2025.11.14 16:07:20
기업명: 이지바이오(시가총액: 1,915억)
보고서명: 분기보고서 (2025.09)

잠정실적 : N

매출액 : 1,169억(예상치 : 1,205억, -3.0%)
영업익 : 112억(예상치 : 124억, -9.3%)
순이익 : 86억(예상치 : 85억, +1.6%)

**최근 실적 추이**
(기간/ 매출/ 영업익/ 순익)
2025.3Q 1,169억/ 112억/ 86억
2025.2Q 1,138억/ 110억/ 41억
2025.1Q 1,169억/ 91억/ 58억
2024.4Q 1,176억/ 87억/ 46억
2024.3Q 1,064억/ 89억/ 63억

공시링크: https://dart.fss.or.kr/dsaf001/main.do?rcpNo=20251114001974

단독: 삼성전자, 메모리 칩 가격 최대 60% 인상… 공급 부족 심화 — 소식통

삼성전자가 이달 들어 일부 메모리 칩 가격을 9월 대비 최대 60% 인상한 것으로 확인됐다. 이는 AI 데이터센터 구축 경쟁으로 글로벌 공급 부족이 악화되는 가운데 나온 조치라고 상황을 잘 아는 두 소식통이 전했다.

소식통들에 따르면, 삼성전자는 세계 최대 메모리 칩 제조사로서 10월 공급 계약 가격 공시를 연기한 뒤 이번에 가격을 크게 올렸다. 공급가 정보는 통상 매달 발표된다.


■ 서버용 메모리 가격 급등 → 데이터 인프라 기업들 압박 심화

이번 급등은 서버 중심으로 쓰이는 메모리 칩 부족이 심화하면서 나타난 결과다.
이는 데이터센터 구축 기업들의 비용 부담을 크게 높일 전망이며, 스마트폰·PC 등 기타 제품 가격 상승까지 불러올 위험이 있다.

반도체 유통사 Fusion Worldwide의 대표 Tobey Gonnerman은 Reuters에 다음과 같이 말했다.

“대형 서버 제조사들과 데이터센터 빌더들은
‘충분한 물량을 절대 받을 수 없다’는 사실을 받아들이기 시작했습니다.
현재 지불되는 가격 프리미엄은 매우 극단적입니다.”

그는 삼성전자의 32GB DDR5 모듈 가격이 9월 $149 → 11월 $239로 상승했다고 밝혔다.

■ DDR5 전반 가격 급등 — 16GB·128GB는 50%, 64GB·96GB는 30% 이상 인상

DDR 메모리는 서버·PC·기타 기기에 쓰이며, 데이터 임시 저장·고속 전송을 담당하는 핵심 부품이다.

Gonnerman에 따르면:

16GB DDR5: 약 50% 인상 → $135

128GB DDR5: 약 50% 인상 → $1,194

64GB·96GB DDR5: 30% 이상 인상

해당 가격 상승은 삼성전자로부터 직접 브리핑을 받은 또 다른 소식통도 확인했다.

삼성전자는 논평을 거부했다.

■ 공급 부족 심화 → 고객들 ‘패닉 바잉’ 시작

업계 경영진과 애널리스트들에 따르면, 공급 부족이 극심해지며 일부 고객들은 패닉 바잉(panic buying) 에 나서고 있다.

중국 최대 파운드리 SMIC(0981.HK) 는 금요일, 메모리 칩 부족 때문에 고객사들이 다른 칩 주문까지 보류하고 있다고 밝혔다.

중국 스마트폰·전자·자동차 제조사 Xiaomi(1810.HK) 역시 지난달, 급등한 메모리 가격으로 휴대폰 제조 비용이 크게 상승하고 있다고 경고했다.

■ 반면 삼성전자는 수혜 — AI 칩 전환이 느렸던 점이 오히려 ‘가격 지렛대’

삼성전자는 AI 전용 칩 전환 속도가 SK hynix나 Micron보다 느렸고, 최근까지도 이익 반등 폭이 상대적으로 작았다.
그러나 이 점이 오히려 이번 메모리 가격 대폭 인상의 가격 협상력 우위 요인이 되고 있다고 KB증권 리서치센터장 Jeff Kim은 분석한다.

TrendForce 애널리스트 Ellie Wang은 다음과 같이 말했다.

