📈 Производственные мощности 300 мм - геоаналитика. Оценки и прогнозы
Повышение устойчивости производства логических микросхем
Поскольку полупроводники становятся стратегическими активами, правительства вкладывают значительные средства в развитие производства передовых логических микросхем на территориях своих стран. Дефицит в эпоху пандемии и геополитическая напряженность подчеркнули, насколько важны местные мощности и стабильные цепочки поставок для национальной безопасности.
🇺🇸 США. В меняющихся геополитических условиях США стратегически используют государственную поддержку в виде субсидий, налоговых льгот и инвестиций в инфраструктуру для привлечения производителей передовых микросхем к развертыванию производств на своей территории. Китай, ограниченный экспортным контролем, существенно расширяет мощности по производству зрелых логических микросхем при сильной государственной поддержке. Однако из-за технологических и аппаратных ограничений выход годной продукции в Китае в части передовых техпроцессов и микросхем может оставаться относительно низким, а это означает, что фактический объем производства может отставать от объема производственных мощностей.
🇹🇼 Тайвань. Может сохранить глобальное лидерство, сосредоточившись на производстве передовых микросхем, хотя необходимость весьма значительных инвестиций в наиболее передовые процессы сдерживает возможности расширения мощностей.
🇰🇷 Корея. Государственная поддержка, включая обеспечение стабильного электроснабжения, водоснабжения и интегрированной экосистемы чипов, может оставаться ключевым фактором конкурентоспособности Кореи в сегменте микросхем с техпроцессом менее 3 нм.
Корея, вероятно, сохранит свои сильные позиции в производстве памяти, однако она стратегически инвестирует и в расширение своего присутствия на рынке логических микросхем.
🇯🇵 Япония. Страна оживляет свой сектор микросхем посредством таких проектов, как завод TSMC–Sony в Кумамото, расширение производства силовых устройств и завод Rapidus, работающий над техпроцессом 2 нм, а также активно внедряет передовые технологии упаковки.
В совокупности эти региональные стратегии изменят географию поставок логических полупроводников. Основным принципом инвестиций в период до 2030 года будет не просто снижение затрат на получение микросхем, а устойчивость.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
На картинке показаны доли рынка, пропорционально производственным мощностям, работающим с пластинами 300мм. Можно отметить изменения баланса от ситуации «лидерство с большим отрывом» Тайваня в 2024 году к более сбалансированной ситуации, где в мире есть три страны с двузначными долями производственных мощностей 300мм – Тайвань, Китай и США на 2030 год.
Повышение устойчивости производства логических микросхем
Поскольку полупроводники становятся стратегическими активами, правительства вкладывают значительные средства в развитие производства передовых логических микросхем на территориях своих стран. Дефицит в эпоху пандемии и геополитическая напряженность подчеркнули, насколько важны местные мощности и стабильные цепочки поставок для национальной безопасности.
🇺🇸 США. В меняющихся геополитических условиях США стратегически используют государственную поддержку в виде субсидий, налоговых льгот и инвестиций в инфраструктуру для привлечения производителей передовых микросхем к развертыванию производств на своей территории. Китай, ограниченный экспортным контролем, существенно расширяет мощности по производству зрелых логических микросхем при сильной государственной поддержке. Однако из-за технологических и аппаратных ограничений выход годной продукции в Китае в части передовых техпроцессов и микросхем может оставаться относительно низким, а это означает, что фактический объем производства может отставать от объема производственных мощностей.
🇹🇼 Тайвань. Может сохранить глобальное лидерство, сосредоточившись на производстве передовых микросхем, хотя необходимость весьма значительных инвестиций в наиболее передовые процессы сдерживает возможности расширения мощностей.
🇰🇷 Корея. Государственная поддержка, включая обеспечение стабильного электроснабжения, водоснабжения и интегрированной экосистемы чипов, может оставаться ключевым фактором конкурентоспособности Кореи в сегменте микросхем с техпроцессом менее 3 нм.
Корея, вероятно, сохранит свои сильные позиции в производстве памяти, однако она стратегически инвестирует и в расширение своего присутствия на рынке логических микросхем.
🇯🇵 Япония. Страна оживляет свой сектор микросхем посредством таких проектов, как завод TSMC–Sony в Кумамото, расширение производства силовых устройств и завод Rapidus, работающий над техпроцессом 2 нм, а также активно внедряет передовые технологии упаковки.
В совокупности эти региональные стратегии изменят географию поставок логических полупроводников. Основным принципом инвестиций в период до 2030 года будет не просто снижение затрат на получение микросхем, а устойчивость.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
На картинке показаны доли рынка, пропорционально производственным мощностям, работающим с пластинами 300мм. Можно отметить изменения баланса от ситуации «лидерство с большим отрывом» Тайваня в 2024 году к более сбалансированной ситуации, где в мире есть три страны с двузначными долями производственных мощностей 300мм – Тайвань, Китай и США на 2030 год.
👍6
📈 Архитектура узлов. Архитектура транзисторов
Архитектура транзисторов следующего поколения
По мере того, как производители микросхем переходят на техпроцессы ниже 5 нм, каждое последующее поколение техпроцессов требует больше исследований и разработок, инвестиций и времени.
Транзисторы FinFET сейчас близки к пределам масштабируемости, поэтому лидеры отрасли переходят к устройствам с затвором, охватывающим всю поверхность (GAA - gate all around / с круговым затвором), на нанолистах, выпускаемых по техпроцессам, обеспечивающим плотность размещения 3 нм и 2 нм.
Дальнейшее уменьшение размеров вероятно потребует использования новых архитектур устройств для подавления эффектов короткого канала, паразитного сопротивления и квантового туннелирования.
Сейчас рассматриваются 2 ведущих кандидата: комплементарные полевые транзисторы (CFET) и Forksheet.
🔹 CFET — это архитектура транзисторов следующего поколения, которая обещает более высокую плотность интеграции и дальнейший рост производительности. Intel, Samsung и TSMC активно исследуют CFET, и хотя сроки коммерциализации различаются в зависимости от компании, рынок ожидает, что первичная коммерциализация устройств на этой архитектуре может прийтись на начало 30-х годов, если получиться создать необходимые производственные процессы и добиться снижения производственных затрат «на пластину» (обеспечить достаточный «выход годных»).
🔹 Между сегодняшним GAA и полноценным стеком CFET лежит концепция Forksheet, которая вводит диэлектрическую «вилку» для изоляции соседних стеков нанолистов и еще большего уменьшения шага затвора. Некоторые исследовательские консорциумы рассматривают Forksheet как разумный переходный этап, другие намерены перескочить через него, сосредоточив ресурсы сразу на CFET.
