🇯🇵 Производство памяти. 3D NAND. Планы. Япония
Kioxia обещает начать массовое производство 1000-слойной памяти 3D NAND к 2031 году
Да, речь о повышении числа слоев в микросхемах памяти в 4 раза. Об этом рассказывает tomshardware.com.
Японская компания Kioxia планирует массово производить чипы 3D NAND с более, чем 1000 слоев к 2031 году, об этом заявил технический директор компании. Сейчас наращивание числа слоев - основной применяемый в промышленности способ для наращивания емкости микросхем флэш-памяти. Кроме того, производители NAND каждые 1.5-2 года стремятся переходить на новые техпроцессы, чтобы повысить плотность размещения и уменьшить размеры ячеек памяти. То есть идет сжатие по горизонтали и наращивание толщины "сэндвича" по вертикали. Этот процесс требует от производителей в том числе проб новых материалов.
На сегодня лучшее устройство 3D NAND от Kioxia - это память BiCS 3D NAND 8-го поколения с 238 активными слоями и интерфейсом 3.2 Гбит/с. Чипы были представлены в марте 2023 года. В этом поколении чипов начала применяться новая архитектура CBA (Cell-to-Array Bonding) в которой каждый слой ячеек памяти непосредственно соединяется с управляющей матрицей. Это позволяет улучшить производительность за счет минимальных задержек, увеличивает скорость чтения и записи данных. Выше и надежность памяти, т.к. нет дополнительных промежуточных слоев и соединений. Пластины с ячейками памяти и пластины ввода вывода при таком походе изготавливают отдельно.
Подробностей об этой архитектуре Kioxia и ее партнер Western Digital не раскрывают, в частности, неизвестно, включают ли слой КМОП ввода-вывода дополнительные периферийные схемы, в частности буферы страниц, усилители считывания, зарядовые "насосы" (charge pumps).
Переходя к изготовлению отдельно пластин массива ячеек 3D NAND и слоя ввода-вывода, производители могут выбирать наиболее эффективные технологические процессы для каждого компонента и их соединений, что обещает возможность получить новые преимущества при внедрении в отрасли новых методов, например, string stacking (дословно - укладка строк), которые наверняка будут использованы при переходе к 1000-слойной 3D NAND.
Samsung также рассчитывает достичь показателя в 1000 слоев при выпуске своих чипов 3D NAND, причем к 2030 году. Об этом компания заявляла в 2022 году.
Kioxia обещает начать массовое производство 1000-слойной памяти 3D NAND к 2031 году
Да, речь о повышении числа слоев в микросхемах памяти в 4 раза. Об этом рассказывает tomshardware.com.
Японская компания Kioxia планирует массово производить чипы 3D NAND с более, чем 1000 слоев к 2031 году, об этом заявил технический директор компании. Сейчас наращивание числа слоев - основной применяемый в промышленности способ для наращивания емкости микросхем флэш-памяти. Кроме того, производители NAND каждые 1.5-2 года стремятся переходить на новые техпроцессы, чтобы повысить плотность размещения и уменьшить размеры ячеек памяти. То есть идет сжатие по горизонтали и наращивание толщины "сэндвича" по вертикали. Этот процесс требует от производителей в том числе проб новых материалов.
На сегодня лучшее устройство 3D NAND от Kioxia - это память BiCS 3D NAND 8-го поколения с 238 активными слоями и интерфейсом 3.2 Гбит/с. Чипы были представлены в марте 2023 года. В этом поколении чипов начала применяться новая архитектура CBA (Cell-to-Array Bonding) в которой каждый слой ячеек памяти непосредственно соединяется с управляющей матрицей. Это позволяет улучшить производительность за счет минимальных задержек, увеличивает скорость чтения и записи данных. Выше и надежность памяти, т.к. нет дополнительных промежуточных слоев и соединений. Пластины с ячейками памяти и пластины ввода вывода при таком походе изготавливают отдельно.
Подробностей об этой архитектуре Kioxia и ее партнер Western Digital не раскрывают, в частности, неизвестно, включают ли слой КМОП ввода-вывода дополнительные периферийные схемы, в частности буферы страниц, усилители считывания, зарядовые "насосы" (charge pumps).
Переходя к изготовлению отдельно пластин массива ячеек 3D NAND и слоя ввода-вывода, производители могут выбирать наиболее эффективные технологические процессы для каждого компонента и их соединений, что обещает возможность получить новые преимущества при внедрении в отрасли новых методов, например, string stacking (дословно - укладка строк), которые наверняка будут использованы при переходе к 1000-слойной 3D NAND.
Samsung также рассчитывает достичь показателя в 1000 слоев при выпуске своих чипов 3D NAND, причем к 2030 году. Об этом компания заявляла в 2022 году.
Tom's Hardware
Kioxia aims to mass produce 1000-layer 3D NAND by 2031 — quadruple the current number of layers
But that is going to be challenging.
👍3👎1
🇺🇸 Микропроцессоры. RISC-V. США
Новый микропроцессор RISC-V может одновременно выполнять рабочие нагрузки CPU, GPU и NPU
Впору задаться вопросом - такое вообще бывает? Похоже, что да. О новинке X-Silicon Inc. (XSi) рассказывает Tom'sHardware.com.
Микропроцессор с такими необычными возможностями создан на базе архитектуры RISC-V, кроме ядра ЦП RISC-V в нем поддерживаются векторные вычисления и ускоритель - все в одном чипе. Гибридный CPU/GPU чип поддерживает открытые стандарты, обещано, что и код у него будет открытым, сообщает Jon Peddie Research. Чип предназначен для различных применений, включая ИИ, для которого обычно используют специализированные CPU или GPU. ИИ требует от микропроцессора высокой производительности. Можно ли ее ожидать от предложенного гибрида?
Микропроцессор с такими необычными возможностями создан на базе архитектуры RISC-V, кроме ядра ЦП RISC-V в нем поддерживаются векторные вычисления и ускоритель - все в одном чипе. Гибридный CPU/GPU чип поддерживает открытые стандарты, обещано, что и код у него будет открытым, сообщает Jon Peddie Research. Чип предназначен для различных применений, включая ИИ, для которого обычно используют специализированные CPU или GPU. ИИ требует от микропроцессора высокой производительности. Можно ли ее ожидать от предложенного гибрида?
