(2) По данным ijiwei, мощности по производству полупроводниковых структур на пластинах 200мм в Китае в значительной степени сосредоточены у таких участников рынка, как SMIC, Huahong Group и CR Micro. Компания SMIC, крупнейший производитель полупроводниковых микросхем в Китае, управляет тремя фабами, работающими с пластинами 200мм, - в Шанхае, Тяньцзине и Шэньчжэне, общая мощность которых к третьему кварталу 2025 года достигнет 355 тысяч пластин в месяц, а коэффициент использования мощностей вырастет до 96% в 4q2026.
С другой стороны, группа компаний Huahong, специализирующаяся на специализированных процессах, управляет двумя фабами с мощностями на 200мм пластинах - в Уси и Шанхае с общей ежемесячной мощностью 190 тысяч пластин, и коэффициент использования мощностей в 3q2025 года на этих предприятиях превысил 109,5%, что свидетельствует о устойчивой перегрузке. ijiwei отмечает, что ее фаб в Уси - крупнейшая в мире производственная линия силовых полупроводников на пластинах 200мм с ежемесячной мощностью 175 тысяч пластин, а среди ее клиентов такие компании, как Infineon и onsemi, в то время как завод в Шанхае специализируется на RF-SOI и NOR flash.
Как сообщает ijiwei, к другим китайским производителям на пластинах 200мм относятся CR Micro, ведущий китайский производитель интегральных схем, с производственными линиями в Чунцине и Уси, выпускающими около 210 тысяч пластин в месяц, а также специализированные компании, такие как GTA Semiconductor, CanSemi и Silan Microelectronics.
Однако ijiwei предупреждает, что сохраняются структурные ограничения, поскольку почти половина китайского оборудования для производства 200мм пластин – это оборудование старше 10 лет, а ключевое оборудование, такое как степперы и травильные установки, в значительной степени китайским производителям сейчас приходится покупать только на вторичном рынке из-за санкционных ограничений. Закупка нового оборудования затруднена, а сроки поставки превышают 18 месяцев, что ограничивает темпы расширения мощностей.
@RUSmicro
С другой стороны, группа компаний Huahong, специализирующаяся на специализированных процессах, управляет двумя фабами с мощностями на 200мм пластинах - в Уси и Шанхае с общей ежемесячной мощностью 190 тысяч пластин, и коэффициент использования мощностей в 3q2025 года на этих предприятиях превысил 109,5%, что свидетельствует о устойчивой перегрузке. ijiwei отмечает, что ее фаб в Уси - крупнейшая в мире производственная линия силовых полупроводников на пластинах 200мм с ежемесячной мощностью 175 тысяч пластин, а среди ее клиентов такие компании, как Infineon и onsemi, в то время как завод в Шанхае специализируется на RF-SOI и NOR flash.
Как сообщает ijiwei, к другим китайским производителям на пластинах 200мм относятся CR Micro, ведущий китайский производитель интегральных схем, с производственными линиями в Чунцине и Уси, выпускающими около 210 тысяч пластин в месяц, а также специализированные компании, такие как GTA Semiconductor, CanSemi и Silan Microelectronics.
Однако ijiwei предупреждает, что сохраняются структурные ограничения, поскольку почти половина китайского оборудования для производства 200мм пластин – это оборудование старше 10 лет, а ключевое оборудование, такое как степперы и травильные установки, в значительной степени китайским производителям сейчас приходится покупать только на вторичном рынке из-за санкционных ограничений. Закупка нового оборудования затруднена, а сроки поставки превышают 18 месяцев, что ограничивает темпы расширения мощностей.
@RUSmicro
👍5❤1
📈 Аналитика. Рынок электронных компонентов. Россия
Исследование рынка доверенных электронных компонентов для КИИ
Делюсь свежим исследованием от Остэк-ЭК:
🔹 Оценка ёмкости российского рынка доверенных электронных компонентов 1-уровня - 36-54 тысячи пластин 200 мм в год с перспективой роста свыше 100 тысяч в год (с учетом закрытых отраслей - ВПК, космос, атомная промышленность).
Это обеспечивает значительный потенциал для импортозамещения в условиях санкций.
Гарантированный государственный спрос на 100 тысяч пластин (через режим национальных закупок, систему форвардных контрактов, создание стратегических запасов и т. д.) позволит спланировать и реализовать соответствующее расширение производств с окупаемостью 7-10 лет. Инвестиции в расширение текущих мощностей по выпуску таких изделий - оправданы.
🔹 А вот в части изделий перспективного уровня (45-65 нм), емкость рынка оценивается всего в 3-5 тыс. пластин 300мм в год, что не может обеспечить загрузку современного фаба в коммерческих условиях (но может быть обусловлено стратегической необходимостью обладания технологиями).
🔹 Отмечается сохранение долгосрочной зависимость от импорта сложных компонентов – потребность оценивается в 108 тысяч пластин 2-го уровня.
Что еще привлекло внимание в обзоре:
🔹 Из-за фокуса на технологическом суверенитете, рынок растёт на фоне дефицита импортных компонентов. Ключевые сегменты - энергетика, транспорт, телеком, где требуются сертифицированные электронные компоненты для защиты от киберугроз.
🔹 Сохраняется зависимость от иностранных поставщиков (до 70% в некоторых областях), при этом есть значительные проблемы стандартизации и сертификации.
🔹 Перспективные направления - интеграция ИИ и квантовых технологий в электронные компоненты, развитие "доверенных" ПАК.
💎 Предлагаются такие выводы: без ускоренного развития рынка доверенных электронных компонентов Россия сохранит отставание в критических отраслях. Отсюда вытекают рекомендации: усилить госмероприятия по импортозамещению, стандартизации и кадровой подготовки. Это стало бы ключом к технологической независимости: рынок готов к буму, но нужны значительные инвестиции в R&D и производство.
@RUSmicro
📎 Читать отчет целиком
Исследование рынка доверенных электронных компонентов для КИИ
Делюсь свежим исследованием от Остэк-ЭК:
🔹 Оценка ёмкости российского рынка доверенных электронных компонентов 1-уровня - 36-54 тысячи пластин 200 мм в год с перспективой роста свыше 100 тысяч в год (с учетом закрытых отраслей - ВПК, космос, атомная промышленность).
Это обеспечивает значительный потенциал для импортозамещения в условиях санкций.
Гарантированный государственный спрос на 100 тысяч пластин (через режим национальных закупок, систему форвардных контрактов, создание стратегических запасов и т. д.) позволит спланировать и реализовать соответствующее расширение производств с окупаемостью 7-10 лет. Инвестиции в расширение текущих мощностей по выпуску таких изделий - оправданы.
🔹 А вот в части изделий перспективного уровня (45-65 нм), емкость рынка оценивается всего в 3-5 тыс. пластин 300мм в год, что не может обеспечить загрузку современного фаба в коммерческих условиях (но может быть обусловлено стратегической необходимостью обладания технологиями).
🔹 Отмечается сохранение долгосрочной зависимость от импорта сложных компонентов – потребность оценивается в 108 тысяч пластин 2-го уровня.
Что еще привлекло внимание в обзоре:
🔹 Из-за фокуса на технологическом суверенитете, рынок растёт на фоне дефицита импортных компонентов. Ключевые сегменты - энергетика, транспорт, телеком, где требуются сертифицированные электронные компоненты для защиты от киберугроз.
🔹 Сохраняется зависимость от иностранных поставщиков (до 70% в некоторых областях), при этом есть значительные проблемы стандартизации и сертификации.
🔹 Перспективные направления - интеграция ИИ и квантовых технологий в электронные компоненты, развитие "доверенных" ПАК.
@RUSmicro
📎 Читать отчет целиком
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
❤7👍3
📈 Производственные мощности микроэлектроники. Оценки и прогнозы
Производство структур на пластинах – оценки и прогнозы PwC
По части производственных мощностей, текущий период определяет строительство новых фабрик во многих регионах мира. Инвестиции в их сооружение выросли под влиянием выделения государственных субсидий рядом государств и в связи с необходимостью стабилизации цепочек поставок. Немало компаний сейчас одновременно осуществляют крупномасштабные инвестиции в производственные мощности и внедряют передовые технологии, соответственно адаптируя производство или сооружая новые фабы.