삼성전자는 10~12월 분기 계약 가격을 40~50% 인상할 가능성이 높다
(업계 평균 전망치: 30%)

“삼성은 가격이 더 오를 것이라는 확신이 매우 강합니다.
수요가 너무 강하고,
모든 고객들이 공급사들과 2026년 또는 2026~2027년 장기 계약을 맺고 있기 때문입니다.”

https://www.reuters.com/world/china/samsung-hikes-memory-chip-prices-by-up-60-shortage-worsens-sources-say-2025-11-14/

마지막 검찰총장

https://naver.me/xAAkaCTP

[네이버뉴스] "전력 슈퍼사이클" LS, 3분기 호실적…수주잔고 10조원 돌파

https://n.news.naver.com/mnews/article/138/0002209671?rc=N&ntype=RANKING&sid=001

• 이브에너지: ESS배터리 주문에 풀캐파 대응 중. 600Ah+배터리셀 우선 양산 & 전방위 활용 솔루션으로 ESS 가치 제고

亿纬锂能在互动平台表示，公司储能电池订单较为饱满，目前处于满产状态。公司为创新赋能，率先量产600Ah+电芯，利用全场景解决方案驱动储能价值跃升。

엔켐 3분기 매출 3억원 이하

https://www.jbnews.com/news/articleView.html?idxno=1493826

엔켐 3Q 별도

[한투증권 채민숙/황준태] 반도체 산업 Brief: 반도체주 주가 하락 코멘트

● 펀더멘탈은 견고, 폭풍이 지나가기를 기다려야
- 전일 키옥시아 어닝 쇼크 이후, 단기간 내 급등한 메모리 관련주 주가 부담 확산 및 환율 등 매크로 이슈로 반도체주 주가 하락 중
- 장중 전일대비 삼성전자 -3.99%, SK하이닉스 -6.05%, 피에스케이 -6.28%, 유진테크 -12.07% 등 반도체주 전반 주가 하락
- 4분기 서버 DRAM 중심으로 전분기대비 가격 상승률은 약 30~40%. 일부 중국 고객에 한해서는 전분기대비 70% 상승한 가격에 계약 가격이 체결됨
- 고객사들은 26년에도 메모리 가격 상승에 베팅하고 있음. 대형 고객사 중심으로 분기 가격이 아닌 6개월 구간의 가격 협상 진행 중. 매 분기 가격이 오를 것을 대비해 계약 가격 적용 구간을 장기화하려는 움직임이 나타나는 것
- 26년 DRAM 수요 bit growth는 24.6%로 전망되는 반면 DRAM 3개사의 공급 bit growth는 21%에 불과, 26년 연내 공급 부족으로 인한 ASP 상승 지속될 것
- 26년 NAND 역시 연내 수급률이 100%를 하회하며 공급 부족 지속될 것
- NAND는 DRAM 대비 이익률이 낮고, 공정 전환에 따른 bit 증가율이 큼. 이에 NAND 공급사들은 Capa 확장 시 업황이 부진해질 것을 우려해 제한적인 투자 기조를 유지할 전망
- 25년 4분기 기준 서버 DRAM 영업이익률은 약 60~65%에 이를 것. SK하이닉스 기준 HBM의 영업이익률은 약 65~70%. 견고한 실적은 밸류에이션 부담을 지속 낮추는 요인
- DRAM을 중심으로 메모리 Capex는 증가 전망. WFE 증가로 소부장 실적은 25년 하반기부터 26년까지 지속 상승할 전망
- 27년 하반기 삼성전자 P5 및 SK하이닉스 용인 Y1 등 대규모 증설 투자 예정돼 있음. 전공정 장비 기업 실적은 26년에 이어 27년까지 상승세를 지속할 것
- 11/19일 엔비디아 실적을 기점으로 투자 심리 회복 기대
- 반도체 섹터에 대해 비중확대와 매수 의견 유지함

본문: https://vo.la/z5WPNoV
텔레그램: https://news.1rj.ru/str/KISemicon

(코스닥)엔켐 - 주권매매거래정지해제 (상장적격성 실질심사 미해당 (사유발생 해소))
http://dart.fss.or.kr/api/link.jsp?rcpNo=20251114903410
2025-11-14

거래소는 동사의 “반기 또는 분기 매출액 미달 사실 발생” 공시 및 외부감사인의 확인서 등을 통해 확인한 결과, 매출 차감 항목을 제외한 최근 분기 매출액이 3억원 이상에 해당함을 확인하였습니다.

올해는 메모리, 내년은 PCB·CCL 가격 상승?

Rubin이 촉발하는 ‘6개 라인 동시 상승’ 슈퍼사이클


■ AI 시대의 핵심 부품은 칩이 아니라 PCB와 CCL

다음 대규모 성장 사이클의 중심은
고속 신호를 지탱하는 기판(PCB)과 적층판(CCL)이다.

■ 2026년 Rubin 등장 = 서버 구조 완전 재설계

Rubin은 단순 업그레이드가 아니라
서버의 형태를 완전히 다시 만드는 구조 혁신이다.