Новинка спроектирована, как "мастер на все руки". Если при этом он эффективен, то это заявка на успех, поскольку отрасль давно ищет open source процессор, который можно было бы использовать в решениях виртуальной реальности, автомобилях и устройствах IoT. Чип X-Silicon сочетает возможности CPU и GPU в одноядерной архитектуре, что не похоже на типовые решения Intel и AMD, где обычно есть отдельные ядра ЦП и ядра графического процессора. Вместо этого, само ядро предназначено для выполнения задач как CPU, так и GPU. В этом смысле новинка похожа на заброшенный проект Intel Larabee, в рамках которого x86 пытались научить работать с графикой и другими рабочими нагрузками.
В чипе реализована архитектура C-GPU X-Silicon, которая объединяет функции ускорителя с векторным ядром процессора RISC-V. Процессор построен на основе векторного ядра RISC-V с 32-битным FPU и ALU Scaler. Поддерживается планировщик потоков, механизм обрезки (Clipping Engine), растеризатор, блок обработки текстур, нейронный движок и пиксельный процессор. Чип предназначен для работы с приложениями, включая ИИ, HPC (высокопроизводительные вычисления), геометрические вычисления, а также поддержку 2D- и 3D-графики.
Теоретически способность гибридного чипа X-Silicon обрабатывать код CPU и GPU в одном ядре дает ему множество преимуществ. Чип использует открытый стандарт RISC-V ISA, выполняя один поток инструкций. Это позволяет обходиться меньшим объемом памяти и добиваться высокой эффективности, поскольку не требуется копирование данных между пространством памяти CPU и пространством памяти GPU.
Ядра CPU/GPU могут быть объединены в многоядерную конструкцию, что позволяет наращивать вычислительную мощность по мере необходимости. В многоядерном формате несколько ядер располагаются на одном чипе, их соединяет высокоскоростная структура. В такой конструкции реализованы быстрые встроенные кэши SRAM и eDRAM, служащие кэшем L2, который может агрегировать данные из нескольких ядер. При необходимости, каждое ядро можно задействовать для исполнения графических вычислений, ИИ, видео, физики, HPC или других рабочих нагрузок независимо от других ядер. (..)
Новый микропроцессор RISC-V может одновременно выполнять рабочие нагрузки CPU, GPU и NPU
Впору задаться вопросом - такое вообще бывает? Похоже, что да. О новинке X-Silicon Inc. (XSi) рассказывает Tom'sHardware.com.
Микропроцессор с такими необычными возможностями создан на базе архитектуры RISC-V, кроме ядра ЦП RISC-V в нем поддерживаются векторные вычисления и ускоритель - все в одном чипе. Гибридный CPU/GPU чип поддерживает открытые стандарты, обещано, что и код у него будет открытым, сообщает Jon Peddie Research. Чип предназначен для различных применений, включая ИИ, для которого обычно используют специализированные CPU или GPU. ИИ требует от микропроцессора высокой производительности. Можно ли ее ожидать от предложенного гибрида?
Микропроцессор с такими необычными возможностями создан на базе архитектуры RISC-V, кроме ядра ЦП RISC-V в нем поддерживаются векторные вычисления и ускоритель - все в одном чипе. Гибридный CPU/GPU чип поддерживает открытые стандарты, обещано, что и код у него будет открытым, сообщает Jon Peddie Research. Чип предназначен для различных применений, включая ИИ, для которого обычно используют специализированные CPU или GPU. ИИ требует от микропроцессора высокой производительности. Можно ли ее ожидать от предложенного гибрида?
Новинка спроектирована, как "мастер на все руки". Если при этом он эффективен, то это заявка на успех, поскольку отрасль давно ищет open source процессор, который можно было бы использовать в решениях виртуальной реальности, автомобилях и устройствах IoT. Чип X-Silicon сочетает возможности CPU и GPU в одноядерной архитектуре, что не похоже на типовые решения Intel и AMD, где обычно есть отдельные ядра ЦП и ядра графического процессора. Вместо этого, само ядро предназначено для выполнения задач как CPU, так и GPU. В этом смысле новинка похожа на заброшенный проект Intel Larabee, в рамках которого x86 пытались научить работать с графикой и другими рабочими нагрузками.
В чипе реализована архитектура C-GPU X-Silicon, которая объединяет функции ускорителя с векторным ядром процессора RISC-V. Процессор построен на основе векторного ядра RISC-V с 32-битным FPU и ALU Scaler. Поддерживается планировщик потоков, механизм обрезки (Clipping Engine), растеризатор, блок обработки текстур, нейронный движок и пиксельный процессор. Чип предназначен для работы с приложениями, включая ИИ, HPC (высокопроизводительные вычисления), геометрические вычисления, а также поддержку 2D- и 3D-графики.
Теоретически способность гибридного чипа X-Silicon обрабатывать код CPU и GPU в одном ядре дает ему множество преимуществ. Чип использует открытый стандарт RISC-V ISA, выполняя один поток инструкций. Это позволяет обходиться меньшим объемом памяти и добиваться высокой эффективности, поскольку не требуется копирование данных между пространством памяти CPU и пространством памяти GPU.
Ядра CPU/GPU могут быть объединены в многоядерную конструкцию, что позволяет наращивать вычислительную мощность по мере необходимости. В многоядерном формате несколько ядер располагаются на одном чипе, их соединяет высокоскоростная структура. В такой конструкции реализованы быстрые встроенные кэши SRAM и eDRAM, служащие кэшем L2, который может агрегировать данные из нескольких ядер. При необходимости, каждое ядро можно задействовать для исполнения графических вычислений, ИИ, видео, физики, HPC или других рабочих нагрузок независимо от других ядер. (..)
(2) Благодаря такой конструкции архитектура C-GPU X-Silicon потенциально может выполнять любые типы рабочих нагрузок CPU/GPU. X-Silicon утверждает, что у нее уже есть графический API Vulkan, работающий с "объединенным ускорением GPU". Это должно помочь его внедрениям в устройства под Android.
Поскольку новый дизайн основан на RISC-V, любой может использовать эту архитектуру без необходимости платить роялти за набор инструкций - в отличие о x86 и ARM. Если все будет работать так, как задумано, такие чипы могут встряхнуть микропроцессорную индустрию. Используемые в настоящее время стандартные конструкции не столь гибки и функциональны, как то, что создали в X-Silicon. По крайней мере, в теории.