💎 Какой бы путь ни возобладал, эра пост-2-нм будет зависеть от масштабных инвестиций, новых материалов и передовой 3D-интеграции (упаковки). Гонка за уменьшением узлов вероятно будет ожесточенной и, безусловно, продолжит менять ландшафт полупроводниковой промышленности.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
На картинке из отчета показана эволюция основных архитектур транзисторов в привязке к техпроцессу/плотности размещения
Архитектура транзисторов следующего поколения
По мере того, как производители микросхем переходят на техпроцессы ниже 5 нм, каждое последующее поколение техпроцессов требует больше исследований и разработок, инвестиций и времени.
Транзисторы FinFET сейчас близки к пределам масштабируемости, поэтому лидеры отрасли переходят к устройствам с затвором, охватывающим всю поверхность (GAA - gate all around / с круговым затвором), на нанолистах, выпускаемых по техпроцессам, обеспечивающим плотность размещения 3 нм и 2 нм.
Дальнейшее уменьшение размеров вероятно потребует использования новых архитектур устройств для подавления эффектов короткого канала, паразитного сопротивления и квантового туннелирования.
Сейчас рассматриваются 2 ведущих кандидата: комплементарные полевые транзисторы (CFET) и Forksheet.
🔹 CFET — это архитектура транзисторов следующего поколения, которая обещает более высокую плотность интеграции и дальнейший рост производительности. Intel, Samsung и TSMC активно исследуют CFET, и хотя сроки коммерциализации различаются в зависимости от компании, рынок ожидает, что первичная коммерциализация устройств на этой архитектуре может прийтись на начало 30-х годов, если получиться создать необходимые производственные процессы и добиться снижения производственных затрат «на пластину» (обеспечить достаточный «выход годных»).
🔹 Между сегодняшним GAA и полноценным стеком CFET лежит концепция Forksheet, которая вводит диэлектрическую «вилку» для изоляции соседних стеков нанолистов и еще большего уменьшения шага затвора. Некоторые исследовательские консорциумы рассматривают Forksheet как разумный переходный этап, другие намерены перескочить через него, сосредоточив ресурсы сразу на CFET.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
На картинке из отчета показана эволюция основных архитектур транзисторов в привязке к техпроцессу/плотности размещения
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
❤3👍2
📈 Производство памяти. Топ-5 стран. Оценки и прогнозы
Глобальные сдвиги в сфере производства памяти сохранят лидерство Азии
В целом, цепочка поставок памяти, вероятно, останется ориентированной на Азию, однако формируется более широкий региональный баланс.
#1. 🇰🇷 Корея может сохранить самые сильные позиции в производстве полупроводников памяти, опираясь на передовые технологии DRAM и NAND, и продолжающиеся крупномасштабные инвестиции. Используя устоявшийся статус, надежность и качество, Корея, как ожидается, сохранит или даже расширит свои позиции в сегменте памяти.
#2. 🇨🇳 Китай стремится к самообеспечению, создавая десятки линий по производству памяти по зрелым техпроцессам на основе щедрых государственных субсидий. Китайские поставщики повышают выход годной продукции в основных узлах DRAM и наращивают производство высокослойной 3D NAND.
#3. 🇯🇵 Япония, некогда сильная в производстве флэш-памяти NAND, может наблюдать небольшое снижение своей доли рынка к 2030 году из-за ослабления ценовой конкурентоспособности. Кроме того, ее ориентация на сегменты игр и телекоммуникаций, для которых не прогнозируется устойчивый рост, может еще больше ограничить расширение.
#4. 🇹🇼 Тайвань может сосредоточиться на экономичном производстве DRAM среднего ценового сегмента и на расширении специализированных NOR/SRAM-линий. Из-за отсутствия крупных мощностей по производству NAND-памяти, доля Тайваня на рынке NAND вряд ли значительно вырастет.
#5. 🇺🇸 США используют государственные стимулы для укрепления отечественного производства памяти. Строятся новые мегафабрики для производства изделий DRAM и 3D NAND. Эти заводы могут увеличить долю США к концу двадцатых годов.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
На картинке из отчета PwC показана оценка доли рынка и прогноз доли рынка Топ-5 стран, производящих полупроводниковую память, основанная на производственных мощностях на территории страны
Глобальные сдвиги в сфере производства памяти сохранят лидерство Азии
В целом, цепочка поставок памяти, вероятно, останется ориентированной на Азию, однако формируется более широкий региональный баланс.
#1. 🇰🇷 Корея может сохранить самые сильные позиции в производстве полупроводников памяти, опираясь на передовые технологии DRAM и NAND, и продолжающиеся крупномасштабные инвестиции. Используя устоявшийся статус, надежность и качество, Корея, как ожидается, сохранит или даже расширит свои позиции в сегменте памяти.
#2. 🇨🇳 Китай стремится к самообеспечению, создавая десятки линий по производству памяти по зрелым техпроцессам на основе щедрых государственных субсидий. Китайские поставщики повышают выход годной продукции в основных узлах DRAM и наращивают производство высокослойной 3D NAND.
#3. 🇯🇵 Япония, некогда сильная в производстве флэш-памяти NAND, может наблюдать небольшое снижение своей доли рынка к 2030 году из-за ослабления ценовой конкурентоспособности. Кроме того, ее ориентация на сегменты игр и телекоммуникаций, для которых не прогнозируется устойчивый рост, может еще больше ограничить расширение.
#4. 🇹🇼 Тайвань может сосредоточиться на экономичном производстве DRAM среднего ценового сегмента и на расширении специализированных NOR/SRAM-линий. Из-за отсутствия крупных мощностей по производству NAND-памяти, доля Тайваня на рынке NAND вряд ли значительно вырастет.
#5. 🇺🇸 США используют государственные стимулы для укрепления отечественного производства памяти. Строятся новые мегафабрики для производства изделий DRAM и 3D NAND. Эти заводы могут увеличить долю США к концу двадцатых годов.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
На картинке из отчета PwC показана оценка доли рынка и прогноз доли рынка Топ-5 стран, производящих полупроводниковую память, основанная на производственных мощностях на территории страны
👍4
📈 Производство памяти. HBM. Оценки и прогнозы
Рост спроса на системы ИИ наращивает спрос и на HBM
Резкий рост спроса на обучение и вывод моделей генеративного ИИ превратил память с высокой пропускной способностью в критически важный компонент современных серверов центров обработки данных (ЦОД). Производительность CPU, GPU и ускорителей продолжает расти, но, если подключенная память не может обеспечивать достаточно быструю подачу данных, она становится узким местом, ограничивающим возможности системы.
