테슬라 작년 4분기 차량인도 49만5천대…주가 5%대 하락(종합)
미국 전기차 업체 테슬라의 지난해 연간 차량 인도량이 전년 대비 감소한 것으로 나타났다.
테슬라는 2일(현지시간) 공개한 보고서에서 2024년 연간 178만9천226대를 인도했다고 밝혔다.
이는 2023년 연간 인도량(180만8천581) 대비 1만9천355대 감소한 수치다. 연간 인도량이 감소한 것은 지난해가 처음이다.
작년 4분기 차량 인도량은 49만5천570대로, 2023년 4분기(48만4천507대) 대비 1만1천63대 증가했다. 그러나 시장정보업체 팩트셋이 집계한 전문가 전망치(49만8천대)를 밑돌았다.
경쟁사들이 유럽에서 시장 점유율을 늘리면서 4분기 테슬라의 유럽 판매량은 크게 줄어들었다.
유럽자동차제조업협회(ACEA)에 따르면 지난해 1월부터 11월 말까지 테슬라는 유럽에서 28만3천대를 판매했다. 이는 전년 같은 기간보다 약 14% 줄어든 수치다.
특히, 작년 11월 유럽 내 등록 건수는 1만8천786건으로 1년 전 3만1천810건보다 크게 감소했다.
중국에서 판매도 압박을 받고 있다.
자동차산업 데이터분석회사 오토포캐스트 설루션 부사장인 샘 피오라니는 "모델 Y가 중국에서 두 번째로 많이 팔리는 모델이지만 판매량이 시장 성장을 따라가지 못하고 있다"며 "작년 11월까지 모델 Y의 판매량이약 5% 늘어난데 반해 중국 내 전체 전기차 판매량은 8% 증가했다"고 말했다.
미 경제 매체 CNBC 방송은 "테슬라는 휴머노이드 로봇과 칩 개발에 투자했으며, 2027년 이전 전용 로보택시를 생산하고 무인 차량 호출 서비스를 시작할 계획"이라며 "머스크와 주주들은 테슬라를 단순한 자동차 회사로 보고 싶지 않을 수 있지만, 대부분의 수익은 여전히 차량 판매에서 발생한다"고 지적했다.
https://m.yna.co.kr/view/AKR20250102152151072
미국 전기차 업체 테슬라의 지난해 연간 차량 인도량이 전년 대비 감소한 것으로 나타났다.
테슬라는 2일(현지시간) 공개한 보고서에서 2024년 연간 178만9천226대를 인도했다고 밝혔다.
이는 2023년 연간 인도량(180만8천581) 대비 1만9천355대 감소한 수치다. 연간 인도량이 감소한 것은 지난해가 처음이다.
작년 4분기 차량 인도량은 49만5천570대로, 2023년 4분기(48만4천507대) 대비 1만1천63대 증가했다. 그러나 시장정보업체 팩트셋이 집계한 전문가 전망치(49만8천대)를 밑돌았다.
경쟁사들이 유럽에서 시장 점유율을 늘리면서 4분기 테슬라의 유럽 판매량은 크게 줄어들었다.
유럽자동차제조업협회(ACEA)에 따르면 지난해 1월부터 11월 말까지 테슬라는 유럽에서 28만3천대를 판매했다. 이는 전년 같은 기간보다 약 14% 줄어든 수치다.
특히, 작년 11월 유럽 내 등록 건수는 1만8천786건으로 1년 전 3만1천810건보다 크게 감소했다.
중국에서 판매도 압박을 받고 있다.
자동차산업 데이터분석회사 오토포캐스트 설루션 부사장인 샘 피오라니는 "모델 Y가 중국에서 두 번째로 많이 팔리는 모델이지만 판매량이 시장 성장을 따라가지 못하고 있다"며 "작년 11월까지 모델 Y의 판매량이약 5% 늘어난데 반해 중국 내 전체 전기차 판매량은 8% 증가했다"고 말했다.
미 경제 매체 CNBC 방송은 "테슬라는 휴머노이드 로봇과 칩 개발에 투자했으며, 2027년 이전 전용 로보택시를 생산하고 무인 차량 호출 서비스를 시작할 계획"이라며 "머스크와 주주들은 테슬라를 단순한 자동차 회사로 보고 싶지 않을 수 있지만, 대부분의 수익은 여전히 차량 판매에서 발생한다"고 지적했다.
https://m.yna.co.kr/view/AKR20250102152151072
연합뉴스
테슬라 작년 4분기 차량인도 49만5천대…주가 5%대 하락(종합) | 연합뉴스
(뉴욕·샌프란시스코=연합뉴스) 이지헌 김태종 특파원 = 미국 전기차 업체 테슬라의 지난해 연간 차량 인도량이 전년 대비 감소한 것으로 나타났다.