Будет ли все это работать на практике так же хорошо, как заявляется, пока что неизвестно. Скорее всего, это станет известно сравнительно быстро. Сообщается, что комплекты для разработки ПО под новый процессор будут переданы первым партнерам еще до конца 2024 года.
Поскольку новый дизайн основан на RISC-V, любой может использовать эту архитектуру без необходимости платить роялти за набор инструкций - в отличие о x86 и ARM. Если все будет работать так, как задумано, такие чипы могут встряхнуть микропроцессорную индустрию. Используемые в настоящее время стандартные конструкции не столь гибки и функциональны, как то, что создали в X-Silicon. По крайней мере, в теории.
Будет ли все это работать на практике так же хорошо, как заявляется, пока что неизвестно. Скорее всего, это станет известно сравнительно быстро. Сообщается, что комплекты для разработки ПО под новый процессор будут переданы первым партнерам еще до конца 2024 года.
VK
Новый микропроцессор RISC-V может одновременно выполнять рабочие нагрузки CPU, GPU и NPU
Впору задаться вопросом - такое вообще бывает? Похоже, что да. О новинке X-Silicon Inc. (XSi) рассказывает Tom'sHardware.com.
⚡8
🇷🇺 Российская электроника. Производство смартфонов, ноутбуков. Инициативы
Российские производители не готовы к конкуренции без запрета параллельного импорта?
Старые песни о главном от российских производителей - дайте денег и уберите конкурентов, вот тогда мы себя покажем... Такой ли бизнес мы хотим взрастить?
В качестве еще одного варианта прочтения той же инициативы - публикация Токсичной цифры.
Российские производители не готовы к конкуренции без запрета параллельного импорта?
Старые песни о главном от российских производителей - дайте денег и уберите конкурентов, вот тогда мы себя покажем... Такой ли бизнес мы хотим взрастить?
В качестве еще одного варианта прочтения той же инициативы - публикация Токсичной цифры.
👍8👎5🤨3
🔥 Регулирование. Мнения
Российской микроэлектронике нужен рынок сбыта в 400-450 млн человек
Об этом рассказал замглавы Минпромторга Василий Шпак, CNews готовит большое интервью с ним, а пока что выдал в качестве завлекаловки несколько ударных фраз.
Не подумайте, что речь идет о том, о чем вы, возможно, подумали, прочитав заголовок. Не о границах одного государства, которые подчас трудно понять, где пролягут. По крайней мере, не об этом шла речь в беседе с г-ном Шпаком.
Речь о "международной кооперации".
Китай предлагается считать "равным партнером", Индию - "потенциальной технологической зоной".
Хорошо, с планами понято - они есть.
А что же удалось сделать?
🔹 В области печатных плат по оценкам "Консорциума печатных плат" по итогам 2023 года в РФ отечественными производителями удовлетворяется порядка 10% спроса;
🔹 Планируется запустить в РФ собственное производство литографов. 350 нм - в 2024 году. Ура.
На 2030-й год можно планировать смелее - может быть освоена топология 14нм.
Российской микроэлектронике нужен рынок сбыта в 400-450 млн человек
Об этом рассказал замглавы Минпромторга Василий Шпак, CNews готовит большое интервью с ним, а пока что выдал в качестве завлекаловки несколько ударных фраз.
Не подумайте, что речь идет о том, о чем вы, возможно, подумали, прочитав заголовок. Не о границах одного государства, которые подчас трудно понять, где пролягут. По крайней мере, не об этом шла речь в беседе с г-ном Шпаком.
Речь о "международной кооперации".
«Должна быть своя технологическая, экономическая, валютная, политическая зона. Здесь нужна международная кооперация. Мы сейчас этим занимаемся. Интерес обоюдный. Страны ЕАЭС, Узбекистан, в нашей зоне точно окажется Иран, с высокой долей вероятности и Турция. Это и арабские страны: Объединенные Арабские Эмираты, Саудовская Аравия, Сирия, Ливан, Египет. И всё вместе это как раз около 450 млн человек. Так что с кем работать, нам понятно», — объяснил Василий Шпак.
Китай предлагается считать "равным партнером", Индию - "потенциальной технологической зоной".
Хорошо, с планами понято - они есть.
А что же удалось сделать?
🔹 В области печатных плат по оценкам "Консорциума печатных плат" по итогам 2023 года в РФ отечественными производителями удовлетворяется порядка 10% спроса;
🔹 Планируется запустить в РФ собственное производство литографов. 350 нм - в 2024 году. Ура.
На 2030-й год можно планировать смелее - может быть освоена топология 14нм.
CNews.ru
Минпромторг: Российской микроэлектронике нужен рынок сбыта в 400–450 млн человек. Какие страны в него могут войти - CNews
Для развития российской микроэлектроники, по оценкам Минпромторга, требуется рынок сбыта в 400–450 млн человек....
❤1👍1
В продолжение темы предложений запретить параллельный импорт смартфонов и ноутбуков. Давайте оценим степень единства мнений по теме степени протекционизма и господдержки
Anonymous Poll
17%
К черту параллельный импорт. Проживем без Samsung-а и китайских смарфтонов.
83%
Ребята, учитесь работать без костылей и тепличных условий, будете здоровее и дольше проживете
👎8👍1👌1👀1
🇷🇺 Российская микроэлектроника. Участники рынка. Номинации
Сегодня и в ближайшие дни можно голосовать за номинантов премии #ExpoElectronica2024
А заодно, возможно, узнать что-то новое о том, что выпускают российские участники рынка.
Номинация "Электронные компоненты"
🔹 НИИЭТ (АО НИИЭТ) - мощные линейные LDMOS транзисторы КП9171А и КП9171БС
🔹 Радиокомп (ООО Радиокомп) - генератор СВЧ сигнала с частотой 5250 МГц, на основе дискового диэлектрического резонатора, с использованием биполярного транзистора в качестве активного элемента
🔹 Микроволновые системы (АО Микроволновые системы) - серийный выпуск и поставки сверхширокополосных усилителей (СШПУ) в монолитно-интегральном исполнении, работающих диапазоне частот от 2 ГГц до 20 ГГц.