Значительные различия в стратегиях по регионам очевидны в секторе логики, памяти и DAO (дискретные, аналоговые, оптические микросхемы). Некоторые стремятся хотя бы сохранить свои позиции в областях, где они ранее занимали сильные позиции, в то время как другие пытаются выходить в новые для себя сегменты рынка.
Поскольку глобальный спрос на высокопроизводительные, энергоэффективные и высоконадежные микросхемы продолжает расти, крупные, универсальные заводы, способные работать с несколькими технологическими узлами параллельно, вероятно, будут иметь важное значение для поддержания темпов производства и обеспечения следующей волны роста отрасли.
@RUSmicro, иллюстрация - из отчета PwC Semiconductor and Beyond 2026
Производство структур на пластинах – оценки и прогнозы PwC
По части производственных мощностей, текущий период определяет строительство новых фабрик во многих регионах мира. Инвестиции в их сооружение выросли под влиянием выделения государственных субсидий рядом государств и в связи с необходимостью стабилизации цепочек поставок. Немало компаний сейчас одновременно осуществляют крупномасштабные инвестиции в производственные мощности и внедряют передовые технологии, соответственно адаптируя производство или сооружая новые фабы.
Значительные различия в стратегиях по регионам очевидны в секторе логики, памяти и DAO (дискретные, аналоговые, оптические микросхемы). Некоторые стремятся хотя бы сохранить свои позиции в областях, где они ранее занимали сильные позиции, в то время как другие пытаются выходить в новые для себя сегменты рынка.
Поскольку глобальный спрос на высокопроизводительные, энергоэффективные и высоконадежные микросхемы продолжает расти, крупные, универсальные заводы, способные работать с несколькими технологическими узлами параллельно, вероятно, будут иметь важное значение для поддержания темпов производства и обеспечения следующей волны роста отрасли.
@RUSmicro, иллюстрация - из отчета PwC Semiconductor and Beyond 2026
👍3🙈1
(2) Производственные мощности по выпуску кремниевых пластин продолжают расти
🔹 1990-е – середина 2000-х годов (150 мм → 200 мм)
По мере перехода заводов с 150мм на 200мм, использование более крупных пластин увеличило объем производства кристаллов и снизило себестоимость единицы продукции. Спрос на ПК в начале эпохи глобального интернета ускорил внедрение 200мм пластин, однако многие линии, работавшие с 150мм пластинами, выжили, переориентировавшись на производство дискретных, MEMS и радиочастотных компонентов.
🔹 Конец 2000-х – 2010-е годы (200 мм → 300 мм)
Intel, TSMC и Samsung запустили серийное производство 300мм пластин еще в 2001 году, используя полную автоматизацию и лучшую экономию за счет масштаба. Вскоре последовали производители памяти, и заводы расширили мощности по выпуску 300-мм пластин для передовых технологических узлов. После кратковременного затишья, с 2016 года наблюдалась вторая волна инвестиций в 200мм технологию, обусловленная развитием датчиков IoT, CMOS-датчиков изображения и силовых интегральных схем, особенно в Китае и Юго-Восточной Азии.
🔹 2020-е годы и далее
Поскольку разработка 450-мм технологии была приостановлена из-за высокой стоимости, 300-мм технология пока что остается основной для разработки передовой логики и DRAM/3D NAND. В то же время спрос на SiC, GaN, аналоговые технологии и специализированные технологии обработки изображений обеспечивает загрузку заводов по производству 200мм и 150мм пластин, что указывает на умеренный, но устойчивый рост по всем трем размерам пластин до 2030 года. (@RUSmicro: Стоит отметить, что уже и в области SiC началось освоение пластин 300мм, что не отменяет возможности роста спроса на производственные мощности 200мм в ближайшие годы).
@RUSmicro, иллюстрация - из отчета PwC Semiconductor and Beyond
На картинке приведены оценка и прогноз общепланетных производственных мощностей по выпуску микроэлектроники, приведенная к эквиваленту 200мм пластин в месяц. Если я правильно читаю эту картинку, то примерно от 33 млн пластин в месяц на 2025 год мы движемся к совокупным мощностям примерно в 45 млн пластин в месяц к 2030 году.
🔹 1990-е – середина 2000-х годов (150 мм → 200 мм)
По мере перехода заводов с 150мм на 200мм, использование более крупных пластин увеличило объем производства кристаллов и снизило себестоимость единицы продукции. Спрос на ПК в начале эпохи глобального интернета ускорил внедрение 200мм пластин, однако многие линии, работавшие с 150мм пластинами, выжили, переориентировавшись на производство дискретных, MEMS и радиочастотных компонентов.
🔹 Конец 2000-х – 2010-е годы (200 мм → 300 мм)
Intel, TSMC и Samsung запустили серийное производство 300мм пластин еще в 2001 году, используя полную автоматизацию и лучшую экономию за счет масштаба. Вскоре последовали производители памяти, и заводы расширили мощности по выпуску 300-мм пластин для передовых технологических узлов. После кратковременного затишья, с 2016 года наблюдалась вторая волна инвестиций в 200мм технологию, обусловленная развитием датчиков IoT, CMOS-датчиков изображения и силовых интегральных схем, особенно в Китае и Юго-Восточной Азии.
🔹 2020-е годы и далее
Поскольку разработка 450-мм технологии была приостановлена из-за высокой стоимости, 300-мм технология пока что остается основной для разработки передовой логики и DRAM/3D NAND. В то же время спрос на SiC, GaN, аналоговые технологии и специализированные технологии обработки изображений обеспечивает загрузку заводов по производству 200мм и 150мм пластин, что указывает на умеренный, но устойчивый рост по всем трем размерам пластин до 2030 года. (@RUSmicro: Стоит отметить, что уже и в области SiC началось освоение пластин 300мм, что не отменяет возможности роста спроса на производственные мощности 200мм в ближайшие годы).
@RUSmicro, иллюстрация - из отчета PwC Semiconductor and Beyond
На картинке приведены оценка и прогноз общепланетных производственных мощностей по выпуску микроэлектроники, приведенная к эквиваленту 200мм пластин в месяц. Если я правильно читаю эту картинку, то примерно от 33 млн пластин в месяц на 2025 год мы движемся к совокупным мощностям примерно в 45 млн пластин в месяц к 2030 году.
👍3
(3) «Золотая лихорадка»: инвестиции в новые фабы
США и Китай занимают лидирующие позиции по объему инвестиций в полупроводниковую промышленность. Китай стремится к самообеспечению, чтобы компенсировать экспортные ограничения США, в то время как США направляют огромные капиталовложения в развертывание новых предприятий для реиндустриализации, укрепления своего внутреннего сектора производства микросхем.
В сегменте логических полупроводников достижения в области ИИ и высоких технологий сделали современные логические микросхемы критически важными, этот сегмент стабильно привлекает наибольшую долю финансирования.
Стратегии различны - США и Тайвань расширяют инвестиции в передовые технологические узлы, в то время как Китай в основном фокусируется на относительно устаревших узлах («зрелых» техпроцессах), чему способствуют ограничения на импорт передового оборудования.
Корея, вероятно, в ближайшие годы сохранит свое лидерство на рынке памяти за счет значительных инвестиций в технологии и производство DRAM и NAND flash, делая акцент на масштабе и ценовой конкурентоспособности. Поскольку высокоскоростная память (HBM) становится необходимой для ИИ, корейские лидеры полупроводниковой отрасли увеличивают инвестиции для укрепления своих позиций в этом сегменте.
Полупроводники DAO, как правило, требуют меньшей технологической сложности, чем логические компоненты или память, что часто приводит к снижению капитальных затрат на развитие этого направления. Значительные инвестиции Китая в DAO можно рассматривать как попытку смягчить проблемы с доступностью на высокотехнологичного производственного оборудования за счет концентрации на областях с относительно низкими барьерами для входа.
Благодаря стратегическим инвестициям, поддерживаемым рядом государств, глобальные расходы на производство полупроводников с 2024 по 2030 год, по прогнозам, превысят $1,5 триллиона - что равно общей сумме расходов на отрасль за последние 2 десятилетия. По мере ускорения бума ИИ ожидается, что инвестиции в логические полупроводники еще больше увеличатся, потенциально еще больше подтолкнув расходы на производство в этот период.
@RUSmicro, иллюстрация - из отчета PwC Semiconductor and Beyond
США и Китай занимают лидирующие позиции по объему инвестиций в полупроводниковую промышленность. Китай стремится к самообеспечению, чтобы компенсировать экспортные ограничения США, в то время как США направляют огромные капиталовложения в развертывание новых предприятий для реиндустриализации, укрепления своего внутреннего сектора производства микросхем.
