🇷🇺 Выставки. Участники. Россия
Приближается ноябрь а с ним и встреча «Электроника России 2025»
Точные даты выставки-форума – 25-27 ноября. Среди участников выставки – разработчики, интеграторы, заказчики, представители госорганов, отвечающих за индустриальную политику. Будут показаны готовые решения, но и не только, планируется поговоррить о том, каким будет российский рынок электроники в ближайшие годы.
Среди уже объявленных новинок, которые будут представлены на выставке:
🔸 источники питания от компании «Инфостера», рассчитанные на широкий диапазон мощностей;
🔸 варисторы нового поколения от АО «Хакель», запущенные в производство по полному технологическому циклу в России;
🔸 новая серия установок для термической обработки и диффузии примесей от «САВТЭК», в частности, однотрубная горизонтальная печь для процесса высокотемпературного отжига при атмосферном давлении FALCON 100;
🔸 модульная промышленная мебель и антистатические рабочие места от «Гефесд»;
🔸 контроллер для беспилотных летательных аппаратов РК-743 от компании «Радиокомп», совместимый с платформами Betaflight и Ardupilot, что позволяет адаптировать его под разные задачи: от обучения до профессиональных применений;
🔸 российские SOM-модули DIASOM на базе ARM Cortex, предназначенные для применения в условиях вибраций и экстремальных температур, и отладочные платы для них;
🔸 новые транзисторные сборки, серия транзисторов Дарлингтона в металлостеклянных корпусах, обновленные силовые мосты от ФЗМТ;
🔸 навигационные и телеком-модули от Ижевского радиозавода;
🔸 испытательные стенды и измерительные системы от «ИЦ АСК» и «Тестприбор».
Многие из решений ориентированы на повышение технологической независимости, локализацию производства и обеспечение российских АСУ ТП отечественной компонентной базой. Новинки демонстрируют рост компетенций отечественных предприятий – от силовой электроники до приборостроения и радиоэлектронных систем.
@RUSmicro
Приближается ноябрь а с ним и встреча «Электроника России 2025»
Точные даты выставки-форума – 25-27 ноября. Среди участников выставки – разработчики, интеграторы, заказчики, представители госорганов, отвечающих за индустриальную политику. Будут показаны готовые решения, но и не только, планируется поговоррить о том, каким будет российский рынок электроники в ближайшие годы.
Среди уже объявленных новинок, которые будут представлены на выставке:
🔸 источники питания от компании «Инфостера», рассчитанные на широкий диапазон мощностей;
🔸 варисторы нового поколения от АО «Хакель», запущенные в производство по полному технологическому циклу в России;
🔸 новая серия установок для термической обработки и диффузии примесей от «САВТЭК», в частности, однотрубная горизонтальная печь для процесса высокотемпературного отжига при атмосферном давлении FALCON 100;
🔸 модульная промышленная мебель и антистатические рабочие места от «Гефесд»;
🔸 контроллер для беспилотных летательных аппаратов РК-743 от компании «Радиокомп», совместимый с платформами Betaflight и Ardupilot, что позволяет адаптировать его под разные задачи: от обучения до профессиональных применений;
🔸 российские SOM-модули DIASOM на базе ARM Cortex, предназначенные для применения в условиях вибраций и экстремальных температур, и отладочные платы для них;
🔸 новые транзисторные сборки, серия транзисторов Дарлингтона в металлостеклянных корпусах, обновленные силовые мосты от ФЗМТ;
🔸 навигационные и телеком-модули от Ижевского радиозавода;
🔸 испытательные стенды и измерительные системы от «ИЦ АСК» и «Тестприбор».
Многие из решений ориентированы на повышение технологической независимости, локализацию производства и обеспечение российских АСУ ТП отечественной компонентной базой. Новинки демонстрируют рост компетенций отечественных предприятий – от силовой электроники до приборостроения и радиоэлектронных систем.
«Электроника России – это не просто витрина достижений. Это рабочая площадка, где отрасль видит себя в зеркале: какие технологии уже освоены, какие направления требуют внимания, где необходимы инвестиции и кооперация. Для многих компаний участие в выставке становится не итогом, а началом новых проектов, совместных разработок и производственных цепочек. Мы видим, как каждый год экспозиция все больше отражает реальный промышленный потенциал страны», – отметила директор международной выставки-форума Электроника России Евгения Чаплыгина.
@RUSmicro
👍8❤5✍3
🇳🇱 Производители оборудования. Крупнейшие участники рынка. Нидерланды
В ASML готовится оседлать волну мегасделок в сфере ИИ
В ASML ожидают, что многомиллиардные сделки между компаниями, работающими в сфере ИИ и производителями компьютерных чипов укрепят позиции ведущего вендора производственного оборудования для выпуска чипов ИИ – компании ASML. Об этом пишут Reuters.
Еще в июле 2025 года ASML заявляла, что не уверена в росте выручки в 2026 году на фоне слабости таких клиентов, как Samsung и Intel. Но с тех пор многое изменилось. В сфере ИИ заключен ряд очень крупных сделок, что спровоцировало ралли на мировом рынке микросхем, поскольку сформировались ожидания на существенное расширение ЦОД.
В итоге теперь ожидается, что новые заказы оборудования в ASML в 3q2025 поднимутся до $6.21 млрд (оценка Visible Alpha), а за 1H2025 они составили 9.48 млрд евро.
Компания также ожидает роста чистой прибыли в 3q2025 на 1.4% гг до 2.1 млрд евро.
@RUSmicro
В ASML готовится оседлать волну мегасделок в сфере ИИ
В ASML ожидают, что многомиллиардные сделки между компаниями, работающими в сфере ИИ и производителями компьютерных чипов укрепят позиции ведущего вендора производственного оборудования для выпуска чипов ИИ – компании ASML. Об этом пишут Reuters.
Еще в июле 2025 года ASML заявляла, что не уверена в росте выручки в 2026 году на фоне слабости таких клиентов, как Samsung и Intel. Но с тех пор многое изменилось. В сфере ИИ заключен ряд очень крупных сделок, что спровоцировало ралли на мировом рынке микросхем, поскольку сформировались ожидания на существенное расширение ЦОД.
В итоге теперь ожидается, что новые заказы оборудования в ASML в 3q2025 поднимутся до $6.21 млрд (оценка Visible Alpha), а за 1H2025 они составили 9.48 млрд евро.
Компания также ожидает роста чистой прибыли в 3q2025 на 1.4% гг до 2.1 млрд евро.
@RUSmicro
👌3
🇺🇸 Производители микросхем. Крупнейшие участники рынка. США
Intel сливает в единое целое направления разработки платформ и кремниевых компонентов
Создается структура под названием Silicon Engeneering and Client Platform Group. Упрощение структуры в сторону более плоской модели по замыслу г-на Тана должна сократить бюрократию. Кроме того, по задумке CEO, идет расширение полномочий инженеров по всей компании.
Реструктуризация сопровождается уходом из компании ряда топ менеджеров. Вот и на этой неделе компанию покинул Роб Брукнер, который подчинялся непосредственно г-ну Тану.
@RUSmicro по материалам 3dnews
Intel сливает в единое целое направления разработки платформ и кремниевых компонентов
Создается структура под названием Silicon Engeneering and Client Platform Group. Упрощение структуры в сторону более плоской модели по замыслу г-на Тана должна сократить бюрократию. Кроме того, по задумке CEO, идет расширение полномочий инженеров по всей компании.
Реструктуризация сопровождается уходом из компании ряда топ менеджеров. Вот и на этой неделе компанию покинул Роб Брукнер, который подчинялся непосредственно г-ну Тану.
@RUSmicro по материалам 3dnews
❤1
🇷🇺 Отечественная электроника. Модули сотовой связи. Россия
МТ-Системс будет продвигать продукцию Магрид, отечественного производителя модулей сотовой связи в качестве официального дистрибьютера
Модули изготавливаются в России, производитель заявляет, что речь идет о полном цикле. За счет этого отдел разработки при необходимости может доработать ПО модулей под требования и задачи конкретного клиента. Магрид заявляет о наличии собственного современного производства.
В актуальной линейке – три чипа МА-7602Е, МА-7672Е и МА-7805Е. МА-7602Е внесен в реестр российской промышленной продукции, заявка на внесение подана также на МА-7672Е и MA-7805E.
🔸 МА-7602Е - модуль 4G / 3G / 2G, 30x30 мм LCC/LGA. Опционально может оснащаться навигационным приёмником. Соответствует LTE Cat.4 и обеспечивает скорости обмена до 150/50 Мбит/c. Кроме стандартной модификации, с управлением через АТ-команды, доступна версия с возможностью исполнения пользовательского кода на уровне ОС Linux. Модуль оснащён тональным модемом и, как заявляет разработчик, соответствует требованиям ГОСТ для ЭРА-Глонасс (УВЭОС) и ЭРА-АСН (Аппаратура спутниковой навигации).