Память HBM решает эту проблему, позволяя разместить несколько кристаллов DRAM непосредственно на кристалле базовой логики, соединив эти кристаллы переходными отверстиями (TSV) и размещая затем стек памяти на кремниевом интерпозере в непосредственной близости с вычислительным чипом. Такая 3D-интеграция обеспечивает пропускную способность в терабайты в секунду при очень малых размерах, что делает HBM критически важной для создания энергоемких систем ИИ и высокопроизводительных вычислений.
Многие поставщики спешат увеличить производственные мощности по выпуску HBM, но дефицит этого вида памяти все еще может возникать.
Во-первых, спрос на HBM может превзойти даже самые оптимистичные прогнозы, а 18-24-месячный срок поставки новых линий TSV оставляет мало места для быстрых решений.
Во-вторых, цепочка поставок сильна настолько, насколько сильно её самое слабое звено: ограниченная доступность, например, кремниевых интерпозеров, или возможностей по созданию современных контактных площадок, или специализированных базовых логических кристаллов, могут ограничивать общий объем производства HBM.
Пока инфраструктура упаковки не будет масштабироваться параллельно с началом производства DRAM, дефицит памяти HBM и, соответственно, премиальные цены на нее, вероятно, сохранятся.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
((RUSmicro: Основные участники рынка HBM на сегодня – корейские SK Hynix и Samsung, но также можно отметить соответствующие активности американской Micron. В Китае также занимаются темой HBM, но пока что сохраняется технологическое отставание китайских производителей в этой области от Топ-3 производителей)).
На картинке PwC показаны оценки и прогнозы рынка HBM и рост проникновения HBM в общем объеме выпуска DRAM. Как видим, ожидается стабильно интенсивный рост рынка памяти со среднегодовыми темпами в 27.8%, причем к концу двадцатых годов доля HBM может достичь 40%.
Рост спроса на системы ИИ наращивает спрос и на HBM
Резкий рост спроса на обучение и вывод моделей генеративного ИИ превратил память с высокой пропускной способностью в критически важный компонент современных серверов центров обработки данных (ЦОД). Производительность CPU, GPU и ускорителей продолжает расти, но, если подключенная память не может обеспечивать достаточно быструю подачу данных, она становится узким местом, ограничивающим возможности системы.
Память HBM решает эту проблему, позволяя разместить несколько кристаллов DRAM непосредственно на кристалле базовой логики, соединив эти кристаллы переходными отверстиями (TSV) и размещая затем стек памяти на кремниевом интерпозере в непосредственной близости с вычислительным чипом. Такая 3D-интеграция обеспечивает пропускную способность в терабайты в секунду при очень малых размерах, что делает HBM критически важной для создания энергоемких систем ИИ и высокопроизводительных вычислений.
Многие поставщики спешат увеличить производственные мощности по выпуску HBM, но дефицит этого вида памяти все еще может возникать.
Во-первых, спрос на HBM может превзойти даже самые оптимистичные прогнозы, а 18-24-месячный срок поставки новых линий TSV оставляет мало места для быстрых решений.
Во-вторых, цепочка поставок сильна настолько, насколько сильно её самое слабое звено: ограниченная доступность, например, кремниевых интерпозеров, или возможностей по созданию современных контактных площадок, или специализированных базовых логических кристаллов, могут ограничивать общий объем производства HBM.
Пока инфраструктура упаковки не будет масштабироваться параллельно с началом производства DRAM, дефицит памяти HBM и, соответственно, премиальные цены на нее, вероятно, сохранятся.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
((RUSmicro: Основные участники рынка HBM на сегодня – корейские SK Hynix и Samsung, но также можно отметить соответствующие активности американской Micron. В Китае также занимаются темой HBM, но пока что сохраняется технологическое отставание китайских производителей в этой области от Топ-3 производителей)).
На картинке PwC показаны оценки и прогнозы рынка HBM и рост проникновения HBM в общем объеме выпуска DRAM. Как видим, ожидается стабильно интенсивный рост рынка памяти со среднегодовыми темпами в 27.8%, причем к концу двадцатых годов доля HBM может достичь 40%.
❤1👍1
📈 Полупроводники DAO. Дискретные. Аналоговые. Оптоэлектроника. Оценки и прогнозы
Большие пластины, более широкий ассортимент: изменения на рынке DAO
🔹 Дискретные полупроводники
Большинство силовых MOSFET, IGBT и диодов по-прежнему выпускается на пластинах размером 150–200 мм, но все большая доля дискретных полупроводников производится на пластинах 300 мм - в первую очередь, это устройства с высокой добавленной стоимостью, такие как низковольтные MOSFET, автомобильные IGBT и микросхемы Smart-Power. Тем временем компоненты на основе SiC и GaN масштабируются на пластины 200 мм, кроме того, есть и их пилотное производство на пластинах 300 мм, что приведет к более широкому использованию пластин 300мм (12-дюймов) к концу двадцатых годов.
🔹 Аналоговые полупроводники
PMIC, усилители и радиочастотные входные каскады долгое время выпускались на пластинах 200мм, но растущая площадь кристалла и более жесткие технологические допуски стимулируют переход к использованию пластин 300мм.
Принцип "привязки" (lock-in) аналоговых схем обычно обеспечивает стабильность доходов, однако миграция на пластины больших размеров требует тщательной проработки, поскольку важно обеспечить достаточно высокий уровень выхода годной продукции, поэтому большинство поставщиков скорее всего будут следовать поэтапной дорожной карте от 200 мм до 300 мм.
🔹 Оптоэлектронные полупроводники
Светодиоды и большинство лазерных устройств по-прежнему производятся на 100мм и 150мм пластинах из составных полупроводников или сапфира, в то время как датчики изображения CMOS в основном перешли на 300мм линии для повышения плотности пикселей.
Перенос этих процессов производства составных полупроводников на более крупные пластины возможен, но не будет быстрым, поскольку масштабирование специализированного оборудования и технологий не является простым делом.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
На картинках показаны оценки и прогнозы сегментов рынка DAO-полупроводников. Шкала слева – миллионы пластин в месяц, в пересчете на пластины размером 200мм.
Большие пластины, более широкий ассортимент: изменения на рынке DAO
🔹 Дискретные полупроводники
Большинство силовых MOSFET, IGBT и диодов по-прежнему выпускается на пластинах размером 150–200 мм, но все большая доля дискретных полупроводников производится на пластинах 300 мм - в первую очередь, это устройства с высокой добавленной стоимостью, такие как низковольтные MOSFET, автомобильные IGBT и микросхемы Smart-Power. Тем временем компоненты на основе SiC и GaN масштабируются на пластины 200 мм, кроме того, есть и их пилотное производство на пластинах 300 мм, что приведет к более широкому использованию пластин 300мм (12-дюймов) к концу двадцатых годов.