Номинация Микроэлектроника
🔹 НИИЭТ - 32-разрядный микроконтроллер К1921ВГ015; подтвержденный спрос с общей ориентировочной годовой потребностью более 5,5 млн. шт., на 2,7 млрд. руб.
🔹 Лазеры и аппаратура - МЛП1-Дайсер предназначен для решения задач прецизионной микрообработки разделения пластин, а также обработки деталей и подложек (керамика, кремний, кварц, стекло, полимеры, алмазы, сапфир, кристаллы, органические, легкоплавкие и труднообрабатываемые материалы), полимерных пленок, печатных плат и полупроводниковых материалов для изделий электронной техники, в частности, СВЧ-электроники, в том числе для разделения полупроводниковых пластин из Si, SiC и сапфира на чипы с нанесенными эпитаксиальными слоями.
Номинация - Технологии и средства производства микроэлектроники
🔹 ВНИИФТРИ - Осциллографы цифровые универсальные серий С8-3100, С8-3050 и С8-3035 с пробниками дифференцированными активными ПДА-1000.
🔹 Лазерный центр - МикроСЕТ 2.0. высокопроизводительная прецизионная микрообработка изделий из различных материалов, применяемых для создания и прототипирования электронной и СВЧ техники. Применяется для создания топологий методом прямой деметаллизации без масок, контурной вырезки диэлектрических подложек и п/п пластин.
🔹 МИГ Трейдинг - Генератор СВЧ сигналов MBG100 - современный отечественный образец контрольно-измерительного оборудования в области СВЧ измерений.
🔹 Совтест АТЕ - Стенды электротермотренировки FTT-17 для испытаний интегральных микросхем (ИМС).
🔹 Савтэк - Установка вакуумной пайки SAVTECH R для герметизации металлокерамических корпусов всех типов методом пайки в вакууме, монтажа кристаллов на припои и пасты в гибридных микросборках, в изделиях силовой электроники, светодиодов, МЭМС.
Голосуй сердцем!
Сегодня и в ближайшие дни можно голосовать за номинантов премии #ExpoElectronica2024
А заодно, возможно, узнать что-то новое о том, что выпускают российские участники рынка.
Номинация "Электронные компоненты"
🔹 НИИЭТ (АО НИИЭТ) - мощные линейные LDMOS транзисторы КП9171А и КП9171БС
🔹 Радиокомп (ООО Радиокомп) - генератор СВЧ сигнала с частотой 5250 МГц, на основе дискового диэлектрического резонатора, с использованием биполярного транзистора в качестве активного элемента
🔹 Микроволновые системы (АО Микроволновые системы) - серийный выпуск и поставки сверхширокополосных усилителей (СШПУ) в монолитно-интегральном исполнении, работающих диапазоне частот от 2 ГГц до 20 ГГц.
Номинация Микроэлектроника
🔹 НИИЭТ - 32-разрядный микроконтроллер К1921ВГ015; подтвержденный спрос с общей ориентировочной годовой потребностью более 5,5 млн. шт., на 2,7 млрд. руб.
🔹 Лазеры и аппаратура - МЛП1-Дайсер предназначен для решения задач прецизионной микрообработки разделения пластин, а также обработки деталей и подложек (керамика, кремний, кварц, стекло, полимеры, алмазы, сапфир, кристаллы, органические, легкоплавкие и труднообрабатываемые материалы), полимерных пленок, печатных плат и полупроводниковых материалов для изделий электронной техники, в частности, СВЧ-электроники, в том числе для разделения полупроводниковых пластин из Si, SiC и сапфира на чипы с нанесенными эпитаксиальными слоями.
Номинация - Технологии и средства производства микроэлектроники
🔹 ВНИИФТРИ - Осциллографы цифровые универсальные серий С8-3100, С8-3050 и С8-3035 с пробниками дифференцированными активными ПДА-1000.
🔹 Лазерный центр - МикроСЕТ 2.0. высокопроизводительная прецизионная микрообработка изделий из различных материалов, применяемых для создания и прототипирования электронной и СВЧ техники. Применяется для создания топологий методом прямой деметаллизации без масок, контурной вырезки диэлектрических подложек и п/п пластин.
🔹 МИГ Трейдинг - Генератор СВЧ сигналов MBG100 - современный отечественный образец контрольно-измерительного оборудования в области СВЧ измерений.
🔹 Совтест АТЕ - Стенды электротермотренировки FTT-17 для испытаний интегральных микросхем (ИМС).
🔹 Савтэк - Установка вакуумной пайки SAVTECH R для герметизации металлокерамических корпусов всех типов методом пайки в вакууме, монтажа кристаллов на припои и пасты в гибридных микросборках, в изделиях силовой электроники, светодиодов, МЭМС.
Голосуй сердцем!
👍3
(2) Несколько картинок с продуктами номинантов - для атмосферности. Хорошая иллюстрация, что можно делать в России. Жаль, что пока в числе номинацией нет пресловутых литографов. Но, может быть, еще дождемся. Источник всех фото - сайт #ExpoElectronica2024
👍10👏1🤔1
🇺🇸 Господдержка проектов иностранных инвесторов
TSMC получила обещания США на субсидирование в объеме $6,6 млрд
Так правительство США обещает поддержать стройку TSMC производств в Фениксе, Аризоне. Об этом сообщает Reuters.
Тайваньской компании обещаны недорогие госзаймы на $6.6 млрд в качестве поддержки ее проекта по развертыванию в Аризоне 2-х фабрик к 2030 году. В свою очередь тайваньцы готовы вложить в проект еще на $25 млрд больше - до $65 млрд, сообщает Минторг США. Как ожидается, на втором фабе будет производиться передовая продукция, с использованием техпроцессов, которые принято называть 2-х нанометровыми. Производство на этом фабе, как ожидается, начнется в 2028 году.
"Это чипы, которые лежат в основе всего ИИ, это чипы, которые необходимы для технологий, необходимых для различных отраслей экономики и, будем честны, это основа военной и национальной безопасности в 21-м веке", - комментирует решение Джина Раймондо из Минторга США. Производство на первой фабрике TSMC в Аризоне планируется начать в 1H2025.
С объемом более $65 млрд это будут крупнейшие прямые зарубежные инвестиции в проект в США. Это больше, чем правительство США планирует потратить на стимулирование увеличения внутренней разработки и производства полупроводников в рамках Закона о чипах и науке (с его планами субсидий на общую сумму в $52,7 млрд).