Forwarded from [하나 Global ETF] 박승진 (박승진 하나증권)
» 테슬라의 사이버트럭이 미국 정부의 보조금 지급 대상에 포함. 다만 기준 강화 영향으로 보조금 대상 차종은 지난해 22개에서 18개로 축소
» 테슬라 차량 중에는 모델3, 모델X, 모델Y도 지급 대상. 현대차의 Ioniq5와 Ioniq9, 기아차의 EV6와 EV9도 보조금 대상
» 테슬라 차량 중에는 모델3, 모델X, 모델Y도 지급 대상. 현대차의 Ioniq5와 Ioniq9, 기아차의 EV6와 EV9도 보조금 대상
우크라 통한 러 가스공급 중단에 유럽 가스값 상승세(종합)
우크라이나 가스관을 경유한 러시아산 천연가스 공급이 1일(현지시간) 중단되면서 유럽 가스 가격이 연일 상승
우크라이나 가스관을 통한 러시아 천연가스 운송 협정 계약이 지난달 31일로 만료된 데 따른 영향으로 풀이. 러시아산 운송 중단이 EU의 전체 가스 공급량에 미치는 영향은 5% 정도
최근 몇 주 새 유럽 곳곳의 기온이 급강하하면서 난방 수요가 늘어난 것도 가격 상승 요인으로 지목
https://m.yna.co.kr/amp/view/AKR20250102152951098#amp_tf=%EC%B6%9C%EC%B2%98%3A%20%251%24s&aoh=17358585050204&referrer=https%3A%2F%2Fwww.google.com
우크라이나 가스관을 경유한 러시아산 천연가스 공급이 1일(현지시간) 중단되면서 유럽 가스 가격이 연일 상승
우크라이나 가스관을 통한 러시아 천연가스 운송 협정 계약이 지난달 31일로 만료된 데 따른 영향으로 풀이. 러시아산 운송 중단이 EU의 전체 가스 공급량에 미치는 영향은 5% 정도
최근 몇 주 새 유럽 곳곳의 기온이 급강하하면서 난방 수요가 늘어난 것도 가격 상승 요인으로 지목
https://m.yna.co.kr/amp/view/AKR20250102152951098#amp_tf=%EC%B6%9C%EC%B2%98%3A%20%251%24s&aoh=17358585050204&referrer=https%3A%2F%2Fwww.google.com
연합뉴스
우크라 통한 러 가스공급 중단에 유럽 가스값 상승세(종합) | 연합뉴스
(브뤼셀=연합뉴스) 정빛나 특파원 = 우크라이나 가스관을 경유한 러시아산 천연가스 공급이 1(현지시간) 중단되면서 유럽 가스 가격이 연일 상승세...
✅현대차그룹 전기차 5종, 올해 미국 IRA 보조금 대상 포함
https://n.news.naver.com/mnews/article/016/0002410732
최대 7500달러 보조금
현대차 아이오닉과 기아 EV시리즈 등
https://n.news.naver.com/mnews/article/016/0002410732
최대 7500달러 보조금
현대차 아이오닉과 기아 EV시리즈 등
Naver
현대차그룹 전기차 5종, 올해 미국 IRA 보조금 대상 포함
최대 7500달러 보조금 현대차 아이오닉과 기아 EV시리즈 등 현대자동차 아이오닉 5 [현대차 제공] [헤럴드경제=김성우 기자] 현대자동차그룹 전기차 5종이 미국 인플레이션감축법(IRA)에 따라 최대 7500달러(약
Forwarded from 텐렙
SK hynix, CES 2025에서 '풀 스택 AI 메모리 제공자' 비전 공개
1. 기술 혁신
- SK hynix, CES 2025에서 AI 메모리 기술 선보인다.
- HBM과 PIM 같은 차세대 메모리 포함 다양한 제품 전시한다.
- '풀 스택 AI 메모리 제공자'로 미래 준비를 강조했다.