🔸 MA-7672E – модуль 4G / 2G, 24x24 мм LCC/LGA. Опционально может оснащаться модулем спутниковой навигации и Bluetooth Low Energy. Соответствует LTE Cat.1 со скоростями обмена 10/5 Мбит/с. Кроме управления с помощью АТ-команд, есть возможность исполнения пользовательского кода на уровне ОС модуля. Решение предназначается для устройств, которым не требуется широкий канал передачи данных, например, для приборов учёта.
🔸 MA-7805E - модуль 4G / 3G / 2G со встроенным навигационным приёмником, предназначенный для автомобильных (automotive) применений, соответствует требованиям AEC для модулей. Поддержка LTE Cat.4 обеспечивает скорости обмена до 150/50 Мбит/c. Управление модулем осуществляется с помощью пользовательского кода на уровне ОС Linux. Модуль оснащён тональным модемом; по данным производителя он соответствует требованиям ГОСТ для ЭРА-Глонасс (УВЭОС) и ЭРА-АСН (Аппаратура спутниковой навигации).
Все решения спроектированы так, чтобы поддержать миграцию с модулей SIMCom Wireless Solutions (серий SIM76xx, A76xx), - заверяет разработчик.
@RUSmicro
МТ-Системс будет продвигать продукцию Магрид, отечественного производителя модулей сотовой связи в качестве официального дистрибьютера
Модули изготавливаются в России, производитель заявляет, что речь идет о полном цикле. За счет этого отдел разработки при необходимости может доработать ПО модулей под требования и задачи конкретного клиента. Магрид заявляет о наличии собственного современного производства.
В актуальной линейке – три чипа МА-7602Е, МА-7672Е и МА-7805Е. МА-7602Е внесен в реестр российской промышленной продукции, заявка на внесение подана также на МА-7672Е и MA-7805E.
🔸 МА-7602Е - модуль 4G / 3G / 2G, 30x30 мм LCC/LGA. Опционально может оснащаться навигационным приёмником. Соответствует LTE Cat.4 и обеспечивает скорости обмена до 150/50 Мбит/c. Кроме стандартной модификации, с управлением через АТ-команды, доступна версия с возможностью исполнения пользовательского кода на уровне ОС Linux. Модуль оснащён тональным модемом и, как заявляет разработчик, соответствует требованиям ГОСТ для ЭРА-Глонасс (УВЭОС) и ЭРА-АСН (Аппаратура спутниковой навигации).
🔸 MA-7672E – модуль 4G / 2G, 24x24 мм LCC/LGA. Опционально может оснащаться модулем спутниковой навигации и Bluetooth Low Energy. Соответствует LTE Cat.1 со скоростями обмена 10/5 Мбит/с. Кроме управления с помощью АТ-команд, есть возможность исполнения пользовательского кода на уровне ОС модуля. Решение предназначается для устройств, которым не требуется широкий канал передачи данных, например, для приборов учёта.
🔸 MA-7805E - модуль 4G / 3G / 2G со встроенным навигационным приёмником, предназначенный для автомобильных (automotive) применений, соответствует требованиям AEC для модулей. Поддержка LTE Cat.4 обеспечивает скорости обмена до 150/50 Мбит/c. Управление модулем осуществляется с помощью пользовательского кода на уровне ОС Linux. Модуль оснащён тональным модемом; по данным производителя он соответствует требованиям ГОСТ для ЭРА-Глонасс (УВЭОС) и ЭРА-АСН (Аппаратура спутниковой навигации).
Все решения спроектированы так, чтобы поддержать миграцию с модулей SIMCom Wireless Solutions (серий SIM76xx, A76xx), - заверяет разработчик.
@RUSmicro
🔥16👍4❤3🤔3👏1
🇷🇺 Производители кристаллов. Россия
Микрон открывает производство кристаллов по техпроцессу 180нм на площадях НМ-Тех
Об этом сообщает CNews со ссылкой на информацию, полученную от директора НТЦ ООО НМ-Тех. Заявлено, что уже производятся первые кристаллы. Информацию подтвердили и в Микроне, но без подробностей о мощностях нового производства.
Ранее НМ-Тех сообщал о планах производства по техпроцессам 250нм и 130нм. Численность сотрудников компании составила 1075 человек на конец 2024 года. По итогам года чистый убыток предприятия, принадлежащего ВЭБ.РФ составил 1.2 млрд рублей при выручке в 648.7 млн, полученной в основном от ОКР. В 2023 году было 3.3 млрд рублей.
@RUSmicro
Микрон открывает производство кристаллов по техпроцессу 180нм на площадях НМ-Тех
Об этом сообщает CNews со ссылкой на информацию, полученную от директора НТЦ ООО НМ-Тех. Заявлено, что уже производятся первые кристаллы. Информацию подтвердили и в Микроне, но без подробностей о мощностях нового производства.
Ранее НМ-Тех сообщал о планах производства по техпроцессам 250нм и 130нм. Численность сотрудников компании составила 1075 человек на конец 2024 года. По итогам года чистый убыток предприятия, принадлежащего ВЭБ.РФ составил 1.2 млрд рублей при выручке в 648.7 млн, полученной в основном от ОКР. В 2023 году было 3.3 млрд рублей.
@RUSmicro
🔥16👍7❤3
🇯🇵 Горизонты технологий. HDD. MAMR. HAMR. Япония
Toshiba вместила в один корпус HDD 12 пластин – пока что на уровне прототипа
Но в 2027 году компания планирует выпустить на рынок жесткие диски емкостью 40 ТБ на базе пакета из 12 магнитных пластин в стандартном корпусе 3.5 дюйма (технология MAMR – магнитная запись с подогревом микроволнами или просто «микроволновая запись»). Об этом рассказывает Tom’s hardware.
На сегодня выпускаемые рекордные HDD могут включать 10 пластин. Чтобы сделать возможным переход к 12 пластинам в Toshiba отказались от алюминиевых подложек в пользу стеклянных – их можно делать тоньше, поскольку они прочнее. Кроме роста емкости в компании надеются добиться более высокой надежности накопителей.
В дальнейшем в Toshiba смотрят в сторону сочетания MAMR и HAMR, как взаимодополняющих технологий. HAMR – Heat-Assisted Magnetic Recording или «термомагнитная запись». В MAMR микроволновое поле создает генератор, это поле резонирует с магнитными частицами носителя, обеспечивая их перемагничивание. В HAMR крошечный участок диска, чтобы снизить его устойчивость к перемагничиванию, разогревает примерно до 100 °C лазер. После записи участок быстро остывает. От HAMR ожидают более высокой плотности записи данных, например, до 10 ТБ на кв. дюйм. Seagate уже поставляет HDD с HAMR на 30+ ТБ, а в дорожной карте компании есть HDD на основе HAMR технологии на 100+ ТБ.
Для Toshiba с ее примерно 17% на рынке HDD вывод новых устройств был бы способом улучшить рыночные позиции.
@RUSmicro
Toshiba вместила в один корпус HDD 12 пластин – пока что на уровне прототипа
Но в 2027 году компания планирует выпустить на рынок жесткие диски емкостью 40 ТБ на базе пакета из 12 магнитных пластин в стандартном корпусе 3.5 дюйма (технология MAMR – магнитная запись с подогревом микроволнами или просто «микроволновая запись»). Об этом рассказывает Tom’s hardware.
На сегодня выпускаемые рекордные HDD могут включать 10 пластин. Чтобы сделать возможным переход к 12 пластинам в Toshiba отказались от алюминиевых подложек в пользу стеклянных – их можно делать тоньше, поскольку они прочнее. Кроме роста емкости в компании надеются добиться более высокой надежности накопителей.
В дальнейшем в Toshiba смотрят в сторону сочетания MAMR и HAMR, как взаимодополняющих технологий. HAMR – Heat-Assisted Magnetic Recording или «термомагнитная запись». В MAMR микроволновое поле создает генератор, это поле резонирует с магнитными частицами носителя, обеспечивая их перемагничивание. В HAMR крошечный участок диска, чтобы снизить его устойчивость к перемагничиванию, разогревает примерно до 100 °C лазер. После записи участок быстро остывает. От HAMR ожидают более высокой плотности записи данных, например, до 10 ТБ на кв. дюйм. Seagate уже поставляет HDD с HAMR на 30+ ТБ, а в дорожной карте компании есть HDD на основе HAMR технологии на 100+ ТБ.
Для Toshiba с ее примерно 17% на рынке HDD вывод новых устройств был бы способом улучшить рыночные позиции.
@RUSmicro
Tom's Hardware
Toshiba touts industry-first 12-disk HDD stacking technology, will pair with microwave-based recording tech — says advance will…
Rival 3.5-inch HDDs are still limited to 10 or 11 platters.
❤4
👽 EDA на базе AI. Тренды
ИИ позволяет создавать аналоговые микросхемы под миллиметровый диапазон, но есть нюансы
Программный продукт (EDA), созданный в рамках совместного проекта Принстонского университета и Индийского технологического института, способен разработать электромагнитные структуры произвольной формы и сложной конфигурации за счет метода «обратного проектирования». Делает он это быстро, за считанные минуты вместо недель при традиционном «ручном» подходе.