TSMC Arizona также будет поддерживать развитие передовых технологий упаковки / корпусирования с участием партнеров в США, что позволит клиентам покупать передовые микросхемы, целиком произведенные в США. В Минторге заявили, что 70% клиентов TSMC это американские компании (справедливости ради, следует упомянуть, что этот уровень получился после отлучения ряда китайских производителей от контрактного производства TSMC).
Как ожидается, этот проект создаст 6 тысяч рабочих мест на производстве и 20 тысяч - в строительстве. Кроме того, это вызовет приток в США 14 прямых поставщиков TSMC, поскольку они уже планируют расширить свое присутствие в США, в том числе, построить новые фабрики. По данным американского ведомства, после выхода на полную мощность, заводы TSMC в Аризоне будут производить десятки миллионов передовых чипов для смартфонов 5G/6G, автономных транспортных средств, серверов ЦОД и систем ИИ.
Продукция этих фабов TSMC в Аризоне востребована прежде всего такими гигантами американской промышленности, как Apple, NVidia, AMD, Qualcomm.
Поскольку в США невозможно строить производства без соблюдения сложных и многообразных экологических требований, TSMC отдельно заявляет, что ее фабы в Аризоне будут стремиться достичь уровня рециркуляции воды до 90%, что минимизирует сбросы загрязненной жидкости.
Это очередной грант Минторга после гранта на $8.5 млрд и кредита на $11 млрд для Intel. Теперь уже нельзя будет отказать корейцам из Samsung Electronics, которые также ожидают поддержки своих инвестиционных проектов в микроэлектронику США. Скорее всего о выделенной для этой компании сумме объявят на следующей неделе.
Как видим, в США наконец ускорился процесс распределения средств господдержки, выделенных в рамках Закона о науке и чипах. В теории это должно подстегнуть процессы строительства новых предприятий и попыток США нарастить внутреннее производство чипов. Дадут ли многомиллиардные вливания, общая сумма которых превысит $100 млрд, какой-то зримый эффект в виде росте доли США на мировом рынке микроэлектроники?
Возможно, но не обязательно. Оптимизм может смениться разочарованием, "бытовые трудности" развития бизнеса в США могут сделать даже столь мощные попытки неэффективными.
А пока что за США можно порадоваться - у этой страны есть союзники, готовые за свой счет построить в США с десяток новых фабрик, инвестировать в экономику США более сотни миллиардов долларов. Почему-то в США не слышно возражений от местных производителей, прежде всего от Intel, что приход в страну TSMC и Samsung Electronics оставит их без заказов или без шансов на победу в конкурентной борьбе. Не опасаются здесь, похоже, и утечки мозгов или американских технологий в Японию или в Корею.
TSMC получила обещания США на субсидирование в объеме $6,6 млрд
Так правительство США обещает поддержать стройку TSMC производств в Фениксе, Аризоне. Об этом сообщает Reuters.
Тайваньской компании обещаны недорогие госзаймы на $6.6 млрд в качестве поддержки ее проекта по развертыванию в Аризоне 2-х фабрик к 2030 году. В свою очередь тайваньцы готовы вложить в проект еще на $25 млрд больше - до $65 млрд, сообщает Минторг США. Как ожидается, на втором фабе будет производиться передовая продукция, с использованием техпроцессов, которые принято называть 2-х нанометровыми. Производство на этом фабе, как ожидается, начнется в 2028 году.
"Это чипы, которые лежат в основе всего ИИ, это чипы, которые необходимы для технологий, необходимых для различных отраслей экономики и, будем честны, это основа военной и национальной безопасности в 21-м веке", - комментирует решение Джина Раймондо из Минторга США. Производство на первой фабрике TSMC в Аризоне планируется начать в 1H2025.
С объемом более $65 млрд это будут крупнейшие прямые зарубежные инвестиции в проект в США. Это больше, чем правительство США планирует потратить на стимулирование увеличения внутренней разработки и производства полупроводников в рамках Закона о чипах и науке (с его планами субсидий на общую сумму в $52,7 млрд).
TSMC Arizona также будет поддерживать развитие передовых технологий упаковки / корпусирования с участием партнеров в США, что позволит клиентам покупать передовые микросхемы, целиком произведенные в США. В Минторге заявили, что 70% клиентов TSMC это американские компании (справедливости ради, следует упомянуть, что этот уровень получился после отлучения ряда китайских производителей от контрактного производства TSMC).
Как ожидается, этот проект создаст 6 тысяч рабочих мест на производстве и 20 тысяч - в строительстве. Кроме того, это вызовет приток в США 14 прямых поставщиков TSMC, поскольку они уже планируют расширить свое присутствие в США, в том числе, построить новые фабрики. По данным американского ведомства, после выхода на полную мощность, заводы TSMC в Аризоне будут производить десятки миллионов передовых чипов для смартфонов 5G/6G, автономных транспортных средств, серверов ЦОД и систем ИИ.
Продукция этих фабов TSMC в Аризоне востребована прежде всего такими гигантами американской промышленности, как Apple, NVidia, AMD, Qualcomm.
Поскольку в США невозможно строить производства без соблюдения сложных и многообразных экологических требований, TSMC отдельно заявляет, что ее фабы в Аризоне будут стремиться достичь уровня рециркуляции воды до 90%, что минимизирует сбросы загрязненной жидкости.
Это очередной грант Минторга после гранта на $8.5 млрд и кредита на $11 млрд для Intel. Теперь уже нельзя будет отказать корейцам из Samsung Electronics, которые также ожидают поддержки своих инвестиционных проектов в микроэлектронику США. Скорее всего о выделенной для этой компании сумме объявят на следующей неделе.
Как видим, в США наконец ускорился процесс распределения средств господдержки, выделенных в рамках Закона о науке и чипах. В теории это должно подстегнуть процессы строительства новых предприятий и попыток США нарастить внутреннее производство чипов. Дадут ли многомиллиардные вливания, общая сумма которых превысит $100 млрд, какой-то зримый эффект в виде росте доли США на мировом рынке микроэлектроники?
Возможно, но не обязательно. Оптимизм может смениться разочарованием, "бытовые трудности" развития бизнеса в США могут сделать даже столь мощные попытки неэффективными.