2. 전시 주요 내용
- SK Group, '혁신적 AI, 지속 가능한 내일' 주제로 공동 부스 운영한다.
- HBM3E 16단 제품 및 고성능 eSSD 제품 샘플 전시한다.
- 데이터 처리 속도 및 전력 효율성을 개선한 LPCAMM과 ZUFS 제품 공개했다.
3. 차세대 데이터 센터 기술
- CXL 기반 모듈형 메모리 CMM-Ax와 AiMX5 소개했다.
- 6세대 HBM 생산 계획 발표하며 고객 맞춤형 HBM 시장 선도 의지 밝혔다.
4. 경영진 발언
- CEO 곽노정, 기술 혁신 통해 AI 시대 새로운 가능성 제시 의지 강조했다.
- CDO 안현, QLC 기반 고성능 eSSD 시장에서의 시너지 기대를 언급했다.
https://www.streetinsider.com/PRNewswire/SK+hynix+to+Unveil+Full+Stack+AI+Memory+Provider+Vision+at+CES+2025/24162900.html
1. 기술 혁신
- SK hynix, CES 2025에서 AI 메모리 기술 선보인다.
- HBM과 PIM 같은 차세대 메모리 포함 다양한 제품 전시한다.
- '풀 스택 AI 메모리 제공자'로 미래 준비를 강조했다.
2. 전시 주요 내용
- SK Group, '혁신적 AI, 지속 가능한 내일' 주제로 공동 부스 운영한다.
- HBM3E 16단 제품 및 고성능 eSSD 제품 샘플 전시한다.
- 데이터 처리 속도 및 전력 효율성을 개선한 LPCAMM과 ZUFS 제품 공개했다.
3. 차세대 데이터 센터 기술
- CXL 기반 모듈형 메모리 CMM-Ax와 AiMX5 소개했다.
- 6세대 HBM 생산 계획 발표하며 고객 맞춤형 HBM 시장 선도 의지 밝혔다.
4. 경영진 발언
- CEO 곽노정, 기술 혁신 통해 AI 시대 새로운 가능성 제시 의지 강조했다.
- CDO 안현, QLC 기반 고성능 eSSD 시장에서의 시너지 기대를 언급했다.
https://www.streetinsider.com/PRNewswire/SK+hynix+to+Unveil+Full+Stack+AI+Memory+Provider+Vision+at+CES+2025/24162900.html
StreetInsider.com
SK hynix to Unveil 'Full Stack AI Memory Provider' Vision at CES 2025
- SK hynix to showcase technological capabilities, participating in the world's largest consumer electronics show, CES 2025, from January 7-10
- Featuring a wide range of...
- Featuring a wide range of...
Forwarded from Brain and Body Research
전문 번역
중국, 배터리 부품 및 광물 기술 수출 제한 강화 계획
(블룸버그) – 중국이 전 세계 무역 긴장감이 고조되는 가운데 배터리 부품 제조에 사용되는 특정 기술과 두 가지 핵심 금속의 가공에 대한 수출 제한을 강화할 계획이다.
중국 상무부는 목요일 발표한 의견 수렴 공고에 따르면, 배터리 양극재 제조 기술을 수출 금지 또는 제한 대상 품목 목록에 포함하는 방안을 제시했다. 또한, 갈륨과 리튬을 추출하는 일부 기술과 공정에 대한 규제를 강화할 계획이다.
이러한 제안은 공식적인 신화통신에 따르면 "기술 수출입 관리를 강화하기 위한 노력"의 일환이다.
중국은 지난달 고급 기술 및 군사용 물품에 대한 수출 금지 조치를 발표한 후 1개월 만에 이러한 기술 수출 제한을 제안했다. 미국 정부가 베이징에 대한 기술 규제를 강화한 데 대한 맞대응 조치다. 갈륨, 게르마늄, 안티몬, 초경질 소재는 더 이상 미국으로 수출이 허용되지 않으며, 흑연 판매는 더 엄격한 통제를 받게 되었다.
중국은 수십 가지 핵심 광물의 세계 최대 공급국이며, 지난해 갈륨과 게르마늄 수출에 대한 초기 통제 조치를 단행한 이후 중국의 지배력에 대한 우려가 워싱턴에서 증가하고 있다. 이러한 금속은 반도체부터 위성, 야간 투시경까지 모든 것에 사용된다.