🔹 Аналоговые полупроводники
PMIC, усилители и радиочастотные входные каскады долгое время выпускались на пластинах 200мм, но растущая площадь кристалла и более жесткие технологические допуски стимулируют переход к использованию пластин 300мм.
Принцип "привязки" (lock-in) аналоговых схем обычно обеспечивает стабильность доходов, однако миграция на пластины больших размеров требует тщательной проработки, поскольку важно обеспечить достаточно высокий уровень выхода годной продукции, поэтому большинство поставщиков скорее всего будут следовать поэтапной дорожной карте от 200 мм до 300 мм.
🔹 Оптоэлектронные полупроводники
Светодиоды и большинство лазерных устройств по-прежнему производятся на 100мм и 150мм пластинах из составных полупроводников или сапфира, в то время как датчики изображения CMOS в основном перешли на 300мм линии для повышения плотности пикселей.
Перенос этих процессов производства составных полупроводников на более крупные пластины возможен, но не будет быстрым, поскольку масштабирование специализированного оборудования и технологий не является простым делом.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
На картинках показаны оценки и прогнозы сегментов рынка DAO-полупроводников. Шкала слева – миллионы пластин в месяц, в пересчете на пластины размером 200мм.
👍2❤1
📈 Полупроводники DAO. Дискретные. Аналоговые. Оптоэлектроника. Оценки и прогнозы
Производство DAO. Медленный, но устойчивый рост
Поскольку устройства DAO редко требуют использования передовых производственных инструментов и техпроцессов, капиталоемкость обустройства соответствующих производств относительно ниже, чем для производства передовой логики и памяти. Крупные, разовые объявления о строительстве мегафабрик редки, однако многие регионы продолжают постепенно наращивать производственные мощности DAO, чтобы обеспечить базовое внутреннее предложение.
🇨🇳 Китай расширяет производство DAO быстрее других стран за счет значительного местного спроса на силовые, аналоговые и оптоэлектронные чипы в энергетике, телекоммуникациях и промышленном оборудовании. Многочисленные поставщики среднего уровня используют ценовую конкуренцию для захвата чувствительных к цене сегментов.
🇺🇸 Стимулы, предоставляемые в США, стимулируют создание новых производств аналоговых микросхем и микросхем со смешанными сигналами (цифро-аналоговых). Местные производства обслуживают высокодоходные аэрокосмические, оборонные и промышленные рынки, стремясь восстановить внутренние возможности без погони за объемами сырьевых товаров.
🇯🇵 Япония может сохранить прочные позиции в дискретных силовых устройствах и в датчиках для своего автомобильного сектора и сектора прецизионного оборудования. Хотя насыщение зрелого рынка может замедлить рост, переход на электромобили, вероятно, поддержит спрос на японские силовые компоненты на основе SiC.
📈 В целом, мощности DAO, вероятно, будут медленно, но неуклонно расти во всем мире, укрепляя устойчивость цепочки поставок, но без того масштабного внимания, которое уделяется проектам в области передовой логики или памяти.
Судя по картинке, значительнее всего будут расти доли Китая, что приведет к сокращению долей всех остальных участников рынка.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
Производство DAO. Медленный, но устойчивый рост
Поскольку устройства DAO редко требуют использования передовых производственных инструментов и техпроцессов, капиталоемкость обустройства соответствующих производств относительно ниже, чем для производства передовой логики и памяти. Крупные, разовые объявления о строительстве мегафабрик редки, однако многие регионы продолжают постепенно наращивать производственные мощности DAO, чтобы обеспечить базовое внутреннее предложение.
🇨🇳 Китай расширяет производство DAO быстрее других стран за счет значительного местного спроса на силовые, аналоговые и оптоэлектронные чипы в энергетике, телекоммуникациях и промышленном оборудовании. Многочисленные поставщики среднего уровня используют ценовую конкуренцию для захвата чувствительных к цене сегментов.
🇺🇸 Стимулы, предоставляемые в США, стимулируют создание новых производств аналоговых микросхем и микросхем со смешанными сигналами (цифро-аналоговых). Местные производства обслуживают высокодоходные аэрокосмические, оборонные и промышленные рынки, стремясь восстановить внутренние возможности без погони за объемами сырьевых товаров.
🇯🇵 Япония может сохранить прочные позиции в дискретных силовых устройствах и в датчиках для своего автомобильного сектора и сектора прецизионного оборудования. Хотя насыщение зрелого рынка может замедлить рост, переход на электромобили, вероятно, поддержит спрос на японские силовые компоненты на основе SiC.
📈 В целом, мощности DAO, вероятно, будут медленно, но неуклонно расти во всем мире, укрепляя устойчивость цепочки поставок, но без того масштабного внимания, которое уделяется проектам в области передовой логики или памяти.
Судя по картинке, значительнее всего будут расти доли Китая, что приведет к сокращению долей всех остальных участников рынка.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
✍1
📈 Полупроводники DAO. Дискретные. Аналоговые. Оптоэлектроника. Материалы. Оценки и прогнозы
Эволюция силовых полупроводников
В производстве силовой электроники долгое время использовали кремний (Si) за счет его доступности и отлаженных производственных процессов.
Однако широкозонные полупроводниковые материалы, в частности, карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN), набирают популярность, поскольку они работают при более высоких температурах, более высоких напряжениях и обеспечивают более высокую скорость переключения, чем кремний.
🔹 SiC очень эффективен в высоковольтных и сильноточных приложениях, что делает его идеальным для применения в тяговых инверторах электромобилей (EV), преобразователях возобновляемой энергии и в тяжелых промышленных приводах. Производители переходят от пластин SiC 150-мм к 200-мм пластинам SiC для снижения затрат и повышения качества пластин.
🔹 GaN подходит для продуктов, требующих быстрого переключения и компактных размеров, таких как быстрые зарядные устройства USB-C, адаптеры для ноутбуков, источники питания базовых станций 5G и высокочастотные преобразователи для центров обработки данных. Структура GaN также обеспечивает легкую интеграцию со стандартными микросхемами управления CMOS, упрощая проектирование устройств.
Несмотря на производство сотен миллионов устройств на основе широкозонных полупроводников, ограничения поставок сохраняются из-за дорогостоящих и трудоемких процессов, таких как выращивание монокристаллов, полировка пластин и усовершенствованная эпитаксия. Краткосрочный дефицит остается возможным, особенно для 200 мм подложек SiC и высоковольтных пластин GaN.