А пока что за США можно порадоваться - у этой страны есть союзники, готовые за свой счет построить в США с десяток новых фабрик, инвестировать в экономику США более сотни миллиардов долларов. Почему-то в США не слышно возражений от местных производителей, прежде всего от Intel, что приход в страну TSMC и Samsung Electronics оставит их без заказов или без шансов на победу в конкурентной борьбе. Не опасаются здесь, похоже, и утечки мозгов или американских технологий в Японию или в Корею.
Reuters
TSMC wins $6.6 bln US subsidy for Arizona chip production
The U.S. Commerce Department said on Monday it would award Taiwan Semiconductor Manufacturing Co's (TSMC) U.S. unit a $6.6 billion subsidy for advanced semiconductor production in Phoenix, Arizona and up to $5 billion in low-cost government loans.
👍3👎2❤1
(2) UPD: В США планируют выделить TSMC $6 млрд в виде грантов и еще $5 млрд в виде займов для того, чтобы компания с Тайваня реализовала свои крупные проекты строительства фабрик с поддержкой топовых техпроцессов производства микросхем в Аризоне. Об этом рассказал Bloomberg. Ожидается, что проект также получит налоговую льготу на инвестиции.
Схема аналогична той, что будет использована на поддержку Intel - грантов на $8.5 млрд и кредитов на $11 млрд,
Итого у TSMC будет 3 фабрики в Аризоне. Срок запуска первой сдвинулся на 2025 год после долгого конфликта с американскими профсоюзами, срок запуска второго фаба (3нм) уже перенесен с 2026-го на 2028 год, третий, в Финиксе, попробуют запустить до конца 2030 года. Ожидается что он предоставит возможность доступа к технологиям 2нм.
Денег еще придется подождать, по американским правилам компании придется пройти "комплексную проверку". Затем деньги будут выделяться в зависимости от темпов строительства и дат запуска производства. США могут потребовать их возврата, если TSMC не выполнит свою часть сделки.
Можно ожидать, что если этим проектам суждено быть реализованными, важность Тайваня для США и для всего мира заметно снизится.
Схема аналогична той, что будет использована на поддержку Intel - грантов на $8.5 млрд и кредитов на $11 млрд,
Итого у TSMC будет 3 фабрики в Аризоне. Срок запуска первой сдвинулся на 2025 год после долгого конфликта с американскими профсоюзами, срок запуска второго фаба (3нм) уже перенесен с 2026-го на 2028 год, третий, в Финиксе, попробуют запустить до конца 2030 года. Ожидается что он предоставит возможность доступа к технологиям 2нм.
Денег еще придется подождать, по американским правилам компании придется пройти "комплексную проверку". Затем деньги будут выделяться в зависимости от темпов строительства и дат запуска производства. США могут потребовать их возврата, если TSMC не выполнит свою часть сделки.
Можно ожидать, что если этим проектам суждено быть реализованными, важность Тайваня для США и для всего мира заметно снизится.
👎3❤1👍1
🔥 Интервью
А вот и заявленное вчера большое интервью с Василием Шпаком вышло на CNews.ru . Стоит, конечно, почитать целиком. Ниже - отдельные тезисы, которые привлекли меня. В двойных скобках вырвавшиеся у меня комменты.
🔹 Интервью было по согласованному списку вопросов, согласовать удалось только половину того, о чем журналисты хотели спросить ((секреты)).
🔹 Технологическая независимость в области электроники нужна государствам, которые хотят транслировать гражданам и вовне свою политику
🔹 В ближайшие 15-30 лет ИИ не сможет решить всех тех задач, которые сможет решить только человек. ИИ лишь оптимизирует процесс. ИИ не создает нового. (На мой взгляд, - ошибка).
🔹 Полным стеком технологий в области микроэлектроники не обладает ни одна страна мира. И в ближайшие 10 лет такого не будет, чтобы все у какой-то страны было. В 1979 году в микроэлектронике отставание было не более, чем на 1 поколение от США, было лидерство в СВЧ-электронике, в вакуумной технике.
🔹 В ЕС и США инфляция, с экономическим и промышленным ростом все не очень. Возможностей для того, чтобы масштабно инвестировать в микроэлектронику у США нет, а бизнес вкладывать не будет, т.к. будущее туманно.
🔹 Нам нужен рынок около 450 млн человек. Нужна международная кооперация - Страны ЕАЭС, Узбекистан, в нашей зоне точно окажется Иран, с высокой долей вероятности и Турция. Это и арабские страны: Объединенные Арабские Эмираты, Саудовская Аравия, Сирия, Ливан, Египет. ((Не передовые в области технологий микроэлектроники / электроники страны)). С Китаем нужны равнозначные / равносторонние отношения.
🔹 Нужно заниматься НИОКРами, разработкой материалов, химии, электронных машин, конечных изделий, микросхем и т.п. Нужны люди, способные все это делать - это основа. Этим занимаемся - планируем разработку >100 видов оборудования, более 250 типов материалов, более 350 хим. веществ ((используется в микроэлектронике около 1000). Запущено 40 проектов по оборудованию, 39 - в области материалов и хим веществ. Средства производства - фундамент, нужно электронное машиностроение - шагаем туда. Отбить гигантские вложения позволит только рынок упомянутого выше размера. Отсюда = необходимость международной кооперации с перечисленными странами, внедрений производимого.
🔹 Экспорт из РФ "достаточно серьезный", больше всего - в Китай.
🔹 Странный пассаж о технологическом маршруте производства микросхем на алюминиевых пластинах 200 мм до 180 мм. ((Наверное речь о металлизированных пластинах)).
К 2030 году 70% мы должны сделать своего.
🔹 К 2030 году до 3нм, 2нм не добежим. Но если есть оборудование 28 нм, то получится сделать и 14 нм. На этой технологии вполне возможно сделать нормальный вычислитель для нейросетей ((ой-ой, а что будет с энергопотреблением?? на толстых техпроцессах оно выше, чем на тонких))
🔹 Кремниевые слитки (кристаллы). Две ОКР планируются на 2024 год:
1) разработка технологий изготовление и организация производства слитков и полированных пластин нейтронно-трансмутационно легированного монокристаллического кремния диаметром 150 мм для силовых электронных компонентов (тиристоры, биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT), быстровосстанавливающиеся диоды FRD различных классов для использования в железнодорожном и автомобильном электротранспорте, зарядной инфраструктуре, изделиях электронной компонентной базы).