Но есть нюанс – люди не ожидали результаты, которые дает этот метод. Нет, спроектированная ИИ схема может работать «как нужно» если воспринимать ее как черный ящик, которым она, по сути, и является. Но при этом ее схемотехника и принципы работы могут существенно отличаться от того, что ожидалось получить. При определенной доле паранойи в этом можно углядеть угрозу безопасности – кто знает, как поведет себя эта схема в каких-то редких сочетаниях внешних воздействий. Не создаст ли, например, ИИ «закладки» и «бэкдоры» (оставим в стороне вопрос вроде бы отсутствующей у него мотивации к этому или вопрос - кто может получить доступ к этим уязвимостям).
В основе разработки лежат так называемые эволюционные алгоритмы: генетические операторы создают варианты схем, функция пригодности оценивает, насколько хорошо схема выполняет задачу. Проблема этого подхода – чем сложнее нужна схема, тем больший объем расчетов требуется (на сегодня это означает – тем дороже будет ее разработка).
Углы можно пытаться срезать. Например, вместо классических электромагнитных симуляций, пытаться предсказать свойства схемы по ее геометрии. И вообще двигаться в противоположном направлении – задавать в ТЗ желаемые эффекты и надеяться, что ИИ сможет выстроить структуру, которая будет эти эффекты обеспечивать.
Генетические программирование известно с 1992 года, но только по мере роста вычислительных мощностей, то есть примерно в последние 5 лет, началось практическое его применение для проектирования чипов. Прорыв с обратным проектированием случился примерно в 2024 году.
Но на этом вроде бы понятном пути стали возникать «побочные эффекты». Например, ИИ, который создавал с помощью эволюционного алгоритма FPGA, рассчитал искомое устройство, но… оно работает не классическим образом, а за счет электромагнитной индукции между ячейками.
В целом, а почему бы и нет? В этой парадигме от инженера впору ждать не рутинного исполнения циклов действий, а хорошей формулировки «намерений», «цели» и разумных ограничений. Далее 5-10 минут "магии ИИ" и достигается результат, сравнимый или превосходящий тот, которого добивался квалифицированный специалист за пару недель наедине с обычной EDA.
Генеральный менеджер подразделения EDA компании Synopsys отмечает, что ИИ уже позволяет инженерам работать на более высоком уровне абстракции, формулируя задачи на естественном языке, в то время как система самостоятельно генерирует, например, RTL-код.
Похоже, что уже на текущем этапе технологий, ИИ не просто «обобщает существующее», но начинает создавать то, о чем человек и не помышлял. Как если бы у нас появились "программо созданные инженеры", которые мыслят свободно, без оглядки на все ранее созданное, но с учетом всего многообразия известных людям технологий.
Внедрение ИИ мотивировано не только скоростью. Как отмечает CEO Cadence, количество транзисторов на чипе к концу десятилетия достигнет триллиона, а объем работы вырастет в 30-40 раз. Физически невозможно нанять необходимое для таких объемов проектирования количество инженеров, поэтому пробел в производительности необходимо закрывать с помощью автоматизации. А значит, самые радикальные изменения способа, каким мы работаем - абсолютно неизбежно. В этих условиях важно быть гибче и не цепляться за привычные методы и подходы.
@RUSmicro по материалам Хабр
ИИ позволяет создавать аналоговые микросхемы под миллиметровый диапазон, но есть нюансы
Программный продукт (EDA), созданный в рамках совместного проекта Принстонского университета и Индийского технологического института, способен разработать электромагнитные структуры произвольной формы и сложной конфигурации за счет метода «обратного проектирования». Делает он это быстро, за считанные минуты вместо недель при традиционном «ручном» подходе.
Но есть нюанс – люди не ожидали результаты, которые дает этот метод. Нет, спроектированная ИИ схема может работать «как нужно» если воспринимать ее как черный ящик, которым она, по сути, и является. Но при этом ее схемотехника и принципы работы могут существенно отличаться от того, что ожидалось получить. При определенной доле паранойи в этом можно углядеть угрозу безопасности – кто знает, как поведет себя эта схема в каких-то редких сочетаниях внешних воздействий. Не создаст ли, например, ИИ «закладки» и «бэкдоры» (оставим в стороне вопрос вроде бы отсутствующей у него мотивации к этому или вопрос - кто может получить доступ к этим уязвимостям).
В основе разработки лежат так называемые эволюционные алгоритмы: генетические операторы создают варианты схем, функция пригодности оценивает, насколько хорошо схема выполняет задачу. Проблема этого подхода – чем сложнее нужна схема, тем больший объем расчетов требуется (на сегодня это означает – тем дороже будет ее разработка).
Углы можно пытаться срезать. Например, вместо классических электромагнитных симуляций, пытаться предсказать свойства схемы по ее геометрии. И вообще двигаться в противоположном направлении – задавать в ТЗ желаемые эффекты и надеяться, что ИИ сможет выстроить структуру, которая будет эти эффекты обеспечивать.
Генетические программирование известно с 1992 года, но только по мере роста вычислительных мощностей, то есть примерно в последние 5 лет, началось практическое его применение для проектирования чипов. Прорыв с обратным проектированием случился примерно в 2024 году.
Но на этом вроде бы понятном пути стали возникать «побочные эффекты». Например, ИИ, который создавал с помощью эволюционного алгоритма FPGA, рассчитал искомое устройство, но… оно работает не классическим образом, а за счет электромагнитной индукции между ячейками.
В целом, а почему бы и нет? В этой парадигме от инженера впору ждать не рутинного исполнения циклов действий, а хорошей формулировки «намерений», «цели» и разумных ограничений. Далее 5-10 минут "магии ИИ" и достигается результат, сравнимый или превосходящий тот, которого добивался квалифицированный специалист за пару недель наедине с обычной EDA.
Генеральный менеджер подразделения EDA компании Synopsys отмечает, что ИИ уже позволяет инженерам работать на более высоком уровне абстракции, формулируя задачи на естественном языке, в то время как система самостоятельно генерирует, например, RTL-код.
Похоже, что уже на текущем этапе технологий, ИИ не просто «обобщает существующее», но начинает создавать то, о чем человек и не помышлял. Как если бы у нас появились "программо созданные инженеры", которые мыслят свободно, без оглядки на все ранее созданное, но с учетом всего многообразия известных людям технологий.
Внедрение ИИ мотивировано не только скоростью. Как отмечает CEO Cadence, количество транзисторов на чипе к концу десятилетия достигнет триллиона, а объем работы вырастет в 30-40 раз. Физически невозможно нанять необходимое для таких объемов проектирования количество инженеров, поэтому пробел в производительности необходимо закрывать с помощью автоматизации. А значит, самые радикальные изменения способа, каким мы работаем - абсолютно неизбежно. В этих условиях важно быть гибче и не цепляться за привычные методы и подходы.
@RUSmicro по материалам Хабр
Хабр
За гранью человеческой интуиции: как ИИ создает странные, но сверхэффективные аналоговые микросхемы
Прорыв, который поставил инженеров в тупик Интегрированные схемы и микросхемы миллиметрового и терагерцового диапазонов, как ожидается, станут основой будущих беспроводных сетей и систем высокоточного...
❤8👍4👏2😢1🙈1
🇺🇸 Участники рынка. Память. США
Micron прекращает производство в Китае серверных чипов
Американская Micron планирует прекратить поставки серверных чипов для китайских ЦОД, ссылаясь на то, что не смогла восстановить свой бизнес в Китае после того, как правительство этой страны запретило покупать американские чипы памяти для использования в критически важной инфраструктуре. Об этом сообщает Reuters.
Тем не менее, Micron продолжит продавать свою продукцию двум китайским клиентам, создающим оборудование для использования в ЦОД за пределами Китая. Один из них – компания Lenovo. Кроме того, Micron продолжит поставлять чипы китайским клиентам в автомобильном сегменте и в сегменте мобильных телефонов.
Для Micron рынок Китая остается весьма важным, за последний финансовый год компания получила здесь $3.4 млрд или 12% от общего объема выручки. Его потеря неприятна, но к счастью для компании бум ИИ во всем мире компенсирует потери даже такого рынка. Поэтому не приходится удивляться, что Micron отчитался о рекордной квартальной выручке.
В выигрыше от этого решения компании окажутся корейские Samsung Electronics и SK Hynix, а также китайские YMTC и CXMT.
Команда Micron в Китае, которая работала с решениями для ЦОД насчитывает 300 человек.
Micron проводит сокращения в Китае и других направлений. В августе 2025 года компания уволила несколько сотен сотрудников, работающих в сегменте универсальных флеш-накопителей, после решения прекратить разработку будущих мобильных устройств NAND по всему миру, сообщает South China Morning Post.