Однако постоянные инвестиции в более крупные пластины, повышение выхода годной продукции и усовершенствованное оборудование постепенно смягчат эти ограничения, сократив разрыв в стоимости широкозонных изделий по сравнению с изделиями из кремния и ускорив внедрение решений на основе SiC и GaN.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
Эволюция силовых полупроводников
В производстве силовой электроники долгое время использовали кремний (Si) за счет его доступности и отлаженных производственных процессов.
Однако широкозонные полупроводниковые материалы, в частности, карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN), набирают популярность, поскольку они работают при более высоких температурах, более высоких напряжениях и обеспечивают более высокую скорость переключения, чем кремний.
🔹 SiC очень эффективен в высоковольтных и сильноточных приложениях, что делает его идеальным для применения в тяговых инверторах электромобилей (EV), преобразователях возобновляемой энергии и в тяжелых промышленных приводах. Производители переходят от пластин SiC 150-мм к 200-мм пластинам SiC для снижения затрат и повышения качества пластин.
🔹 GaN подходит для продуктов, требующих быстрого переключения и компактных размеров, таких как быстрые зарядные устройства USB-C, адаптеры для ноутбуков, источники питания базовых станций 5G и высокочастотные преобразователи для центров обработки данных. Структура GaN также обеспечивает легкую интеграцию со стандартными микросхемами управления CMOS, упрощая проектирование устройств.
Несмотря на производство сотен миллионов устройств на основе широкозонных полупроводников, ограничения поставок сохраняются из-за дорогостоящих и трудоемких процессов, таких как выращивание монокристаллов, полировка пластин и усовершенствованная эпитаксия. Краткосрочный дефицит остается возможным, особенно для 200 мм подложек SiC и высоковольтных пластин GaN.
Однако постоянные инвестиции в более крупные пластины, повышение выхода годной продукции и усовершенствованное оборудование постепенно смягчат эти ограничения, сократив разрыв в стоимости широкозонных изделий по сравнению с изделиями из кремния и ускорив внедрение решений на основе SiC и GaN.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
👍1
🇷🇺 Упаковка. Корпусирование. Россия
Зеленоградский нанотехнологический центр (ЗНТЦ) в феврале 2026 года запустит линию по корпусированию микросхем в полимерные корпуса
Пропускная способность линии по корпусированию составит до 100 тысяч микросхем в месяц. Линия сможет работать с пластинами двух стандартов: 200 мм и 300 мм. Производственная площадь — 1350 м², где размещена 161 единица оборудования. Об этом на прошлой неделе сообщал CNews.
На линии будут производиться микросхемы трёх основных типов:
▫️PBGA (wire bond) — до 1000 контактных площадок;
▫️FC-BGA (flip-chip) — до 2500 контактных площадок;
▫️HFCBGA — до 8000 контактных площадок с теплораспределителем.
Такие корпуса можно использовать для процессоров широкого спектра применения.
Разработка линии осуществлялась в рамках опытно-конструкторской работы (ОКР) «Разработка и серийное освоение технологий корпусирования высокопроизводительных микросхем в многовыводные полимерные корпуса». Работы стартовали в августе 2023 года, их стоимость составила 1,4 млрд рублей. Заказчиком выступил Минпромторг.
В проекте принимали участие Микрон, СП Квант (Росатом), ИПХФ РАН.
Помимо разработки линии для корпусирования, ОКР предусматривала разработку отечественного герметизирующего материала взамен иностранного, а также материала для заливки.
ЗНТЦ проводил испытания с микросхемами Ангстрема, МЦСТ, НМ-Тех, Миландр и других компаний.
По оценкам МИЭТ, 94% микросхем в полимерных корпусах в России – это импорт. Из других компаний, которые занимаются корпусированием в России можно вспомнить Микрон и GS Group, Миландр и НИИЭТ. Заявленные мощности линии ЗНТЦ позволяют говорить об этом участнике рынка как об одном из крупнейших, конечно, слово «крупный» уместно использовать только пока мы говорим о российском рынке, да и то, с натяжкой.
@RUSmicro
Зеленоградский нанотехнологический центр (ЗНТЦ) в феврале 2026 года запустит линию по корпусированию микросхем в полимерные корпуса
Пропускная способность линии по корпусированию составит до 100 тысяч микросхем в месяц. Линия сможет работать с пластинами двух стандартов: 200 мм и 300 мм. Производственная площадь — 1350 м², где размещена 161 единица оборудования. Об этом на прошлой неделе сообщал CNews.
На линии будут производиться микросхемы трёх основных типов:
▫️PBGA (wire bond) — до 1000 контактных площадок;
▫️FC-BGA (flip-chip) — до 2500 контактных площадок;
▫️HFCBGA — до 8000 контактных площадок с теплораспределителем.
Такие корпуса можно использовать для процессоров широкого спектра применения.
Разработка линии осуществлялась в рамках опытно-конструкторской работы (ОКР) «Разработка и серийное освоение технологий корпусирования высокопроизводительных микросхем в многовыводные полимерные корпуса». Работы стартовали в августе 2023 года, их стоимость составила 1,4 млрд рублей. Заказчиком выступил Минпромторг.
В проекте принимали участие Микрон, СП Квант (Росатом), ИПХФ РАН.
Помимо разработки линии для корпусирования, ОКР предусматривала разработку отечественного герметизирующего материала взамен иностранного, а также материала для заливки.
ЗНТЦ проводил испытания с микросхемами Ангстрема, МЦСТ, НМ-Тех, Миландр и других компаний.
По оценкам МИЭТ, 94% микросхем в полимерных корпусах в России – это импорт. Из других компаний, которые занимаются корпусированием в России можно вспомнить Микрон и GS Group, Миландр и НИИЭТ. Заявленные мощности линии ЗНТЦ позволяют говорить об этом участнике рынка как об одном из крупнейших, конечно, слово «крупный» уместно использовать только пока мы говорим о российском рынке, да и то, с натяжкой.
@RUSmicro
👍13❤5
📈 Упаковка и тестирование. Тренды. Аналитика PwC
Упаковка и тестирование
Упаковка и тестирование, это далеко не только о «корпусировании». Упаковка не просто защищает готовые кристаллы; теперь она еще и про передовые методы сопряжения кристаллов, про повышение электрической и тепловой надежности.
Поскольку уменьшение геометрических размеров транзисторов дает все меньшую отдачу, передовая упаковка стала основным рычагом для повышения производительности системы.