GPU 밀집도 144개 → 576개(약 4배 증가)

고전압 전력 설계

연결 대역폭 대폭 증가

냉각·전력·신호 구조 전면 재설계

CPX 칩과 새로운 미드플레인 적용

대형 모델의 prefill 연산 속도 크게 향상

회로층 최소 30층 이상, 최대 44층까지 확대

기판 면적 15~35% 증가

전원·신호·인터페이스 레이어가 모두 복잡해져 층수 폭증

-Rubin은 기존 세대와 다른 물리적 한계에 도전하는 설계이다.


■ 소재 분야는 사실상 ‘재편 국면’

Rubin은 기판과 소재 업체 전체를 새 체제로 개편한다.

M8 → M9로 전환

M9 가격은 M8 대비 2.5배

M9는 낮은 손실, 높은 내열성, 작은 축 방향 팽창 특성

HVLP4 동박은 초저손실 소재로 Rubin 시대 필수

고석영 소재(고 퀄츠 글라스)는 2024~2025년에 70% 가격 상승

고내열 수지(PPE, PPG, BT)의 사용량 급증


■ 공급 부족 → 원가 상승분 100% 전가 가능

최근 6개월 주요 원재료 가격 변동을 ‘나열식’으로 정리하면:

동박 가격: 약 27% 상승

고강도 유리섬유: 약 72% 상승

CCL 평균 가격: 약 40% 상승

하지만 M9 생산 공장 수가 매우 적고,
인증에만 1년 이상 걸리므로 완전한 공급 부족.

→ 이번 사이클은 CCL 업체가 원가 상승을 전부 가격에 반영 가능한 구조적 전환점.


■ 2025년 빅테크 ASIC 폭발 → PCB 층수 증가 가속

아래는 빅테크의 ASIC 확장의 공통점:

PCB 층수 24층 → 30층 → 34층

전원층 두꺼워짐

냉각 구조 재설계

800V 고전압 지원 필요

고속 신호를 위한 기판 재설계 필수

-M9, 고성능 동박, 고내열 수지 등 소재의 수요가 폭증한다.


■ PCB × CCL 업그레이드 사이클 → 장비·검사·제조 전방위 수혜

● 고층기판(High-Layer Server PCB) 생산 경쟁력
Gold Circuit Electronics (GCE)
Unimicron

● 무케이블 고속 백플레인(Backplane-Free High-Speed Interconnect) 제작
Gold Circuit Electronics (GCE)

● 고층 HDI / ABF 기반 서버판 강자
Unimicron

● 두꺼운 서버판(Thick Server Board) 제조 노하우 보유
Compeq
Unitech
Nan Ya PCB

● 압합 / AOI 장비 수혜 (Press & AOI Equipment)
TA Liang Technology
Trio-Tech

● 드릴 / 레이저 장비 수혜 (Drill & Laser Equipment)
Chin-Poon
Cwei (Cwei Technology)

■ Rubin = GPU 세대교체가 아니다

→ PCB와 CCL 산업 전체의 ‘6대 업그레이드’

설계 업그레이드
소재 업그레이드
제조 공정 업그레이드
장비 업그레이드
가격 구조 업그레이드
수요 곡선 업그레이드

Rubin은 6개 라인이 동시에 상승하는 슈퍼 사이클의 시작점이다.

https://www.ctee.com.tw/news/20251115700007-430502

항소심에서 형량 줄이고 가석방 엔딩, 천억원대 자산가의 삶

https://www.hankyung.com/article/2025111556377

[메리츠증권 IT 김선우/김동관]

안녕하세요. 메리츠 김선우/김동관입니다.
삼성전자 P5 투자 언론 보도에 관한 당사 코멘트 공유드립니다.


▶ 삼성전자 P5 투자 발표 시사점

[삼성전자 P5 투자 발표. 중장기 경쟁력 확보 목적 장기 투자 계획으로 평가]

- 언론보도에 따르면 삼성전자는 임시 경영위원회를 열고 평택 P5의 골조 공사 추진 계획을 발표

- 동사는 현재 평택캠퍼스에 P4까지 총 4개의 생산팹을 운영중이며, 최근 투자를 시작한 P4의 경우 4Q25~2Q26에 걸쳐 60k 내외의 DRAM Capa가 증설될 전망

- 동사는 기존 P4 투자를 25년초 시작으로 추진하였으나, DRAM 판가 상승 가시성이 확보되는 시기에 맞춰 투자를 집행하는 방향으로 선회한 바 있음. 본 투자 발표는 공급과잉과 무관하며, 중장기적 경쟁력 확보를 노리는 건강한 투자 집행 계획으로 평가