К областям, где компания продолжила расширяться в Китае, относится её завод по упаковке микросхем в городе Сиань. «У нас сильное производственное и клиентское присутствие в Китае, и Китай остаётся важным рынком для Micron и полупроводниковой промышленности в целом», — говорится в заявлении Micron.
Интересная ситуация. С одной стороны, решение Micron – следствие запрета Китая на использование американских чипов в критической инфраструктуре. С другой стороны, это решение лежит как бы в рамках стратегии США на сдерживание полупроводниковой промышленности Китая. Но по факту, это лишь облегчит жизнь китайских производителей памяти. В общем, все придерживаются своих интересов, причем они как бы совпадают у «противоборствующих сторон». А значит, либо они не противоборствующие, либо кто-то ошибся со стратегией.
@RUSmicro
Micron прекращает производство в Китае серверных чипов
Американская Micron планирует прекратить поставки серверных чипов для китайских ЦОД, ссылаясь на то, что не смогла восстановить свой бизнес в Китае после того, как правительство этой страны запретило покупать американские чипы памяти для использования в критически важной инфраструктуре. Об этом сообщает Reuters.
Тем не менее, Micron продолжит продавать свою продукцию двум китайским клиентам, создающим оборудование для использования в ЦОД за пределами Китая. Один из них – компания Lenovo. Кроме того, Micron продолжит поставлять чипы китайским клиентам в автомобильном сегменте и в сегменте мобильных телефонов.
Для Micron рынок Китая остается весьма важным, за последний финансовый год компания получила здесь $3.4 млрд или 12% от общего объема выручки. Его потеря неприятна, но к счастью для компании бум ИИ во всем мире компенсирует потери даже такого рынка. Поэтому не приходится удивляться, что Micron отчитался о рекордной квартальной выручке.
В выигрыше от этого решения компании окажутся корейские Samsung Electronics и SK Hynix, а также китайские YMTC и CXMT.
Команда Micron в Китае, которая работала с решениями для ЦОД насчитывает 300 человек.
Micron проводит сокращения в Китае и других направлений. В августе 2025 года компания уволила несколько сотен сотрудников, работающих в сегменте универсальных флеш-накопителей, после решения прекратить разработку будущих мобильных устройств NAND по всему миру, сообщает South China Morning Post.
К областям, где компания продолжила расширяться в Китае, относится её завод по упаковке микросхем в городе Сиань. «У нас сильное производственное и клиентское присутствие в Китае, и Китай остаётся важным рынком для Micron и полупроводниковой промышленности в целом», — говорится в заявлении Micron.
Интересная ситуация. С одной стороны, решение Micron – следствие запрета Китая на использование американских чипов в критической инфраструктуре. С другой стороны, это решение лежит как бы в рамках стратегии США на сдерживание полупроводниковой промышленности Китая. Но по факту, это лишь облегчит жизнь китайских производителей памяти. В общем, все придерживаются своих интересов, причем они как бы совпадают у «противоборствующих сторон». А значит, либо они не противоборствующие, либо кто-то ошибся со стратегией.
@RUSmicro
😁6❤3👍1
🔬 Кремниевая фотоника. Горизонты технологий
Создана ПЛИС на основе кремниевой фотоники
Ученые из NTT Research, Корнеллского и Стэнфордского университетов представили программируемый оптический чип. Это существенно расширяет возможности применения нелинейной фотоники. Прежде всего, это важно для ситуаций, когда необходима возможность быстрой перенастройки устройств и высокая производительность.
Основа оптической ПЛИС – ядро из нитрида кремния (SiN). Этот материал прозрачен для ИК-диапазона и способен работать как линзы из стекла для видимого света, его отличают низкие оптические потери.
На основе создаются волноводы, конфигурация которых не меняется. На них поступают лазерные импульсы, которые создают зоны с нелинейной интенсивностью света, например, со сдвигами фаз или где проявляется интерференция световых волн «схемы» и полезного сигнала.
Для «перепрограммирования» схемы достаточно менять световой «узор», причем переключения происходят мгновенно. Программирующая подсветка создает пространственное распределение нелинейности в волноводе, определяющее его функцию.
Использование такого подхода позволит использовать нелинейную оптику в крупномасштабных оптических схемах, например, преобразователях частоты, синтезаторах сигналов произвольной формы, широко перестраиваемых классических и квантовых источниках света.
В рамках исследования ученые не просто заявили о принципе, а продемонстрировали несколько конкретных функций на одном чипе, включая произвольное формирование импульсов и настраиваемую генерацию второй гармоники.
Возможность использования перенастраиваемых устройств открывает новые горизонты в разработке различных устройств на базе кремниевой фотоники – в устройствах квантовых вычислений, в телекоммуникационных системах.
Разработка ломает устоявшуюся за десятилетия парадигму "одно устройство — одна функция" в нелинейной оптике, открывая путь к созданию универсальных и гибких фотонных процессоров.
@RUSmicro по материалам NTT-Research, картинка - NTT-Research
Создана ПЛИС на основе кремниевой фотоники
Ученые из NTT Research, Корнеллского и Стэнфордского университетов представили программируемый оптический чип. Это существенно расширяет возможности применения нелинейной фотоники. Прежде всего, это важно для ситуаций, когда необходима возможность быстрой перенастройки устройств и высокая производительность.
Основа оптической ПЛИС – ядро из нитрида кремния (SiN). Этот материал прозрачен для ИК-диапазона и способен работать как линзы из стекла для видимого света, его отличают низкие оптические потери.
На основе создаются волноводы, конфигурация которых не меняется. На них поступают лазерные импульсы, которые создают зоны с нелинейной интенсивностью света, например, со сдвигами фаз или где проявляется интерференция световых волн «схемы» и полезного сигнала.
Для «перепрограммирования» схемы достаточно менять световой «узор», причем переключения происходят мгновенно. Программирующая подсветка создает пространственное распределение нелинейности в волноводе, определяющее его функцию.
Использование такого подхода позволит использовать нелинейную оптику в крупномасштабных оптических схемах, например, преобразователях частоты, синтезаторах сигналов произвольной формы, широко перестраиваемых классических и квантовых источниках света.
В рамках исследования ученые не просто заявили о принципе, а продемонстрировали несколько конкретных функций на одном чипе, включая произвольное формирование импульсов и настраиваемую генерацию второй гармоники.
Возможность использования перенастраиваемых устройств открывает новые горизонты в разработке различных устройств на базе кремниевой фотоники – в устройствах квантовых вычислений, в телекоммуникационных системах.
Разработка ломает устоявшуюся за десятилетия парадигму "одно устройство — одна функция" в нелинейной оптике, открывая путь к созданию универсальных и гибких фотонных процессоров.
@RUSmicro по материалам NTT-Research, картинка - NTT-Research
👍7❤1🔥1
🔬 Горизонты технологий. Многослойные КМОП. Саудовская Аравия
В KAUST, похоже, обошли imec - ученые из Саудовской Аравии создали микросхему, в которой транзисторы размещены не в одной плоскости а 6-слоев, каждый из которых является транзистором. Предыдущий рекорд (от imec) представлял собой 2-слойное расположение транзисторов.
То есть мы вновь говорим об 3D-упаковке (не путать с корпусированием), но не на уровне кристаллов, которые, например, стекируются в "небоскреб" как в микросхемах памяти, а на уровне транзисторов.
Этот метод позволяет самым серьезным образом повысить плотность изделий на мм и уменьшить длину межсоединений.
В разных слоях задействованы транзисторы разной проводимости - n-типа на основе оксида, быстрые и энергоэффективные и p-типа - органические, гибкие и дешевые.
Метод, конечно, технологически сложный (40 этапов литографического процесса!), транзисторы в экспериментальной структуре из 6 слоев транзисторов были созданы при температуре не выше 100°C чтобы не повредить нижние слои.
На основе этой технологии пока что созданы лишь отдельные модули - инверторы и другие логические вентили (NOR, в частности).
В перспективе от этого метода можно ожидать востребованности там, где важна гибкость и малое энергопотребление - носимые датчики, гибкие дисплеи, электроника IoT.
Технологию еще только предстоит адаптировать к массовому промышленному производству.
Подробнее - в источнике: 3dnews
@RUSmicro, изображение - Nature Electronics 2025
В KAUST, похоже, обошли imec - ученые из Саудовской Аравии создали микросхему, в которой транзисторы размещены не в одной плоскости а 6-слоев, каждый из которых является транзистором. Предыдущий рекорд (от imec) представлял собой 2-слойное расположение транзисторов.
То есть мы вновь говорим об 3D-упаковке (не путать с корпусированием), но не на уровне кристаллов, которые, например, стекируются в "небоскреб" как в микросхемах памяти, а на уровне транзисторов.
Этот метод позволяет самым серьезным образом повысить плотность изделий на мм и уменьшить длину межсоединений.
В разных слоях задействованы транзисторы разной проводимости - n-типа на основе оксида, быстрые и энергоэффективные и p-типа - органические, гибкие и дешевые.