요약 해석
중국, 핵심 기술 수출 제한 강화
중국이 전 세계적인 기술 경쟁 심화 속에서 배터리와 반도체 등에 사용되는 핵심 기술 및 광물의 수출을 제한하려는 움직임을 보이고 있습니다. 특히, 미국과의 기술 패권 경쟁 속에서 중국은 자국의 핵심 기술을 보호하고 경쟁력을 유지하기 위해 이러한 조치를 취하는 것으로 분석됩니다.
주요 내용:
- 배터리 양극재 제조 기술 수출 규제: 전기차 배터리의 핵심 소재인 양극재 제조 기술에 대한 수출을 엄격하게 관리하겠다는 의지를 보임.
- 갈륨, 리튬 추출 기술 규제 강화: 반도체, 통신 장비 등에 사용되는 핵심 광물인 갈륨과 리튬의 추출 기술에 대한 통제를 강화하여 수출을 제한할 계획.
- 미국과의 기술 패권 경쟁 심화: 미국이 중국의 기술 부상을 견제하기 위해 반도체 등 첨단 기술 분야에 대한 수출 규제를 강화하자, 중국 역시 핵심 기술과 광물을 무기로 맞대응하고 있음.
중국, 배터리 부품 및 광물 기술 수출 제한 강화 계획
(블룸버그) – 중국이 전 세계 무역 긴장감이 고조되는 가운데 배터리 부품 제조에 사용되는 특정 기술과 두 가지 핵심 금속의 가공에 대한 수출 제한을 강화할 계획이다.
중국 상무부는 목요일 발표한 의견 수렴 공고에 따르면, 배터리 양극재 제조 기술을 수출 금지 또는 제한 대상 품목 목록에 포함하는 방안을 제시했다. 또한, 갈륨과 리튬을 추출하는 일부 기술과 공정에 대한 규제를 강화할 계획이다.
이러한 제안은 공식적인 신화통신에 따르면 "기술 수출입 관리를 강화하기 위한 노력"의 일환이다.
중국은 지난달 고급 기술 및 군사용 물품에 대한 수출 금지 조치를 발표한 후 1개월 만에 이러한 기술 수출 제한을 제안했다. 미국 정부가 베이징에 대한 기술 규제를 강화한 데 대한 맞대응 조치다. 갈륨, 게르마늄, 안티몬, 초경질 소재는 더 이상 미국으로 수출이 허용되지 않으며, 흑연 판매는 더 엄격한 통제를 받게 되었다.
중국은 수십 가지 핵심 광물의 세계 최대 공급국이며, 지난해 갈륨과 게르마늄 수출에 대한 초기 통제 조치를 단행한 이후 중국의 지배력에 대한 우려가 워싱턴에서 증가하고 있다. 이러한 금속은 반도체부터 위성, 야간 투시경까지 모든 것에 사용된다.
요약 해석
중국, 핵심 기술 수출 제한 강화
중국이 전 세계적인 기술 경쟁 심화 속에서 배터리와 반도체 등에 사용되는 핵심 기술 및 광물의 수출을 제한하려는 움직임을 보이고 있습니다. 특히, 미국과의 기술 패권 경쟁 속에서 중국은 자국의 핵심 기술을 보호하고 경쟁력을 유지하기 위해 이러한 조치를 취하는 것으로 분석됩니다.
주요 내용:
- 배터리 양극재 제조 기술 수출 규제: 전기차 배터리의 핵심 소재인 양극재 제조 기술에 대한 수출을 엄격하게 관리하겠다는 의지를 보임.
- 갈륨, 리튬 추출 기술 규제 강화: 반도체, 통신 장비 등에 사용되는 핵심 광물인 갈륨과 리튬의 추출 기술에 대한 통제를 강화하여 수출을 제한할 계획.
- 미국과의 기술 패권 경쟁 심화: 미국이 중국의 기술 부상을 견제하기 위해 반도체 등 첨단 기술 분야에 대한 수출 규제를 강화하자, 중국 역시 핵심 기술과 광물을 무기로 맞대응하고 있음.
Forwarded from 시황맨의 주식이야기
지수 상승 요인 정리. 시황맨
◎ 미 증시 반도체 강세
3대 지수 하락했으나 반도체 업종 지수는 강세. 엔비디아와 마이크론이 각 3~4% 가량 오르며 업종 지수 주도.