В сегменте логических полупроводников достижения в области ИИ и высоких технологий сделали современные логические микросхемы критически важными, этот сегмент стабильно привлекает наибольшую долю финансирования.
Стратегии различны - США и Тайвань расширяют инвестиции в передовые технологические узлы, в то время как Китай в основном фокусируется на относительно устаревших узлах («зрелых» техпроцессах), чему способствуют ограничения на импорт передового оборудования.
Корея, вероятно, в ближайшие годы сохранит свое лидерство на рынке памяти за счет значительных инвестиций в технологии и производство DRAM и NAND flash, делая акцент на масштабе и ценовой конкурентоспособности. Поскольку высокоскоростная память (HBM) становится необходимой для ИИ, корейские лидеры полупроводниковой отрасли увеличивают инвестиции для укрепления своих позиций в этом сегменте.
Полупроводники DAO, как правило, требуют меньшей технологической сложности, чем логические компоненты или память, что часто приводит к снижению капитальных затрат на развитие этого направления. Значительные инвестиции Китая в DAO можно рассматривать как попытку смягчить проблемы с доступностью на высокотехнологичного производственного оборудования за счет концентрации на областях с относительно низкими барьерами для входа.
Благодаря стратегическим инвестициям, поддерживаемым рядом государств, глобальные расходы на производство полупроводников с 2024 по 2030 год, по прогнозам, превысят $1,5 триллиона - что равно общей сумме расходов на отрасль за последние 2 десятилетия. По мере ускорения бума ИИ ожидается, что инвестиции в логические полупроводники еще больше увеличатся, потенциально еще больше подтолкнув расходы на производство в этот период.
@RUSmicro, иллюстрация - из отчета PwC Semiconductor and Beyond
❤3👍1🙈1
(4) Как менялись и будут изменяться мощности производства полупроводников на пластинах
На картинке показаны оценки и прогнозы PwC.
🔹 До 2000 года: зарождение отрасли
С 1960-х по конец 1990-х годов отрасль производства микросхем перешла от лабораторных разработок к массовому производству. Пионеры, такие как IBM и Motorola в США, Philips и STMicroelectronics в Европе, а также Toshiba, NEC, Hitachi и Samsung в Азии, совершили прорыв в области налаживания производства памяти, микропроцессоров и литографии.
Коммерческие ИС впервые появились в середине 1960-х годов, но взрывной рост спроса на персональные компьютеры и бытовую электронику в 1980-х и 1990-х годах заложил основу для долгосрочного расширения отрасли.
🔹 2000–2020: эпоха роста
В начале 2000-х годов в разработку и постановку на производства участники рынка инвестировали все в больших объемах.
В Корее значительное расширение получили фабрики, выпускающие DRAM и NAND собственной разработке, тогда как тайваньская TSMC усовершенствовала модель контрактного производства; к середине 2000-х годов Тайвань лидировал в мире по объему аутсорсинговых мощностей в области логики.
Растущее число американских и европейских компаний приняли стратегию без собственных производственных мощностей, передав производство пластин азиатским литейным заводам и OSAT, и еще больше сместив цепочку поставок на Восток.
🔹 Прогноз на 2020-2030: новая глава
Китай, при мощной господдержке – прямой финансовой и стимулирующей частные предприятия, вкладывает миллиарды в производство, основанное на применении зрелых технологических узлов логики и памяти; такие предприятия как SMIC и YMTC наращивают мощности — все еще на один-два узла отставая от компаний «западного блока», в то время как десятки местных и иностранных фирм строят новые заводы в Китае.
США отвечают субсидиями в рамках Закона о чипах, чтобы стимулировать сооружение на своей территории фабов, способных производить передовые логические и гетерогенные ИС.
Корея и Тайвань стремятся укрепить свое доминирование в области памяти (особенно в области HBM) и в оказании инновационных услуг по производству микросхем.
Япония и Европа разрабатывают пакеты услуг для привлечения зарубежных предприятий, которые готовы построить в этих странах производственные мощности по выпуску как передовых логических микросхем, так и специализированных силовых микросхем на основе SiC.
В совокупности эти шаги призваны перестроить глобальное производство к 2030 году и открыть новый этап в развитии полупроводниковой промышленности.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
На картинке показаны оценки и прогнозы PwC.
🔹 До 2000 года: зарождение отрасли
С 1960-х по конец 1990-х годов отрасль производства микросхем перешла от лабораторных разработок к массовому производству. Пионеры, такие как IBM и Motorola в США, Philips и STMicroelectronics в Европе, а также Toshiba, NEC, Hitachi и Samsung в Азии, совершили прорыв в области налаживания производства памяти, микропроцессоров и литографии.
Коммерческие ИС впервые появились в середине 1960-х годов, но взрывной рост спроса на персональные компьютеры и бытовую электронику в 1980-х и 1990-х годах заложил основу для долгосрочного расширения отрасли.
🔹 2000–2020: эпоха роста
В начале 2000-х годов в разработку и постановку на производства участники рынка инвестировали все в больших объемах.
В Корее значительное расширение получили фабрики, выпускающие DRAM и NAND собственной разработке, тогда как тайваньская TSMC усовершенствовала модель контрактного производства; к середине 2000-х годов Тайвань лидировал в мире по объему аутсорсинговых мощностей в области логики.
Растущее число американских и европейских компаний приняли стратегию без собственных производственных мощностей, передав производство пластин азиатским литейным заводам и OSAT, и еще больше сместив цепочку поставок на Восток.
🔹 Прогноз на 2020-2030: новая глава
Китай, при мощной господдержке – прямой финансовой и стимулирующей частные предприятия, вкладывает миллиарды в производство, основанное на применении зрелых технологических узлов логики и памяти; такие предприятия как SMIC и YMTC наращивают мощности — все еще на один-два узла отставая от компаний «западного блока», в то время как десятки местных и иностранных фирм строят новые заводы в Китае.
США отвечают субсидиями в рамках Закона о чипах, чтобы стимулировать сооружение на своей территории фабов, способных производить передовые логические и гетерогенные ИС.
Корея и Тайвань стремятся укрепить свое доминирование в области памяти (особенно в области HBM) и в оказании инновационных услуг по производству микросхем.
Япония и Европа разрабатывают пакеты услуг для привлечения зарубежных предприятий, которые готовы построить в этих странах производственные мощности по выпуску как передовых логических микросхем, так и специализированных силовых микросхем на основе SiC.
В совокупности эти шаги призваны перестроить глобальное производство к 2030 году и открыть новый этап в развитии полупроводниковой промышленности.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
👍3❤2🙈1
📈 Производственные мощности и размеры узлов. Оценки и прогнозы
Общий тренд - переход к все более тонким техпроцессам
В случае логических микросхем, выполняющих вычисления, управление и обработку сигналов – заметен выигрыш от уменьшения размера техпроцесса, поскольку размещение большего количества транзисторов на той же площади позволяет выполнять более сложные операции, кроме того, в более миниатюрных транзисторах операции выполняются быстрее.
Техпроцессы ниже 7 нм обеспечивают высочайшую производительность и энергоэффективность, способствуя развитию передовых ускорителей ИИ и высокопроизводительных вычислительных решений. Благодаря значительным инвестициям в производственные мощности, способные работать с передовыми техпроцессами, их доля в общем объеме производства растет.
🔸 Процессы ниже 7 нм все чаще применяют в сочетании с передовыми архитектурами транзисторов и современными методами их упаковки, что обеспечивает еще более высокую скорость и энергоэффективность.
🔸 Техпроцессы 8–16 нм занимают средний диапазон, им свойственна не столь высокая производительность транзисторов, по сравнению с теми, что выполнены по техпроцессам 7 нм и ниже, при этом себестоимость их производства выше, чем изделий по техпроцессам 22–28 нм. Эти техпроцессы широко используются для создания изделий, находящих применение в автомобильных системах ADAS, мобильных SoC и графических процессорах среднего уровня.
Идет постоянная миграция с техпроцессов 22–28 нм на передовые техпроцессы 8-16 нм и ниже 7 нм ради повышения производительности микросхем.