- 동사의 P5 투자는 아래의 두 가지 시사점을 지님

- 1) 생산 시작은 빨라야 1H28, 단기 공급 증가와 무관: P5는 과거 삼성전자의 ‘쉘퍼스트’ 전략에 따라, 다운사이클에 클린룸을 선확보하려는 의도로 준비됐지만 24~25년 HBM 위주 시장 전개에 따라 최근까지 연기돼 옴

- 이제 삼성전자는 일부 커머디티 제품들의 판가 협상력 구축 및 사업 가시성 확보에 따라 시장 선도를 위해 P5 투자를 일부 앞당기는 결정을 내림. 여기에는 경쟁사 SK하이닉스의 Y1팹 가동 일정 공개에 일부 영향을 받았다는 판단

- 하지만 Y1 역시 빨라야 1H27 가동이며, P5도 2028년에나 가동이 시작되는 만큼 단기적인 메모리 공급 증가 우려는 전무한 상황

- 투자자들은 메모리 업체들의 생산 확대 노력이 과거와 달리 ‘중장기적’ 관점에 맞춰져 있다는 점에 주목해야 함. 과거 업사이클 내 발생해왔던 즉각적인 전공정 설비투자는 제한적으로만 진행되고 있으며, 모든 생산자가 현재 물량보다는 수익성에 초점을 맞추는 이례적 사이클이 지속되고 있음


- 2) 3층구조로 파운드리 회복 시 시너지 창출: P5는 더 넓은 대지면적에 3층구조 (vs 기존 2층구조)로 더 넓은 수직 클린룸 공간활용이 가능한 최신팹으로 추정됨

- 파운드리 경쟁력 회복을 전제로, 삼성전자는 28년 부터 총 Phase 6 순차적 투자를 통해 효율적 생산라인 구성이 가능할 것
- 향후 파운드리 공정 (ASIC 등)과 메모리 공정 연속·순차 생산 라인을 구성해 생산시간 감축 및 원가경쟁력 확보가 가능하리라 판단됨. 다만, 파운드리 수주 확대 및 SF2P 이후 공정 경쟁력 확보는 필수 선행과제


[밸류체인 내 영향 및 투자 의견 – 긍정적 시각 유지]

- 당사는 이번 투자 발표를 통해 전공정 장비 업종에 대한 긍정적인 투자 의견을 유지. 양산 예상 시점(2028E)을 감안 시, 전공정 장비업체들의 P5향 신규 수주는 2H27E부터 발생 예상

- 2025-26년 실적에 영향은 제한적이나 해당 기간은 이미 P4 DRAM 신규 투자 및 기존 라인의 DRAM/NAND 전환 투자로 실적 성장이 예상되는 시점

- 통상 전공정 장비 업종의 주가는 메모리 업황과 전방 고객사 CAPEX에 대한 기대감과 동행함. 9월 이후 현재까지 주가 상승은 2026E CAPEX 확대 기대감이 멀티플 중심 확장으로 반영된 결과.

- 금번 투자 발표로 장비업체의 장기 이익 성장 가시성이 확보됐다는 점에서 긍정적. 2027년에는 SK하이닉스의 용인 클러스터 준공 및 장비 투자가 진행될 시점. 여기에 더해 2H27 P5 장비 수주 모멘텀 발생과 2028E 장비 매출 인식까지 순차적으로 전개될 예정.

- 2026년 너머의 이익 성장세 및 투자의 추가 가속화까지 전개될수록 장비 업종 주가에는 긍정적으로 작용할 전망

- 당사 커버리지 내 수혜 종목으로는 원익IPS와 테스 제시. 1H25 누적 기준 삼성전자향 매출 비중은 원익IPS가 58%, 테스는 35%로 추정. 원익IPS는 범용 CVD/ALD 장비를 통해 삼성전자의 DRAM, NAND, 파운드리 모든 제품군 투자에 수혜가 가능

- 상기 업체뿐만 아니라 삼성전자향 매출 비중이 높은 전공정 장비 업체 전반의 수혜로 이어질 전망

- 당사가 추정하는 주요 전공정 장비/설비 업체 내 삼성전자 비중은 다음과 같음: 원익IPS(58%), 테스(35%), 유진테크(40%), GST (50%), 유니셈(50%), 피에스케이(25%), 이오테크닉스(25%)

https://vo.la/Z3OLeMf (링크)


*동 자료는 Compliance 규정을 준수하여 사전 공표된 자료이며, 고객의 증권투자결과에 대한 법적 책임소재의 증빙자료로 사용될 수 없습니다.

삼성전자 파운드리 수주
https://n.news.naver.com/article/015/0005211950

ESS

https://v.daum.net/v/20251116150146698