초반 SK하이닉스, 피에스케이홀딩스 등 강하게 오르며 반응
◎ 환율 정점론
환율 1,500원설이 있지만 27일 1,486원 피크로 일단 안정. 오늘은 달러인덱스 상승에도 환율은 내려가고 있음.
환율 정점일 경우 외국인 입장에서는 좋은 매수 구간으로 볼 수 있음. 환율 정점을 통과하고 있다는 판단을 일부 하는 듯
◎ 양시장 모두 바닥
실적으로 가치를 보는 PER 밴드는 저점 여부를 확인하기 어려우나 재무 가치로 보는 PBR상으로는 양시장 모두 바닥권
코스피는 0.83배, 코스닥은 1.53배가 바닥. 양시장 모두 연말 그 선에서 마감함.
코스피가 2,400p 이하에서 거듭 반등 시도한 것이 이 같은 PBR 바닥과는 무관하지 않았다고 보여짐
◎ 정치 변수
개인적으로 가장 주목하는 대목. 아시아 증시나 미국 선물 대비 우리 증시 상승폭이 큰 편.
오늘 정치적 상황이 계엄령 사태로 시작된 정치 관련 불확실성의 최대 정점을 넘긴 것으로 볼 가능성.
체포. 탄핵, 조기 대선으로 진행될 경우 누가 이기든 초반 경기 부양 시도는 불가피. 전일 한국은행의 성장 전망 하향이 이 후 다시 바뀔 수 있는 대목
외국인의 대규모 선물 매수, 현물 매수의 동기가 미 증시에서 나왔다고 보기는 어려워. 아마도 이런 점이 영향을 주지 않았을까 추정.
단기 이벤트가 아니려면 이 후 외국인 수급에 일관성이 나타나야. 특히 작년 이 후 반등에 대한 신뢰도가 낮아 매물이 계속 나올 수 있는 환경.
외국인의 일관성이 따라야 상승세 유지 가능
◎ 미 증시 반도체 강세
3대 지수 하락했으나 반도체 업종 지수는 강세. 엔비디아와 마이크론이 각 3~4% 가량 오르며 업종 지수 주도.
초반 SK하이닉스, 피에스케이홀딩스 등 강하게 오르며 반응
◎ 환율 정점론
환율 1,500원설이 있지만 27일 1,486원 피크로 일단 안정. 오늘은 달러인덱스 상승에도 환율은 내려가고 있음.
환율 정점일 경우 외국인 입장에서는 좋은 매수 구간으로 볼 수 있음. 환율 정점을 통과하고 있다는 판단을 일부 하는 듯
◎ 양시장 모두 바닥
실적으로 가치를 보는 PER 밴드는 저점 여부를 확인하기 어려우나 재무 가치로 보는 PBR상으로는 양시장 모두 바닥권
코스피는 0.83배, 코스닥은 1.53배가 바닥. 양시장 모두 연말 그 선에서 마감함.
코스피가 2,400p 이하에서 거듭 반등 시도한 것이 이 같은 PBR 바닥과는 무관하지 않았다고 보여짐
◎ 정치 변수
개인적으로 가장 주목하는 대목. 아시아 증시나 미국 선물 대비 우리 증시 상승폭이 큰 편.
오늘 정치적 상황이 계엄령 사태로 시작된 정치 관련 불확실성의 최대 정점을 넘긴 것으로 볼 가능성.
체포. 탄핵, 조기 대선으로 진행될 경우 누가 이기든 초반 경기 부양 시도는 불가피. 전일 한국은행의 성장 전망 하향이 이 후 다시 바뀔 수 있는 대목
외국인의 대규모 선물 매수, 현물 매수의 동기가 미 증시에서 나왔다고 보기는 어려워. 아마도 이런 점이 영향을 주지 않았을까 추정.
단기 이벤트가 아니려면 이 후 외국인 수급에 일관성이 나타나야. 특히 작년 이 후 반등에 대한 신뢰도가 낮아 매물이 계속 나올 수 있는 환경.
외국인의 일관성이 따라야 상승세 유지 가능
[단독] 삼성전자, HBM4 두뇌 ‘로직 다이’ 조기 생산 개시… 올해 HBM 시장서 반격
삼성전자가 4㎚(나노미터, 10억분의 1m) 파운드리(반도체 위탁생산) 공정을 통해 6세대 고대역폭메모리(HBM4)의 두뇌 역할을 하는 ‘로직 다이’ 초도 물량 생산에 돌입한 것으로 파악됐다. 삼성전자는 로직 다이의 최종 성능 검증을 마친 뒤, 이를 통해 개발한 HBM4를 고객사에 전달해 테스트를 진행할 계획이다. 그동안 HBM 시장에서 SK하이닉스에 주도권을 뺏긴 삼성전자는 올해 HBM4에 앞선 공정을 대거 투입해 반격에 나선다는 전략이다.