Метод, конечно, технологически сложный (40 этапов литографического процесса!), транзисторы в экспериментальной структуре из 6 слоев транзисторов были созданы при температуре не выше 100°C чтобы не повредить нижние слои.
На основе этой технологии пока что созданы лишь отдельные модули - инверторы и другие логические вентили (NOR, в частности).
В перспективе от этого метода можно ожидать востребованности там, где важна гибкость и малое энергопотребление - носимые датчики, гибкие дисплеи, электроника IoT.
Технологию еще только предстоит адаптировать к массовому промышленному производству.
Подробнее - в источнике: 3dnews
@RUSmicro, изображение - Nature Electronics 2025
👍8❤2
🇷🇺 Микроконтроллеры. RISC-V. Россия
Воронежский НИИЭТ расширяет линейку микроконтроллеров RISC-V
НИИЭТ (ГК Элемент) до конца 2025 года пополнит продуктовую линейку 4-мя микроконтроллерами (МК) на базе архитектуры RISC-V.
🔹 К1921ВГ1Т – 32-разрядный микроконтроллер, который призван помочь в решении задач автоматизации и управления. У него 2 ядра (до 204 МГц), 4 Мбайт флеш-памяти, 1 Мбайт оперативной и 512 Кбайт флеш-памяти данных. Особенность микроконтроллера – в нем реализован протокол Ethernet 10/100/1000 с модулем физического уровня, а также есть набор механизмов внутренней диагностики, что, как считают разработчики, позволяет применять эту микросхему в ответственных системах автоматического управления.
🔹К1921ВГ3Т – контроллер с акцентом на энергоэффективность, рассчитанный на решение задач управления электродвигателями и приводами. Впрочем, с учетом набора интерфейсов, его спектр применений шире, чем только упомянутые задачи.
Как и в предыдущем, в этом микроконтроллере также есть модуль физического уровня, поддерживающий Ethernet 10/100/1000, а также набор вспомогательных модулей и интерфейсов для интеграции в сложные системы. В частности, этот МК может заменить ранее выпущенный НИИЭТ МК К1921ВК01Т с ядром ARM Cortex M4F.
Оба новых МК будут выпускаться в корпусах LQFP-208ю. Доступность образцов для тестирования и макетно-отладочных плат к ним ожидается в декабре 2025 года, серийные поставки – в начале 2026 года.
🔹 Модели К1921ВГ5Т и К1921ВГ7Т, также RISC-V, предназначены для применения в изделиях, где критична минимизация стоимости, массогабаритов, энергопотребления, например, в устройствах IoT, сенсорике, портативных приборах, средствах предварительной обработки данных, системах управления с несложными алгоритмами.
Это одноядерные 32-разрядные МК с флэш-памятью 512 КБ, корпуса – LQFP-48. Макетно-отладочные платы для них собираются выпустить в конце 2025 года, серийные поставки запланированы ближе к середине 2026 года.
Микроконтроллеры созданы в рамках крупного проекта по выпуску микроконтроллеров на базе архитектуры RISC-V с использованием государственной субсидии по ПП-1252 от 24 июля 2021 года.
@RUSmicro
Воронежский НИИЭТ расширяет линейку микроконтроллеров RISC-V
НИИЭТ (ГК Элемент) до конца 2025 года пополнит продуктовую линейку 4-мя микроконтроллерами (МК) на базе архитектуры RISC-V.
🔹 К1921ВГ1Т – 32-разрядный микроконтроллер, который призван помочь в решении задач автоматизации и управления. У него 2 ядра (до 204 МГц), 4 Мбайт флеш-памяти, 1 Мбайт оперативной и 512 Кбайт флеш-памяти данных. Особенность микроконтроллера – в нем реализован протокол Ethernet 10/100/1000 с модулем физического уровня, а также есть набор механизмов внутренней диагностики, что, как считают разработчики, позволяет применять эту микросхему в ответственных системах автоматического управления.
🔹К1921ВГ3Т – контроллер с акцентом на энергоэффективность, рассчитанный на решение задач управления электродвигателями и приводами. Впрочем, с учетом набора интерфейсов, его спектр применений шире, чем только упомянутые задачи.
Как и в предыдущем, в этом микроконтроллере также есть модуль физического уровня, поддерживающий Ethernet 10/100/1000, а также набор вспомогательных модулей и интерфейсов для интеграции в сложные системы. В частности, этот МК может заменить ранее выпущенный НИИЭТ МК К1921ВК01Т с ядром ARM Cortex M4F.
Оба новых МК будут выпускаться в корпусах LQFP-208ю. Доступность образцов для тестирования и макетно-отладочных плат к ним ожидается в декабре 2025 года, серийные поставки – в начале 2026 года.
🔹 Модели К1921ВГ5Т и К1921ВГ7Т, также RISC-V, предназначены для применения в изделиях, где критична минимизация стоимости, массогабаритов, энергопотребления, например, в устройствах IoT, сенсорике, портативных приборах, средствах предварительной обработки данных, системах управления с несложными алгоритмами.
Это одноядерные 32-разрядные МК с флэш-памятью 512 КБ, корпуса – LQFP-48. Макетно-отладочные платы для них собираются выпустить в конце 2025 года, серийные поставки запланированы ближе к середине 2026 года.
Микроконтроллеры созданы в рамках крупного проекта по выпуску микроконтроллеров на базе архитектуры RISC-V с использованием государственной субсидии по ПП-1252 от 24 июля 2021 года.
@RUSmicro
👍20❤3
🇺🇸 🇹🇼 Техпроцессы и производственные мощности. США. Тайвань
Nvidia представила первую пластину с процессорами Blackwell, произведенную на фабрике TSMC в США
Об этом сообщает Reuters. Хотя производство TSMC в Аризоне пока что не является производством полного цикла (для упаковки и корпусирования чипы отправляются на Тайвань), но оно уже позволяет выпускать такие сложные и современные продукты, как пластины с полупроводниковыми структурами для микросхем ИИ.
На заводе TSMC в Аризоне планируется освоить производств с техпроцессами не только 4нм, но также 3нм и 2нм, а также A16 (1.6нм). Но это в перспективе.
Впрочем, и 4нм это на сегодня весьма передовой технологический уровень, доступный лишь совсем небольшому числу стран. До сих пор это были Тайвань и Корея, теперь технология стала доступна и в США.
Для «замыкания цикла» внутри США, американцам осталось наладить упаковку и корпусирование кристаллов на своей территории, скорее всего, это будет сделано не позднее 2027 года.
В Intel уже были освоены техпроцессы Intel 4 и Intel 3, сейчас идет наращивание объемов выпуска изделий по этим техпроцессам.
Наиболее сложно судить о том, входит ли Китай в «Клуб 4нм». Если говорить о серийном производстве, то, скорее, «нет», чем «да». Для этого у Китая нет необходимого фотолитографического оборудования. Можно, конечно, и далее ухищряться с многостадийным использованием DUV-оборудования, но это «дорога в никуда».
Скорее всего, Китай сможет начать сокращать технологический разрыв с США и Кореей не раньше, чем в Китае разработают и выпустят собственный литограф под EUV-процесс. Это может произойти в ближайшие годы.
@RUSmicro
Nvidia представила первую пластину с процессорами Blackwell, произведенную на фабрике TSMC в США
Об этом сообщает Reuters. Хотя производство TSMC в Аризоне пока что не является производством полного цикла (для упаковки и корпусирования чипы отправляются на Тайвань), но оно уже позволяет выпускать такие сложные и современные продукты, как пластины с полупроводниковыми структурами для микросхем ИИ.
На заводе TSMC в Аризоне планируется освоить производств с техпроцессами не только 4нм, но также 3нм и 2нм, а также A16 (1.6нм). Но это в перспективе.
Впрочем, и 4нм это на сегодня весьма передовой технологический уровень, доступный лишь совсем небольшому числу стран. До сих пор это были Тайвань и Корея, теперь технология стала доступна и в США.
Для «замыкания цикла» внутри США, американцам осталось наладить упаковку и корпусирование кристаллов на своей территории, скорее всего, это будет сделано не позднее 2027 года.
В Intel уже были освоены техпроцессы Intel 4 и Intel 3, сейчас идет наращивание объемов выпуска изделий по этим техпроцессам.
Наиболее сложно судить о том, входит ли Китай в «Клуб 4нм». Если говорить о серийном производстве, то, скорее, «нет», чем «да». Для этого у Китая нет необходимого фотолитографического оборудования. Можно, конечно, и далее ухищряться с многостадийным использованием DUV-оборудования, но это «дорога в никуда».
Скорее всего, Китай сможет начать сокращать технологический разрыв с США и Кореей не раньше, чем в Китае разработают и выпустят собственный литограф под EUV-процесс. Это может произойти в ближайшие годы.