Ключевые инновации включают в себя более короткие и высокоскоростные межсоединения, и чиплетные архитектуры, которые позволяют собирать гетерогенные кристаллы экономичным и гибким способом.
Растущая сложность сборки делает предотвращение дефектов и повышение выхода годных изделий критически важными, стимулируя быстрый прогресс не только в области упаковки, но также в оптических, рентгеновских и системных инструментах контроля.
В перспективе существенное повышение производительности может зависеть от тесной коэволюции технологий транзисторов на этапе front-end и процессов упаковки и тестирования на этапе финальной обработки.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond, картинка - из отчета
Упаковка и тестирование
Упаковка и тестирование, это далеко не только о «корпусировании». Упаковка не просто защищает готовые кристаллы; теперь она еще и про передовые методы сопряжения кристаллов, про повышение электрической и тепловой надежности.
Поскольку уменьшение геометрических размеров транзисторов дает все меньшую отдачу, передовая упаковка стала основным рычагом для повышения производительности системы.
Ключевые инновации включают в себя более короткие и высокоскоростные межсоединения, и чиплетные архитектуры, которые позволяют собирать гетерогенные кристаллы экономичным и гибким способом.
Растущая сложность сборки делает предотвращение дефектов и повышение выхода годных изделий критически важными, стимулируя быстрый прогресс не только в области упаковки, но также в оптических, рентгеновских и системных инструментах контроля.
В перспективе существенное повышение производительности может зависеть от тесной коэволюции технологий транзисторов на этапе front-end и процессов упаковки и тестирования на этапе финальной обработки.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond, картинка - из отчета
📈 Упаковка и тестирование. Тренды. Аналитика PwC
Back-end стадия производства полупроводников – расширяя пределы совершенствования
Десятилетиями рост производительности обеспечивался главным образом за счёт миниатюризации на front-end этапе, однако после развития технологий производства до уровней ниже 10 нм только два контрактных производителя (прим. RUSmicro: TSMC и Samsung) освоили выпуск таких изделий крупными партиями, третий (прим. RUSmicro: Intel) сейчас постепенно наращивает объёмы выпуска.
По мере уменьшения размеров возрастают проблемы коротких каналов, паразитных ёмкостей, растущих токов утечек, что существенно усложняет дальнейшее уменьшение размеров узлов и повышает затраты.
Первые шаги по снижению размеров КМОП-транзисторов — от 90 нм до 28 нм — позволили удвоить плотность размещения транзисторов на кристалле и повысить эффективность энергопотребления на 25–50 %.
Между этапами от 16 нм технологии FinFET до современного уровня в 3 нм кривая роста плотности стала пологой, замедлилось улучшение энергоэффективности, тогда как цена кремниевых пластин выросла практически втрое, подняв стоимость узла в 2-3 раза.
Использование инструментов EUV-литографии, снижение доли выхода годных изделий и быстрый рост затрат на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы подчёркивают, насколько дорогим стало продолжение масштабирования на front-end стадии.
Перед лицом снижения рентабельности производители микросхем возвращаются к интенсивному развитию продвинутых технологий завершающих стадий — модульных (чиплетных) конструкций, трёхмерного стекирования, 2,5D-межуровневых соединений — чтобы компенсировать сокращение улучшения показателей на front-end стадии и сохранить возможность повышения общей производительности системы.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond, картинки - из отчета
Back-end стадия производства полупроводников – расширяя пределы совершенствования
Десятилетиями рост производительности обеспечивался главным образом за счёт миниатюризации на front-end этапе, однако после развития технологий производства до уровней ниже 10 нм только два контрактных производителя (прим. RUSmicro: TSMC и Samsung) освоили выпуск таких изделий крупными партиями, третий (прим. RUSmicro: Intel) сейчас постепенно наращивает объёмы выпуска.
По мере уменьшения размеров возрастают проблемы коротких каналов, паразитных ёмкостей, растущих токов утечек, что существенно усложняет дальнейшее уменьшение размеров узлов и повышает затраты.
Первые шаги по снижению размеров КМОП-транзисторов — от 90 нм до 28 нм — позволили удвоить плотность размещения транзисторов на кристалле и повысить эффективность энергопотребления на 25–50 %.
Между этапами от 16 нм технологии FinFET до современного уровня в 3 нм кривая роста плотности стала пологой, замедлилось улучшение энергоэффективности, тогда как цена кремниевых пластин выросла практически втрое, подняв стоимость узла в 2-3 раза.
Использование инструментов EUV-литографии, снижение доли выхода годных изделий и быстрый рост затрат на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы подчёркивают, насколько дорогим стало продолжение масштабирования на front-end стадии.
Перед лицом снижения рентабельности производители микросхем возвращаются к интенсивному развитию продвинутых технологий завершающих стадий — модульных (чиплетных) конструкций, трёхмерного стекирования, 2,5D-межуровневых соединений — чтобы компенсировать сокращение улучшения показателей на front-end стадии и сохранить возможность повышения общей производительности системы.
@RUSmicro, по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond, картинки - из отчета
👍3❤1
🇺🇸 🇹🇼 Производственные мощности. Производство памяти. Участники рынка. США. Тайвань
Акции Powerchip выросли после объявления о покупке тайваньского завода за $1.8 млрд
Акции тайваньской компании Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. выросли почти на 10% в понедельник после того, как американский производитель микросхем памяти Micron Technology заявил о покупке завода P5 в Тунлуо, уезд Мяоли, Тайвань, за $1,8 млрд у этой компании. Об этом сообщает Reuters.
Компания Micron заявила, что ожидает, что сделка поможет увеличить объемы производства пластин динамической оперативной памяти (DRAM) начиная с 2H2027.
Покупка добавит около 300 кв. футов чистых помещений. Это позволит Micron поэтапно наращивать производство DRAM в период, когда мировой спрос на память продолжает превышать предложение. Вклад мощностей первой фазы завода в Тонглуо в 2H2027 составит более 10% от глобальных мощностей Micron в 4q2026.
В субботу компания Powerchip заявила, что Micron установит долгосрочные партнерские отношения с компанией в области производства DRAM-чипов в передовой упаковке и окажет помощь Powerchip в совершенствовании специализированных технологических процессов DRAM.
Компания Micron заявила, что сделка, как ожидается, будет завершена ко второму кварталу 2026 года при условии получения необходимых разрешений регулирующих органов. У Micron действует 4 производственные локации на Тайване.