3일 업계에 따르면, 삼성전자 메모리 사업부는 최근 HBM4의 로직 다이 설계를 마치고 4㎚ 파운드리 라인에 설계도를 전달해 생산을 개시했다. 로직 다이는 D램을 쌓아 만드는 HBM의 가장 밑단에 배치되는 핵심 부품으로 겹겹이 적층된 D램을 제어하는 두뇌 역할을 담당한다.
HBM3E(5세대 HBM) 시장까지 SK하이닉스 등 경쟁사에 내준 삼성전자는 첨단 공정을 적용해 HBM4의 성능을 극대화한다는 계획이다. HBM4부터는 D램을 단순히 이어붙인 뒤, 고객사의 그래픽처리장치(GPU) 등과 연결하던 기존 HBM3E와 달리 HBM 최하단에 탑재되는 로직 다이에 파운드리 공정이 적용된다. 고객사가 요청하는 설계 자산(IP)과 응용처에 최적화된 형태의 맞춤형 HBM 제작도 가능하다. 자체 파운드리 역량을 보유하고 있지 않은 SK하이닉스는 TSMC의 5㎚ 공정을 통해 로직 다이를 생산하는 것으로 알려졌다.
삼성전자는 HBM의 성능뿐만 아니라 전력 효율까지 개선하기 위해 보다 진보된 4㎚ 공정을 적용할 것으로 전해졌다. 반도체 업계 관계자는 “발열 문제는 HBM 최대의 적이라고 불릴 만큼 통제가 쉽지 않다”며 “발열이 가장 심하게 발생하는 곳이 로직 다이인데, 성능과 전력 효율 등을 전반적으로 향상시키기 위해 삼성전자가 4㎚ 공정을 대대적으로 적용하는 것으로 안다”라고 했다.
삼성전자 사정에 정통한 관계자는 “더 이상 메모리 사업에서 이전처럼 경쟁사와 초격차를 벌릴 만한 강점이 부족한 것이 사실”이라며 “파운드리 공정을 자체적으로 보유한 만큼 발 빠르게 로직 다이를 제조해 고객사의 요청사항에 맞춤형으로 대응할 수 있다는 점에 기대를 걸고 있다”고 했다.
삼성전자는 로직 다이 외에 HBM에 적층되는 일반 D램에도 10㎚급 6세대(c) D램 칩을 활용할 것으로 알려졌다. SK하이닉스는 10㎚ 5세대(b) D램을 적용한다. 통상 10㎚급 D램 공정은 세대를 거듭할수록 첨단 공정이 적용돼 크기는 줄어들고 성능과 전력 효율은 좋아진다.
삼성전자는 HBM4 적층에도 새로운 공법인 하이브리드 본딩을 적용할 계획인 것으로 전해졌다. 하이브리드 본딩은 기존 칩을 연결하던 ‘범프’ 없이 구리를 통해 칩을 쌓아, 칩 사이즈를 줄이면서 성능까지 높일 수 있는 공정이다. 삼성전자는 이전 세대 HBM 제품까지 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식인 ‘첨단 열압착 비전도성 접착 필름(TC-NCF) 기술을 활용해 왔다.
반도체 업계 관계자는 “삼성전자가 파운드리 공정에서 진행 속도가 빠른 상황”이라며 “기존 세대에서 경쟁사에 뒤진 만큼 HBM4에서는 일정을 앞당겨 고객사 샘플 테스트 및 개선사항 요구에 대응하기 위해 속도를 높이고 있다”고 했다
https://biz.chosun.com/it-science/ict/2025/01/03/SV66MPOQDNG6VLY4Y6PP2FZ3EY/
삼성전자가 4㎚(나노미터, 10억분의 1m) 파운드리(반도체 위탁생산) 공정을 통해 6세대 고대역폭메모리(HBM4)의 두뇌 역할을 하는 ‘로직 다이’ 초도 물량 생산에 돌입한 것으로 파악됐다. 삼성전자는 로직 다이의 최종 성능 검증을 마친 뒤, 이를 통해 개발한 HBM4를 고객사에 전달해 테스트를 진행할 계획이다. 그동안 HBM 시장에서 SK하이닉스에 주도권을 뺏긴 삼성전자는 올해 HBM4에 앞선 공정을 대거 투입해 반격에 나선다는 전략이다.