@RUSmicro
👍9❤3👏1🙈1
🇷🇺 Силовая электроника. СВЧ. GaN, GaAs. Производства структур на пластинах. Россия
К 2030 году на территории ростеховского предприятия Исток могут запустить крупносерийное производство кристаллов для силовой электроники
Об этом рассказывает CNews. Планируемая мощность производства может достичь 2 тысяч пластин диаметром 150 мм в месяц, по 1 тысяче пластин GaAs, и 1 тысяче – GaN.
Планируется формировать на них структуры СВЧ-транзисторов и монолитных ИС СВЧ.
Будут использоваться технологические нормы 500нм, 250 нм, 200нм и 100нм для GaAs, а также 250нм, 100нм, 60нм и 40нм (!) для GaN.
Новая фабрика расположится в подмосковном Фрязино.
Кроме фабрики в состав обновленного производства будет входить линии по производству подложек из высокоомного кремния, арсенида галлия и карбида кремния, а также дизайн-центр проектирования СВЧ-изделий.
Ранее сообщалось, что АО «НПП «Исток» им. Шокина» в рамках ОКР «Т-НГ-1» по заказу Минпромторга России разрабатывает технологический процесс изготовления и комплексный инструмент проектирования (КИП) МИС СВЧ на основе гетероструктур нитрида галлия на подложках карбида кремния с топологической нормой 0,25 мкм (DH025). Одновременно с ОКР завершается оснащение нитрид-галлиевой производственной линии технологическим и инженерным оборудованием. В 2026 году разработанный комплексный инструмент проектирования будет доступен для всех заинтересованных дизайн-центров.
По данным зам. гендиректора Истока Сергея Щербакова, на сегодня в России выпуск СВЧ приборов на основе GaAs составляет не более 5 тысяч пластин диаметром 76 мм ежегодно, что закрывает не более 20-25% потребностей внутреннего рынка.
На Истоке не прочь также создать полигон для тестирования технологического оборудования и особочистых материалов. Площадь могла бы составить 10 тыс. кв.м, объем финансирования – порядка 5.8 млрд. Его можно было бы ввести в эксплуатацию с 1q2027 оптимистично считают в Истоке.
Что осталось для меня неясным:
❓ Идет ли «замах» на предприятие полного цикла или нет, в частности, планируют ли на Истоке выращивать монокристаллы самостоятельно или будут покупать готовые?
Будет ли свое корпусирование?
❓ На каком оборудовании будет основано производство полупроводниковых структур на кристалле, в частности, на основе 40нм техпроцессов?
Разработкой установки для эпитаксии GaN-on-Si в России занимались, например, ученые и инженеры АО НИИТМ (ГК Элемент), НТЦ микроэлектроники РАН, Петербург и ООО Софт-Импакт. Причем речь шла о пластинах 200 мм, более интересных, чем 150 мм.
В 2026 году АО НТО собиралось представить линейку специализированных унифицированных установок плазмохимического травления и осаждения для серийного производства СВЧ транзисторов и МИС на основе GaAs и GaN.
АО «НПП «Исток» им. Шокина» в рамках ОКР «Т-НГ-1» по заказу Минпромторга России разрабатывает технологический процесс изготовления и комплексный инструмент проектирования (КИП) МИС СВЧ на основе гетероструктур нитрида галлия на подложках карбида кремния с топологической нормой 0,25 мкм (DH025). Одновременно с ОКР завершается оснащение нитрид-галлиевой производственной линии технологическим и инженерным оборудованием. В 2026 году разработанный комплексный инструмент проектирования, как ожидается, будет доступен для всех заинтересованных дизайн-центров.
Темой GaN давно и не без успеха занимаются питерское АО Светлана-Рост и воронежский НИИЭТ, зеленоградские ЗНТЦ и АО ПКК Миландр, а также АО ОКБ-Планета из Великого Новгорода и некоторые другие российские предприятия.
@RUSmicro
К 2030 году на территории ростеховского предприятия Исток могут запустить крупносерийное производство кристаллов для силовой электроники
Об этом рассказывает CNews. Планируемая мощность производства может достичь 2 тысяч пластин диаметром 150 мм в месяц, по 1 тысяче пластин GaAs, и 1 тысяче – GaN.
Планируется формировать на них структуры СВЧ-транзисторов и монолитных ИС СВЧ.
Будут использоваться технологические нормы 500нм, 250 нм, 200нм и 100нм для GaAs, а также 250нм, 100нм, 60нм и 40нм (!) для GaN.
Новая фабрика расположится в подмосковном Фрязино.
Кроме фабрики в состав обновленного производства будет входить линии по производству подложек из высокоомного кремния, арсенида галлия и карбида кремния, а также дизайн-центр проектирования СВЧ-изделий.
Ранее сообщалось, что АО «НПП «Исток» им. Шокина» в рамках ОКР «Т-НГ-1» по заказу Минпромторга России разрабатывает технологический процесс изготовления и комплексный инструмент проектирования (КИП) МИС СВЧ на основе гетероструктур нитрида галлия на подложках карбида кремния с топологической нормой 0,25 мкм (DH025). Одновременно с ОКР завершается оснащение нитрид-галлиевой производственной линии технологическим и инженерным оборудованием. В 2026 году разработанный комплексный инструмент проектирования будет доступен для всех заинтересованных дизайн-центров.
По данным зам. гендиректора Истока Сергея Щербакова, на сегодня в России выпуск СВЧ приборов на основе GaAs составляет не более 5 тысяч пластин диаметром 76 мм ежегодно, что закрывает не более 20-25% потребностей внутреннего рынка.
На Истоке не прочь также создать полигон для тестирования технологического оборудования и особочистых материалов. Площадь могла бы составить 10 тыс. кв.м, объем финансирования – порядка 5.8 млрд. Его можно было бы ввести в эксплуатацию с 1q2027 оптимистично считают в Истоке.
Что осталось для меня неясным:
❓ Идет ли «замах» на предприятие полного цикла или нет, в частности, планируют ли на Истоке выращивать монокристаллы самостоятельно или будут покупать готовые?
Будет ли свое корпусирование?
❓ На каком оборудовании будет основано производство полупроводниковых структур на кристалле, в частности, на основе 40нм техпроцессов?
Разработкой установки для эпитаксии GaN-on-Si в России занимались, например, ученые и инженеры АО НИИТМ (ГК Элемент), НТЦ микроэлектроники РАН, Петербург и ООО Софт-Импакт. Причем речь шла о пластинах 200 мм, более интересных, чем 150 мм.
В 2026 году АО НТО собиралось представить линейку специализированных унифицированных установок плазмохимического травления и осаждения для серийного производства СВЧ транзисторов и МИС на основе GaAs и GaN.
АО «НПП «Исток» им. Шокина» в рамках ОКР «Т-НГ-1» по заказу Минпромторга России разрабатывает технологический процесс изготовления и комплексный инструмент проектирования (КИП) МИС СВЧ на основе гетероструктур нитрида галлия на подложках карбида кремния с топологической нормой 0,25 мкм (DH025). Одновременно с ОКР завершается оснащение нитрид-галлиевой производственной линии технологическим и инженерным оборудованием. В 2026 году разработанный комплексный инструмент проектирования, как ожидается, будет доступен для всех заинтересованных дизайн-центров.
Темой GaN давно и не без успеха занимаются питерское АО Светлана-Рост и воронежский НИИЭТ, зеленоградские ЗНТЦ и АО ПКК Миландр, а также АО ОКБ-Планета из Великого Новгорода и некоторые другие российские предприятия.
@RUSmicro
👍18🔥6❤4
🇬🇧 Лицензирование разработки. AI-чипы. Arm
Arm поддержит развитие ИИ на устройствах с помощью программы лицензирования
Компания Arm расширила свою программу лицензирования Flexible Access для OEM-производителей и стартапов, включив в нее платформу Armv9 Edge AI, которая, как утверждает компания, дает более простой и экономичный способ разработки решений на базе ИИ на устройствах. Об этом сообщает Mobile World Live.
Платформа Armv9 Edge AI была представлена ранее в 2025 году и включает процессор Arm Cortex-A320 и нейронный процессор Arm Ethos-U85 для реализации моделей ИИ с 1 млрд параметров непосредственно на устройстве.
Такой мощности платформы должно хватать для приложений для умных камер, умного дома, промышленной автоматизации, человеко-машинных интерфейсов (возможности «общения» со своим устройством голосом и жестами).
Программа лицензирования Arm Flexible Access позволяет компаниям использовать ее ресурсы по разработке микросхем и обучению «практически бесплатно», утверждает источник. Компании платят лицензионные сборы за технологию только на этапе разработки финальных проектов, и эта инициатива уже помогла разработать приложения искусственного интеллекта (ИИ) таким партнёрам, как Raspberry Pi и Hailo. В настоящее время в программе участвуют 300 участников.