2) создание технологии получения и организации производства особо чистых кремнийсодержащих материалов из технического трихлорсилана, в том числе слитков кремния поликристаллического особо чистого и слитков кремния монокристаллического.
В Калининграде производятся слитки и пластины для фотовольтаики. Компания думает в сторону производства монокристаллов и кремниевых пластин.
А вот и заявленное вчера большое интервью с Василием Шпаком вышло на CNews.ru . Стоит, конечно, почитать целиком. Ниже - отдельные тезисы, которые привлекли меня. В двойных скобках вырвавшиеся у меня комменты.
🔹 Интервью было по согласованному списку вопросов, согласовать удалось только половину того, о чем журналисты хотели спросить ((секреты)).
🔹 Технологическая независимость в области электроники нужна государствам, которые хотят транслировать гражданам и вовне свою политику
🔹 В ближайшие 15-30 лет ИИ не сможет решить всех тех задач, которые сможет решить только человек. ИИ лишь оптимизирует процесс. ИИ не создает нового. (На мой взгляд, - ошибка).
🔹 Полным стеком технологий в области микроэлектроники не обладает ни одна страна мира. И в ближайшие 10 лет такого не будет, чтобы все у какой-то страны было. В 1979 году в микроэлектронике отставание было не более, чем на 1 поколение от США, было лидерство в СВЧ-электронике, в вакуумной технике.
🔹 В ЕС и США инфляция, с экономическим и промышленным ростом все не очень. Возможностей для того, чтобы масштабно инвестировать в микроэлектронику у США нет, а бизнес вкладывать не будет, т.к. будущее туманно.
🔹 Нам нужен рынок около 450 млн человек. Нужна международная кооперация - Страны ЕАЭС, Узбекистан, в нашей зоне точно окажется Иран, с высокой долей вероятности и Турция. Это и арабские страны: Объединенные Арабские Эмираты, Саудовская Аравия, Сирия, Ливан, Египет. ((Не передовые в области технологий микроэлектроники / электроники страны)). С Китаем нужны равнозначные / равносторонние отношения.
🔹 Нужно заниматься НИОКРами, разработкой материалов, химии, электронных машин, конечных изделий, микросхем и т.п. Нужны люди, способные все это делать - это основа. Этим занимаемся - планируем разработку >100 видов оборудования, более 250 типов материалов, более 350 хим. веществ ((используется в микроэлектронике около 1000). Запущено 40 проектов по оборудованию, 39 - в области материалов и хим веществ. Средства производства - фундамент, нужно электронное машиностроение - шагаем туда. Отбить гигантские вложения позволит только рынок упомянутого выше размера. Отсюда = необходимость международной кооперации с перечисленными странами, внедрений производимого.
🔹 Экспорт из РФ "достаточно серьезный", больше всего - в Китай.
🔹 Странный пассаж о технологическом маршруте производства микросхем на алюминиевых пластинах 200 мм до 180 мм. ((Наверное речь о металлизированных пластинах)).
К 2030 году 70% мы должны сделать своего.
🔹 К 2030 году до 3нм, 2нм не добежим. Но если есть оборудование 28 нм, то получится сделать и 14 нм. На этой технологии вполне возможно сделать нормальный вычислитель для нейросетей ((ой-ой, а что будет с энергопотреблением?? на толстых техпроцессах оно выше, чем на тонких))
🔹 Кремниевые слитки (кристаллы). Две ОКР планируются на 2024 год:
1) разработка технологий изготовление и организация производства слитков и полированных пластин нейтронно-трансмутационно легированного монокристаллического кремния диаметром 150 мм для силовых электронных компонентов (тиристоры, биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT), быстровосстанавливающиеся диоды FRD различных классов для использования в железнодорожном и автомобильном электротранспорте, зарядной инфраструктуре, изделиях электронной компонентной базы).
2) создание технологии получения и организации производства особо чистых кремнийсодержащих материалов из технического трихлорсилана, в том числе слитков кремния поликристаллического особо чистого и слитков кремния монокристаллического.
В Калининграде производятся слитки и пластины для фотовольтаики. Компания думает в сторону производства монокристаллов и кремниевых пластин.
❤5👍5🔥1
(2) 🔹 По критическим материалам на 70% собственного должны выйти к 2030 году. Приоритезация - заменить то, что закупали на "Западе". Сами уже производим высокочистые неон, криптон, ксенон, пластины арсенида галлия VGF ((не густо пока)). Уже организуются проекты по организации производства 100+ материалов. Серийно к концу года будет порядка 10 материалов ((а надо всего около 1000)). В 2025 году в серию выйдет еще порядка 60 материалов. Проблема в том, что российская микроэлектроника не потребляет много материалов (по объему), что делает российскую продукцию дорогой ((нет эффекта экономии на масштабе)).
🔹 Упомянуто о сотрудничестве с Интегралом - стараемся не дублировать его продукцию, лучше размещать заказы у них. Есть совместная программа по электронному машиностроению ((это наверное про Планар)). Готовность фотолитографа 350 нм - в 2024 году, 130 нм - к концу 2026 года, запущена разработка электронно-лучевого литографа (востребован для СВЧ).
Возможно есть партнеры и проекты в других странах, но это секрет.
🔹 Выстроена система меро поддержки - субсидии, прежде всего, немало уже проинвестровано, более 450 проектов по ПП 109, 156 млрд руб. Ожидаем выручку 580 млрд от этих инвестиций, как минимум.
В разработке компонентов - 122 проекта, вложено субсидий - 118 млрд руб, плановая реализация - не менее 95 млрд руб., 3 года этой программе поддержки.
🔹 Отдельные предприятия растут в двузначных цифрах.
🔹 У нас некуда вложить суммы, которые вкладывают в НИОКР в США. Но эта возможность растет, к 2026-2027 году выйдем на активную кооперацию с другими странами.
🔹 Если нас отключат от международного сообщества RISC-V, сможем продолжить работу - у нас есть десятки компаний, кто этим занимается.
🔹 Пост-реестровые проверки внедрим в 2024 году.
🔹 Сейчас приходится конкурировать с китайскими решениями. Это "более, чем решаемая задача".