3일 업계에 따르면, 삼성전자 메모리 사업부는 최근 HBM4의 로직 다이 설계를 마치고 4㎚ 파운드리 라인에 설계도를 전달해 생산을 개시했다. 로직 다이는 D램을 쌓아 만드는 HBM의 가장 밑단에 배치되는 핵심 부품으로 겹겹이 적층된 D램을 제어하는 두뇌 역할을 담당한다.
HBM3E(5세대 HBM) 시장까지 SK하이닉스 등 경쟁사에 내준 삼성전자는 첨단 공정을 적용해 HBM4의 성능을 극대화한다는 계획이다. HBM4부터는 D램을 단순히 이어붙인 뒤, 고객사의 그래픽처리장치(GPU) 등과 연결하던 기존 HBM3E와 달리 HBM 최하단에 탑재되는 로직 다이에 파운드리 공정이 적용된다. 고객사가 요청하는 설계 자산(IP)과 응용처에 최적화된 형태의 맞춤형 HBM 제작도 가능하다. 자체 파운드리 역량을 보유하고 있지 않은 SK하이닉스는 TSMC의 5㎚ 공정을 통해 로직 다이를 생산하는 것으로 알려졌다.
삼성전자는 HBM의 성능뿐만 아니라 전력 효율까지 개선하기 위해 보다 진보된 4㎚ 공정을 적용할 것으로 전해졌다. 반도체 업계 관계자는 “발열 문제는 HBM 최대의 적이라고 불릴 만큼 통제가 쉽지 않다”며 “발열이 가장 심하게 발생하는 곳이 로직 다이인데, 성능과 전력 효율 등을 전반적으로 향상시키기 위해 삼성전자가 4㎚ 공정을 대대적으로 적용하는 것으로 안다”라고 했다.
삼성전자 사정에 정통한 관계자는 “더 이상 메모리 사업에서 이전처럼 경쟁사와 초격차를 벌릴 만한 강점이 부족한 것이 사실”이라며 “파운드리 공정을 자체적으로 보유한 만큼 발 빠르게 로직 다이를 제조해 고객사의 요청사항에 맞춤형으로 대응할 수 있다는 점에 기대를 걸고 있다”고 했다.
삼성전자는 로직 다이 외에 HBM에 적층되는 일반 D램에도 10㎚급 6세대(c) D램 칩을 활용할 것으로 알려졌다. SK하이닉스는 10㎚ 5세대(b) D램을 적용한다. 통상 10㎚급 D램 공정은 세대를 거듭할수록 첨단 공정이 적용돼 크기는 줄어들고 성능과 전력 효율은 좋아진다.
삼성전자는 HBM4 적층에도 새로운 공법인 하이브리드 본딩을 적용할 계획인 것으로 전해졌다. 하이브리드 본딩은 기존 칩을 연결하던 ‘범프’ 없이 구리를 통해 칩을 쌓아, 칩 사이즈를 줄이면서 성능까지 높일 수 있는 공정이다. 삼성전자는 이전 세대 HBM 제품까지 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식인 ‘첨단 열압착 비전도성 접착 필름(TC-NCF) 기술을 활용해 왔다.
반도체 업계 관계자는 “삼성전자가 파운드리 공정에서 진행 속도가 빠른 상황”이라며 “기존 세대에서 경쟁사에 뒤진 만큼 HBM4에서는 일정을 앞당겨 고객사 샘플 테스트 및 개선사항 요구에 대응하기 위해 속도를 높이고 있다”고 했다
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[단독] 삼성전자, HBM4 두뇌 ‘로직 다이’ 테스트 생산 개시… 올해 HBM 시장서 반격
단독 삼성전자, HBM4 두뇌 로직 다이 테스트 생산 개시 올해 HBM 시장서 반격 삼성전자, 로직 다이 4나노 공정 통해 시제품 생산 진행 1c D램·하이브리드 본딩 등 첨단 공정 대거 활용 HBM4 일정 앞당겨 고객사 대응 속도 높여