@RUSmicro
Arm поддержит развитие ИИ на устройствах с помощью программы лицензирования
Компания Arm расширила свою программу лицензирования Flexible Access для OEM-производителей и стартапов, включив в нее платформу Armv9 Edge AI, которая, как утверждает компания, дает более простой и экономичный способ разработки решений на базе ИИ на устройствах. Об этом сообщает Mobile World Live.
Платформа Armv9 Edge AI была представлена ранее в 2025 году и включает процессор Arm Cortex-A320 и нейронный процессор Arm Ethos-U85 для реализации моделей ИИ с 1 млрд параметров непосредственно на устройстве.
Такой мощности платформы должно хватать для приложений для умных камер, умного дома, промышленной автоматизации, человеко-машинных интерфейсов (возможности «общения» со своим устройством голосом и жестами).
Программа лицензирования Arm Flexible Access позволяет компаниям использовать ее ресурсы по разработке микросхем и обучению «практически бесплатно», утверждает источник. Компании платят лицензионные сборы за технологию только на этапе разработки финальных проектов, и эта инициатива уже помогла разработать приложения искусственного интеллекта (ИИ) таким партнёрам, как Raspberry Pi и Hailo. В настоящее время в программе участвуют 300 участников.
@RUSmicro
❤1
🇷🇺 Модули сотовой связи. Приборы учета. Россия
Счетчик электроэнергии Ленэнерго стал реестровым
Однофазный многотарифный счетчик ЛЕ-2 3 производства Ленэнерго включен в Единый реестр российской радиоэлектронной продукции, запись № 10697147. Работу с данными обеспечивает встроенный модуль 4G/LTE ПР1603, разработанный и произведенный НИИМА Прогресс (ГК Элемент).
Такие счетчики применяются в многоквартирных домах, могут применяться в системах учета и контроля потребления электроэнергии. Устройство ведет учет активной и реактивной энергии в однофазных сетях переменного тока, а также учитывает электрическую энергию дифференцированно, в зависимости от времени суток.
Партнерство Ленэнерго и НИИМА Прогресс стартовало в феврале 2025 года, когда для соблюдения требований балльной системы в рамках ПП-719 были достигнуты договоренности о поставках модулей отечественного производства ПР1603. На текущий момент идут первые отгрузки модулей в Ленэнерго.
Модуль ПР1603 внесен в Единый реестр российской радиоэлектронной продукции в 2024 году. Модуль поддерживает работу с данными российской, американской, китайской и европейской систем GNSS, а также обеспечивает прием и передачу голосовых соединений, SMS и данных через каналы GPRS (2G), LTE и Bluetooth. В соответствие со стандартом 4G Cat.1 модуль поддерживает скорость восходящего канала до 5 Мбит/с и скорость нисходящего канала – до 10 Мбит/с.
Модуль применим не только в счетчиках электроэнергии, его можно задействовать и в других приборах учета, например, газа и воды, в аппаратуре систем безопасности, в роутерах и автомобильных бортовых устройствах.
@RUsmicro, фотографии - с сайта (ГИСП) реестра
Счетчик электроэнергии Ленэнерго стал реестровым
Однофазный многотарифный счетчик ЛЕ-2 3 производства Ленэнерго включен в Единый реестр российской радиоэлектронной продукции, запись № 10697147. Работу с данными обеспечивает встроенный модуль 4G/LTE ПР1603, разработанный и произведенный НИИМА Прогресс (ГК Элемент).
Такие счетчики применяются в многоквартирных домах, могут применяться в системах учета и контроля потребления электроэнергии. Устройство ведет учет активной и реактивной энергии в однофазных сетях переменного тока, а также учитывает электрическую энергию дифференцированно, в зависимости от времени суток.
Партнерство Ленэнерго и НИИМА Прогресс стартовало в феврале 2025 года, когда для соблюдения требований балльной системы в рамках ПП-719 были достигнуты договоренности о поставках модулей отечественного производства ПР1603. На текущий момент идут первые отгрузки модулей в Ленэнерго.
Модуль ПР1603 внесен в Единый реестр российской радиоэлектронной продукции в 2024 году. Модуль поддерживает работу с данными российской, американской, китайской и европейской систем GNSS, а также обеспечивает прием и передачу голосовых соединений, SMS и данных через каналы GPRS (2G), LTE и Bluetooth. В соответствие со стандартом 4G Cat.1 модуль поддерживает скорость восходящего канала до 5 Мбит/с и скорость нисходящего канала – до 10 Мбит/с.
Модуль применим не только в счетчиках электроэнергии, его можно задействовать и в других приборах учета, например, газа и воды, в аппаратуре систем безопасности, в роутерах и автомобильных бортовых устройствах.
@RUsmicro, фотографии - с сайта (ГИСП) реестра
👍8❤4🔥1
🇰🇷 Платформы для смартфонов. Корея
Samsung возвращается во флагманский сегмент с собственными процессами
Samsung решился вновь начать массовые поставки платформ Exynos в собственные флагманские модели, - использование Exynos 2600 в серии Galaxy S26 (на отдельных рынках) стало первым таким шагом после 4-летнего перерыва.
По данным неназванных источников Mobile World Live, тесты показали высокую производительность Exynos 2600 по сравнению с процессорами конкурентов, и компания начала массовое производство собственной платформы.
С производительностью все было неплохо и ранее, но наблюдался и перегрев, и высокое потребление от встроенной батареи. Можно предположить, что Samsung Electronics удалось решить эти проблемы.
Ожидается, что линейка, в которую войдет Galaxy S26, а также версии Plus и Ultra, будут выпущены в 2025 году. Ожидается, что доля собственных чипов в этой линейке составит 50%, смартфоны на их основе будут продавать в Корее и в Европе, а во флагманах линейки для США, Японии и Китая, скорее всего, окажутся микросхемы Qualcomm, по крайней мере, так часто бывало ранее.
В частности, по данным южнокорейского технологического аналитика Jukan, производительность графического процессора Exynos 2600 на 75% выше, чем у Apple A19 Pro и на 29% выше, чем у чипсета Qualcomm Snapdragon 8 Gen 5 Elite.
@RUSmicro по материалам Mobile World Live
Samsung возвращается во флагманский сегмент с собственными процессами
Samsung решился вновь начать массовые поставки платформ Exynos в собственные флагманские модели, - использование Exynos 2600 в серии Galaxy S26 (на отдельных рынках) стало первым таким шагом после 4-летнего перерыва.
По данным неназванных источников Mobile World Live, тесты показали высокую производительность Exynos 2600 по сравнению с процессорами конкурентов, и компания начала массовое производство собственной платформы.
С производительностью все было неплохо и ранее, но наблюдался и перегрев, и высокое потребление от встроенной батареи. Можно предположить, что Samsung Electronics удалось решить эти проблемы.
Ожидается, что линейка, в которую войдет Galaxy S26, а также версии Plus и Ultra, будут выпущены в 2025 году. Ожидается, что доля собственных чипов в этой линейке составит 50%, смартфоны на их основе будут продавать в Корее и в Европе, а во флагманах линейки для США, Японии и Китая, скорее всего, окажутся микросхемы Qualcomm, по крайней мере, так часто бывало ранее.
В частности, по данным южнокорейского технологического аналитика Jukan, производительность графического процессора Exynos 2600 на 75% выше, чем у Apple A19 Pro и на 29% выше, чем у чипсета Qualcomm Snapdragon 8 Gen 5 Elite.
@RUSmicro по материалам Mobile World Live
❤4👍1
🇨🇳 Микросхемы памяти. HBM. Китай
Китайская CXMT планирует провести листинг на Шанхайской фондовой бирже с оценкой в $42 млрд
Китайский производитель микросхем памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) планирует провести первичное публичное размещение акций на Шанхайской бирже в 1q2026, рассчитывая на оценку до 300 млрд юаней ($42,12 млрд). Об этом сообщает Reuters.
Созданная в 2016 году, CXMT решает стратегическую задачу укрепления позиций Китая на мировом рынке DRAM, на котором долгое время доминировали компании из Японии, Кореи и США.
В ходе размещения на бирже, компания планирует привлечь от 20 до 40 млрд юаней.
Планы IPO появились на фоне резкого роста акций китайских полупроводниковых компаний: базовый индекс CSI CN Semiconductor вырос примерно на 49% с начала 2025 года.
CXMT активно инвестирует в то, чтобы догнать лидеров рынка, таких как корейские SK Hynix и Samsung в области высокоскоростной памяти HBM.
Эта задача стала даже более актуальной после того, как американская компания Micron Technology планирует выйти из китайского бизнеса по производству серверных чипов через 2 года после того, как Пекин запретил использовать продукцию Micron для критически важной инфраструктуры.
Для ускорения разработки HBM3 CXMT объединила усилия с другим китайским производителем, YMTC, который исторически специализировался на флеш-памяти NAND. Опыт YMTC в области трехмерного стекирования чипов (3D NAND) может быть полезен для создания многослойной структуры HBM.
Капитальные инвестиции CXMT оцениваются примерно в $6-7 млрд в 2023 и 2024 годы, а в 2025 году ожидается рост на 5%, если США не введут еще какие-либо ограничения, пишет TechInsights.