🔹 Все и так маркируется, а значит можно наладить централизованную систему прослеживаемости через маркировку составных частей и конечных изделий. Это поможет и в контроле российскости / нероссийскости. В целом пригодится для принятия обоснованных управленческих решений. Плюс вырастет оперативность в отслеживании ситуации. Пока это эксперимент - до апреля 2025, в нем участвует 458 участников рынка.
🔹 Хотелось бы освоить получение из лома электронной продукции РЗМ, работает над этим много коллег сейчас. Маркировка - ключевой элемент и для этого.
🔹 Кадровая проблема есть. Инженер это прежде всего про математику и физику, а не про информатику.
🔹 Доля финансовых организаций в прибыли сейчас 80% и будет стремительно возвращаться к 5%.
🔹 Средняя зарплата разработчика в электроники - от 100 тыр. (не только в Москве). Условный начальник отдела - от 200, руководитель разработки следующего уровня - от 300 тыр. "Нет других цен".
Дефицит людей колоссальный и будет расти.
🔹 Технологические полигоны - это места кооперации ученых, инженеров. технологов и студентов. Пилот - ЗНТЦ + Планар + МИЭТ + Протон. На первом этапе здесь займутся степперами и электронно-лучевыми литографами, оборудованием контроля дефектности и комплексами для производства фотошаблонов для технологий уровня 90 нм. Литограф - не исчерпывает тему оборудования, нужно собрать всю линейку линии, на ней уже учиться - российское оборудование, материалы, химия. Это 2025 года задача. Первый промышленный образец литографа 350 нм появится в 2024 году с возможностью коммерческого заказа. К нему создается плазмохимический кластер и т.п. К 2026 году будет создан литограф 130 нм. Лазеры к нему создаются в РФ, В 2024 году запустим работу, которая позволит дойти до 90-65 нм. Полигоны будут и другие.
🔹 Идет работа над отечественным ПО для проектирования микросхем. Также поддержан субсидиями проект по САПР для корпусирования цифровых схем. Часть решений будет на базе открытого кода. Кое-что будет готово еще в 2024 году.
🔥 Появятся "неубиваемые телефоны", которые годами и десятилетиями будут с вами, как паспорт, у них будет только ПО меняться. ((Ой-ой-ой..))
Титанический труд CNews - моя признательность, отличная работа! 🥇 👍
🔹 Упомянуто о сотрудничестве с Интегралом - стараемся не дублировать его продукцию, лучше размещать заказы у них. Есть совместная программа по электронному машиностроению ((это наверное про Планар)). Готовность фотолитографа 350 нм - в 2024 году, 130 нм - к концу 2026 года, запущена разработка электронно-лучевого литографа (востребован для СВЧ).
Возможно есть партнеры и проекты в других странах, но это секрет.
🔹 Выстроена система меро поддержки - субсидии, прежде всего, немало уже проинвестровано, более 450 проектов по ПП 109, 156 млрд руб. Ожидаем выручку 580 млрд от этих инвестиций, как минимум.
В разработке компонентов - 122 проекта, вложено субсидий - 118 млрд руб, плановая реализация - не менее 95 млрд руб., 3 года этой программе поддержки.
🔹 Отдельные предприятия растут в двузначных цифрах.
🔹 У нас некуда вложить суммы, которые вкладывают в НИОКР в США. Но эта возможность растет, к 2026-2027 году выйдем на активную кооперацию с другими странами.
🔹 Если нас отключат от международного сообщества RISC-V, сможем продолжить работу - у нас есть десятки компаний, кто этим занимается.
🔹 Пост-реестровые проверки внедрим в 2024 году.
🔹 Сейчас приходится конкурировать с китайскими решениями. Это "более, чем решаемая задача".
🔹 Все и так маркируется, а значит можно наладить централизованную систему прослеживаемости через маркировку составных частей и конечных изделий. Это поможет и в контроле российскости / нероссийскости. В целом пригодится для принятия обоснованных управленческих решений. Плюс вырастет оперативность в отслеживании ситуации. Пока это эксперимент - до апреля 2025, в нем участвует 458 участников рынка.
🔹 Хотелось бы освоить получение из лома электронной продукции РЗМ, работает над этим много коллег сейчас. Маркировка - ключевой элемент и для этого.
🔹 Кадровая проблема есть. Инженер это прежде всего про математику и физику, а не про информатику.
🔹 Доля финансовых организаций в прибыли сейчас 80% и будет стремительно возвращаться к 5%.
🔹 Средняя зарплата разработчика в электроники - от 100 тыр. (не только в Москве). Условный начальник отдела - от 200, руководитель разработки следующего уровня - от 300 тыр. "Нет других цен".
Дефицит людей колоссальный и будет расти.
🔹 Технологические полигоны - это места кооперации ученых, инженеров. технологов и студентов. Пилот - ЗНТЦ + Планар + МИЭТ + Протон. На первом этапе здесь займутся степперами и электронно-лучевыми литографами, оборудованием контроля дефектности и комплексами для производства фотошаблонов для технологий уровня 90 нм. Литограф - не исчерпывает тему оборудования, нужно собрать всю линейку линии, на ней уже учиться - российское оборудование, материалы, химия. Это 2025 года задача. Первый промышленный образец литографа 350 нм появится в 2024 году с возможностью коммерческого заказа. К нему создается плазмохимический кластер и т.п. К 2026 году будет создан литограф 130 нм. Лазеры к нему создаются в РФ, В 2024 году запустим работу, которая позволит дойти до 90-65 нм. Полигоны будут и другие.
🔹 Идет работа над отечественным ПО для проектирования микросхем. Также поддержан субсидиями проект по САПР для корпусирования цифровых схем. Часть решений будет на базе открытого кода. Кое-что будет готово еще в 2024 году.
🔥 Появятся "неубиваемые телефоны", которые годами и десятилетиями будут с вами, как паспорт, у них будет только ПО меняться. ((Ой-ой-ой..))
Титанический труд CNews - моя признательность, отличная работа! 🥇 👍
CNews.ru
Замглавы Минпромторга Василий Шпак в интервью CNews: Таких темпов роста нашей электронной отрасли не было никогда - CNews
Санкции положили конец эпохе глобального рынка. Это сильно поменяет отрасль электроники, требующей международного сотрудничества и обширных рынков сбыта. Какое место в новом мироустройстве найдет для...
👍12❤2⚡1🤣1