🔸 Технологические узлы 22–28 нм часто называют «зрелым мейнстримом». Линии 22/28 нм обеспечивают производство автомобильных микроконтроллеров, промышленного IoT и потребительских ASIC, где стоимость изделий, устойчивость к напряжению и проверенная надежность важнее плотности размещения узлов на кристалле, их количества, быстроты переключения и даже большей энергоэффективности. Спрос на изделия этой категории высок, но быстрое расширение производства 28 нм в Китае может создать локальный избыток предложения производственных мощностей этой категории в конце двадцатых годов.
🔸 Техпроцессы 32 нм и выше предназначены для чувствительных к цене или сверхнадежных устройств — силовых контроллеров, датчиков, драйверов дисплеев и т. д. Многие производители, использующие этот уровень техпроцессов, работают на полностью амортизированных заводах, что позволяет сохранять прибыльность производства даже при небольших объемах и неполной загрузке. Общая производственная мощность 32 нм, вероятно, лишь немного увеличится из-за того, что новые разработки соответствующих изделий стараются выполнять под процессы 28 нм и ниже.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond.
На рисунке приведены оценки и прогнозы роста производственных мощностей (в эквиваленте пластин 200мм в месяц) по размеру узла. В табличке справа от диаграммы показан прогноз среднегодовых темпов роста производственных мощностей по размеру узла.
Общий тренд - переход к все более тонким техпроцессам
В случае логических микросхем, выполняющих вычисления, управление и обработку сигналов – заметен выигрыш от уменьшения размера техпроцесса, поскольку размещение большего количества транзисторов на той же площади позволяет выполнять более сложные операции, кроме того, в более миниатюрных транзисторах операции выполняются быстрее.
Техпроцессы ниже 7 нм обеспечивают высочайшую производительность и энергоэффективность, способствуя развитию передовых ускорителей ИИ и высокопроизводительных вычислительных решений. Благодаря значительным инвестициям в производственные мощности, способные работать с передовыми техпроцессами, их доля в общем объеме производства растет.
🔸 Процессы ниже 7 нм все чаще применяют в сочетании с передовыми архитектурами транзисторов и современными методами их упаковки, что обеспечивает еще более высокую скорость и энергоэффективность.
🔸 Техпроцессы 8–16 нм занимают средний диапазон, им свойственна не столь высокая производительность транзисторов, по сравнению с теми, что выполнены по техпроцессам 7 нм и ниже, при этом себестоимость их производства выше, чем изделий по техпроцессам 22–28 нм. Эти техпроцессы широко используются для создания изделий, находящих применение в автомобильных системах ADAS, мобильных SoC и графических процессорах среднего уровня.
Идет постоянная миграция с техпроцессов 22–28 нм на передовые техпроцессы 8-16 нм и ниже 7 нм ради повышения производительности микросхем.
🔸 Технологические узлы 22–28 нм часто называют «зрелым мейнстримом». Линии 22/28 нм обеспечивают производство автомобильных микроконтроллеров, промышленного IoT и потребительских ASIC, где стоимость изделий, устойчивость к напряжению и проверенная надежность важнее плотности размещения узлов на кристалле, их количества, быстроты переключения и даже большей энергоэффективности. Спрос на изделия этой категории высок, но быстрое расширение производства 28 нм в Китае может создать локальный избыток предложения производственных мощностей этой категории в конце двадцатых годов.
🔸 Техпроцессы 32 нм и выше предназначены для чувствительных к цене или сверхнадежных устройств — силовых контроллеров, датчиков, драйверов дисплеев и т. д. Многие производители, использующие этот уровень техпроцессов, работают на полностью амортизированных заводах, что позволяет сохранять прибыльность производства даже при небольших объемах и неполной загрузке. Общая производственная мощность 32 нм, вероятно, лишь немного увеличится из-за того, что новые разработки соответствующих изделий стараются выполнять под процессы 28 нм и ниже.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond.
На рисунке приведены оценки и прогнозы роста производственных мощностей (в эквиваленте пластин 200мм в месяц) по размеру узла. В табличке справа от диаграммы показан прогноз среднегодовых темпов роста производственных мощностей по размеру узла.
👍6
📈 Производственные мощности 300 мм - геоаналитика. Оценки и прогнозы
Повышение устойчивости производства логических микросхем
Поскольку полупроводники становятся стратегическими активами, правительства вкладывают значительные средства в развитие производства передовых логических микросхем на территориях своих стран. Дефицит в эпоху пандемии и геополитическая напряженность подчеркнули, насколько важны местные мощности и стабильные цепочки поставок для национальной безопасности.
🇺🇸 США. В меняющихся геополитических условиях США стратегически используют государственную поддержку в виде субсидий, налоговых льгот и инвестиций в инфраструктуру для привлечения производителей передовых микросхем к развертыванию производств на своей территории. Китай, ограниченный экспортным контролем, существенно расширяет мощности по производству зрелых логических микросхем при сильной государственной поддержке. Однако из-за технологических и аппаратных ограничений выход годной продукции в Китае в части передовых техпроцессов и микросхем может оставаться относительно низким, а это означает, что фактический объем производства может отставать от объема производственных мощностей.
🇹🇼 Тайвань. Может сохранить глобальное лидерство, сосредоточившись на производстве передовых микросхем, хотя необходимость весьма значительных инвестиций в наиболее передовые процессы сдерживает возможности расширения мощностей.
🇰🇷 Корея. Государственная поддержка, включая обеспечение стабильного электроснабжения, водоснабжения и интегрированной экосистемы чипов, может оставаться ключевым фактором конкурентоспособности Кореи в сегменте микросхем с техпроцессом менее 3 нм.
Корея, вероятно, сохранит свои сильные позиции в производстве памяти, однако она стратегически инвестирует и в расширение своего присутствия на рынке логических микросхем.
🇯🇵 Япония. Страна оживляет свой сектор микросхем посредством таких проектов, как завод TSMC–Sony в Кумамото, расширение производства силовых устройств и завод Rapidus, работающий над техпроцессом 2 нм, а также активно внедряет передовые технологии упаковки.
В совокупности эти региональные стратегии изменят географию поставок логических полупроводников. Основным принципом инвестиций в период до 2030 года будет не просто снижение затрат на получение микросхем, а устойчивость.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
На картинке показаны доли рынка, пропорционально производственным мощностям, работающим с пластинами 300мм. Можно отметить изменения баланса от ситуации «лидерство с большим отрывом» Тайваня в 2024 году к более сбалансированной ситуации, где в мире есть три страны с двузначными долями производственных мощностей 300мм – Тайвань, Китай и США на 2030 год.
Повышение устойчивости производства логических микросхем
Поскольку полупроводники становятся стратегическими активами, правительства вкладывают значительные средства в развитие производства передовых логических микросхем на территориях своих стран. Дефицит в эпоху пандемии и геополитическая напряженность подчеркнули, насколько важны местные мощности и стабильные цепочки поставок для национальной безопасности.
🇺🇸 США. В меняющихся геополитических условиях США стратегически используют государственную поддержку в виде субсидий, налоговых льгот и инвестиций в инфраструктуру для привлечения производителей передовых микросхем к развертыванию производств на своей территории. Китай, ограниченный экспортным контролем, существенно расширяет мощности по производству зрелых логических микросхем при сильной государственной поддержке. Однако из-за технологических и аппаратных ограничений выход годной продукции в Китае в части передовых техпроцессов и микросхем может оставаться относительно низким, а это означает, что фактический объем производства может отставать от объема производственных мощностей.
🇹🇼 Тайвань. Может сохранить глобальное лидерство, сосредоточившись на производстве передовых микросхем, хотя необходимость весьма значительных инвестиций в наиболее передовые процессы сдерживает возможности расширения мощностей.
🇰🇷 Корея. Государственная поддержка, включая обеспечение стабильного электроснабжения, водоснабжения и интегрированной экосистемы чипов, может оставаться ключевым фактором конкурентоспособности Кореи в сегменте микросхем с техпроцессом менее 3 нм.
Корея, вероятно, сохранит свои сильные позиции в производстве памяти, однако она стратегически инвестирует и в расширение своего присутствия на рынке логических микросхем.
🇯🇵 Япония. Страна оживляет свой сектор микросхем посредством таких проектов, как завод TSMC–Sony в Кумамото, расширение производства силовых устройств и завод Rapidus, работающий над техпроцессом 2 нм, а также активно внедряет передовые технологии упаковки.