@RUSmicro
Акции Powerchip выросли после объявления о покупке тайваньского завода за $1.8 млрд
Акции тайваньской компании Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. выросли почти на 10% в понедельник после того, как американский производитель микросхем памяти Micron Technology заявил о покупке завода P5 в Тунлуо, уезд Мяоли, Тайвань, за $1,8 млрд у этой компании. Об этом сообщает Reuters.
Компания Micron заявила, что ожидает, что сделка поможет увеличить объемы производства пластин динамической оперативной памяти (DRAM) начиная с 2H2027.
Покупка добавит около 300 кв. футов чистых помещений. Это позволит Micron поэтапно наращивать производство DRAM в период, когда мировой спрос на память продолжает превышать предложение. Вклад мощностей первой фазы завода в Тонглуо в 2H2027 составит более 10% от глобальных мощностей Micron в 4q2026.
В субботу компания Powerchip заявила, что Micron установит долгосрочные партнерские отношения с компанией в области производства DRAM-чипов в передовой упаковке и окажет помощь Powerchip в совершенствовании специализированных технологических процессов DRAM.
Компания Micron заявила, что сделка, как ожидается, будет завершена ко второму кварталу 2026 года при условии получения необходимых разрешений регулирующих органов. У Micron действует 4 производственные локации на Тайване.
@RUSmicro
👍1
🇷🇺 Производство электроники. Утилизация. Россия
Завод Мега Сервис получил право заключения договоров на утилизацию с производителями и импортерами электронных устройств
Входящий в GS Group завод включен в Реестр утилизации, в котором на сегодня – 192 предприятия. Об этом сообщает telegram-канала GS Group.
Производственные мощности компании расположены на двух территориях – в Туле и в Калининградской области. «Мега Сервис» утилизировал свыше 8 млн изделий, перерабатывая отходы во вторсырье и извлекая ряд ценных материалов.
На утилизацию принимаются отработавшие оргтехника, радиоэлектронное оборудование и бытовая техника. Суммарная мощность оборудования — 442,8 тонн год.
@RUSmicro
Завод Мега Сервис получил право заключения договоров на утилизацию с производителями и импортерами электронных устройств
Входящий в GS Group завод включен в Реестр утилизации, в котором на сегодня – 192 предприятия. Об этом сообщает telegram-канала GS Group.
Производственные мощности компании расположены на двух территориях – в Туле и в Калининградской области. «Мега Сервис» утилизировал свыше 8 млн изделий, перерабатывая отходы во вторсырье и извлекая ряд ценных материалов.
На утилизацию принимаются отработавшие оргтехника, радиоэлектронное оборудование и бытовая техника. Суммарная мощность оборудования — 442,8 тонн год.
@RUSmicro
👍8🔥3
🇷🇺 Производство микроэлектроники. Участники рынка. Россия
АФК Система продает свою долю в ГК Элемент
Впервые о переговорах на тему продажи Сберу доли в крупнейшем российском производителе микроэлектроники Элемент мы узнали от Ъ в сентябре 2025 года. Сегодня КоммерсантЪ сообщает об условиях сделки.
Актив оценен в сумму около 24 млрд руб. при стоимости всей группы более 50 млрд руб. Производственные мощности «Элемента» перейдут под управление дочерней структуры «Сбера», которая станет платформой для дальнейшей консолидации отрасли микроэлектроники.
По данным Ъ, сделка уже закрыта (с оговорками). Сбер получает практически все производственные активы Элемента в области микроэлектроники, кроме Корпорации роботов. В структуре ПАО Элемент - порядка 40 предприятий, в ближайшие месяцы ПАО Элемент будет расформировано.
@RUSmicro
АФК Система продает свою долю в ГК Элемент
Впервые о переговорах на тему продажи Сберу доли в крупнейшем российском производителе микроэлектроники Элемент мы узнали от Ъ в сентябре 2025 года. Сегодня КоммерсантЪ сообщает об условиях сделки.
Актив оценен в сумму около 24 млрд руб. при стоимости всей группы более 50 млрд руб. Производственные мощности «Элемента» перейдут под управление дочерней структуры «Сбера», которая станет платформой для дальнейшей консолидации отрасли микроэлектроники.
По данным Ъ, сделка уже закрыта (с оговорками). Сбер получает практически все производственные активы Элемента в области микроэлектроники, кроме Корпорации роботов. В структуре ПАО Элемент - порядка 40 предприятий, в ближайшие месяцы ПАО Элемент будет расформировано.
@RUSmicro
👍6😁6😢4🫡3❤2🤔2🔥1
🇳🇱 Производители оборудования для производства полупроводниковых структур. Участники рынка. Нидерланды
В ASMI радуются росту заказов из Китая
Все знают нидерландскую ASML, известного производителя фотолитографов, включая такую эксклюзивную продукцию этой компании как EUV-литографы. Но далеко не каждый припомнит компанию ASMI, которая когда-то создала ASML вместе с компанией Philips.
Между тем, это второй по величине европейский производитель оборудования для производства чипов (по мировым рынкам - небольшой). Основная специализация – установки ALD (Atomic Layer Deposition); установки для эпитаксии кремния и карбида кремния (SiC).
Компания ASMI повысила свой прогноз выручки на 1q2026 и ожидает устойчивого роста в целом в 2026 году. Квартальный объем заказов вырос до 800 млн евро ($930 млн). Более высокие объемы заказов компания связывает с восстановлением заказов из Китая и «солидными заказами» от производителей передовой логики. Об этом сообщает Reuters.
Позитивные предварительные данные свидетельствуют о том, что проблема избытка производственных мощностей в Китае может быть менее серьезной, чем этого опасались ранее компании, для которых рынок Китая – важный источник значительной части выручки. В 3q2025 китайцы притормозили было с закупками оборудования у ASMI, но уже в 4q2025 спрос восстановился и, как видим, заказы на 1q2026 тоже поступают ударными темпами. Вот так европейцы добровольно и радостно, за плату малую, крепят производственную мощь Китая.
@RUSmicro
В ASMI радуются росту заказов из Китая
Все знают нидерландскую ASML, известного производителя фотолитографов, включая такую эксклюзивную продукцию этой компании как EUV-литографы. Но далеко не каждый припомнит компанию ASMI, которая когда-то создала ASML вместе с компанией Philips.
Между тем, это второй по величине европейский производитель оборудования для производства чипов (по мировым рынкам - небольшой). Основная специализация – установки ALD (Atomic Layer Deposition); установки для эпитаксии кремния и карбида кремния (SiC).
Компания ASMI повысила свой прогноз выручки на 1q2026 и ожидает устойчивого роста в целом в 2026 году. Квартальный объем заказов вырос до 800 млн евро ($930 млн). Более высокие объемы заказов компания связывает с восстановлением заказов из Китая и «солидными заказами» от производителей передовой логики. Об этом сообщает Reuters.