CXMT строит предприятие по упаковке и корпусированию чипов HBM в коммерческом центре Шанхая с планами запуска этого производства в эксплуатацию к концу 2026 года. Первоначальный ежемесячный объем производства пластин HBM составит около 30 тысяч штук, что меньше 20% от мощности SK Hynix, - сообщают источники.
Ожидается, что в 2026 году CXMT начнет производить чипы HBM3 (G4, 16нм). Корейская SK Hynix заявила, что массовое производство HBM4 начнется в конце 2025 года. Таким образом, пока что у китайцев не получилось преодолеть отставание в поколениях чипов, сохраняются проблемы с качеством и тепловыделением. Впрочем, у CXMT пока что основная цель – удовлетворение внутреннего спроса, а не конкуренция с мировыми лидерами.
@RUSmicro
Китайская CXMT планирует провести листинг на Шанхайской фондовой бирже с оценкой в $42 млрд
Китайский производитель микросхем памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) планирует провести первичное публичное размещение акций на Шанхайской бирже в 1q2026, рассчитывая на оценку до 300 млрд юаней ($42,12 млрд). Об этом сообщает Reuters.
Созданная в 2016 году, CXMT решает стратегическую задачу укрепления позиций Китая на мировом рынке DRAM, на котором долгое время доминировали компании из Японии, Кореи и США.
В ходе размещения на бирже, компания планирует привлечь от 20 до 40 млрд юаней.
Планы IPO появились на фоне резкого роста акций китайских полупроводниковых компаний: базовый индекс CSI CN Semiconductor вырос примерно на 49% с начала 2025 года.
CXMT активно инвестирует в то, чтобы догнать лидеров рынка, таких как корейские SK Hynix и Samsung в области высокоскоростной памяти HBM.
Эта задача стала даже более актуальной после того, как американская компания Micron Technology планирует выйти из китайского бизнеса по производству серверных чипов через 2 года после того, как Пекин запретил использовать продукцию Micron для критически важной инфраструктуры.
Для ускорения разработки HBM3 CXMT объединила усилия с другим китайским производителем, YMTC, который исторически специализировался на флеш-памяти NAND. Опыт YMTC в области трехмерного стекирования чипов (3D NAND) может быть полезен для создания многослойной структуры HBM.
Капитальные инвестиции CXMT оцениваются примерно в $6-7 млрд в 2023 и 2024 годы, а в 2025 году ожидается рост на 5%, если США не введут еще какие-либо ограничения, пишет TechInsights.
CXMT строит предприятие по упаковке и корпусированию чипов HBM в коммерческом центре Шанхая с планами запуска этого производства в эксплуатацию к концу 2026 года. Первоначальный ежемесячный объем производства пластин HBM составит около 30 тысяч штук, что меньше 20% от мощности SK Hynix, - сообщают источники.
Ожидается, что в 2026 году CXMT начнет производить чипы HBM3 (G4, 16нм). Корейская SK Hynix заявила, что массовое производство HBM4 начнется в конце 2025 года. Таким образом, пока что у китайцев не получилось преодолеть отставание в поколениях чипов, сохраняются проблемы с качеством и тепловыделением. Впрочем, у CXMT пока что основная цель – удовлетворение внутреннего спроса, а не конкуренция с мировыми лидерами.
@RUSmicro
👍5
🇷🇺 Регулирование. Светотехника. Локализация. Маркировка. Россия
В светотехнической отрасли ждут старта эксперимента по введению цифровой маркировки
Маркировка призвана помочь решить проблему распространенности псевдороссийской продукции в области светотехники. По информации одного из отраслевых экспертов Станислава Лермонтова, эксперимент начнут 1 марта 2026 года, об этом пишет канал GS Group.
Ожидают в отрасли также изменений требований к уровню локализации. Проект документа предусматривает, что требования по обязательному производству в России кристаллов и корпусов отечественных светодиодов будут перенесены на 2030 год. Кроме того, добавляется ряд компонентов, за которые будут начислять баллы: оптический компаунд, клей, а также силикагель и различные виды упаковки.
Исполнительный директор GS LED (входит в GS Group) Андрей Мартынов уверен, что необходимо заострить внимание на контроле соблюдения требований ПП №719. Этот процесс уже начался, в частности, Минпромторг уже проводит ряд активных действий по контролю соблюдения данного постановления, из реестра уделено несколько компаний. По его словам, это сразу же дало рост спроса на продукцию компании. Андрей Мартынов надеется, что чем больше компаний будут использовать российские светодиоды, тем быстрее снизятся цены на них.
Проблема контрафакта и псевдороссийской сборки, безусловно, реальна. В этом плане действия Минпромторга по удалению из регистра «нарушителей конвенции» выглядят логичными.
Сложнее с маркировкой. Не все в отрасли согласны с полезностью этой меры, указывая на неизбежные высокие издержки, а также на риски утечки информации о цепочках поставки, что особенно критично в условиях санкций. Да и после введения маркировки, останется проблемой отличение продукции, собранной в России с использованием зарубежных кристаллов, от подлинно отечественной на уровне кристаллов.
@RUSmicro
В светотехнической отрасли ждут старта эксперимента по введению цифровой маркировки
Маркировка призвана помочь решить проблему распространенности псевдороссийской продукции в области светотехники. По информации одного из отраслевых экспертов Станислава Лермонтова, эксперимент начнут 1 марта 2026 года, об этом пишет канал GS Group.
Ожидают в отрасли также изменений требований к уровню локализации. Проект документа предусматривает, что требования по обязательному производству в России кристаллов и корпусов отечественных светодиодов будут перенесены на 2030 год. Кроме того, добавляется ряд компонентов, за которые будут начислять баллы: оптический компаунд, клей, а также силикагель и различные виды упаковки.
Исполнительный директор GS LED (входит в GS Group) Андрей Мартынов уверен, что необходимо заострить внимание на контроле соблюдения требований ПП №719. Этот процесс уже начался, в частности, Минпромторг уже проводит ряд активных действий по контролю соблюдения данного постановления, из реестра уделено несколько компаний. По его словам, это сразу же дало рост спроса на продукцию компании. Андрей Мартынов надеется, что чем больше компаний будут использовать российские светодиоды, тем быстрее снизятся цены на них.
Проблема контрафакта и псевдороссийской сборки, безусловно, реальна. В этом плане действия Минпромторга по удалению из регистра «нарушителей конвенции» выглядят логичными.
Сложнее с маркировкой. Не все в отрасли согласны с полезностью этой меры, указывая на неизбежные высокие издержки, а также на риски утечки информации о цепочках поставки, что особенно критично в условиях санкций. Да и после введения маркировки, останется проблемой отличение продукции, собранной в России с использованием зарубежных кристаллов, от подлинно отечественной на уровне кристаллов.
@RUSmicro
👍10
🇳🇱 AI-чипы. Нидерланды
Европейская Axelera выпускает ИИ-чип для инференса
Axelera AI, одна из немногих европейских компаний, производящих ИИ-чипы, вчера объявила о запуске второй линейки продуктов. Об этом сообщает Reuters.
Как и предыдущая линейка чипов Metis, новые чипы Europa от Axelera будут использоваться для обработки инференса с помощью ИИ. Компания из Эйндховена, Нидерланды, планирует продавать линейку Europe клиентам, работающим в передовых отраслях, например, на заводах, где используется множество камер и датчиков. Чипы будут использоваться для анализа полученных данных и быстрого выявления проблем.
Компания Axelera сообщает, что первые поставки чипов Europa, которые выпустит контрактное предприятие Samsung Electronics, начнутся в 1H2026.
В марте 2025 года Axelera получила грант в размере $66 млн на разработку еще более совершенного чипа под названием Titania для использования в суперкомьпьютерных центрах по всему Европейскому союзу. Ожидается, что чип будет выпущен в 2027 году.
@RUSmicro
Европейская Axelera выпускает ИИ-чип для инференса
Axelera AI, одна из немногих европейских компаний, производящих ИИ-чипы, вчера объявила о запуске второй линейки продуктов. Об этом сообщает Reuters.
Как и предыдущая линейка чипов Metis, новые чипы Europa от Axelera будут использоваться для обработки инференса с помощью ИИ. Компания из Эйндховена, Нидерланды, планирует продавать линейку Europe клиентам, работающим в передовых отраслях, например, на заводах, где используется множество камер и датчиков. Чипы будут использоваться для анализа полученных данных и быстрого выявления проблем.
Компания Axelera сообщает, что первые поставки чипов Europa, которые выпустит контрактное предприятие Samsung Electronics, начнутся в 1H2026.
В марте 2025 года Axelera получила грант в размере $66 млн на разработку еще более совершенного чипа под названием Titania для использования в суперкомьпьютерных центрах по всему Европейскому союзу. Ожидается, что чип будет выпущен в 2027 году.
@RUSmicro
👍5🤣1