В совокупности эти региональные стратегии изменят географию поставок логических полупроводников. Основным принципом инвестиций в период до 2030 года будет не просто снижение затрат на получение микросхем, а устойчивость.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
На картинке показаны доли рынка, пропорционально производственным мощностям, работающим с пластинами 300мм. Можно отметить изменения баланса от ситуации «лидерство с большим отрывом» Тайваня в 2024 году к более сбалансированной ситуации, где в мире есть три страны с двузначными долями производственных мощностей 300мм – Тайвань, Китай и США на 2030 год.
👍6
📈 Архитектура узлов. Архитектура транзисторов
Архитектура транзисторов следующего поколения
По мере того, как производители микросхем переходят на техпроцессы ниже 5 нм, каждое последующее поколение техпроцессов требует больше исследований и разработок, инвестиций и времени.
Транзисторы FinFET сейчас близки к пределам масштабируемости, поэтому лидеры отрасли переходят к устройствам с затвором, охватывающим всю поверхность (GAA - gate all around / с круговым затвором), на нанолистах, выпускаемых по техпроцессам, обеспечивающим плотность размещения 3 нм и 2 нм.
Дальнейшее уменьшение размеров вероятно потребует использования новых архитектур устройств для подавления эффектов короткого канала, паразитного сопротивления и квантового туннелирования.
Сейчас рассматриваются 2 ведущих кандидата: комплементарные полевые транзисторы (CFET) и Forksheet.
🔹 CFET — это архитектура транзисторов следующего поколения, которая обещает более высокую плотность интеграции и дальнейший рост производительности. Intel, Samsung и TSMC активно исследуют CFET, и хотя сроки коммерциализации различаются в зависимости от компании, рынок ожидает, что первичная коммерциализация устройств на этой архитектуре может прийтись на начало 30-х годов, если получиться создать необходимые производственные процессы и добиться снижения производственных затрат «на пластину» (обеспечить достаточный «выход годных»).
🔹 Между сегодняшним GAA и полноценным стеком CFET лежит концепция Forksheet, которая вводит диэлектрическую «вилку» для изоляции соседних стеков нанолистов и еще большего уменьшения шага затвора. Некоторые исследовательские консорциумы рассматривают Forksheet как разумный переходный этап, другие намерены перескочить через него, сосредоточив ресурсы сразу на CFET.
💎 Какой бы путь ни возобладал, эра пост-2-нм будет зависеть от масштабных инвестиций, новых материалов и передовой 3D-интеграции (упаковки). Гонка за уменьшением узлов вероятно будет ожесточенной и, безусловно, продолжит менять ландшафт полупроводниковой промышленности.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
На картинке из отчета показана эволюция основных архитектур транзисторов в привязке к техпроцессу/плотности размещения
Архитектура транзисторов следующего поколения
По мере того, как производители микросхем переходят на техпроцессы ниже 5 нм, каждое последующее поколение техпроцессов требует больше исследований и разработок, инвестиций и времени.
Транзисторы FinFET сейчас близки к пределам масштабируемости, поэтому лидеры отрасли переходят к устройствам с затвором, охватывающим всю поверхность (GAA - gate all around / с круговым затвором), на нанолистах, выпускаемых по техпроцессам, обеспечивающим плотность размещения 3 нм и 2 нм.
Дальнейшее уменьшение размеров вероятно потребует использования новых архитектур устройств для подавления эффектов короткого канала, паразитного сопротивления и квантового туннелирования.
Сейчас рассматриваются 2 ведущих кандидата: комплементарные полевые транзисторы (CFET) и Forksheet.
🔹 CFET — это архитектура транзисторов следующего поколения, которая обещает более высокую плотность интеграции и дальнейший рост производительности. Intel, Samsung и TSMC активно исследуют CFET, и хотя сроки коммерциализации различаются в зависимости от компании, рынок ожидает, что первичная коммерциализация устройств на этой архитектуре может прийтись на начало 30-х годов, если получиться создать необходимые производственные процессы и добиться снижения производственных затрат «на пластину» (обеспечить достаточный «выход годных»).
🔹 Между сегодняшним GAA и полноценным стеком CFET лежит концепция Forksheet, которая вводит диэлектрическую «вилку» для изоляции соседних стеков нанолистов и еще большего уменьшения шага затвора. Некоторые исследовательские консорциумы рассматривают Forksheet как разумный переходный этап, другие намерены перескочить через него, сосредоточив ресурсы сразу на CFET.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
На картинке из отчета показана эволюция основных архитектур транзисторов в привязке к техпроцессу/плотности размещения
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
❤3👍2
📈 Производство памяти. Топ-5 стран. Оценки и прогнозы
Глобальные сдвиги в сфере производства памяти сохранят лидерство Азии
В целом, цепочка поставок памяти, вероятно, останется ориентированной на Азию, однако формируется более широкий региональный баланс.
#1. 🇰🇷 Корея может сохранить самые сильные позиции в производстве полупроводников памяти, опираясь на передовые технологии DRAM и NAND, и продолжающиеся крупномасштабные инвестиции. Используя устоявшийся статус, надежность и качество, Корея, как ожидается, сохранит или даже расширит свои позиции в сегменте памяти.
#2. 🇨🇳 Китай стремится к самообеспечению, создавая десятки линий по производству памяти по зрелым техпроцессам на основе щедрых государственных субсидий. Китайские поставщики повышают выход годной продукции в основных узлах DRAM и наращивают производство высокослойной 3D NAND.
#3. 🇯🇵 Япония, некогда сильная в производстве флэш-памяти NAND, может наблюдать небольшое снижение своей доли рынка к 2030 году из-за ослабления ценовой конкурентоспособности. Кроме того, ее ориентация на сегменты игр и телекоммуникаций, для которых не прогнозируется устойчивый рост, может еще больше ограничить расширение.
#4. 🇹🇼 Тайвань может сосредоточиться на экономичном производстве DRAM среднего ценового сегмента и на расширении специализированных NOR/SRAM-линий. Из-за отсутствия крупных мощностей по производству NAND-памяти, доля Тайваня на рынке NAND вряд ли значительно вырастет.
#5. 🇺🇸 США используют государственные стимулы для укрепления отечественного производства памяти. Строятся новые мегафабрики для производства изделий DRAM и 3D NAND. Эти заводы могут увеличить долю США к концу двадцатых годов.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
На картинке из отчета PwC показана оценка доли рынка и прогноз доли рынка Топ-5 стран, производящих полупроводниковую память, основанная на производственных мощностях на территории страны
Глобальные сдвиги в сфере производства памяти сохранят лидерство Азии
В целом, цепочка поставок памяти, вероятно, останется ориентированной на Азию, однако формируется более широкий региональный баланс.
#1. 🇰🇷 Корея может сохранить самые сильные позиции в производстве полупроводников памяти, опираясь на передовые технологии DRAM и NAND, и продолжающиеся крупномасштабные инвестиции. Используя устоявшийся статус, надежность и качество, Корея, как ожидается, сохранит или даже расширит свои позиции в сегменте памяти.
#2. 🇨🇳 Китай стремится к самообеспечению, создавая десятки линий по производству памяти по зрелым техпроцессам на основе щедрых государственных субсидий. Китайские поставщики повышают выход годной продукции в основных узлах DRAM и наращивают производство высокослойной 3D NAND.
#3. 🇯🇵 Япония, некогда сильная в производстве флэш-памяти NAND, может наблюдать небольшое снижение своей доли рынка к 2030 году из-за ослабления ценовой конкурентоспособности. Кроме того, ее ориентация на сегменты игр и телекоммуникаций, для которых не прогнозируется устойчивый рост, может еще больше ограничить расширение.
#4. 🇹🇼 Тайвань может сосредоточиться на экономичном производстве DRAM среднего ценового сегмента и на расширении специализированных NOR/SRAM-линий. Из-за отсутствия крупных мощностей по производству NAND-памяти, доля Тайваня на рынке NAND вряд ли значительно вырастет.