Позитивные предварительные данные свидетельствуют о том, что проблема избытка производственных мощностей в Китае может быть менее серьезной, чем этого опасались ранее компании, для которых рынок Китая – важный источник значительной части выручки. В 3q2025 китайцы притормозили было с закупками оборудования у ASMI, но уже в 4q2025 спрос восстановился и, как видим, заказы на 1q2026 тоже поступают ударными темпами. Вот так европейцы добровольно и радостно, за плату малую, крепят производственную мощь Китая.
@RUSmicro
❤3
🇮🇹 🇰🇷 Международное сотрудничество. Италия. Корея
Президенты Кореи и Италии договорились об укреплении сотрудничества в области ИИ и микроэлектроники
Встреча состоялась вчера. Стороны договорились о «расширении сотрудничества» в таких секторах, как ИИ, аэрокосмическая промышленность, микросхемы, критические важные полезные ископаемые. Какой-то конкретики стороны не объявляли.
В целом Италия почти не имеет современного полупроводникового производства (в отличие от Германии или Франции). Не удивительно, что в Италии хотели бы привлечь зарубежные инвестиции в сегмент производства микросхем в ситуации, когда цепочки поставок изменились столь радикально.
При этом в Италии, как и в других странах Европы даже не пытаются замахиваться на передовую логику и техпроцессы, здесь готовы довольствоваться «практичными» силовыми полупроводниками (SiC и GaN), сенсорами, MEMS, а также использовать свои компетенции в области материаловедения, чтобы выпускать материалы для производства чипов.
Учитывая, что в ЕС хотят выделить средства на укрепление «суверенитета» в области микроэлектроники, Италия также не прочь получить часть этих денег.
Вроде бы что-то намечалось с сингапурской Silicon Box и тайваньской GlobalWafer.
В целом не очень понятно, зачем кому-либо инвестировать в современной Италии, разве что тайваньским компаниям, у которых может подгорать известное место по известным геополитическим причинам. Впрочем, для Кореи вход в ЕС через локализацию в Италии – это возможный доступ на рынки ЕС без таможенных барьеров. Да и субсидии возможны.
Посмотрим, останутся ли эти договоренности лишь обменом любезностями или корейцы решатся зайти в Италию с планами сооружения производств.
@RUSmicro
Президенты Кореи и Италии договорились об укреплении сотрудничества в области ИИ и микроэлектроники
Встреча состоялась вчера. Стороны договорились о «расширении сотрудничества» в таких секторах, как ИИ, аэрокосмическая промышленность, микросхемы, критические важные полезные ископаемые. Какой-то конкретики стороны не объявляли.
В целом Италия почти не имеет современного полупроводникового производства (в отличие от Германии или Франции). Не удивительно, что в Италии хотели бы привлечь зарубежные инвестиции в сегмент производства микросхем в ситуации, когда цепочки поставок изменились столь радикально.
При этом в Италии, как и в других странах Европы даже не пытаются замахиваться на передовую логику и техпроцессы, здесь готовы довольствоваться «практичными» силовыми полупроводниками (SiC и GaN), сенсорами, MEMS, а также использовать свои компетенции в области материаловедения, чтобы выпускать материалы для производства чипов.
Учитывая, что в ЕС хотят выделить средства на укрепление «суверенитета» в области микроэлектроники, Италия также не прочь получить часть этих денег.
Вроде бы что-то намечалось с сингапурской Silicon Box и тайваньской GlobalWafer.
В целом не очень понятно, зачем кому-либо инвестировать в современной Италии, разве что тайваньским компаниям, у которых может подгорать известное место по известным геополитическим причинам. Впрочем, для Кореи вход в ЕС через локализацию в Италии – это возможный доступ на рынки ЕС без таможенных барьеров. Да и субсидии возможны.
Посмотрим, останутся ли эти договоренности лишь обменом любезностями или корейцы решатся зайти в Италию с планами сооружения производств.
@RUSmicro
🇺🇸 🇨🇳 Чипы ИИ. США. Китай
Геополитика и торговля ИИ-чипами
На прошлой неделе шумно обсуждалось решение властей США разрешить с рядом условий и оговорок поставку в Китай чипов Nvidia H200 и различных устройств на их основе, например, серверов. Этим решением, кстати, в США довольны далеко не все.
Но теперь стала распространяться информация о том, что на китайской стороне власти не готовы разрешить импорт этих чипов и изделий на их основе. В частности, тайванський производитель ИИ-серверов, компания Inventec поделилась следующей информацией.
«Это зависит от политической ситуации, потому что в конечном итоге вопрос сводится к тому, разрешит ли это Китай. В принципе, Соединенные Штаты открыты для этого, но на данный момент, похоже, они застряли на стороне Китая», — заявил президент Inventec Джек Цай на пресс-конференции в Тайбэе, - цитирует Reuters.
В Китае хотели бы перевести не только критическую инфраструктуру, но и крупные бизнесы на собственные решения, пусть китайские ускорители на сегодня и уступают американским. Но, как и в США в отношении экспорта чипов ИИ в Китай, в Китае нет консенсуса по поводу импорта чипов ИИ из США. Чем закончится дискуссия можно только гадать, цена вопроса - значительна для обеих сторон.
@RUSmicro
Геополитика и торговля ИИ-чипами
На прошлой неделе шумно обсуждалось решение властей США разрешить с рядом условий и оговорок поставку в Китай чипов Nvidia H200 и различных устройств на их основе, например, серверов. Этим решением, кстати, в США довольны далеко не все.
Но теперь стала распространяться информация о том, что на китайской стороне власти не готовы разрешить импорт этих чипов и изделий на их основе. В частности, тайванський производитель ИИ-серверов, компания Inventec поделилась следующей информацией.
«Это зависит от политической ситуации, потому что в конечном итоге вопрос сводится к тому, разрешит ли это Китай. В принципе, Соединенные Штаты открыты для этого, но на данный момент, похоже, они застряли на стороне Китая», — заявил президент Inventec Джек Цай на пресс-конференции в Тайбэе, - цитирует Reuters.
В Китае хотели бы перевести не только критическую инфраструктуру, но и крупные бизнесы на собственные решения, пусть китайские ускорители на сегодня и уступают американским. Но, как и в США в отношении экспорта чипов ИИ в Китай, в Китае нет консенсуса по поводу импорта чипов ИИ из США. Чем закончится дискуссия можно только гадать, цена вопроса - значительна для обеих сторон.
@RUSmicro
🔥2👍1