. В перспективе эта технология может не только обеспечить Японию стратегическим сырьем, но и вывести страну в лидеры новой отрасли — глубоководной роботизированной добычи полезных ископаемых.
@RUSmicro & @SeaRobotics
❤1
🇨🇳 Производство микросхем. Двумерные материалы. MoS₂. Китай
Китай запустил первую в мире производственную линию для чипов нового поколения
Китайская компания Shanghai Atomic Technology запустила первую в мире инженерную демо-линию по производству микропроцессоров WUJI, из двумерного материала — дисульфида молибдена (MoS₂).
Этот шаг знаменует собой переход технологии, использующей "материал будущего", из лаборатории в стадию промышленного освоения.
Процессор WUJI на сегодня остается самым сложным в мире среди чипов, созданных на основе двумерных материалов.
Ключевые особенности чипа WUJI
🔸 Дисульфид молибдена (MoS₂) толщиной менее 1 нанометра.
🔸 32-битная система команд RISC-V.
🔸 Интегрирует 5 900 транзисторов, что более чем в 50 раз превышает предыдущий мировой рекорд для подобных технологий.
🔸 Главное преимущество — крайне низкое энергопотребление, что критически важно для развития ИИ и периферийных вычислений.
Разработчики приводят технологическую «дорожную карту» до 2028 года: в 2026 году технология будет ограничена техпроцессом 90нм, но уже в 2027 году ожидается освоение 28нм, а с 2028 года - достижение уровня 5нм или даже 3нм.
💎 Почему это важно?
Проект WUJI — это часть масштабной стратегии Китая по достижению технологической независимости в полупроводниковой сфере, особенно на фоне экспортных ограничений со стороны США. Учитывая, что до 70% техпроцессов, используемых при производстве WUJI совместимы с существующими "кремниевыми" линиями, это упрощает массовое внедрение MoS₂ с сопутствующими выигрышами.
Полномасштабное серийное производство на новой линии в районе Пудун в Шанхае планируется начать в июне 2026 года.
@RUSmicro
Китай запустил первую в мире производственную линию для чипов нового поколения
Китайская компания Shanghai Atomic Technology запустила первую в мире инженерную демо-линию по производству микропроцессоров WUJI, из двумерного материала — дисульфида молибдена (MoS₂).
Этот шаг знаменует собой переход технологии, использующей "материал будущего", из лаборатории в стадию промышленного освоения.
Процессор WUJI на сегодня остается самым сложным в мире среди чипов, созданных на основе двумерных материалов.
Ключевые особенности чипа WUJI
🔸 Дисульфид молибдена (MoS₂) толщиной менее 1 нанометра.
🔸 32-битная система команд RISC-V.
🔸 Интегрирует 5 900 транзисторов, что более чем в 50 раз превышает предыдущий мировой рекорд для подобных технологий.
🔸 Главное преимущество — крайне низкое энергопотребление, что критически важно для развития ИИ и периферийных вычислений.
Разработчики приводят технологическую «дорожную карту» до 2028 года: в 2026 году технология будет ограничена техпроцессом 90нм, но уже в 2027 году ожидается освоение 28нм, а с 2028 года - достижение уровня 5нм или даже 3нм.
Проект WUJI — это часть масштабной стратегии Китая по достижению технологической независимости в полупроводниковой сфере, особенно на фоне экспортных ограничений со стороны США. Учитывая, что до 70% техпроцессов, используемых при производстве WUJI совместимы с существующими "кремниевыми" линиями, это упрощает массовое внедрение MoS₂ с сопутствующими выигрышами.
Полномасштабное серийное производство на новой линии в районе Пудун в Шанхае планируется начать в июне 2026 года.
@RUSmicro
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
👍4
🇷🇺 Регулирование. Производство электроники. Россия
В России продлили упрощённый порядок ввоза электроники до конца 2026 года
Правительство России продлило на год, до 31 декабря 2026 года, упрощённый порядок ввоза на территорию страны "отдельных видов электронных устройств". Соответствующее постановление №2109 было подписано 23 декабря 2025 года. Мера призвана поддерживать стабильность на внутреннем рынке и предотвратить дефицит техники.
Упрощения касаются процедуры получения нотификации ФСБ — обязательного документа для ввоза любого оборудования, которое использует шифрование. Под это требование попадает большинство современных устройств: смартфоны, планшеты, ноутбуки, компьютеры, микросхемы и средства связи.
Ключевые изменения упрощённого порядка:
🔸 Подавать заявки на нотификацию для ввоза продукции теперь могут отраслевые ассоциации, такие как Ассоциация разработчиков и производителей электроники (АРПЭ) и Ассоциация предприятий компьютерных и информационных технологий (АП КИТ). Ранее это право было исключительно у производителей, которые должны были обращаться напрямую в Центр по лицензированию, сертификации и защите государственной тайны ФСБ России.
🔸 Для комплектующих, ввозимых для промышленного производства оборудования в России, отменяется требование предоставлять таможенным органам сведения о нотификации. Это должно упростить логистику для отечественных производителей электроники.
Решение продолжает политику, реализуемую с 2022 года, и направлено на минимизацию влияния санкционных ограничений на обеспечение российского рынка необходимой электронной продукцией и компонентами. Решение не отменяет другие меры, создающие барьеры для импорта: таможенные пошлины, требования по сертификации, мер господдержки отечественной продукции. И все же упрощённый ввоз готовой продукции (смартфонов, ноутбуков) позволит зарубежным брендам сохранить присутствие на рынке, создавая конкуренцию российским аналогам по цене, качеству и функциональности. Не худший сценарий для потребителей, если говорить о возможностях выбора.
@RUSmicro
В России продлили упрощённый порядок ввоза электроники до конца 2026 года
Правительство России продлило на год, до 31 декабря 2026 года, упрощённый порядок ввоза на территорию страны "отдельных видов электронных устройств". Соответствующее постановление №2109 было подписано 23 декабря 2025 года. Мера призвана поддерживать стабильность на внутреннем рынке и предотвратить дефицит техники.
Упрощения касаются процедуры получения нотификации ФСБ — обязательного документа для ввоза любого оборудования, которое использует шифрование. Под это требование попадает большинство современных устройств: смартфоны, планшеты, ноутбуки, компьютеры, микросхемы и средства связи.
Ключевые изменения упрощённого порядка:
🔸 Подавать заявки на нотификацию для ввоза продукции теперь могут отраслевые ассоциации, такие как Ассоциация разработчиков и производителей электроники (АРПЭ) и Ассоциация предприятий компьютерных и информационных технологий (АП КИТ). Ранее это право было исключительно у производителей, которые должны были обращаться напрямую в Центр по лицензированию, сертификации и защите государственной тайны ФСБ России.
🔸 Для комплектующих, ввозимых для промышленного производства оборудования в России, отменяется требование предоставлять таможенным органам сведения о нотификации. Это должно упростить логистику для отечественных производителей электроники.
Решение продолжает политику, реализуемую с 2022 года, и направлено на минимизацию влияния санкционных ограничений на обеспечение российского рынка необходимой электронной продукцией и компонентами. Решение не отменяет другие меры, создающие барьеры для импорта: таможенные пошлины, требования по сертификации, мер господдержки отечественной продукции. И все же упрощённый ввоз готовой продукции (смартфонов, ноутбуков) позволит зарубежным брендам сохранить присутствие на рынке, создавая конкуренцию российским аналогам по цене, качеству и функциональности. Не худший сценарий для потребителей, если говорить о возможностях выбора.
@RUSmicro