#5. 🇺🇸 США используют государственные стимулы для укрепления отечественного производства памяти. Строятся новые мегафабрики для производства изделий DRAM и 3D NAND. Эти заводы могут увеличить долю США к концу двадцатых годов.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
На картинке из отчета PwC показана оценка доли рынка и прогноз доли рынка Топ-5 стран, производящих полупроводниковую память, основанная на производственных мощностях на территории страны
👍4
📈 Производство памяти. HBM. Оценки и прогнозы
Рост спроса на системы ИИ наращивает спрос и на HBM
Резкий рост спроса на обучение и вывод моделей генеративного ИИ превратил память с высокой пропускной способностью в критически важный компонент современных серверов центров обработки данных (ЦОД). Производительность CPU, GPU и ускорителей продолжает расти, но, если подключенная память не может обеспечивать достаточно быструю подачу данных, она становится узким местом, ограничивающим возможности системы.
Память HBM решает эту проблему, позволяя разместить несколько кристаллов DRAM непосредственно на кристалле базовой логики, соединив эти кристаллы переходными отверстиями (TSV) и размещая затем стек памяти на кремниевом интерпозере в непосредственной близости с вычислительным чипом. Такая 3D-интеграция обеспечивает пропускную способность в терабайты в секунду при очень малых размерах, что делает HBM критически важной для создания энергоемких систем ИИ и высокопроизводительных вычислений.
Многие поставщики спешат увеличить производственные мощности по выпуску HBM, но дефицит этого вида памяти все еще может возникать.
Во-первых, спрос на HBM может превзойти даже самые оптимистичные прогнозы, а 18-24-месячный срок поставки новых линий TSV оставляет мало места для быстрых решений.
Во-вторых, цепочка поставок сильна настолько, насколько сильно её самое слабое звено: ограниченная доступность, например, кремниевых интерпозеров, или возможностей по созданию современных контактных площадок, или специализированных базовых логических кристаллов, могут ограничивать общий объем производства HBM.
Пока инфраструктура упаковки не будет масштабироваться параллельно с началом производства DRAM, дефицит памяти HBM и, соответственно, премиальные цены на нее, вероятно, сохранятся.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
((RUSmicro: Основные участники рынка HBM на сегодня – корейские SK Hynix и Samsung, но также можно отметить соответствующие активности американской Micron. В Китае также занимаются темой HBM, но пока что сохраняется технологическое отставание китайских производителей в этой области от Топ-3 производителей)).
На картинке PwC показаны оценки и прогнозы рынка HBM и рост проникновения HBM в общем объеме выпуска DRAM. Как видим, ожидается стабильно интенсивный рост рынка памяти со среднегодовыми темпами в 27.8%, причем к концу двадцатых годов доля HBM может достичь 40%.
Рост спроса на системы ИИ наращивает спрос и на HBM
Резкий рост спроса на обучение и вывод моделей генеративного ИИ превратил память с высокой пропускной способностью в критически важный компонент современных серверов центров обработки данных (ЦОД). Производительность CPU, GPU и ускорителей продолжает расти, но, если подключенная память не может обеспечивать достаточно быструю подачу данных, она становится узким местом, ограничивающим возможности системы.
Память HBM решает эту проблему, позволяя разместить несколько кристаллов DRAM непосредственно на кристалле базовой логики, соединив эти кристаллы переходными отверстиями (TSV) и размещая затем стек памяти на кремниевом интерпозере в непосредственной близости с вычислительным чипом. Такая 3D-интеграция обеспечивает пропускную способность в терабайты в секунду при очень малых размерах, что делает HBM критически важной для создания энергоемких систем ИИ и высокопроизводительных вычислений.
Многие поставщики спешат увеличить производственные мощности по выпуску HBM, но дефицит этого вида памяти все еще может возникать.
Во-первых, спрос на HBM может превзойти даже самые оптимистичные прогнозы, а 18-24-месячный срок поставки новых линий TSV оставляет мало места для быстрых решений.
Во-вторых, цепочка поставок сильна настолько, насколько сильно её самое слабое звено: ограниченная доступность, например, кремниевых интерпозеров, или возможностей по созданию современных контактных площадок, или специализированных базовых логических кристаллов, могут ограничивать общий объем производства HBM.
Пока инфраструктура упаковки не будет масштабироваться параллельно с началом производства DRAM, дефицит памяти HBM и, соответственно, премиальные цены на нее, вероятно, сохранятся.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
((RUSmicro: Основные участники рынка HBM на сегодня – корейские SK Hynix и Samsung, но также можно отметить соответствующие активности американской Micron. В Китае также занимаются темой HBM, но пока что сохраняется технологическое отставание китайских производителей в этой области от Топ-3 производителей)).
На картинке PwC показаны оценки и прогнозы рынка HBM и рост проникновения HBM в общем объеме выпуска DRAM. Как видим, ожидается стабильно интенсивный рост рынка памяти со среднегодовыми темпами в 27.8%, причем к концу двадцатых годов доля HBM может достичь 40%.
❤1👍1
📈 Полупроводники DAO. Дискретные. Аналоговые. Оптоэлектроника. Оценки и прогнозы
Большие пластины, более широкий ассортимент: изменения на рынке DAO
🔹 Дискретные полупроводники
Большинство силовых MOSFET, IGBT и диодов по-прежнему выпускается на пластинах размером 150–200 мм, но все большая доля дискретных полупроводников производится на пластинах 300 мм - в первую очередь, это устройства с высокой добавленной стоимостью, такие как низковольтные MOSFET, автомобильные IGBT и микросхемы Smart-Power. Тем временем компоненты на основе SiC и GaN масштабируются на пластины 200 мм, кроме того, есть и их пилотное производство на пластинах 300 мм, что приведет к более широкому использованию пластин 300мм (12-дюймов) к концу двадцатых годов.
🔹 Аналоговые полупроводники
PMIC, усилители и радиочастотные входные каскады долгое время выпускались на пластинах 200мм, но растущая площадь кристалла и более жесткие технологические допуски стимулируют переход к использованию пластин 300мм.
Принцип "привязки" (lock-in) аналоговых схем обычно обеспечивает стабильность доходов, однако миграция на пластины больших размеров требует тщательной проработки, поскольку важно обеспечить достаточно высокий уровень выхода годной продукции, поэтому большинство поставщиков скорее всего будут следовать поэтапной дорожной карте от 200 мм до 300 мм.
🔹 Оптоэлектронные полупроводники
Светодиоды и большинство лазерных устройств по-прежнему производятся на 100мм и 150мм пластинах из составных полупроводников или сапфира, в то время как датчики изображения CMOS в основном перешли на 300мм линии для повышения плотности пикселей.
Перенос этих процессов производства составных полупроводников на более крупные пластины возможен, но не будет быстрым, поскольку масштабирование специализированного оборудования и технологий не является простым делом.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
На картинках показаны оценки и прогнозы сегментов рынка DAO-полупроводников. Шкала слева – миллионы пластин в месяц, в пересчете на пластины размером 200мм.
Большие пластины, более широкий ассортимент: изменения на рынке DAO
🔹 Дискретные полупроводники
Большинство силовых MOSFET, IGBT и диодов по-прежнему выпускается на пластинах размером 150–200 мм, но все большая доля дискретных полупроводников производится на пластинах 300 мм - в первую очередь, это устройства с высокой добавленной стоимостью, такие как низковольтные MOSFET, автомобильные IGBT и микросхемы Smart-Power. Тем временем компоненты на основе SiC и GaN масштабируются на пластины 200 мм, кроме того, есть и их пилотное производство на пластинах 300 мм, что приведет к более широкому использованию пластин 300мм (12-дюймов) к концу двадцатых годов.
🔹 Аналоговые полупроводники
PMIC, усилители и радиочастотные входные каскады долгое время выпускались на пластинах 200мм, но растущая площадь кристалла и более жесткие технологические допуски стимулируют переход к использованию пластин 300мм.
Принцип "привязки" (lock-in) аналоговых схем обычно обеспечивает стабильность доходов, однако миграция на пластины больших размеров требует тщательной проработки, поскольку важно обеспечить достаточно высокий уровень выхода годной продукции, поэтому большинство поставщиков скорее всего будут следовать поэтапной дорожной карте от 200 мм до 300 мм.
🔹 Оптоэлектронные полупроводники
Светодиоды и большинство лазерных устройств по-прежнему производятся на 100мм и 150мм пластинах из составных полупроводников или сапфира, в то время как датчики изображения CMOS в основном перешли на 300мм линии для повышения плотности пикселей.
Перенос этих процессов производства составных полупроводников на более крупные пластины возможен, но не будет быстрым, поскольку масштабирование специализированного оборудования и технологий не является простым делом.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
На картинках показаны оценки и прогнозы сегментов рынка DAO-полупроводников. Шкала слева – миллионы пластин в месяц, в пересчете на пластины размером 200мм.
👍2❤1
📈 Полупроводники DAO. Дискретные. Аналоговые. Оптоэлектроника. Оценки и прогнозы
Производство DAO. Медленный, но устойчивый рост
Поскольку устройства DAO редко требуют использования передовых производственных инструментов и техпроцессов, капиталоемкость обустройства соответствующих производств относительно ниже, чем для производства передовой логики и памяти. Крупные, разовые объявления о строительстве мегафабрик редки, однако многие регионы продолжают постепенно наращивать производственные мощности DAO, чтобы обеспечить базовое внутреннее предложение.
🇨🇳 Китай расширяет производство DAO быстрее других стран за счет значительного местного спроса на силовые, аналоговые и оптоэлектронные чипы в энергетике, телекоммуникациях и промышленном оборудовании. Многочисленные поставщики среднего уровня используют ценовую конкуренцию для захвата чувствительных к цене сегментов.
🇺🇸 Стимулы, предоставляемые в США, стимулируют создание новых производств аналоговых микросхем и микросхем со смешанными сигналами (цифро-аналоговых). Местные производства обслуживают высокодоходные аэрокосмические, оборонные и промышленные рынки, стремясь восстановить внутренние возможности без погони за объемами сырьевых товаров.
🇯🇵 Япония может сохранить прочные позиции в дискретных силовых устройствах и в датчиках для своего автомобильного сектора и сектора прецизионного оборудования. Хотя насыщение зрелого рынка может замедлить рост, переход на электромобили, вероятно, поддержит спрос на японские силовые компоненты на основе SiC.
📈 В целом, мощности DAO, вероятно, будут медленно, но неуклонно расти во всем мире, укрепляя устойчивость цепочки поставок, но без того масштабного внимания, которое уделяется проектам в области передовой логики или памяти.
Судя по картинке, значительнее всего будут расти доли Китая, что приведет к сокращению долей всех остальных участников рынка.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
Производство DAO. Медленный, но устойчивый рост
Поскольку устройства DAO редко требуют использования передовых производственных инструментов и техпроцессов, капиталоемкость обустройства соответствующих производств относительно ниже, чем для производства передовой логики и памяти. Крупные, разовые объявления о строительстве мегафабрик редки, однако многие регионы продолжают постепенно наращивать производственные мощности DAO, чтобы обеспечить базовое внутреннее предложение.
🇨🇳 Китай расширяет производство DAO быстрее других стран за счет значительного местного спроса на силовые, аналоговые и оптоэлектронные чипы в энергетике, телекоммуникациях и промышленном оборудовании. Многочисленные поставщики среднего уровня используют ценовую конкуренцию для захвата чувствительных к цене сегментов.
🇺🇸 Стимулы, предоставляемые в США, стимулируют создание новых производств аналоговых микросхем и микросхем со смешанными сигналами (цифро-аналоговых). Местные производства обслуживают высокодоходные аэрокосмические, оборонные и промышленные рынки, стремясь восстановить внутренние возможности без погони за объемами сырьевых товаров.
🇯🇵 Япония может сохранить прочные позиции в дискретных силовых устройствах и в датчиках для своего автомобильного сектора и сектора прецизионного оборудования. Хотя насыщение зрелого рынка может замедлить рост, переход на электромобили, вероятно, поддержит спрос на японские силовые компоненты на основе SiC.
📈 В целом, мощности DAO, вероятно, будут медленно, но неуклонно расти во всем мире, укрепляя устойчивость цепочки поставок, но без того масштабного внимания, которое уделяется проектам в области передовой логики или памяти.
Судя по картинке, значительнее всего будут расти доли Китая, что приведет к сокращению долей всех остальных участников рынка.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
✍1
📈 Полупроводники DAO. Дискретные. Аналоговые. Оптоэлектроника. Материалы. Оценки и прогнозы
Эволюция силовых полупроводников
В производстве силовой электроники долгое время использовали кремний (Si) за счет его доступности и отлаженных производственных процессов.
Однако широкозонные полупроводниковые материалы, в частности, карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN), набирают популярность, поскольку они работают при более высоких температурах, более высоких напряжениях и обеспечивают более высокую скорость переключения, чем кремний.
🔹 SiC очень эффективен в высоковольтных и сильноточных приложениях, что делает его идеальным для применения в тяговых инверторах электромобилей (EV), преобразователях возобновляемой энергии и в тяжелых промышленных приводах. Производители переходят от пластин SiC 150-мм к 200-мм пластинам SiC для снижения затрат и повышения качества пластин.
🔹 GaN подходит для продуктов, требующих быстрого переключения и компактных размеров, таких как быстрые зарядные устройства USB-C, адаптеры для ноутбуков, источники питания базовых станций 5G и высокочастотные преобразователи для центров обработки данных. Структура GaN также обеспечивает легкую интеграцию со стандартными микросхемами управления CMOS, упрощая проектирование устройств.
Несмотря на производство сотен миллионов устройств на основе широкозонных полупроводников, ограничения поставок сохраняются из-за дорогостоящих и трудоемких процессов, таких как выращивание монокристаллов, полировка пластин и усовершенствованная эпитаксия. Краткосрочный дефицит остается возможным, особенно для 200 мм подложек SiC и высоковольтных пластин GaN.
Однако постоянные инвестиции в более крупные пластины, повышение выхода годной продукции и усовершенствованное оборудование постепенно смягчат эти ограничения, сократив разрыв в стоимости широкозонных изделий по сравнению с изделиями из кремния и ускорив внедрение решений на основе SiC и GaN.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
Эволюция силовых полупроводников
В производстве силовой электроники долгое время использовали кремний (Si) за счет его доступности и отлаженных производственных процессов.
Однако широкозонные полупроводниковые материалы, в частности, карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN), набирают популярность, поскольку они работают при более высоких температурах, более высоких напряжениях и обеспечивают более высокую скорость переключения, чем кремний.
🔹 SiC очень эффективен в высоковольтных и сильноточных приложениях, что делает его идеальным для применения в тяговых инверторах электромобилей (EV), преобразователях возобновляемой энергии и в тяжелых промышленных приводах. Производители переходят от пластин SiC 150-мм к 200-мм пластинам SiC для снижения затрат и повышения качества пластин.
🔹 GaN подходит для продуктов, требующих быстрого переключения и компактных размеров, таких как быстрые зарядные устройства USB-C, адаптеры для ноутбуков, источники питания базовых станций 5G и высокочастотные преобразователи для центров обработки данных. Структура GaN также обеспечивает легкую интеграцию со стандартными микросхемами управления CMOS, упрощая проектирование устройств.
Несмотря на производство сотен миллионов устройств на основе широкозонных полупроводников, ограничения поставок сохраняются из-за дорогостоящих и трудоемких процессов, таких как выращивание монокристаллов, полировка пластин и усовершенствованная эпитаксия. Краткосрочный дефицит остается возможным, особенно для 200 мм подложек SiC и высоковольтных пластин GaN.
Однако постоянные инвестиции в более крупные пластины, повышение выхода годной продукции и усовершенствованное оборудование постепенно смягчат эти ограничения, сократив разрыв в стоимости широкозонных изделий по сравнению с изделиями из кремния и ускорив внедрение решений на основе SiC и GaN.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
👍1
🇷🇺 Упаковка. Корпусирование. Россия
Зеленоградский нанотехнологический центр (ЗНТЦ) в феврале 2026 года запустит линию по корпусированию микросхем в полимерные корпуса
Пропускная способность линии по корпусированию составит до 100 тысяч микросхем в месяц. Линия сможет работать с пластинами двух стандартов: 200 мм и 300 мм. Производственная площадь — 1350 м², где размещена 161 единица оборудования. Об этом на прошлой неделе сообщал CNews.
На линии будут производиться микросхемы трёх основных типов:
▫️PBGA (wire bond) — до 1000 контактных площадок;
▫️FC-BGA (flip-chip) — до 2500 контактных площадок;
▫️HFCBGA — до 8000 контактных площадок с теплораспределителем.
Такие корпуса можно использовать для процессоров широкого спектра применения.
Разработка линии осуществлялась в рамках опытно-конструкторской работы (ОКР) «Разработка и серийное освоение технологий корпусирования высокопроизводительных микросхем в многовыводные полимерные корпуса». Работы стартовали в августе 2023 года, их стоимость составила 1,4 млрд рублей. Заказчиком выступил Минпромторг.
В проекте принимали участие Микрон, СП Квант (Росатом), ИПХФ РАН.
Помимо разработки линии для корпусирования, ОКР предусматривала разработку отечественного герметизирующего материала взамен иностранного, а также материала для заливки.
ЗНТЦ проводил испытания с микросхемами Ангстрема, МЦСТ, НМ-Тех, Миландр и других компаний.
По оценкам МИЭТ, 94% микросхем в полимерных корпусах в России – это импорт. Из других компаний, которые занимаются корпусированием в России можно вспомнить Микрон и GS Group, Миландр и НИИЭТ. Заявленные мощности линии ЗНТЦ позволяют говорить об этом участнике рынка как об одном из крупнейших, конечно, слово «крупный» уместно использовать только пока мы говорим о российском рынке, да и то, с натяжкой.
@RUSmicro
Зеленоградский нанотехнологический центр (ЗНТЦ) в феврале 2026 года запустит линию по корпусированию микросхем в полимерные корпуса
Пропускная способность линии по корпусированию составит до 100 тысяч микросхем в месяц. Линия сможет работать с пластинами двух стандартов: 200 мм и 300 мм. Производственная площадь — 1350 м², где размещена 161 единица оборудования. Об этом на прошлой неделе сообщал CNews.
На линии будут производиться микросхемы трёх основных типов:
▫️PBGA (wire bond) — до 1000 контактных площадок;
▫️FC-BGA (flip-chip) — до 2500 контактных площадок;
▫️HFCBGA — до 8000 контактных площадок с теплораспределителем.
Такие корпуса можно использовать для процессоров широкого спектра применения.
Разработка линии осуществлялась в рамках опытно-конструкторской работы (ОКР) «Разработка и серийное освоение технологий корпусирования высокопроизводительных микросхем в многовыводные полимерные корпуса». Работы стартовали в августе 2023 года, их стоимость составила 1,4 млрд рублей. Заказчиком выступил Минпромторг.
В проекте принимали участие Микрон, СП Квант (Росатом), ИПХФ РАН.
Помимо разработки линии для корпусирования, ОКР предусматривала разработку отечественного герметизирующего материала взамен иностранного, а также материала для заливки.
ЗНТЦ проводил испытания с микросхемами Ангстрема, МЦСТ, НМ-Тех, Миландр и других компаний.
По оценкам МИЭТ, 94% микросхем в полимерных корпусах в России – это импорт. Из других компаний, которые занимаются корпусированием в России можно вспомнить Микрон и GS Group, Миландр и НИИЭТ. Заявленные мощности линии ЗНТЦ позволяют говорить об этом участнике рынка как об одном из крупнейших, конечно, слово «крупный» уместно использовать только пока мы говорим о российском рынке, да и то, с натяжкой.
@RUSmicro
👍13❤5
📈 Упаковка и тестирование. Тренды. Аналитика PwC
Упаковка и тестирование
Упаковка и тестирование, это далеко не только о «корпусировании». Упаковка не просто защищает готовые кристаллы; теперь она еще и про передовые методы сопряжения кристаллов, про повышение электрической и тепловой надежности.
Поскольку уменьшение геометрических размеров транзисторов дает все меньшую отдачу, передовая упаковка стала основным рычагом для повышения производительности системы.
Ключевые инновации включают в себя более короткие и высокоскоростные межсоединения, и чиплетные архитектуры, которые позволяют собирать гетерогенные кристаллы экономичным и гибким способом.
Растущая сложность сборки делает предотвращение дефектов и повышение выхода годных изделий критически важными, стимулируя быстрый прогресс не только в области упаковки, но также в оптических, рентгеновских и системных инструментах контроля.
В перспективе существенное повышение производительности может зависеть от тесной коэволюции технологий транзисторов на этапе front-end и процессов упаковки и тестирования на этапе финальной обработки.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond, картинка - из отчета
Упаковка и тестирование
Упаковка и тестирование, это далеко не только о «корпусировании». Упаковка не просто защищает готовые кристаллы; теперь она еще и про передовые методы сопряжения кристаллов, про повышение электрической и тепловой надежности.
Поскольку уменьшение геометрических размеров транзисторов дает все меньшую отдачу, передовая упаковка стала основным рычагом для повышения производительности системы.
Ключевые инновации включают в себя более короткие и высокоскоростные межсоединения, и чиплетные архитектуры, которые позволяют собирать гетерогенные кристаллы экономичным и гибким способом.
Растущая сложность сборки делает предотвращение дефектов и повышение выхода годных изделий критически важными, стимулируя быстрый прогресс не только в области упаковки, но также в оптических, рентгеновских и системных инструментах контроля.
В перспективе существенное повышение производительности может зависеть от тесной коэволюции технологий транзисторов на этапе front-end и процессов упаковки и тестирования на этапе финальной обработки.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond, картинка - из отчета
📈 Упаковка и тестирование. Тренды. Аналитика PwC
Back-end стадия производства полупроводников – расширяя пределы совершенствования
Десятилетиями рост производительности обеспечивался главным образом за счёт миниатюризации на front-end этапе, однако после развития технологий производства до уровней ниже 10 нм только два контрактных производителя (прим. RUSmicro: TSMC и Samsung) освоили выпуск таких изделий крупными партиями, третий (прим. RUSmicro: Intel) сейчас постепенно наращивает объёмы выпуска.
По мере уменьшения размеров возрастают проблемы коротких каналов, паразитных ёмкостей, растущих токов утечек, что существенно усложняет дальнейшее уменьшение размеров узлов и повышает затраты.
Первые шаги по снижению размеров КМОП-транзисторов — от 90 нм до 28 нм — позволили удвоить плотность размещения транзисторов на кристалле и повысить эффективность энергопотребления на 25–50 %.
Между этапами от 16 нм технологии FinFET до современного уровня в 3 нм кривая роста плотности стала пологой, замедлилось улучшение энергоэффективности, тогда как цена кремниевых пластин выросла практически втрое, подняв стоимость узла в 2-3 раза.
Использование инструментов EUV-литографии, снижение доли выхода годных изделий и быстрый рост затрат на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы подчёркивают, насколько дорогим стало продолжение масштабирования на front-end стадии.
Перед лицом снижения рентабельности производители микросхем возвращаются к интенсивному развитию продвинутых технологий завершающих стадий — модульных (чиплетных) конструкций, трёхмерного стекирования, 2,5D-межуровневых соединений — чтобы компенсировать сокращение улучшения показателей на front-end стадии и сохранить возможность повышения общей производительности системы.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond, картинки - из отчета
Back-end стадия производства полупроводников – расширяя пределы совершенствования
Десятилетиями рост производительности обеспечивался главным образом за счёт миниатюризации на front-end этапе, однако после развития технологий производства до уровней ниже 10 нм только два контрактных производителя (прим. RUSmicro: TSMC и Samsung) освоили выпуск таких изделий крупными партиями, третий (прим. RUSmicro: Intel) сейчас постепенно наращивает объёмы выпуска.
По мере уменьшения размеров возрастают проблемы коротких каналов, паразитных ёмкостей, растущих токов утечек, что существенно усложняет дальнейшее уменьшение размеров узлов и повышает затраты.
Первые шаги по снижению размеров КМОП-транзисторов — от 90 нм до 28 нм — позволили удвоить плотность размещения транзисторов на кристалле и повысить эффективность энергопотребления на 25–50 %.
Между этапами от 16 нм технологии FinFET до современного уровня в 3 нм кривая роста плотности стала пологой, замедлилось улучшение энергоэффективности, тогда как цена кремниевых пластин выросла практически втрое, подняв стоимость узла в 2-3 раза.
Использование инструментов EUV-литографии, снижение доли выхода годных изделий и быстрый рост затрат на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы подчёркивают, насколько дорогим стало продолжение масштабирования на front-end стадии.
Перед лицом снижения рентабельности производители микросхем возвращаются к интенсивному развитию продвинутых технологий завершающих стадий — модульных (чиплетных) конструкций, трёхмерного стекирования, 2,5D-межуровневых соединений — чтобы компенсировать сокращение улучшения показателей на front-end стадии и сохранить возможность повышения общей производительности системы.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond, картинки - из отчета
👍3❤1